CN117568924A - 调整硅片在外延基座上的位置的方法及系统以及外延设备 - Google Patents

Abstract

本公开涉及调整硅片在外延基座上的位置的方法及系统以及包括该系统的外延设备。该方法包括：将第一硅片的在其经过中心的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值中的最大者与特定值进行比较；在该最大者大于该特定值时，判定外延基座沿偏移方向偏移；以及基于偏移方向对待生长外延的第二硅片在外延基座上的位置进行调整。通过本公开的调整硅片在外延基座上的位置的方法、系统以及外延设备，能够在不用打开外延设备的情况下判定外延基座的偏移方向并据此进行待生长外延的硅片在外延基座上的居中调整。

Description

调整硅片在外延基座上的位置的方法及系统以及外延设备

技术领域

本公开涉及半导体硅片加工技术领域，具体地，涉及调整硅片在外延基座上的位置的方法及系统以及包括该系统的外延设备。

背景技术

外延硅片通常是通过化学气相沉积的方式在衬底硅片上生长一层外延薄膜而得到，其具有表面缺陷少、结晶性优异和电阻率可控等特性。在进行化学气相沉积时，硅片通过传送装置被传送至反应腔室内的基座上，气体通常沿单一方向进入反应腔室，因此需要使基座旋转以带动硅片旋转，由此在硅片上形成均匀的外延层。

平坦度作为衡量外延硅片质量的重要指标，与硅片在基座上的位置密切相关。当硅片在基座上居中放置时，会在硅片上均匀地生长外延，所得的外延硅片的平坦度良好。然而，随着生产次数的增多，基座旋转的圈数也随之增多，可能发生基座偏移或者倾斜，导致硅片无法准确位于基座的中心，从而使外延硅片的平坦度受到影响。

在实际外延生长中，造成外延硅片平坦度变差的原因通常是基座发生偏移或者倾斜。在这种情况下，需要将外延生长设备停机降温，然后打开反应腔室来对基座的位置进行检查和调整，并需要重新校正传送装置的传输位置，以使硅片能够被放置在基座的中心。然而，这种方式会耗费大量时间和人力，严重影响外延生长设备的产能。

发明内容

为解决上述技术问题，本公开的实施方式期望提供一种调整硅片在外延基座上的位置的方法和系统，该方法和系统使得能够在不用打开外延设备的情况下判定外延基座的偏移方向并基于该偏移方向进行硅片在外延基座上的居中调整。

为此，根据本公开的第一方面，提供了一种调整硅片在外延基座上的位置的方法，该方法包括：

将第一硅片的在其经过中心的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值中的最大者与特定值进行比较，其中，第一硅片为在外延基座上进行外延而获得的外延硅片，并且角度方向为相对于第一硅片上的经过中心的第一设定方向的角度方向；

在该最大者大于该特定值时，判定外延基座沿偏移方向偏移，偏移方向为外延基座的相对于其上的经过中心的第二设定方向的角度方向，偏移方向与第二设定方向之间的夹角根据第一夹角与第二夹角之和确定，其中，第一夹角为与该最大者对应的两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者与第一设定方向之间的夹角，第二夹角为在第一硅片居中地位于外延基座上的情况下第一设定方向与第二设定方向之间的夹角；以及

基于偏移方向对待生长外延的第二硅片在外延基座上的位置进行调整。

在本公开的实施方式中，第一设定方向可以基于第一硅片的缺口确定。

在本公开的实施方式中，第二夹角可以为零，使得偏移方向为与该最大者对应的两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者。

在本公开的实施方式中，该方法还可以包括基于与该最大者对应的ESFQD值确定外延基座沿偏移方向偏移的偏移量。

在本公开的实施方式中，所述比较和所述判定可以基于表示第一硅片的ESFQD值随其角度方向变化的曲线图进行。

在本公开的实施方式中，可以基于偏移方向对用于向外延基座传送待生长外延的硅片的传送机构进行调整，以便通过传送机构调整第二硅片在外延基座上的位置。

在本公开的实施方式中，可以基于偏移方向和偏移量对用于向外延基座传送待生长外延的硅片的传送机构进行调整，以便通过传送机构调整第二硅片在外延基座上的位置。

在本公开的实施方式中，该特定值可以基于在外延基座未发生偏移的情况下获得的第一硅片的在其经过中心的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值而确定。

根据本公开的第二方面，还提供了一种调整硅片在外延基座上的位置的系统，该系统包括：

比较单元，用于将第一硅片的在其经过中心的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值中的最大者与特定值进行比较，其中，第一硅片为在外延基座上进行外延而获得的外延硅片，并且角度方向为相对于第一硅片上的经过中心的第一设定方向的角度方向；

判断单元，用于在该最大者大于该特定值时，判定外延基座沿偏移方向偏移，偏移方向为外延基座的相对于其上的经过中心的第二设定方向的角度方向，偏移方向与第二设定方向之间的夹角根据第一夹角与第二夹角之和确定，其中，第一夹角为与该最大者对应的两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者与第一设定方向之间的夹角，第二夹角为在第一硅片居中地位于外延基座上的情况下第一设定方向与第二设定方向之间的夹角；以及

调整单元，用于基于偏移方向对待生长外延的第二硅片在外延基座上的位置进行调整。

根据本公开的第三方面，还提供了一种外延设备，该外延设备包括根据第二方面的调整硅片在外延基座上的位置的系统。

在本公开的方法和系统中，通过将第一硅片的在相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值中的最大者与特定值进行比较，能够判断外延基座是否偏移，并且根据该最大者以及对应的ESFQD值中的为正值的一者，能够判断外延基座具体朝向与该最大者对应的两个相反的角度方向中的哪个角度方向偏移。由此，能够在无需外延设备停机的情况下，仅借助前次外延硅片本身的ESFQD值，即可判断外延基座是否发生偏移并判定外延基座的偏移方向。具体判定方法基于简单的数值计算以及正负值判断，方便快捷。此外，本公开的调整方法仅需基于偏移方向对第二硅片而非对外延基座进行位置调整，使得无需等待外延设备停机冷却后打开反应腔室来对外延基座进行调整，一方面无需中断生产操作，提高了外延生长工艺的连续性，稳定了产能，另一方面避免了因反应腔室的暴露造成外延基座及其他部件的不期望的污染，提高了外延生长环境的清洁度，有利于提高外延硅片的品质。

附图说明

图1为示出了硅片居中坐置于外延基座上的情况下获得外延硅片的示意图。

图2为示出了在图1所示情况下获得的外延硅片的ESFQD值随其角度方向的变化的曲线图。

图3为示出了在外延基座发生偏移的情况下获得外延硅片的示意图。

图4为示出了在图3所示情况下获得的外延硅片的ESFQD值随其角度方向的变化的曲线图。

图5为示出了外延基座在发生偏移前后与硅片的相对位置的示意图。

图6为示出了第二夹角为零时外延基座在发生偏移前后与硅片的相对位置的示意图。

图7为示出了通过传送机构向外延基座传送硅片的示意图。

图8为示出了根据本公开的实施方式的调整硅片在外延基座上的位置的方法的框图。

具体实施方式

下面将结合本公开的实施方式中的附图，对本公开的实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。

边缘部位正面最小二乘偏差(Edge Site Front least Squares Deviation，ESFQD)是表征硅片边缘的平坦度的指标。以直径300mm的硅片为例，通常例如将硅片的外周部分分割成在径向上的长度为15mm的72个扇形区域，并以最小二乘法拟合得到一假想平面作为各扇形区域的区内基准面，ESFQD为各扇形区域相对于区内基准面的正或负的距离偏差，以±值表示。

利用化学气相沉积在硅片的表面进行外延生长的过程中，硅片相对于外延基座的位置对于外延生长的均匀性会产生影响。在本公开中，具体地通过平坦度参数ESFQD来反映该影响。下面结合图1至图4通过示例进行详细说明。

如图1所示，硅片W在外延生长中居中地位于外延基座B上。在这种情况下，硅片W的中心O与外延基座B的中心P完全重合，外延生长得到的外延硅片W’的ESFQD值随其角度方向变化的曲线图(下文简称ESFQD图)由图2示出。

参照图2，在该ESFQD图中，纵坐标表示ESFQD值，横坐标表示外延硅片W’的角度方向。在本公开中，角度方向指的是相对于外延硅片W’上的经过其中心O的一设定方向D0的角度方向。该设定方向D0可以是为0°的基准方向。例如，在图1中右侧的外延硅片W’上示出了经过其中心O的设定方向D0以及经过中心O的相反的两个角度方向OX和OY，角度方向OX在图1中示出为相对于该设定方向D0的以逆时针方向计夹角为90°的角度方向，角度方向OY示出为相对于该设定方向D0的以逆时针方向计夹角为270°(即90°+180°)的角度方向。图2示出了外延硅片W’的在从其0°方向到360°方向范围内的所有角度方向上的ESFQD值。

如图2所示，可以观察到，在硅片相对于外延基座居中的情况下，生长得到的外延硅片W’的ESFQD值均保持在相对稳定的正常数值范围内，例如图2中所示的-10～5的范围内，并且外延硅片W’的任意一对角度方向OX和OY(即，经过其中心的相反的两个角度方向)上的ESFQD值大致相同，表明外延硅片的边缘在其所有角度方向上的厚度差异小，边缘平坦度良好。

参照图3，示出了外延基座B在外延生长过程中发生偏移。在这种情况下，硅片W的中心O不再与外延基座B的中心P重合，由此生长得到的外延硅片W”的ESFQD图由图4示出。

如图4所示，可以观察到，在外延基座B发生偏移的情况下，生长得到的外延硅片W”的ESFQD值中有部分值明显超出了-10～5的范围，并且在这部分值中，在外延硅片的相反的两个角度方向上的ESFQD值相差较大，例如，60°方向和240°方向上的ESFQD值分别为-13和11，表明外延硅片W”在这部分值所对应的角度方向上的边缘平坦度变差。

此外，可以在图4中观察到，60°方向和与之反向的240°方向上的ESFQD值的差异最大，二者ESFQD值之差的绝对值为23。这表明，外延硅片W”的边缘在60°方向上与在240°方向上的厚度差异最大，相应的平坦度最差。

对此，发明人注意到，在外延生长过程中，例如，在图3中，当外延基座B朝向方向S偏移时，硅片W会向外延基座B的一侧边缘E偏移，即，向方向S的反向偏移，中心O也会相对于中心P向方向S的反向偏移。在这种情况下继续进行外延生长时，硅源气体在硅片W的更靠近外延基座中心P或者说距外延基座边缘E更远的一侧区域L(例如图4中指示的180°～300°区域)的停留时间相对更长，因此生长的外延层相对更厚，而在硅片W的更偏离外延基座中心P或者说距外延基座边缘E更近的另一侧区域R(例如图4中指示的0°～120°区域)的停留时间相对缩短，因此生长的外延层相对更薄。这就造成外延硅片的边缘在该一侧区域L与该另一侧区域R之间的厚度差异较大，在ESFQD值上表现为：该一侧区域L的ESFQD值偏离正常数值范围(外延生长均匀时的ESFQD值范围)且为正值，而该另一侧区域R的ESFQD值偏离上述正常数值范围且为负值。

此外，对应于外延基座偏移时所在的方向，外延硅片在与该方向对应的相反的两个角度方向上的边缘厚度差最大，即ESFQD值之差的绝对值最大。例如，如图3和图4中所示，对于60°方向与240°方向，这两个相反的角度方向对应的ESFQD值之差的绝对值最大，并且这两个角度方向与外延基座B偏移时所在的方向S对应。

由上述分析可知，能够根据外延硅片在相反的两个角度方向上的ESFQD值之间是否存在差异来判断外延过程中硅片相对于外延基座是否居中，即判断外延基座是否偏移；更进一步地，能够根据该差异的绝对值中的最大者判断基座偏移时所在的方向；并且更进一步地，能够根据ESFQD值的正负情况判断外延基座具体朝向与该偏移所在方向对应的两个相反的角度方向中的哪个角度方向偏移。

基于此，根据本公开的实施方式，提出了一种调整硅片W在外延基座B上的位置的方法。下面，结合参照图8，对该方法进行详细描述。

将第一硅片W1的在其经过中心O的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值中的最大者与特定值进行比较。

如图5所示，第一硅片W1为在外延基座B上进行外延而获得的外延硅片。在该第一硅片W1离开外延设备后，可以利用平坦度检测装置检测得到ESFQD值。如前文已经提到的，角度方向为相对于第一硅片W1上的经过中心O的第一设定方向D1的角度方向。图5中示例性地示出了经过第一硅片W1的中心O的一对相反的角度方向OM和ON。角度方向OM与角度方向ON之间相差180°，因此，角度方向OM和ON彼此相反并分别指示从中心O指向外侧的方向。

根据前文的分析，在外延基座发生偏移的情况下，第一硅片W1的在相反的两个角度方向上的ESFQD值之间会存在差异。当该差异在一定范围内时，认为外延基座未发生偏移(如图2中所示，有时会存在差异，但差异较小)，但当该差异超出该范围时，则认为外延基座发生偏移。因此，通过将第一硅片W1的在相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值中的最大者与一特定值进行比较，便可判断外延基座是否发生偏移。

在该最大者大于该特定值时，判定外延基座沿偏移方向偏移。

根据前文的分析，基于该最大者所对应的两个相反的角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一个角度方向，可以确定基座的偏移方向。

然而，需要注意的是，前文所描述的第一硅片W1的角度方向、第一设定方向、夹角等均是在第一硅片W1自身的以其中心为基准点的参照系内确定的。鉴于外延基座B的偏移的实质是相对于其自身原中心位置的偏移，因此，偏移方向也是在外延基座B自身的参照系中确定的。如图5中右侧所示，偏移方向S为外延基座B的相对于其上的经过中心P的第二设定方向D2的角度方向。第二设定方向D2可以是在外延基座B上设定的为0°的基准方向。

因此，在确定外延基座的偏移方向时，须将第一设定方向D1与第二设定方向D2的角度关系考虑在内。

由于偏移方向S为外延基座B的相对于第二设定方向D2的角度方向，如图5中所示，偏移方向S相对于第二设定方向D2以逆时针方向计的夹角为c。该夹角c可以根据第一夹角a与第二夹角b之和确定。

第一夹角a为与该最大者对应的两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者(图5中例如为角度方向ON)与第一设定方向D1之间的夹角。结合图4和图5，该最大者对应的两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者为240°方向(在第一硅片W自身的参照系中确定的)，即第一夹角a确定为240°。

第二夹角b为在第一硅片W1居中地位于外延基座B上的情况下第一设定方向D1与第二设定方向D2之间的夹角。通过在第一硅片W1的中心与外延基座B的中心重合的情况下(即二者的参照系重合的情况下)将第一设定方向D1与第二设定方向D2的角度关系考虑在内，可以最终确定外延基座的偏移方向S(在外延基座B自身的参照系中确定)。图5中左侧示出D1与D2之间的夹角即第二夹角为b，例如图5示出为90°。

由此，可以确定外延基座B的偏移方向为相对于第二设定方向D2的a+b角度的方向。在图5的示例中，偏移方向S可以确定为相对于第二设定方向D2的330°(240°+90°)方向。

需要注意的是，前面所有关于角度值的确定均是以逆时针方向计算的。但可以理解的是，也可以采用顺时针方向计算，只要第一硅片的参照系和外延基座的参照系均采用相同方向即可。

基于偏移方向S对待生长外延的第二硅片在外延基座B上的位置进行调整。

在已知偏移方向S的情况下，可以通过将第二硅片沿偏移方向S进行调整，使得外延基座相对于硅片的偏移程度相对减轻，以至第二硅片的中心与外延基座B的中心重合，从而减小外延基座偏移带来的不利影响，改善第二硅片在外延生长过程的外延层生长均匀性，提高外延硅片的边缘平坦度。

可以理解的是，第一硅片在第二硅片之前于外延基座上进行外延生长，第一硅片为前次在外延基座上生长外延的硅片，第二硅片为本次待在该外延基座上生长外延的硅片。基于生长完外延的第一硅片的ESFQD值判定外延基座是否偏移以及偏移的方向，并且基于该判定结果，对第二硅片在该外延基座上的位置进行调整，以尽可能使第二硅片居中地被放置在外延基座上。

通过上述调整方式，能够在无需外延设备停机的情况下，仅借助前次外延硅片本身的ESFQD结果，即，每次仅凭前次外延硅片的平坦度结果，即可判断前次生产时外延基座是否发生偏移并判定其偏移方向。具体判定方法基于简单的数值计算以及正负值判断，方便快捷。此外，本公开的调整方法仅需基于偏移方向S对第二硅片而非对外延基座B进行位置调整，使得无需等待外延设备停机冷却后打开反应腔室来对外延基座进行调整，一方面无需中断生产操作，提高了外延生长工艺的连续性，稳定了产能，另一方面避免了因反应腔室的暴露造成外延基座及其他部件的不期望的污染，提高了外延生长环境的清洁度，有利于提高外延硅片的品质。

在一些实施方式中，第一设定方向D1基于第一硅片W1的缺口确定。

缺口(notch)作为硅片特有的物理存在的定向标记，在硅片的各项工艺流程中用于帮助硅片正确定位。通过基于第一硅片W1的缺口确定第一设定方向D1，将抽象的第一设定方向D1具体化和明确化，简化了偏移方向的判断过程中的有关方向确定和角度确定的所有环节。

需要说明的是，缺口所在的径向方向可以是0°的基准方向，也可以是非0°的方向。在非0°的方向的情况下，0°的基准方向可以是通过与缺口所在的径向方向成固定角度来确定的，即，第一设定方向D1仍是基于缺口确定的。

在一些实施方式中，第二夹角b为零，使得偏移方向S为与该最大者对应的两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者。

如图6所示，第一设定方向D1与第二设定方向D2设置成彼此重合，从而使第二夹角b为零。在这种情况下，外延基座B的偏移方向S与第一硅片W1的上述两个角度方向中的ESFQD值为正值的角度方向相同，即夹角c与第一夹角a相等。也就是说，可以直接通过第一硅片W1的偏移方向确定外延基座B的偏移方向S。由此，免去了偏移方向S确定过程中的角度计算过程，即无需第一硅片W1的参照系和外延基座B的参照系的转换过程，而是直接仅通过在第一硅片W1的参照系中，将与最大者对应的两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者判定为偏移方向S。由此，大大简化了偏移方向S的判断过程。

可以设想的是，第二夹角b可以为其他固定的角度，即第二夹角b的角度是固定的，以便免去第二夹角的测量和确定过程，有利于节省偏移方向的判断过程。

本一些实施方式中，调整硅片在外延基座上的位置的方法还包括基于与该最大者对应的ESFQD值确定外延基座B沿偏移方向S偏移的偏移量。

如前文所提到的，第一硅片W1的ESFQD值的大小与外延基座B的偏移程度存在相关性。硅片的距外延基座边缘E更远的一侧区域L生长的外延层相对更厚，ESFQD值更偏正，距外延基座边缘E更近的另一侧区域R生长的外延层相对更薄，ESFQD值更偏负(参照图3和图4)。也就是说，在以上述最大者对应的两个相反的角度方向上的ESFQD值为基础的情况下，偏移程度或偏移量越大，则单个角度方向上的ESFQD值的绝对值越大，或者这两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值越大。

基于该规律，以该最大者对应的ESFQD值为基础，可以通过数据分析得出外延基座B沿偏移方向S的偏移量与该ESFQD值的对应关系。由此，可以基于与该最大者对应的ESFQD值确定外延基座B沿偏移方向S偏移的偏移量。在偏移方向和偏移量均确定的情况下，能够基于偏移方向和偏移量将待生长外延的第二硅片准确调整成居中放置在外延基座B上，使得第二硅片在外延生长过程中能够更加均匀地生长外延层，从而使得到的外延硅片具有尽可能好的边缘平坦度。

在一些实施方式中，前述用于确定外延基座的偏移方向的比较和判定均基于表示第一硅片的ESFQD值随其角度方向变化的曲线图进行，例如，基于与图2和图4类似的曲线图进行。

这种曲线图能够直观地示出第一硅片W1的任意一对相反的两个角度方向上的ESFQD值的大小和正负。在前述比较和判定过程中，可以容易地在曲线图中锁定相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值中的最大者，并识别出该最大者对应的两个方向角度，并直接根据坐标轴的正负值确定其中正值所指示的角度方向，即偏移方向。

此外，相对通过计算装置直接给出偏移方向的结果，曲线图也有利于工作人员直观地获知第一硅片W1的整体ESFQD分布并得知当前的外延硅片的整体平坦度状况，便于其对ESFQD的数值变化规律反映的不同平坦度状况进行识别和分析。

在一些实施方式中，基于偏移方向S对用于向外延基座B传送待生长外延的硅片的传送机构T(见图7)进行调整，以便通过传送机构调整第二硅片在外延基座上的位置。

通过基于偏移方向首先对传送机构T进行调整，再由传送机构T装载和传送第二硅片，可以使第二硅片直接由传送机构T传送并放置在外延基座B上的期望位置，例如外延基座B的居中位置。例如，当判定外延基座B朝向方向S偏移时，可以调整传送机构T同样朝向方向S偏移，以便第二硅片可以被向外延基座B的居中位置传递。

与放置在外延基座上时才对第二硅片实施位置调整的方式相比，本公开的这种方式避免了调整时可能发生的不恰当的接触和碰撞以及由此造成的对硅片的损伤和污染，有利于提高外延硅片的品质。

可以设想的是，在确定外延基座的偏移量的情况下，可以基于偏移方向和偏移量对用于向外延基座传送待生长外延的硅片的传送机构进行调整，以便通过传送机构调整第二硅片在外延基座上的位置。

在一些实施方式中，特定值基于在外延基座B未发生偏移的情况下获得的第一硅片W1的在其经过中心O的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值而确定。

外延基座B未发生偏移的情况下获得的生长有外延的第一硅片W1理论上具有良好的边缘平坦度，即具有较好的ESFQD值。如图2所示，该情况下的相反两个角度方向上的ESFQD值大致相同，之间的差异处于代表外延基座未发生偏移的一定范围内。因此，特定值可以通过该情况下的相反两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值来确定。

可以设想的是，该特定值可以不直接等于上述情况下的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值。例如，可以设想的是，该特定值可以确定为：在外延基座B未发生偏移的情况下获得的第一硅片W1的在其经过中心O的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值+修正值。该“修正值”例如为在外延工艺要求或标准下允许的或可接受的第一硅片W1的在其经过中心O的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值。

通过这种方式，可以在比较基准的基础上设定更适应于实际生产过程的合理的“门槛”，以排除在实际生产过程存在的例如以下基座偏移情况：例如“假性偏移”，即外延基座B实际未偏移，但由于测量误差等原因导致存在数值很小的上述最大者；或者可忽略的“轻微偏移”，即外延基座B仅发生轻微偏移但不至于导致外延硅片的ESFQD无法满足工艺要求。

通过排除掉上述偏移情况，可以准确有效地识别出本公开所关注的有必要调整的外延基座偏移情况，以便后续更针对性地且更有效地分析和判断外延基座的偏移。

根据本公开的实施方式，还提出了一种调整硅片在外延基座上的位置的系统，该系统包括：

比较单元，用于将第一硅片的在其经过中心的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值中的最大者与特定值进行比较，其中，第一硅片为在外延基座上进行外延而获得的外延硅片，并且角度方向为相对于第一硅片上的经过中心的第一设定方向的角度方向；

判断单元，用于在该最大者大于特定值时，判定外延基座沿偏移方向偏移，偏移方向为外延基座的相对于其上的经过中心的第二设定方向的角度方向，偏移方向与第二设定方向之间的夹角根据第一夹角与第二夹角之和确定，其中，第一夹角为与该最大者对应的两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者与第一设定方向之间的夹角，第二夹角为在第一硅片居中地位于外延基座上的情况下第一设定方向与第二设定方向之间的夹角；以及

调整单元，用于基于偏移方向对待生长外延的第二硅片在外延基座上的位置进行调整。

该系统可以适用于根据本公开的调整硅片在外延基座上的位置的方法。

例如，在一些实施方式中，第一设定方向可以基于第一硅片的缺口确定。在一些实施方式中，第二夹角可以为零，使得偏移方向为与上述最大者对应的两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者。在一些实施方式中，判断单元可以基于与上述最大者对应的ESFQD值确定外延基座沿偏移方向偏移的偏移量。在一些实施方式中，比较单元和判断单元可以基于表示第一硅片的ESFQD值随其角度方向变化的曲线图分别进行上述比较和判定。在一些实施方式中，调整单元可以基于偏移方向对用于向外延基座传送待生长外延的硅片的传送机构进行调整，以便通过传送机构调整第二硅片在外延基座上的位置。在一些实施方式中，调整单元可以基于偏移方向和偏移量对用于向外延基座传送待生长外延的硅片的传送机构进行调整，以便通过传送机构调整第二硅片在外延基座上的位置。在一些实施方式中，特定值可以基于在外延基座未发生偏移的情况下获得的第一硅片的在其经过中心的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值而确定。

根据本公开的实施方式，还提出了一种外延设备，该外延设备包括根据本公开的调整硅片在外延基座上的位置的系统。

基于与前述方法相同或相应的特征，根据本公开的实施方式的调整硅片在外延基座上的位置的系统和包括该系统的外延设备也能够具有前述提到的诸多优点和作用。

以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种调整硅片在外延基座上的位置的方法，其特征在于，包括：

将第一硅片的在其经过中心的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值中的最大者与特定值进行比较，其中，所述第一硅片为在所述外延基座上进行外延而获得的外延硅片，并且所述角度方向为相对于所述第一硅片上的经过中心的第一设定方向的角度方向；

在所述最大者大于所述特定值时，判定所述外延基座沿偏移方向偏移，所述偏移方向为所述外延基座的相对于其上的经过中心的第二设定方向的角度方向，所述偏移方向与所述第二设定方向之间的夹角根据第一夹角与第二夹角之和确定，其中，所述第一夹角为与所述最大者对应的所述两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者与所述第一设定方向之间的夹角，所述第二夹角为在所述第一硅片居中地位于所述外延基座上的情况下所述第一设定方向与所述第二设定方向之间的夹角；以及

基于所述偏移方向对待生长外延的第二硅片在所述外延基座上的位置进行调整。

2.根据权利要求1所述的调整硅片在外延基座上的位置的方法，其特征在于，所述第一设定方向基于所述第一硅片的缺口确定。

3.根据权利要求1所述的调整硅片在外延基座上的位置的方法，其特征在于，所述第二夹角为零，使得所述偏移方向为与所述最大者对应的所述两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者。

4.根据权利要求1所述的调整硅片在外延基座上的位置的方法，其特征在于，还包括基于与所述最大者对应的ESFQD值确定所述外延基座沿所述偏移方向偏移的偏移量。

5.根据权利要求1所述的调整硅片在外延基座上的位置的方法，其特征在于，所述比较和所述判定基于表示所述第一硅片的ESFQD值随其角度方向变化的曲线图进行。

6.根据权利要求1所述的调整硅片在外延基座上的位置的方法，其特征在于，基于所述偏移方向对用于向所述外延基座传送待生长外延的硅片的传送机构进行调整，以便通过所述传送机构调整所述第二硅片在所述外延基座上的位置。

7.根据权利要求4所述的调整硅片在外延基座上的位置的方法，其特征在于，基于所述偏移方向和所述偏移量对用于向所述外延基座传送待生长外延的硅片的传送机构进行调整，以便通过所述传送机构调整所述第二硅片在所述外延基座上的位置。

8.根据权利要求1所述的调整硅片在外延基座上的位置的方法，其特征在于，所述特定值基于在所述外延基座未发生偏移的情况下获得的所述第一硅片的在其经过中心的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值而确定。

9.一种调整硅片在外延基座上的位置的系统，其特征在于，包括：

比较单元，用于将第一硅片的在其经过中心的相反的两个角度方向上的ESFQD值之差的绝对值中的最大者与特定值进行比较，其中，所述第一硅片为在所述外延基座上进行外延而获得的外延硅片，并且所述角度方向为相对于所述第一硅片上的经过中心的第一设定方向的角度方向；

判断单元，用于在所述最大者大于所述特定值时，判定所述外延基座沿偏移方向偏移，所述偏移方向为所述外延基座的相对于其上的经过中心的第二设定方向的角度方向，所述偏移方向与所述第二设定方向之间的夹角根据第一夹角与第二夹角之和确定，其中，所述第一夹角为与所述最大者对应的所述两个角度方向中的相应的ESFQD值为正值的一者与所述第一设定方向之间的夹角，所述第二夹角为在所述第一硅片居中地位于所述外延基座上的情况下所述第一设定方向与所述第二设定方向之间的夹角；以及

调整单元，用于基于所述偏移方向对待生长外延的第二硅片在所述外延基座上的位置进行调整。

10.一种外延设备，其特征在于，包括根据权利要求9所述的调整硅片在外延基座上的位置的系统。