JP2016086078A - Ｒ−ｔ−ｂ系焼結磁石の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】重希土類元素ＲＨをできるだけ使用することなく、Ｂｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を安定して製造することができる−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供する。【解決手段】従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金とほぼ同様のＢ量からなりＧａを必須元素として含有するＲ−Ｔ−Ｂ系の主合金と、Ｐｒ、Ｂ、ＴｉまたはＺｒ、およびＦｅを必須元素として含有する副合金とを、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％またはＺｒが０．１９〜０．５７質量％となるように混合し、成形、焼結、熱処理する。【選択図】なし
Description
本発明はＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法に関する。
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石（Ｒは希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む、Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）は永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られており、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、電気自動車用（ＥＶ、ＨＶ、ＰＨＶなど）モータ、産業機器用モータなどの各種モータや家電製品などに使用されている。
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は主としてＲ２Ｔ１４Ｂ化合物からなる主相とこの主相の粒界部分に位置する粒界相とから構成されている。主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物は高い飽和磁化と異方性磁界を持つ強磁性材料でありＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の特性の根幹をなしている。
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は高温で保磁力ＨｃＪ（以下、単に「ＨｃＪ」という）が低下するため不可逆熱減磁が起こる。そのため、特に電気自動車用モータに使用される場合、高いＨｃＪを有することが要求されている。
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石において、主相であるＲ２Ｔ１４Ｂ化合物中のＲに含まれる軽希土類元素ＲＬ（主としてＮｄおよび／またはＰｒ）の一部を重希土類元素ＲＨ（主としてＤｙおよび／またはＴｂ）で置換するとＨｃＪが向上することが知られており、重希土類元素ＲＨの置換量の増加に伴いＨｃＪは向上する。
しかし、Ｒ２Ｔ１４Ｂ化合物中の軽希土類元素ＲＬを重希土類元素ＲＨで置換するとＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＨｃＪが向上する一方、残留磁束密度Ｂｒ（以下、単に「Ｂｒ」という）が低下する。また、重希土類元素、特にＤｙなどは資源存在量が少ないうえ産出地が限定されているなどの理由から供給が安定しておらず、価格が大きく変動するなどの問題を有している。そのため、近年、重希土類元素ＲＨをできるだけ使用することなくＨｃＪを向上させることが求められている。
特許文献１には、従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金に比べＢ量が相対的に少ない特定の範囲に限定するとともにＡｌ、Ｇａ、Ｃｕのうちから選ばれる１種以上の金属元素Ｍを含有させることによりＲ２Ｔ１７相を生成させ、該Ｒ２Ｔ１７相を原料として生成させた遷移金属リッチ相（Ｒ６Ｔ１３Ｍ）の体積率を充分に確保することにより、Ｄｙの含有量を抑制しつつ保磁力の高いＲ−Ｔ−Ｂ系希土類焼結磁石が得られることが記載されている。
一般に、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を製造する際、Ｂ原料として、Ｂ含有量が必ずしも安定しないフェロボロン合金が用いられている。また、Ｂは製造工程上、含有量の変動が生じ易く、さらに、高精度に分析することが困難な元素であるため、厳密に管理することが極めて困難である。また、Ｂ量が少なくなるほど磁気特性に与える影響が大きくなり、Ｂ量の僅かな変動で磁気特性、特にＨｃＪが大きく変動（急激に低下）することが知られている。
特許文献１に記載の発明においては、Ｂ量が相対的に少ない特定の範囲に限定されているため、前記の通り、使用原料や製造過程に起因するＢ量の僅かな変動によりＨｃＪが大きく変動（急激に低下）するという問題がある。
また、前記の通りＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が最も利用される用途はモータである。Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性が向上すればモータの出力向上あるいはモータの小型化を図ることができるためＢｒ、ＨｃＪの向上は大変有効であるが、それらの特性とともに角型比Ｈｋ／ＨｃＪ（以下、単に「Ｈｋ／ＨｃＪ」という場合がある）も高くなければならない。角型比が低いと限界減磁界強度が小さくなるので減磁し易くなるという問題を引き起こす。そのため、Ｂｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにあるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が求められる。なお、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の分野においては、一般に、角型比を求めるために測定するパラメータであるＨｋは、Ｊ（磁化の大きさ）−Ｈ（磁界の強さ）曲線の第２象限において、Ｊが０．９Ｊｒ（Ｊｒは残留磁化、Ｊｒ＝Ｂｒ）の値になる位置のＨの値が用いられている。このＨｋを減磁曲線のＨｃＪで除した値（Ｈｋ／ＨｃＪ）が角型比として定義される。
特許文献１に記載の発明によって得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、特許文献１の表４〜表６に示されるように、角型比（特許文献１ではＳｑ（角形性））が最高でも９５％であり高いレベルにあるとは言い難い。なお、特許文献１には角形比の定義は記載されていないが、特許文献１の先行技術文献として引用されている、同一出願人による特開２００７−１１９８８２号公報に「磁化が飽和磁化の９０％となる外部磁場の値をｉＨｃで割った値を％表記したもの」と記載されていることから、特許文献１の角型比の定義も同様であると思われる。つまり、特許文献１の角型比の定義は前記の一般的に用いられている定義と同様であると思われる。
本発明は、重希土類元素ＲＨをできるだけ使用することなく、Ｂｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を安定して製造することができるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供することを目的とする。
請求項１に記載の本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、
微粉砕粉末における組成が、Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された主合金を準備する工程と、
微粉砕粉末における組成が、Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｔｉ：０．４４質量％以上、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された副合金を準備する工程と、
主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を準備する工程と、
混合合金を微粉砕し混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする。
微粉砕粉末における組成が、Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された主合金を準備する工程と、
微粉砕粉末における組成が、Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｔｉ：０．４４質量％以上、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された副合金を準備する工程と、
主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を準備する工程と、
混合合金を微粉砕し混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする。
請求項２に記載の本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する主合金微粉砕粉末を準備する工程と、
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｔｉ：０．４４質量％以上、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する副合金微粉砕粉末を準備する工程と、
主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％となるように、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする。
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する主合金微粉砕粉末を準備する工程と、
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｔｉ：０．４４質量％以上、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する副合金微粉砕粉末を準備する工程と、
主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％となるように、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする。
請求項３に記載の本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、
微粉砕粉末における組成が、Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された主合金を準備する工程と、
微粉砕粉末における組成が、Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｚｒ：０．７６質量％以上、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された副合金を準備する工程と、
主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＺｒが０．１９〜０．５７質量％となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を準備する工程と、
混合合金を微粉砕し混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする。
微粉砕粉末における組成が、Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された主合金を準備する工程と、
微粉砕粉末における組成が、Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｚｒ：０．７６質量％以上、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された副合金を準備する工程と、
主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＺｒが０．１９〜０．５７質量％となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を準備する工程と、
混合合金を微粉砕し混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする。
請求項４に記載の本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する主合金微粉砕粉末を準備する工程と、
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｚｒ：０．７６質量％以上、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する副合金微粉砕粉末を準備する工程と、
主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＺｒが０．１９〜０．５７質量％となるように、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする。
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する主合金微粉砕粉末を準備する工程と、
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｚｒ：０．７６質量％以上、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する副合金微粉砕粉末を準備する工程と、
主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＺｒが０．１９〜０．５７質量％となるように、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とする。
本発明によれば、重希土類元素ＲＨをできるだけ使用することなく、Ｂｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を安定して製造することができるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供することができる。
本発明は、特許文献１に記載の発明のように従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金に比べＢ量が相対的に少ない特定の範囲の合金を用いるのではなく、従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金とほぼ同様のＢ量からなりＧａを必須元素として含有するＲ−Ｔ−Ｂ系の主合金（または主合金微粉砕粉末）と、Ｐｒ、Ｂ、ＴｉまたはＺｒ、およびＦｅを必須元素として含有する副合金（または副合金微粉砕粉末）とを、混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％またはＺｒが０．１９〜０．５７質量％となるように主合金（または主合金微粉砕粉末）９０〜９９質量部と副合金（または副合金微粉砕粉末）１〜１０質量部とを混合（合計１００質量部）し、焼結磁石を製造することを特徴とする。これによって、重希土類元素ＲＨをできるだけ使用することなく、Ｂｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を、使用原料や製造過程に起因するＢ量の僅かな変動によりＨｃＪが大きく変動（急激に低下）することなく、安定して製造することができる。
本発明により得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石がＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有する理由は定かではないが、副合金の添加によって、焼結および／または熱処理において、ＲとＴとＭとから構成される化合物（代表的にはＲ６Ｔ１３−αＭ１＋α化合物、Ｍは主としてＧａ）と、Ｔｉを含有する副合金を用いた場合はＴｉとＢとから構成される化合物（代表的にはＴｉＢおよび／またはＴｉＢ２化合物）が、Ｚｒを含有する副合金を用いた場合はＺｒとＢとから構成される化合物（代表的にはＺｒＢおよび／またはＺｒＢ２化合物）が生成されることが起因していると考えられる。
以下、本発明について説明する。まず、本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は大きく二つに分かれる。主合金と副合金とを混合した後、微粉砕、成形および焼結する方法（以下、「混合後微粉砕方法」という）と、予め微粉砕した主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した後、成形および焼結する方法（以下、「微粉砕後混合方法」という）であり、いずれの方法によってもほぼ同じ効果が得られる。以下、混合後微粉砕方法と微粉砕後混合方法を分けて説明するが、重複する説明はその旨を記載の上省略する。
また、本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、副合金の組成で二つに分かれる。すなわち、副合金にＴｉを含有する場合と、副合金にＺｒを含有する場合である。ＴｉとＺｒの原子量が異なるために本発明の副合金と混合合金微粉砕粉末におけるＴｉ量とＺｒ量（いずれも質量％換算）が異なってはいるものの原子％換算ではほぼ同じであり、Ｔｉ、Ｚｒのいずれを含有する場合もほぼ同じ効果が得られる。従って、本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、副合金にＴｉを含有する場合の混合後微粉砕方法と微粉砕後混合方法ならびに副合金にＺｒを含有する場合の混合後微粉砕方法と微粉砕後混合方法の四つに分けられる。前記の通り、副合金にＴｉを含有する場合とＺｒを含有する場合とは、副合金と混合合金微粉砕粉末における含有量が異なるだけなので、以下においては、異なる部分のみ「（Ｚｒの場合は）」として併記し、共通する部分は重複して説明することを省略する。
（１）混合後微粉砕方法
混合後微粉砕方法は以下の工程を含む。
微粉砕粉末における組成が、Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された主合金を準備する工程、
微粉砕粉末における組成が、Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｔｉ：０．４４質量％以上（Ｚｒの場合は０．７６質量％以上）、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された副合金を準備する工程と、
主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を準備する工程、
混合合金を微粉砕し混合合金微粉砕粉末を準備する工程、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程、
焼結体を熱処理する工程。
混合後微粉砕方法は以下の工程を含む。
微粉砕粉末における組成が、Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された主合金を準備する工程、
微粉砕粉末における組成が、Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｔｉ：０．４４質量％以上（Ｚｒの場合は０．７６質量％以上）、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された副合金を準備する工程と、
主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を準備する工程、
混合合金を微粉砕し混合合金微粉砕粉末を準備する工程、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程、
焼結体を熱処理する工程。
（１−１）主合金を準備する工程
主合金を準備する工程において、主合金は微粉砕粉末（微粉砕後の粉末）における組成が以下の組成となるように調製されたものを用いる。
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、
Ｂ：０．９〜１．０質量％、
Ｇａ：０．２〜０．６質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する。
Ｒ１およびＢの範囲は従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金とほぼ同様の範囲であり、前記範囲の下限未満あるいは上限を超えるとＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができなくなる場合がある。Ｇａは０．２質量％未満ではＨｃＪの向上効果が得られず、０．６質量％を超えるとＢｒが低下するため好ましくない。
主合金を準備する工程において、主合金は微粉砕粉末（微粉砕後の粉末）における組成が以下の組成となるように調製されたものを用いる。
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、
Ｂ：０．９〜１．０質量％、
Ｇａ：０．２〜０．６質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する。
Ｒ１およびＢの範囲は従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金とほぼ同様の範囲であり、前記範囲の下限未満あるいは上限を超えるとＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができなくなる場合がある。Ｇａは０．２質量％未満ではＨｃＪの向上効果が得られず、０．６質量％を超えるとＢｒが低下するため好ましくない。
主合金の組成を微粉砕粉末における組成で規定したのは、例えばジェットミル粉砕法により微粉砕を行った場合、Ｒ１を多量に含む超微粉末が発生し、その超微粉末は製品として回収されないため、微粉砕前後で主としてＲ１の量が変化するからである。主合金の組成を微粉砕粉末における組成となるように調製するには、予め実験を行ったり、過去のデータなどに基づき微粉砕粉末における組成が前記の組成となるように主合金の組成を調製すればよい。なお、微粉砕粉末における組成と焼結磁石の組成はほぼ同様である。
Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む。Ｎｄ以外の希土類元素としてはＰｒがあげられる。さらに少量のＤｙ、Ｔｂ、ＧｄおよびＨｏのうち少なくとも一種を含有してもよく、含有量はＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石全体の１．０質量％以下であることが好ましい。Ｂの一部はＣで置換することができる。Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む。Ｆｅ以外の遷移金属元素としてはＣｏがあげられる。さらに少量のＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗなどを含有してもよい。
前記以外の元素としてＣｕ、Ａｌを含有してもよい。Ｃｕ、Ａｌは磁気特性向上などを目的として積極的に添加してもよいし、使用原料や主合金の製造過程において不可避的に導入されるものを活用してもよい（不純物としてＣｕ、Ａｌを含有する原料を使用してもよい）。Ｃｕ、Ａｌともにその含有量（積極的に添加する量と不可避的に導入される量の合計）はそれぞれ０．５質量％以下であることが好ましい。
主合金を準備する工程は、微粉砕粉末における組成が前記組成となるように各元素の原料を秤量し、公知の製造方法により粗粉砕粉末となす。例えばストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕粉末となす。主合金は粗粉砕粉末であることが好ましいが、粗粉砕前の合金（例えばストリップキャスティング後の薄片状合金など）であってもよい。主合金が粗粉砕前の合金である場合は、後述の如く、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金（この場合は副合金も粗粉砕前の合金であることが好ましい）１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を粗粉砕し、混合合金の粗粉砕粉末を準備した後、微粉砕を行ってもよい。なお、本発明において、微粉砕粉末とは微粉砕（例えばジェットミル粉砕）後の粉末のことであり、粒径Ｄ５０（気流分散式レーザー回折法による測定で得られる体積中心値（体積基準メジアン径）、以下同様）で２〜６μｍ以下の粉末のことをいう。また、本発明において、粗粉砕粉末とは粗粉砕（例えば水素粉砕）後、微粉砕前の粉末のことをいう。
（１−２）副合金を準備する工程
副合金を準備する工程において、副合金は微粉砕粉末（微粉砕後の粉末）における組成が以下の組成となるように調製されたものを用いる。
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、
Ｂ：０．５〜０．８質量％、
Ｔｉ：０．４４質量％以上（Ｚｒの場合は０．７６質量％以上）、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する。
Ｒ２は２９質量％未満では副合金が焼結時に溶けにくくなり、５０質量％を超えると粗粉砕粉末あるいは微粉砕粉末の状態において粉末が酸化または発火する場合があるため好ましくない。Ｒ２におけるＰｒは５質量％未満ではＨｃＪの向上効果が得られず、３３質量％を超えると粗粉砕粉末あるいは微粉砕粉末の状態において粉末が酸化または発火する場合がある（ＰｒはＮｄよりも活性であり、Ｐｒ含有量が多いほど酸化または発火の可能性が高くなる）ため好ましくない。Ｂは０．５質量％未満では副合金中にα−Ｆｅが析出しそれによってＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＨｋ／ＨｃＪが低下する。またジェットミル粉砕によって微粉砕を行った場合、析出したα−Ｆｅに起因して副合金がジェットミル粉砕機の粉砕室内に付着してしまう可能性がある。一方、Ｂが０．８質量％を超えると副合金の混合量によってはＢｒが低下する場合があるため好ましくない。Ｔｉが０．４４質量％未満（Ｚｒの場合は０．７６質量％未満）ではＨｃＪの向上効果が得られないため好ましくない。副合金の組成を微粉砕粉末における組成で規定したのは前記主合金と同様の理由による。また、副合金の組成を微粉砕粉末における組成となるように調製する方法も主合金と同様である。
副合金を準備する工程において、副合金は微粉砕粉末（微粉砕後の粉末）における組成が以下の組成となるように調製されたものを用いる。
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、
Ｂ：０．５〜０．８質量％、
Ｔｉ：０．４４質量％以上（Ｚｒの場合は０．７６質量％以上）、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する。
Ｒ２は２９質量％未満では副合金が焼結時に溶けにくくなり、５０質量％を超えると粗粉砕粉末あるいは微粉砕粉末の状態において粉末が酸化または発火する場合があるため好ましくない。Ｒ２におけるＰｒは５質量％未満ではＨｃＪの向上効果が得られず、３３質量％を超えると粗粉砕粉末あるいは微粉砕粉末の状態において粉末が酸化または発火する場合がある（ＰｒはＮｄよりも活性であり、Ｐｒ含有量が多いほど酸化または発火の可能性が高くなる）ため好ましくない。Ｂは０．５質量％未満では副合金中にα−Ｆｅが析出しそれによってＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＨｋ／ＨｃＪが低下する。またジェットミル粉砕によって微粉砕を行った場合、析出したα−Ｆｅに起因して副合金がジェットミル粉砕機の粉砕室内に付着してしまう可能性がある。一方、Ｂが０．８質量％を超えると副合金の混合量によってはＢｒが低下する場合があるため好ましくない。Ｔｉが０．４４質量％未満（Ｚｒの場合は０．７６質量％未満）ではＨｃＪの向上効果が得られないため好ましくない。副合金の組成を微粉砕粉末における組成で規定したのは前記主合金と同様の理由による。また、副合金の組成を微粉砕粉末における組成となるように調製する方法も主合金と同様である。
Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む（不可避的不純物は許容できる）。例えば、Ｒ２が２９質量％でありＰｒが５質量％の場合はＮｄが２４質量％となり、Ｒ２が５０質量％でありＰｒが３３質量％の場合はＮｄが１７質量％となる。また、Ｒ２が２９〜３３質量％であるときはＲ２をＰｒのみで構成することができる。Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む。Ｆｅ以外の遷移金属元素としてはＣｏがあげられる。さらに少量のＶ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗなどを含有してもよい。
前記以外の元素としてＣｕ、Ａｌを含有してもよい。Ｃｕ、Ａｌは磁気特性向上などを目的として積極的に添加してもよいし、使用原料や主合金の製造過程において不可避的に導入されるものを活用してもよい（不純物としてＣｕ、Ａｌを含有する原料を使用してもよい）。Ｃｕ、Ａｌともにその含有量（積極的に添加する量と不可避的に導入される量の合計）はそれぞれ０．５質量％以下であることが好ましい。
副合金は主合金を準備する工程と同様の設備を用いて同様の製造条件で準備することができる。すなわち、微粉砕粉末における組成が前記組成となるように各元素の原料を秤量し、公知の製造方法により粗粉砕粉末となす。例えばストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕粉末となす。副合金は粗粉砕粉末であることが好ましいが、粗粉砕前の合金（例えばストリップキャスティング後の薄片状合金など）であってもよい。後述の如く、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金（この場合は主合金も粗粉砕前の合金であることが好ましい）９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を粗粉砕し、混合合金の粗粉砕粉末を準備した後、微粉砕を行ってもよい。
（１−３）混合合金を準備する工程
前記によって準備した主合金（粗粉砕粉末）と副合金（粗粉砕粉末）は、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し、合計１００質量部とした混合合金（混合合金微粉砕粉末）となす。主合金および副合金が粗粉砕前の合金である場合は、前記の通り、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を粗粉砕し、混合合金の粗粉砕粉末を準備する。混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１質量％未満および０．３質量％を超えると（Ｚｒの場合は０．１９質量％未満および０．５７質量％を超えると）ＨｃＪが低下しＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができなくなる。また、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を準備するに際して、副合金の混合量が１質量部未満の場合（主合金の混合量が９９質量部を超える場合）および副合金の混合量が１０質量部を超える場合（主合金の混合量が９０質量部未満の場合）ＨｃＪが低下しＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができなくなる。
前記によって準備した主合金（粗粉砕粉末）と副合金（粗粉砕粉末）は、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し、合計１００質量部とした混合合金（混合合金微粉砕粉末）となす。主合金および副合金が粗粉砕前の合金である場合は、前記の通り、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を粗粉砕し、混合合金の粗粉砕粉末を準備する。混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１質量％未満および０．３質量％を超えると（Ｚｒの場合は０．１９質量％未満および０．５７質量％を超えると）ＨｃＪが低下しＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができなくなる。また、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を準備するに際して、副合金の混合量が１質量部未満の場合（主合金の混合量が９９質量部を超える場合）および副合金の混合量が１０質量部を超える場合（主合金の混合量が９０質量部未満の場合）ＨｃＪが低下しＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができなくなる。
（１−４）混合合金微粉砕粉末を準備する工程
前記によって準備した混合合金（混合合金粗粉砕粉末）を微粉砕することによって混合合金微粉砕粉末となす。微粉砕は公知の方法（例えばジェットミル粉砕）によって行えばよい。
前記によって準備した混合合金（混合合金粗粉砕粉末）を微粉砕することによって混合合金微粉砕粉末となす。微粉砕は公知の方法（例えばジェットミル粉砕）によって行えばよい。
（１−５）成形体を準備する工程
前記によって準備した混合合金微粉砕粉末を成形し成形体となす。成形は公知の成形手段で行えばよい。
前記によって準備した混合合金微粉砕粉末を成形し成形体となす。成形は公知の成形手段で行えばよい。
（１−６）焼結体を準備する工程
前記によって準備した成形体を焼結し焼結体となす。焼結は公知の焼結手段で行えばよい。
前記によって準備した成形体を焼結し焼結体となす。焼結は公知の焼結手段で行えばよい。
（１−７）焼結体を熱処理する工程
前記によって準備した焼結体に熱処理を施し、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石となす。熱処理の温度、時間、雰囲気などは公知の条件を適用することができる。
前記によって準備した焼結体に熱処理を施し、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石となす。熱処理の温度、時間、雰囲気などは公知の条件を適用することができる。
（２）微粉砕後混合方法
微粉砕後混合方法は以下の工程を含む。
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する主合金微粉砕粉末を準備する工程、
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｔｉ：０．４４質量％以上（Ｚｒの場合は０．７６質量％以上）、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する副合金微粉砕粉末を準備する工程、
主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末を準備する工程、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程、
焼結体を熱処理する工程。
微粉砕後混合方法は以下の工程を含む。
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、Ｂ：０．９〜１．０質量％、Ｇａ：０．２〜０．６質量％、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する主合金微粉砕粉末を準備する工程、
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、Ｂ：０．５〜０．８質量％、Ｔｉ：０．４４質量％以上（Ｚｒの場合は０．７６質量％以上）、残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）および不可避的不純物を含有する副合金微粉砕粉末を準備する工程、
主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末を準備する工程、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程、
焼結体を熱処理する工程。
（２−１）主合金微粉砕粉末を準備する工程
主合金微粉砕粉末の組成は以下の通りである。
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、
Ｂ：０．９〜１．０質量％、
Ｇａ：０．２〜０．６質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する。
Ｒ１、ＢおよびＧａの限定理由ならびに各元素（Ｒ１、Ｂ、Ｔ、ＣｕおよびＡｌ）の説明は前記（１−１）と同様であるため省略する。
主合金微粉砕粉末の組成は以下の通りである。
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、
Ｂ：０．９〜１．０質量％、
Ｇａ：０．２〜０．６質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する。
Ｒ１、ＢおよびＧａの限定理由ならびに各元素（Ｒ１、Ｂ、Ｔ、ＣｕおよびＡｌ）の説明は前記（１−１）と同様であるため省略する。
主合金微粉砕粉末を準備する工程は、微粉砕粉末における組成が前記組成となるように各元素の原料を秤量し、公知の製造方法により微粉砕粉末となす。例えばストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕粉末となし、粗粉砕粉末をジェットミル粉砕により微粉砕し微粉砕粉末となす。
（２−２）副合金微粉砕粉末を準備する工程
副合金微粉砕粉末の組成は以下の通りである。
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、
Ｂ：０．５〜０．８質量％、
Ｔｉ：０．４４質量％以上（Ｚｒの場合は０．７６質量％以上）、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する。
Ｒ２、Ｐｒ、ＢおよびＴｉ（Ｚｒ）の限定理由ならびに各元素（Ｒ２、Ｔ、ＣｕおよびＡｌ）の説明は前記（１−２）と同様であるため省略する。
副合金微粉砕粉末の組成は以下の通りである。
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、
Ｂ：０．５〜０．８質量％、
Ｔｉ：０．４４質量％以上（Ｚｒの場合は０．７６質量％以上）、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する。
Ｒ２、Ｐｒ、ＢおよびＴｉ（Ｚｒ）の限定理由ならびに各元素（Ｒ２、Ｔ、ＣｕおよびＡｌ）の説明は前記（１−２）と同様であるため省略する。
副合金微粉砕粉末は主合金微粉砕粉末を準備する工程と同様の設備を用いて同様の製造条件で準備することができる。すなわち、微粉砕粉末における組成が前記組成となるように各元素の原料を秤量し、公知の製造方法により微粉砕粉末となす。例えばストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕粉末となし、粗粉砕粉末をジェットミル粉砕により微粉砕し微粉砕粉末となす。
（２−３）混合合金微粉砕粉末を準備する工程
前記によって準備した主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末は、主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末となす。混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１質量％未満および０．３質量％を超えると（Ｚｒの場合は０．１９質量％未満および０．５７質量％を超えると）ＨｃＪが低下しＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができなくなる。また、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末を準備するに際して、副合金微粉砕粉末の混合量が１質量部未満の場合（主合金微粉砕粉末の混合量が９９質量部を超える場合）および副合金微粉砕粉末の混合量が１０質量部を超える場合（主合金微粉砕粉末の混合量が９０質量部未満の場合）ＨｃＪが低下しＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができなくなる。混合は公知の方法（例えばＶ型混合機など）で行えばよい。混合は乾式でも湿式でもよい。
前記によって準備した主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末は、主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％（Ｚｒの場合は０．１９〜０．５７質量％）となるように、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末となす。混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１質量％未満および０．３質量％を超えると（Ｚｒの場合は０．１９質量％未満および０．５７質量％を超えると）ＨｃＪが低下しＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができなくなる。また、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末を準備するに際して、副合金微粉砕粉末の混合量が１質量部未満の場合（主合金微粉砕粉末の混合量が９９質量部を超える場合）および副合金微粉砕粉末の混合量が１０質量部を超える場合（主合金微粉砕粉末の混合量が９０質量部未満の場合）ＨｃＪが低下しＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得ることができなくなる。混合は公知の方法（例えばＶ型混合機など）で行えばよい。混合は乾式でも湿式でもよい。
（２−４）成形体を準備する工程
前記によって準備した混合合金微粉砕粉末を成形し成形体となす。成形は公知の成形手段で行えばよい。
前記によって準備した混合合金微粉砕粉末を成形し成形体となす。成形は公知の成形手段で行えばよい。
（２−５）焼結体を準備する工程
前記によって準備した成形体を焼結し焼結体となす。焼結は公知の焼結手段で行えばよい。
前記によって準備した成形体を焼結し焼結体となす。焼結は公知の焼結手段で行えばよい。
（２−６）焼結体を熱処理する工程
前記によって準備した焼結体に熱処理を施し、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石となす。熱処理の温度、時間、雰囲気などは公知の条件を適用することができる。
前記によって準備した焼結体に熱処理を施し、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石となす。熱処理の温度、時間、雰囲気などは公知の条件を適用することができる。
前記（１−１）から（１−７）に示す混合後微粉砕方法および（２−１）から（２−６）に示す微粉砕後混合方法によって、重希土類元素ＲＨをできるだけ使用することなく、Ｂｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を製造することができる。
本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はそれらに限定されるものではない。
実施例１
微粉砕粉末における組成が表１の合金Ｎｏ．ａ１-１に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、主合金の粗粉砕粉末を得た。また、微粉砕粉末における組成が表１の合金Ｎｏ．ａ１-２に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、副合金の粗粉砕粉末を得た。主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１の合金Ｎｏ．Ａに示す組成となるように、主合金９５質量部と副合金５質量部とを混合し、混合合金を得た。得られた混合合金をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０（気流分散式レーザー回折法による測定で得られる体積中心値、以下同様）が４．２μｍの混合合金微粉砕粉末を得た。得られた混合合金微粉砕粉末を直角磁界成形装置（横磁界成形装置）にて磁界強度０．８ＭＡ／ｍ、圧力４９ＭＰａ（０．５ｔｏｎ／ｃｍ２）で厚み１２ｍｍ×幅２６ｍｍ×長さ５５ｍｍ（幅方向が磁界印加方向）で成形し成形体を得た。得られた成形体を１０３０℃で４時間焼結した後、５００℃で２．５時間熱処理した。熱処理後のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を切断および研削し厚み７．０ｍｍ×幅７．０ｍｍ×長さ７．０ｍｍに加工した。加工後のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性をＢ−Ｈループトレーサによって測定した。測定結果を表２の試料Ｎｏ．１に示す。なお、Ｈｋ／ＨｃＪにおいて、ＨｋはＪ（磁化の大きさ）−Ｈ（磁界の強さ）曲線の第２象限において、Ｊが０．９Ｊｒ（Ｊｒは残留磁化、Ｊｒ＝Ｂｒ）の値になる位置のＨの値（以下同様）である。
微粉砕粉末における組成が表１の合金Ｎｏ．ａ１-１に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、主合金の粗粉砕粉末を得た。また、微粉砕粉末における組成が表１の合金Ｎｏ．ａ１-２に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、副合金の粗粉砕粉末を得た。主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１の合金Ｎｏ．Ａに示す組成となるように、主合金９５質量部と副合金５質量部とを混合し、混合合金を得た。得られた混合合金をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０（気流分散式レーザー回折法による測定で得られる体積中心値、以下同様）が４．２μｍの混合合金微粉砕粉末を得た。得られた混合合金微粉砕粉末を直角磁界成形装置（横磁界成形装置）にて磁界強度０．８ＭＡ／ｍ、圧力４９ＭＰａ（０．５ｔｏｎ／ｃｍ２）で厚み１２ｍｍ×幅２６ｍｍ×長さ５５ｍｍ（幅方向が磁界印加方向）で成形し成形体を得た。得られた成形体を１０３０℃で４時間焼結した後、５００℃で２．５時間熱処理した。熱処理後のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を切断および研削し厚み７．０ｍｍ×幅７．０ｍｍ×長さ７．０ｍｍに加工した。加工後のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性をＢ−Ｈループトレーサによって測定した。測定結果を表２の試料Ｎｏ．１に示す。なお、Ｈｋ／ＨｃＪにおいて、ＨｋはＪ（磁化の大きさ）−Ｈ（磁界の強さ）曲線の第２象限において、Ｊが０．９Ｊｒ（Ｊｒは残留磁化、Ｊｒ＝Ｂｒ）の値になる位置のＨの値（以下同様）である。
比較例１
微粉砕粉末の組成が表１の合金Ｎｏ．Ａに示す組成となるように、原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、得られた粗粉砕粉末をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０が４．２μｍの微粉砕粉末を得た。得られた微粉砕粉末を実施例１と同様にして成形、焼結、熱処理および加工し、磁気特性を測定した。測定結果を表２の試料Ｎｏ．２に示す。
微粉砕粉末の組成が表１の合金Ｎｏ．Ａに示す組成となるように、原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、得られた粗粉砕粉末をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０が４．２μｍの微粉砕粉末を得た。得られた微粉砕粉末を実施例１と同様にして成形、焼結、熱処理および加工し、磁気特性を測定した。測定結果を表２の試料Ｎｏ．２に示す。
表２の試料Ｎｏ．１は主合金と副合金を混合する本発明の方法により製造されたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石（本発明例）であり、試料Ｎｏ．２は単一合金法で製造された従来のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石（比較例）である。ともに微粉砕粉末における組成は同じである。すなわち、試料Ｎｏ．１と試料Ｎｏ．２のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成は同じである。表２の通り、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成は同じではあるが、本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、単一合金法で製造された従来のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に比べ、ＢｒおよびＨｃＪが向上し、Ｈｋ／ＨｃＪの低下もない。
実施例２
表１の合金Ｎｏ．ａ１−１に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、得られた粗粉砕粉末をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０が４．２μｍの主合金微粉砕粉末を得た。また、表１の合金Ｎｏ．ａ１−２に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、得られた粗粉砕粉末をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０が４．２μｍの副合金微粉砕粉末を得た。主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末の組成が表１の合金Ｎｏ．Ａに示す組成となるように、主合金微粉砕粉末９５質量部と副合金微粉砕粉末５質量部とを混合し、混合合金微粉砕粉末を得た。得られた混合合金微粉砕粉末を実施例１と同様にして成形、焼結、熱処理および加工し、磁気特性を測定したところ、実施例１による本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石とほぼ同じ測定結果が得られた。すなわち、混合後微粉砕方法（実施例１）および微粉砕後混合方法（実施例２）のいずれであってもほぼ同じ効果が得られる。
表１の合金Ｎｏ．ａ１−１に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、得られた粗粉砕粉末をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０が４．２μｍの主合金微粉砕粉末を得た。また、表１の合金Ｎｏ．ａ１−２に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、得られた粗粉砕粉末をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０が４．２μｍの副合金微粉砕粉末を得た。主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末の組成が表１の合金Ｎｏ．Ａに示す組成となるように、主合金微粉砕粉末９５質量部と副合金微粉砕粉末５質量部とを混合し、混合合金微粉砕粉末を得た。得られた混合合金微粉砕粉末を実施例１と同様にして成形、焼結、熱処理および加工し、磁気特性を測定したところ、実施例１による本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石とほぼ同じ測定結果が得られた。すなわち、混合後微粉砕方法（実施例１）および微粉砕後混合方法（実施例２）のいずれであってもほぼ同じ効果が得られる。
実施例３
微粉砕粉末における主合金の組成を表３の合金Ｎｏ．ｂ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３の合金Ｎｏ．ｂ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３の合金Ｎｏ．Ｂに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表４の試料Ｎｏ．３に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表３の合金Ｎｏ．ｂ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３の合金Ｎｏ．ｂ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３の合金Ｎｏ．Ｂに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表４の試料Ｎｏ．３に示す。
比較例２
微粉砕粉末の組成が表３の合金Ｎｏ．Ｂに示す組成となるようにする以外は比較例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表４の試料Ｎｏ．４に示す。
微粉砕粉末の組成が表３の合金Ｎｏ．Ｂに示す組成となるようにする以外は比較例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表４の試料Ｎｏ．４に示す。
実施例３は実施例１に対して主合金のＣｏ量とＢ量および副合金のＴｉ量を変化させた例である。表４の通り、試料Ｎｏ．３と試料Ｎｏ．４とはＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成は同じではあるが、本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、単一合金法で製造された従来のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に比べ、ＢｒおよびＨｃＪが向上し、Ｈｋ／ＨｃＪの低下もほとんどない。
実施例４
微粉砕粉末における主合金の組成を表５の合金Ｎｏ．ｃ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表５の合金Ｎｏ．ｃ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表５の合金Ｎｏ．Ｃに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表６の試料Ｎｏ．５に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表５の合金Ｎｏ．ｃ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表５の合金Ｎｏ．ｃ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表５の合金Ｎｏ．Ｃに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表６の試料Ｎｏ．５に示す。
比較例３
微粉砕粉末の組成が表５の合金Ｎｏ．Ｃに示す組成となるようする以外は比較例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表６の試料Ｎｏ．６に示す。
微粉砕粉末の組成が表５の合金Ｎｏ．Ｃに示す組成となるようする以外は比較例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表６の試料Ｎｏ．６に示す。
実施例４は実施例３に対して主として主合金のＧａ量を変化（０．４から０．５）させた例である。表６の通り、試料Ｎｏ．５と試料Ｎｏ．６とはＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成は同じではあるが、本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、単一合金法で製造された従来のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に比べ、ＢｒおよびＨｃＪが向上し、Ｈｋ／ＨｃＪの低下もない。
実施例５
微粉砕粉末における主合金の組成を表７の合金Ｎｏ．ｄ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表７の合金Ｎｏ．ｄ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表７の合金Ｎｏ．Ｄに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表８の試料Ｎｏ．７に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表７の合金Ｎｏ．ｄ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表７の合金Ｎｏ．ｄ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表７の合金Ｎｏ．Ｄに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表８の試料Ｎｏ．７に示す。
比較例４
微粉砕粉末の組成が表７の合金Ｎｏ．Ｄに示す組成となるようする以外は比較例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表８の試料Ｎｏ．８に示す。
微粉砕粉末の組成が表７の合金Ｎｏ．Ｄに示す組成となるようする以外は比較例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表８の試料Ｎｏ．８に示す。
実施例５は実施例４に対して主として主合金のＢ量と副合金のＴｉ量を変化させた例である。表８の通り、試料Ｎｏ．７と試料Ｎｏ．８とはＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成は同じではあるが、本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、単一合金法で製造された従来のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に比べ、ＢｒおよびＨｃＪが向上し、Ｈｋ／ＨｃＪの低下もない。
前記実施例１〜５に示す通り、本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、特許文献１に記載の発明のように従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金に比べＢ量が相対的に少ない特定の範囲の合金を用いるのではなく、従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金とほぼ同様のＢ量からなるＲ−Ｔ−Ｂ系の主合金を用いるため、特許文献１に記載の発明のように、使用原料や製造過程に起因するＢ量の僅かな変動によりＨｃＪが大きく変動（急激に低下）するという問題を解消することができ、また、重希土類元素ＲＨをできるだけ使用することなく、特許文献１に記載の発明によって得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石と同等以上のＢｒおよびＨｃＪならびにＨｋ／ＨｃＪが０．９６以上（９６％以上）の優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を安定して製造することができる。さらに、本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、単一合金法で製造された同様な組成のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に比べ、ＢｒおよびＨｃＪが向上し、Ｈｋ／ＨｃＪの低下もない。これは、副合金の添加に起因するものと考えられる。
なお、以下の実施例６〜１５においては、単一合金法により製造されたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石との対比は省略するが、以下の実施例６〜１５の本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、前記実施例１〜５による本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石と同様に、単一合金法により製造された実施例と同様な組成のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に比べ、優れた磁気特性を有することを確認している。また、以下の実施例６〜１５の本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、特許文献１に記載の発明によって得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のように、使用原料や製造過程に起因するＢ量の僅かな変動によりＨｃＪが大きく変動（急激に低下）するということがなく、特許文献１に記載の発明によって得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石と同等以上のＢｒおよびＨｃＪならびにＨｋ／ＨｃＪが０．９６以上（９６％以上）の優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を安定して製造することができることも確認している。
実施例６
微粉砕粉末における組成が表９の合金Ｎｏ．ｅ３−１、ｅ４−１、ｅ５−１に示す組成からなる３種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表９の合金Ｎｏ．ｅ３−２、ｅ４−２、ｅ５−２に示す組成からなる３種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｅ３−１とｅ３−２、ｅ４−１とｅ４−２、ｅ５−１とｅ５−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表９の合金Ｎｏ．Ｅに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１０の試料Ｎｏ．１１、１２、１３に示す。試料Ｎｏ．１１がｅ３−１とｅ３−２を混合したもの、試料Ｎｏ．１２がｅ４−１とｅ４−２を混合したもの、Ｎｏ．１３がｅ５−１とｅ５−２を混合したものである。
微粉砕粉末における組成が表９の合金Ｎｏ．ｅ３−１、ｅ４−１、ｅ５−１に示す組成からなる３種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表９の合金Ｎｏ．ｅ３−２、ｅ４−２、ｅ５−２に示す組成からなる３種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｅ３−１とｅ３−２、ｅ４−１とｅ４−２、ｅ５−１とｅ５−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表９の合金Ｎｏ．Ｅに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１０の試料Ｎｏ．１１、１２、１３に示す。試料Ｎｏ．１１がｅ３−１とｅ３−２を混合したもの、試料Ｎｏ．１２がｅ４−１とｅ４−２を混合したもの、Ｎｏ．１３がｅ５−１とｅ５−２を混合したものである。
比較例５
微粉砕粉末における組成が表９の合金Ｎｏ．ｅ１−１、ｅ２−１、ｅ６−１に示す組成からなる３種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表９の合金Ｎｏ．ｅ１−２、ｅ２−２、ｅ６−２に示す組成からなる３種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｅ１−１とｅ１−２、ｅ２−１とｅ２−２、ｅ６−１とｅ６−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表９の合金Ｎｏ．Ｅに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１０の試料Ｎｏ．９、１０、１４に示す。試料Ｎｏ．９がｅ１−１とｅ１−２を混合したもの、試料Ｎｏ．１０がｅ２−１とｅ２−２を混合したもの、Ｎｏ．１４がｅ６−１とｅ６−２を混合したものである。
微粉砕粉末における組成が表９の合金Ｎｏ．ｅ１−１、ｅ２−１、ｅ６−１に示す組成からなる３種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表９の合金Ｎｏ．ｅ１−２、ｅ２−２、ｅ６−２に示す組成からなる３種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｅ１−１とｅ１−２、ｅ２−１とｅ２−２、ｅ６−１とｅ６−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表９の合金Ｎｏ．Ｅに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１０の試料Ｎｏ．９、１０、１４に示す。試料Ｎｏ．９がｅ１−１とｅ１−２を混合したもの、試料Ｎｏ．１０がｅ２−１とｅ２−２を混合したもの、Ｎｏ．１４がｅ６−１とｅ６−２を混合したものである。
実施例６と比較例５は副合金のＢ量の限定理由の根拠を示す例である。表１０の本発明例である試料Ｎｏ．１１〜１３のように副合金のＢ量が本発明の範囲内（０．５質量％、０．６５質量％、０．８質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．１０のように副合金のＢ量が本発明の範囲よりも少ない場合（０．４０質量％）、あるいは試料Ｎｏ．９のように副合金にＢが含まれない場合、本発明例に比べＨｃＪ、ＨｋおよびＨｋ／ＨｃＪが低下している。特に副合金にＢが含まれないとＨｋ／ＨｃＪが著しく低下する。Ｈｋ／ＨｃＪが低下する理由は、ジェットミル粉砕後の混合合金微粉砕粉末（あるいはＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石）にα−Ｆｅが存在するためであると考えられる。また、試料Ｎｏ．１４のように副合金のＢ量が本発明の範囲よりも多い場合（１．００質量％）、本発明例に比べＢｒおよびＨｃＪが低下している。
実施例７
微粉砕粉末における主合金の組成を表１１の合金Ｎｏ．ｆ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１１の合金Ｎｏ．ｆ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１１の合金Ｎｏ．Ｆに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１２の試料Ｎｏ．１５に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表１１の合金Ｎｏ．ｆ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１１の合金Ｎｏ．ｆ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１１の合金Ｎｏ．Ｆに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１２の試料Ｎｏ．１５に示す。
比較例６
微粉砕粉末における主合金の組成を表１１の合金Ｎｏ．ｆ２−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１１の合金Ｎｏ．ｆ２−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１１の合金Ｎｏ．Ｆに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１２の試料Ｎｏ．１６に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表１１の合金Ｎｏ．ｆ２−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１１の合金Ｎｏ．ｆ２−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１１の合金Ｎｏ．Ｆに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１２の試料Ｎｏ．１６に示す。
実施例７および比較例６は副合金のＴｉ量の限定理由の根拠を示す例である。表１２の本発明例である試料Ｎｏ．１５のように副合金のＴｉ量が本発明の範囲内（０．４４質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．１６のように副合金にＴｉが含まれない場合、本発明例に比べＨｃＪ、ＨｋおよびＨｋ／ＨｃＪが低下している。なお、Ｔｉ量が０．４４質量％以上であるという限定は、主合金９５質量部と副合金５質量部とを混合した場合を想定している。副合金の混合量を５質量部より大きくすれば（主合金の混合量を９５質量部より小さくすれば）、Ｔｉ量の限定を小さくする（例えば０．３質量％以上）ことが可能である。しかしながら、副合金の混合量を大きくすると、副合金に含まれる他の元素（ＰｒやＢなど）の量も増えるため、主合金の組成を調製する必要がある。また、実施例７に示すように、主合金には少量のＴｉが含まれていてもよい。
実施例８
微粉砕粉末における主合金の組成を表１３の合金Ｎｏ．ｇ１−１に示す組成とすること、微粉砕粉末における組成が表１３の合金Ｎｏ．ｇ１−２、ｇ１−３、ｇ１−４に示す組成からなる３種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｇ１−１とｇ１−２、ｇ１−１とｇ１−３、ｇ１−１とｇ１−４をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１３の合金Ｎｏ．Ｇ１（ｇ１−１とｇ１−２）、Ｇ２（ｇ１−１とｇ１−３）、Ｇ３（ｇ１−１とｇ１−４）に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１４の試料Ｎｏ．１７〜１９に示す。試料Ｎｏ．１７がＧ１に示す組成、試料Ｎｏ．１８がＧ２に示す組成、試料Ｎｏ．１９がＧ３に示す組成である。
微粉砕粉末における主合金の組成を表１３の合金Ｎｏ．ｇ１−１に示す組成とすること、微粉砕粉末における組成が表１３の合金Ｎｏ．ｇ１−２、ｇ１−３、ｇ１−４に示す組成からなる３種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｇ１−１とｇ１−２、ｇ１−１とｇ１−３、ｇ１−１とｇ１−４をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１３の合金Ｎｏ．Ｇ１（ｇ１−１とｇ１−２）、Ｇ２（ｇ１−１とｇ１−３）、Ｇ３（ｇ１−１とｇ１−４）に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１４の試料Ｎｏ．１７〜１９に示す。試料Ｎｏ．１７がＧ１に示す組成、試料Ｎｏ．１８がＧ２に示す組成、試料Ｎｏ．１９がＧ３に示す組成である。
比較例７
微粉砕粉末における主合金の組成を表１３の合金Ｎｏ．ｇ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１３の合金Ｎｏ．ｇ１−５に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１３の合金Ｎｏ．Ｇ４に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１４の試料Ｎｏ．２０に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表１３の合金Ｎｏ．ｇ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１３の合金Ｎｏ．ｇ１−５に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１３の合金Ｎｏ．Ｇ４に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１４の試料Ｎｏ．２０に示す。
実施例８および比較例７は混合合金微粉砕粉末（Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成も同じ）におけるＴｉの下限の限定理由の根拠を示す例である。表１０の本発明例である試料Ｎｏ．１７〜１９のように混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが本発明の範囲内（０．２４質量％、０．１２質量％、０．１０質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．２０のように混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが本発明の範囲よりも少ない場合（０．０９質量％）、本発明例に比べＨｃＪが低下している。
実施例９
微粉砕粉末における主合金の組成を表１５の合金Ｎｏ．ｈ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１５の合金Ｎｏ．ｈ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１５の合金Ｎｏ．Ｈ１に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１６の試料Ｎｏ．２１に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表１５の合金Ｎｏ．ｈ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１５の合金Ｎｏ．ｈ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１５の合金Ｎｏ．Ｈ１に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１６の試料Ｎｏ．２１に示す。
比較例８
微粉砕粉末における主合金の組成を表１５の合金Ｎｏ．ｈ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１５の合金Ｎｏ．ｈ１−３に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１５の合金Ｎｏ．Ｈ２に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１６の試料Ｎｏ．２２に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表１５の合金Ｎｏ．ｈ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１５の合金Ｎｏ．ｈ１−３に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１５の合金Ｎｏ．Ｈ２に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１６の試料Ｎｏ．２２に示す。
実施例９および比較例８は混合合金微粉砕粉末（Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成も同じ）におけるＴｉの上限の限定理由の根拠を示す例である。表１６の本発明例である試料Ｎｏ．２１のように混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが本発明の範囲内（０．３０質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．２２のように混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが本発明の範囲よりも多い場合（０．３５質量％）、本発明例に比べＨｃＪが低下している。
実施例１０
微粉砕粉末における組成が表１７の合金Ｎｏ．ｉ２−１、ｉ３−１に示す組成からなる２種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表１７の合金Ｎｏ．ｉ２−２、ｉ３−２に示す組成からなる２種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｉ２−１とｉ２−２、ｉ３−１とｉ３−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１７の合金Ｎｏ．Ｉに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１８の試料Ｎｏ．２４、２５に示す。試料Ｎｏ．２４がｉ２−１とｉ２−２を混合したもの、試料Ｎｏ．２５がｉ３−１とｉ３−２を混合したものである。
微粉砕粉末における組成が表１７の合金Ｎｏ．ｉ２−１、ｉ３−１に示す組成からなる２種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表１７の合金Ｎｏ．ｉ２−２、ｉ３−２に示す組成からなる２種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｉ２−１とｉ２−２、ｉ３−１とｉ３−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１７の合金Ｎｏ．Ｉに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１８の試料Ｎｏ．２４、２５に示す。試料Ｎｏ．２４がｉ２−１とｉ２−２を混合したもの、試料Ｎｏ．２５がｉ３−１とｉ３−２を混合したものである。
比較例９
微粉砕粉末における主合金の組成を表１７の合金Ｎｏ．ｉ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１７の合金Ｎｏ．ｉ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１７の合金Ｎｏ．Ｉに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１８の試料Ｎｏ．２３に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表１７の合金Ｎｏ．ｉ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表１７の合金Ｎｏ．ｉ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１７の合金Ｎｏ．Ｉに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表１８の試料Ｎｏ．２３に示す。
実施例１０および比較例９は副合金のＰｒ量の限定理由の根拠を示す例である。
表１８の本発明例である試料Ｎｏ．２４および２５のように副合金のＰｒ量が本発明の範囲内（５．０質量％、３３.０質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．２３のように副合金のＰｒ量が本発明の範囲よりも少ない場合（４．０質量％）、本発明例に比べＨｃＪが低下している。
表１８の本発明例である試料Ｎｏ．２４および２５のように副合金のＰｒ量が本発明の範囲内（５．０質量％、３３.０質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．２３のように副合金のＰｒ量が本発明の範囲よりも少ない場合（４．０質量％）、本発明例に比べＨｃＪが低下している。
実施例１１
微粉砕粉末における組成が表１９の合金Ｎｏ．ｊ１−１、ｊ２−１、ｊ３−１に示す組成からなる３種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表１９の合金Ｎｏ．ｊ１−２、ｊ２−２、ｊ３−２に示す組成からなる３種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｊ１−１とｊ１−２、ｊ２−１とｊ２−２、ｊ３−１とｊ３−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１９の合金Ｎｏ．Ｊに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２０の試料Ｎｏ．２７、２８、２９に示す。試料Ｎｏ．２７がＮｏ．ｊ１−１とｊ１−２を混合したもの、試料Ｎｏ．２８がｊ２−１とｊ２−２を混合したもの、Ｎｏ．２９がｊ３−１とｊ３−２を混合したものである。
微粉砕粉末における組成が表１９の合金Ｎｏ．ｊ１−１、ｊ２−１、ｊ３−１に示す組成からなる３種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表１９の合金Ｎｏ．ｊ１−２、ｊ２−２、ｊ３−２に示す組成からなる３種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｊ１−１とｊ１−２、ｊ２−１とｊ２−２、ｊ３−１とｊ３−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１９の合金Ｎｏ．Ｊに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２０の試料Ｎｏ．２７、２８、２９に示す。試料Ｎｏ．２７がＮｏ．ｊ１−１とｊ１−２を混合したもの、試料Ｎｏ．２８がｊ２−１とｊ２−２を混合したもの、Ｎｏ．２９がｊ３−１とｊ３−２を混合したものである。
比較例１０
微粉砕粉末の組成が表１９の合金Ｎｏ．Ｊに示す組成となるようする以外は比較例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２０の試料Ｎｏ．２６に示す。
微粉砕粉末の組成が表１９の合金Ｎｏ．Ｊに示す組成となるようする以外は比較例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２０の試料Ｎｏ．２６に示す。
比較例１１
微粉砕粉末における組成が表１９の合金Ｎｏ．ｊ４−１、ｊ５−１に示す組成からなる２種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表１９の合金Ｎｏ．ｊ４−２、ｊ５−２に示す組成からなる２種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｊ４−１とｊ４−２、ｊ５−１とｊ５−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１９の合金Ｎｏ．Ｊに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２０の試料Ｎｏ．３０、３１に示す。試料Ｎｏ．３０がｊ４−１とｊ４−２を混合したもの、試料Ｎｏ．３１がｊ５−１とｊ５−２を混合したものである。
微粉砕粉末における組成が表１９の合金Ｎｏ．ｊ４−１、ｊ５−１に示す組成からなる２種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表１９の合金Ｎｏ．ｊ４−２、ｊ５−２に示す組成からなる２種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｊ４−１とｊ４−２、ｊ５−１とｊ５−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表１９の合金Ｎｏ．Ｊに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２０の試料Ｎｏ．３０、３１に示す。試料Ｎｏ．３０がｊ４−１とｊ４−２を混合したもの、試料Ｎｏ．３１がｊ５−１とｊ５−２を混合したものである。
実施例１１、比較例１０および比較例１１は副合金の混合量の好ましい範囲を示す例である。表２０の本発明例である試料Ｎｏ．２７、２８、２９のように副合金の混合量が１〜１０質量部のときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有する。一方、試料Ｎｏ．２６のように副合金を混合しない場合あるいは試料Ｎｏ．３０および３１のように副合金の混合量が多過ぎる場合、本発明例に比べＨｃＪが低下している。
実施例１２
微粉砕粉末における組成が表２１の合金Ｎｏ．ｋ２−１からｋ６−１に示す組成からなる５種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２１の合金Ｎｏ．ｋ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｋ２−１からｋ６−１とｋ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２１の合金Ｎｏ．Ｋ２からＫ６に示す組成（ｋ２−１とｋ１−２を混合したものがＫ２、ｋ３−１とｋ１−２を混合したものがＫ３、以下同様）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２２の試料Ｎｏ．３３から３７に示す。試料Ｎｏ．３３がＮｏ．ｋ２−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ２）、試料Ｎｏ．３４がｋ３−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ３）、試料Ｎｏ．３５がＮｏ．ｋ４−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ４）、試料Ｎｏ．３６がＮｏ．ｋ５−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ５）、試料Ｎｏ．３７がＮｏ．ｋ６−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ６）である。
微粉砕粉末における組成が表２１の合金Ｎｏ．ｋ２−１からｋ６−１に示す組成からなる５種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２１の合金Ｎｏ．ｋ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｋ２−１からｋ６−１とｋ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２１の合金Ｎｏ．Ｋ２からＫ６に示す組成（ｋ２−１とｋ１−２を混合したものがＫ２、ｋ３−１とｋ１−２を混合したものがＫ３、以下同様）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２２の試料Ｎｏ．３３から３７に示す。試料Ｎｏ．３３がＮｏ．ｋ２−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ２）、試料Ｎｏ．３４がｋ３−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ３）、試料Ｎｏ．３５がＮｏ．ｋ４−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ４）、試料Ｎｏ．３６がＮｏ．ｋ５−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ５）、試料Ｎｏ．３７がＮｏ．ｋ６−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ６）である。
比較例１２
微粉砕粉末における組成が表２１の合金Ｎｏ．ｋ１−１、ｋ７−１に示す組成からなる２種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２１の合金Ｎｏ．ｋ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｋ１−１とｋ１−２、ｋ７−１とｋ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２１の合金Ｎｏ．Ｋ１およびＫ７に示す組成（ｋ１−１とｋ１−２を混合したものがＫ１、ｋ７−１とｋ１−２を混合したものがＫ７）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２２の試料Ｎｏ．３２、３８に示す。試料Ｎｏ．３２がｋ１−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ１）、試料Ｎｏ．３８がｋ７−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ７）である。
微粉砕粉末における組成が表２１の合金Ｎｏ．ｋ１−１、ｋ７−１に示す組成からなる２種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２１の合金Ｎｏ．ｋ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｋ１−１とｋ１−２、ｋ７−１とｋ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２１の合金Ｎｏ．Ｋ１およびＫ７に示す組成（ｋ１−１とｋ１−２を混合したものがＫ１、ｋ７−１とｋ１−２を混合したものがＫ７）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２２の試料Ｎｏ．３２、３８に示す。試料Ｎｏ．３２がｋ１−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ１）、試料Ｎｏ．３８がｋ７−１とｋ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｋ７）である。
実施例１２および比較例１２は主合金のＢ量の限定理由の根拠を示す例である。表２２の本発明例である試料Ｎｏ．３３から３７のように主合金のＢ量が本発明の範囲内（０．９０〜１．００質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．３２のように主合金のＢ量が本発明の範囲よりも少ない場合（０．８９質量％）、本発明例に比べＢｒおよびＨｃＪならびにＨｋ／ＨｃＪが低下しており、特にＨｋ／ＨｃＪの低下が著しい。また試料Ｎｏ．３８のように主合金のＢ量が本発明の範囲よりも多い場合（１．１９質量％）、本発明例に比べＨｃＪの低下が著しい。
実施例１３
微粉砕粉末における組成が表２３の合金Ｎｏ．ｍ２−１、ｍ３−１、ｍ４−１に示す組成からなる３種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２３の合金Ｎｏ．ｍ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｍ２−１、ｍ３−１、ｍ４−１とｍ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２３の合金Ｎｏ．Ｍ２からＭ４に示す組成（ｍ２−１とｍ１−２を混合したものがＭ２、ｍ３−１とｍ１−２を混合したものがＭ３、ｍ４−１とｍ１−２を混合したものがＭ４）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２４の試料Ｎｏ．４０、４１、４２に示す。試料Ｎｏ．４０がＮｏ．ｍ２−１とｍ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｍ２）、試料Ｎｏ．４１がｍ３−１とｍ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｍ３）、試料Ｎｏ．４２がＮｏ．ｍ４−１とｍ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｍ４）である。
微粉砕粉末における組成が表２３の合金Ｎｏ．ｍ２−１、ｍ３−１、ｍ４−１に示す組成からなる３種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２３の合金Ｎｏ．ｍ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｍ２−１、ｍ３−１、ｍ４−１とｍ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２３の合金Ｎｏ．Ｍ２からＭ４に示す組成（ｍ２−１とｍ１−２を混合したものがＭ２、ｍ３−１とｍ１−２を混合したものがＭ３、ｍ４−１とｍ１−２を混合したものがＭ４）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２４の試料Ｎｏ．４０、４１、４２に示す。試料Ｎｏ．４０がＮｏ．ｍ２−１とｍ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｍ２）、試料Ｎｏ．４１がｍ３−１とｍ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｍ３）、試料Ｎｏ．４２がＮｏ．ｍ４−１とｍ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｍ４）である。
比較例１３
微粉砕粉末における組成が表２３の合金Ｎｏ．ｍ１−１、ｍ５−１に示す組成からなる２種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２３の合金Ｎｏ．ｍ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｍ１−１とｍ１−２、ｍ５−１とｍ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２３の合金Ｎｏ．Ｍ１およびＭ５に示す組成（ｍ１−１とｍ１−２を混合したものがＭ１、ｍ５−１とｍ１−２を混合したものがＭ５）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２４の試料Ｎｏ．３９、４３に示す。試料Ｎｏ．３９がｍ１−１とｍ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｍ１）、試料Ｎｏ．４３がｍ５−１とｍ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｍ５）である。
微粉砕粉末における組成が表２３の合金Ｎｏ．ｍ１−１、ｍ５−１に示す組成からなる２種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２３の合金Ｎｏ．ｍ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｍ１−１とｍ１−２、ｍ５−１とｍ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２３の合金Ｎｏ．Ｍ１およびＭ５に示す組成（ｍ１−１とｍ１−２を混合したものがＭ１、ｍ５−１とｍ１−２を混合したものがＭ５）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２４の試料Ｎｏ．３９、４３に示す。試料Ｎｏ．３９がｍ１−１とｍ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｍ１）、試料Ｎｏ．４３がｍ５−１とｍ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｍ５）である。
実施例１３および比較例１３は主合金のＧａ量の限定理由の根拠を示す例である。表２４の本発明例である試料Ｎｏ．４０から４２のように主合金のＧａ量が本発明の範囲内（０．２０〜０．６０質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．３９のように主合金のＧａ量が本発明の範囲よりも少ない場合（０．１０質量％）、本発明例に比べＢｒは若干高いもののＨｃＪの低下が著しい。また試料Ｎｏ．４３のように主合金のＧａ量が本発明の範囲よりも多い場合（０．７０質量％）、本発明例に比べＢｒの低下が著しい。
実施例１４
微粉砕粉末における組成が表２５の合金Ｎｏ．ｎ１−１、ｎ２−１、ｎ３−１に示す組成からなる３種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２５の合金Ｎｏ．ｎ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｎ１−１、ｎ２−１、ｎ３−１とｎ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２５の合金Ｎｏ．Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３に示す組成（ｎ１−１とｎ１−２を混合したものがＮ１、ｎ２−１とｎ１−２を混合したものがＮ２、ｎ３−１とｎ１−２を混合したものがＮ３）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２６の試料Ｎｏ．４４、４５、４６に示す。試料Ｎｏ．４４がＮｏ．ｎ１−１とｎ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｎ１）、試料Ｎｏ．４５がｎ２−１とｎ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｎ２）、試料Ｎｏ．４６がＮｏ．ｎ３−１とｎ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｎ３）である。
微粉砕粉末における組成が表２５の合金Ｎｏ．ｎ１−１、ｎ２−１、ｎ３−１に示す組成からなる３種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２５の合金Ｎｏ．ｎ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｎ１−１、ｎ２−１、ｎ３−１とｎ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２５の合金Ｎｏ．Ｎ１、Ｎ２、Ｎ３に示す組成（ｎ１−１とｎ１−２を混合したものがＮ１、ｎ２−１とｎ１−２を混合したものがＮ２、ｎ３−１とｎ１−２を混合したものがＮ３）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２６の試料Ｎｏ．４４、４５、４６に示す。試料Ｎｏ．４４がＮｏ．ｎ１−１とｎ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｎ１）、試料Ｎｏ．４５がｎ２−１とｎ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｎ２）、試料Ｎｏ．４６がＮｏ．ｎ３−１とｎ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｎ３）である。
比較例１４
微粉砕粉末における主合金の組成を表２５の合金Ｎｏ．ｎ４−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表２５の合金Ｎｏ．ｎ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２５の合金Ｎｏ．Ｎ４に示す組成とし、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２６の試料Ｎｏ．４７に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表２５の合金Ｎｏ．ｎ４−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表２５の合金Ｎｏ．ｎ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２５の合金Ｎｏ．Ｎ４に示す組成とし、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２６の試料Ｎｏ．４７に示す。
実施例１４および比較例１４は主合金のＣｏ量の好ましい範囲を示す例である。試料Ｎｏ．４４〜４６のように主合金のＣｏ量が０．５〜２質量％の範囲でＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。Ｃｏ量が２質量％を超えてもＢｒはほとんど低下せず、ＨｃＪは急減に低下することはないものの徐々に低下する傾向にある。従って、Ｂｒを重視する場合は２質量％を超えるＣｏを主合金に含有させることが可能であるが、ＨｃＪを重視する場合は主合金のＣｏ量は０．５〜２質量％が好ましい。もちろん、実施例１２および１３に示すように主合金にＣｏが含まれなくてもＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は得られる。
実施例１５
微粉砕粉末における組成が表２７の合金Ｎｏ．ｐ２−１からｐ７−１に示す組成からなる６種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２７の合金Ｎｏ．ｐ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｐ２−１からｐ７−１とｐ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２７の合金Ｎｏ．Ｐ２からＰ７に示す組成（ｐ２−１とｐ１−２を混合したものがＰ２、ｐ３−１とｐ１−２を混合したものがＰ３、以下同様）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２８の試料Ｎｏ．４８から５３に示す。試料Ｎｏ．４８がＮｏ．ｐ２−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ２）、試料Ｎｏ．４９がＮｏ．ｐ３−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ３）、試料Ｎｏ．５０がＮｏ．ｐ４−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ４）、試料Ｎｏ．５１がＮｏ．ｐ５−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ５）、試料Ｎｏ．５２がＮｏ．ｐ６−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ６）、試料Ｎｏ．５３がＮｏ．ｐ７−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ７）である。
微粉砕粉末における組成が表２７の合金Ｎｏ．ｐ２−１からｐ７−１に示す組成からなる６種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２７の合金Ｎｏ．ｐ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｐ２−１からｐ７−１とｐ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２７の合金Ｎｏ．Ｐ２からＰ７に示す組成（ｐ２−１とｐ１−２を混合したものがＰ２、ｐ３−１とｐ１−２を混合したものがＰ３、以下同様）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２８の試料Ｎｏ．４８から５３に示す。試料Ｎｏ．４８がＮｏ．ｐ２−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ２）、試料Ｎｏ．４９がＮｏ．ｐ３−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ３）、試料Ｎｏ．５０がＮｏ．ｐ４−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ４）、試料Ｎｏ．５１がＮｏ．ｐ５−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ５）、試料Ｎｏ．５２がＮｏ．ｐ６−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ６）、試料Ｎｏ．５３がＮｏ．ｐ７−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ７）である。
比較例１５
微粉砕粉末における組成が表２７の合金Ｎｏ．ｐ１−１、ｐ８−１に示す組成からなる２種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２７の合金Ｎｏ．ｐ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｐ１−１とｐ１−２、ｐ８−１とｐ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２７の合金Ｎｏ．Ｐ１およびＰ８に示す組成（ｐ１−１とｐ１−２を混合したものがＰ１、ｐ８−１とｐ１−２を混合したものがＰ８）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２８の試料Ｎｏ．４７、５４に示す。試料Ｎｏ．４７がｐ１−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ１）、試料Ｎｏ．５４がｐ８−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ８）である。
微粉砕粉末における組成が表２７の合金Ｎｏ．ｐ１−１、ｐ８−１に示す組成からなる２種類の主合金を準備すること、微粉砕粉末における組成が表２７の合金Ｎｏ．ｐ１−２に示す組成からなる副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｐ１−１とｐ１−２、ｐ８−１とｐ１−２をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２７の合金Ｎｏ．Ｐ１およびＰ８に示す組成（ｐ１−１とｐ１−２を混合したものがＰ１、ｐ８−１とｐ１−２を混合したものがＰ８）となるようにすること、主合金９８質量部と副合金２質量部とを混合すること以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表２８の試料Ｎｏ．４７、５４に示す。試料Ｎｏ．４７がｐ１−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ１）、試料Ｎｏ．５４がｐ８−１とｐ１−２を混合したもの（合金Ｎｏ．Ｐ８）である。
実施例１５および比較例１５は主合金のＲ１（実施例１５及び比較例１５においてはＮｄとＰｒの合計量）の限定理由の根拠を示す例である。表２８の本発明例である試料Ｎｏ．４８から５３のように主合金のＲ１量が本発明の範囲内（２９．０〜３３．０質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．４７のように主合金のＲ１量が本発明の範囲よりも少ない場合（２８．０質量％）、本発明例に比べＢｒは若干高いもののＨｃＪの低下が著しく、Ｈｋ／ＨｃＪも低下している。また試料Ｎｏ．５４のように主合金のＲ１量が本発明の範囲よりも多い場合（３４．０質量％）、本発明例に比べＢｒが低下しており、Ｈｋ／ＨｃＪも低下している。
実施例１６
微粉砕粉末における主合金の組成を表２９の合金Ｎｏ．ｑ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表２９の合金Ｎｏ．ｑ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２９の合金Ｎｏ．Ｑに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３０の試料Ｎｏ．５５に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表２９の合金Ｎｏ．ｑ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表２９の合金Ｎｏ．ｑ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表２９の合金Ｎｏ．Ｑに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３０の試料Ｎｏ．５５に示す。
比較例１６
微粉砕粉末の組成が表２９の合金Ｎｏ．Ｑに示す組成となるようにする以外は比較例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３０の試料Ｎｏ．５６に示す。
微粉砕粉末の組成が表２９の合金Ｎｏ．Ｑに示す組成となるようにする以外は比較例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３０の試料Ｎｏ．５６に示す。
実施例１６は副合金にＺｒを含有する例である。表３０の試料Ｎｏ．５５は主合金と副合金を混合する本発明の方法により製造されたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石（本発明例）であり、試料Ｎｏ．５６は単一合金法で製造された従来のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石（比較例）である。試料Ｎｏ．５５と試料Ｎｏ．５６のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成は同じであるが、本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、単一合金法で製造された従来のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に比べ、ＢｒおよびＨｃＪが向上し、Ｈｋ／ＨｃＪの低下もない。このように、副合金にＺｒを含有する場合も、実施例１などの副合金にＴｉを含有する場合とほぼ同じ効果が得られる。もちろん、副合金にＺｒを含有する場合においても、特許文献１に記載の発明のように従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金に比べＢ量が相対的に少ない特定の範囲の合金を用いるのではなく、従来一般に用いられてきたＲ−Ｔ−Ｂ系合金とほぼ同様のＢ量からなるＲ−Ｔ−Ｂ系の主合金を用いるため、特許文献１に記載の発明のように、使用原料や製造過程に起因するＢ量の僅かな変動によりＨｃＪが大きく変動（急激に低下）するという問題を解消することができ、重希土類元素ＲＨをできるだけ使用することなく、特許文献１に記載の発明によって得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石と同等以上のＢｒおよびＨｃＪならびにＨｋ／ＨｃＪが０．９６以上（９６％以上）の優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を安定して製造することができる。
実施例１７
表２９の合金Ｎｏ．ｑ１−１に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、得られた粗粉砕粉末をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０が４．２μｍの主合金微粉砕粉末を得た。また、表２９の合金Ｎｏ．ｑ１−２に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、得られた粗粉砕粉末をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０が４．２μｍの副合金微粉砕粉末を得た。主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末の組成が表２９の合金Ｎｏ．Ｑに示す組成となるように、主合金９５質量部と副合金５質量部とを混合し、混合合金微粉砕粉末を得た。得られた混合合金微粉砕粉末を実施例１と同様にして成形、焼結、熱処理および加工し、磁気特性を測定したところ、実施例１６による本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石とほぼ同じ測定結果が得られた。すなわち、混合後微粉砕方法（実施例１６）および微粉砕後混合方法（実施例１７）のいずれであってもほぼ同じ効果が得られる。
表２９の合金Ｎｏ．ｑ１−１に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、得られた粗粉砕粉末をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０が４．２μｍの主合金微粉砕粉末を得た。また、表２９の合金Ｎｏ．ｑ１−２に示す組成となるように原料を秤量し、ストリップキャスティング法により合金を作製し、得られた合金を水素粉砕法により粗粉砕し、得られた粗粉砕粉末をジェットミル粉砕法により微粉砕し、粒径Ｄ５０が４．２μｍの副合金微粉砕粉末を得た。主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末の組成が表２９の合金Ｎｏ．Ｑに示す組成となるように、主合金９５質量部と副合金５質量部とを混合し、混合合金微粉砕粉末を得た。得られた混合合金微粉砕粉末を実施例１と同様にして成形、焼結、熱処理および加工し、磁気特性を測定したところ、実施例１６による本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石とほぼ同じ測定結果が得られた。すなわち、混合後微粉砕方法（実施例１６）および微粉砕後混合方法（実施例１７）のいずれであってもほぼ同じ効果が得られる。
なお、以下の実施例１８〜２０においては、単一合金法により製造されたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石との対比は省略するが、以下の実施例１８〜２０の本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、前記実施例１６、１７による本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石と同様に、単一合金法により製造された実施例と同様な組成のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に比べ、優れた磁気特性を有することを確認している。また、以下の実施例１８〜２０の本発明によるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、特許文献１に記載の発明によって得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のように、使用原料や製造過程に起因するＢ量の僅かな変動によりＨｃＪが大きく変動（急激に低下）するということがなく、特許文献１に記載の発明によって得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石と同等以上のＢｒおよびＨｃＪならびにＨｋ／ＨｃＪが０．９６以上（９６％以上）の優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を安定して製造することができることも確認している。
実施例１８
微粉砕粉末における主合金の組成を表３１の合金Ｎｏ．ｒ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３１の合金Ｎｏ．ｒ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３１の合金Ｎｏ．Ｒに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３２の試料Ｎｏ．５７に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表３１の合金Ｎｏ．ｒ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３１の合金Ｎｏ．ｒ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３１の合金Ｎｏ．Ｒに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３２の試料Ｎｏ．５７に示す。
比較例１７
微粉砕粉末における主合金の組成を表３１の合金Ｎｏ．ｒ２−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３１の合金Ｎｏ．ｒ２−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３１の合金Ｎｏ．Ｒに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３２の試料Ｎｏ．５８に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表３１の合金Ｎｏ．ｒ２−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３１の合金Ｎｏ．ｒ２−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３１の合金Ｎｏ．Ｒに示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３２の試料Ｎｏ．５８に示す。
実施例１８および比較例１７は副合金のＺｒ量の限定理由の根拠を示す例である。表３２の本発明例である試料Ｎｏ．５７のように副合金のＺｒ量が本発明の範囲内（０．７６質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．５８のように副合金にＺｒが含まれない場合、本発明例に比べＨｃＪ、ＨｋおよびＨｋ／ＨｃＪが低下している。なお、Ｚｒ量が０．７６質量％以上であるという限定は、主合金９５質量部と副合金５質量部とを混合した場合を想定している。副合金の混合量を５質量部より大きくすれば（主合金の混合量を９５質量部より小さくすれば）、Ｚｒ量の限定を小さくする（例えば０．６質量％以上）ことが可能である。しかしながら、副合金の混合量を大きくすると、副合金に含まれる他の元素（ＰｒやＢなど）の量も増えるため、主合金の組成を調製する必要がある。また、実施例１８に示すように、主合金には少量のＺｒが含まれていてもよい。
実施例１９
微粉砕粉末における主合金の組成を表３３の合金Ｎｏ．ｓ１−１に示す組成とすること、微粉砕粉末における組成が表３３の合金Ｎｏ．ｓ１−２、ｓ１−３に示す組成からなる２種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｓ１−１とｓ１−２、ｓ１−１とｓ１−３をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３３の合金Ｎｏ．Ｓ１（ｓ１−１とｓ１−２）、Ｓ２（ｓ１−１とｓ１−３）に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３４の試料Ｎｏ．５９、６０に示す。試料Ｎｏ．５９がＳ１に示す組成、試料Ｎｏ．６０がＳ２に示す組成である。
微粉砕粉末における主合金の組成を表３３の合金Ｎｏ．ｓ１−１に示す組成とすること、微粉砕粉末における組成が表３３の合金Ｎｏ．ｓ１−２、ｓ１−３に示す組成からなる２種類の副合金を準備すること、合金Ｎｏ．ｓ１−１とｓ１−２、ｓ１−１とｓ１−３をそれぞれ混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３３の合金Ｎｏ．Ｓ１（ｓ１−１とｓ１−２）、Ｓ２（ｓ１−１とｓ１−３）に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３４の試料Ｎｏ．５９、６０に示す。試料Ｎｏ．５９がＳ１に示す組成、試料Ｎｏ．６０がＳ２に示す組成である。
比較例１８
微粉砕粉末における主合金の組成を表３３の合金Ｎｏ．ｓ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３３の合金Ｎｏ．ｓ１−４に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３３の合金Ｎｏ．Ｓ３に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３４の試料Ｎｏ．６１に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表３３の合金Ｎｏ．ｓ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３３の合金Ｎｏ．ｓ１−４に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３３の合金Ｎｏ．Ｓ３に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３４の試料Ｎｏ．６１に示す。
実施例１９および比較例１８は混合合金微粉砕粉末（Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成も同じ）におけるＺｒの下限の限定理由の根拠を示す例である。表３４の本発明例である試料Ｎｏ．５９、６０のように混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＺｒが本発明の範囲内（０．２３質量％、０．１９質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．６１のように混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＺｒが本発明の範囲よりも少ない場合（０．１７質量％）、本発明例に比べＨｃＪが低下している。
実施例２０
微粉砕粉末における主合金の組成を表３５の合金Ｎｏ．ｔ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３５の合金Ｎｏ．ｔ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３５の合金Ｎｏ．Ｔ１に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３６の試料Ｎｏ．６２に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表３５の合金Ｎｏ．ｔ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３５の合金Ｎｏ．ｔ１−２に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３５の合金Ｎｏ．Ｔ１に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３６の試料Ｎｏ．６２に示す。
比較例１９
微粉砕粉末における主合金の組成を表３５の合金Ｎｏ．ｔ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３５の合金Ｎｏ．ｔ１−３に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３５の合金Ｎｏ．Ｔ２に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３６の試料Ｎｏ．６３に示す。
微粉砕粉末における主合金の組成を表３５の合金Ｎｏ．ｔ１−１に示す組成とし、微粉砕粉末における副合金の組成を表３５の合金Ｎｏ．ｔ１−３に示す組成とし、主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末の組成が表３５の合金Ｎｏ．Ｔ２に示す組成となるようにする以外は実施例１と同様にしてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得た。得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の磁気特性を実施例１と同様にして測定した。測定結果を表３６の試料Ｎｏ．６３に示す。
実施例２０および比較例１９は混合合金微粉砕粉末（Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成も同じ）におけるＺｒの上限の限定理由の根拠を示す例である。表３６の本発明例である試料Ｎｏ．６２のように混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＺｒが本発明の範囲内（０．５７質量％）にあるときＢｒ、ＨｃＪ、Ｈｋ／ＨｃＪの全てが高いレベルにある優れた磁気特性を有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が得られる。一方、試料Ｎｏ．６３のように混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＺｒが本発明の範囲よりも多い場合（０．６５質量％）、本発明例に比べＢｒおよびＨｃＪが低下している。
本発明により得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）や、電気自動車用（ＥＶ、ＨＶ、ＰＨＶなど）モータ、産業機器用モータなどの各種モータ、家電製品などに好適に利用することができる。
Claims (4)
- 微粉砕粉末における組成が、
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、
Ｂ：０．９〜１．０質量％、
Ｇａ：０．２〜０．６質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された主合金を準備する工程と、
微粉砕粉末における組成が、
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、
Ｂ：０．５〜０．８質量％、
Ｔｉ：０．４４質量％以上、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された副合金を準備する工程と、
主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を準備する工程と、
混合合金を微粉砕し混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法。 - Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、
Ｂ：０．９〜１．０質量％、
Ｇａ：０．２〜０．６質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する主合金微粉砕粉末を準備する工程と、
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、
Ｂ：０．５〜０．８質量％、
Ｔｉ：０．４４質量％以上、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する副合金微粉砕粉末を準備する工程と、
主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＴｉが０．１〜０．３質量％となるように、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法。 - 微粉砕粉末における組成が、
Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、
Ｂ：０．９〜１．０質量％、
Ｇａ：０．２〜０．６質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された主合金を準備する工程と、
微粉砕粉末における組成が、
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、
Ｂ：０．５〜０．８質量％、
Ｚｒ：０．７６質量％以上、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する組成となるように調製された副合金を準備する工程と、
主合金と副合金とを混合した混合合金を微粉砕した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＺｒが０．１９〜０．５７質量％となるように、主合金９０〜９９質量部と副合金１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金を準備する工程と、
混合合金を微粉砕し混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法。 - Ｒ１：２９〜３３質量％（Ｒ１は希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む）、
Ｂ：０．９〜１．０質量％、
Ｇａ：０．２〜０．６質量％、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する主合金微粉砕粉末を準備する工程と、
Ｒ２：２９〜５０質量％（Ｒ２はＰｒまたはＰｒとＮｄでありＰｒを５〜３３質量％含む）、
Ｂ：０．５〜０．８質量％、
Ｚｒ：０．７６質量％以上、
残部Ｔ（Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）
および不可避的不純物を含有する副合金微粉砕粉末を準備する工程と、
主合金微粉砕粉末と副合金微粉砕粉末とを混合した混合合金微粉砕粉末１００質量％に含有されるＺｒが０．１９〜０．５７質量％となるように、主合金微粉砕粉末９０〜９９質量部と副合金微粉砕粉末１〜１０質量部とを混合し合計１００質量部とした混合合金微粉砕粉末を準備する工程と、
混合合金微粉砕粉末を成形し成形体を準備する工程と、
成形体を焼結し焼結体を準備する工程と、
焼結体を熱処理する工程と、
を含むことを特徴とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法。
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