JP2016071334A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本実施形態は、波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧し得る表示装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第１基板は第１乃至第４画素電極を備える。色フィルタの層は、前記第１画素電極と対向する赤色フィルタと、前記第２画素電極と対向する緑色フィルタと、前記第３画素電極と対向し波長４６０ｎｍよりも短波長側に透過率のピークを有する第１青色フィルタと、前記第４画素電極と対向し波長４６０ｎｍよりも長波長側に透過率のピークを有する第２青色フィルタと、を備える。【選択図】図９

Description

この実施形態は、表示装置に関する。

近年、携帯端末が普及している。携帯端末は、スマートフォーン、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、或いはタブレットコンピュータ等を含み、その表示機能も高性能化している。携帯端末の表示装置としては、液晶表示装置、ＬＥＤを用いた表示装置、有機ＥＬを用いた表示装置、冷陰極線管などの各種の表示装置が開発されている。これらの表示装置は、カラー画像を表示することができる

ＷＯ２０１０／０７２４１５号

カラー表示装置において、最近、波長４６０ｎｍ付近にピークを持つ光が、人の目の細胞に対して良くない影響を与えることが研究されている。例えば網膜が波長４６０ｎｍ付近の光を感受すると、メラトニン（睡眠と関連したホルモン）が抑制され、不眠症などを誘発することが知られている。波長４６０ｎｍ付近にピークを持つ光は、表示装置に使用されるＬＥＤ光源から出力される。このために表示装置において、波長４６０ｎｍ付近にピークを持つ光を抑圧する対策が望まれている。
そこで本実施形態は、波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧し得る表示装置を提供することを目的とする。

一実施形態によれば、第１基板は第１乃至第４画素電極を備える。第２基板は、前記第１画素電極と対向する赤色フィルタと、前記第２画素電極と対向する緑色フィルタと、前記第３画素電極と対向し波長４６０ｎｍよりも短波長側に透過率のピークを有する第１青色フィルタと、前記第４画素電極と対向し波長４６０ｎｍよりも長波長側に透過率のピークを有する第２青色フィルタと、を備える。

図１は本実施形態における液晶表示装置ＬＣＤの構成例を概略的に示す分解斜視図である。 図２は図１に示した液晶表示装置ＬＣＤの構成例を概略的に示す断面図である。 図３は液晶表示パネルＰＮＬの構成及び等価回路を概略的に示す図である。 図４は一実施形態において、各画素ＰＸに対して配置された色フィルタの配列の例を示す図である。 図５は図４に示した複合色単位画素の構成例を、列ＣＯＬ１、列ＣＯＬ２の一部を代表して、さらに詳しく示す図である。 図６Ａは図５の四角で囲んだ部分１を取り出して示し、ソース配線Ｓ２、Ｓ３及びゲート配線Ｇ２の近傍が拡大して示す図である。 図６Ｂは図６ＡのデバイスをＡ−Ｂのラインで断面した場合の概略構成を示す図である。 図７は、一実施形態において図６Ａ及び図６Ｂに示したスイッチング素子（ＳＷ）を含む続部の周辺の断面構造を概略的に示す図である。 図８は、他の実施形態において図６Ａ及び図６Ｂに示したスイッチング素子（ＳＷ）を含む続部の周辺の断面構造を概略的に示す図である。 図９は一実施形態の一部の色画素配列の例を取り出して示す図である。 図１０は他の実施形態の一部の色画素配列の例を取り出して示す図である。 図１１は更に又他の実施形態の一部の色画素配列の例を取り出して示す図である。 図１２は又他の実施形態の一部の色画素配列の例を取り出して示す図である。 図１３は実施形態の表示装置において、Ｂ１画素と、Ｂ２画素と、Ｒ画素、Ｇ画素から得られる光の強度特性の例を示す図である。 図１４はＢ１画素とＢ２画素を用いた実施例の表示装置が、色表現するエリアを説明するために示した色度図である。 図１５は更に他の実施形態を示す図であり、光源として、特性の異なる複数の発光ダイオードＬＤを使用した場合に得られる光の強度特性の例を示す図である。 図１６は第２駆動回路ＳＤの内部の概略的構成の例を示す図である。 図１７は更に他の実施形態による表示装置の一部断面を示す図である。

以下、図面を参照して実施形態を説明する。なお、開示は一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を省略することがある。

図１は、本実施形態における液晶表示装置ＬＣＤの構成例を概略的に示す分解斜視図である。液晶表示装置ＬＣＤは、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルＰＮＬ、両面テープＴＰ、光学シートＯＳ、フレームＦＲ、導光板ＬＧ、光源ユニットＬＵ、反射シートＲＳ、ベゼルＢＺなどを備えている。液晶表示パネルＰＮＬを照明する面光源装置ＬＳは、少なくとも導光板ＬＧ及び光源ユニットＬＵを備えて構成されている。

液晶表示パネルＰＮＬは、平板状の第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された平板状の第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層と、を備えている。なお、液晶層は、液晶表示パネルＰＮＬの厚みに比べて極めて薄く、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合せるシール材の内側に位置しているため、その図示を省略している。

液晶表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが対向する領域に画像を表示する表示エリアＤＡを有している。図示した例では、表示エリアＤＡは、長方形状に形成されておりアクティブエリアと称される場合もある。液晶表示パネルＰＮＬは、面光源装置ＬＳからの光を選択的に透過することで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型である。液晶表示パネルＰＮＬは、表示モードとして、主として基板主面に略平行な横電界を利用する横電界モードに対応した構成を有していても良いし、主として基板主面に略垂直な縦電界を利用する縦電界モードに対応した構成を有していても良い。

図示した例では、液晶表示パネルＰＮＬを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源として、駆動ＩＣチップＣＰ及びフレキシブルプリント回路基板ＦＰＣが第１基板ＳＵＢ１に実装されている。
光学シートＯＳは、光透過性を有しており、液晶表示パネルＰＮＬの裏面側に位置し、少なくとも表示エリアＤＡと対向している。光学シートＯＳとしては、拡散シートＯＳＡ、プリズムシートＯＳＢ、プリズムシートＯＳＣ、拡散シートＯＳＤなどが含まれる。図示した例では、これらの光学シートＯＳは、いずれも長方形状に形成されている。

フレームＦＲは、液晶表示パネルＰＮＬとベゼルＢＺとの間に位置している。図示した例では、フレームＦＲは、矩形枠状に形成されており、表示エリアＤＡと対向する長方形状の開口部ＯＰを有している。
両面テープＴＰは、表示エリアＤＡの外側で液晶表示パネルＰＮＬとフレームＦＲとの間に位置している。この両面テープＴＰは、例えば遮光性を有しており、矩形枠状に形成されている。

導光板ＬＧは、フレームＦＲとベゼルＢＺとの間に位置している。導光板ＬＧは、平板状に形成され、第１主面ＬＧＡ、第１主面ＬＧＡとは反対側の第２主面ＬＧＢ、及び、第１主面ＬＧＡと第２主面ＬＧＢとを繋ぐ側面ＬＧＣを有している。
光源ユニットＬＵは、導光板ＬＧの側面ＬＧＣに沿って配置されている。光源ユニットＬＵは、光源として機能する複数の発光ダイオードＬＤ、複数の発光ダイオードＬＤが実装されるフレキシブル回路基板ＬＦＰＣなどを備えている。図示した例では、これらの発光ダイオードＬＤは、導光板ＬＧの短辺に平行な側面ＬＧＣに沿って一列に並んでいる。
なお、発光ダイオードＬＤは、導光板ＬＧの長辺に平行な他の側面（側面ＬＧＣに交差する側面）に沿って並んでいても良い。

反射シートＲＳは、光反射性を有しており、ベゼルＢＺと導光板ＬＧとの間に位置している。図示した例では、反射シートＲＳは、長方形状に形成されている。
ベゼルＢＺは、上記の液晶表示パネルＰＮＬ、両面テープＴＰ、光学シートＯＳ、フレームＦＲ、導光板ＬＧ、光源ユニットＬＵ、反射シートＲＳを収容している。図示した例では、面光源装置ＬＳは、液晶表示パネルＰＮＬの背面側、つまり第１基板ＳＵＢ１と対向する側に配置されており、いわゆるバックライトとして機能する。

図２は、図１に示した液晶表示装置ＬＣＤの構成例を概略的に示す断面図である。液晶表示パネルＰＮＬ、各種光学シートＯＳＡ乃至ＯＳＤ、導光板ＬＧ、及び反射シートＲＳは、表示エリアＤＡのみならず、表示エリアＤＡよりも外側の非表示エリアＮＤＡに延在している。光源ユニットＬＵ及びフレームＦＲは、非表示エリアＮＤＡに位置している。

反射シートＲＳは、導光板ＬＧの第２主面ＬＧＢと対向している。各種光学シートＯＳＡ乃至ＯＳＤの各々は、導光板ＬＧの第１主面ＬＧＡと液晶表示パネルＰＮＬとの間で積層されている。
光源ユニットＬＵにおいて、フレキシブル回路基板ＬＦＰＣは、ベゼルＢＺと、導光板ＬＧ及びフレームＦＲとの間に位置している。フレキシブル回路基板ＬＦＰＣは、例えば、両面テープなどで導光板ＬＧの第２主面ＬＧＢに接着されている。発光ダイオードＬＤは、フレームＦＲとベゼルＢＺとの間のスペースに収容されている。発光ダイオードＬＤの発光面ＬＥは、導光板ＬＧの側面ＬＧＣと対向している。側面ＬＧＣは、発光ダイオードＬＤからの放射光が入射する入射面に相当する。側面ＬＧＣに交差する第１主面ＬＧＡは、側面ＬＧＣから入射した光を出射する出射面に相当する。液晶表示パネルＰＮＬは、第１主面ＬＧＡと対向する側に位置している。

両面テープＴＰは、非表示エリアＮＤＡにおいて、液晶表示パネルＰＮＬとフレームＦＲとを接着している。液晶表示パネルＰＮＬは、第１基板ＳＵＢ１の外面に接着された第１光学素子ＯＤ１、及び、第２基板ＳＵＢ２の外面に接着された第２光学素子ＯＤ２を備えている。第１光学素子ＯＤ１及び第２光学素子ＯＤ２の各々は、少なくとも偏光板を含んでいる。第１光学素子ＯＤ１は、光学シート（拡散シート）ＯＤＡと対向している。

第２基板ＳＵＢ２は色フィルタを備えるが、その詳細な構造については、後述することにする。
図３は、液晶表示パネルＰＮＬの構成及び等価回路の一例を概略的に示す図である。表示装置は、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルＰＮＬを備えている。液晶表示パネルＬＰＮは、第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向配置された第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に保持された液晶層ＬＱと、を備える。表示エリアＤＡは、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＱが保持された領域に相当し、例えば、四角形状であり、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。

第１基板ＳＵＢ１は、表示エリアＤＡにおいて、第１方向Ｘに沿って延出した複数のゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って延出した複数のソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）を備えている。
また各画素ＰＸは、図３の右側に１つを代表して示す（一点鎖線で囲まれた領域）ように、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓと電気的に接続されたスイッチング素子ＳＷ、各画素ＰＸにおいてスイッチング素子ＳＷに電気的に接続された画素電極ＰＥ、画素電極ＰＥと向かい合う共通電極ＣＥ１などを備えている。共通電極ＣＥ１が２本示されているが、実際には一体化した電極である。蓄積容量ＣＳは、例えば、共通電極ＣＥ１と画素電極ＰＥとの間に形成される。第２基板ＳＵＢ２は、液晶層ＬＱを介して第１基板ＳＵＢ１と対向している。なお、蓄積容量ＣＳは、必要に応じて設けてもよいし、設けなくてもよい。例えば、液晶表示装置ＬＣＤが、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｇ）モードである場合は、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥ１、及びその間に配置される絶縁物が蓄積容量ＣＳとして機能するため、蓄積容量ＣＳを別に設けなくてもよい。

各ゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）は、表示エリアＤＡの外側に引き出され、第１駆動回路ＧＤに接続されている。各ソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）は、表示エリアＤＡの外側に引き出され、第２駆動回路ＳＤに接続されている。第１駆動回路ＧＤ及び第２駆動回路ＳＤは、例えばその少なくとも一部が第１基板ＳＵＢ１上に形成され、駆動ＩＣチップ（液晶ドライバと称される場合もある）ＣＰと接続されている。

第２駆動回路ＳＤは、カラム反転駆動方法を実現するために、隣り合う列のソース配線に対して画素信号を出力する場合、異なる極性の画素信号を出力することができる。駆動ＩＣチップＣＰは、第１駆動回路ＧＤ及び第２駆動回路ＳＤを制御するコントローラを内蔵し、液晶表示パネルＬＰＮを駆動するのに必要な信号を供給する信号供給源として機能する。図示した例では、駆動ＩＣチップＣＰは、液晶表示パネルＬＰＮの表示エリアＤＡの外側において、第１基板ＳＵＢ１上に実装されている。

共通電極ＣＥ１は、表示エリアＤＡの全域に亘って延在しており、複数の画素ＰＸに対して共通に形成されている。共通電極ＣＥ１は、表示エリアＤＡの外側に引き出され、給電部Ｖｃｏｍに接続されている。給電部Ｖｃｏｍは、例えば表示エリアＤＡの外側において第１基板ＳＵＢ１に形成され、共通電極ＣＥ１と電気的に接続される。給電部Ｖｃｏｍには、一定の共通電圧が供給される。

複数の画素ＰＸには、色フィルタが所定の規則で配列されている。色フィルタは、液晶層ＬＱを挟んで画素電極に対向し、第２基板ＳＵＢ２に形成されている。
図４は、各画素ＰＸに対して配置された、色フィルタの例を示している。以下、色フィルタが一体化された画素を色画素と称し、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ１又はＢ２）のフィルタが一体化された画素を、それぞれ赤色（Ｒ）画素、緑色（Ｇ）画素及び青色（Ｂ１又はＢ２）画素と称することにする。従って、Ｒ，Ｇ，Ｂ１，Ｂ２は、それぞれ赤色フィルタ、緑色フィルタ、第１青色フィルタ、第２青色フィルタと対応する。図４では色フィルタの配列を分かり易くするために、ソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）などの一部を省略して示している。

ここで本実施形態では、Ｒ画素による第１の列Ｃ１１と、Ｇ画素による第２の列Ｃ１２と、Ｂ１画素とＢ２画素とが交互となる第３の列Ｃ１３ａまたはＣ１３ｂによるＲＧＢの複合色単位画素が存在する。複合色単位画素は、ＲＧＢ画素を含むものとする。
ここで、第３の列が、Ｃ１３ａ，Ｃ１３ｂとして示されたのは、第３の列Ｃ１３ａは、第１青色（Ｂ１）画素と第２青色（Ｂ２）画素とが交互となる列（奇数行がＢ１画素、偶数行がＢ２画素）であるが、同じ青でも第３の列Ｃ１３ｂは、第２青色（Ｂ２）画素と第１青色（Ｂ１）画素とが交互となる列（奇数行がＢ２画素、偶数行がＢ１画素）であるからである。またＢ１画素とＢ２画素は、行方向に見た場合、Ｂ１画素と、Ｂ２画素が交互に繰り返して配列されるとも言える。複合色単位画素の各列に対して、図４では、符号ＣＯＬ１、ＣＯＬ２、ＣＯＬ３、ＣＯＬ４、・・・・を付して示している。各複合色単位画素の列ＣＯＬ１、ＣＯＬ２、ＣＯＬ３、ＣＯＬ４、・・・・は、それぞれ第１の列Ｃ１１、第２の列Ｃ１２、及び第３の列Ｃ１３ａ（またはＣ１３ｂ）を含む。次に、画素の各行に対応して、行方向にゲート配線Ｇ（Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、・・・・・Ｇｎ）が配線されている。

上記のＢ１画素に用いられる第１青色（Ｂ１）フィルタは、波長４６０ｎｍよりも短波長側に透過率のピークを有する。また、Ｂ２画素に用いられる第２青色（Ｂ２）フィルタは、波長４６０ｎｍよりも長波長側に透過率のピークを有する。第１青色（Ｂ１）画素と第２青色（Ｂ２）画素は、この表示装置において、重要な役割を担うものである。第１青色（Ｂ１）画素と第２青色（Ｂ２）画素を用いることにより、波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧し得る表示装置を提供することができる。これは波長４６０ｎｍよりも短波長側に透過率のピークを有する第１青色（Ｂ１）フィルタと、波長４６０ｎｍよりも長波長側に透過率のピークを有する第２青色（Ｂ２）フィルタとを用いていることに起因する。第１青色（Ｂ１）画素と第２青色（Ｂ２）画素の機能と作用効果については、後で詳しく説明することにする。

なお、本明細書において第１青色及び第２青色とは、人間の目で青色と認識できる青色の範囲の波長のうち、第１青色は波長４６０ｎｍよりも短波長側にピークを有する波長であり、第２青色は波長４６０ｎｍよりも長波長側にピークを有する波長とする。より具体的には、第１青色は、波長４３５〜４９５ｎｍのうち、ピークの波長が４６０ｎｍより小さく、第２青色は、波長４３５〜４９５ｎｍのうち、ピークの波長が４６０ｎｍより大きい波長とする。

図４において、各色画素に＋或いは−の符号を付しているが、この符号は各色画素に書き込まれる画素信号の極性を示す。このように列毎に＋、−、＋、−、・・・となるように極性を反転させて駆動する方式は、カラム反転駆動方式と称される。カラム反転駆動方式は、液晶駆動効率を向上するために、隣り合う画素列の駆動電圧の極性を異なる極性にして駆動し、且つフレーム毎に前記極性を反転して駆動する液晶駆動方法である。

この駆動方法であると、以下のような効果を得ることができる。今、例えば赤色画素（Ｒ）に対する画素信号の書き込み処理について着目する。例えばゲート配線Ｇ１がオンであり、行方に見た場合、列ＣＯＬ１、ＣＯＬ３、ＣＯＬ５、・・・・の赤色画素（Ｒ）に画素信号（マイナス電位）が書き込まれ、列ＣＯＬ２、ＣＯＬ４、ＣＯＬ６、・・・・の赤色画素（Ｒ）に画素信号（プラス電位）が書き込まれる。Ｒ画素は、行方向に極性が＋、−、＋、−、・・・・と規則正しく繰り返している。このために、赤に関する共通電極の極性バランスは、何れか一方の極性に偏ることがない。つまり、赤色の画素信号の書き込み処理に関しては、共通電極の電位がプラス或いはマイナス方向に偏ることがない。また緑Ｇ画素に対する画素信号の書き込み処理、及びＢ１画素，Ｂ２画素に対する画素信号の書き込み処理においても同様な効果が得られる。

図５は、図４に示した複合色単位画素の構成例を、列ＣＯＬ１、列ＣＯＬ２の一部を代表して、さらに詳しく示す図である。図５では、図４に比べて、画素電極ＰＥの構造と、ソース配線Ｓ１−Ｓ４を更に示している。さらに、図５では、画素電極ＰＥと、この画素電極ＰＥに対応するソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓ４）とゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇ３）との接続部の周辺を代表して、概略的に示している。ソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓ４）とゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇ３）で仕切られた領域内には開口部が形成される。各開口部には、画素電極ＰＥがそれぞれ配置されている。

画素電極ＰＥは、接続部に形成されたスイッチング素子ＳＷにより、ソース配線Ｓに接続されている。スイッチング素子ＳＷは、ゲート配線Ｇからの制御信号によりオン又はオフ制御される。この接続部の構成を図６Ａ、図６Ｂを参照して後述することにする。

図６Ａ、図６Ｂは、図５の四角で囲んだ部分１を取り出して示している。図６Ａには、ソース配線Ｓ２、Ｓ３、及びゲート配線Ｇ２の近傍が拡大されて示されている。図６Ｂは、図６ＡのデバイスをＡ−Ｂのラインで断面した場合の概略構成を示している。図６Ａと図６Ｂを参照して、ゲート配線Ｇ２と接続される第２青色（Ｂ２）画素の領域を詳しく説明することにする。

本実施形態は、画素電極ＰＥがスリットを有し、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥ１との間で、液晶分子を駆動する方式として、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式を採用している。
ソース配線Ｓ３は、絶縁膜１２と絶縁膜１３との間に位置する。ソース配線Ｓ３の下部には、絶縁膜１２、１１を介して、半導体層ＳＣが形成されている。ソース配線Ｓ３の一部に接続したソース電極ＷＳは、コンタクトホールＣＨ１を介して、半導体層ＳＣのソース部に接続されている。半導体層ＳＣは、ソース配線Ｓ３の下部に沿って延在し、ゲート配線Ｇ２の下部を通過し、第２青色画素（Ｂ２）の領域内に進入している。この第２青色画素（Ｂ２）の領域内に入り込んだ半導体層ＳＣは、ドレイン部として使用される。

ゲート配線Ｇ２は、ソース配線Ｓ３の層の下部の絶縁膜１１と絶縁膜１２との間に位置する。ゲート配線Ｇ２は、一部が画素形成領域に突出している。この一部がＧ２’として図示されている。
半導体層ＳＣのドレイン部は、絶縁膜１１、１２を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して、ドレイン電極ＷＤに接続されている。さらにドレイン電極ＷＤは、絶縁膜１３、共通電極ＣＥ１、絶縁膜１４を貫通するコンタクトホールＣＨ３を介して、画素電極ＰＥに接続されている。なお図６Ｂの共通電極ＣＥ１は、図６Ａでは示していない。

図７は、図６Ａ、図６Ｂに示したスイッチング素子（ＳＷ）を含む接続部の周辺の断面構造を概略的に示す図である。
第１基板ＳＵＢ１は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第１絶縁基板１０を用いて形成されている。第１基板ＳＵＢ１は、スイッチング素子ＳＷ、第１共通電極ＣＥ１、画素電極ＰＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜１３、第４絶縁膜１４、第１水平配向膜ＡＬ１などを備えている。

図示した例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子ＳＷは、第１絶縁基板１０の上に配置された半導体層ＳＣを備えている。なお、第１絶縁基板１０と半導体層ＳＣとの間に絶縁膜であるアンダーコート層が介在していても良い。

半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１によって覆われている。また、第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上にも配置されている。このような第１絶縁膜１１は、例えば、酸化珪素や酸化窒素等の無機系材料によって形成されている。
スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、第１絶縁膜１１の上に形成され、半導体層ＳＣの直上に位置している。ゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇ２、Ｇ２’に電気的に接続され（あるいは、ゲート配線と一体的に形成され）、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１２は、例えば、シリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。

スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。また、ソース配線Ｓ３も同様に第２絶縁膜１２の上に形成されている。図示したソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓ３に電気的に接続されている（あるいは、ソース配線Ｓ３と一体的に形成されている）。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＨ１，ＣＨ２を通して半導体層ＳＣにコンタクトしている。このスイッチング素子ＳＷは、ソース配線Ｓ３とともに第３絶縁膜１３によって覆われている。第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。この第３絶縁膜１３は、例えば、透明な樹脂材料によって形成されている。
共通電極ＣＥ１は、第３絶縁膜１３の上に延在している。図示したように、共通電極ＣＥ１は、ソース配線Ｓ３の上方をカバーし、隣接する画素に向かって延在している。この共通電極ＣＥ１は、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：ＩＺＯ）などの透明な導電材料によって形成されている。共通電極ＣＥ１の上には、第４絶縁膜１４が配置されている。

第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４には、ドレイン電極ＷＤまで貫通したコンタクトホールＣＨ３が形成されている。第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３と比較して薄い膜厚に形成され、例えば、シリコン窒化物などの無機系材料によって形成されている。この第４絶縁膜１４は、共通電極ＣＥ１を覆う層間絶縁膜に相当する。

画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上においてスリットを有して形成され、第１共通電極ＣＥ１と対向している。画素電極ＰＥは、コンタクトホールＣＨ３を介してスイッチング素子ＳＷのドレイン電極ＷＤに電気的に接続されている。この画素電極ＰＥは、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電材料によって形成されている。画素電極ＰＥは、第１水平配向膜ＡＬ１によって覆われている。

一方、第２基板ＳＵＢ２は、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する第２絶縁基板３０を用いて形成されている。第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板３０の第１基板ＳＵＢ１に対向する側に、遮光層３１、色フィルタ３２、オーバーコート層３３、第２水平配向膜ＡＬ２などを備えている。

遮光層３１は、表示エリアＤＡにおいて各画素ＰＸを区画し、開口部を形成する。遮光層３１は、色画素の境界あるいは第１基板ＳＵＢ１に設けられたソース配線と対向する位置などに設けられている。遮光層３１は、遮光性の金属材料や黒色の樹脂材料によって形成されている。

色フィルタ３２は、ゲート配線とソース配線で仕切られた領域内に形成される開口部に形成され、その一部が遮光層３１と重なっている。色フィルタ３２は、例えば、この図の場合は、Ｂ２画素のためのフィルタであり、第２青色に着色された樹脂材料が用いられている。赤色フィルタの場合、赤色に着色された樹脂材料が用いられ、緑色フィルタの場合、緑色に着色された樹脂材料が用いられ、第１青色フィルタの場合、第１青色に着色された樹脂材料が用いられる。

赤色フィルタは赤色を表示するＲ画素に配置され、緑色フィルタは緑色を表示するＧ画素に配置され、第１、第２の青色フィルタは青色を表示するＢ１画素、Ｂ２画素に配置されている。異なる色の色フィルタ間の境界は、ソース配線の上方の遮光層と重なる位置にある。

オーバーコート層３３は、色フィルタ３２を覆っている。オーバーコート層３３は、遮光層３１や色フィルタ３２の凹凸を平坦化する。オーバーコート層３３は、透明な樹脂材料によって形成されている。オーバーコート層３３は下地として利用され、第２水平配向膜ＡＬ２によって覆われている。

第１水平配向膜ＡＬ１及び第２水平配向膜ＡＬ２は、水平配向性を示す材料によって形成され、ラビングなどの配向処理を必要とせずに液晶分子を基板の法線方向に配向させる配向規制力を有している。
上述したような第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、第１水平配向膜ＡＬ１及び第２水平配向膜ＡＬ２が向かい合うように配置されている。このとき、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との間には、一方の基板に形成された柱状スペーサにより、所定のセルギャップが形成される。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、セルギャップが形成された状態でシール材によって貼り合わせられている。液晶層ＬＱは、第１水平配向膜ＡＬ１と第２水平配向膜ＡＬ２との間のセルギャップに封入されている。

上記構成の液晶表示パネルに対して、その背面側には、バックライトＢＬが配置されている。バックライトＢＬとしては、種々の形態が適用可能であるが、ここでは詳細な構造についての説明は省略する。
第１絶縁基板１０の外面には、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子が配置されている。第２絶縁基板３０の外面には、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子が配置されている。第１偏光板ＰＬ１及び第２偏光板ＰＬ２は、例えば、それぞれの偏光軸が直交するクロスニコルの位置関係となるように配置される。
なお、図７では、第１基板ＳＵＢ１にスイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ１等が配置されており、色フィルタ３２の層は、第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２に配置されている。すなわち、図７では、色フィルタ３２の層がアレイ基板と対向する対向基板側に配置されている例が示されている。

しかしながら、本実施の形態の表示装置では、色フィルタの層が対向基板側に配置される構造に限定されず、アレイ基板側に配置される構造、いわゆるカラーフィルタ・オン・アレイ（ＣＯＡ）構造であってもよい。
図８に本実施の液晶表示装置をＣＯＡ構造で作製した例を示している。図８では、図７の第２絶縁膜１２と第３絶縁膜１３との間に、色フィルタ３２の層を設けた例である。

図８において、色フィルタ３２の層は、ソース配線Ｓ、ゲート配線Ｇ、スイッチング素子ＳＷ等を覆うように形成される。各画素に設けられる色フィルタ３２の層は、一部がブラックマトリクス３１上に形成される。ブラックマトリックス３１は、基本的には、ソース配線Ｓ、ゲート配線Ｇ、スイッチング素子ＳＷの部分を覆うように形成される。

各画素には、色フィルタ３２の層として、上述のように、赤色（Ｒ）フィルタ、緑色（Ｇ）フィルタと、第１青色（Ｂ１）フィルタ、第２青色（Ｂ２）フィルタが設けられる。
また、アレイ基板である第１基板ＳＵＢ１において、スイッチング素子ＳＷ、ゲート配線Ｇ、ソース配線Ｓ、ブラックマトリクス、色フィルタ層の配置に起因した凹凸は、第３絶縁膜１３によって平坦化される。このため、対向基板側にブラックマトリクスや色フィルタの層を配置した構成と比較して、対向基板側を平坦化するためのオーバーコート層が不要となり、薄型化、軽量化、低コスト化が可能となる。

図９は、一実施形態の要部を取り出して示している。実施形態の表示装置は、第１基板ＳＵＢ１が第１乃至第４画素電極を備える。第１の画素電極は、例えばＲ画素の画素電極であり、第２の画素電極はＧ画素の画素電極であり、第３の画素電極はＢ１画素の画素電極であり、第４の画素電極はＢ２画素の画素電極である。図９では、画素電極の符号としてＰＥを代表して示しているが、第１〜第４の画素電極の符号はＰＥ１−ＰＥ４と記載できる。

したがって、第２基板ＳＵＢ２に設けられる赤色（Ｒ）フィルタ、緑色（Ｇ）フィルタと、第１青色（Ｂ１）フィルタ、第２青色（Ｂ２）フィルタは、それぞれ、第１、第２、第３及び第４の画素電極（ＰＥ）と対向している。そして、第１青色（Ｂ１）フィルタは、第３画素電極と対向し波長４６０ｎｍよりも短波長側に透過率のピークを有する。第２青色（Ｂ２）フィルタは、第４画素電極と対向し波長４６０ｎｍよりも長波長側に透過率のピークを有する。例えば、第１青色（Ｂ１）フィルタは、波長４３０ｎｍに透過率のピークを有し、第２青色（Ｂ２）フィルタは、波長４７０ｎｍに透過率のピークを有する。この構成により、波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧する表示装置を実現することができた。この表示装置では、ＲＧＢフィルタが含まれる画素を複合色画素と称したが、この実施例では、２つの複合色画素（２Ｒ，２Ｇ，Ｂ１，Ｂ２）により、色バランスが得られる構成である。

図９の実施形態は、赤色（Ｒ）フィルタ、緑色（Ｇ）フィルタと、第１青色（Ｂ１）フィルタ、第２青色（Ｂ２）フィルタの面積は、同じである。しかしこの実施形態は、一例であり、図１０に示す構成であっても波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧する表示装置を実現することができた。図９では、第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２を平面的に重ねて示している。なお、下記において、画素の面積とはそれぞれ色フィルタの面積と同等である。
図１０の実施形態は、第１の列において、Ｒ画素とＧ画素とが交互に配列され、第２の列において、第１青色（Ｂ１）画素と第２青色（Ｂ２）画素とが交互に配列される構成である。また第１青色（Ｂ１）画素と第２青色（Ｂ２）画素は、行方向に見た場合も、交互に配列されている。さらに、第１青色（Ｂ１）画素と第２青色（Ｂ２）画素の面積は同じであるが、Ｒ画素とＧ画素の面積は、それぞれ第１青色（Ｂ１）画素（又は第２青色（Ｂ２）画素）の面積より小さく、例えば1/2である。ＲＧＢフィルタが含まれる画素を複合色画素と称したが、この実施例では、２つの複合色画素（２Ｒ，２Ｇ，Ｂ１，Ｂ２）により、色バランスが得られる構成である。図１０においても第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２を平面的に重ねて示している。

図１１は、更に他の実施形態を示している。この実施形態は、第１の列がＲ画素、第２の列がＧ画素である。そして、第３の列は、第１青色（Ｂ１）画素と第２青色（Ｂ２）画素が交互に配列されるが、Ｂ１画素の面積が大きく、Ｂ２画素の面積が小さく構成されていている。例えば、Ｒ画素とＧ画素の面積は同じであり、Ｂ１画素の面積はＢ２画素の面積より大きく、Ｂ１画素の面積はＲ画素及びＧ画素それぞれの面積より大きく、Ｂ２画素の面積はＲ画素及びＧ画素それぞれの面積より小さい。より具体的には、Ｂ１画素の面積は、Ｒ画素またはＧ画素の１．５倍であり、Ｂ２画素の面積は、Ｒ画素またはＧ画素の０．５倍である。Ｂ１画素とＢ２画素の面積比を制御することにより、光の透過量を制御することができる。この実施形態においてもＢ１画素とＢ２画素は、行方向に見た場合も、交互に配列されている。図１１においても第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２を平面的に重ねて示している。
図１２は、更にまた他の実施形態を示している。この実施形態は、第１の列において、Ｒ画素とＧ画素とが交互に配列され、第２の列において、第１青色（Ｂ１）画素と第２青色（Ｂ２）画素とが交互に配列される構成である。また第１青色（Ｂ１）画素と第２青色（Ｂ２）画素は、行方向に見た場合も、交互に配列されている。例えば、Ｒ画素とＧ画素の面積は同じであり、Ｂ１画素の面積はＢ２画素の面積より大きく、Ｂ１画素の面積はＲ画素及びＧ画素の合計の面積より大きく、Ｂ２画素の面積はＲ画素及びＧ画素の面積より小さい。より具体的には、Ｂ１画素の面積は、２つのＲ画素と２つのＧ画素との合計面積の２／３である。さらに、Ｂ２画素の面積は、２つのＲ画素分の面積と２つのＧ画素分の面積との合計面積の１／３である。言いかえれば、その面積に関しては、Ｂ１画素とＢ２画素との比率は２：１である。また、Ｂ１画素とＢ２画素の面積との合計面積と同じ面積が、次の列（column）の中に取得される。そして取得された面積は、４つに分割される。そしてＧ画素の２つおよびＲ画素の２つが、前記４つに割り当てられる。Ｂ１画素とＢ２画素の合計面積が３である場合、Ｂ１画素の面積はその合計面積のうちの２／３で、Ｂ２画素の面積はその合計面積のうちの１／３である。さらに、Ｒ画素およびＧ画素の各々の面積は、Ｂ２画素の面積の３／４＝０．７５に設定される。この実施例では、２つの複合色画素（４Ｒ，４Ｇ，２Ｂ１，２Ｂ２）により、色バランスが得られる構成である。図１２においても第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２を平面的に重ねて示している。

図１３は、本実施形態の表示装置において、Ｂ１画素と、Ｂ２画素と、Ｒ画素、Ｇ画素から得られる光の強度特性を示している。黒丸マークが付された曲線と黒四角マークが付された曲線が、それぞれＢ１画素とＢ２画素から出力される光の強度を示す特性である。白四角マークが付された曲線と白丸マークが付された曲線が、それぞれＲ画素とＧ画素のから出力される光の強度を示す特性である。また点線で示す曲線は、発光ダイオード（ＬＤ）から出力される光の強度を示す特性であり、参考のために示している。

この特性グラフから分かるように、本実施形態による表示装置は、波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧することができる。この実施形態は、例えば、波長４３０ｎｍの出力光にピークを持つ青色（Ｂ１）画素と、波長４７０ｎｍの出力光にピークを持つ青色（Ｂ２）画素を用いているがこの実施形態に限定されるものではない。波長４６０ｎｍよりも短波長側にピークを持つ青色画素のみを用いても本来の目的は達成できる。また、波長４６０ｎｍよりも長波長側にピークを持つ青色画素のみを用いても本来の目的は達成できる。そして、波長４６０ｎｍよりも短波長側と、波長４６０ｎｍよりも長波長側にピークを持つ２つの青色画素を用いた場合、より効果的に波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧することができる。

図１４は、Ｂ１画素とＢ２画素を用いた実施形態の表示装置が、色表現を行うエリアを説明するために示した色度図である。基本的には、Ｒ、Ｇ、Ｂ１の３原色により、各種の色が表現される。本実施形態の表示装置は、青色表現に関しては、Ｂ１画素に加えてＢ２画素を使用するために、この２つの画素間を結ぶ線の線上の色Ｂｊを基準とした青色表現となる。このためにＲ、Ｇ、Ｂ１の３原色により表現される色表現エリアよりも拡大された色表現エリアを得ることができる。そして本表示装置によれば、波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧することができる。

図１５は、更に他の実施形態を示す図である。この実施形態は、光源として、特性の異なる複数の発光ダイオードＬＤを組み合わせた場合に得られる光の強度特性の例を示す図である。この実施形態は、異なる特性の複数の発光ダイオードＬＤを組み合わせることにより、波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧することができる。この実施形態では、発光ダイオードＬＤとして、波長４３０ｎｍの出力光にピークを持つ発光ダイオードと、４７０ｎｍの出力光にピークを持つ発光ダイオードとを図１に示した光源ユニットＬＵに組み込んでいる。この光源ユニットＬＵを用いた場合、図１５に実線で示す曲線の出力光の特性が得られる。図１５には、参考として波長４３０ｎｍの出力光にピークを持つ発光ダイオードの出力光の特性（点線で示す曲線），波長４５０ｎｍの出力光にピークを持つ発光ダイオードの出力光の特性（一点鎖線で示す曲線）を示している。

実施形態では、図１に示した導光板ＬＧの入射面に対向し波長４６０ｎｍよりも短波長側に発光スペクトルのピークを有する第１白色光源と、前記入射面に対向し波長４６０ｎｍよりも長波長側に発光スペクトルのピークを有する第２白色光源とを少なくとも用いることで波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧することができる。第１白色光源及び第２白色光源は、青色発光ダイオードと黄色の蛍光体とにより実現することができる。

上記のように光源として機能する複数の発光ダイオードＬＤの特性を選定しても、波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧することができる。この場合、色フィルタとしては、従来のＲＧＢのフィルタが用いられても、目的を達成できる。しかし、先に説明したＢ１画素、Ｂ２画素を使用する実施形態と、複数の発光ダイオードＬＤの特性を選定する実施形態とを組み合わせることにより、より効果的に目的を達成する表示装置を得ることができる。

さらに光源（第１白色光源及び前記第２白色光源）としては、発光ダイオードに代えて量子ドットを用いてもよい。量子ドットは、長波長から、短波長の領域にわたって任意のピークを作成することができる。さらに、光源（第１白色光源及び前記第２白色光源）として、発光ダイオードに代えて有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）材料を用いた発光体（有機発光ダイオード（Organic light-emitting diode：OLED）ともいう）を用いてもよい。

上記の例は、光源として波長４３０ｎｍの出力光にピークを持つ発光ダイオードと、波長４７０ｎｍの出力光にピークを持つ発光ダイオードの２種類を使用したが、さらに、４６０ｎｍ付近にピークを有しない複数の発光ダイオードを組み合わせてもよい。例えば、多波長化して、波長４１０ｎｍ、４３０ｎｍ、４５０ｎｍ、４７０ｎｍの４種類を用いてもよい。波長間隔は、等間隔でなくてもよいが、波長４６０ｎｍを中心にして、短波長側、長波長側に対象にピークを持つ光源を用いることで波長４６０ｎｍ付近のエネルギー強度を効果的に抑圧することができる。さらにまた、この構成と先の実施形態で説明したＢ１画素及びＢ２画素の組合せた構成を採用してもよい。この構成であると、なお一層、波長４６０ｎｍ付近のエネルギー強度を効果的に抑圧することができる。

本発明は、上記した実施形態に限定されるものではない。図９、図１０、図１１、図１２の形態のＢ１画素とＢ２画素が使用された場合、青色信号は、従来の青色用の画素信号をそのままＢ１画素と、Ｂ２画素に同様に供給すると、希望のあるいは期待される色再現が得られない場合がある。そこで、図９乃至図１２の画素配列パターンに適した画素信号が生成されることが望ましい。

図１６は、第２駆動回路ＳＤの内部の概略的構成を示す図である。第２駆動回路ＳＤ内部には、各画素に供給するための画素データを、デジタルアナログ変換し、アナログの画素信号を増幅し、ソース配線に出力するための複数の回路が設けられている。第２駆動回路ＳＤは、入力インターフェース２１１を有する。入力インターフェース２１１には、駆動ＩＣチップＣＰからの画像データ、同期信号Syncが入力する。入力インターフェース２１１からの画像データは画像データラッチ回路２１３で、１水平ライン或いは複数水平ライン分の画像データがラッチされる。

各ソース配線Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ；図１６の例は、ソース配線Ｓ１−Ｓ４を代表として示す）に対応する画像データは、それぞれ補正回路２１４１−２１４４で補正された後、それぞれの補正後データは、デジタルアナログ変換器ＤＡ１−ＤＡ４に入力され、アナログ信号（画素信号）として生成される。補正回路２１４１−２１４４にて補正される補正値は、図９乃至図１２の画素配列パターンに適した値に設定されている。また、補正値は、奇数ラインと偶数ラインで切り替えられることができる。なお実際の回路では、ガンマ補正回路も存在するが、省略している。

デジタルアナログ変換器ＤＡ１−ＤＡ４の出力画素信号は、それぞれ、プラス極画素信号と、マイナス極画素信号として生成される。例えばデジタルアナログ変換器ＤＡ１の場合、プラス極画素信号はそのままスッチＳＬ１の一方の端子に入力されるが、マイナス極画素信号は、反転回路ＩＮ１により生成され、スイッチＳＬ１の他方の端子に入力される。デジタルアナログ変換器ＤＡ１のプラス極画素信号とマイナス極画素信号は、スイッチＳＬ１にて何れか一方が選択されて、ソース配線Ｓ１に出力される。同様にデジタルアナログ変換器ＤＡ２のプラス極画素信号とマイナス極画素信号は、スイッチＳＬ２にて何れか一方が選択されて、ソース配線Ｓ２に出力される。またデジタルアナログ変換器ＤＡ３のプラス極画素信号とマイナス極画素信号は、スイッチＳＬ３にて何れか一方が選択されて、ソース配線Ｓ３に出力される。デジタルアナログ変換器ＤＡ４のプラス極画素信号とマイナス極画素信号は、スイッチＳＬ４にて何れか一方が選択されて、ソース配線Ｓ４に出力される。上記のスイッチＳＬ１−ＳＬ４の選択モードにより、カラム極性反転が実現される。

シーケンサ（タイミング制御回路と称しても良い）２３０は、外部からの同期信号に同期する。シーケンサ２３０は、発振器２３１で生成された内部クロックに基づいて、各種のタイミング信号を生成している。
シーケンサ２３０は、入力インターフェース２１１が外部からの画像データを取り込むためのタイミング信号、画像データメモリ２１２が入力インターフェース２１１からの画像データを取り込むためのタイミング信号、及び画素データラッチ回路２１３が画像データメモリ２１２からの画像データを取り込むためのタイミング信号を生成している。

また、シーケンサ２３０は、補正回路２１４１−２１４４がそれぞれ画像データを補正するためのタイミング信号、デジタルアナログ変換器ＤＡ１−ＤＡ４が画像データをアナログデータに変換するためのクロック及びタイミング信号、スイッチＳＬ１−ＳＬ４が動作するためのタイミング信号を生成している。

さらにまた、シーケンサ２３０は、中央処理装置（ＣＰＵ）２３０ａ及びメモリ（図示せず）を含んでもよい。そして、メモリに書き込まれるソフトウエアに応じて、ＣＰＵ２３０ａに基づくタイミング処理動作やデータ処理動作が変更できるようにしてもよい。これにより、例えば、補正回路２１４１−２１４４で使用される補正値が、フィルタの種類（画素配列パターン）に応じて調整可能となる。調整手段を含む補正回路２１４１−２１４４などは、画素信号の利得制御回路或いは調整回路と称されてもよい。

パネル制御信号生成回路２３２は、シーケンサ２３０からの所定のタイミング信号に基づいて、液晶表示パネルＰＮＬの表示動作を制御するためのタイミングパルスを生成している。例えば、パネル制御信号生成回路２３２は、ゲート配線Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）を駆動するためのゲート駆動パルスを生成している。パネル制御信号生成回路２３２は、シーケンサ２３０と同期連携するために、タイミング信号をシーケンサ２３０にフィードバックする。またシーケンサ２３０は、駆動ＩＣチップＣＰに対しても、画像データを受け取る基準となるタイミングパルスを与えている。

なお上記の実施形態において、各画素信号の利得が、デジタルデータの段階で補正値により調整されるものとして説明した。しかし、各画素信号の利得は、アナログ信号の段階で調整されてもよい。
上記したように、画素データラッチ回路２１３から出力される画像データを補正回路により補正することで、図９乃至図１２の画素配列パターンに適した値の画素信号を生成することができる。図９の画素配列パターンの場合、例えばＲ画素と、Ｇ画素に与える画素信号の利得は、それぞれ例えば“１”であるものとする。このとき、Ｂ１画素とＢ２画素に与える画素信号の利得も“１”であっても良いが、Ｂ１画素とＢ２画素に与える画素信号の利得が調整されてもよい。例えば、Ｂ２画素に与える画素信号の利得より、Ｂ１画素に与える画素信号の利得を小さくし、Ｂ２画素に与える画素信号の利得とＢ１画素に与える画素信号の利得を合わせて２となるように制御することができる。
そしてＢ１画素とＢ２画素に与える画素信号の利得は、必要に応じて補正値が可変されることにより、調整されてもよい。この調整は、例えば駆動ＩＣチップＣＰの製造工程、テスト工程などで実施される。

図１０の画素配列パターンの場合、Ｒ画素と、Ｇ画素に与える画素信号の利得は、それぞれ例えば“２”とする。そして、Ｂ１画素と、Ｂ２画素に与える画素信号の利得は、それぞれ例えば“１”とする。これにより、複合色画素の単位のエリアにおいて、ＲＧＢのバランスを観察することができる。この場合も、Ｂ１画素とＢ２画素に与える画素信号の利得は、必要に応じて補正値が可変されることにより、調整されてもよい。この調整は、例えば駆動ＩＣチップＣＰの製造工程、テスト工程などで実施される。

また、図１１の画素配列パターンの場合、例えばＲ画素と、Ｇ画素に与える画素信号の利得は、例えば“１”とされる。そして、このとき、Ｂ２画素に与える画素信号の利得が２／４、Ｂ１画素に与える画素信号に与える画素信号の利得が６／４とされる。これにより、複合色画素の単位のエリア内では、赤色画素、緑色画素、青色画素の各画素信号の利得が２となるように制御することができる。

さらにまた図１２の画素配列パターンの場合、例えばＲ画素と、Ｂ画素に与える画素信号の利得は、例えば“１”とされる。このとき、Ｂ２画素に与える画素信号の利得が２／４、Ｂ１画素に与える画素信号に与える画素信号の利得が６／４とされる。これにより、複合色画素の単位のエリア内では、赤色画素、緑色画素、青色画素の各画素信号の利得が２となるように制御することができる。

上記の各実施形態の場合も、Ｂ１画素とＢ２画素に与える画素信号の利得は、必要に応じて補正値が可変されることにより、調整されてもよい。この調整は、例えば駆動ＩＣチップＣＰの製造工程、テスト工程などで実施される。Ｂ１画素とＢ２画素に与える画素信号の利得の配分は、フィルタの光透過率により調整されてもよい。したがって、実施形態の表示装置によれば、少なくともＢ１画素とＢ２画素に供給する画素信号の利得の配分を調整できる調整回路を備える。
図１７は、更に他の実施形態であり、液晶表示装置ＬＣＤの代わりに有機ＥＬ素子が用いられた表示装置を用いた場合の表示装置の断面構造を概略的に示す図である。なお、有機ＥＬ素子は自発光であるので、図１７に示す表示装置は、有機ＥＬ素子とは別の光源は設けない。

第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２が対向している。第１基板ＳＵＢ１は、第２基板ＳＵＢ２側に、第１絶縁基板１１０、第２絶縁膜１１２、第３絶縁膜１１３、リブ１１５などを備えている。
第１基板ＳＵＢ１は、第１絶縁基板１１０の第２基板ＳＵＢ２と対向する側に、スイッチング素子ＳＷ１、ＳＷ２、ＳＷ３・・・、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１、ＯＬＥＤ２、ＯＬＥＤ３・・・などを備えている。図１６では、３つのスイッチング素子ＳＷ１−ＳＷ３、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３を代表して示している。スイッチング素子ＳＷ１−ＳＷ３は、第１絶縁基板１１０の上に配置されている。スイッチング素子ＳＷ１−ＳＷ３は、例えば、それぞれ半導体層ＳＣを備えた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）である。スイッチング素子ＳＷ１−ＳＷ３は、いずれも同一構造であるが、ここでは、スイッチング素子ＳＷ１に着目してその構造をより具体的に説明する。

スイッチング素子ＳＷ１は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であっても良い。半導体層ＳＣは、第１絶縁基板１１０の上に形成され、第１絶縁膜１１１によって覆われている。第１絶縁膜１１１は、第１絶縁基板１１０の上にも配置されている。第１絶縁膜１１１の上には、スイッチング素子ＳＷ１のゲート電極ＷＧが形成されている。ゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１１２によって覆われている。第２絶縁膜１１２は、第１絶縁膜１１１の上にも配置されている。第２絶縁膜１１２の上には、スイッチング素子ＳＷ１のソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤが形成されている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、それぞれ半導体層ＳＣにコンタクトしている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１１３によって覆われている。第３絶縁膜１１３は、第２絶縁膜１１２の上にも配置されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３は、第３絶縁膜１１３の上に配置されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１はスイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３は、いずれも第２基板ＳＵＢに向かって白色光を放射するトップエミッションタイプとして構成されている。このような有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３は、いずれも同一構造である。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、第３絶縁膜１１３の上に形成された画素電極ＰＥ１を備えている。画素電極ＰＥ１は、スイッチング素子ＳＷ１のドレイン電極ＷＤとコンタクトし、スイッチング素子ＳＷ１と電気的に接続されている。同様に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２はスイッチング素子ＳＷ２と電気的に接続された画素電極ＰＥ２を備え、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３はスイッチング素子ＳＷ３と電気的に接続された画素電極ＰＥ３を備えている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３は、さらに、有機発光層ＯＲＧ及び共通電極ＣＥを備えている。有機発光層ＯＲＧは、白色に発光する白色発光層であり、画素電極ＰＥ１−ＰＥ３の上にそれぞれ位置している。この有機発光層ＯＲＧは、例えば有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。共通電極ＣＥは、有機発光層ＯＲＧの上に位置している。この共通電極ＣＥは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３に亘って途切れることなく連続的に形成されている。

つまり、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１は、画素電極ＰＥ１、有機発光層ＯＲＧ、及び、共通電極ＣＥによって構成されている。同様に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２は、画素電極ＰＥ２、有機発光層ＯＲＧ、及び、共通電極ＣＥによって構成され、また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３は、画素電極ＰＥ３、有機発光層ＯＲＧ、及び、共通電極ＣＥによって構成されている。

なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３において、画素電極ＰＥ１乃至ＰＥ３の各々と有機発光層ＯＲＧとの間には、さらに、ホール注入層やホール輸送層が介在していても良いし、また、有機発光層ＯＲＧと共通電極ＣＥとの間には、さらに、電子注入層や電子輸送層が介在していても良い。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３は、それぞれリブ１１５によって区画されている。リブ１１５は、第３絶縁膜１１３の上に形成され、画素電極ＰＥ１−ＰＥ３のそれぞれのエッジをカバーしている。なお、リブ１１５については、詳述しないが、例えば、第３絶縁膜１１３の上において格子状またはストライプ状に形成されている。

なお、図示しないが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３は、透明な封止膜によって封止されていることが望ましい。封止膜としては、透明な無機系材料（例えば、シリコン窒化物やシリコン酸化物など）の単層膜あるいは積層体が適用可能であり、無機系材料の薄膜と有機系材料の薄膜とを交互に積層した積層体も適用可能である。

第２基板ＳＵＢ２は、第２絶縁基板１２０の第１基板ＳＵＢ１と対向する側に、色フィルタＣＦ１−ＣＦ３などを備えている。色フィルタＣＦ１は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１と対向し、白色のうちの赤色波長の光を透過する赤色（Ｒ）フィルタである。色フィルタＣＦ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２と対向し、白色のうちの緑色波長の光を透過する緑色（Ｇ）フィルタである。色フィルタＣＦ３は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３と対向し、白色のうちの青色波長の光を透過する青色（Ｂ１又はＢ２）フィルタである。

このような第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とは、透明な接着剤（あるいは充填材など）１３０によって接着されている。
この表示装置においては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１−ＯＬＥＤ３のそれぞれが発光した際、それぞれの放射光（白色光）は、色フィルタＣＦ１、色フィルタＣＦ２、色フィルタＣＦ３を介してそれぞれ外部に出射される。このとき、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１から放射された白色光のうち、赤色波長の光が色フィルタＣＦ１を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ２から放射された白色光のうち、緑色波長の光が色フィルタＣＦ２を透過する。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ３から放射された白色光のうち、青色波長の光が色フィルタＣＦ３を透過する。これにより、カラー表示が実現される。

上記した表示装置においても画素の配列を図９乃至図１２の画素配列パターンとすることができる。この表示装置においても波長４６０ｎｍ付近にピークをもつ光の出力を抑圧する表示装置を実現することができた。
開示する発明の一態様は、以下の通りである。
（１）第１基板が、第１、第２、第３そして第４画素電極を備え、
色フィルタの層が、前記第１画素電極と対向する赤色フィルタ、前記第２画素電極と対向する緑色フィルタ、前記第３画素電極と対向し波長４６０ｎｍよりも短波長側に透過率のピークを有する第１青色フィルタ、そして前記第４画素電極と対向し波長４６０ｎｍよりも長波長側に透過率のピークを有する第２青色フィルタ、を備える表示装置、に関する。
（２）前記色フィルタの層は、前記第１の基板に対向した第２の基板に形成されている、（１）に記載の表示装置。
（３）前記色フィルタの層は、前記第１の基板に形成されている、（１）に記載の表示装置。
（４）前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第１基板の背面側に配置されたバックライトユニットとを備え、前記バックライトユニットは、前記第１基板と対向する出射面及び前記出射面と交差する入射面を有する導光板と、前記入射面に対向し波長４６０ｎｍよりも短波長側に発光スペクトルのピークを有する第１白色光源と、前記入射面に対向し波長４６０ｎｍよりも長波長側に発光スペクトルのピークを有する第２白色光源とを備える、（１）に記載の表示装置である。
（５）前記第１白色光源及び前記第２白色光源は、青色発光ダイオードと、黄色の蛍光体とを備えた、（４）に記載の表示装置である。
（６）前記第１白色光源及び前記第２白色光源は、量子ドットである、（４）に記載の表示装置である。
（７）前記第１基板は、前記第１乃至第４画素電極上に位置する白色発光層と、前記白色発光層上に位置する共通電極と、を備えた、（１）に記載の表示装置である。
（８）前記赤色フィルタが第1方向の第1列、前記緑色フィルタが前記第1方向の第２列、及び、前記第１青色フィルタと第２の青色フィルタが前記第1方向の第３列に並び、さらに前記第１青色フィルタ及び前記第２青色フィルタは、前記第１方向に交差する第２方向に並んだ、（１）に記載の表示装置である。
（９）前記赤色フィルタ及び前記緑色フィルタは、前記第１方向であって第1列に交互に並び、且つ、前記第１青色フィルタと前記第２青色フィルタは、前記第１の方向であって第２列に並んだ、（１）に記載の表示装置である。
（１０）第１方向に配列され、複数の前記赤フィルタを有する第１列と、前記第１方向に配列され、複数の前記緑フィルタを有し、前記第１列の次列に配列された第２列と、前記第１方向に配列され、複数の前記第１青フィルタ及び前記第２青フィルタを有し、前記第２列の次列に配列された第３列と、を有し、前記第１青フィルタ及び前記第２青フィルタは、前記第１方向と交差する第２方向に並ぶ、（１）に記載の表示装置である。
（１１）第１方向に配列され、複数の前記赤フィルタ及び複数の前記緑フィルタを有する第１列と、前記第１方向に配列され、複数の前記第１青フィルタ及び前記第２青フィルタを有し、前記第１列の次列に配列された第２列と、を有し、前記第１青フィルタ及び前記第２青フィルタは、前記第１方向と交差する第２方向に並ぶ、（１）に記載の表示装置である。
（１２）前記第１青色フィルタは、前記第２青色フィルタよりも大きな面積を有する、（１）に記載の表示装置である。
（１３）前記第１画素電極を含む赤色画素、前記第２画素電極を含む緑色画素、前記第３画素電極を含む第１青色画素、及び前記第４画素電極を含む第２青色画素と、前記赤色画素、緑色画素、第１青色画素、及び第２青色画素にそれぞれ画素信号を供給する駆動回路を備え、前記駆動回路は、少なくとも前記第１青色画素と第２青色画素に供給する画素信号の利得を調整する回路を備える、（１）に記載の表示装置である。

ＬＣＤ・・・液晶表示装置、ＰＮＬ・・・液晶表示パネル、ＴＰ・・・両面テープ、ＯＳ・・・光学シート、ＦＲ・・・フレーム、ＬＧ・・・導光板、ＬＵ・・・光源ユニット、ＲＳ・・・反射シート、ＢＺ・・・ベゼル、ＬＧ・・・光源ユニット、ＬＤ・・・発光ダイオード、ＳＵＢ１・・・第１基板、ＳＵＢ２・・・第２基板、ＤＡ・・・表示エリア、ＣＰ・・・駆動ＩＣチップ、ＬＱ・・・液晶層、Ｇ（Ｇ１〜Ｇｎ）・・・ゲート配線、Ｓ（Ｓ１〜Ｓｍ）・・・ソース配線、ＣＥ１・・・共通電極、ＰＥ・・・画素電極、ＧＤ・・・第１駆動回路、ＳＤ・・・第２駆動回路、ＰＸ・・・画素、Ｒ・・・赤色、Ｇ・・・緑色、Ｂ１・・・第１青色、Ｂ２・・・第２青色、Ｃ１１・・・第１の列、Ｃ１２・・・第２の列、Ｃ１３ａ、Ｃ１３ｂ・・・第３の列、ＣＯＬ１、ＣＯＬ２、ＣＯＬ３・・複合単位画素の列。

Claims (13)

1. 第１基板が、第１、第２、第３そして第４画素電極を備え、
   色フィルタの層が、前記第１画素電極と対向する赤色フィルタ、前記第２画素電極と対向する緑色フィルタ、前記第３画素電極と対向し波長４６０ｎｍよりも短波長側に透過率のピークを有する第１青色フィルタ、そして前記第４画素電極と対向し波長４６０ｎｍよりも長波長側に透過率のピークを有する第２青色フィルタ、を備える表示装置。
2. 前記色フィルタの層は、前記第１の基板に対向した第２の基板に形成されている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記色フィルタの層は、前記第１の基板に形成されている、請求項１に記載の表示装置。
4. 前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
   前記第１基板の背面側に配置されたバックライトユニットと, を備え、
   前記バックライトユニットは、
   前記第１基板と対向する出射面及び前記出射面と交差する入射面を有する導光板と、
   前記入射面に対向し波長４６０ｎｍよりも短波長側に発光スペクトルのピークを有する第１白色光源と、
   前記入射面に対向し波長４６０ｎｍよりも長波長側に発光スペクトルのピークを有する第２白色光源と、を備える請求項１に記載の表示装置。
5. 前記第１白色光源及び前記第２白色光源は、青色発光ダイオードと、黄色の蛍光体とを備える請求項４に記載の表示装置。
6. 前記第１白色光源及び前記第２白色光源は、量子ドットである、請求項４に記載の表示装置。
7. 前記第１基板は、前記第１乃至第４画素電極上に位置する白色発光層と、前記白色発光層上に位置する共通電極と、を備える請求項１に記載の表示装置。
8. 前記赤色フィルタが第1方向の第1列、前記緑色フィルタが前記第1方向の第２列、及び、前記第１青色フィルタと第２の青色フィルタが前記第1方向の第３列に並び、
   さらに前記第１青色フィルタ及び前記第２青色フィルタは、前記第１方向に交差する第２方向に並んでいる、請求項１に記載の表示装置。
9. 前記赤色フィルタ及び前記緑色フィルタは、第１の方向であって第1列に交互に並び、且つ、前記第１青色フィルタと前記第２青色フィルタは、前記第１の方向であって第２列に並んでいる、請求項１に記載の表示装置。
10. 第１方向に配列され、複数の前記赤色フィルタを有する第１列と、
    前記第１方向に配列され、複数の前記緑色フィルタを有し、前記第１列の次列に配列された第２列と、
    前記第１方向に配列され、複数の前記第１青色フィルタ及び前記第２青フィルタを有し、前記第２列の次列に配列された第３列と、
    を有し、
    前記第１青色フィルタ及び前記第２青色フィルタは、前記第１方向と交差する第２方向に並んでいる、請求項１に記載の表示装置。
11. 第１方向に配列され、複数の前記赤色フィルタ及び複数の前記緑色フィルタを有する第１列と、
    前記第１方向に配列され、複数の前記第１青色フィルタ及び前記第２青色フィルタを有し、前記第１列の次列に配列された第２列と、
    を有し、
    前記第１青色フィルタ及び前記第２青色フィルタは、前記第１方向と交差する第２方向に並んでいる、請求項１に記載の表示装置。
12. 前記第１青色フィルタは、前記第２青色フィルタよりも大きな面積を有する、請求項１に記載の表示装置。
13. 前記第１画素電極を含む赤色画素、前記第２画素電極を含む緑色画素、前記第３画素電極を含む第１青色画素、及び前記第４画素電極を含む第２青色画素と、
    前記赤色画素、緑色画素、第１青色画素、及び第２青色画素にそれぞれ画素信号を供給する駆動回路を備え、
    前記駆動回路は、少なくとも前記第１青色画素と第２青色画素に供給する画素信号の利得を調整する回路を備える、請求項１に記載の表示装置。

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