JP2016062955A

JP2016062955A - 電子回路基板用フィルムおよび電子回路基板

Info

Publication number: JP2016062955A
Application number: JP2014187635A
Authority: JP
Inventors: 素直福武; Sunao Fukutake; 佐々木　純; Jun Sasaki; 純佐々木
Original assignee: PRIMATEC Inc; Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: PRIMATEC Inc; Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2014-09-16
Filing date: 2014-09-16
Publication date: 2016-04-25
Anticipated expiration: 2034-09-16
Also published as: JP6405818B2

Abstract

【課題】本発明は、ＬＤＳ法などにより微細な電子回路を形成可能なものであり、且つ誘電特性に極めて優れた電子回路基板用フィルムと、当該電子回路基板用フィルムに電子回路を形成したものである電子回路基板を提供することを主たる目的とする。
【解決手段】本発明に係る電子回路基板用フィルムは、液晶ポリマーから成形される基材フィルム中に光活性金属酸化物結晶が分散している構成を有し、全体に対する上記光活性金属酸化物結晶の割合が５質量％以上、２０質量％以下であり、上記基材フィルムの平面方向の線膨張係数が３ｐｐｍ／℃以上、３０ｐｐｍ／℃以下であり、且つ、平面方向の一方向での線膨張係数と当該方向に直交する方向の線膨張係数との比が０．４以上、２．５以下であることを特徴とする。
【選択図】なし

Description

本発明は、レーザー照射部分に選択的に金属をめっきする方法により微細な電子回路を形成可能なものであり、且つ誘電特性に極めて優れた電子回路基板用フィルムと、当該電子回路基板用フィルムに電子回路を形成したものである電子回路基板に関するものである。

従来、電子回路基板を作製するには、一般的に、材料基板に銅箔などの金属箔を熱融着したり接着剤を用いて貼り付けたり、また、スパッタや蒸着、無電解めっき法などで材料基板上に金属層を形成した後に、回路パターン以外の部分を化学エッチングにより除去して電子回路を形成していた。

しかし、上記の方法では高精細回路パターンを形成することが難しく、また、コスト面での問題もあった。さらに、材料基板に電子回路を形成した後に曲げ加工や絞り加工して立体基板とする場合には、金属層が切断されてしまうことがあった。

そこで、ＬＤＳ法（ＬａｓｅｒＤｉｒｅｃｔＳｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ法）など、基板中にレーザー照射で活性化される金属酸化物結晶を分散させ、当該基板の回路形成部分にレーザーを照射することにより選択的にめっき性を付与した後、レーザー照射部分に金属をめっきする方法が開発されている（特許文献１〜５）。

また、特許文献６には、触媒顆粒を含み且つ犠牲層を含む複合材料誘電層を基板上に積層し、触媒顆粒を選択的に活性化して導線層を形成した後に犠牲層を除去することにより回路基板を作製する方法が開示されている。

特表２０００−５０３８１７号公報特表２０００−５０２４０７号公報特表２００４−５３４４０８号公報特開２００６−３４８２９８号公報特表２００９−５２２７８６号公報特開２０１０−２５１６８５号公報

上述したように、ＬＤＳ法など、レーザーを用いて高精細パターンを低コストで形成できる方法が開発されている。

しかし、ＬＤＳ法などに適用される従来の電子回路基板用フィルムは、電子回路を形成すべき基板に光活性金属酸化物結晶を分散させる必要があり、また、基材フィルムの配向を緩和する目的で無機物フィラーを比較的多量に配合する必要があるため、電子回路基板全体の誘電特性が低下してしまい、高周波回路に適用することができないという問題がある。

そこで本発明は、ＬＤＳ法などにより微細な電子回路を形成可能なものであり、且つ誘電特性に極めて優れた電子回路基板用フィルムと、当該電子回路基板用フィルムに電子回路を形成したものである電子回路基板を提供することを主たる目的とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた。その結果、液晶ポリマーからなる基材フィルム中にＬＤＳ法などのための光活性金属酸化物結晶を所定量分散させ、且つ平面方向において特定の線膨張係数と配向性を示す液晶ポリマー基材フィルムを用いることにより、ＬＤＳ法などにより電子回路を形成できるのみならず、高性能アンテナなどへの使用に耐え得るレベルまで誘電特性に優れた電子回路基板用フィルムが得られることを見出して、本発明を完成した。

以下、本発明を示す。

［１］液晶ポリマーから成形される基材フィルム中に光活性金属酸化物結晶が分散している構成を有し、
全体に対する上記光活性金属酸化物結晶の割合が５質量％以上、２０質量％以下であり、
上記基材フィルムの平面方向の線膨張係数が３ｐｐｍ／℃以上、３０ｐｐｍ／℃以下であり、且つ、平面方向の一方向での線膨張係数と当該方向に直交する方向の線膨張係数との比が０．４以上、２．５以下であることを特徴とする電子回路基板用フィルム。

［２］上記基材フィルム中に光活性金属酸化物結晶に加えて光非活性無機物が分散している構成を有し、全体に対する上記光活性金属酸化物結晶と上記光非活性無機物との合計の割合が２５質量％以下である上記［１］に記載の電子回路基板用フィルム。光非活性無機物により、例えば、液晶ポリマーを溶融加工する際に生じる分子配向の異方性など、必須成分である液晶ポリマーや光活性金属酸化物結晶に由来する欠点を克服することができ、また、光活性金属酸化物結晶と光非活性無機物の量を所定量とすることにより、液晶ポリマー由来の優れた誘電特性も維持することが可能になる。

［３］比誘電率が３．７以下で且つ誘電正接が０．００７以下である上記［１］または［２］に記載の電子回路基板用フィルム。

［４］厚さが１０μｍ以上、１０００μｍ以下である上記［１］〜［３］のいずれかに記載の電子回路基板用フィルム。当該厚さが１０μｍ以上であれば、基板としての強度を十分に確保することができ、また、多層板にした場合などにおける層間絶縁性も確保することができる。一方、厚過ぎると電子回路基板全体が重くなってしまったり、絞り加工などし難くなるおそれがあり得るので、１０００μｍ以下が好ましい。

［５］上記液晶ポリマーがＩ型液晶ポリマーまたはＩＩ型液晶ポリマーである上記［１］〜［４］のいずれかに記載の電子回路基板用フィルム。Ｉ型液晶ポリマーまたはＩＩ型液晶ポリマーは、耐熱性や耐加水分解性により一層優れる。

［６］吸水率が０．２％以下である上記［１］〜［５］のいずれかに記載の電子回路基板用フィルム。吸水率を当該範囲に調整することで、吸湿に起因する誘電特性の変動や、配線間のショート現象（イオンマイグレーション）、はんだ実装時の基板膨れ不良などを発生し難くすることができる。

［７］上記［１］〜［６］のいずれかに記載の電子回路基板用フィルムの片面に回路が形成されたものであることを特徴とする電子回路基板。

［８］上記［１］〜［６］のいずれかに記載の電子回路基板用フィルムの両面に回路が形成されたものであることを特徴とする電子回路基板。

［９］上記［７］または［８］に記載の電子回路基板が２以上積層されたものであることを特徴とする多層電子回路基板。

本発明に係る電子回路基板用フィルムには、ＬＤＳ法などにより電子回路を形成可能であるため、電子回路形成のために銅箔などを積層する必要がない。また、平面方向において特定の線膨張係数と配向性を示す液晶ポリマー基材フィルムを用いることから、配向緩和を目的とする無機物フィラーの使用量を抑制できるため、本発明に係る電子回路基板用フィルムの誘電特性は非常に優れている。よって、本発明に係る電子回路基板用フィルムから製造される電子回路基板は、１ＧＨｚ以上といった高周波でも伝送損失が抑制されており、高周波製品に用いるアンテナ基板や伝送路基板として非常に有用である。

また、本発明の電子回路基板用フィルムは、絞り加工などした後にＬＤＳ法などを適用することにより、三次元の立体電子回路基板とすることもできる。さらに、本発明の電子回路基板用フィルムは、複数枚重ね合わせて熱プレスで液晶ポリマーを熱融着させ一体化させることができるので、一括多層工法による電子回路基板の材料としても好適なものである。

本発明に係る電子回路基板用フィルムは、液晶ポリマーからなる基材フィルム中に光活性金属酸化物結晶が分散している構成を有する。

液晶ポリマーには、溶融状態で液晶性を示すサーモトロピック液晶ポリマーと、溶液状態で液晶性を示すレオトロピック液晶ポリマーとがある。本発明では何れの液晶ポリマーも用い得るが、耐熱性や難燃性がより優れることから、サーモトロピック液晶ポリマーを好適に用いる。

サーモトロピック液晶ポリマーのうちサーモトロピック液晶ポリエステル（以下、単に「液晶ポリエステル」という）とは、例えば、芳香族ヒドロキシカルボン酸を必須のモノマーとし、芳香族ジカルボン酸や芳香族ジオールなどのモノマーと反応させることにより得られる芳香族ポリエステルであって、溶融時に液晶性を示すものである。その代表的なものとしては、パラヒドロキシ安息香酸（ＰＨＢ）と、フタル酸と、４，４’−ビフェノールから合成されるＩ型［下式（１）］、ＰＨＢと２，６−ヒドロキシナフトエ酸から合成されるＩＩ型［下式（２）］、ＰＨＢと、テレフタル酸と、エチレングリコールから合成されるＩＩＩ型［下式（３）］が挙げられる。

本発明においては、耐熱性や耐加水分解性により優れることから、上記のうちＩ型液晶ポリエステルとＩＩ型液晶ポリエステルが好ましい。

上記式（１）において、フタル酸としてはイソフタル酸が好ましい。

基材フィルムの厚さは適宜調整すればよいが、１０μｍ以上、１０００μｍ以下が好ましい。当該厚さが１０μｍ以上であれば、基板としての強度を十分に確保することができ、また、多層板にした場合などにおける層間絶縁性も確保することができる。一方、厚さの上限は特に制限されないが、厚過ぎると電子回路基板全体が重くなってしまったり、絞り加工などし難くなるおそれがあり得るので、１０００μｍ以下が好ましい。当該厚さとしては２０μｍ以上がより好ましく、また、５００μｍ以下がより好ましく、３００μｍ以下がさらに好ましい。

液晶ポリマーフィルムの誘電特性は一般的に優れているといえる。しかし本発明では、電子回路基板用フィルムまたは電子回路基板の全体での誘電特性の改善を課題の一つとしているため、特に誘電特性に優れた液晶ポリマーフィルムを基材として用いることが好ましい。具体的には、液晶ポリマー基材フィルムの比誘電率としては３．４以下が好ましく、誘電正接としては０．００３以下が好ましい。

本発明に係る電子回路基板用フィルムでは、ＬＤＳ法などによる電子回路の形成を可能にするために、液晶ポリマー基材フィルム中に光活性金属酸化物結晶が分散している構成を有する。

光活性金属酸化物結晶は、レーザー照射により二価金属原子と酸素原子との間の結合が切断されて活性化し、当該二価金属原子にめっき金属が付着できるようになるものであり、例えば、以下の化学式で表され且つスピネル型結晶構造を有するものを挙げることができる。
ＡＢ₂Ｏ₄またはＢＡＢＯ₄
［式中、Ａは、カドミウム、亜鉛、銅、コバルト、マグネシウム、スズ、チタン、鉄、アルミニウム、ニッケル、マンガンおよびクロムからなる群から選択される二価金属を示し；Ｂは、カドミウム、マンガン、ニッケル、亜鉛、銅、コバルト、マグネシウム、スズ、チタン、鉄、アルミニウムおよびクロムからなる群から選択される三価金属を示す］

光活性金属酸化物結晶の平均粒子径は適宜調整すればよいが、樹脂フィルム中への分散のし易さや調製のし易さなどの観点から、５０ｎｍ以上、１０μｍ以下が好ましい。

本発明に係る電子回路基板用フィルムにおいては、全体に対する光活性金属酸化物結晶の割合を５質量％以上、２０質量％以下とする。上記割合を５質量％以上とすることにより、ＬＤＳ法などによる電子回路の形成をより容易かつ確実に行えるようにする。一方、光活性金属酸化物結晶は誘電特性を貶めるので、上記割合を２０質量％以下にすることにより、フィルム全体の誘電特性を優れたものにすることができる。

本発明に係る電子回路基板用フィルムでは、フィルム加工性の向上、絶縁性の向上、レーザー吸収性の向上などの目的で、液晶ポリマー基材フィルム中に光活性を示さない無機物を分散させてもよい。かかる無機物としては、例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、酸化チタンなどからなる無機物フィラーを挙げることができる。当該無機物フィラーの形状は特に制限されず、例えば、球状、板状、棒状、針状、不定形状などを挙げることができ、また、当該無機フィラーの大きさとしては５０ｎｍ以上、１０μｍ以下が好ましい。なお、当該無機フィラーの大きさは、その拡大写真における各無機フィラーの最長部を測定してもよいし、また、粒度分布測定から求めた体積平均粒子径や個数平均粒子径としてもよい。

本発明に係る電子回路基板用フィルムにおいては、全体に対する光活性金属酸化物結晶と光非活性無機物との合計の割合が２５質量％以下とする。当該割合を２５質量％以下とすることにより、フィルム全体の誘電特性を優れたものにすることができる。また、本発明では液晶ポリマー基材フィルムの平面方向における線膨張係数と配向性を規定しているので、光非活性無機物の配合量を上記範囲に抑制しても、電子回路基板用途における本発明フィルムの特性は十分である。一方、上記割合の下限は特に制限されず、また、光非活性無機物が必要でなければ光活性金属酸化物結晶のみを使用してもよい。

液晶ポリマー基材フィルムへの光活性金属酸化物結晶や光非活性無機物の分散方法は特に限定されず、常法を用いることができる。例えば、熱可塑性樹脂である液晶ポリマーを融点以上に加熱して溶融させた後、光活性金属酸化物結晶や光非活性無機物を加えて十分に混練すればよい。分散のための装置としては、例えばニーダーなどを用いることができる。得られた混合物は、ペレット化してフィルムの原料として用いてもよい。

本発明に係る電子回路基板用フィルムは、上記混合物を用い、常法により製造することができる。例えば、上記混合物をフィルム状に溶融押出成形したりインフレーション成形すればよい。但し、液晶ポリマー分子は剛直な高分子であるため、成形方向に配向してしまい、平面方向で異方性を示す傾向があるので、二軸延伸によりかかる異方性を解消することが好ましい。

本発明に係る電子回路基板用フィルムの平面方向の線膨張係数としては３ｐｐｍ／℃以上、３０ｐｐｍ／℃以下とし、また、平面方向の一方向での線膨張係数と、当該方向に直交する方向の線膨張係数との比が０．４以上、２．５以下とする。線膨張係数や上記比が上記範囲を外れる場合は、平面方向で熱応力、機械的強度、誘電率が異なっていたり、また、めっきにより電子回路を形成した場合などにおいて反りが発生し得るなど、電子回路基板の材料として使い難くなるおそれがあり得、また、これら欠点を補うためにフィルム全体の誘電特性が犠牲になるほどの量の光非活性無機物を配合する必要が生じる。なお、平面方向の線膨張係数を測定する方向は特に制限されないが、液晶ポリマーフィルムを溶融押出した後に押出方向（ＭＤ方向）と直交する方向（ＴＤ方向）に延伸して異方性を低減した場合には、通常、ＭＤ方向の線膨張係数が平面方向で最も小さくなる。しかし延伸倍率を高めた場合には、ＴＤ方向の線膨張係数が最小になり、ＭＤ方向が最大になることもあり得る。このように、液晶ポリマーフィルムの平面方向ではＭＤ方向またはＴＤ方向で線膨張係数が最大または最小となるので、線膨張係数はＭＤ方向とＴＤ方向で測定することが好ましい。また、線膨張係数や上記比は、延伸操作により調整可能である。

本発明に係る電子回路基板用フィルムは、誘電特性に優れる液晶ポリマーからなるフィルムを基材フィルムとしている上に、ＬＤＳ法などでめっき性を発現させるために必要ではあるが誘電特性を貶める光活性金属酸化物結晶や、配向緩和などのための光非活性無機物の配合量を抑制していることから、全体として誘電特性に優れている。液晶ポリマーは溶融成形する際に樹脂の流れ方向に強い配向を示すため、従来は液晶ポリマー中に、例えば３０〜５０質量％程度といった多量の光非活性無機物を配合しておく必要があり、特にこの光非活性無機物が基材フィルム全体の誘電特性を悪化させていた。本発明では二軸延伸することで液晶ポリマーフィルムの平面内の配向を均一化しているため、光非活性無機物を充填しないか或いは少量の充填に留めることができ、基材フィルム全体の誘電特性の低下を抑えることを可能にしている。

具体的には、本発明に係る電子回路基板用フィルムの比誘電率としては３．７以下が好ましく、誘電正接としては０．００７以下が好ましい。

また、本発明に係る電子回路基板用フィルムの吸水率としては０．２％以下が好ましい。吸水率を低く調整することで、吸湿に起因する誘電特性の変動や、配線間のショート現象（イオンマイグレーション）、はんだ実装時の基板膨れ不良などを発生し難くすることができる。なお、かかる吸水率の測定方法はＪＩＳＣ６４７１に示されている。

本発明に係る電子回路基板用フィルムには光活性金属酸化物結晶が分散しているので、その片面または両面にＬＤＳ法などにより電子回路を形成することが可能である。具体的には、形成すべき電子回路の回路パターンに沿ってレーザーを照射すると、液晶ポリマーが削れて光活性金属酸化物結晶が露出すると共に、レーザーのエネルギーにより光活性金属酸化物結晶が活性化され、二価金属原子またはそのイオンが露出する。その二価金属原子または二価イオンとめっき金属との親和性により、レーザー照射部位に選択的に導電性金属をめっきすることが可能になる。

ＬＤＳ法などで用いるレーザーとしては、波長が数百ｎｍの通常のイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）レーザーを用いることができる。但し、フィルムをあまり掘削したくない場合には、波長１０６４ｎｍのレーザーを用いてもよい。

レーザー照射により活性化された部分をめっきする金属めっきの材料は、電気伝導性に優れ、比較的安価な金属材料である銅が好ましい。銅めっき回路パターンは、無電解銅めっき、電解銅めっきにより形成できる。めっき浴は一般に硫酸銅水溶液を用いる。

本発明に係る電子回路基板用フィルムへの回路形成は、片面または両面に施すことができる。片面に回路形成した電子回路基板用フィルムは、一枚の基材において一方の面が電気伝導層（回路）、他方の面が液晶ポリマー基材フィルムからなる電気絶縁層となっている。よって、片面に回路形成した電子回路基板用フィルムを複数枚、同方向に重ねた多層基板を作製する際に、電気伝導層と電気絶縁層を交互に設けることができるため、多層基板用の基材として好都合である。また、両面に回路形成した電子回路基板用フィルムは、一枚の基材で２層の回路層を有していることから、一枚の基材のみで形成する両面回路形成基板や、多層基板の中央部に一層使用することで多層基材に使用する基材の枚数を減らすことができ、多層基板の薄型化に好都合である。

上記のようにして本発明に係る電子回路基板用フィルムに電子回路を形成した電子回路基板は、その２以上を積層することにより多層電子回路基板としてもよい。例えば、本発明に係る電子回路基板の縦方向（Ｚ方向）に層間を結合するための貫通孔を開け、当該貫通孔に導電ペーストを充填した後、２以上の電子回路基板を一括積層プレスする一括多層工法により多層電子回路基板を製造することができる。

本発明に係る電子回路基板用フィルムのマトリックス樹脂は、熱可塑性樹脂の液晶ポリマーである。よって、特に片面に電子回路が形成された本発明フィルムは、その複数枚を液晶ポリマー基材フィルムと電子回路層が交互になるように積層し、液晶ポリマーを熱融着することで一度の熱プレスで多層化することが可能である。かかる多層化方法は、一括多層工法と呼ばれる。

銅箔などの金属箔を積層した後にエッチングなどにより電子回路パターンを形成する従来基板は、電子回路パターン形成後の基板を曲げ加工や絞り加工する際に電子回路パターンも一緒に曲げられたり伸ばされたりするために電子回路が断線し易く、立体成型が難しいという欠点がある。それに対して本発明に係る電子回路基板の電子回路パターンは、電子回路パターンを形成すべき部分にレーザー照射し、続いて上記のとおり立体成形した後、または、上記のとおり立体成形してから電子回路パターンを形成すべき部分にレーザーを照射した後に、めっきによりレーザー照射部分に選択的に電子回路パターンを形成できる。この際、電子回路パターンは曲げられたり伸ばされたりしないために断線し難く、立体基板を作製し易いという利点がある。

以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。

実施例１
液晶ポリマー樹脂（ポリプラスチックス社製「ＶＥＣＴＲＡＣ９５０」）を９５質量％、ＣｕＣｒ₂Ｏ₄結晶粉末（Ｓｈｅｐｈｅｒｄ社製「２０Ｃ９８０」）を５質量％の割合で溶融混合し、コンパウンド樹脂ペレットを作製した。当該コンパウンド樹脂ペレットを使用して、ＣｕＣｒ₂Ｏ₄結晶粉末が全体に分散した二軸延伸液晶ポリマーコンパウンドフィルム（フィルム厚：１００μｍ）を作製した。熱機械分析装置（ＴＡ社製「Ｑ４００」）を使ってこのフィルムの平面内の線膨張係数を測定したところ、樹脂の押出し方向で１７ｐｐｍ／℃、その直交方向（延伸方向）で１７ｐｐｍ／℃であり、この後にこのフィルム上に形成する銅めっきパターンの線膨張係数（１６ｐｐｍ／℃）とほぼ同じ値であることを確認した。

上記シートに、レーザー照射装置（パナソニック社製「ＬＰ−Ｓ」）を用いてＹＡＧレーザーを照射することにより、１ｍｍ幅で長さ５０ｍｍの線上においてＣｕＣｒ₂Ｏ₄結晶粉末を活性化させてめっき性を発現させた後、当該積層体を硫酸銅溶液より成る銅めっき浴に浸漬して厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を形成した。続いて、電解銅めっきを行なって厚さ１２μｍの銅パターンを形成した。

形成された回路パターンを光学顕微鏡（キーエンス社製「デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００」）で観察したところ、パターン幅に乱れは無く、１ｍｍ幅の回路が正確に形成されていた。

また、形成された回路パターンの密着性を、引張試験機（東洋精機社製「ストログラフＥ５Ｄ」）を用いて評価した。具体的には、回路パターンの端部を剥離し、引張試験機のクランプに挟んで１８０°方向に剥離し、剥離強度を測定した。測定は５本の回路パターンにつき行い、平均値を算出した。その結果、剥離強度は０．５Ｎ／ｍｍと十分な剥離強度を有していた。

さらに、得られたシートの誘電特性を、ネットワークアナライザー（アジレントテクノロジ社製「Ｅ５０７１Ｃ」）を用い、測定周波数３ＧＨｚ、測定モードＴＥ₀₁₁で、空洞共振器摂動法により評価した。その結果、比誘電率は３．４９、誘電正接は０．００２５と、上記積層体の誘電特性は極めて優れたものであることが証明された。

実施例２
上記実施例１において、液晶ポリマー樹脂を９０質量％、ＣｕＣｒ₂Ｏ₄結晶粉末を１０質量％の割合にした以外は同様にして、電子回路基板を作製した。その特性評価結果を表１に示す。

実施例３
上記実施例１において、液晶ポリマー樹脂を８０質量％、ＣｕＣｒ₂Ｏ₄結晶粉末を２０質量％の割合にした以外は同様にして、電子回路基板を作製した。その特性評価結果を表１に示す。

実施例４
上記実施例１において、液晶ポリマー樹脂を７５質量％、ＣｕＣｒ₂Ｏ₄結晶粉末を２０質量％、さらに、酸化ケイ素フィラーを５質量％の割合で溶融混合した以外は同様にして、電子回路基板を作製した。その特性評価結果を表１に示す。

実施例５
上記実施例１において、液晶ポリマー樹脂を７５質量％、ＣｕＣｒ₂Ｏ₄結晶粉末を５質量％、さらに、酸化ケイ素フィラーを２０質量％の割合で溶融混合した以外は同様にして、電子回路基板を作製した。その特性評価結果を表１に示す。

比較例１
上記実施例１において、液晶ポリマー樹脂を９７質量％、ＣｕＣｒ₂Ｏ₄結晶粉末を３質量％の割合にした以外は同様にして、電子回路基板用フィルムを作製した。その特性評価結果を表１に示す。但し、上記実施例１と同様にして回路を形成しようとしたが、無電解銅めっきは析出しなかった。

比較例２
上記実施例１において、液晶ポリマー樹脂を７０質量％、ＣｕＣｒ₂Ｏ₄結晶粉末を３０質量％の割合にした以外は同様にして、電子回路基板用フィルムを作製した。その特性評価結果を表１に示す。

比較例３
配向緩和目的で光非活性無機物フィラーを多く含む射出成形用液晶ポリマー樹脂（ポリプラスチックス社製「ＶＥＣＴＲＡＣ１３０Ｍ」）を使用して射出成形フィルム（厚さ１００μｍ）を作製した。当該フィルムの表面を強アルカリ処理することによりめっき性を付与した上で、その片面の全面に無電解銅めっきにより厚さ０．５μｍの無電解銅めっき層を形成した後、電解銅めっきを行なって厚さ１２μｍの銅層を形成した。続いて、銅層の一部をエッチング法により除去して、上記実施例１と同様の銅パターンを形成した。得られた電子回路基板の特性評価結果を表１に示す。

参考例１
液晶ポリマー樹脂（ポリプラスチックス社製「ＶＥＣＴＲＡＣ９５０」）を上記実施例１の条件と同様にて押出し、厚さ４００μｍのフィルムを得た。その特性評価結果を表１に示す。

比較例１のとおり光活性金属酸化物結晶の配合量が少ない場合、また、光活性金属酸化物結晶を含まない液晶ポリマーフィルム単体でも、レーザーを用いた電子回路形成はできなかった。比較例３のとおり、光活性金属酸化物結晶を含まなくても強アルカリ処理によりめっきは可能になるが、レーザーを用いた電子回路形成は当然にできないし、また、無機物フィラーを多く含むことから誘電特性が非常に劣るものであった。

また、比較例２の結果のとおり、光活性金属酸化物結晶の配合によりレーザーを用いた電子回路形成は可能になるが、無機物の配合量が所定量を超えると誘電特性は悪化した。

さらに、参考例１の結果のとおり、液晶ポリマー単体、即ち光非活性無機物フィラーなどが含まれてないニートレジンをフィルム状に押出成形した場合は、平面方向の線膨張係数が大きくバランスを失った。また、レーザー照射に続いて無電解銅めっきを行ったが、無電解銅めっきは当然ながら析出しなかった。

一方、光金属酸化物結晶を適量含む実施例１〜５では、レーザーを用いた電子回路形成は可能になる上に、誘電特性が優れていた。かかる結果より、本発明の電子回路基板用フィルムは、高周波製品に用いるアンテナ基板や伝送路基板の基材として非常に有用であることが明らかとなった。

Claims

液晶ポリマーから成形される基材フィルム中に光活性金属酸化物結晶が分散している構成を有し、
全体に対する上記光活性金属酸化物結晶の割合が５質量％以上、２０質量％以下であり、
上記基材フィルムの平面方向の線膨張係数が３ｐｐｍ／℃以上、３０ｐｐｍ／℃以下であり、且つ、平面方向の一方向での線膨張係数と当該方向に直交する方向の線膨張係数との比が０．４以上、２．５以下であることを特徴とする電子回路基板用フィルム。
上記基材フィルム中に光活性金属酸化物結晶に加えて光非活性無機物が分散している構成を有し、全体に対する上記光活性金属酸化物結晶と上記光非活性無機物との合計の割合が２５質量％以下である請求項１に記載の電子回路基板用フィルム。
比誘電率が３．７以下で且つ誘電正接が０．００７以下である請求項１または２に記載の電子回路基板用フィルム。
厚さが１０μｍ以上、１０００μｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載の電子回路基板用フィルム。
上記液晶ポリマーがＩ型液晶ポリマーまたはＩＩ型液晶ポリマーである請求項１〜４のいずれかに記載の電子回路基板用フィルム。
吸水率が０．２％以下である請求項１〜５のいずれかに記載の電子回路基板用フィルム。
請求項１〜６のいずれかに記載の電子回路基板用フィルムの片面に回路が形成されたものであることを特徴とする電子回路基板。
請求項１〜６のいずれかに記載の電子回路基板用フィルムの両面に回路が形成されたものであることを特徴とする電子回路基板。
請求項７または８に記載の電子回路基板が２以上積層されたものであることを特徴とする多層電子回路基板。