JP2016060138A - 銅張積層板及び回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 圧延銅箔を材料として使用し、寸法安定性に優れ、かつ、安定して生産が可能な銅張積層板を提供する。【解決手段】 ポリイミド絶縁層と、ポリイミド絶縁層の片側の面に積層して設けられた第１の銅箔層とを備えた銅張積層板であって、第１の銅箔層は、厚みが１３μｍ以下であり、かつ、厚み（μｍ）と引張弾性率（ＧＰａ）との積が１８０〜２５０の範囲内の圧延銅箔からなる。好ましくは、ポリイミド絶縁層が、第１の銅箔層に、ポリイミドの前駆体溶液を塗布して乾燥した後、イミド化することにより形成されたものである。【選択図】なし

Description

本発明は、銅張積層板（ＣＣＬ）及びそれを用いた回路基板に関する。

近年、電子機器の小型化、軽量化、省スペース化の進展に伴い、薄く軽量で、可撓性を有し、屈曲を繰り返しても優れた耐久性を持つフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）の需要が増大している。ＦＰＣは、限られたスペースでも立体的かつ高密度の実装が可能であるため、例えば、ＨＤＤ、ＤＶＤ、携帯電話等の電子機器の可動部分の配線や、ケーブル、コネクター等の部品にその用途が拡大しつつある。

ＦＰＣは、銅張積層板（ＣＣＬ）の銅層をエッチングして配線加工することによって製造される。携帯電話やスマートフォンにおいて、連続屈曲や１８０°折り曲げされるＦＰＣには、銅層の材料として、圧延銅箔が多く用いられている。例えば、特許文献１では、圧延銅箔を用いて作製された銅張積層板の耐屈曲性を耐はぜ折り回数で規定する提案がなされている。また、特許文献２では、光沢度と折り曲げ回数で規定された圧延銅箔を用いた銅張積層板が提案されている。

銅張積層板に対するフォトリソグラフィ工程や、ＦＰＣ実装の過程では、銅張積層板に設けられたアライメントマークを基準に接合、切断、露光、エッチング等のさまざまな加工が行われる。これらの工程での加工精度は、ＦＰＣを搭載した電子機器の信頼性を維持する上で重要となる。しかし、銅張積層板は、熱膨張係数が異なる銅層と樹脂層とを積層した構造を有するため、銅層と樹脂層との熱膨張係数の差によって、層間に応力が発生する。この応力は、その一部分又は全部が、銅層をエッチングして配線加工した場合に解放されることによって伸縮を生じさせ、配線パターンの寸法を変化させる要因となる。そのため、最終的にＦＰＣの段階で寸法変化が生じてしまい、配線間もしくは配線と端子との接続不良を引き起こす原因となり、回路基板の信頼性や歩留まりを低下させる。従って、回路基板材料としての銅張積層板において、寸法安定性は非常に重要な特性である。しかし、上記特許文献１、２では、銅張積層板の寸法安定性については何ら考慮されていない。

なお、銅張積層板を製造するに際して、圧延銅箔にポリイミド前駆体をキャスティングする方法（キャスト法）を採用することによって、ラミネート製法と比較して、銅張積層板の寸法安定性を改善することができる。しかし、キャスト法によって長尺な銅箔から銅張積層板を製造する際には、コルゲーションと呼ばれる凹凸が発生しやすく、安定的な生産が困難になるという問題があった。

特開２０１４−１５６７４公報（特許請求の範囲など） 特表２０１４−１１４５１号公報（特許請求の範囲など）

本発明は、圧延銅箔を材料として使用し、寸法安定性に優れ、かつ、安定して生産が可能な銅張積層板を提供することを目的とする。

本発明の銅張積層板は、ポリイミド絶縁層と、該ポリイミド絶縁層の片側の面に積層して設けられた第１の銅箔層とを備えた銅張積層板である。本発明の銅張積層板は、前記ポリイミド絶縁層の熱膨張係数が１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内である。また、本発明の銅張積層板において、前記第１の銅箔層は、厚みが１３μｍ以下であり、かつ、厚み（μｍ）と引張弾性率（ＧＰａ）との積が１８０〜２５０の範囲内の圧延銅箔からなることを特徴とする。

本発明の銅張積層板は、前記ポリイミド絶縁層が、前記第１の銅箔層に、ポリイミドの前駆体溶液を塗布して乾燥した後、イミド化することによって形成されたものであってもよい。

本発明の銅張積層板は、更に、前記ポリイミド絶縁層における前記第１の銅箔層とは反対側の面に積層された第２の銅箔層を備えていてもよい。

本発明の銅張積層板は、下記の工程（１）〜（７）；
（１）長尺な前記銅張積層板を、所定の長さに切断して試験片を準備する工程、
（２）前記銅張積層板の長手方向をＭＤ方向、幅方向をＴＤ方向としたとき、前記試験片において前記ＭＤ方向及び前記ＴＤ方向と平行な辺を有する仮想の正四角形を想定し、前記仮想の正四角形の中心を含む中心領域と、前記仮想の正四角形における前記ＴＤ方向の一辺を共有する２つの角部の１つずつを含む２つのコーナー領域とに、それぞれ、直線状の配列を含む複数のマークを形成する工程、
（３）前記複数のマークの位置を計測し、隣接するマークとマークの間の距離Ｌ０を算出する第１の計測工程、
（４）前記試験片の前記銅層の一部分又は全部をエッチングする工程、
（５）エッチング後に、前記複数のマークの位置を計測し、隣接するマークとマークの間の距離Ｌ１を算出する第２の計測工程、
（６）前記エッチングの前後で同じ２つのマークについて、前記第１の計測工程で得られた距離Ｌ０と、前記第２の計測工程で得られた距離Ｌ１との差分Ｌ１−Ｌ０を算出する工程、及び、
（７）前記差分Ｌ１−Ｌ０を、前記銅張積層板から形成する回路基板における配線パターンのスケールに換算して累積換算寸法変化量を求め、得られた累積換算寸法変化量を、前記配線パターンの配線幅と配線間隔との和に対する比率で表す工程、
を含む試験方法によって得られる、１０ｍｍの回路基板サイズにおける配線パターンの配線幅と配線間隔との和に対する累積換算寸法変化量の比率の、前記試験片における面内のばらつきが±２％以下である。

本発明の回路基板は、上記いずれかに記載の銅張積層板の銅箔を配線回路加工してなる。

本発明の銅張積層板は、厚みが１３μｍ以下であり、かつ、厚み（μｍ）と引張弾性率（ＧＰａ）との積が１８０〜２５０の範囲内の圧延銅箔からなる第１の銅箔層を有することによって、寸法安定性と生産安定性に優れている。従って、本発明の銅張積層板を回路基板材料として利用することによって、回路基板の信頼性と歩留まりの向上を図ることができる。

本発明の一実施の形態に係る銅張積層板の寸法安定性を評価する評価方法に用いる銅張積層板と試験片の概略構成を示す斜視図である。 試験片におけるマーク位置を説明する図面である。 試験片の中心領域の部分拡大図である。 試験片のコーナー領域の部分拡大図である。 孔と孔との間隔の寸法変化量について説明する図面である。 実施例、比較例における評価サンプルの説明に供する図面である。 実施例、比較例における評価サンプルの調製の説明に供する図面である。 実施例におけるＦＰＣサイズと配線位置ずれ率を示すグラフである。 比較例におけるＦＰＣサイズと配線位置ずれ率を示すグラフである。

次に、適宜図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。

＜銅張積層板＞
本実施の形態の銅張積層板は、ポリイミド絶縁層と銅箔層とから構成される。銅箔層はポリイミド絶縁層の片面又は両面に設けられている。つまり、本実施の形態の銅張積層板は、片面銅張積層板（片面ＣＣＬ）でもよいし、両面銅張積層板（両面ＣＣＬ）でもよい。片面ＣＣＬの場合、ポリイミド絶縁層の片面に積層された銅箔層を、本発明における「第１の銅箔層」とする。両面ＣＣＬの場合、ポリイミド絶縁層の片面に積層された銅箔層を、本発明における「第１の銅箔層」とし、ポリイミド絶縁層において、第１の銅箔層が積層された面とは反対側の面に積層された銅箔層を、本発明における「第２の銅箔層」とする。本実施の形態の銅張積層板は、銅箔をエッチングするなどして配線回路加工して銅配線を形成し、ＦＰＣとして使用される。

＜第１の銅箔層＞
本実施の形態の銅張積層板において、第１の銅箔層に使用される銅箔（以下、「第１の銅箔」と記すことがある）は、圧延銅箔からなる。第１の銅箔として圧延銅箔を用いることによって、後述するように、厚みと引張弾性率との積を考慮することにより、優れた寸法安定性と高屈曲性を両立可能な銅張積層板を安定的に製造することができる。また、本実施の形態の銅張積層板においては、第１の銅箔として、短辺（幅）に対する長辺（長さ）の比率（長辺／短辺）が６００以上である長尺な銅箔を使用する。

第１の銅箔の厚みは１３μｍ以下であり、好ましくは６〜１２μｍの範囲内がよい。第１の銅箔の厚みが１３μｍを超えると、銅張積層板（又はＦＰＣ）を折り曲げた際の銅箔（又は銅配線）に加わる曲げ応力が大きくなることにより耐折り曲げ性が低下することとなる。また、生産安定性及びハンドリング性の観点から、第１の銅箔の厚みの下限値は６μｍとすることが好ましい。

また、第１の銅箔の引張弾性率は、例えば、１０〜３５ＧＰａの範囲内であることが好ましく、１５〜２５ＧＰａの範囲内がより好ましい。本実施の形態で第１の銅箔として使用する圧延銅箔は、熱処理によってアニールされると、柔軟性が高くなる。従って、第１の銅箔の引張弾性率が上記下限値に満たないと、長尺な第１の銅箔からキャスト法によって銅張積層板を製造する際、第１の銅箔上にポリイミド絶縁層を形成する工程において、加熱によって第１の銅箔自体の剛性が低下してしまう。その結果、銅張積層板に凹凸（コルゲーション）が発生するという問題が生じる。なお、ラミネート法によって銅張積層板を製造する場合、上記コルゲーションの問題は生じ難いが、十分な寸法安定性が得られない。
一方、引張弾性率が上記上限値を超えるとＦＰＣを折り曲げた際に銅配線により大きな曲げ応力が加わることとなり、その耐折り曲げ性が低下する。なお、圧延銅箔は、前述したキャスト法によって銅箔上にポリイミド絶縁層を形成する際の熱処理条件や、ポリイミド絶縁層を形成した後の銅箔のアニール処理などにより、その引張弾性率が変化する傾向がある。従って、本実施の形態では、最終的に得られた銅張積層板において、第１の銅箔の引張弾性率が上記範囲内にあればよい。

また、第１の銅箔は、その厚み（μｍ）と引張弾性率（ＧＰａ）との積が、１８０〜２５０の範囲内であり、２１０〜２４０の範囲内であることが好ましい。第１の銅箔の厚みと引張弾性率との積が１８０未満では、長尺な第１の銅箔を用いてキャスト法によって銅張積層板を製造する際にコルゲーションが発生しやすくなって生産安定性が低下し、２５０を超えると、耐折り曲げ性が低下する。本実施の形態においては、第１の銅箔の厚みと引張弾性率との積を上記範囲内に規定することによって、第１の銅箔のハンドリング性と剛性のバランスをとり、生産安定性と耐折り曲げ性との両立を図ることができる。

第１の銅箔は、上記特性を充足するものであれば特に限定されるものではなく、市販されている圧延銅箔を用いることができる。第１の銅箔として好適な市販品として、例えば、ＪＸ日鉱日石金属株式会社製のＨＡ−Ｖ２箔を挙げることができる。

＜第２の銅箔層＞
第２の銅箔層は、ポリイミド絶縁層における第１の銅箔層とは反対側の面に積層されている。第２の銅箔層に使用される銅箔（第２の銅箔）としては、特に限定されるものではなく、例えば、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。また、第２の銅箔として、市販されている銅箔を用いることもできる。なお、第２の銅箔として、第１の銅箔と同じものを使用してもよい。

＜ポリイミド絶縁層＞
本実施の形態の銅張積層板において、反りの発生や寸法安定性の低下を防止するために、ポリイミド絶縁層全体として、熱膨張係数（ＣＴＥ）が１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内であることが重要である。ポリイミド絶縁層の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、１０ｐｐｍ／Ｋ以上２５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内が好ましい。熱膨張係数（ＣＴＥ）が１０ｐｐｍ／Ｋ未満であるか、又は３０ｐｐｍ／Ｋを超えると、銅張積層板に反りが発生したり、寸法安定性が低下したりする。また、本実施の形態の銅張積層板において、銅の熱膨張係数（ＣＴＥ）に対してポリイミド絶縁層の熱膨張係数（ＣＴＥ）が、±５ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内がより好ましく、±２ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内が最も好ましい。

本実施の形態の銅張積層板において、ポリイミド絶縁層の厚みは、銅箔層の厚みや剛性などに応じて、所定の範囲内の厚みに設定することができる。ポリイミド絶縁層の厚みは、例えば８〜５０μｍの範囲内にあることが好ましく、１１〜２６μｍの範囲内にあることがより好ましい。ポリイミド絶縁層の厚みが上記下限値に満たないと、電気絶縁性が担保出来ないことや、ハンドリング性の低下により製造工程にて取扱いが困難になるなどの問題が生じることがある。一方、ポリイミド絶縁層の厚みが上記上限値を超えるとＦＰＣを折り曲げた際に銅配線により曲げ応力が加わることとなり、その耐折り曲げ性を低下させてしまうことがある。

また、ポリイミド絶縁層の引張弾性率は３．０〜１０．０ＧＰａの範囲内であることが好ましく、４．５〜８．０ＧＰａの範囲内であるのがよい。ポリイミド絶縁層の引張弾性率が３．０ＧＰａに満たないとポリイミド自体の強度が低下することによって、銅張積層板を回路基板へ加工する際にフィルムの裂けなどのハンドリング上の問題が生じることがある。反対に、ポリイミド絶縁層の引張弾性率が１０．０ＧＰａを超えると、銅張積層板の折り曲げに対する剛性が上昇する結果、銅張積層板を折り曲げた際に銅配線に加わる曲げ応力が上昇し、耐折り曲げ性が低下してしまう。

ポリイミド絶縁層としては、市販のポリイミドフィルムをそのまま使用することも可能であるが、その厚さや物性のコントロールのしやすさから、ポリアミド酸溶液を銅箔上に直接塗布した後、熱処理により乾燥、硬化する所謂キャスト法によって形成されたものが好ましい。また、ポリイミド絶縁層は、単層のみから形成されるものでもよいが、ポリイミド絶縁層と第１の銅箔層との接着性等を考慮すると複数層からなるものが好ましい。ポリイミド絶縁層を複数層とする場合、異なる構成成分からなるポリアミド酸溶液の上に他のポリアミド酸溶液を順次塗布して形成することができる。ポリイミド絶縁層が複数層からなる場合、同一の構成のポリイミド前駆体樹脂を２回以上使用してもよい。

ポリイミド絶縁層は複数層とすることが好ましいが、その具体例としては、ポリイミド絶縁層を、低熱膨張性ポリイミド層と、高熱膨張性ポリイミド層と、を含む積層構造とすることが好ましい。ここで、低熱膨張性ポリイミド層は、熱膨張係数が３５×１０^−６／Ｋ未満、好ましくは１×１０^−６〜３０×１０^−６／Ｋの範囲内、特に好ましくは３×１０^−６〜２５×１０^−６／Ｋの範囲内のポリイミド層をいう。また、高熱膨張性ポリイミド層は、熱膨張係数が３５×１０^−６／Ｋ以上、好ましくは３５×１０^−６〜８０×１０^−６／Ｋの範囲内、特に好ましくは３５×１０^−６〜７０×１０^−６／Ｋの範囲内のポリイミド層をいう。ポリイミド層は、使用する原料の組合せ、厚み、乾燥・硬化条件を適宜変更することで所望の熱膨張係数を有するポリイミド層とすることができる。

上記ポリイミド絶縁層を与えるポリアミド酸溶液は、公知のジアミンと酸無水物とを溶媒の存在下で重合して製造することができる。

ポリイミドの原料として用いられるジアミンとしては、例えば、4,6-ジメチル-ｍ-フェニレンジアミン、2,5-ジメチル-p-フェニレンジアミン、2,4-ジアミノメシチレン、4,4'-メチレンジ-o-トルイジン、4,4'-メチレンジ-2,6-キシリジン、4,4'-メチレン-2,6-ジエチルアニリン、2,4-トルエンジアミン、ｍ-フェニレンジアミン、p-フェニレンジアミン、4,4'-ジアミノジフェニルプロパン、3,3'-ジアミノジフェニルプロパン、4,4'-ジアミノジフェニルエタン、3,3'-ジアミノジフェニルエタン、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、3,3'-ジアミノジフェニルメタン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、4,4'-ジアミノジフェニルスルフィド、3,3'-ジアミノジフェニルスルフィド、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、3,3'-ジアミノジフェニルスルホン、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、3,3-ジアミノジフェニルエーテル、1,3-ビス（3-アミノフェノキシ）ベンゼン、1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、1,4-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼン、ベンジジン、3,3'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメトキシベンジジン、4,4'-ジアミノ-p-テルフェニル、3,3'-ジアミノ-p-テルフェニル、ビス(p-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(p-β-アミノ-t-ブチルフェニル)エーテル、ビス(p-β-メチル-δ-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(2-メチル-4-アミノペンチル)ベンゼン、p-ビス(1,1-ジメチル-5-アミノペンチル)ベンゼン、1,5-ジアミノナフタレン、2,6-ジアミノナフタレン、2,4-ビス(β-アミノ-t-ブチル)トルエン、2,4-ジアミノトルエン、ｍ-キシレン-2,5-ジアミン、p-キシレン-2,5-ジアミン、ｍ-キシリレンジアミン、p-キシリレンジアミン、2,6-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノピリジン、2,5-ジアミノ-1,3,4-オキサジアゾール、ピペラジン、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、3,7-ジアミノジベンゾフラン、1,5-ジアミノフルオレン、ジベンゾ-p-ジオキシン-2,7-ジアミン、4,4'-ジアミノベンジルなどが挙げられる。

また、ポリイミドの原料として用いられる酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,4,5-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、2,6-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,7-ジクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、2,3,6,7-テトラクロロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、1,4,5,8-テトラクロロナフタレン-2,3,6,7-テトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2',3,3'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3',4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3'',4,4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2'',3,3''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3'',4''-p-テルフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)-プロパン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(3.4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、ペリレン-2,3,8,9-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-3,4,9,10-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-4,5,10,11-テトラカルボン酸二無水物、ペリレン-5,6,11,12-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,7,8-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,6,7-テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン-1,2,9,10-テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、チオフェン-,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、4,4'-オキシジフタル酸二無水物、2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物などが挙げられる。

上記ジアミン及び酸無水物は、それぞれ１種のみを使用してもよく２種以上を併用することもできる。また、重合に使用される溶媒は、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリジノン、2-ブタノン、ジグライム、キシレン等が挙げられ、１種又は２種以上併用して使用することもできる。

熱膨張係数３５×１０^−６／Ｋ未満の低熱膨張性ポリイミド層を形成するには、原料の酸無水物成分としてピロメリット酸二無水物、3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を、ジアミン成分としては、2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニル、2-メトキシ-4，4’-ジアミノベンズアニリドを用いることがよく、特に好ましくは、ピロメリット酸二無水物及び2,2'-ジメチル-4,4'-ジアミノビフェニルを原料各成分の主成分とするものがよい。

また、熱膨張係数３５×１０^−６／Ｋ以上の高熱膨張性ポリイミド層を形成するには、原料の酸無水物成分としてピロメリット酸二無水物、3,3',4,4’-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3',4,4’-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物を、ジアミン成分としては、2,2’-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、1,3-ビス（4-アミノフェノキシ）ベンゼンを用いることがよく、特に好ましくはピロメリット酸二無水物及び2,2’-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパンを原料各成分の主成分とするものがよい。なお、このようにして得られる高熱膨張性ポリイミド層の好ましいガラス転移温度は、３００〜４００℃の範囲内である。

また、ポリイミド絶縁層を低熱膨張性ポリイミド層と高熱膨張性ポリイミド層との積層構造とした場合、好ましくは、低熱膨張性のポリイミド層と高熱膨張性のポリイミド層との厚み比（低熱膨張性ポリイミド層／高熱膨張性のポリイミド層）が１．５〜６．０の範囲内であることがよい。この比の値が、１．５に満たないとポリイミド絶縁層全体に対する低熱膨張性ポリイミド層が薄くなるため、銅箔をエッチングした際の寸法変化率が大きくなりやすく、６．０を超えると高熱膨張性ポリイミド層が薄くなるため、ポリイミド絶縁層と銅箔との接着信頼性が低下しやすくなる。

本実施の形態の銅張積層板は、下記の評価方法によって得られる、１０ｍｍの回路基板サイズ（ＦＰＣサイズ）における配線パターンの配線幅と配線間隔との和に対する累積換算寸法変化量の比率の、試験片における面内のばらつきが、±２％以下である。このばらつきの値が±２％を超える場合には、銅張積層板から加工されたＦＰＣにおいて、配線間もしくは配線と端子との接続不良を引き起こす原因となり、回路基板の信頼性や歩留まりを低下させる要因となる。ここで、図１〜図７を参照しながら、本実施の形態において使用される銅張積層板の寸法安定性の評価方法について説明する。この評価方法は、以下の工程（１）〜（７）を備えている。

（１）試験片を準備する工程：
本工程では、図１に例示するように、長尺な銅張積層板１００を、所定の長さに切断することによって試験片１０を準備する。なお、以下の説明では、長尺な銅張積層板１００の長手方向をＭＤ方向、幅方向をＴＤ方向と定義する（試験片１０についても同様である）。試験片１０は、正方形に近い形状となるように、銅張積層板１００の幅（ＴＤ方向の長さ）と切断間隔（ＭＤ方向の長さ）がほぼ等しくなるようにすることが好ましい。銅張積層板１００は、図示は省略するが絶縁樹脂層と、この絶縁樹脂層の片側又は両側に積層された銅層とを有する。

本評価方法の対象となる銅張積層板１００は、任意の方法で調製したものを使用できる。例えば、銅張積層板１００は、樹脂フィルムを用意し、これに金属をスパッタリングしてシード層を形成した後、メッキによって銅層を形成することによって調製したものでもよい。また、銅張積層板１００は、樹脂フィルムと銅箔とを熱圧着などの方法でラミネートすることによって調製したものでもよい。さらに、銅張積層板１００は、銅箔の上に樹脂溶液を塗布して絶縁樹脂層を形成することによって調製したものでもよい。

（２）試験片に複数のマークを形成する工程：
本工程では、図２に示すように、まず試験片１０において、ＭＤ方向及びＴＤ方向と平行な辺を有する仮想の正四角形２０を想定する。この仮想の正四角形２０の一辺の長さは、銅張積層板１００の幅（ＴＤ方向の長さ）に応じた長さとすることができる。また、仮想の正四角形２０の面積は、多数個採りの場合にＦＰＣに加工する範囲の限界まで評価対象に含めるため、ＦＰＣに加工する範囲をカバーできる面積に設定することが好ましい。従って、正四角形２０の一辺の長さは、試験片１０におけるＴＤ方向の長さ（銅張積層板１００の幅）の６０〜９０％の範囲内とすることが好ましく、７０〜８０％の範囲内とすることがより好ましい。例えば、銅張積層板１００の幅（ＴＤ方向の長さ）が２５０ｍｍである場合には、仮想の正四角形２０の一辺の長さは、１５０〜２２５ｍｍの範囲内に設定することが好ましく、１７５〜２００ｍｍの範囲内に設定することがより好ましい。

次に、図２〜図４に示すように、仮想の正四角形２０の中心２０ａを含む中心領域２１と、正四角形２０におけるＴＤ方向の一辺を共有する２つの角部２０ｂの１つずつを含む２つのコーナー領域２３ａ，２３ｂとに、それぞれ、直線状の配列を含む複数のマークを形成する。マークは、例えば試験片１０を貫通する丸い孔３０である。複数の孔３０は、等間隔に形成することが好ましい。なお、マークとしての孔３０は、例えば三角形、長方形などの多角形状でもよい。また、マークは、その位置を識別可能であれば、貫通孔に限らず、例えば試験片１０に溝、切り込みなどを形成したものであってもよいし、インクなどを利用して印刷した模様であってもよい。

＜中心領域＞
仮想の正四角形２０の中心２０ａは、試験片１０の伸縮を測定するための座標の基準になることから、本評価方法では、当該中心２０ａを含む中心領域２１を測定対象とする。中心領域２１においては、直線状の配列を含む限り、複数の孔３０を形成する位置は任意であり、例えばＴ字形、Ｌ字形などに配列してもよいが、仮想の正四角形２０の中心２０ａから、ＭＤ方向及びＴＤ方向に均等に配列できる十字型が好ましい。すなわち、図３に示すように、複数の孔３０を、仮想の正四角形２０の中心２０ａを通る十字形に沿ってＭＤ方向及びＴＤ方向に形成することが好ましく、十字型の交差部分が、仮想の正四角形２０の中心２０ａに重なるように配置することがより好ましい。この場合、中心２０ａに重なる孔３０は、ＭＤ方向及びＴＤ方向の両方向の配列を構成する孔３０として重複してカウントされる。

また、中心領域２１では、試験片１０の面内での寸法変化のばらつきを含めた寸法安定性を正確に評価できるようにするため、正四角形２０における中心２０ａからＭＤ方向及びＴＤ方向に、それぞれ、正四角形２０の１辺の長さに対して、少なくとも１２．５％以上、好ましくは１２．５〜３２．５％の範囲内、より好ましくは１２．５〜２５％の範囲内に亘って孔３０を形成することがよい。

＜コーナー領域＞
正四角形２０におけるＴＤ方向の一辺を共有する２つの角部２０ｂの周囲は、図１に示すような長尺な銅張積層板１００において、最も伸縮しやすく、寸法変化が大きくなりやすい領域である。そのため、本評価方法では、正四角形２０におけるＴＤ方向の一辺を共有する２つの角部２０ｂの１つずつを含む２つのコーナー領域２３ａ，２３ｂの両方を測定対象とする。

コーナー領域２３ａ，２３ｂにおいては、直線状の配列を含む限り、孔３０を形成する位置は任意であるが、例えば図４に示すように、複数の孔３０を、仮想の正四角形２０の角部２０ｂを挟む２つの辺に沿ってＭＤ方向及びＴＤ方向にＬ字形に形成することが好ましい。この場合、角部２０ｂに重なる孔３０は、ＭＤ方向及びＴＤ方向の両方向の配列を構成する孔３０として重複してカウントされる。なお、図４は、片方のコーナー領域２３ｂのみを示しているが、他方のコーナー領域２３ａについても同様である。

２つのコーナー領域２３ａ，２３ｂでは、試験片１０の面内での寸法変化のばらつきを含めた寸法安定性を正確に評価できるようにするため、正四角形２０におけるＴＤ方向の一辺の両端（つまり、正四角形２０の角部２０ｂ）からＭＤ方向の中央側へ、それぞれ、ＭＤ方向の一辺の長さに対して、少なくとも１２．５％以上、好ましくは１２．５〜３２．５％の範囲内、より好ましくは１２．５〜２５％の範囲内に亘って孔３０を形成することがよい。

また、２つのコーナー領域２３ａ，２３ｂでは、試験片１０の面内での寸法変化のばらつきを含めた寸法安定性を正確に評価できるようにするため、正四角形２０におけるＴＤ方向の一辺の両端（つまり、正四角形２０の角部２０ｂ）からＴＤ方向の中央側へ、それぞれ、ＴＤ方向の一辺の長さに対して、少なくとも１２．５％以上、好ましくは１２．５〜３２．５％の範囲内、より好ましくは１２．５〜２５％の範囲内に亘って孔３０を形成することがよい。

また、試験片１０の面内を網羅し、部位毎の寸法変化を正確に把握できるようにするために、中心領域２１において直線状に配列された両端の孔３０間の配列範囲と、コーナー領域２３ａ，２３ｂにおいて同方向に直線状に配列された両端の孔３０間の配列範囲とが、重なるようにしてもよい。
具体的には、少なくとも、中心領域２１内でＭＤ方向に配列される複数の孔３０の両端の位置と、２つのコーナー領域２３ａ，２３ｂ内でそれぞれＭＤ方向に配列される複数の孔３０の中で最も内側（角部２０ｂから遠い側）の孔３０の位置とが、ＴＤ方向に平行移動させたときにオーバーラップするように配置してもよい。
同様に、少なくとも、中心領域２１内でＴＤ方向に配列される複数の孔３０の中で最もコーナー領域２３ａ，２３ｂに近接した孔３０の位置と、２つのコーナー領域２３ａ，２３ｂ内でＴＤ方向にそれぞれ配列される複数の孔３０の中で最も内側（角部２０ｂから遠い側）の孔３０の位置とが、ＭＤ方向に平行移動させたときにオーバーラップするように配置してもよい。
以上のような配置を考慮すると、中心領域２１では、複数の孔３０を十字形に配列することが最も合理的であり、また、２つのコーナー領域２３ａ，２３ｂでは、複数の孔３０をＬ字形に配列することが最も合理的である。

試験片１０の仮想の正四角形２０において、孔３０を形成する範囲は、孔３０の大きさ、孔３０の数、孔３０と孔３０との間隔の長さによって調節することができる。

孔３０の大きさは、寸法変化の検出精度を高くするため、孔３０と孔３０との間隔の長さの２０％以下の範囲内とすることが好ましい。

上記中心領域２１と２つのコーナー領域２３ａ，２３ｂに形成する複数の孔３０は、試験片１０の面内での寸法変化のばらつきを含めた寸法安定性を正確に評価できるようにするため、ＭＤ方向及びＴＤ方向のそれぞれにおいて、少なくとも１１個以上の直線状の配列を含むことが好ましく、２０個以上の直線状の配列を含むことがより好ましい。ここで、孔３０の数をｎ個とすると、後の工程（３）、工程（５）で計測の対象となる隣り合う孔３０と孔３０との間隔の数はｎ−１箇所となる。隣り合う孔３０と孔３０との間隔は、例えば、孔３０の数が１０個である場合には９箇所となり、孔３０の数が２１個である場合には２０箇所となる。この場合、ＭＤ方向及びＴＤ方向において、孔３０の数は同じであることが好ましい。

孔３０と孔３０との間の距離は、寸法変化の検出精度を高くするため、２ｍｍ以上の範囲内とすることが好ましい。

（３）第１の計測工程：
本工程では、複数の孔３０の位置を測定する。そして、各孔３０の位置の測定結果から、隣接する孔３０と孔３０の間の距離Ｌ０を算出する。例えば孔３０の数が２１個であれば、隣接する孔３０と孔３０の間の２０か所の間隔について距離Ｌ０を求める。ここで、隣接する孔３０と孔３０の間の距離Ｌ０は、図５に示すように、ある孔３０の中心３０ａから、隣接する孔３０の中心３０ａまでの距離を意味する。

孔３０の位置の計測は、特に限定されるものではなく、例えば、試験片１０の画像を元に孔３０の位置を検出する方法によって実施できる。

本工程の孔３０の位置の計測は、上記工程（２）に引き続いて実施してもよいが、計測前に、試験片１０のコンディションを調整する工程を設けることが好ましい。試験片１０のコンディション調整の一例として、調湿処理を挙げることができる。調湿処理は、一定の環境に一定時間（例えば２３℃、５０ＲＨ％の環境で２４時間）、試験片１０を静置することにより行うことができる。

（４）エッチング工程：
本工程では、試験片１０の銅層の一部分又は全部をエッチングする。現実に即した寸法安定性を評価するため、エッチングの内容は、銅張積層板１００から形成するＦＰＣの配線パターンに準じて行うことが好ましい。試験片１０が両面銅張積層板から調製したものである場合は、両側の銅層をエッチングしてもよい。なお、実際のＦＰＣの加工において、熱処理を伴う場合は、エッチング後に、試験片１０を任意の温度で加熱する処理を行ってもよい。

（５）第２の計測工程：
本工程は、上記（４）のエッチング後に、再度、複数の孔３０の位置を測定する工程である。そして、各孔３０の位置の測定結果から、隣接する孔３０と孔３０の間の距離Ｌ１を算出する。本工程における孔３０の位置の計測は、上記工程（３）と同様の方法で行うことができる。隣接する孔３０と孔３０の間の距離Ｌ１は、図５に示すように、ある孔３０の中心３０ａから、隣接する孔３０の中心３０ａまでの距離を意味する。

本工程の孔３０の位置の計測は、上記工程（４）に引き続いて実施してもよいが、上記工程（３）と同様に、試験片１０のコンディションを調整する工程を設けることが好ましい。特に、上記工程（３）でコンディション調整を行った場合は、本工程でも、計測前に、同様の条件でコンディション調整を実施することが好ましい。

（６）寸法変化量を算出する工程：
本工程では、図５に示すように、エッチングの前後で同じ２つの孔３０の間隔について、第１の計測工程で得られた距離Ｌ０と、第２の計測工程で得られた距離Ｌ１との差分Ｌ１−Ｌ０を算出する。そして、同一の直線状に配列された孔３０と孔３０との間隔の２箇所以上、好ましくは１０箇所以上、より好ましくは全てについて、同様に差分Ｌ１−Ｌ０を算出する。この差分Ｌ１−Ｌ０を「寸法変化量Δ」とする。

（７）配線スケールに換算する工程：
本工程では、工程（６）で得られた寸法変化量Δを、銅張積層板１００から形成するＦＰＣにおける配線パターンのスケールに換算し、得られた換算値を、配線パターンの配線幅と配線間隔との和に対する比率で表す。本工程によって、試験に供した銅張積層板１００を実際にＦＰＣに加工した場合に、ＦＰＣの配線パターンに対し、銅張積層板１００の寸法変化が与える影響をわかりやすく表現できる。

本工程では、まず、寸法変化量Δを、銅張積層板１００から形成する予定のＦＰＣにおけるＬ／Ｓの配線パターンにおける配線幅／配線間隔のスケールに換算し、換算した寸法変化量を累積して累積換算寸法変化量を求める。例えばエッチング前の２つの孔３０の間の距離Ｌ０がＸｍｍであり、形成予定のＦＰＣにおける配線パターンにおける配線幅と配線間隔が、それぞれ、距離Ｌ０の１／Ｙである場合、次式に基づき、寸法変化量Δを２×（１／Ｙ）のスケールにダウンサイジングしたときの値に換算し、２×（１／Ｙ）のスケールの累積換算寸法変化量を求める。

累積換算寸法変化量＝［Σ_i=1 ⁱ（２×Δ_ｉ／Ｙ）］

次に、累積換算寸法変化量から、次式に基づき、配線の位置ずれ比率を求める。この配線の位置ずれ比率は、累積換算寸法変化量を、形成予定のＬ／Ｓの配線パターンにおける配線幅（Ｌｍｍ）と配線間隔（Ｓｍｍ）との和に対する比率で表したものである。
配線の位置ずれ比率（％）＝
｛［Σ_i=1 ⁱ（２×Δ_ｉ／Ｙ）］／［Ｌ＋Ｓ］｝×１００

以上のようにして算出したＦＰＣにおけるＭＤ方向及びＴＤ方向の配線の位置ずれ比率をグラフ上にプロットすることによって、ＦＰＣサイズに応じた近似直線が得られる。ここで、「ＦＰＣサイズ」とは、ＦＰＣにおいて形成された複数の配線の中で最も離れた両端の配線間の距離を意味する。グラフの傾きの大小は、配線の位置ずれの大小を意味し、グラフの傾きのばらつきの大小は、配線の位置ずれの面内ばらつきの大小を意味する。

本工程によって、試験に供した銅張積層板１００を実際に回路に加工した場合に、ＦＰＣの配線パターンに対し、銅張積層板１００の寸法変化が与える影響をわかりやすく表現できる。また、近似直線のグラフを作成することによって、ＦＰＣサイズに応じて、被試験体である銅張積層板１００から作成される配線の位置ずれの大きさや面内のばらつきを可視化して表現できる。

なお、上記工程（６）において得られた寸法変化量Δを累積した後、累積寸法変化量を銅張積層板１００から形成する予定のＦＰＣにおけるＬ／Ｓの配線パターンにおける配線幅／配線間隔のスケールに換算し、累積換算寸法変化量を求めることもできる。例えば、それぞれの間隔における寸法変化量Δを累積し、累積寸法変化量Σを得る。この累積寸法変化量Σは、次の式によって算出することができる。

Σ＝Δ_１＋Δ_２＋Δ_３＋・・・＋Δ_i＝Σ_i=1 ⁱΔ_ｉ

上記式において、記号Σ_i=1 ⁱは、１からｉまでの総和を表す。また、寸法変化量Δは、エッチング後における第ｎ番目の孔３０と第ｎ−１番目の孔３０との距離Ｌ１から、エッチング前における第ｎ番目の孔３０と第ｎ−１番目の孔３０との距離Ｌ０を差し引いた値を表す（ここで、ｎは２以上の整数である）。Δ_１は、第１番目の間隔の長さ（隣り合う２つの孔３０間の距離）の寸法変化量であり、Δ_ｉは、第ｉ番目（ｉは正の整数を意味する）の間隔の長さの寸法変化量である。

累積寸法変化量Σは、銅張積層板１００のＭＤ方向、ＴＤ方向のいずれか片方、好ましくは両方について求めることができる。累積寸法変化量Σの大小によって、銅張積層板１００のＭＤ方向、ＴＤ方向の寸法安定性を評価できる。また、累積寸法変化量Σの実測値に基づき、スケールアップした近似直線が得られる。

以上のように、本評価方法によれば、工程（１）〜（７）によって、銅張積層板１００の寸法変化を、面内でのばらつきを含めて高精度に評価することが可能になる。また、銅張積層板１００から多数個採りを行う場合であっても、ＦＰＣへの加工領域毎に、個別に寸法安定性を評価することが可能になる。

＜銅張積層板の製造＞
本実施の形態の銅張積層板は、例えば、第１の銅箔の表面にポリイミド前駆体樹脂溶液（ポリアミド酸溶液ともいう。）を塗工し、次いで、乾燥、硬化させる熱処理工程を経て製造することができる。熱処理工程における熱処理は、塗工されたポリアミド酸溶液を１６０℃未満の温度でポリアミド酸中の溶媒を乾燥除去した後、更に、１５０℃から４００℃の温度範囲で段階的に昇温し、硬化させることで行なわれる。このようにして得られた片面銅張積層板を両面銅張積層板とするには、前記片面銅張積層板と、これとは別に準備した銅箔（第２の銅箔）とを３００〜４００℃にて熱圧着する方法が挙げられる。

＜ＦＰＣ＞
本実施の形態の銅張積層板は、主にＦＰＣ材料として有用である。すなわち、本実施の形態の銅張積層板の銅箔を常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるＦＰＣを製造できる。

（合成例１）
熱電対及び攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、N,N−ジメチルアセトアミドを入れ、この反応容器に2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(ＢＡＰＰ)を投入して容器中で撹拌しながら溶解させた。次に、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）をモノマーの投入総量が１２ｗｔ％となるように投入した。その後、３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸ａの樹脂溶液を得た。ポリアミド酸ａから形成された厚み２５μｍのポリイミドフィルムの熱膨張係数（ＣＴＥ）は、５５×１０^−６／Ｋであった。

（合成例２）
熱電対及び攪拌機を備えると共に窒素導入が可能な反応容器に、N,N−ジメチルアセトアミドを入れ、この反応容器に2,2'−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル（ｍ-ＴＢ）を投入して容器中で攪拌しながら溶解させた。次に、3,3',4,4'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ＢＰＤＡ）およびピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）をモノマーの投入総量が１５ｗｔ％、各酸無水物のモル比率（ＢＰＤＡ：ＰＭＤＡ）が２０：８０となるように投入した。その後、３時間撹拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸ｂの樹脂溶液を得た。ポリアミド酸ｂから形成された厚み２５μｍのポリイミドフィルムの熱膨張係数（ＣＴＥ）は、２２×１０^−６／Ｋであった。

（実施例）
＜フレキシブル銅張積層板の製造＞
長尺の銅箔（例えば、ＪＸ日鉱日石金属株式会社製 ＧＨＹ５−９３Ｆ−ＨＡ−Ｖ２箔）の表面に、合成例１で調製したポリイミド前駆体であるポリアミド酸ａの樹脂溶液（ポリアミド酸溶液ともいう）を塗工・乾燥させた。次いで、合成例２、合成例１でそれぞれ調製したポリアミド酸ｂ、ポリアミド酸ａの樹脂溶液を順次同様に塗工・乾燥させた後に硬化させる熱処理工程を経て、２５μｍ厚みのポリイミド層を形成させた。熱処理工程における熱処理は、塗工されたポリアミド酸溶液を１６０℃未満の温度でポリアミド酸中の溶媒を乾燥除去した後、更に、１５０℃から４００℃の温度範囲で段階的に昇温し、硬化させることで行なった。この過程で、片面銅張積層板にコルゲーションの発生は観察されなかった。このようにして得られた片面銅張積層板と、これとは別に準備した銅箔とを３００〜４００℃にて熱圧着することによって、両面銅張積層板を作製した。

得られた両面銅張積層板から、評価用サンプルの材料として、銅張積層板１（端幅；２５０ｍｍ）を準備した。
銅張積層板１：
長尺状、実施例の方法で製造した両面銅張積層板、絶縁層の厚さ；２５μｍ、絶縁層のＣＴＥ；１７ｐｐｍ／Ｋ、第１の銅箔層；ＪＸ日鉱日石金属株式会社製ＧＨＹ５−９３Ｆ−ＨＡ−Ｖ２箔、第１の銅箔層の厚さ；１２μｍ、第１の銅箔層のＣＴＥ；１７ｐｐｍ、第１の銅箔層の引張弾性率１８ＧＰａ、第１の銅箔層の厚さと引張弾性率との積；２１６。

（比較例）
評価用サンプルの材料として、銅張積層板２（端幅；２５０ｍｍ）を準備した。
銅張積層板２：
長尺状、汎用ラミネート材、絶縁層の厚さ；２５μｍ、銅箔層；ＪＸ日鉱日石金属株式会社製ＢＨＹ−８２Ｆ−ＨＡ箔、銅箔層の厚さ；１２μｍ、ラミネート法によりポリイミドフィルム（カネカ社製、商品名；ピクシオ）の両面に銅箔を熱圧着したもの。銅箔層の引張弾性率１４ＧＰａ、銅箔層の厚さと引張弾性率との積；１６８。

＜評価用サンプルの調製＞
上記の銅張積層板１又は２をＭＤ方向に長さ２５０ｍｍに切断し、ＭＤ：２５０ｍｍ×ＴＤ：２５０ｍｍとした。図６に示したとおり、切断後の銅張積層板におけるＭＤ：２００ｍｍ×ＴＤ：２００ｍｍの範囲に仮想の正四角形を想定した。この仮想の正四角形のＴＤ方向の一辺を共有する２つの角部を１つずつ含む左右２つのコーナー領域（Ｌｅｆｔ及びＲｉｇｈｔ）並びに仮想の正四角形の中心を含む中央領域（Ｃｅｎｔｅｒ）のそれぞれにおいて、ＭＤ及びＴＤ方向に２．５ｍｍ間隔で連続して２１個の孔あけ加工を行って、評価用サンプルを調製した。なお、孔あけ加工は、０．１０５ｍｍ径のドリルを用いた。

＜寸法安定性の評価＞
非接触ＣＮＣ画像測定機（Ｍｉｔｕｔｏｙｏ社製、商品名；クイックビジョン ＱＶ−Ｘ４０４ＰＩＬ−Ｃ）を使用して、評価用サンプルにおける両面の銅箔層の全部をエッチングして除去した前後における各孔の位置を測定した。測定値からエッチング前後における隣り合う２孔間距離の寸法変化量及び累積寸法変化量を算出した。

長尺状の銅張積層板１及び２を準備し、図７に示すように、評価用サンプル１、２を調製した。評価用サンプル１、２のそれぞれについて、Ｃｅｎｔｅｒ、Ｌｅｆｔ、及びＲｉｇｈｔにおけるエッチング前後の各孔の位置を測定した。測定値からエッチング前後における隣り合う２孔間の距離の寸法変化量及びそれらの合計（２０ケ所）の累積寸法変化量を算出した。

銅張積層板１における評価結果をもとに、ＭＤ方向の累積寸法変化量とばらつきを表１に示し、図８には、ＦＰＣサイズと配線位置ずれ率との関係を示した。同様に銅張積層板２における評価結果をもとに、ＭＤの累積寸法変化量と、そのばらつきを表２に示し、図９にはＦＰＣサイズと配線位置ずれ率との関係を示した。なお、表１及び表２並びに図８及び図９では、Ｌｅｆｔ、Ｃｅｎｔｅｒ、Ｒｉｇｈｔにおける累積寸法変化率と累積寸法変化量を想定ＦＰＣサイズ１０ｍｍに換算した累積換算寸法変化量で示しており、Ｌｅｆｔ、Ｃｅｎｔｅｒ、Ｒｉｇｈｔの全範囲におけるばらつきも示している。表中の「範囲」の数値は、中央値±上下範囲を意味する。

これらの結果より、銅張積層板１及び銅張積層板２を材料として形成した回路配線基板（Ｌ／Ｓ＝０．０２５ｍｍ／０．００２５ｍｍ）について、配線の位置ずれ率及び試験片の面内での寸法変化率のばらつきが評価できることを確認すると共に、実施例の銅張積層板１における各ＦＰＣサイズでの配線位置ずれ率のばらつきが、比較例の銅張積層板２におけるものと比較して、小さいことが確認出来た。

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。

１０…試験片、２０…仮想の正四角形、２０ａ…中心、２０ｂ…角部、２１…中心領域、２３ａ，２３ｂ…コーナー領域、３０…孔、１００…銅張積層板

Claims (5)

1. ポリイミド絶縁層と、該ポリイミド絶縁層の片側の面に積層して設けられた第１の銅箔層とを備えた銅張積層板であって、
   前記ポリイミド絶縁層の熱膨張係数が１０ｐｐｍ／Ｋ以上３０ｐｐｍ／Ｋ以下の範囲内であり、
   前記第１の銅箔層は、厚みが１３μｍ以下であり、かつ、厚み（μｍ）と引張弾性率（ＧＰａ）との積が１８０〜２５０の範囲内の圧延銅箔からなることを特徴とする銅張積層板。
2. 前記ポリイミド絶縁層が、前記第１の銅箔層に、ポリイミドの前駆体溶液を塗布して乾燥した後、イミド化することによって形成されたものである請求項１に記載の銅張積層板。
3. 更に、前記ポリイミド絶縁層における前記第１の銅箔層とは反対側の面に積層された第２の銅箔層を備えている請求項１又は２に記載の銅張積層板。
4. 下記の工程（１）〜（７）；
   （１）長尺な前記銅張積層板を、所定の長さに切断して試験片を準備する工程、
   （２）前記銅張積層板の長手方向をＭＤ方向、幅方向をＴＤ方向としたとき、前記試験片において前記ＭＤ方向及び前記ＴＤ方向と平行な辺を有する仮想の正四角形を想定し、前記仮想の正四角形の中心を含む中心領域と、前記仮想の正四角形における前記ＴＤ方向の一辺を共有する２つの角部の１つずつを含む２つのコーナー領域とに、それぞれ、直線状の配列を含む複数のマークを形成する工程、
   （３）前記複数のマークの位置を計測し、隣接するマークとマークの間の距離Ｌ０を算出する第１の計測工程、
   （４）前記試験片の前記銅層の一部分又は全部をエッチングする工程、
   （５）エッチング後に、前記複数のマークの位置を計測し、隣接するマークとマークの間の距離Ｌ１を算出する第２の計測工程、
   （６）前記エッチングの前後で同じ２つのマークについて、前記第１の計測工程で得られた距離Ｌ０と、前記第２の計測工程で得られた距離Ｌ１との差分Ｌ１−Ｌ０を算出する工程、及び、
   （７）前記差分Ｌ１−Ｌ０を、前記銅張積層板から形成する回路基板における配線パターンのスケールに換算して累積換算寸法変化量を求め、得られた累積換算寸法変化量を、前記配線パターンの配線幅と配線間隔との和に対する比率で表す工程、
   を含む試験方法によって得られる、１０ｍｍの回路基板サイズにおける配線パターンの配線幅と配線間隔との和に対する累積換算寸法変化量の比率の、前記試験片における面内のばらつきが２％以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の銅張積層板。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の銅張積層板の銅箔を配線回路加工してなる回路基板。

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