JP2016051949A5 - - Google Patents

Description

本発明に係る固体撮像装置は、各々が信号を出力する増幅トランジスタを備える複数の画素が複数行および複数列の２次元に配置されるとともに、ｎ（ｎは１以上の自然数）個の前記増幅トランジスタの出力が混合されるｎ行の第１領域、およびｍ（ｍ＞ｎ）個の前記増幅トランジスタの出力が混合されるｍ行の第２領域を含む画素領域と、前記増幅トランジスタからの電圧が出力される列信号線と、前記列信号線における電圧をクリップするとともに、前記第２領域よりも前記第１領域に近い位置に配置されたクリップ回路と、を有する。
本発明に係る他の固体撮像装置は、各々が信号を出力する増幅トランジスタを備える複数の画素が複数行および複数列の２次元に配置されるとともに、オンである期間が重なるｎ（ｎは１以上の自然数）個の前記増幅トランジスタからの信号が出力されるｎ行の第１領域、およびオンである期間が重なるｍ（ｍ＞ｎ）個の前記増幅トランジスタからの信号が出力されるｍ行の第２領域を含む画素領域と、前記増幅トランジスタからの電圧が出力される列信号線と、前記列信号線における電圧をクリップするとともに、前記第２領域よりも前記第１領域に近い位置に配置されたクリップ回路と、を有する。

Claims (10)

1. 各々が信号を出力する増幅トランジスタを備える複数の画素が複数行および複数列の２次元に配置されるとともに、ｎ（ｎは１以上の自然数）個の前記増幅トランジスタの出力が混合されるｎ行の第１領域、およびｍ（ｍ＞ｎ）個の前記増幅トランジスタの出力が混合されるｍ行の第２領域を含む画素領域と、
   前記増幅トランジスタからの電圧が出力される列信号線と、
   前記列信号線における電圧をクリップするとともに、前記第２領域よりも前記第１領域に近い位置に配置されたクリップ回路と、
   を有する固体撮像装置。
2. 各々が信号を出力する増幅トランジスタを備える複数の画素が複数行および複数列の２次元に配置されるとともに、オンである期間が重なるｎ（ｎは１以上の自然数）個の前記増幅トランジスタからの信号が出力されるｎ行の第１領域、およびオンである期間が重なるｍ（ｍ＞ｎ）個の前記増幅トランジスタからの信号が出力されるｍ行の第２領域を含む画素領域と、
   前記増幅トランジスタからの電圧が出力される列信号線と、
   前記列信号線における電圧をクリップするとともに、前記第２領域よりも前記第１領域に近い位置に配置されたクリップ回路と、
   を有する固体撮像装置。
3. 前記増幅トランジスタの負荷となる列電流源をさらに備え、
   前記列信号線に、前記列電流源、前記クリップ回路、前記第１領域、前記第２領域が順に配置された請求項１または２に記載の固体撮像装置。
4. 前記第１領域は、前記複数の画素の一部である複数のオプティカル・ブラック画素が複数行に亘って配されたオプティカル・ブラック画素領域に設定され、前記第２領域は前記複数の画素の一部である複数の開口画素が複数行に亘って配された開口画素領域に設定される請求項３に記載の固体撮像装置。
5. 前記増幅トランジスタは、ｎ型ＭＯＳトランジスタであり、前記増幅トランジスタのソースの電流は、前記列信号線を介して前記列電流源に流れる、請求項３または４に記載の固体撮像装置。
6. 前記増幅トランジスタは、ｐ型ＭＯＳトランジスタであり、前記列電流源からの電流は、前記列信号線を介して前記増幅トランジスタのソースに流れる請求項３乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
7. 前記列信号線は第１列信号線および第２列信号線を含み、第１列信号線には、前記列電流源、前記クリップ回路、前記第１領域、前記第２領域が順に配置され、第２列信号線には、前記クリップ回路、前記第１領域、前記第２領域、前記列電流源が順に配置された請求項３乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
8. 前記画素は光電変換により得られた電荷を蓄積する浮遊拡散容量を有し、前記クリップ回路はリセットされた前記浮遊拡散容量の電圧に基づく前記列信号線の電圧をクリップする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
9. 複数の前記浮遊拡散容量における電荷を混合する接続トランジスタをさらに備える請求項８に記載の固体撮像装置。
10. 請求項１乃至９のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
    前記固体撮像装置から出力された信号を処理する信号処理部とを有する撮像システム。