JP2016051883A - 半導体発光素子および光結合装置 - Google Patents
半導体発光素子および光結合装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016051883A JP2016051883A JP2014178207A JP2014178207A JP2016051883A JP 2016051883 A JP2016051883 A JP 2016051883A JP 2014178207 A JP2014178207 A JP 2014178207A JP 2014178207 A JP2014178207 A JP 2014178207A JP 2016051883 A JP2016051883 A JP 2016051883A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- semiconductor light
- semiconductor
- optical coupling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 42
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 37
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 24
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 19
- 230000035755 proliferation Effects 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 33
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 16
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 210000001787 dendrite Anatomy 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical class O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/165—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the semiconductor sensitive to radiation being characterised by at least one potential-jump or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
Abstract
【課題】結晶欠陥の増殖が抑制された半導体発光素子および光結合装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、Ｉｎｘ（Ｇａ１−ｙＡｌｙ）１−ｘＡｓ（但し、０＜ｘ≦０．２、０＜ｙ＜１）からなるｎ層（ｎ：１以上１０以下の整数）の井戸層と、前記井戸層と交互に積層されたＧａ１−ｚＡｌｚＡｓ（但し、０＜ｚ＜１）からなる（ｎ＋１）層の障壁層と、を含む歪量子井戸構造を含む発光層を有する半導体積層体を備え、前記発光層は、７００ｎｍ以上かつ８７０ｎｍ以下のピーク波長を有する光を放出する。
【選択図】図３
【解決手段】半導体発光素子は、Ｉｎｘ（Ｇａ１−ｙＡｌｙ）１−ｘＡｓ（但し、０＜ｘ≦０．２、０＜ｙ＜１）からなるｎ層（ｎ：１以上１０以下の整数）の井戸層と、前記井戸層と交互に積層されたＧａ１−ｚＡｌｚＡｓ（但し、０＜ｚ＜１）からなる（ｎ＋１）層の障壁層と、を含む歪量子井戸構造を含む発光層を有する半導体積層体を備え、前記発光層は、７００ｎｍ以上かつ８７０ｎｍ以下のピーク波長を有する光を放出する。
【選択図】図３
Description
本発明の実施形態は、半導体発光素子および光結合装置に関する。
光結合装置は、赤色光〜赤外光の波長の光信号を半導体発光素子から放出し、シリコン（Ｓｉ）フォトダイオードなどの受光素子により電気信号に変換して出力する。このため、入力端子と、出力端子と、が電気的に絶縁された状態で信号を伝送することが可能である。
光結合装置は、産業機器や通信機器などにおいてその用途が益々拡大している。
赤色光〜赤外光は、ＡｌＧａＡｓやＩｎＧａＡｌＰなどからなる発光層から放出される。Ａｌを含むこれらの材料からなる発光層において、機械的に導入された微小結晶欠陥やエピタキシャル成長時に導入されたヘテロ界面での微小点欠陥等がデバイス動作時のストレスにより、非発光中心となる。非発光中心は、光吸収を生じたり再結合中心となり結晶欠陥の増殖や伝播を生じ光出力の低下を生じることがある。
赤色光〜赤外光を発光するＡｌＧａＡｓ系発光層における結晶欠陥の増殖や伝播が抑制された半導体発光素子、および光結合装置を提供する。
実施形態の半導体発光素子は、ＡｌＧａＡｓ系にＩｎを微量添加したＩｎｘ（Ｇａ１−ｙＡｌｙ）１−ｘＡｓ（但し、０＜ｘ≦０．２、０＜ｙ＜１）からなるｎ層（ｎ：１以上１０以下の整数）の井戸層と、前記井戸層と交互に積層されたＧａ１−ｚＡｌｚＡｓ（但し、０＜ｚ＜１）からなる（ｎ＋１）層の障壁層と、を含む歪量子井戸構造を含む発光層を有する半導体積層体を備え、前記発光層は、７００ｎｍ以上かつ８７０ｎｍ以下のピーク波長を有する光を放出する。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を説明する。
図１（ａ）は第１の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。
半導体発光素子５０は、半導体基板３７と、半導体基板３７上に設けられ発光層２５を含む半導体積層体４０と、第１電極２０と、第２電極４２と、を有する。
図１（ａ）は第１の実施形態にかかる半導体発光素子の模式平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。
半導体発光素子５０は、半導体基板３７と、半導体基板３７上に設けられ発光層２５を含む半導体積層体４０と、第１電極２０と、第２電極４２と、を有する。
第１電極２０は、円形状のパッド部２０ａを含む。また、第１電極２０は、チップの対角線の方向に線状の突起部２０ｂをさらに含むことができる。このようにすると、平面視において、発光層２５の広い領域で発光させ、光出力を高めることができる。
半導体基板３７の裏面には第２電極４２が設けられる。
なお、半導体基板３７の結晶成長面は、低次の結晶面から、たとえば、３〜２０度傾斜した面とすることができる。傾斜基板を用いると、半導体積層体４０への不純物ドーピング効率を高めることが容易となり光学的特性などを高めることができる。
チップサイズの横方向の辺の長さＬ１および縦方向の辺の長さＬ２は、それぞれ１５０〜２５０μｍなどとすることができる。また、チップの高さＨは、１００〜１７０μｍなどとすることができる。このアスペクト比（Ｈ／Ｌ）はスクライブ法による素子分離を行った場合であり、ダイシング法を用いた場合は、チップの機械的強度を保証する限りにおいてさらに５０μｍなどとすることができる。
図２（ａ）は半導体積層体のＥ部を拡大した模式断面図、図２（ｂ）は歪量子井戸構造のバンド図、である。
半導体積層体４０は、発光層２５を有する。また発光層２５は、ｎ（ｎ：１以上の整数）層の井戸層２６と井戸層２６と交互に積層された（ｎ＋１）層の障壁層２７とからなる量子井戸構造を含む。発光層２５から放出される放出光は、７００〜８７０ｎｍの範囲のピーク波長を有するものとする。
半導体積層体４０は、発光層２５を有する。また発光層２５は、ｎ（ｎ：１以上の整数）層の井戸層２６と井戸層２６と交互に積層された（ｎ＋１）層の障壁層２７とからなる量子井戸構造を含む。発光層２５から放出される放出光は、７００〜８７０ｎｍの範囲のピーク波長を有するものとする。
また、半導体基板３７は、たとえば、ｎ形ＧａＡｓからなるものとし、ドナー濃度は、１×１０１８ｃｍ−３とする。半導体積層体４０は、半導体基板３７の側から、バッファ層３６、反射層３５、ｎ形クラッド層３３、発光層２５、ｐ形クラッド層２３、ｐ形電流拡散層２２、およびｐ形コンタクト層２１を有する。半導体積層体４０は、たとえば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemicaｌ Vapor Deposition)法やＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy)法を用いて形成することができる。
バッファ層３６は、ＧａＡｓなどからなり、厚さを０．５μｍ、ドナー濃度を５×１０１７ｃｍ−３とすることができる。反射層３５は、Ｉｎ０．５Ａｌ０．５ＰとＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓとを２０ペア積層したブラッグ反射器などとすることができる。反射層３５を設けると、下方に向かう放出光を上方の光出射面の側に反射することにより、光取出し効率を高めることができる。
ｎ形クラッド層３３は、Ｉｎ０．５（Ｇａ０．４Ａｌ０．６）０．５Ｐなどからなり、厚さ０．６μｍ、ドナー濃度１×１０１８ｃｍ−３などとすることができる。ｐ形クラッド層２３は、Ｉｎ０．５（Ｇａ０．４Ａｌ０．６）０．５Ｐなどからなり、厚さ０．６μｍ、アクセプタ濃度８×１０１７ｃｍ−３などとすることができる。
また、ｐ形電流拡散層２２は、Ａｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなり、厚さ２．５μｍ、アクセプタ濃度２×１０１８ｃｍ−３などとすることができる。ｐ形コンタクト層２１は、ＧａＡｓからなり、厚さを０．０１μｍ、アクセプタ濃度を２×１０１８ｃｍ−３などとすることができる。なお、それぞれの層の導電形は、それぞれ反対導電形であってもよく、材料・不純物濃度・厚さは、これらに限定されない。
また、発光層２５は、井戸層２６と障壁層２７とを有する。井戸層２６は、ｌｎｘ（Ｇａ１−ｙＡｌｙ）１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦０．２、０＜ｙ＜１）からなり、ノンドープとし、１層の厚さは１１ｎｍ以下などとする。また障壁層２７は、ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）からなり、ノンドープとし、１層の厚さは１０ｎｍより大きく５０ｎｍ以下などとする。
図２（ｂ）は、井戸層２６の層数ｎが２つ、井戸層２６を挟む障壁層２７の層数（ｎ＋１）が３つ、の歪量子井戸構造のバンド図を表す。伝導帯９２および価電子帯９３は、擬フェルミレベル９０を合わせるように表されている。２つの井戸層２６ａ、２６ｂには、電子およびホールがそれぞれ蓄積される。障壁層２７ａ、２７ｂ、２７ｃの厚さＴｂ１、Ｔｂ２、Ｔｂ３が小さいと、量子効率が高くなるが、ｐ形クラッド層２３とｎ形クラッド層３３との間の薄い領域にキャリアが蓄積されるので接合容量が大きくなる。
他方、障壁層２７ａ、２７ｂ、２７ｃの厚さＴｂ１、Ｔｂ２、Ｔｂ３が大きいと、キャリアはｐ形クラッド層２３とｎ形クラッド層３３との間の厚い領域に蓄積されるので接合容量が小さくなる。
図３は、図２（ｂ）に示した構造において、障壁層のＡｌ組成比を０．５として、井戸層のＩｎ組成比に対する臨界膜厚依存性の計算結果の一例を表すグラフ図である。
縦軸は臨界膜厚ｈｃ（ｎｍ）、横軸はＩｎ組成比（％）、である。井戸層２６の格子定数と障壁層２７の格子定数とが不整合であっても、それぞれの層が薄いので、その弾性限界範囲内で歪むことにより臨界膜厚以下であれば、格子整合条件に制約されずに結晶性が良好に保たれる。但し、ｘ＞０．２となると、図２（ｂ）に示した構造において、エピタキシャル成長温度と室温との温度差がもたらすそれぞれの材料の線膨張係数差による圧縮または引っ張り応力と、それぞれの層厚とが弾性限界を越える。このため、井戸層２６のＩｎ組成比ｘを０．２、膜厚を５ｎｍにした場合、クロスハッチが入り、結晶性が低下し、計算結果と実際の複数のヘテロエピタキシャル成長での結晶性低下はほほ一致し、臨界膜厚を超えるような構造は著しく結晶性が低下するので好ましくないことが判明した。
縦軸は臨界膜厚ｈｃ（ｎｍ）、横軸はＩｎ組成比（％）、である。井戸層２６の格子定数と障壁層２７の格子定数とが不整合であっても、それぞれの層が薄いので、その弾性限界範囲内で歪むことにより臨界膜厚以下であれば、格子整合条件に制約されずに結晶性が良好に保たれる。但し、ｘ＞０．２となると、図２（ｂ）に示した構造において、エピタキシャル成長温度と室温との温度差がもたらすそれぞれの材料の線膨張係数差による圧縮または引っ張り応力と、それぞれの層厚とが弾性限界を越える。このため、井戸層２６のＩｎ組成比ｘを０．２、膜厚を５ｎｍにした場合、クロスハッチが入り、結晶性が低下し、計算結果と実際の複数のヘテロエピタキシャル成長での結晶性低下はほほ一致し、臨界膜厚を超えるような構造は著しく結晶性が低下するので好ましくないことが判明した。
すなわち、Ｉｎ組成比ｘの増加に従って、臨界膜厚ｈｃが減少し井戸層２６の厚さ上限値が制限される。なお、障壁層２７をＡｌｚＧａ１−ｚＡｓ（０＜ｚ＜１）とする場合、障壁層２７よりも井戸層２６の方が格子定数が大きい。このため、井戸層２６は、その成長面に沿って圧縮応力を受け、障壁層２７はその成長面に沿って引っ張り応力を受ける。臨界膜厚ｈｃ（マーク◆）は、式（１）のMathewsの式から算出した。
たとえば、Ｉｎ組成比ｘが０．２のとき、臨界膜厚ｈｃは略５ｎｍとなり、井戸層２６の厚さＴｗ１、Ｔｗ２を５ｎｍ以下にすることができる。また、Ｉｎ組成比ｘを０．１とすると、臨界膜厚ｈｃは、略１１ｎｍとなり、井戸層２６の厚さＴｗ１、Ｔｗ２を１１ｎｍ以下にすることができる。Ｉｎ組成比ｘの増大に応じて格子定数が大きくなるため、それに応じて格子緩和すると考えられる臨界膜厚ｈｃが減少する。しかしながら、実際、複数層のヘテロエピタキシャル成長膜の場合、計算値と実際のデバイス構造での良好な結晶条件には誤差があり、臨界膜厚ｈｃの１／２程度の膜厚でないと良好な結晶性が得られない。すなわち、Ｉｎ組成比ｘが０．１のとき、臨界膜厚は略５ｎｍ程度とする必要があった。また更に、Ｉｎ組成が０の場合、臨界膜厚は２００ｎｍと計算され、現実的に可能な１００ｎｍよりさらに薄い、５ｎｍの井戸層の厚さでも通電により結晶欠陥の増殖、伝播によるデバイスの劣化、つまり信頼性の低下問題がみられた。
次に、半導体発光素子の長期信頼性と量子井戸構造の歪との関係を説明する。
図４（ａ）は本実施形態の光結合装置の応用例の構成図、図４（ｂ）は光結合装置の負荷に流れる電流波形図、図４（ｃ）は発光素子の駆動パルスの電流波形図、である。
図４（ａ）に表す光結合装置５は、発光部５ａと、受光部５ｂと、を有する。発光部５ａは、第１の実施形態にかかる発光素子５０を含むものとする。受光部５ｂは，受光素子６０と、制御回路６２と、コモン・ソース接続されたＮチャネルＭＯＳＦＥＴ７０と、を有する。
光結合装置５は、たとえば、交流電源８０と、負荷８２と、に接続される。交流電源８０の周波数ｆ１は、たとえば、１００ｋＨｚなどとする。発光素子５０がオンとなり、その放出光により、受光素子６０が光起電力を生じる。出力端子３１がプラスの期間、電流は、光結合装置５の出力端子３１からＭＯＳＦＥＴ７０を経由して、出力端子３２から負荷８２、交流電源の向きに流れる。出力端子３１がマイナスの期間、電流は反対方向に流れる。このため、負荷８２には、図４（ｂ）に表すように、周波数がｆ１の交流電流が流れる。すなわち、光結合装置５は、駆動信号に応じて発光素子５０をオンまたはオフに切り替え、交流負荷電流をオンまたはオフに切り替えるフォトリレーとして動作する。
なお、光結合装置５の受光部５ｂは、少なくとも受光素子６０を有していればよい。半導体受光素子は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓなどからなるフォトダイオード、フォトトランジスタ、受光ＩＣなどとすることができ、入力電気信号に対応した光電流を出力する。
高速デジタル信号を送受信する光データリンクなどにおいて、パルスの繰り返し周波数が、たとえば、５〜５０ＭＨｚであると、その周期は、０．０２〜０．２μｓなどと短い。他方、光結合装置５をメカリレーの代わりに半導体用高速テスターなどに応用する場合、図４（ｃ）に表すように、発光素子５０を駆動するパルスの繰り返し周波数が、たとえば、１〜１０ｋＨｚであると、その周期Ｔは、０．１〜１ｍｓなどと長くなる。すなわち、発光素子５０がオンしている時間が十分に長くなる。この場合、発光素子５０は、長い周期Ｔのパルス駆動においても、長時間動作で光出力の低下を生じないことが要求される。このため、発光素子５０の発光層２５は、第１の実施形態で説明した歪量子井戸構造を有する発光素子とする。
図５（ａ）〜（ｆ）は、光結合装置の高温高湿動作試験の結果を表すグラフ図である。すなわち、図５（ａ）はｘ＝０における直流通電時間に対する順方向電圧依存性、図５（ｂ）はｘ＝０における光結合効率依存性、図５（ｃ）はｘ＝０．０４における直流通電時間に対する順方向電圧依存性、図５（ｄ）はｘ＝０．０４における光結合効率依存性、図５（ｅ）はｘ＝０．０８における直流通電時間に対する順方向電圧依存性、図５（ｆ）はｘ＝０．０８における光結合効率依存性、を表す。なお、素子の障壁層の厚さを１５ｎｍ、Ａｌ組成比ｚを０．５、井戸層２６の厚さを５ｎｍ、とし、Ｉｎ組成比ｘを変化した時の試験結果である。
また、図５（ａ）、（ｃ）、（ｄ）において、縦軸は発光素子の順方向電流が１０ｍＡにおける順方向電圧（Ｖ）、横軸は時間（ｈ）、である。また、図５（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）において、縦軸は光結合効率の変動率、横軸は時間（ｈ）、である。
高温高湿動作試験は、温度を８５℃、湿度を８５％、発光素子５０の動作電流を１０ｍＡとして、直流通電する。
発光素子５０は、劈開などで端面（図１にＳ１で表す）に生じた転位などの結晶欠陥を含んでいる。０．５ｍｓ以上の長い周期のパルスで動作を続けると、非発光再結合で生じたエネルギーが格子振動などに使われ、もともと存在した転位がさらに増殖しやすくなる。特に高温で直流動作させると、結晶欠陥が連鎖的に増殖する。このため、端面劣化などを生じ、光出力が低下しやすい。
図５（ａ）、（ｂ）において、発光素子の井戸層はＩｎを含まず、Ｇａ０．９４Ａｌ０．０６Ａｓからなり、１つの井戸層の厚さは５ｎｍとする。また、障壁層は、Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓからなり、その厚さは１５ｎｍとする。通電時間が１５００時間を越えると、順方向電圧ＶＦが突発的に低下する（すなわち、結晶欠陥の増殖により光出力が低下する）発光素子が生じ、光結合効率が突発的に低下し生じ始める。この場合、ＧａＡｓに対する井戸層の格子不整合率は、略０．０００１と小さいにもかかわらず、光結合効率は突発的に低下する。すなわち、Ｉｎ組成ｘが０で臨界膜厚が実効的に１００ｎｍより薄い５ｎｍであっても、結晶欠陥の増殖、伝播が起こり、急速な信頼性低下が起きる。素子を解析すると、素子端部のスクライブ痕から結晶欠陥がチップ内部にデンドライクに伝播し、結晶方位に沿って素子端に突き抜ける、結晶欠陥が見られる。その結晶欠陥は発光層の井戸層を中心に伝播している様子が観察された。同じく、ボールボンディング時のダメージに起因した表面圧痕下からの同様な結晶欠陥の導入と伝播も同じく観察された。
他方、図５（ｃ）、（ｄ）において、発光素子５０の井戸層２６は、Ｉｎ０．０４（Ｇａ０．９４Ａｌ０．０６）０．９６Ａｓからなり、その厚さは５ｎｍとする。また、障壁層は、Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓからなり、その厚さは１５ｎｍとする。このとき、直流通電時間が４０５６時間になっても、順方向電圧ＶＦが突発的に低下する発光素子５０は生じず、光結合効率の低下も小さい。たとえば、図５（ｄ）において、光結合効率の変動率は、直流通電時間が４０００時間において、０とマイナス８％の間にとどまっている。
また、図５（ｅ）、（ｆ）において、発光素子５０の井戸層２６は、Ｉｎ０．０８（Ｇａ０．９４Ａｌ０．０６）０．９２Ａｓからなり、その厚さは５ｎｍとする。また、障壁層は、Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓからなり、その厚さは１５ｎｍとする。このとき、通電時間が４０５６時間になっても、順方向電圧が突発的に低下する発光素子を生じず、光結合効率の低下も小さい。たとえば、図５（ｆ）において、光結合効率の変動率は、直流通電時間が４０００時間において、０とマイナス６％の間にとどまっている。
すなわち、Ｉｎ組成比ｘを、０よりも大きくかつ０．２以下とすることにより、発光素子５０の突発劣化を抑制し、光結合装置５の光結合効率の低下を抑制できている。ＡｌＧａＡｓ系井戸層に、微量のＩｎを添加することにより、結晶欠陥の導入と伝播が抑制され、その範囲はＩｎ組成比ｘの増加による格子定数の増加に対する臨界膜厚を超えない膜厚で良好な素子特性が得られることが判明した。その臨界膜厚は一般的な計算される臨界膜厚ｈｃ以下であり、その１／２を超えないことで良好なデバイス特性を得られることが分かった。また、ＭＯＣＶＤ法ではＩｎ組成比の制御は、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）のガス流を増すフローによって制御しているが、その制御性は、コンマ数％であり総層流量に対するＴＭＩ流量が少ないことから実質、２〜４％の組成制御が現実的である。したがって、Ｉｎ組成比ｘを、０．０２以上とすると、結晶成長におけるＩｎ組成比ｘを安定に制御でき発光素子の歩留まりを安定化できるのでより好ましい。
つまり、Ｉｎｘ（Ｇａ１−ｙＡｌｙ）１−ｘＡｓ混晶をＭＯＣＶＤ法を用いて結晶成長する場合、たとえば、水素ガスを粉末または粒状の高温ＴＭＩ内に通過させてその飽和水蒸気に応じた濃度でガス化（昇華）する。この場合、ガス流量を制御するマスフローコントローラーの制御精度および他のＭＯガスおよび適正なIII／Ｖ族比を得るために流すＴＭＩの流量比がきわめて小さく限界がある。このため、Ｉｎ組成比ｘの下限値は０．０２とすることが好ましい。
このように、図５（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は、井戸層２６に圧縮応力を、かつ障壁層２７に引っ張り応力を適正に加え、ＡｌとＧａの中にＩｎを添加することにより物性値が変わり、Ｉｎ原子が結晶欠陥の伝播をピニングすることにより結晶欠陥の増殖が抑制され、光出力の低下が抑制されることを表すと考えられる。
また、この場合、井戸層２６に圧縮歪を導入することにより、ホールの有効質量が低減されホール注入を均一にすることが容易となる。また、電子のキャリア閉じ込めポテンシャルを高く、かつホールの閉じ込めポテンシャルを低くできる。このため、電子のオーバーフローを抑制することが容易となる。この結果、たとえば、非発光再結合が抑制され、格子振動エネルギーが減少し、結晶欠陥の増殖が抑制されるなどの効果を生じるものと考えられる。
図６は、７７０ｎｍの波長の光を放出可能な井戸層のＩｎ組成比とＡｌ組成比との関係を表すグラフ図である。
縦軸はＡｌ組成比ｙ、横軸はＩｎ組成比ｘ、である。なお、井戸層２６は、その厚さＴｗ１、Ｔｗ２を５ｎｍ、数を２つ、とする。また、障壁層２７は、その厚さＴｂ１、Ｔｂ２、Ｔｂ３を１５ｎｍ、数を３つ、とする。たとえば、波長を７７０ｎｍに設定する場合、Ｉｎ組成比ｘが０よりも大きくかつ０．１０以下において、Ａｌ組成比ｙは、０．０８５よりも大きくかつ０．２１４以下とすることができる。
縦軸はＡｌ組成比ｙ、横軸はＩｎ組成比ｘ、である。なお、井戸層２６は、その厚さＴｗ１、Ｔｗ２を５ｎｍ、数を２つ、とする。また、障壁層２７は、その厚さＴｂ１、Ｔｂ２、Ｔｂ３を１５ｎｍ、数を３つ、とする。たとえば、波長を７７０ｎｍに設定する場合、Ｉｎ組成比ｘが０よりも大きくかつ０．１０以下において、Ａｌ組成比ｙは、０．０８５よりも大きくかつ０．２１４以下とすることができる。
ＡｌｚＧａ１−ｚＡｓからなる障壁層２７において、Ａｌ組成比ｚを小さくすると、障壁差が小さくなりキャリアオーバーフローが生じやすくなるので、ｚの下限を０．３などとする。また、Ａｌ組成比ｚを大きくすると、障壁差が大きくなり、順方向電圧ＶＦが高くなるため、ｚの上限を０．７などとする。
本実施形態により結晶欠陥の増殖が抑制された発光素子が提供される。また、この発光素子を有する光結合装置は、半導体発光素子のオン時間が長くても、光結合効率の低下を抑制することができる。このため、半導体装置用高速テスターなどにフォトリレーとして用いることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
５ 光結合装置、２５ 発光層、２６ 井戸層、 ２７ 障壁層、３５ 反射層、３７ 半導体基板、４０ 半導体積層体、５０ 発光素子、６０ 受光素子、ｘ Ｉｎ組成比、ｙ Ａｌ組成比、Ｔｗ１、Ｔｗ２ 井戸層の厚さ、Ｔｂ１、Ｔｂ２、Ｔｂ３ 障壁層の厚さ
Claims (6)
- Ｉｎｘ（Ｇａ１−ｙＡｌｙ）１−ｘＡｓ（但し、０＜ｘ≦０．２、０＜ｙ＜１）からなるｎ層（ｎ：１以上１０以下の整数）の井戸層と、前記井戸層と交互に積層されたＧａ１−ｚＡｌｚＡｓ（但し、０＜ｚ＜１）からなる（ｎ＋１）層の障壁層と、を含む歪量子井戸構造を含む発光層を有する半導体積層体を備え、
前記発光層は、７００ｎｍ以上かつ８７０ｎｍ以下のピーク波長を有する光を放出する半導体発光素子。 - それぞれの井戸層の厚さは、１１ｎｍ以下であり、
それぞれの障壁層の厚さは、１０ｎｍ以上かつ５０ｎｍ以下である請求項１記載の半導体発光素子。 - ０．０２≦ｘである請求項１または２に記載の半導体発光素子。
- ０．０４≦ｘである請求項１または２に記載の半導体発光素子。
- 前記半導体積層体は、前記発光層から放出される前記放出光を反射可能なブラッグ反射器をさらに有する請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
- 入力電気信号により駆動され、請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光素子と、
前記光を受光し、電気信号に変換して出力する半導体受光素子と、
を備え、
前記半導体発光素子と前記半導体受光素子とは、電気的に絶縁された光結合装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014178207A JP6325948B2 (ja) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 半導体発光素子および光結合装置 |
| US14/819,196 US9847447B2 (en) | 2014-09-02 | 2015-08-05 | Semiconductor light-emitting element and optical coupling device |
| TW104128913A TWI617050B (zh) | 2014-09-02 | 2015-09-02 | Semiconductor light-emitting element and optical coupling device |
| CN201510553420.7A CN105390576B (zh) | 2014-09-02 | 2015-09-02 | 半导体发光元件及光耦合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014178207A JP6325948B2 (ja) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 半導体発光素子および光結合装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016051883A true JP2016051883A (ja) | 2016-04-11 |
| JP6325948B2 JP6325948B2 (ja) | 2018-05-16 |
Family
ID=55403503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014178207A Active JP6325948B2 (ja) | 2014-09-02 | 2014-09-02 | 半導体発光素子および光結合装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9847447B2 (ja) |
| JP (1) | JP6325948B2 (ja) |
| CN (1) | CN105390576B (ja) |
| TW (1) | TWI617050B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022515693A (ja) * | 2019-11-26 | 2022-02-22 | 天津三安光電有限公司 | 赤外線発光ダイオード |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10950750B2 (en) * | 2019-03-06 | 2021-03-16 | Bolb Inc. | Heterostructure and light-emitting device employing the same |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0537009A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
| US5216684A (en) * | 1990-09-07 | 1993-06-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Reliable alingaas/algaas strained-layer diode lasers |
| JPH05160515A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Eastman Kodak Japan Kk | 量子井戸型レーザダイオード |
| JP2001060739A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 面発光レーザ装置 |
| JP2007258399A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Rohm Co Ltd | フォトカプラ |
| JP2011222950A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-11-04 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
| JP2012199293A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および光結合装置 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04342176A (ja) | 1991-05-20 | 1992-11-27 | Sharp Corp | 光結合素子 |
| US5226053A (en) * | 1991-12-27 | 1993-07-06 | At&T Bell Laboratories | Light emitting diode |
| JPH08288544A (ja) * | 1995-04-14 | 1996-11-01 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPH09162482A (ja) | 1995-12-08 | 1997-06-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 面発光半導体レーザ |
| US6144683A (en) | 1998-01-07 | 2000-11-07 | Xerox Corporation | Red, infrared, and blue stacked laser diode array by wafer fusion |
| US6746777B1 (en) | 2000-05-31 | 2004-06-08 | Applied Optoelectronics, Inc. | Alternative substrates for epitaxial growth |
| JP4928927B2 (ja) * | 2006-12-13 | 2012-05-09 | 日本オプネクスト株式会社 | 面発光半導体レーザ素子 |
| US9338825B2 (en) * | 2008-12-03 | 2016-05-10 | Illinois Tool Works Inc. | Combination seat heater and occupant sensor antenna |
| GB201002391D0 (en) | 2010-02-12 | 2010-03-31 | Ct For Integrated Photonics Th | Semiconductor device |
| TWI427879B (zh) | 2010-12-22 | 2014-02-21 | Univ Nat Central | Vertical Resonant Cavity with Infrared Profile |
| JP2012186194A (ja) | 2011-03-03 | 2012-09-27 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
-
2014
- 2014-09-02 JP JP2014178207A patent/JP6325948B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-05 US US14/819,196 patent/US9847447B2/en active Active
- 2015-09-02 CN CN201510553420.7A patent/CN105390576B/zh active Active
- 2015-09-02 TW TW104128913A patent/TWI617050B/zh active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5216684A (en) * | 1990-09-07 | 1993-06-01 | Massachusetts Institute Of Technology | Reliable alingaas/algaas strained-layer diode lasers |
| JPH0537009A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Sharp Corp | 光半導体装置 |
| JPH05160515A (ja) * | 1991-12-04 | 1993-06-25 | Eastman Kodak Japan Kk | 量子井戸型レーザダイオード |
| JP2001060739A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 面発光レーザ装置 |
| JP2007258399A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Rohm Co Ltd | フォトカプラ |
| JP2011222950A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-11-04 | Showa Denko Kk | 発光ダイオード |
| JP2012199293A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および光結合装置 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| O. TADANAGA ET AL.: "An 850-nm InAlGaAs Strained Quantum-Well Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser Grown on GaAs(311)B", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 12, no. 8, JPN7017001457, August 2000 (2000-08-01), US, pages 942 - 944, XP000968524, ISSN: 0003547699, DOI: 10.1109/68.867968 * |
| S. L. YELLEN ET AL.: "Reliability of InAlGaAs Strained-Quantum-Well Lasers Operating at 0.81μm", IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, vol. 4, no. 8, JPN7017001459, August 1992 (1992-08-01), US, pages 829 - 831, XP000292892, ISSN: 0003547701, DOI: 10.1109/68.149877 * |
| Y. CHANG ET AL.: "Theoretical and Experimental Analysis on InAlGaAs/AlGaAs Active Region of 850-nm Vertical-Cavity Sur", JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY, vol. 24, no. 1, JPN7017001458, January 2006 (2006-01-01), US, pages 536 - 543, ISSN: 0003547700 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022515693A (ja) * | 2019-11-26 | 2022-02-22 | 天津三安光電有限公司 | 赤外線発光ダイオード |
| JP7227357B2 (ja) | 2019-11-26 | 2023-02-21 | 天津三安光電有限公司 | 赤外線発光ダイオード |
| JP7432024B2 (ja) | 2019-11-26 | 2024-02-15 | 天津三安光電有限公司 | 赤外線発光ダイオード |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI617050B (zh) | 2018-03-01 |
| TW201611327A (zh) | 2016-03-16 |
| JP6325948B2 (ja) | 2018-05-16 |
| CN105390576B (zh) | 2018-08-31 |
| US9847447B2 (en) | 2017-12-19 |
| US20160064599A1 (en) | 2016-03-03 |
| CN105390576A (zh) | 2016-03-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9293647B2 (en) | Nitride semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same | |
| TWI467802B (zh) | 氮化物半導體發光元件 | |
| US20070262293A1 (en) | Nitride semiconductor light emitting element | |
| WO2015146069A1 (ja) | 発光ダイオード素子 | |
| US20120138891A1 (en) | METHOD FOR REDUCTION OF EFFICIENCY DROOP USING AN (Al,In,Ga)N/Al(x)In(1-x)N SUPERLATTICE ELECTRON BLOCKING LAYER IN NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODES | |
| WO2006101157A1 (ja) | 酸化亜鉛系化合物半導体素子 | |
| JP2007012688A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP5869237B2 (ja) | フォトカプラ装置 | |
| Sheu et al. | Enhanced output power in an InGaN-GaN multiquantum-well light-emitting diode with an InGaN current-spreading layer | |
| JP3620292B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP6325948B2 (ja) | 半導体発光素子および光結合装置 | |
| US20120205690A1 (en) | Group iii-nitride based semiconductor led | |
| JPH04213878A (ja) | 半導体発光素子 | |
| TW201607076A (zh) | Ｌｅｄ元件 | |
| JP5970161B2 (ja) | フォトカプラ装置 | |
| JP2019517133A (ja) | 発光領域の少なくとも１つの障壁層に配置された少なくとも１つの広いバンドギャップの中間層を含む発光ダイオード | |
| KR101369155B1 (ko) | 반도체 발광 디바이스 | |
| JP2008071832A (ja) | Ｉｉｉ族窒化物半導体素子およびその作製方法 | |
| JP2013069795A (ja) | 半導体発光素子 | |
| WO2011163186A1 (en) | Engineering emission wavelengths in laser and light emitting devices | |
| JP2014003121A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
| CN111326624A (zh) | 一种能够改善发光质量和发光效率的半导体发光元件 | |
| CN111326616A (zh) | 一种半导体发光元件 | |
| CN111326628A (zh) | 一种基于n型掺杂叠层和功能层的发光二极管 | |
| JP2005136136A (ja) | 半導体装置の製造方法およびウエーハの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160830 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170419 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170508 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170628 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170911 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20170912 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171122 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180110 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180316 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180413 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6325948 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |