JP2007012688A - 半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 シリコン受光素子の受光感度に広く対応できる発光波長を有する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 化合物半導体基板と、前記化合物半導体基板上に形成され、障壁層及び歪量子井戸層を含んだ活性層と、前記活性層と前記化合物半導体基板の間に設けられた第１クラッド層と、前記活性層の上部に設けられた第２クラッド層と、前記第２クラッド層上に設けられた電流拡散層と、を備え、前記活性層からの放射光の波長は、前記化合物半導体基板及び前記電流拡散層のバンドギャップ波長より長いことを特徴とした半導体発光素子が提供される。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体発光素子に関し、特に歪量子井戸構造を有する半導体発光素子に関する。

家電機器、オフィスオートメーション（ＯＡ）用機器、産業用機器などにおいて、電源系が直接結合されていると、動作上および安全上の問題を生じたり、信号ラインからの同相ノイズの影響を受ける。回路間の一部を電気的に絶縁した状態で電気信号を伝達することにより上記問題が解決できる。この場合、発光素子と受光素子とを光学的に結合して一つのパッケージに組み込んだ複合素子は、一般にフォトカプラと呼ばれ広く用いられている。

フォトカプラの小型軽量化、高性能化のために、受光素子と信号処理回路はシリコン基板上に集積化されているのが一般的である。受光素子であるシリコンフォトダイオードは、８００〜１０００ナノメータの間に高い受光感度を有する。このために、半導体発光素子の発光波長もこの範囲を含む波長帯であることが望ましい。

しかしながら、ＧａＡｓ基板上に形成される短波長半導体発光素子の波長は、通常５５０から８７０ナノメータの範囲であることが多く、波長が８７０ナノメータを超える波長帯における半導体発光素子（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）の信頼性および特性は不十分であった。この理由は、８７０ナノメータより長いバンドギャップ波長を有する結晶層は、ＧａＡｓ基板との間で格子不整合が大きいことにある。

ＧａＡｓ仮基板上に、歪補償量子井戸構造を有する半導体発光素子を形成した技術開示例があるが（特許文献１）、上記フォトカプラの特性改善を解決するには不十分であった。
特開２００４−１４６４９８号公報

本発明は、活性層からの発光が基板において吸収されることなく、高い効率で外部に取り出すことができる半導体発光素子を提供する。

本発明の一態様によれば、
化合物半導体基板と、
前記化合物半導体基板の上に設けられた第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上に設けられ、障壁層と歪量子井戸層とを含む活性層と、
前記活性層の上に設けられた第２クラッド層と、
前記第２クラッド層の上に設けられた電流拡散層と、
を備え、
前記活性層からの放射光の波長は、前記化合物半導体基板及び前記電流拡散層のバンドギャップ波長より長いことを特徴とする半導体発光素子が提供される。

本発明により、活性層からの発光が基板において吸収されることなく、高い効率で外部に取り出すことができる半導体発光素子が提供される。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態につき説明する。
図１は、本発明の具体例にかかる半導体発光素子の模式断面図である。
ＧａＡｓ基板１０の上に、ＧａＡｓバッファ層１２、第１クラッド層１４、量子井戸活性層１６、第２クラッド層１８、電流拡散層２０、およびコンタクト層２２が、設けられている。ここで、ＧａＡｓバッファ層１２は、ＧａＡｓ基板１０と、第１クラッド層１４およびその上部に成長される層との間に結晶性の改善を目的として設けられている。

量子井戸活性層１６を両側から挟んでいる第１クラッド層１４及び第２クラッド層１８は、適正にキャリアを閉じ込める作用を有する。電流拡散層２０は、電流を水平面内において均一に拡散させて、量子井戸活性層１６のより広い面積にわたって電流注入を可能とするために設けられる。電流拡散層２０と上部電極２４との間には、接触抵抗を低減するためにコンタクト層２２が設けられる。ＧａＡｓ基板の裏面には、下部電極２８が形成されている。

量子井戸活性層１６からは、そのバンドギャップＥ_ｇ１に相当するバンドギャップ波長λ_ｇ（μｍ）＝１．２４／Ｅ_ｇ１（ｅＶ）を有する光が放射される。
本具体例においては、活性層からの放射光波長が、少なくともＧａＡｓ基板１０及び電流拡散層２０におけるバンドギャップ波長よりも長いことを特徴とする。これに関しては、後に詳述する。なお、コンタクト層２２の表面を原点として、深さ方向への距離をＸ軸で表す。これは、図２以降のバンド図におけるＸ軸に対応する。

図２は、第１の具体例にかかる半導体発光素子のバンド構造を表す模式図である。
第１の具体例においては、ＧａＡｓ基板１０、ＧａＡｓバッファ層１２、第１クラッド層の導電型をｎ型とする。また、第２クラッド層１８、電流拡散層２０、コンタクト層２２は、ｐ型とされる。ただし、本発明はこれには限定されず、各要素の導電型はこの逆であってもよい。なお、図２の破線は擬フェルミ準位を表す。

第１クラッド層１４は、ｎ型Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１)からなり、第２クラッド層１８は、ｐ型Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ(０＜ｙ≦１)からなる。また電流拡散層２０は、ｐ型Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ（０＜ｚ≦１）からなり、コンタクト層２２は、ｐ型ＧａＡｓからなる。

図３は、量子井戸活性層１６のバンド構造を表す模式図である。
量子井戸活性層１６は、井戸層２６及び障壁層２５から構成されている。量子井戸活性層１６における井戸数は１〜３個が望ましく、図３においては井戸数が２の場合を例示した。井戸層２６の厚みＬ１は，１０ナノメータ以下とすることが望ましい。また、障壁層２５の厚みＬ２、Ｌ３、Ｌ４は，２０ナノメータ以下であり、キャリアの波動関数の侵入深さである数ナノメータ以上であることが望ましい。

井戸層２６はＩｎ_１−ｔＧａ_ｔＡｓ（０．９≧ｔ）から構成され、ガリウム組成比ｔは、０．５≦ｔ≦０．９がより好ましい。また、障壁層２５は、Ａｌ_ｓＧａ_１−ｓＡｓ（０＜ｓ≦１）で構成されることが好ましい。井戸層の厚みＬ１及びインジウム組成比（１−ｔ）は、量子井戸活性層１６のバンドギャップＥ_ｇ１が、ＧａＡｓ基板１０のバンドギャップＥ_ｇ０より狭くなるように量子効果も考慮して決定する。

一般に、Ａ_ｘＢ_１−ｘＣなる化合物半導体のバンドギャップは、Ｅ_ｇ＝ａ＋ｂｘ＋ｃｘ^２なる近似式で表される。ここで、ａ、ｂ、ｃは材料で定まる定数である。Ｉｎ_１−ｔＧａ_ｔＡｓの場合は、例えば、Ｅ_ｇ＝０．３６＋１．０６４ｔと表される。いま、ｔ＝０．７とすると、Ｅ_ｇ１は約１．１０ｅＶとなり、Ｅ_ｇ１＜Ｅ_ｇ０＝１．４２４（ｅＶ）を満たす。実際の設計においては、量子効果を考慮した補正を行うことが望ましい。このようにして、ＧａＡｓのバンド端波長である８７０ナノメータ以上の発光波長に対応して、ＩｎＧａＡｓ層の組成を決定できる。

ＩｎＧａＡｓからなる井戸層２６は、ＧａＡｓに対して圧縮（プラス）の歪を有する。この結果、２０ナノメータ以下の幅の薄い井戸層２６及び薄い障壁層２５の積層である量子井戸構造においては、ＧａＡｓとの格子不整合の影響が低減でき、半導体発光素子が可能な結晶性を確保できる。

また、量子井戸活性層２６におけるバンドギャップＥ_ｇ１を、ＧａＡｓ基板１０におけるバンドギャップＥ_ｇ０より狭く、すなわちＥ_ｇ０＞Ｅ_ｇ１とすることにより、光はＧａＡｓ基板１０内における光吸収を低減できる。すなわち、量子井戸活性層１６内における電子はホールと再結合し（Ｒ）、バンドギャップＥ_ｇ１に対応したバンドギャップ波長λ_ｇ１で発光する。

また、電流拡散層２０におけるバンドギャップＥ_ｇｓ＞Ｅ_ｇ１、すなわち電流拡散層２０におけるバンドギャップ波長λｇを、量子井戸活性層１６からの放射光以下とすることにより、電流拡散層２０における光吸収を低減できる。

さらに、電流拡散層２０のバンドギャップＥ_ｇｓを第２クラッド層のバンドギャップＥ_ｇｃ以上とし、第２クラッド層１８のバンドギャップＥ_ｇｃを障壁層２５のバンドギャップＥ_ｇｂ以上とするのがより望ましい。この理由は、光の屈折率がバンドギャップと逆相関にあることによる。すなわち、障壁層２５、第２クラッド層１８、電流拡散層２０、という順序で屈折率ｎｒを次第に小さくしていくと、光の閉じ込めを抑制して、光を外部に効率よく取り出せる。なお、バンドギャップ波長λｇで表現すると、大きさの順序は逆になる。

これを、結晶組成で表現すると、Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓからなる電流拡散層２０におけるアルミニウム組成比ｚと、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓからなる第２クラッド層１８におけるアルミニウム組成比ｙと、Ａｌ_ｓＧａ_１−ｓＡｓからなる障壁層２５におけるアルミニウム組成比ｓとの間に、ｚ≧ｙ≧ｓなる関係が成立するということになる。
アルミニウム組成比がｚである場合、バンドギャップは、Ｅ_ｇ＝１．４２４＋１．２４７ｚ（０≦ｚ≦０．４５）と表すことができ、屈折率は、ｎｒ＝（１３．１−３ｚ）１／２と近似することができる。言い方を変えると、各層のバンドギャップＥ_ｇ（すなわち、バンドギャップ波長λｇ）及び屈折率ｎｒが、上記大小関係を満足するように、各層のアルミニウム組成比ｚ、ｙ、ｓが決定できるということである。

以上のような量子井戸構造を、液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ：Liquid Phase Epitaxial Growth）法で形成することは、極めて困難である。すなわち液相エピタキシャル成長法は、材料の融点を利用した固相−液相反応からなる成長方法であるために、成長界面を均一な温度分布に保つことが難しく、特に接合形成におけるバラツキが大きく特性が安定しにくい。

一方、トリメチルガリウム（ＴＭＧ），トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ），トリメチルインジウム（ＴＭＩ）などの有機金属ガスを熱分解することにより結晶膜を成長するＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法においては、ガス流量、成長温度の制御性にすぐれている。この結果、ウェーハ内及びウェーハ間において、膜厚、結晶組成、キャリア濃度が精度よく、均一に保たれた半導体発光素子が実現できる。

次に、比較例につき説明する。
図４は、比較例にかかる半導体発光素子の模式断面図である。
ｎ型ＧａＡｓ基板１０の上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなる第１クラッド層１４、ＧａＡｓ活性層１７、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなる第２クラッド層１８、ｐ型電流拡散層２０、ｐ型コンタクト層２２が、液相エピタキシャル成長法により形成されている。ｐ型コンタクト層２２の上には上部電極２４が、ｎ型ＧａＡｓ基板１０の裏面には下部電極２８が形成されている。

図５は、本比較例にかかる半導体発光素子のバンド図である。
ＧａＡｓ活性層１７からのλ_ｇ＝８７０ｎｍに相当した発光が、ｎ型ＧａＡｓ基板１０に入射する。バンドギャップは共にＥ_ｇ０＝１．４２４ｅＶであるために、ｎ型ＧａＡｓ基板１０中において光吸収が生じて、発光効率が低下する。通常ｎ型ＧａＡｓ基板１０の厚みは、６０〜２００マイクロメータあるので、光がこの厚いＧａＡｓ基板１０中で吸収され、光取り出し効率が低下する。

また、ＧａＡｓ活性層１７は歪量子井戸ではなくバルクＧａＡｓ層なので、格子不整合のためにシリコン受光素子の感度が良好な範囲である８００〜１０００ナノメータには対応できない。

なお、半導体レーザ素子においても、基板における光吸収が少ないほうが好ましい。しかし、半導体レーザ素子においては、光共振器の光軸に対する直交する平面内において、光は垂直及び水平方向に閉じ込められる。この結果、光の基板内における吸収は少ないので、基板における光吸収を設計上において考慮する必要性は少なかった。

一方、半導体発光素子（ＬＥＤ）においては、光は活性層から、ほぼ四方に放射される。当然、活性層の下方である基板へ向かっても放射される。半導体発光素子（ＬＥＤ）において、光取り出し効率を改善するには、この基板における光吸収の低減が特に重要である。このために、ＧａＡｓ基板を仮の基板として、最終的にＧａＡｓ基板を除去したり、透明なガリウム燐基板と接着するなどの方法もあるが、製造プロセスが複雑となる欠点を有している。

第１の具体例においては、ＧａＡｓ基板１０との格子不整合を、歪量子井戸構造を用いることに改善することにより、シリコン受光素子の高感度範囲である８００〜１０００ナノメータのバンドギャップ波長λｇを実現できる。同時に、このバンドギャップ波長λｇを、ＧａＡｓのバンドギャップ波長である８７０ナノメータより大とすることにより、ＧａＡｓ基板１０における光吸収を低減できる。

以上説明したように、シリコン受光素子の高感度範囲にバンドギャップ波長を有し、ＧａＡｓ基板における光吸収を低減することにより光取り出し効率が改善された半導体発光素子と、信号処理回路とシリコン受光素子との集積回路とを組み合わせることにより、例えば、高効率フォトカプラや高効率センサなどを実現できる。これは、パソコン、エアコンなどの家電機器のみならず、プログラマブルコントローラなどの産業用機器にも広く用いられて、システム高機能化、システム高信頼化などに寄与できる。

図６は、本発明の第２の具体例にかかる半導体発光素子のバンド構造を例示する模式図である。その基本構造は、図１と同様であるので同様の構成要素には同一番号を付して詳細な説明は省略する。
本具体例においては、ＧａＡｓ基板１０をｐ型としたので、第１の具体例とは導電型が反対となり、バンド図もそれに対応している。また、電流拡散層２０をＡｌＧａＡｓではなく、ＩｎＧａＡｌＰとした点が異なる。この理由は、ＩｎＧａＡｌＰ（アルミニウム組成比は０以上、１以下）は、ＧａＡｓ基板１０と格子整合するために、バルク抵抗を低減できることにある。

図７は、本発明の第３の具体例にかかる半導体発光素子のバンド構造を表した模式図である。その基本構造は、図１と同様であるので、同様の構成要素には同一の番号を付して詳細な説明は省略する。
第１クラッド層１４及び第２クラッド層１８は、それぞれＩｎ_ｍＧａ_ｎＡｌ_{１−ｍ−ｎ}Ｐ（０≦ｍ≦１，０≦ｎ≦１，ｍ＋ｎ≦１）により構成されている点が第１の具体例と異なる。この場合にも、障壁層２５のバンドギャップＥ_ｇｂと、電流拡散層２０におけるバンドギャップＥ_ｇｓと、クラッド層１８におけるバンドギャップとの間には、以下の関係が成り立つようにする。すなわち、Ｅ_ｇｂ≦Ｅ_ｇｃ≦Ｅ_ｇｓとする。Ｉｎ_ｍＧａ_ｎＡｌ_{１−ｍ−ｎ}Ｐ（０≦ｍ≦１、０≦ｎ≦１、ｍ＋ｎ≦１）をクラッド層に使用することで、キャリアの閉じ込め効果を向上させると共に特にｎ型層のバルク抵抗をより低減することができる。

電流拡散層２０および障壁層２５は、Ａｌ_ｓＧａ_１−ｓＡｓ(０≦ｓ≦１)で構成されている。これらのバンドギャップは、例えばＥ_ｇ＝１．４２４＋１．２４７ｓ（直接遷移領域内：０≦ｓ≦０．４５）で近似されるので、電流拡散層２０のバンドギャップＥ_ｇｓと、障壁層２５のバンドギャップＥ_ｇｂとが、上の相対関係を満たすように組成比を決めることができる。このような構造により、屈折率を次第に小さくし光の閉じ込めを抑制することにより、量子井戸活性層１６からの放射光を効率よく外部に取り出すことができる。

図８は、本発明の第４の具体例にかかる半導体発光素子のバンド構造を例示する模式図である。同図についても、図１と同様な構成要素には同一番号を付して詳細な説明を省略する。
本具体例においては、障壁層２５をＡｌＧａＡｓではなく、Ｉｎ_ｍＧａ_ｎＡｌ_{１−ｍ−ｎ}Ｐ（０≦ｍ≦０．５，０≦ｎ≦１、ｍ＋ｎ≦１）で構成し、井戸層２６圧縮歪の補償のための引っ張り歪（マイナス)を入れる。このような歪補償型の多重量子井戸の積層は、転移が発生しない範囲で行うことができる。障壁層に井戸層とは逆の歪補償を入れることで、転位などの結晶欠陥が発生する範囲を狭め、より広範囲な井戸歪量が選択できると共に、通電による発光層特性劣化を防ぐことができる。

図９は、第１〜第４の具体例における半導体発光素子５０において、上部電極２４以外の半導体発光素子５０の上面、及び側面を粗面化した半導体発光素子５０の模式断面図である。
この粗面化工程は、「フロスト処理」により行うことができる。すなわち、上部電極２４をフォトレジストなどで覆った後、硝酸と過酸化水素を混合したエッチャントを用いることにより、上面および側面に高低差が２マイクロメータ以下の凹凸を設けた粗面４０を形成することができる。この結果、半導体発光素子５０内部における発光が全反射される割合を低減できて、光取り出し効率を改善できる。

図１０は、本発明の半導体発光素子５０を表面実装型パッケージに組み込んだ半導体発光装置である。
これは、ＳＭＤ(Surface Mounting Device)型半導体発光装置とも呼ばれる。半導体発光素子５０が、第１リード６０の上に、導電性接着剤５１などで接着されている。半導体発光素子５０の上部電極２４と第２リード５８とは、ボンディングワイヤ５５により接続されている。半導体発光素子５０及びボンディングワイヤ５５とは、封止樹脂５２により封止されている。

半導体発光素子５０のＧａＡｓ基板１０は光吸収が低減されているので、量子井戸活性層からの光はＧａＡｓ基板１０を通過する。その後、下部電極２８やマウント面により反射され(Ｇ１)、あるいは樹脂５６に設けられた反射面５４に反射されて(Ｇ２)、外部に取り出される。下方に向かう光が、ＧａＡｓ基板１０で吸収されずに取り出されるので、効率が改善されている。

以上、主にバンドギャップ波長が８７０ナノメータであるＧａＡｓ基板を用いた場合について説明した。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。例えば、Ａｌ_ｓＧａ_１−ｓＡｓ（０＜ｓ≦１）基板を用いることができる。
図１１は、ＡｌＧａＡｓ基板１０を用いた半導体発光素子の模式断面図である。
すなわち、ＡｌＧａＡｓ基板１０の上に、ＡｌＧａＡｓバッファ層１２、第１クラッド層１４、量子井戸活性層１６、第２クラッド層１８、電流拡散層２０、コンタクト層２２がこの順に積層されている。この構造の場合、基板１０のバンドギャップは、１．４２４〜１．９８６ｅＶ（直接遷移領域内０＜ｓ≦０．４５）である。そして、活性層の井戸層としては、この基板のバンドギャップ波長よりも長い発光を放射する組成のＡｌＧａＡｓとすることができる。

また、バンドギャップが２．２６ｅＶで、バンドギャップ波長λｇが５５０ナノメータであるＧａＰ基板を用いることもできる。
図１２は、ＧａＰ基板１０を用いた半導体発光素子の模式断面図である。
すなわち、ＧａＰ基板１０の上に接着層１３、第１クラッド層１４、量子井戸活性層１６、第２クラッド層１８、電流拡散層２０、コンタクト層２２がこの順に積層されている。この場合の井戸層としては、このＧａＰ基板１０のバンドギャップ波長よりも長い発光を放射する組成のＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｌＰとすることができる。また、接着層１３は、ＧａＰ基板１０と、第１クラッド層１４より上部の積層と、をウェーハ接着するための役割を有する。

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。
半導体発光素子を構成する半導体積層膜、電極、半導体基板など各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。

本発明の具体例にかかる半導体発光素子の模式断面図である。 本発明の第１の具体例にかかる半導体発光素子のバンド構造を表す模式図である。 本発明の第１の具体例にかかる半導体発光素子の量子井戸活性層を表すバンド構造を表す模式図である。 比較例にかかる半導体発光素子の模式断面図である。 比較例にかかる半導体発光素子のバンド構造を表す模式図である。 本発明の第２の具体例にかかる半導体発光素子のバンド構造を表す模式図である。 本発明の第３の具体例にかかる半導体発光素子のバンド構造を表す模式図である。 本発明の第４の具体例にかかる半導体発光素子のバンド構造を表す模式図である。 本発明の具体例にかかる半導体発光素子の上面および側面に選択的に粗面を設けた模式断面図である。 本発明の具体例にかかる半導体発光素子を組み込んだ半導体発光装置の模式断面図である。 本発明の具体例にかかる半導体発光装子（ＡｌＧａＡｓ基板）の模式断面図である。 本発明の具体例にかかる半導体発光素子（ＧａＰ基板）の模式断面図である。

符号の説明

１０ 基板
１２ バッファ層
１３ 接着層
１４ 第１クラッド層
１６ 量子井戸活性層
１７ ＧａＡｓ活性層
１８ 第２クラッド層
２０ 電流拡散層
２２ コンタクト層
２４ 上部電極
２５ 障壁層
２６ 井戸層
２８ 下部電極
４０ 粗面
５０ 半導体発光素子
５１ 導電性接着剤
５２ 封止樹脂
５４ 反射面
５５ ボンディングワイヤ
５６ 樹脂
５８ 第２リード
６０ 第１リード

Claims (5)

1. 化合物半導体基板と、
   前記化合物半導体基板の上に設けられた第１クラッド層と、
   前記第１クラッド層の上に設けられ、障壁層と歪量子井戸層とを含む活性層と、
   前記活性層の上に設けられた第２クラッド層と、
   前記第２クラッド層の上に設けられた電流拡散層と、
   を備え、
   前記活性層からの放射光の波長は、前記化合物半導体基板及び前記電流拡散層のバンドギャップ波長より長いことを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記電流拡散層のバンドギャップ波長は、前記第２クラッド層のバンドギャップ波長よりも短く、
   前記第２クラッド層のバンドギャップ波長は、前記障壁層のバンドギャップ波長よりも短く、
   前記障壁層のバンドギャップ波長は、前記活性層からの放射光の波長よりも短いことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
3. 前記歪量子井戸層は、Ｉｎ_１−ｔＧａ_ｔＡｓ（０．９≧ｔ＞０）からなり、
   前記第１クラッド層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）からなり、
   前記障壁層は、Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ（０≦ｙ≦１）からなり、
   前記第２クラッド層は、Ａｌ_ｚＧａ_１−ｚＡｓ（０≦ｚ≦１）からなり、
   前記電流拡散層は、Ａｌ_ｗＧａ_１−ｗＡｓ（０≦ｗ≦１）からなり、
   前記ｙ，ｚ，ｗは、ｙ≦ｚ≦ｗ なる条件を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
4. 前記歪量子井戸層は、Ｉｎ_１−ｔＧａ_ｔＡｓ（０．９≧ｔ＞０）からなり、
   前記障壁層は、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ(０≦ｘ≦１)からなり、
   前記第１及び第２クラッド層の少なくともいずれかは、Ｉｎ_ｍＧａ_ｎＡｌ_{１−ｍ−ｎ}Ｐ（０≦ｍ≦１，０≦ｎ≦１，ｍ＋ｎ≦１）からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
5. 前記歪量子井戸層は、Ｉｎ_１−ｔＧａ_ｔＡｓ（０．９≧ｔ＞０）からなり、
   前記障壁層はＩｎ_ｍＧａｎＡｌ_{１−ｍ−ｎ}Ｐ（０≦ｍ≦０．５，０≦ｎ≦１，ｍ＋ｎ≦１）からなり、
   前記第１及び第２クラッド層の少なくともいずれかは、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）からなることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
   
   

Images