JP2009158831A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光効率及び長期信頼性に優れた、中赤外領域の光を放射する半導体発光素子を提供する。
【解決手段】In1−xAlxSb(0.1≦x≦0.5)からなるクラッド層と、In及びSb並びにAl、Ga、Asの少なくとも1種の元素を含有する半導体からなる発光層と、を備えており、前記クラッド層の格子定数a1と前記発光層の格子定数a2との相対値Δa(Δa=(a2−a1)/a1)が−0.005≦Δa≦0.005であり、3〜10μmの波長の中赤外線を放射するようにする。
【選択図】図1
【解決手段】In1−xAlxSb(0.1≦x≦0.5)からなるクラッド層と、In及びSb並びにAl、Ga、Asの少なくとも1種の元素を含有する半導体からなる発光層と、を備えており、前記クラッド層の格子定数a1と前記発光層の格子定数a2との相対値Δa(Δa=(a2−a1)/a1)が−0.005≦Δa≦0.005であり、3〜10μmの波長の中赤外線を放射するようにする。
【選択図】図1
Description
この発明は、ガス分析用光源として好適な3〜10μmの中赤外領域の光を放射する半導体発光素子に関するものである。
従来公知の中赤外領域の光を放射する半導体発光素子としては、例えば図4に示すように、GaAs基板12上に、バッファー層13、n型InAlSbクラッド層14(厚さ3μm)、i型InAlSb発光層15(厚さ2μm)、p型InAlSbバリア層17(厚さ20nm)、p型InAlSbクラッド層16(厚さ1μm)が積層してなるものが知られている。この半導体発光素子11においては、p型InAlSbからなるバリア層17が電子の漏れ防止層として機能しているが、Alの組成比が他層より0.15程度高いため格子不整合となり、これに起因する結晶成長条件等の制約から20nm程度の薄膜しか形成できず、また正孔(ホール)の障壁はない。更に、ホモ接合に近い構造であるために、図5に示すように、発光層15への電子、正孔の閉じ込めが不充分で電流漏れが発生する。
このため、このような構成を有する従来の中赤外領域の光を放射する半導体発光素子は、発光効率が低く、充分な光出力が得られないという欠点を有している。また、バリア層は他の層と2%もの大きな格子不整合を有しており結晶品質が劣化しやすい構成であり、長期信頼性の観点からも問題がある。
特表2002−520824
特開平5−37011
H. Hardaway et al., "Optimising InAlSb LED…", Proc. SPIE, 5564, 105(2004)
G. R. Nash et al., "InSb/AlInSb QW LEDs", Appl. Phys. Lett., 88, 051107(2006)
そこで本発明は、発光効率及び長期信頼性に優れた、中赤外領域の光を放射する半導体発光素子を提供すべく図ったものである。
すなわち本発明の第1の態様に係る半導体発光素子は、In1−xAlxSb(0.1≦x≦0.5)からなるクラッド層と、In及びSb並びにAl、Ga、Asの少なくとも1種の元素を含有する半導体からなる発光層と、を備えており、前記クラッド層の格子定数a1と前記発光層の格子定数a2との相対値Δa(Δa=(a2−a1)/a1)が−0.005≦Δa≦0.005であり、3〜10μmの波長の中赤外線を放射することを特徴とする。
また、本発明の第2の態様に係る半導体発光素子は、3〜10μmの波長の中赤外線を放射する半導体発光素子であって、In1−xAlxSb(0.1≦x≦0.5)からなるクラッド層と、少なくとも井戸層と障壁層とを有する量子井戸構造からなる発光層と、を備えており、前記井戸層及び障壁層は、それぞれ、厚みが20nm以下であって、In及びSb並びにAl、Ga、Asの少なくとも1種の元素を含有する半導体からなり、以下の条件を満たすことを特徴とする。
Al組成比:障壁層>井戸層
In組成比:障壁層<井戸層
As組成比:障壁層<井戸層
Ga組成比:障壁層>井戸層
Al組成比:障壁層>井戸層
In組成比:障壁層<井戸層
As組成比:障壁層<井戸層
Ga組成比:障壁層>井戸層
ここで、本発明の第1の態様は発光層が単一層(バルク構造)であるものであり、本発明の第2の態様は発光層が量子井戸構造を有するものである。
このようなものであれば、InAlSbからなるクラッド層が、当該クラッド層とほぼ同じ格子定数を有し、かつ、バンドギャップが小さいIn、Ga、Al、Sb、As等の元素を任意に組み合わせて構成される発光層を挟み込む、ダブルヘテロ接合構造を有するので、発光層へ電子及び正孔を閉じ込めることが可能となり、漏れ電流の発生が防止され、広範な組成において発光効率を改善することができる。また、積層構造を格子整合系で構成するため各層は充分な厚みを確保できる上、結晶品質が向上し長期信頼性も向上する。
また、本発明の第1の態様に係る半導体発光素子は、前記クラッド層の格子定数a1と前記発光層の格子定数a2とが略同じ値であり、相対値Δa(Δa=(a2−a1)/a1)が−0.005≦Δa≦0.005である、即ちa1に対するa2の差は±0.5%以内に収まる、ことにより格子破壊が生じにくい。
一方、本発明の第2の態様に係る半導体発光素子は、障壁層と井戸層との、Al、In、Ga及びAsの組成比が所定の関係にあることより、井戸層のバンドギャップを小さくすることができるので、井戸層へ電子及び正孔を閉じ込め漏れ電流の発生を防止することが可能となり、発光効率が良好なものとなる。
本発明に係る半導体発光素子において、基板としては、例えば、GaAsからなるものが挙げられ、一方、バッファー層としては、例えば、クラッド層と格子整合をとるため、In1−xAlxSb(0.1≦x≦0.5)からなるものが挙げられる。
このように本発明によれば、発光層へ電子及び正孔を閉じ込め漏れ電流の発生を防ぐことが可能となり、広範な組成において発光効率を改善することができる。また、積層構造を格子整合系で構成するため結晶品質が向上し長期信頼性も向上する。
以下、本発明の一実施形態を図面を参照して説明する。
本実施形態に係る半導体発光素子1は、図1に示すように、基板2上に、バッファー層3と、n型クラッド層4と、発光層5と、p型クラッド層6と、が順に積層された構造を有する。
基板2は、GaAsからなる。
バッファー層3は、In1−xAlxSb(0.1≦x≦0.5)からなる。
各クラッド層4、6は、In1−xAlxSb(0.1≦x≦0.5)からなり、例えば、クラッド層4はn型In0.85Al0.15Sb(厚み1μm)よりなり、クラッド層6はp型In0.85Al0.15Sb(厚み1μm)よりなる。クラッド層4の格子定数は6.43Åである。
発光層5は、In及びSb並びにAl、Ga、Asの少なくとも1種の元素を含有する半導体からなり、例えばi型In0.85Ga0.15Sb(厚み1μm)よりなる。発光層5の格子定数は6.42Åである。
クラッド層4、6の格子定数a1と発光層5の格子定数a2とは略同じ値であり、その相対値Δa(Δa=(a2−a1)/a1)は−0.005≦Δa≦0.005である。即ち、クラッド層4、6の格子定数a1に対する発光層5の格子定数a2の差は±0.5%の範囲に包含される。
本実施形態に係る半導体発光素子1は、MBE法又はMOCVD法により、基板2上に、バッファー層3、n型クラッド層4、発光層5、及び、p型クラッド層6を、順に結晶成長させることにより製造される。
このような構成を有する本実施形態によれば、図3に示すバンドギャップと格子定数の関係を表すグラフからわかるように、クラッド層4、6と略同じ格子定数を維持したまま発光層5の組成を変えることができ、更に組成を変えることにより発光層5のバンドギャプを変えることが可能になる。このため、本実施形態では、発光層5のバンドギャップをクラッド層4、6のバンドギャップよりも小さくすることができるため、図2に示すように、電気、正孔を発光層5に閉じ込めることが可能になり、漏れ電流の発生を防ぎ、発光効率を向上することができる。また、積層構造を格子整合系で構成するため結晶品質が向上し長期信頼性に優れたものとなる。
また、発光層5の組成を変えてバンドギャプを変えることにより、半導体発光素子1の発光波長を変化させることも可能となる。このように発光層5をInGaAlSbAs系から構成することにより3〜10μm、更にガス分析に好適である4〜7μm、特に4〜5μm近傍の広範な波長帯域の発光を実現することができる。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
発光層5を前記実施形態とIn組成は同じままAlを追加してInGaAlSbからなるものとしても、発光層5の格子定数を変えずにバンドギャップ及び得られる半導体発光素子1の発光波長を変化させることができる。また、クラッド層4、発光層5の格子定数も約6.3〜6.48Åの間で変更しうる。
更に発光層5の組成をInSbにAsを加えてInSbAsとしても、発光層5の格子定数をクラッド層4、6の格子定数と略同じ値にすることが可能である。
また、前記実施形態では、発光層5がIn0.85Ga0.15Sbの単一層(バルク構造)であったが、発光層5を、膜厚10nmのInSbAs井戸層及び膜厚10nmのInGaAlSb障壁層を複数積層した多重量子井戸構造にすることにより、その量子効果により更に発光効率を向上することができる。
その他、前述した実施形態や変形実施形態の一部又は全部を適宜組み合わせてもよく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。
本発明によれば、発光効率が高く、長期信頼性にも優れた、中赤外線を放射する半導体発光素子を得ることができる。
1・・・半導体発光素子
4・・・n型クラッド層
5・・・発光層
6・・・p型クラッド層
4・・・n型クラッド層
5・・・発光層
6・・・p型クラッド層
Claims (4)
- In1−xAlxSb(0.1≦x≦0.5)からなるクラッド層と、
In及びSb並びにAl、Ga、Asの少なくとも1種の元素を含有する半導体からなる発光層と、を備えており、
前記クラッド層の格子定数a1と前記発光層の格子定数a2との相対値Δa(Δa=(a2−a1)/a1)が−0.005≦Δa≦0.005であり、
3〜10μmの波長の中赤外線を放射することを特徴とする半導体発光素子。 - 3〜10μmの波長の中赤外線を放射する半導体発光素子であって、
In1−xAlxSb(0.1≦x≦0.5)からなるクラッド層と、
少なくとも井戸層と障壁層とを有する量子井戸構造からなる発光層と、を備えており、
前記井戸層及び障壁層は、それぞれ、厚みが20nm以下であって、In及びSb並びにAl、Ga、Asの少なくとも1種の元素を含有する半導体からなり、以下の条件を満たすことを特徴とする半導体発光素子。
Al組成比:障壁層>井戸層
In組成比:障壁層<井戸層
As組成比:障壁層<井戸層
Ga組成比:障壁層>井戸層 - GaAsからなる基板を備えている請求項1又は2記載の半導体発光素子。
- In1−xAlxSb(0.1≦x≦0.5)からなるバッファー層を備えている請求項1、2又は3記載の半導体発光素子。
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JP2007337702A JP2009158831A (ja) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 半導体発光素子 |
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JP2007337702A Pending JP2009158831A (ja) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 半導体発光素子 |
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FR2966275A1 (fr) * | 2010-10-13 | 2012-04-20 | France Etat | Écran et dispositif de camouflage associe |
JP2012114146A (ja) * | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置 |
JP2016152259A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線発光素子及び赤外線発光素子の製造方法 |
JP2016163009A (ja) * | 2015-03-05 | 2016-09-05 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | 赤外線発光素子 |
WO2022180942A1 (ja) * | 2021-02-26 | 2022-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光ダイオード素子 |
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2007
- 2007-12-27 JP JP2007337702A patent/JP2009158831A/ja active Pending
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