JP2016051830A

JP2016051830A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2016051830A
Application number: JP2014176692A
Authority: JP
Inventors: 竜也板橋; Tatsuya Itabashi; 由尚菊池; Yoshinao Kikuchi
Original assignee: Sanken Electric Co Ltd
Current assignee: Sanken Electric Co Ltd
Priority date: 2014-08-31
Filing date: 2014-08-31
Publication date: 2016-04-11

Abstract

【課題】樹脂封止の際に、リードと基板が接合された近傍で封止樹脂の流れが妨げられず、空隙が発生しない、リードと基板とを具備する樹脂封止型半導体装置を提供する。【解決手段】リード１のインナーリード１２の主面には、インナーリード１２の幅方向の全体を横切る凹部が形成されており、基板２の主面２１とインナーリード１２の主面とは、基板２の主面が前記凹部の開口部の一部を覆うように接着剤を介して接合されており、前記凹部に樹脂封止体３を構成する樹脂が充填されている。【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂封止した半導体装置に関し、特にリードと基板を導電性接着剤を介して接合した半導体装置に関する。

従来技術として、リードと基板とを具備する半導体装置において、リードと基板を導電性接着剤を介して接続した構造は広く知られている。（例えば、特許文献１参照）

特開２００１−６８５８２号公報

従来技術では、リードと基板の接合が導電性接着剤を介して接合されると共に、リードと基板が絶縁性の粘着テープを介して接合され、接合強度の向上がなされているが、樹脂封止の際に、リードと基板が接合された近傍で封止樹脂の流れが妨げられ、空隙が発生するという課題がある。

従って、本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、樹脂封止の際に、リードと基板が接合された近傍の封止樹脂の流れを妨げず、空隙の発生を低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するために、本発明は以下に掲げる構成とした。リード１と、基板２と、樹脂封止体３と、を具備する半導体装置において、インナーリード１２（１）と、基板の主面２１とを導電性接着剤を介して接合する部位では、基板の主面２１に対向するインナーリード１３（１）の主面は凹形状であることを特徴とする。

本発明は、以上のように構成されているので、樹脂封止の際に、リードと基板が接合された近傍での封止樹脂の流れを妨げず、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

本発明の実施例１に係る半導体装置の、リードと基板が接合された近傍の断面概念図である。

以下、本発明を実施するための形態について、図を参照して詳細に説明する。なお以下の図面の記載において、同一または類似の部分には、同一または類似の符号で表している。但し、図面は模式的なものであり、寸法関係の比率等は現実のものとは異なる。したがって、具体的な寸法等は以下の説明を照らし合わせて判断するべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

また、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための例示であって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものではない。この発明の実施の形態は、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できる。

以下、図面を参照して本発明の実施例１に係る半導体装置を説明する。図１は、本発明の実施例に係る半導体装置の平面概念図である。

図１に示すように、半導体装置は、リード１、基板２、樹脂封止体３から成っている。

リード１は、アウターリード１１、インナーリード１２を有する。例えば、０．５ｍｍ厚の平形状板材をプレス打ち抜き加工や化学的なエッチング加工が適用され、材質は銅または銅合金が多く使用され、表面は銀めっき等を施すことができる。

アウターリード１１およびインナーリード１２は、電気的接続および伝熱経路として用いられる。

リード１の凹部１３（１）は、例えば凹形状の深さが100μｍとなるよう、フレームを叩いて形成してもよく、切削して形成してもよい。

基板２は、電気回路を有し、接合材を介して半導体素子を主面に載置する。例えばガラスエポキシ基板を用いてもよい。

樹脂封止体３は、樹脂成形金型とプレス装置を使用して、トランスファーモールドとして、樹脂成形されたものである。例えば、樹脂封止体３には熱硬化性エポキシ樹脂が使用される。なお図中では樹脂封止体３の外表面を破線にて表示している。

ここで、リード１のインナーリード１２（１）の主面には、このインナーリード１２（１）の幅方向の全体を横切るように凹部が形成されている。インナーリード１２（１）は、その主面が基板１の主面に導電性接着剤を介して固着される。

このとき、基板１の主面は、インナーリード１２（１）の主面に形成された凹部の開口部の一部だけを塞ぐように配置される。即ち、凹部の開口（インナーリード１２（１）の主面の延長部分）は、基板１によって一部のみが覆われ、凹部の開口の一部は開放した状態となっている。

したがって、凹部内には、この開口を通じて樹脂封止体３を構成する樹脂が侵入し、凹部は樹脂で充填されている。

以上により、半導体装置が完成する。

次に、上述の実施例１に係る半導体装置の効果を説明する。

本発明の実施例１に係る半導体装置は、請求項１によれば、凹部１３（１）により、樹脂封止の際に封止樹脂が回り込み、空隙の発生を低減することができ、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、インナーリード１２（１）を基板の一方の主面方向にダウンセットすることで、半導体装置の低背化が実現できる。

上述のように、本発明を実施するための形態を記載したが、この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例が可能であることが明らかになるはずである。

また、上記の構成においては、インナーリード１２（１）を、基板の主面２１（２）に接合されているが、基板の一方の主面２２（２）に接合してもよい。これにより基板の一方の主面２２（２）に回路が形成されていても電気的接続が可能である。

１、リード
１１、アウターリード
１２、インナーリード
２、基板
２１、基板の主面
２２、基板の一方の主面
３、樹脂封止体

Claims

リード１と、基板２と、樹脂封止体３と、を具備する半導体装置において、前記リード１のインナーリード１２（１）の主面には、当該インナーリード１２（１）の幅方向の全体を横切る凹部が形成されており、前記基板１の主面と前記インナーリード１２（１）の主面とは、前記基板２の主面が前記凹部の開口部の一部を覆うように接着剤を介して接合されており、前記凹部に前記樹脂封止体３を構成する樹脂が充填されていることを特徴とする半導体装置。