JP2016048370A - ワイヤーグリッド装置 - Google Patents

Abstract

【課題】テラヘルツ波帯において、従来実現不可能であった透過電力特性および電力消光比を提供する。【解決手段】矩形状の金属薄板の一端と他端との間に切欠部を設けて、該一端と該他端との間に形成された細長いグリッド部を有する複数のグリッド板２０を形成する。グリッド板２０のグリッド部同士が所定の間隔を介して対面するよう積層してグリッド板積層体２ａを構成する。この場合、グリッド板２０における隣接するグリッド板２０の一端の間および他端との間にスペーサ２１が挿入されることにより、グリッド部が平行平板を構成する。平行平板を構成するグリッド板積層体２ａがテラヘルツ波帯の偏光子として動作する。【選択図】図４

Description

この発明は、主にテラヘルツ電磁波の偏光や検光等に用いられるワイヤーグリッド装置に関する。

テラヘルツ電磁波は周波数が０．１〜１０ＴＨｚ（波長が３０μｍ〜３０００μｍ）の電磁波とされており、波長が遠赤外〜ミリ波領域とほぼ一致する。テラヘルツ電磁波は、「光」と「ミリ波」に挟まれた周波数領域に存在しているため、光と同様に高い空間分解能でものを見分ける能力と、ミリ波と同様の物質を透過する能力を併せ持っている。テラヘルツ波帯はこれまで未開拓電磁波であったが、この周波数帯の電磁波の特徴を生かした時間領域分光、イメージング及びトモグラフィーによる材料のキャラクタリゼーションへの応用などが検討されてきている。テラヘルツ電磁波を用いると、物質透過性と直進性を兼ね備えるためＸ線に替わる安全かつ革新的なイメージングが可能になったり、数100Gbps級の超高速無線通信を可能とすることができる。

従来、主にテラヘルツ電磁波の偏光や検光等にはワイヤーグリッドを用いることが提案されており、このワイヤーグリッドの実現に向けて研究が進められている。
従来の自立型ワイヤーグリッドの一例は、直径５μｍ〜５０μｍ程度の金属細線を、１本づつ設定された間隔で平行に並べ、金属枠に接着剤で貼り付けて作成されている。この自立型ワイヤーグリッドは、適用可能な周波数に限界があり、概ね１．５ＴＨｚ以上のテラヘルツ電磁波の偏光子に適用可能な構造のものは、微細な構造となることから実現することが困難とされている。

テラヘルツ波帯の偏光子に適用可能なワイヤーグリッド用金属板が特許文献１に開示されており、このワイヤーグリッド用金属板１０１の構成を示す平面図を図８１に、ワイヤーグリッド用金属板１０１の一部の拡大平面図を図８２に、図８２の一部を更に拡大して示す平面図を図８３（ａ）に、そのＡ−Ａ線で切断した断面図を図８３（ｂ）に示す。

ワイヤーグリッド用金属板１０１は例えば直径２０ｍｍ〜１００ｍｍ程度のニッケルの円板形状とされ、図８１〜図８３（ａ）（ｂ）に示すように、縦方向に桟状（細線状）に延びる複数の縦桟部１１１と、各縦桟部１１１にほぼ直交する少なくとも１つの横桟部１１２とを有し、縦桟部１１１及び横桟部１１２は、それぞれの両端部が円形又は矩形のフランジ部１１３につながっている。
縦桟部１１１の幅（ワイヤー幅）や間隔は、ワイヤーグリッド用金属板１０１の性能を決定するパラメータであり、適用する光の周波数に応じて定まる。そして、ワイヤーグリッド用金属板１０１は、１．５ＴＨｚ以上のテラヘルツ電磁波にも適用可能な構造とすることができ、縦桟部１１１の幅Ｗａは１．５μｍ〜５０μｍとすることができる。

ワイヤーグリッド用金属板１０１においては、横桟部１１２が、少なくとも所定幅以上であって縦桟部１１１の幅以上に幅広とされている。これにより、幅Ｗａが１．５μｍ〜５０μｍの細線構造の縦桟部１１１を製造可能となる。また、ワイヤーグリッド用金属板１０１の板厚は、基板からの引き剥がし等における物理的強度や透過光特性の劣化を考慮して定める必要があり、板厚は１０μｍとされている。
なお、縦桟部１１１の幅Ｗａはワイヤーグリッド用金属板１０１の性能を決定するパラメータとして一義的に定まるが、横桟部１１２の幅Ｗｂや間隔（個数）等は、主にワイヤーグリッド用金属板１０１の強度を確保する観点から定まる。このため、横桟部１１２の幅Ｗｂは、縦桟部１１１の幅以上の幅広に形成されている。具体的には、縦桟部１１１の幅Ｗａを１．５μｍ〜５０μｍとし、横桟部１１２を１５μｍ以上であって縦桟部１１１より幅広に形成する。

図８４に、縦桟部１１１の幅Ｗａが２０μｍ、縦桟部１１１の間隔が６０μｍ、横桟部１１２の幅Ｗｂが２０μｍ、横桟部１１２の間隔が５ｍｍ、厚みが５０μｍとされたワイヤーグリッド用金属板１０１を使用した場合の特性を示す。図８４に示す透過配置の特性線α２、阻止配置の特性線β２から、周波数０．１〜１．５ＴＨｚのテラヘルツ光（テラヘルツ波と同義）に対して偏光子として動作していることが分かる。この場合、テラヘルツ光の電場の振幅方向が縦桟部１１１の延伸方向である縦方向と直交する場合に透過配置となり、テラヘルツ光の電場の振幅方向が縦桟部１１１の延伸方向である縦方向の場合に阻止配置となる。

また、非特許文献１には、テラヘルツ帯のワイヤーグリッドを金属幅100μmでそれを200μmピッチで作成し、金属の厚みを0.05mm、0.1mm、0.2mm、0.5mmとした時の阻止率を測定すると、最も厚い0.5mmの金属厚みの場合の阻止率が最も向上していることが記載されている。この時の透過率は、約０．０１％となっていることが分かる。

特許第５１４１３２０号公報

藤井高志、松本直樹，ＴＨｚ帯域におけるワイヤーグリッドの金属厚みによる阻止特性への影響，第７０回応用物理学会学術講演会講演予稿集 Ｖｏｌ．３，日本，２００９年 ９月 ８日，１０２２

しかしながら、テラヘルツ波の偏光子として動作するワイヤーグリッド装置の透過電力特性および電力消光比として、透過電力が約４０％以上で、かつ、消光比が−５０ｄＢクラスの特性が求められているが、特許文献１および非特許文献１に記載のワイヤーグリッド用金属板１０１やテラヘルツ帯のワイヤーグリッドにおいては、このような高い透過電力特性および電力消光比を達成することができなかった。
そこで、本発明は、従来のワイヤーグリッド装置では実現不可能であった透過電力特性および電力消光比を１素子で簡易に実現できるワイヤーグリッド装置を提供することを目的としている。

上記目的を達成するために、本発明のワイヤーグリッド装置は、所定の奥行きを有する直方体状とされた導電性の枠体の一辺に平行に、前記枠体に複数形成されたスリットと、該スリット間にそれぞれ形成されたグリッドとを備え，前記グリッドが平行平板を構成するテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置であって、前記枠体の奥行きａを約５０μｍとした時に、前記スリットの幅ｄが約１０μｍ〜約５０μｍ、前記グリッドの周期ｐが約２０μｍ〜約５０μｍとされ、前記枠体の奥行きａを約１０００μｍから約３０００μｍとした時に、前記スリットの幅ｄが約１０μｍ〜約１５０μｍ、前記グリッドの周期ｐが約２０μｍ〜約３００μｍとされることを主要な特徴としている。
また、本発明の他のワイヤーグリッド装置は、矩形状の金属薄板の一端と他端との間に切欠部が設けられて、該一端と該他端との間に形成された細長いグリッド部を有する複数のグリッド板において、前記グリッド部同士が所定の間隔を介して対面するよう積層されたテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置であって、前記グリッド板における隣接する前記グリッド板の前記一端の間および前記他端との間にスペーサが挿入されることにより、隣接する前記グリッド板の前記グリッド部間にスリットが形成されてグリッド板積層体が形成され、該グリッド板積層体における前記グリッド部が平行平板を構成することを主要な特徴としている。
また、本発明の他のワイヤーグリッド装置は、両側にネジ部が形成された平板状の下基台と、前記ネジ部の形成位置に対応して両側に孔が形成された平板状の上基台とを有し、前記グリッド板の一端と他端とに、前記ネジ部および前記孔の形成位置に対応して貫通孔が形成されていると共に、前記スペーサにも貫通孔が形成されており、前記グリッド板積層体を前記下基台と前記上基台との間に挟持し、前記上基台の前記孔に挿通した取付手段を、前記グリッド板積層体における前記グリッド板の前記貫通孔および前記スペーサの前記貫通孔に順次挿通して前記下基台のネジ部に螺着することにより組み立てられていてもよい。
また、本発明の他のワイヤーグリッド装置は、前記平行平板の伝搬方向の長さである前記グリッド部の幅ａを約５０μｍとした時に、前記グリッド部間の間隔ｄが約１０μｍ〜約５０μｍ、前記グリッド部を配置する周期ｐが約１１μｍ〜約５０μｍとされ、前記グリッド部の幅ａを約１０００μｍから約３０００μｍとした時に、前記間隔ｄが約１０μｍ〜約１５０μｍ、前記周期ｐが約１１μｍ〜約３００μｍとされていてもよい。
また、本発明の他のワイヤーグリッド装置は、前記平行平板の伝搬方向の長さである前記グリッド部の幅ａを５０μｍ〜３０００μｍとした時に、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する許容範囲が、間隔ｄでは約１μｍ〜約１０μｍ、周期ｐでは約２μｍ〜約２０μｍとされていてもよい。
また、本発明のさらに他のワイヤーグリッド装置は、細長い矩形状の金属薄板が一面のほぼ中央に形成されている矩形状のフィルムからなるフィルム基板を複数枚積層することにより平行平板が構成されたテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置であって、伝搬方向の長さである前記金属薄板の幅ａを約５０μｍとした時に、前記フィルム基板間の間隔ｄが約１０μｍ〜約５０μｍとすると共に、前記フィルム基板を積層する周期ｐが約１０．０１μｍ〜約１００μｍとされ、前記金属薄板の幅ａを約１０００μｍ〜約２０００μｍとした時に、前記フィルム基板間の間隔ｄが約１０μｍ〜約１５０μｍとすると共に、前記フィルム基板を積層する周期ｐが約１０．０１μｍ〜約３００μｍとされることを主要な特徴としている。
また、本発明のさらに他のワイヤーグリッド装置は、平板状の底部と、該底部の上面から立設した複数本の立設柱とを有する基台と、前記基台の前記立設柱の位置が切り欠かれた前記フィルム基板を複数枚積層したフィルム基板積層体と、平板状の平板部と、該平板部において前記基台の前記立設柱の位置が切り欠かれている押さえ板とを備え、前記フィルム基板積層体が前記複数本の立設柱により位置合わせされて前記基台に収納され、該フィルム基板積層体の上に前記押さえ板が載置され、該押さえ板に挿通されたネジが前記基台に螺着されていてもよい。
また、本発明のさらに他のワイヤーグリッド装置は、前記平行平板の伝搬方向の長さとされる前記金属薄板の幅ａを５０μｍ〜２０００μｍとした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する許容範囲が、間隔ｄでは約１μｍ〜約５μｍ、周期ｐでは約１．０１μｍ〜約２０μｍとされていてもよい。
また、本発明のさらに他のワイヤーグリッド装置は、前記平行平板の伝搬方向の長さとされる前記金属薄板の幅ａを５０μｍ〜２０００μｍとした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する許容範囲が、間隔ｄでは約１μｍ〜約２３μｍ、周期ｐでは約１．０１μｍ〜約４３μｍとされていてもよい。

本発明のワイヤーグリッド装置は、平行平板における伝搬方向の長さを１０００μｍ以上とすると、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚにおける多くの周波数領域において、透過電力が約４０％以上で、かつ、消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作するようになる。すなわち、従来のワイヤーグリッド装置では実現不可能であった透過電力特性および電力消光比を１素子で簡易に実現することができる。
また、矩形状の金属薄板の一端と他端との間に切欠部が設けられて、該一端と該他端との間に形成された細長いグリッド部を有する複数のグリッド板において、隣接するグリッド板の一端の間および他端との間にスペーサを挿入して、グリッド部同士が所定の間隔を介して対面するよう積層してグリッド板積層体を形成し、グリッド板積層体におけるグリッド部が平行平板を構成することにより、容易にテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置を歩留まりよく作成することができ、コストを低減することができるようになる。
また、基台の立設柱の位置が切り欠かれたフィルム基板を複数枚積層したフィルム基板積層体を、基台に収納してフィルム基板積層体の上に押さえ板を載置し、押さえ板に挿通されたネジを基台に螺着することにより、フィルム基板積層体におけるフィルム基板に形成された金属薄板が平行平板を構成することにより、容易にテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置を歩留まりよく作成することができ、コストを低減することができるようになる。

本発明の第１実施例のワイヤーグリッド装置の構成を示す斜視図、正面図、Ａ部拡大図である。 本発明の第１実施例のワイヤーグリッド装置の解析モデルを示す図およびパラメータの寸法の例を示す図表である。 本発明の第１実施例のワイヤーグリッド装置の解析モデルによる解析結果を示す図である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置の構成を示す斜視図、正面図、上面図である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置の構成を示す分解組立図である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置におけるグリッド板の構成を示す背面図、上面図である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置におけるスペーサの構成を示す上面図、正面図である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置のパラメータの寸法の例を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、パラメータの寸法を図８に示す寸法とした時の実験結果のグラフを示す図である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時の他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置の構成を示す正面図および平面図である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置の構成を示す分解組立図である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置におけるフィルム基板の構成を示す平面図およびフィルム基板積層体の構成を示す斜視図である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置における基台の構成を示す平面図および正面図である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置における押さえ板の構成を示す平面図および正面図である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時の他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置において、種々のパラメータの寸法とした時のさらに他の解析結果を示す図表である。 従来のワイヤーグリッド用金属板の構成を示す斜視図である。 従来のワイヤーグリッド用金属板の構成を示す一部の拡大平面図である。 従来のワイヤーグリッド用金属板の構成を示す他の一部の拡大平面図である。 従来のワイヤーグリッド用金属板の特性を示す図である。

本発明の第１実施例のワイヤーグリッド装置１の構成を示す斜視図を図１（ａ）に、その正面図を図１（ｂ）に、そのＡ部拡大図を図１（ｃ）に示す。
本発明の第１実施例のワイヤーグリッド装置１は、テラヘルツ波帯の周波数帯において偏光子として動作する。本発明の第１実施例のワイヤーグリッド装置１は、図１（ａ）（ｂ）（ｃ）に示すように所定の奥行きを有する直方体状とされた導電性の枠体１０と、枠体１０の縦方向に枠体１０を貫通するよう多数形成されたスリット１１とから構成されている。枠体１０は金属製等の導電性とされ、金属製の枠体１０をエッチングすることにより、スリット１１を形成することができる。枠体１０の奥行きをａとすると、スリットの奥行きがａとなる。多数のスリット１１の縦方向の長さはｌ（小文字のエル）とされ、スリット１１は互いに平行に配置されている。スリット１１間の枠体１０の領域によりグリッド１２が形成される。スリット１１の幅はｄ、グリッド１２の幅はｗとされ、グリッド１２の周期はｐ（＝ｄ＋ｗ）とされている。第１実施例のワイヤーグリッド装置１では、枠体１０に多数のスリット１１が形成されることにより、平行平板とされる多数のグリッド１２が形成されて、ワイヤーグリッド装置として機能するようになる。なお、ｌはグリッド１２の長さでもあって、ワイヤーグリッド装置１の開口の寸法ともされている。なお、図示する例ではワイヤーグリッド装置１の横方向がｘ軸方向、縦方向がｙ軸方向、奥行き方向がｚ軸方向とされる。

次に、第１実施例のワイヤーグリッド装置１の透過率と消光比を解析するための解析モデルを図２（ａ）に示し、各部の寸法の例を示す図表を図２（ｂ）に示す。
図２（ａ）に示すように、第１実施例のワイヤーグリッド装置１に入射したｚ軸方向に進行するテラヘルツ波は、スリット１１が形成された枠体１０に入射し、奥行きａとされた枠体１０に形成されているグリッド１２間を通過したテラヘルツ波が出射されるようになる。これをモデル化したのが図２（ａ）に示す解析モデルであり、入射するまでの枠体１０の前の領域を仮想した周期境界壁１４の領域と、周期境界壁１４にステップ構造＃１で連結された間隔ｄで対向すると共に奥行きａとされた電気壁１３の領域と、この領域にステップ構造＃２で連結された枠体１０の後の領域を仮想した周期境界壁１４との領域とからなる。なお、電気壁１３は奥行きａ、幅ｗとされたグリッド１２により構成されることから、ステップ構造＃１，＃２のステップ高さはｗ／２とグリッド１２の幅ｗの１／２となる。周期境界壁１４間の距離ｐ_xは、グリッド１２の周期ｐに等しくされている。

第１実施例のワイヤーグリッド装置１は、１つ目のステップ構造＃１と２つ目のステップ構造＃２とを距離ａで散乱行列Ｓ１を接続し、周期境界壁１４と電気壁１３とが接続される高さｗ／２のステップとなる解析モデルとなり、この解析モデルをモードマッチング法により解析する。モードマッチング法による解析では、既知の特性を有する区間に分割し、各区間の接続部の領域における場を計算によって求め、全体の応答を計算している。第１実施例のワイヤーグリッド装置１のモードマッチング法の解析について説明する。
入射波はＴＭモード（Transverse Magnetic mode）であり、磁界Ｈ（ベクトル）の入射波Ｈⁱ _y、反射波Ｈ^r _y、透過波Ｈ^t _yは、

とおける。ここで、Ｉ_m、Ｉ_n、Ｉ_lは基底関数を表し、

と表せる。さらに、

である。Ａ_m、Ｂ_n、Ｃ_lは励振関数を表す。電界Ｅ（ベクトル）は磁界Ｈ（ベクトル）より一意に決まり、開口面上で電界と磁界の境界条件をたてる。境界条件に３種類の基底関数Ｉ_m、Ｉ_n、Ｉ_lを重み付けのためそれぞれ乗算して、境界面上で積分し、行列式を導出する。この行列式を解くことで励振関数Ａ_m、Ｂ_n、Ｃ_lが求まる。
１つ目のステップ構造＃１の散乱行列は励振関数Ａ_m、Ｂ_n、Ｃ_lにより導出でき、２つ目のステップ構造＃２の散乱行列と距離（奥行き）ａで接続することにより、図１（ａ）に示すワイヤーグリッド装置１の全体構造でのＴＭモードのテラヘルツ波を入射した際の透過、反射特性が求まる。また、消光比はＴＥモード（Transverse ElectroMagnetic mode）の伝搬定数を考慮して求めることができる。これは、テラヘルツ波の電場の振幅方向がグリッド１２の延伸方向である縦方向と直交する（ＴＭモード）場合に透過配置となり、テラヘルツ波の電場の振幅方向がグリッド１２の延伸方向である縦方向（ＴＥモード）の場合に阻止配置となるからである。

第１実施例のワイヤーグリッド装置１のパラメータの寸法の例を図２（ｂ）に示す。この図に示すように、スリット１１の幅ｄを約５０μｍ、枠体１０の奥行きａを約２．０ｍｍ、スリット１１およびグリッド１２の縦方向の長さｌを約１８ｍｍとして、グリッド１２の幅ｗを２０μｍ、約３０μｍ、約５０μｍの３種類の寸法とした時において、０．１ＴＨｚ〜２．９８ＴＨｚの周波数のテラヘルツ波を第１実施例のワイヤーグリッド装置１に入射させた際の解析を、図２（ａ）に示す解析モデルでそれぞれ解析し、その解析結果のグラフを図３（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す。これらの図においては、横軸が０．１ＴＨｚ〜２．９８ＴＨｚの周波数、縦軸が百分率で表したTransmission Power［％］（以下、「透過電力％」という）、あるいは、強度透過率で表した消光比（Extinction Ratio）とされている。入射されたテラヘルツ波の電場の振幅方向がグリッド１２の延伸方向であるｙ軸方向と直交する場合に透過配置となり、その透過電力％が実線で示され、テラヘルツ波の電場の振幅方向がグリッド１２の延伸方向であるｙ軸方向と平行する場合に阻止配置となり、その消光比が破線で示されている。図３（ａ）はグリッド１２の幅ｗが約２０μｍの時の解析結果であり、この図を参照すると、透過配置の透過電力％では周波数が０．１ＴＨｚから２．９８ＴＨｚまでの間において上下に振動しているが、約８５％以上の良好な透過電力％が得られている。このように、振動するのは透過波がグリッド１２間において多重反射するためであり、この多重反射により周波数に応じて透過電力％に谷ができたり山ができるようになる。また、阻止配置の消光比は０．１ＴＨｚ〜２．９８ＴＨｚにおいて１０^-12以下となる良好な消光比が得られている。図３（ｂ）はグリッド１２の幅ｗが約３０μｍの時の解析結果であり、この図を参照すると、透過配置の透過特性では周波数が０．１ＴＨｚから２．９８ＴＨｚまでの間において上記の理由により上下に振動しているが、約７０％以上の良好な透過電力％が得られている。また、阻止配置の消光比は０．１ＴＨｚ〜２．９８ＴＨｚにおいて１０^-12以下となる良好な消光比が得られている。図３（ｃ）はグリッド１２の幅ｗが約５０μｍの時の解析結果であり、この図を参照すると、透過配置の透過電力％では周波数が０．１ＴＨｚから２．９８ＴＨｚまでの間において上記の理由により上下に振動しているが、約１．５０ＴＨｚまでは約６０％以上の良好な透過電力％が得られ、１．５ＴＨｚを超えると透過電力％は次第に低下するが２０％以上の透過電力％が得られている。また、阻止配置の消光比は０．１ＴＨｚ〜２．９８ＴＨｚにおいて１０^-12以下となる良好な消光比が得られている。このように、グリッド１２の幅ｗは狭くなるに従って透過電力％が向上することが分かることから、グリッド１２の幅ｗは約５０μｍ以下とできるだけ薄くすることが好適とされる。このように、第１実施例のワイヤーグリッド装置１において上記したパラメータ値とすると、周波数０．１〜２．９８ＴＨｚのテラヘルツ波帯に対する図３（ａ）〜（ｃ）に示す透過配置の透過電力％、阻止配置の消光比（強度透過率）において、透過電力％の最悪値が２０％とされるが、その際の消光比は１０^-12以下となるから、周波数０．１〜２．９８ＴＨｚのテラヘルツ波帯に対して従来実現することができなかった良好な特性の偏光子として動作することが分かる。

本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置２の構成を示す斜視図を図４（ａ）に、その正面図を図４（ｂ）に、その上面図を図４（ｃ）に示し、第２実施例のワイヤーグリッド装置２の分解組立図を図５に示す。
これらの図に示すように、第２実施例のワイヤーグリッド装置２は、薄い金属板からなる複数枚のグリッド板２０を互いに所定間隔となるよう積層したグリッド板積層体２ａを備えている。複数枚のグリッド板２０は、その両端にそれぞれ所定厚みのスペーサ２１を介して積層され、これによりグリッド板２０が所定間隔で積層されたグリッド板積層体２ａが構成されている。このグリッド板積層体２ａにおいては、積層された複数枚のグリッド板２０により平行平板が構成される。そして、グリッド板積層体２ａの上には、直方体状の上基台２２が配置され、下には下基台２３が配置されて、上基台２２に挿通した取付ネジ２４をグリッド板積層体２ａを挿通して下基台２３に螺着することにより、第２実施例のワイヤーグリッド装置２が構成されている。このように、第２実施例のワイヤーグリッド装置２は、グリッド板２０とスペーサ２１とで組み立てられた平行平板を構成するグリッド板積層体２ａと、上基台２２と、下基台２３と、２本の取付ネジ２４を組み立てる簡易な組立構造のワイヤーグリッド装置２とされることから、テラヘルツ波帯の偏光子として動作するワイヤーグリッド装置を安価に得ることができる。また、第２実施例の組立構造のワイヤーグリッド装置２は、良好な消光比を安定して得ることができる

第２実施例のワイヤーグリッド装置２のグリッド板２０の構成を示す背面図を図６（ａ）に、その上面図を図６（ｂ）に示す。
これらの図に示すように、グリッド板２０は細長いと共に厚みの薄い矩形状の金属板の一方の長辺から切欠部２０ｂを形成することにより、両端の間であって他方の長辺に沿って細長い矩形状のグリッド部２０ａを形成するようにしている。両端にはほぼ正方形状の固定部２０ｃが形成されており、固定部２０ｃのほぼ中央に円形の貫通孔２０ｄが形成されている。複数枚のグリッド板２０が積層された際に、グリッド部２０ａが平行平板を構成し、テラヘルツ波帯の偏光子として機能するようになる。このグリッド部２０ａの横方向の長さがＬ２、その幅がａ２とされ、グリッド板２０の厚さはｔ２とされる。

また、第２実施例のワイヤーグリッド装置２のスペーサ２１の構成を示す上面図を図７（ａ）に、その正面図を図７（ｂ）に示す。
これらの図に示すように、スペーサ２１は所定の厚さｄ２とされ、グリッド板２０間の間隔をｄ２とする機能を奏している。スペーサ２１は、リング状の本体部２１ａから構成されており、本体部２１ａのほぼ中央には貫通孔２１ｂが形成されている。スペーサ２１は、金属製でも合成樹脂製でも良い。貫通孔２１ｂの内径は、グリッド板２０に形成された２つの貫通孔２０ｄの内径とほぼ一致している。

図７（ａ）（ｂ）に示すスペーサ２１を、図６（ａ）（ｂ）に示すグリッド板２０の両端部の固定部２０ｃの上に、貫通孔２０ｄに貫通孔２１ｂの位置を合わせながらそれぞれ載置して、その上に貫通孔２１ｂに貫通孔２０ｄの位置を合わせながら次のグリッド板２０を載置する。そして、次のグリッド板２０の両端部の固定部２０ｃの上に、貫通孔２０ｄに貫通孔２１ｂの位置を合わせながら次のスペーサ２１をそれぞれ載置して、その上に貫通孔２１ｂに貫通孔２０ｄの位置を合わせながらさらに次のグリッド板２０を載置する。この作業を繰り返し行うことにより、グリッド部２０ａが平行平板を構成しているグリッド板積層体２ａを組み立てることができる。

次に、図５に示すように、この組み立てたグリッド板積層体２ａを下基台２３に載置し、グリッド板積層体２ａの上に上基台２２を配置する。上基台２２の両側には、上基台２２を貫通する２つの孔部２２ａがそれぞれ形成されており、この孔部２２ａの形成位置はグリッド板２０の２つの貫通孔２０ｄの形成位置と一致している。また、孔部２２ａの上側はテーパ状とされて次第に拡径されている。この２つのテーパ状の孔部２２ａから２本の取付ネジ２４をそれぞれ挿通して、さらに、取付ネジ２４をグリッド板積層体２ａに挿通していく。取付ネジ２４の先端部にはネジが切られている。下基台２３の両側には、下基台２３を貫通する２つのネジ部２３ａがそれぞれ形成されており、このネジ部２３ａの形成位置はグリッド板２０の２つの貫通孔２０ｄの形成位置と一致している。そこで、グリッド板積層体２ａを貫通した２本の取付ネジ２４の先端を、下基台２３の２つのネジ部２３ａにそれぞれ螺着する。これにより、堅牢で再現性の優れた第２実施例のワイヤーグリッド装置２を歩留まり良く組み立てることができる。

第２実施例のワイヤーグリッド装置２において、グリッド板２０間の間隔であるスペーサ２１の厚さｄ２と、伝搬方向（ｚ軸方向）のグリッド部２０ａの幅ａ２と、グリッド板２０の厚さｔ２と、グリッド板２０の横方向の長さＬ２と、グリッド板２０が配置される周期ｐ２（＝ｄ２＋ｔ２）がパラメータとされる。これらのパラメータの寸法の例を示す図表を図８に示す。図８に示す一例のように、グリッド板２０の厚さｔ２を約２０μｍ、伝搬方向（ｚ軸方向）のグリッド部２０ａの幅ａ２を約２ｍｍ、グリッド板の横方向の長さＬ２を約１１ｍｍ、グリッド板２０間の間隔（スペーサ２１の厚さ）ｄ２を約５０μｍとして、周波数が０．１ＴＨｚ〜２．９９ＴＨｚで−６０ｄＢ以下の消光比とともに、ＴＭモードの透過電力の平均値が９４％得られるよう設計した。この時のグリッド板２０が配置される周期ｐ２（＝ｄ２＋ｔ２）は、約７０μｍとされる。このように、第２実施例のワイヤーグリッド装置２は使用する波長に対して十分大きな構造となり、ｘ軸方向は周期構造、ｙ軸方向は無限一様構造となる。
このように設計した第２実施例のワイヤーグリッド装置２の外部に周期境界壁を仮想し、１本分抜き出した２次元解析モデルをモードマッチング法で設計し、ＴＭモードの透過電力を解析した。消光比は、上述したように平行平板内のＴＥモードの伝搬定数を考慮して求めた。

図９に、パラメータの寸法を図８に示す寸法とした際の第２実施例のワイヤーグリッド装置２の実験結果のグラフを示す。図９を参照すると、０．２〜２．３ＴＨｚにおいて−５０ｄＢ以下の良好な消光比が得られていることが分かる。また、ＴＭモードの透過電力の平均値は約８２％の良好な値が得られていることが分かる。この場合、ＴＭモードの平均透過電力の設計値との差は１２％となるが、その原因はグリッド板積層体２ａの中央部においてグリッド部２０ａに１０μｍ程度のたわみが生じるからと考えられる。すなわち、グリッド板積層体２ａの中央部におけるグリッド部２０ａのたわみを防止することにより、ＴＭモードの平均透過電力の実験値は設計値に限りなく近づくものと考えられる。また、インピーダンス整合による反射抑圧もおおむねできていることが分かる。

次に、第２実施例のワイヤーグリッド装置２の上記したパラメータにおいて、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍ、１０００μｍ、２０００μｍ、３０００μｍの４種類とした時に、グリッド板２０間の間隔（スペーサ２１の厚さ）ｄ２を１０μｍ〜１５０μｍ、周期ｐ２（＝ｄ２＋ｔ２）を１１μｍ〜３００μｍとして、第２実施例のワイヤーグリッド装置２の外部に周期境界壁を仮想し、１本分抜き出した２次元解析モデルをモードマッチング法で設計し、周波数が０．１ＴＨｚ、０．５ＴＨｚ、１．０ＴＨｚ、１．５ＴＨｚ、２．０ＴＨｚ、２．５ＴＨｚにおけるＴＭモードのＴＭ透過電力［％］と電力消光比［ｄＢ］を解析した解析結果の図表を図１０ないし図１３に示す。なお、電力消光比は、上述したようにグリッド部２０ａで構成された平行平板内のＴＥモードの伝搬定数を考慮して求めた。これは、テラヘルツ波の電場の振幅方向がグリッド部２０ａの延伸方向である横方向と直交する（ＴＭモード）場合に透過配置となり、テラヘルツ波の電場の振幅方向がグリッド部２０ａの延伸方向である横方向（ＴＥモード）の場合に阻止配置となるからである。
なお、図１０はグリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時の解析結果を示す図表であり、図１１はグリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時の解析結果を示す図表であり、図１２はグリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時の解析結果を示す図表であり、図１３はグリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時の解析結果を示す図表であり、いずれの場合においても、グリッド板２０間の間隔（スペーサ２１の厚さ）ｄ２を１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍとすると共に、周期ｐ２（＝ｄ２＋ｔ２）を１１μｍ〜３００μｍの内の間隔ｄ２に応じて取ることができる値とした解析結果である。この場合、図表にはグリッド板２０の金属厚みｔ２も規定されているが、厚みｔ２は、ｔ２＝ｐ２−ｄ２により演算した値とされている。

グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時の解析結果である図１０を参照すると、０．１ＴＨｚから２．５ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動していることが分かる。これは前述したようにグリッド部２０ａ間において透過波が多重反射するためであり、この多重反射により周波数に応じてＴＭ透過電力に谷ができたり山ができて振動するからである。また、周期ｐ２が大きくなってグリッド板２０の厚みｔ２が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減するようになる。これは、グリッド板２０の厚みｔ２が厚くなると、グリッド部２０ａで構成する平行平板のテラヘルツ波が入射する開口面における、グリッド部２０ａの端面の面積が占める割合が大きくなって、入射波が端面で反射する率が大きくなるからである。さらに、間隔ｄ２が大きくなると電力消光比が劣化するようになり、周波数が高いほど電力消光比は大きく劣化し、ついには電力消光比が０ｄＢになることが分かる。これは、グリッド部２０ａによる平行平板のカットオフ周波数を、入射するテラヘルツ波の周波数が超えると、ＴＭモード，ＴＥモードに関わらずテラヘルツ波が透過してしまうためである。この場合には偏光子として動作しない。

図１０を参照すると、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時には、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．１１％〜１００％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８５．３５％〜１００％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約２０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約６４．２６％〜約９９．９６％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらにまた、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約５０μｍ（厚みｔ２は約４０μｍとなる）とした時には、１．０ＴＨｚ〜２．０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２９．３５％〜約９１．６９％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらにまた、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１００μｍ（厚みｔ２は約９０μｍとなる）とした時には、１．０ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２０．５２％〜約４９．５１％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
さらにまた、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約５１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．９６％〜１００％で電力消光比が約−２０．３ｄＢ〜約−２７．３ｄＢのテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約５５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．１１％〜１００％で電力消光比が約−２０．３ｄＢ〜約−２７．２ｄＢのテラヘルツ波帯の偏光子として動作する。さらにまた、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約６０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９６．７８％〜１００％で電力消光比が約−２０．３ｄＢ〜約−２７．１ｄＢのテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約１００μｍ（厚みｔ２は約５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約６４．２８％〜約９８．５２％で電力消光比が約−２３．６ｄＢ〜約−２５．４ｄＢのテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
このように、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとすると、テラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１０μｍ〜約５０μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約１１μｍ〜約１００μｍとなることが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時の解析結果である図１１を参照すると、０．１ＴＨｚから２．５ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述した通りである。周期ｐ２が大きくなってグリッド板２０の厚みｔ２が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ２が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述した通りである。
図１１を参照すると、グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時には、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．１０％〜約９９．７９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８５．１８％〜約９６．３７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約２０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約６３．８９％〜約８９．８９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらにまた、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約５０μｍ（厚みｔ２は約４０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚおよび２．０ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２４．９６％〜約５７．４８％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらにまた、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１００μｍ（厚みｔ２は約９０μｍとなる）とした時には、２．０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約４０．７８％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。

間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約５１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．９６％〜約９９．９９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約５５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．０９％〜約９９．７９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約６０μｍ〜約１００μｍ（厚みｔ２は約１０μｍ〜約５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約５４．００％〜約９９．２５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。この場合、周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２８．８５％〜約５４．２３％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１０１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が１００％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１０５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約９９．９４％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、周期ｐ２を約１１０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約９９．７６％〜約９９．７８％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。この場合、周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２００μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約６６．２９％〜約８２．３２％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
間隔ｄ２を約１５０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５１μｍ〜約３００μｍ（厚みｔ２は約１μｍ〜約１５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８６．５５％〜１００％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
このように、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍから１０００μｍと伝搬方向の奥行きを長くすると、テラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２および周期ｐ２の許容範囲が拡大することが図１１の解析結果から分かる。例えば、間隔ｄ２の許容範囲は約１０μｍ〜約１５０μｍとすることができ、周期ｐ２も約１１μｍ〜約３００μｍとすることができる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時の解析結果である図１２を参照すると、０．１ＴＨｚから２．５ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述した通りである。周期ｐ２が大きくなってグリッド板２０の厚みｔ２が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ２が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述した通りである。
図１２を参照すると、グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時には、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．１０％〜約９９．８３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８５．２０％〜約９６．９４％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約２０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約６３．９５％〜約９１．６６％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。この場合、周期ｐ２を約５０μｍ（厚みｔ２は約４０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚの周波数帯、２．０ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２６．７４％〜６８．０４％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１００μｍ（厚みｔ２は約９０μｍとなる）とした時には、１．０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２２．７９％で電力消光比が−１００ｄＢを超え、２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８４．５１％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。

間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約５１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．９６％〜約９９．９９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約５５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．０９％〜約９９．８２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約６０μｍ〜約１００μｍ（厚みｔ２は約１０μｍ〜５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約６０．０９％〜９９．３６％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。この場合、周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約３５．４７％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１０１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が１００％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１０５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約９９．９４％〜約９９．９５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１１０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約９９．７６％〜約９９．７９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。この場合、周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２００μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約４９．４４％〜７２．０４％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
間隔ｄ２を約１５０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５１μｍ〜３００μｍ（厚みｔ２は約１μｍ〜１５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７８．０４％〜１００％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
このように、グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍから２０００μｍと伝搬方向の奥行きをさらに長くすると、テラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２および周期ｐ２の許容範囲が若干拡大することが図１２の解析結果から分かる。この場合の間隔ｄ２の許容範囲は約１０μｍ〜約１５０μｍとすることができ、周期ｐ２も約１１μｍ〜約３００μｍとすることができる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時の解析結果である図１３を参照すると、０．１ＴＨｚから２．５ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述した通りである。周期ｐ２が大きくなってグリッド板２０の厚みｔ２が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ２が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述した通りである。
図１３を参照すると、グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時には、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．１０％〜約９９．１１％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８５．２１％〜約８５．２９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、
間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約２０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約６４．００％〜約６４．０７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。

間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約５１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．９６％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約５５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．０９％〜約９９．１０％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約６０μｍ〜約１００μｍ（厚みｔ２は約１０μｍ〜５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約４７．２４％〜９６．７５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１０１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約９９．９９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１０５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約９９．７６％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１１０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．０ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約９９．０８％〜約９９．１０％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。この場合、周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２００μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約３２．１８％〜約３５．８６％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
間隔ｄ２を約１５０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５１μｍ〜３００μｍ（厚みｔ２は約１μｍ〜１５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約５９．９１％〜１００％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
このように、グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍから３０００μｍと伝搬方向の奥行きをさらに長くすると、テラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２および周期ｐ２の許容範囲が若干縮小することが図１３の解析結果から分かる。この場合の間隔ｄ２の許容範囲は約１０μｍ〜約１５０μｍとすることができ、周期ｐ２も約１１μｍ〜約３００μｍとすることができる。

次に、第２実施例のワイヤーグリッド装置２の上記したパラメータにおいて、周波数が３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚのテラヘルツ波帯における高周波域におけるＴＭモードのＴＭ透過電力［％］と電力消光比［ｄＢ］を解析した解析結果の図表を図１４ないし図４５に示す。この場合、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍ、１０００μｍ、２０００μｍ、３０００μｍの４種類とし、グリッド板２０間の間隔（スペーサ２１の厚さ）ｄ２を１μｍ〜１５０μｍ、周期ｐ２（＝ｄ２＋ｔ２）を２μｍ〜３００μｍとして、第２実施例のワイヤーグリッド装置２の外部に周期境界壁を仮想し、１本分抜き出した２次元解析モデルをモードマッチング法で設計している。なお、電力消光比は、上述したようにグリッド部２０ａで構成された平行平板内のＴＥモードの伝搬定数を考慮して求めた。
ここで、図１４ないし図２１はグリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時の解析結果を示す図表であり、図２２ないし図２９はグリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時の解析結果を示す図表であり、図３０ないし図３７はグリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時の解析結果を示す図表であり、図３８ないし図４５はグリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時の解析結果を示す図表であり、いずれの場合においても、グリッド板２０間の間隔（スペーサ２１の厚さ）ｄ２を、１μｍ、５μｍ、１０μｍ、２３μｍ、５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍとすると共に、周期ｐ２（＝ｄ２＋ｔ２）を２μｍ〜３００μｍの内の間隔ｄ２に応じて取ることができる値とした解析結果である。この場合、図表にはグリッド板２０の金属厚みｔ２も規定されているが、厚みｔ２は、ｔ２＝ｐ２−ｄ２により演算した値とされている。

グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時の解析結果を図１４ないし図２１に示す。図１４ないし図２１を参照すると、３ＴＨｚから１０ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述した通りである。周期ｐ２が大きくなってグリッド板２０の厚みｔ２が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ２が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述した通りである。
図１４ないし図２１を参照すると、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時で、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約２μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約６８．５８％〜約９９．９７％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約６μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１１．４２％〜約９７．２３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ、６ＴＨｚ、９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３７．９６％〜約８５．４１％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約２１μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ、６ＴＨｚ、９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９．９８％〜約５６．５１％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約７１μｍ（厚みｔ２は約７０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９９μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時で、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約６μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９７．２２％〜１００％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約１０μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約６２．８３％〜約９９．３９％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３１．７４％〜約９５．３２％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約２５μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１１．４５％〜約７３．０５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約８５μｍ（厚みｔ２は約８０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時で、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．２２％〜１００％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．４０％〜約９９．７２％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約２０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約５６．１７％〜約９７．５８％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約３０μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１２．１３％〜約９４．９６％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１００μｍ（厚みｔ２は約９０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時で、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約２４μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．８４％〜１００％となるが、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−２３．４ｄＢ〜−５２．８ｄＢとなり、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまうことから、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯において良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約２８μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．５１％〜約９９．８９％で電力消光比が−２３．４ｄＢ〜−５２．８ｄＢとなり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約３３μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９４．７３％〜約９９．００％で電力消光比が−２３．１ｄＢ〜−５２．８ｄＢとなり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約４３μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約４９．７３％〜約９７．７２％で電力消光比が−２０．３ｄＢ〜−５２．４ｄＢとなり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約９３μｍ（厚みｔ２は約７０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２７７μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時で、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約５１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．３３％〜１００％となるが、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約５５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約６０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約７０μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が少なくとも約４１．０７％以上となるが、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。また、間隔ｄ２を約５０μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２５０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時で、間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１０１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．６６％〜約９９．９７％となるが、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１０５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時、間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約１１０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が少なくとも約８５．７１％以上となるが、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。また、間隔ｄ２を約１００μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２００μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られないと共に電力消光比が−０．０ｄＢとなり、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時で、間隔ｄ２を約１５０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．８０％〜約９９．９９％となるが、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。間隔ｄ２を約１５０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時、間隔ｄ２を約１５０μｍとすると共に周期ｐ２を約１６０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時、間隔ｄ２を約１５０μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約１５０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が少なくとも約１６．５７％以上となるが、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。
このように、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとすると、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１μｍ〜約１０μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約２μｍ〜約２０μｍとなることが分かる。また、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとすると、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１μｍ〜約２３μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約２μｍ〜約４３μｍとなることが分かる。なお、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍとした時は、間隔ｄ２は約１μｍでは狭く、間隔ｄ２を約１０μｍとすると最も効果的となり、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ２を約１０μｍ〜約２３μｍとすると最も効果的となる。

次に、グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時の解析結果を図２２ないし図２９に示す。図２２ないし図２９を参照すると、３ＴＨｚから１０ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述した通りである。周期ｐ２が大きくなってグリッド板２０の厚みｔ２が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ２が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述した通りである。
図２２ないし図２９を参照すると、グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約２μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約６６．９１％〜約９９．７８％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約６μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１１．０８％〜約９２．５１％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ、６ＴＨｚ、９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２１．５２％〜約７１．６０％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約２１μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ、６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１２．４６％〜約３７．４３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約７１μｍ（厚みｔ２は約７０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９９μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約６μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９７．０５％〜約９９．９８％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約１０μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約６３．２９％〜約９８．８４％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３３．４０％〜約９３．０１％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約２５μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１２．５２％〜約６７．０５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約８５μｍ（厚みｔ２は約８０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．１８％〜約９９．９９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８４．１５％〜約９９．５２％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約２０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約５９．４８％〜約９９．０３％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約３０μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１２．１８％〜約９９．８０％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１００μｍ（厚みｔ２は約９０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約２４μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．８４％〜１００％となるが、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまうことから、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯において良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約２８μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９６．１１％〜約９９．８４％で電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約３３μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８６．１６％〜約９８．６９％で電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約４３μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約４８．３５％〜約９３．４８％で電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約９３μｍ（厚みｔ２は約７０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２７７μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約５０μｍとした時、間隔ｄ２を約１００μｍとした時、間隔ｄ２を約１５０μｍとした時は、周期ｐ２の寸法にかかわらず３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、間隔ｄ２を約５０μｍ、約１００μｍ、約１５０μｍとした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。
このように、グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとすると、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１μｍ〜約１０μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約２μｍ〜約２０μｍとなることが分かる。また、グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとすると、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１μｍ〜約２３μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約２μｍ〜約４３μｍとなることが分かる。なお、グリッド部２０ａの幅ａ２を１０００μｍとした時は、間隔ｄ２は約１μｍでは狭く、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ２を約１０μｍとすると最も効果的となり、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ２を約１０μｍ〜約２３μｍとすると最も効果的となる。

次に、グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時の解析結果を図３０ないし図３７に示す。図３０ないし図３７を参照すると、３ＴＨｚから１０ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述した通りである。周期ｐ２が大きくなってグリッド板２０の厚みｔ２が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ２が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述した通りである。
図３０ないし図３７を参照すると、グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約２μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約６４．６５％〜約９９．３９％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約６μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１０．３８％〜約８５．８４％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ、６ＴＨｚ、９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１３．３７％〜約５７．６８％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約２１μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２５．０９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約７１μｍ（厚みｔ２は約７０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９９μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約６μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９６．７７％〜約９９．９５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約１０μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約６２．４６％〜約９８．１０％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３４．１２％〜約９０．２３％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約２５μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１１．２５％〜約９８．１４％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約８５μｍ（厚みｔ２は約８０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．１０％〜約９９．９９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．８６％〜約９９．２５％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約２０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約６０．９３％〜約９５．４８％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約３０μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１２．５７％〜約８２．６４％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約９０μｍ（厚みｔ２は約８０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約２４μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．８２％〜１００％となるが、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまうことから、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯において良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約２８μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９６．２２％〜約９９．７７％で電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約３３μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８６．９６％〜約９８．３３％で電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約４３μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約４７．２８％〜約９９．８６％で電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約９３μｍ（厚みｔ２は約７０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２７７μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約５０μｍとした時、間隔ｄ２を約１００μｍとした時、間隔ｄ２を約１５０μｍとした時は、周期ｐ２の寸法にかかわらず３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、間隔ｄ２を約５０μｍ、約１００μｍ、約１５０μｍとした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。
このように、グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとすると、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１μｍ〜約１０μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約２μｍ〜約２０μｍとなることが分かる。また、グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとすると、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１μｍ〜約２３μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約２μｍ〜約４３μｍとなることが分かる。なお、グリッド部２０ａの幅ａ２を２０００μｍとした時は、間隔ｄ２は約１μｍでは狭く、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ２を約１０μｍとすると最も効果的となり、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ２を約１０μｍ〜約２３μｍとすると最も効果的となる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時の解析結果を図３８ないし図４５に示す。図３８ないし図４５を参照すると、３ＴＨｚから１０ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述した通りである。周期ｐ２が大きくなってグリッド板２０の厚みｔ２が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ２が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述した通りである。
図３８ないし図４５を参照すると、グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時であって、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約２μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８８．９９％〜約９８．８２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約６μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２６．１９％〜約７８．２７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜８ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１１．２２％〜約４６．０７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約２１μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１０．７６％〜約１７．６５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約７１μｍ（厚みｔ２は約７０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約１μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９９μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約６μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．１５％〜約９９．９２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約１０μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７７．２０％〜約９７．１９％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３９．２１％〜約８７．１９％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約２５μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１０．４３％〜約５５．５７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約８５μｍ（厚みｔ２は約８０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約５μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１１μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．７６％〜約９９．９８％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１５μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８９．６７％〜約９８．９３％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約２０μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約５７．２７％〜約９４．２１％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約３０μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１３．３５％〜約７２．８２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約１００μｍ（厚みｔ２は約９０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約１０μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２９０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約２４μｍ（厚みｔ２は約１μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９９．９５％〜１００％となるが、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまうことから、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯において良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約２８μｍ（厚みｔ２は約５μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９８．６７％〜約９９．６８％で電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約３３μｍ（厚みｔ２は約１０μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９１．０２％〜約９７．９４％で電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約４３μｍ（厚みｔ２は約２０μｍとなる）とした時にも同様に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約４６．５７％〜約８６．７４％で電力消光比が−１００ｄＢ以上となり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作するが、７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては電力消光比が−０ｄＢとなってしまい７ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。さらに、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約９３μｍ（厚みｔ２は約７０μｍとなる）とした時、および、間隔ｄ２を約２３μｍとすると共に周期ｐ２を約３００μｍ（厚みｔ２は約２７７μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時で、間隔ｄ２を約５０μｍとした時、間隔ｄ２を約１００μｍとした時、間隔ｄ２を約１５０μｍとした時は、周期ｐ２の寸法にかかわらず３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、間隔ｄ２を約５０μｍ、約１００μｍ、約１５０μｍとした時には、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。
このように、グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとすると、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１μｍ〜約１０μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約２μｍ〜約２０μｍとなることが分かる。また、グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとすると、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１μｍ〜約２３μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約２μｍ〜約４３μｍとなることが分かる。なお、グリッド部２０ａの幅ａ２を３０００μｍとした時は、間隔ｄ２は約１μｍでは狭く、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ２を約１０μｍとすると最も効果的となり、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ２を約１０μｍ〜約２３μｍとすると最も効果的となる。

次に、本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置３の構成を図４６ないし図５０に示す。図４６（ａ）（ｂ）は第３実施例のワイヤーグリッド装置３の構成を示す正面図および平面図であり、図４７は第３実施例のワイヤーグリッド装置３の構成を示す分解組立図であり、図４８（ａ）（ｂ）は第３実施例のワイヤーグリッド装置３におけるフィルム基板およびフィルム基板積層体の構成を示す斜視図であり、図４９（ａ）（ｂ）は第３実施例のワイヤーグリッド装置３における基台の構成を示す平面図および正面図であり、図５０（ａ）（ｂ）は第３実施例のワイヤーグリッド装置３における押さえ板の構成を示す平面図および正面図である。
これらの図に示すように、第３実施例のワイヤーグリッド装置３は、基台５０と、複数のフィルム基板３０を積層したフィルム基板積層体３ａと、押さえ板４０を備えている。図４９（ａ）（ｂ）に示す基台５０はアルミニウム合金等の金属製とされており、矩形の横長の平板状とされた底部５１と、底部５１の上面において１つの隅を除く３つの隅から所定の高さで立設された第１立設柱５２、第２立設柱５３、第３立設柱５４とを備えている。第１立設柱５２〜第３立設柱５４の断面は、横長の矩形状とされており、基台５０の中心に面している角にはＲ部が形成されて丸みを帯びている。また、底部５１には４つのネジ孔５５が形成されている。

また、図５０（ａ）（ｂ）に示す押さえ板４０はアルミニウム合金等の金属製とされており、横長の矩形の平板状とされた平板部４１を備え、平板部４１の１の隅を除く３つの隅には、第１立設柱５２〜第３立設柱５４の断面形状とそれぞれほぼ同じ形状とされた第１切欠部４２、第２切欠部４３、第３切欠部４４が形成されている。基台５０に押さえ板４０を組み合わせた時に、第１切欠部４２〜第３切欠部４４に第１立設柱５２〜第３立設柱５４がそれぞれ嵌合するようになる。また、平板部４１には、基台５０に設けられているネジ孔５５と同じ位置に４つの挿通孔４６が形成されている。なお、４つの挿通孔４６には座繰り加工が施されている。

第３実施例のワイヤーグリッド装置３におけるフィルム基板３０は、外形形状がほぼ押さえ板４０と同様の外形形状とされたポリマーフィルム３１と、ポリマーフィルム３１上に設けられた横に細長い金属薄板３２とから構成されている。ポリマーフィルム３１は、横長の矩形の平板状とされ、取付部３１ｂおよび取付部３１ｃが両側に形成され、取付部３１ｂと取付部３１ｃとの間に矩形状切欠部３６が形成されて、金属薄板３２を保持する横に細長い保持部３１ａが中央部の一側に形成されている。第１立設柱５２〜第３立設柱５４の位置に対応する取付部３１ｂの１つの隅と取付部３１ｃの２つの隅には、第１立設柱５２〜第３立設柱５４の断面形状と同じ形状とされた第１切欠部３３、第２切欠部３４、第３切欠部３５がそれぞれ形成されている。保持部３１ａの一面には、横長の矩形状とされた金属薄板３２が蒸着あるいは貼着、または、ポリマーフィルム３１の一面に成膜したＣｕの金属薄膜をエッチングすることにより形成されている。金属薄板３２の長さはＬ３、幅はａ３、厚さはｔ３とされる。この場合、保持部３１ａの縁部から金属薄板３２の長辺までの長さが両側ともｂ３とされ、金属薄板３２は保持部３１ａのほぼ中央に形成されている。また、取付部３１ｂと取付部３１ｃには、基台５０に形成されている４つのネジ孔５５に対応する位置に４つの孔部３７が形成されている。
また、フィルム基板積層体３ａのパラメータとなる寸法は、金属薄板３２間の間隔がｄ３とされ、金属薄板３２の厚さはｔ３とされ、金属薄板３２が配置される周期がｐ３とされる。ｐ３＝ｄ３＋ｔ３となる。

このような構成のフィルム基板３０を図４８（ｂ）に示すように位置合わせしながら複数枚積層してフィルム基板積層体３ａを構成する。図４８（ｂ）に示すフィルム基板３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ，３０ｅ，３０ｆは図４８（ａ）に示すフィルム基板３０と同じ構成とされている。フィルム基板積層体３ａは、図４８（ｂ）では６枚のフィルム基板３０ａ〜３０ｆから構成されているが、図４８（ｂ）は模式的に示す図であり実際には数十枚以上のフィルム基板３０を積層してフィルム基板積層体３ａが構成される。そして、フィルム基板積層体３ａにおいては、フィルム基板３０ａ〜３０ｆに形成されている金属薄板３２ａ〜３２ｆが同じ位置で重ねられると共に、隣接する金属薄板３２間の間隔は、ポリマーフィルム３１の厚さであるｄとなる。これにより、上下にわたり重ねられた複数の金属薄板３２が平行平板を構成し、ワイヤーグリッドが構成される。

このようにして構成されたフィルム基板積層体３ａを図４７に示すように基台５０上に配置して基台５０内に収納する。収納した際にフィルム基板積層体３ａにおける各フィルム基板３０の第１切欠部３３〜第３切欠部３５に、基台５０の第１立設柱５２〜第３立設柱５４がそれぞれ嵌合されて、基台５０に対してフィルム基板積層体３ａにおける各フィルム基板３０が位置合わせされて収納されるようになる。また、フィルム基板積層体３ａにおける各フィルム基板３０の４つの孔部３７が基台５０の４つのネジ孔５５に位置合わせされる。
フィルム基板積層体３ａを基台５０に収納した後に、基台５０上に押さえ板４０を配置して基台５０に収納したフィルム基板積層体３ａの上に載置する。この時、押さえ板４０の第１切欠部４２〜第３切欠部４４に、基台５０の第１立設柱５２〜第３立設柱５４がそれぞれ嵌合されて、基台５０に対して押さえ板４０が位置合わせされるようになる。また、押さえ板４０の４つの挿通孔４６が、フィルム基板積層体３ａにおける各フィルム基板３０の４つの孔部３７および基台５０の４つのネジ孔５５に位置合わせされる。

そこで、押さえ板４０の４つの挿通孔４６にそれぞれ取付ネジ６０を挿通して、フィルム基板積層体３ａにおける各フィルム基板３０の孔部３７を貫通した４本の取付ネジ６０を、それぞれ基台５０のネジ孔５５に螺着する。これにより、フィルム基板３０同士が密着されて図４６（ａ）（ｂ）に示す第３実施例のワイヤーグリッド装置３が組み立てられるようになる。第３実施例のワイヤーグリッド装置３においては、押さえ板４０の平板部４１により、金属薄板３２が形成されているフィルム基板３０の保持部３１ａが圧接されて、金属薄板３２間の間隔が安定して保持されるようになる。また、図４６（ａ）に示すように、フィルム基板積層体３ａにおける各フィルム基板３０の金属薄板３２が上下にわたり平行に配置された平行平板とされてワイヤーグリッドが構成される様子を理解することができる。この場合、平行平板とされる金属薄板３２の間隔は、ワイヤーグリッド装置３の性能を決定するパラメータであるが、この間隔はフィルム基板３０の厚さで一義的に決定される。すなわち、第３実施例のワイヤーグリッド装置３では、４本の取付ネジ６０で固着される基台５０と押さえ板４０との間に平行平板とされている金属薄板３２を備えるフィルム基板積層体３ａが挟持されることから、平行平板とされる金属薄板３２間の間隔がきわめて安定化されており、大量生産した場合にも上記間隔を安定して一定の値に保つことができ、ワイヤーグリッド装置３の歩留まりを向上することができる。なお、４本の取付ネジ６０は皿ネジとされており、押さえ板４０の４つの座繰り加工された挿通孔４６内に頭部が収まるようになり、取付ネジ６０を螺着することにより基台５０、フィルム基板積層体３ａおよび押さえ板４０が位置合わせされて固着されるようになる。

第３実施例のワイヤーグリッド装置３において、金属薄板３２間の間隔ｄ３と、伝搬方向（ｚ軸方向）の金属薄板３２の幅ａ３と、金属薄板３２の厚さｔ３と、金属薄板３２の横方向の長さＬ３と、金属薄板３２が配置される周期ｐ３（＝ｄ３＋ｔ３）がパラメータとされる。
第３実施例のワイヤーグリッド装置３の上記したパラメータにおいて、伝搬方向（ｚ軸方向）の長さとなる金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍ、１０００μｍ、２０００μｍの３種類とした時に、金属薄板３２間の間隔ｄ３を１０μｍ〜１５０μｍ、周期ｐ３（＝ｄ３＋ｔ３）を１０．０１μｍ〜３００μｍとして、第３実施例のワイヤーグリッド装置３の外部に周期境界壁を仮想し、１本分抜き出した２次元解析モデルをモードマッチング法で設計し、周波数が０．１ＴＨｚ、０．５ＴＨｚ、１．０ＴＨｚ、１．５ＴＨｚにおけるＴＭモードのＴＭ透過電力［％］と電力消光比［ｄＢ］を解析した解析結果の図表を図５１ないし図５３に示す。なお、電力消光比は、上述したように金属薄板３２で構成された平行平板内のＴＥモードの伝搬定数を考慮して求めた。これは、テラヘルツ波の電場の振幅方向が金属薄板３２の延伸方向である横方向と直交する（ＴＭモード）場合に透過配置となり、テラヘルツ波の電場の振幅方向が金属薄板３２の延伸方向である横方向（ＴＥモード）の場合に阻止配置となるからである。
なお、図５１は金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時の解析結果を示す図表であり、図５２は金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時の解析結果を示す図表であり、図５３は金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時の解析結果を示す図表であり、いずれの場合においても、金属薄板３２間の間隔ｄ３を１０μｍ、５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍとすると共に、周期ｐ３（＝ｄ３＋ｔ３）を１０．０１μｍ〜１５０μｍの内の間隔ｄ３に応じて取ることができる値とした解析結果である。この場合、図表には金属薄板３２の金属厚みｔ３も規定されているが、厚みｔ３は、ｔ３＝ｐ３−ｄ３により演算した値とされている。なお、ポリマーフィルム３１の複素屈折率を約１．５３＋ｊ０．００６４としている。

金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時の解析結果である図５１を参照すると、０．１ＴＨｚから１．５ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動していることが分かる。これは金属薄板３２間において透過波が多重反射するためであり、この多重反射により周波数に応じてＴＭ透過電力に谷ができたり山ができて振動するからである。また、周期ｐ３が大きくなって金属薄板３２の厚みｔ３が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減するようになる。これは、金属薄板３２の厚みｔ３が厚くなると、テラヘルツ波が入射するフィルム基板積層体３ａの開口面において、金属薄板３２の端面の面積が占める割合が大きくなって、入射波が端面で反射する率が大きくなるからである。さらに、間隔ｄ３が大きくなると電力消光比が劣化するようになり、周波数が高いほど電力消光比は大きく低減し、ついには電力消光比が−０ｄＢになることが分かる。これは、金属薄板３２による平行平板のカットオフ周波数を、入射するテラヘルツ波の周波数が超えると、ＴＭモード，ＴＥモードに関わらずテラヘルツ波が透過してしまうためである。この場合には偏光子として動作しない。

図５１を参照すると、金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時には、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８４．１４％〜約９９．６３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．５４％〜約９９．６３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８０．８８％〜約９９．６２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０μｍ（厚みｔ３は約４０μｍとなる）とした時には、１．０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９０．５４％で電力消光比が−１００ｄＢを超え、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１００μｍ（厚みｔ３は約９０μｍとなる）とした時には、１．０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約５４．７９％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８４．１９％〜約９９．６３％で電力消光比が約−１７．１ｄＢ〜−２６．５ｄＢのテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８４．０７％〜約９９．６３％で電力消光比が約−１７．１ｄＢ〜−２６．５ｄＢのテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．５４％〜約９９．６３％で電力消光比が約−１７．１ｄＢ〜−２６．５ｄＢのテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約１００μｍ（厚みｔ３は約５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３５．４９％〜９７．６７％で電力消光比が約−１３．９ｄＢ〜−２２．８ｄＢのテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
このように、金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとすると、テラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は１０μｍ〜５０μｍの範囲となり、周期ｐ３の許容範囲は１０．０１μｍ〜１００μｍとなることが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時の解析結果である図５２を参照すると、０．１ＴＨｚから１．５ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述した通りである。周期ｐ３が大きくなって金属薄板３２の厚みｔ３が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ３が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述した通りである。
図５２を参照すると、金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時には、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．２７％〜約８４．８０％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８１．７３％〜約８４．５８％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．５μｍ（厚みｔ２は約０．５μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数においてＴＭ透過電力が約７９．２９％〜８３．５８％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．３２％〜約８４．８２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．２１％〜約８４．７７％で電力消光比が電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８１．７３％〜約８４．５８％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約１００μｍ（厚みｔ３は約５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３４．７４％〜６３．０１％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。

間隔ｄ３を約１００μｍとすると共に周期ｐ３を約１００．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．３３％〜約８３．３５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約１００μｍとすると共に周期ｐ３を約１００．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．２７％〜約８３．２９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１００μｍとすると共に周期ｐ３を約１００．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．０３％〜約８３．０２％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作する。
間隔ｄ３を約１５０μｍとすると共に周期ｐ３を約１５０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．３３％〜約８３．３５％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約１５０μｍとすると共に周期ｐ３を約１５０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．２９％〜約８３．３１％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１５０μｍとすると共に周期ｐ３を約１５０．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．１３％〜約８３．１４％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約１５０μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約１５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３４．７５％〜約３６．７１％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
このように、伝搬方向の長さである金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍから１０００μｍと長くすると、テラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は１０μｍ〜１５０μｍの範囲に拡大され、周期ｐ３の許容範囲は１０．０１μｍ〜３００μｍと拡大することが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時の解析結果である図５３を参照すると、０．１ＴＨｚから１．５ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述した通りである。周期ｐ３が大きくなって金属薄板３２の厚みｔ３が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ３が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述した通りである。
図５３を参照すると、金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時には、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７８．８５％〜約８５．６５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７８．７６％〜約８５．６０％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．５μｍ（厚みｔ２は約０．５μｍとなる）とした時に、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７８．３４％〜８５．３６％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０μｍ（厚みｔ２は約４０μｍとなる）とした時に、１．０ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２１．３６％〜５１．５９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１００μｍ（厚みｔ２は約９０μｍとなる）とした時に、１．０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２８．６３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。

間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．９３％〜約８３．０７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．８７％〜約８３．０３％で電力消光比が電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７８．７６％〜約８５．６０％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約５０μｍとすると共に周期ｐ３を約１００μｍ（厚みｔ３は約５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３４．８０％〜８０．６９％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
間隔ｄ３を約１００μｍとすると共に周期ｐ３を約１００．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．９３％〜約８３．０７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約１００μｍとすると共に周期ｐ３を約１００．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．８７％〜約８３．０３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１００μｍとすると共に周期ｐ３を約１００．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．６１％〜約８２．８５％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作する。また、間隔ｄ３を約１００μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約２００μｍとなる）とした時には、０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約２６．４９％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する。
間隔ｄ３を約１５０μｍとすると共に周期ｐ３を約１５０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．９４％〜約８３．０７％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約１５０μｍとすると共に周期ｐ３を約１５０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．９０％〜約８３．０４％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１５０μｍとすると共に周期ｐ３を約１５０．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．７２％〜約８２．９２％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作し、間隔ｄ３を約１５０μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約１５０μｍとなる）とした時には、０．１ＴＨｚ〜０．５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３４．８５％〜約４５．７４％で電力消光比が約−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。
このように、伝搬方向の長さである金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとより長くすると、テラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は１０μｍ〜１５０μｍの範囲に拡大され、周期ｐ３の許容範囲は１０．０１μｍ〜３００μｍと拡大することが分かり、第３実施例のワイヤーグリッド装置３はテラヘルツ波帯に対して従来得ることができなかった良好な特性の偏光子として動作することが分かる。

第３実施例のワイヤーグリッド装置３の上記したパラメータにおいて、周波数が２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚのテラヘルツ波帯における高周波域におけるＴＭモードのＴＭ透過電力［％］と電力消光比［ｄＢ］を解析した解析結果の図表を図５４ないし図８０に示す。この場合、伝搬方向（ｚ軸方向）の長さとなる金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍ、１０００μｍ、２０００μｍの３種類とした時に、金属薄板３２間の間隔ｄ３を１μｍ〜１５０μｍ、周期ｐ３（＝ｄ３＋ｔ３）を１．０１μｍ〜３００μｍとして、第３実施例のワイヤーグリッド装置３の外部に周期境界壁を仮想し、１本分抜き出した２次元解析モデルをモードマッチング法で設計している。なお、電力消光比は、上述したように金属薄板３２で構成された平行平板内のＴＥモードの伝搬定数を考慮して求めた。
ここで、図５４ないし図６２は金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時の解析結果を示す図表であり、図６３ないし図７１は金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時の解析結果を示す図表であり、図７２ないし図８０は金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時の解析結果を示す図表であり、いずれの場合においても、金属薄板３２間の間隔ｄ３を１μｍ、５μｍ、１０μｍ、２３μｍ、５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍとすると共に、周期ｐ３（＝ｄ３＋ｔ３）を１．０１μｍ〜３００μｍの内の間隔ｄ３に応じて取ることができる値とした解析結果である。この場合、図表には金属薄板３２の金属厚みｔ３も規定されているが、厚みｔ３は、ｔ３＝ｐ３−ｄ３により演算した値とされている。なお、ポリマーフィルム３１の複素屈折率を約１．５３＋ｊ０．００６４としている。

金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時の解析結果である図５４ないし図６２を参照すると、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述したとおりである。また、周期ｐ３が大きくなって金属薄板３２の厚みｔ３が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ３が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述したとおりである。
図５４ないし図６２を参照すると、金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時には、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．３５％〜約９９．９２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７７．３１％〜約９９．８７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約５３．９１％〜約９９．５９％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１１μｍ（厚みｔ３は約１０μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ、４ＴＨｚ、６ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１３．７１％〜約５８．５０％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約３１μｍ（厚みｔ３は約３０μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１１．２５％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約３００ｍ（厚みｔ３は約２９９μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時には、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約５．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．８９％〜約９９．９２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約５．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．６８％〜約９９．９１％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約５．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７７．３２％〜約９９．８７％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約２０μｍ（厚みｔ３は約１５μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１０．５７％〜約８１．７９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約８５μｍ（厚みｔ３は約８０μｍとなる）とした時、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約２９５μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時には、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．９５％〜約９９．９２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。なお、１０ＴＨｚの周波数帯においては、間隔ｄ３を約１０μｍ以上とすると電力消光比が−０ｄＢとなってしまい偏光子として動作しないことが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．３５％〜約９９．９１％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８０．６７％〜約９９．８９％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０μｍ（厚みｔ３は約４０μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ、４ＴＨｚ、５ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１３．５６％〜約４４．６１％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１００μｍ（厚みｔ３は約９０μｍとなる）とした時、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約２９０μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時には、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約２３．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．９９％〜約９９．９２％で電力消光比が約−２０．４ｄＢ〜約−５２．４ｄＢとなり、良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。なお、５ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては、間隔ｄ３を約２３μｍ以上とすると電力消光比が−０ｄＢとなってしまい偏光子として動作しないことが分かる。また、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約２３．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．７３％〜約９９．９２％で電力消光比が約−２０．４ｄＢ〜約−５２．４ｄＢとなり、テラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約２３．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．５６％〜約９９．９１％で電力消光比が約−２０．４ｄＢ〜約−５２．４ｄＢとなり、テラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約４３μｍ（厚みｔ３は約２０μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約４１．０６％〜約９２．２３％で電力消光比が約−１８．９ｄＢ〜約−５２．０ｄＢとなり、テラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約１２３μｍ（厚みｔ３は約１００μｍとなる）とした時、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約２７７μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時で、間隔ｄ３を約５０μｍとした時、間隔ｄ３を約１００μｍとした時、間隔ｄ３を約１５０μｍとした時には、周期ｐ３の寸法にかかわらず２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、間隔ｄ３を約５０μｍ、約１００μｍ、約１５０μｍとした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。
このように、金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとすると、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は約１μｍ〜約５μｍの範囲となり、周期ｐ３の許容範囲は約１．０１μｍ〜約２０μｍとなることが分かる。また、金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとすると、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は約１μｍ〜約２３μｍの範囲となり、周期ｐ３の許容範囲は約１．０１μｍ〜約４３μｍとなることが分かる。なお、金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍとした時は、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ３を約１０μｍとすると最も効果的となり、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ３を約１０μｍ〜約２３μｍとすると最も効果的となる。

次に、金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時の解析結果である図６３ないし図７１を参照すると、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述したとおりである。また、周期ｐ３が大きくなって金属薄板３２の厚みｔ３が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ３が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述したとおりである。
図６３ないし図７１を参照すると、金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時には、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．５９％〜約９９．７７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７７．６０％〜約９９．６６％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約５４．２０％〜約９８．８４％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１１μｍ（厚みｔ３は約１０μｍとなる）とした時には、５ＴＨｚ、９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１６．３７％〜約２７．０７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約３１μｍ（厚みｔ３は約３０μｍとなる）とした時には、９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３３．２０％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約３００ｍ（厚みｔ３は約２９９μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時には、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約５．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８４．１２％〜約９９．７８％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約５．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．９３％〜約９９．７６％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約５．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７７．５６％〜約９９．６２％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約２０μｍ（厚みｔ３は約１５μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９．８７％〜約９６．９７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約８５μｍ（厚みｔ３は約８０μｍとなる）とした時、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約２９５μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時には、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８４．１９％〜約９９．７８％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。なお、１０ＴＨｚの周波数帯においては、間隔ｄ３を約１０μｍ以上とすると電力消光比が−０ｄＢとなってしまい偏光子として動作しないことが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．５９％〜約９９．７７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８０．９０％〜約９９．７０％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０μｍ（厚みｔ３は約４０μｍとなる）とした時には、３ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１０．９１％〜１００％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１００μｍ（厚みｔ３は約９０μｍとなる）とした時、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約２９０μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時には、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約２３．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８４．８５％〜約９５．１２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。なお、５ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては、間隔ｄ３を約２３μｍ以上とすると電力消光比が−０ｄＢとなってしまい偏光子として動作しないことが分かる。また、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約２３．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８４．６０％〜約９５．０３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約２３．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．４７％〜約９４．６５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約４３μｍ（厚みｔ３は約２０μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約３８．７１％〜約９５．６３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約１２３μｍ（厚みｔ３は約１００μｍとなる）とした時、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約２７７μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時で、間隔ｄ３を約５０μｍとした時、間隔ｄ３を約１００μｍとした時、間隔ｄ３を約１５０μｍとした時には、周期ｐ３の寸法にかかわらず２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、間隔ｄ３を約５０μｍ、約１００μｍ、約１５０μｍとした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。
このように、金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとすると、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は約１μｍ〜約５μｍの範囲となり、周期ｐ３の許容範囲は約１．０１μｍ〜約２０μｍとなることが分かる。また、金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとすると、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は約１μｍ〜約２３μｍの範囲となり、周期ｐ３の許容範囲は約１．０１μｍ〜約４３μｍとなることが分かる。なお、金属薄板３２の幅ａ３を１０００μｍとした時は、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ３を約１０μｍとすると最も効果的となり、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ３を約１０μｍ〜約２３μｍとすると最も効果的となる。

次に、金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時の解析結果である図７２ないし図８０を参照すると、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚまでの上記各周波数におけるＴＭ透過電力が上下に振動している。この理由は前述したとおりである。また、周期ｐ３が大きくなって金属薄板３２の厚みｔ３が厚くなるに従ってＴＭ透過電力が低減する傾向、間隔ｄ３が大きくなると周波数が高いほど電力消光比が劣化する傾向があることは前述したとおりである。
図７２ないし図８０を参照すると、金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時には、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．２６％〜約９９．１０％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７７．１９％〜約９８．６７％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約５３．６９％〜約９５．９２％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約１１μｍ（厚みｔ３は約１０μｍとなる）とした時には、５ＴＨｚ、７ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１３．６９％〜約２５．８９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約３１μｍ（厚みｔ３は約３０μｍとなる）とした時には、７ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約１２．０８％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１μｍとすると共に周期ｐ３を約３００ｍ（厚みｔ３は約２９９μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時には、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約５．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．８０％〜約９９．１３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約５．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８２．５９％〜約９９．０５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約５．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７７．１８％〜約９８．６１％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約２０μｍ（厚みｔ３は約１５μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約９．６１％〜約９９．３１％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約８５μｍ（厚みｔ３は約８０μｍとなる）とした時、間隔ｄ３を約５μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約２９５μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時には、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．８７％〜約９９．１４％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。なお、１０ＴＨｚの周波数帯においては、間隔ｄ３を約１０μｍ以上とすると電力消光比が−０ｄＢとなってしまい偏光子として動作しないことが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８３．２６％〜約９９．１０％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるきわめて良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１０．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜９ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８０．５５％〜約９８．８８％で電力消光比が−１００ｄＢを超える良好なテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約５０μｍ（厚みｔ３は約４０μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約７．５０％〜約４２．３５％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約１００μｍ（厚みｔ３は約９０μｍとなる）とした時とした時には、２ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約４３．２６％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約１０μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約２９０μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時には、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約２３．０１μｍ（厚みｔ３は約０．０１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８６．９１％〜約９５．１２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。なお、５ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては、間隔ｄ３を約２３μｍ以上とすると電力消光比が−０ｄＢとなってしまい偏光子として動作しないことが分かる。また、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約２３．１μｍ（厚みｔ３は約０．１μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８６．６９％〜約９５．０３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。さらに、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約２３．５μｍ（厚みｔ３は約０．５μｍとなる）とした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約８５．７２％〜約９４．６３％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約４３μｍ（厚みｔ３は約２０μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約４５．７１％〜約８２．２２％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約１２３μｍ（厚みｔ３は約１００μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚの周波数帯においてＴＭ透過電力が約４５．８９％で電力消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作することが分かる。また、間隔ｄ３を約２３μｍとすると共に周期ｐ３を約３００μｍ（厚みｔ３は約２７７μｍとなる）とした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において良好なＴＭ透過電力が得られておらず、テラヘルツ波帯の偏光子としてほぼ動作しないことが分かる。

金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時で、間隔ｄ３を約５０μｍとした時、間隔ｄ３を約１００μｍとした時、間隔ｄ３を約１５０μｍとした時には、周期ｐ３の寸法にかかわらず２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯において電力消光比が−０．０ｄＢとなり、間隔ｄ３を約５０μｍ、約１００μｍ、約１５０μｍとした時には、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯においては偏光子として動作しないことが分かる。
このように、金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとすると、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は約１μｍ〜約５μｍの範囲となり、周期ｐ３の許容範囲は約１．０１μｍ〜約２０μｍとなることが分かる。また、金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとすると、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は約１μｍ〜約２３μｍの範囲となり、周期ｐ３の許容範囲は約１．０１μｍ〜約４３μｍとなることが分かる。なお、金属薄板３２の幅ａ３を２０００μｍとした時は、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ３を約１０μｍとすると最も効果的となり、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ３を約１０μｍ〜約２３μｍとすると最も効果的となる。

以上説明した本発明にかかるワイヤーグリッド装置において示した上記寸法は、一例であって、その寸法に限るものではない。例えば、上記寸法範囲の上限および下限を若干拡大しても、本発明にかかるワイヤーグリッド装置は、テラヘルツ波帯において従来得ることのできなかった消光比を得ることができる。
以上説明した図１０ないし図１３に示す解析結果は、第２実施例のワイヤーグリッド装置の解析結果であるが、第１実施例のワイヤーグリッド装置においても成立する。すなわち、本発明の第１，２実施例のワイヤーグリッド装置においては、平行平板の伝搬方向の長さａを約５０μｍ〜約３０００μｍとするのが好適であり、長さａを約５０μｍとした時は、平行平板の間隔ｄを約１０μｍ〜約５０μｍとすると共に、平行平板の周期を約１１μｍ〜約５０μｍとするのが好適である。また、長さａを約１０００μｍ〜約３０００μｍとした時は，平行平板の間隔ｄを約１０μｍ〜約１５０μｍとすると共に、平行平板の周期を約１１μｍ〜約３００μｍとするのが好適である。この場合、平行平板における伝搬方向の長さを１０００μｍ以上とすると、０．１ＴＨｚ〜２．５ＴＨｚにおける多くの周波数領域において、ＴＭ透過電力が約４０％以上で、かつ、消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作するようになる。
また、本発明の第１，２実施例のワイヤーグリッド装置においては、平行平板の伝搬方向の長さであるグリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍ〜３０００μｍとすると、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１μｍ〜約１０μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約２μｍ〜約２０μｍとなることが分かる。また、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍ〜３０００μｍとすると、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ２の許容範囲は約１μｍ〜約２３μｍの範囲となり、周期ｐ２の許容範囲は約２μｍ〜約４３μｍとなることが分かる。なお、グリッド部２０ａの幅ａ２を５０μｍ〜３０００μｍとした時は、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ２を約１０μｍとすると最も効果的となり、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ２を約１０μｍ〜約２３μｍとすると最も効果的となる。
なお、本発明にかかる第２実施例のワイヤーグリッド装置においてグリッド板を積層する枚数は、グリッド板をスペーサを介して積層していった寸法が、ワイヤーグリッド装置に必要とされる開口の高さの寸法になる枚数とされる。
この場合、第２実施例のワイヤーグリッド装置におけるワイヤーグリッドを構成する平行平板の間隔は、ワイヤーグリッド装置の性能を決定するパラメータである。本発明の第２実施例のワイヤーグリッド装置では、組み立てることにより大量生産した場合にも上記間隔を安定して一定の値に保つことができ、当該ワイヤーグリッド装置の歩留まりを向上することができる。また、スペーサーの厚さを変更するだけで、適用される周波数帯を変更することができるようになる。
なお、第１実施例のワイヤーグリッド装置において、スリットは枠体の辺に平行に枠体のほぼ全領域に形成すればよい。

本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置においては、平行平板の伝搬方向の長さａを約５０μｍ〜約２０００μｍとするのが好適であり、長さａを約５０μｍとした時は，平行平板の間隔ｄを約１０μｍ〜約５０μｍとすると共に、平行平板の周期を約１０．０１μｍ〜約１００μｍとするのが好適である。また、長さａを約１０００μｍ〜約２０００μｍとした時は、平行平板の間隔ｄを約１０μｍ〜約１５０μｍとすると共に、平行平板の周期を約１０．０１μｍ〜約３００μｍとするのが好適である。この場合、平行平板における伝搬方向の長さを１０００μｍ以上とすると、０．１ＴＨｚ〜１．５ＴＨｚにおける多くの周波数領域において、ＴＭ透過電力が約４０％以上で、かつ、消光比が−１００ｄＢを超えるテラヘルツ波帯の偏光子として動作するようになる。
また、本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置においては、平行平板の伝搬方向の長さとされる金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍ〜２０００μｍとすると、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は約１μｍ〜約５μｍの範囲となり、周期ｐ３の許容範囲は約１．０１μｍ〜約２０μｍとなることが分かる。また、金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍ〜２０００μｍとすると、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する間隔ｄ３の許容範囲は約１μｍ〜約２３μｍの範囲となり、周期ｐ３の許容範囲は約１．０１μｍ〜約４３μｍとなることが分かる。なお、金属薄板３２の幅ａ３を５０μｍ〜２０００μｍとした時は、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ３を約１０μｍとすると最も効果的となり、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯では間隔ｄ３を約１０μｍ〜約２３μｍとすると最も効果的となる。
また、本発明の第３実施例のワイヤーグリッド装置におけるワイヤーグリッドを構成する平行平板とされる金属薄板の間隔は、ワイヤーグリッド装置の性能を決定するパラメータであるが、この間隔はフィルム基板の厚さで一義的に決定される。すなわち、本発明の３実施例のワイヤーグリッド装置では、大量生産した場合にも上記間隔を安定して一定の値に保つことができ、当該ワイヤーグリッド装置の歩留まりを向上することができる。また、フィルム基板の厚さを変更するだけで、適用される周波数帯を変更することができるようになる。さらに、ポリマーフィルムは、シクロオレフィンポリマーフィルムを用いるようにしたが、これに限ることはなくテラヘルツ波帯において誘電正接の小さいフィルムならばいずれの材料からなるフィルムでも用いることができる。また、フィルムに替えてフィルム状の物質を金属薄板の面に形成しても良い。例えば、金属薄板の面に所定の厚さになる樹脂等の絶縁性の物質を塗布あるいは貼着することにより、金属薄板を所定間隔で対向させるようにしても良い。

１ ワイヤーグリッド装置、２ ワイヤーグリッド装置、２ａ グリッド板積層体、３ ワイヤーグリッド装置、３ａ フィルム基板積層体、１０ 枠体、１１ スリット、１２ グリッド、１３ 電気壁、１４ 周期境界壁、２０ グリッド板、２０ａ グリッド部、２０ｂ 切欠部、２０ｃ 固定部、２０ｄ 貫通孔、２１ スペーサ、２１ａ 本体部、２１ｂ 貫通孔、２２ 上基台、２２ａ 孔部、２３ 下基台、２３ａ ネジ部、２４ 取付ネジ、３０ フィルム基板、３０ａ〜３０ｆ フィルム基板、３１ ポリマーフィルム、３１ａ 保持部、３１ｂ 取付部、３１ｃ 取付部、３２ 金属薄板、３２ａ、３２ｂ 金属薄板、３３ 第１切欠部、３４ 第２切欠部、３５ 第３切欠部、３６ 矩形状切欠部、３７ 孔部、４０ 押さえ板、４１ 平板部、４２ 第１切欠部、４３ 第２切欠部、４４ 第３切欠部、４６ 挿通孔、５０ 基台、５１ 底部、５２ 第１立設柱、５３ 第２立設柱、５４ 第３立設柱、５５ ネジ孔、６０ 取付ネジ、１０１ ワイヤーグリッド用金属板、１１１ 縦桟部、１１２ 横桟部、１１３ フランジ部

Claims (10)

1. 所定の奥行きを有する直方体状とされた導電性の枠体の一辺に平行に、前記枠体に複数形成されたスリットと、該スリット間にそれぞれ形成されたグリッドとを備え、前記グリッドが平行平板を構成するテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置であって、
   前記枠体の奥行きａを約５０μｍとした時に、前記スリットの幅ｄが約１０μｍ〜約５０μｍ、前記グリッドの周期ｐが約１１μｍ〜約５０μｍとされ、前記枠体の奥行きａを約１０００μｍから約３０００μｍとした時に、前記スリットの幅ｄが約１０μｍ〜約１５０μｍ、前記グリッドの周期ｐが約１１μｍ〜約３００μｍとされることを特徴とするテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置。
2. 細長い矩形状の金属薄板のグリッド部を有する複数のグリッド板において、前記グリッド部同士が所定の間隔を介して対面するよう積層されたテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置であって、
   前記グリッド板における隣接する前記グリッド板の前記一端の間および前記他端との間にスペーサが挿入されることにより、隣接する前記グリッド板の前記グリッド部間にスリットが形成されてグリッド板積層体が形成され、該グリッド板積層体における前記グリッド部が平行平板を構成することを特徴とするテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置。
3. 両側にネジ部が形成された平板状の下基台と、
   前記ネジ部の形成位置に対応して両側に孔が形成された平板状の上基台とを有し、
   前記グリッド板の一端と他端とに、前記ネジ部および前記孔の形成位置に対応して貫通孔が形成されていると共に、前記スペーサにも貫通孔が形成されており、前記グリッド板積層体を前記下基台と前記上基台との間に挟持し、前記上基台の前記孔に挿通した取付手段を、前記グリッド板積層体における前記グリッド板の前記貫通孔および前記スペーサの前記貫通孔に順次挿通して前記下基台のネジ部に螺着することにより組み立てられていることを特徴とする請求項２に記載のテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置。
4. 前記平行平板の伝搬方向の長さである前記グリッド部の幅ａを約５０μｍとした時に、前記グリッド部間の間隔ｄが約１０μｍ〜約５０μｍ、前記グリッド部を配置する周期ｐが約１１μｍ〜約５０μｍとされ、前記グリッド部の幅ａを約１０００μｍから約３０００μｍとした時に、前記間隔ｄが約１０μｍ〜約１５０μｍ、前記周期ｐが約１１μｍ〜約３００μｍとされることを特徴とする請求項２または３に記載のテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置。
5. 前記平行平板の伝搬方向の長さである前記グリッド部の幅ａを５０μｍ〜３０００μｍとした時に、３ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する許容範囲が、間隔ｄでは約１μｍ〜約１０μｍ、周期ｐでは約２μｍ〜約２０μｍとされることを特徴とする請求項２または３に記載のテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置。
6. 前記平行平板の伝搬方向の長さである前記グリッド部の幅ａを５０μｍ〜３０００μｍとした時に、３ＴＨｚ〜６ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する許容範囲が、間隔ｄでは約１μｍ〜約２３μｍ、周期ｐでは約２μｍ〜約４３μｍとされることを特徴とする請求項２または３に記載のテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置。
7. 細長い矩形状の金属薄板が一面のほぼ中央に形成されている矩形状のフィルムからなるフィルム基板を複数枚積層することにより平行平板が構成されたテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置であって、
   伝搬方向の長さである前記金属薄板の幅ａを約５０μｍとした時に、前記フィルム基板間の間隔ｄが約１０μｍ〜約５０μｍとすると共に、前記フィルム基板を積層する周期ｐが約１０．０１μｍ〜約１００μｍとされ、前記金属薄板の幅ａを約１０００μｍ〜約２０００μｍとした時に、前記フィルム基板間の間隔ｄが約１０μｍ〜約１５０μｍとすると共に、前記フィルム基板を積層する周期ｐが約１０．０１μｍ〜約３００μｍとされることを特徴とするテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置。
8. 平板状の底部と、該底部の上面から立設した複数本の立設柱とを有する基台と、
   前記基台の前記立設柱の位置が切り欠かれた前記フィルム基板を複数枚積層したフィルム基板積層体と、
   平板状の平板部と、該平板部において前記基台の前記立設柱の位置が切り欠かれている押さえ板とを備え、
   前記フィルム基板積層体が前記複数本の立設柱により位置合わせされて前記基台に収納され、該フィルム基板積層体の上に前記押さえ板が載置され、該押さえ板に挿通されたネジが前記基台に螺着されていることを特徴とする請求項７に記載のテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置。
9. 前記平行平板の伝搬方向の長さとされる前記金属薄板の幅ａを５０μｍ〜２０００μｍとした時に、２ＴＨｚ〜１０ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する許容範囲が、間隔ｄでは約１μｍ〜約５μｍ、周期ｐでは約１．０１μｍ〜約２０μｍとされることを特徴とする請求項７または８に記載のテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置。
10. 前記平行平板の伝搬方向の長さとされる前記金属薄板の幅ａを５０μｍ〜２０００μｍとした時に、２ＴＨｚ〜４ＴＨｚの周波数帯におけるテラヘルツ波帯の偏光子として動作する許容範囲が、間隔ｄでは約１μｍ〜約２３μｍ、周期ｐでは約１．０１μｍ〜約４３μｍとされることを特徴とする請求項７または８に記載のテラヘルツ波帯用のワイヤーグリッド装置。

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