JP2016046373A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】異なる深さのパターンを同時に形成すると共に、パターンの下部の内径寸法を十分大きく形成する。【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、被加工層上に有機膜からなる第1層を形成する工程と、前記第1層上に無機膜からなる第2層を形成する工程と、前記第2層上に開口パターンを有する第3層を形成する工程とを備えている。そして、前記第3層をマスクとして前記第2層、前記第1層及び前記被加工層をエッチングする工程であって、前記第1層を斜めに加工する工程と、前記第1層を除去することにより、前記被加工層上に前記第2層を直接設け、段部を形成する工程とを備えている。【選択図】図12
Description
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
半導体基板上に異なる深さのパターンを同時にエッチングして開口する場合、エッチングに対し選択性のある膜をストッパーとして下地に配置することにより、異なる深さのパターンを開口するようにしている。ここで、高アスペクト比のエッチング加工を行う際には、高イオンエネルギー領域を使用する必要があり、下地のストッパーに対してエッチングの選択比を十分に確保すると、加工されたパターンの下部の内径寸法が小さくなってしまい、コンタクト抵抗が大きくなるという問題が発生する。反対に、コンタクト抵抗を小さくするために、パターンの下部の内径寸法を十分大きく加工すると、下地のストッパーに対してエッチングの選択比を十分に確保することができず、ストッパーを突き抜けてしまうという問題が発生する。
異なる深さのパターンを同時に形成することができると共に、パターンの下部の内径寸法を十分大きく形成することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、被加工層上に有機膜からなる第1層を形成する工程と、前記第1層上に無機膜からなる第2層を形成する工程と、前記第2層上に開口パターンを有する第3層を形成する工程とを備えている。そして、前記第3層をマスクとして前記第2層、前記第1層及び前記被加工層をエッチングする工程であって、前記第1層を斜めに加工する工程と、前記第1層を除去することにより、前記被加工層上に前記第2層を直接設け、段部を形成する工程とを備えている。
本実施形態の半導体装置は、被加工層と、前記被加工層の上面に形成された複数の段部と、前記被加工層の上面における前記複数の段部の外側に設けられた無機膜に形成された2個の段部と、前記被加工層の複数の段部及び前記無機膜の2個の段部に開口するように形成され、深さ寸法が異なる複数のホールとを備えたところに特徴を有する。
以下、実施形態について、図面を参照して説明する。尚、実施形態において、実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、説明を省略する。但し、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なる。
(第1実施形態)
本発明の第1実施例について、図面を参照しながら説明する。本実施形態では、半導体基板上に深さ寸法が異なるコンタクトホールを同時にエッチングして形成する。まず、図1に示すように、例えばシリコン(Si)からなる半導体基板(被加工層)1上に、SMAP(stacked mask process)構造を作成する。
本発明の第1実施例について、図面を参照しながら説明する。本実施形態では、半導体基板上に深さ寸法が異なるコンタクトホールを同時にエッチングして形成する。まず、図1に示すように、例えばシリコン(Si)からなる半導体基板(被加工層)1上に、SMAP(stacked mask process)構造を作成する。
この場合、半導体基板1上に、例えばSOC(spin on carbon)からなるカーボン系の塗布型レジスト層(第1層)2、例えばSOG(spin on glass)からなる塗布型酸化膜(第2層)3及びフォトレジスト層(第3層)4が順次形成されている。そして、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層4に段差形成用の開口部(開口パターン)4aを形成する。
次に、図2に示すように、例えばRIE(reactive ion etching)を用いてフォトレジスト層4をマスクとして塗布型酸化膜3、塗布型レジスト層2及び半導体基板1をエッチングする。この場合、塗布型レジスト層2については、下方へ行くほど開口寸法が小さくなるように順テーパー形状にエッチング加工(即ち、斜めに加工する)する。この順テーパー形状の斜面2aの傾斜角度θは、例えば60°〜84°程度となるように構成されている。上記エッチングにより、半導体基板1に凹部5が形成される。
この後、図3に示すように、例えばドライエッチング(アッシング)を用いて塗布型レジスト層2を除去する。本実施形態において用いるアッシング処理は、RIEチャンバー内で実行する。このアッシング処理の条件は、次の通りである。プロセスガスとしては、例えば酸素ガスの濃度が全体の80%程度以上となるものを用い、酸素ガス単一のもの、酸素ガスと窒素ガスを混合したもの、酸素ガスとアルゴンガスと窒素ガスを混合したもの、酸素ガスとメタンガスを混合したもの等を用いることが好ましい。半導体基板1の温度は、―10〜80℃程度に設定することが好ましい。尚、アッシング処理中においては、プラズマからの照射熱で半導体基板1の温度は100〜160℃程度になる。上記塗布型レジスト層2の除去により、半導体基板1上に塗布型酸化膜3が直付けされる構成(即ち、半導体基板1上に塗布型酸化膜3が直接設けられる構成)となり、段部6が形成される。
次いで、図4に示すように、半導体基板1及び塗布型酸化膜3の上に、2回目のSMAP構造を作成する。具体的には、半導体基板1及び塗布型酸化膜3の上に、塗布型レジスト層(第11層)2、塗布型酸化膜(第21層)3及びフォトレジスト層(第31層)4が順次形成されている。そして、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層4に段差形成用の第2の開口部(開口パターン)4bを形成する。
続いて、図5に示すように、例えばRIEを用いてフォトレジスト層4をマスクとして塗布型酸化膜3、塗布型レジスト層2及び半導体基板1をエッチングする。この場合、塗布型レジスト層2については、下方へ行くほど開口寸法が小さくなるように順テーパー形状にエッチング加工する。この順テーパー形状の斜面2aの傾斜角度θは、例えば60°〜84°程度となるように構成されている。上記エッチングにより、半導体基板1に凹部5´、段部6´及び段部7が形成される。
この後、図6に示すように、例えばドライエッチング(アッシング)を用いて塗布型レジスト層2を除去する。本実施形態において用いるアッシング処理は、RIEチャンバー内で実行する。このアッシング処理の条件は、次の通りである。プロセスガスとしては、例えば酸素ガスの濃度が全体の80%程度以上となるものを用い、酸素ガス単一のもの、酸素ガスと窒素ガスを混合したもの、酸素ガスとアルゴンガスと窒素ガスを混合したもの、酸素ガスとメタンガスを混合したもの等を用いることが好ましい。半導体基板1の温度は、−10〜80℃程度に設定することが好ましい。尚、アッシング処理中においては、プラズマからの照射熱で半導体基板1の温度は100〜160℃程度になる。上記塗布型レジスト層2の除去により、半導体基板1上に塗布型酸化膜3が直付けされる構成となり、段部8が形成される。
次に、図7に示すように、半導体基板1及び塗布型酸化膜3の上に、3回目のSMAP構造を作成する。具体的には、半導体基板1及び塗布型酸化膜3の上に、塗布型レジスト層(第11層)2、塗布型酸化膜(第21層)3及びフォトレジスト層(第31層)4を順次形成する。そして、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層4に段差形成用の第3の開口部(開口パターン)4cを形成する。
続いて、図8に示すように、例えばRIEを用いてフォトレジスト層4をマスクとして塗布型酸化膜3、塗布型レジスト層2及び半導体基板1をエッチングする。この場合、塗布型レジスト層2については、下方へ行くほど開口寸法が小さくなるように順テーパー形状にエッチング加工する。この順テーパー形状の斜面2aの傾斜角度θは、例えば60°〜84°程度となるように構成されている。上記エッチングにより、半導体基板1に凹部5´´、段部6´´、段部7´及び段部8´が形成される。
この後、図9に示すように、例えばドライエッチング(アッシング)を用いて塗布型レジスト層2を除去する。この場合、前述した図6に示す工程で用いたアッシング処理でアッシングして除去する。上記塗布型レジスト層2の除去により、半導体基板1上に塗布型酸化膜3が直付けされる構成となり、段部9が形成される。尚、段部を更に形成する必要がある場合には、図7から図9までの工程を繰り返し実行すれば良い。
次に、図10に示すように、半導体基板1及び塗布型酸化膜3の上に、例えばSOCからなるカーボン系の塗布型レジスト(第4層)層10を形成し、この塗布型レジスト層10の上に、例えばSOGからなる塗布型酸化膜(第5層)11を形成する。続いて、塗布型酸化膜11の上に、フォトレジスト層(第6層)12を形成する。そして、フォトリソグラフィを用いてフォトレジスト層12に、例えばコンタクトホール形成用のマスクパターン(ホールパターン)12aを形成する。
この後、図11に示すように、例えばRIEを用いてフォトレジスト層12をマスクとして塗布型酸化膜11及び塗布型レジスト層10をエッチングして、ホール13〜17を形成する。上記RIEのプロセスガスは、例えば酸素ガスを主体とするガスで構成されており、フッ素ガスを含まないガスである。これにより、半導体基板1及び塗布型酸化膜3をエッチングしないようになっている。即ち、ホール13は半導体基板1の段部6´´の上面で止まっている。ホール14は半導体基板1の段部7´の上面で止まっている。ホール15は半導体基板1の段部8´の上面で止まっている。ホール16は塗布型酸化膜3の段部9の上面で止まっている。ホール17は塗布型酸化膜3の段部18の上面で止まっている。
次に、図12に示すように、例えばRIEを用いて半導体基板1及び塗布型酸化膜3をエッチングして、コンタクトホール19〜23を形成する。上記RIEのプロセスガスは、酸素ガスとCF系ガスとの混合ガス(即ち、フッ素ガスを含むガス)で構成されている。この場合、酸素ガスは、CF系ガスのCと反応させてエッチングを行うため、積極的な下層レジスト(塗布型レジスト層10)のエッチングは進行せず消耗は極めて少ない。そして、半導体基板1及び塗布型酸化膜3はほぼ同じエッチングレートでエッチングされるようになっている。これにより、深さ寸法が異なるコンタクトホール19〜23が形成される。
この後、図13に示すように、例えばアッシングを用いて塗布型レジスト層10を除去する。続いて、図14に示すように、コンタクトホール19〜23内に配線用の金属材24を埋め込む。この金属材24としては、例えばタングステン(W)を使用することができる。次いで、図15に示すように、例えばCMP(chemical mechanical polishing)を用いて半導体基板1の上面を露出させるように平坦化する。これにより、コンタクト25〜29が形成される。
このような構成の本実施形態においては、半導体基板1上に、塗布型レジスト層2、塗布型酸化膜3及びフォトレジスト層4を順次形成し、フォトレジスト層4に開口部4aを形成し、フォトレジスト層4をマスクとして塗布型酸化膜3、塗布型レジスト層2及び半導体基板1をエッチングし、塗布型レジスト層2に順テーパー形状の斜面2aを形成した。そして、塗布型レジスト層2を除去して半導体基板1上に塗布型酸化膜3を直付けし、段部6を形成した(図3参照)。これにより、段部6と塗布型酸化膜3とから2段の段差を形成することができる。
また、本実施形態では、半導体基板1及び塗布型酸化膜3の上に、塗布型レジスト層2、塗布型酸化膜3及びフォトレジスト層4を順次形成し、フォトレジスト層4に開口部4bを形成し、フォトレジスト層4をマスクとして塗布型酸化膜3、塗布型レジスト層2及び半導体基板1をエッチングし、塗布型レジスト層2に順テーパー形状の斜面2aを形成した。そして、塗布型レジスト層2を除去して半導体基板1上に塗布型酸化膜3を直付けし、段部7,8を形成した(図6参照)。これにより、段部6´、7、8と塗布型酸化膜3とから4段の段差を形成することができる。以下、上述した工程を繰り返し実行することにより、2段ずつ段差を増やすことができる。
更に、本実施形態では、上述したようにして半導体基板1及び塗布型酸化膜3に複数の段差を形成した後、半導体基板1及び塗布型酸化膜3の上に、塗布型レジスト層10、塗布型酸化膜11及びフォトレジスト層12を順に形成し、フォトレジスト層12にホールパターンを形成し、フッ素ガスを含まないRIEを用いてフォトレジスト層4をマスクとして塗布型酸化膜11及び塗布型レジスト層10をエッチングしてホール13〜17を形成した(図11参照)。この後、フッ素ガスを含むRIEを用いて半導体基板1及び塗布型酸化膜3を更にエッチングして、コンタクトホール19〜23を形成した(図12参照)ので、異なる深さのパターンを同時に形成することができると共に、パターンの下部の内径寸法を十分大きく形成することができる。この結果、コンタクト抵抗を抑制することができる。
また、本実施形態では、1回のフォトリソグラフィ(露光)によって2段分の段差を形成することができるので、製造工程数を削減することができ、製造コストを低減することができる。
(その他の実施形態)
以上説明した複数の実施形態に加えて以下のような構成を採用しても良い。
上記した各実施形態では、被加工層として例えばシリコンからなる半導体基板1を用いたが、これに限られるものではなく、例えばSiO2膜やTEOS(tetraethyl orthosilicate)膜等を用いても良い。
以上説明した複数の実施形態に加えて以下のような構成を採用しても良い。
上記した各実施形態では、被加工層として例えばシリコンからなる半導体基板1を用いたが、これに限られるものではなく、例えばSiO2膜やTEOS(tetraethyl orthosilicate)膜等を用いても良い。
また、上記各実施形態では、第2層及び第21層として塗布型酸化膜3を用いたが、これに限られるものではなく、例えば塗布型シリコン膜、P−CVD(plasma chemical vapor deposition)酸化膜またはULT(ultra low temperature)−SiO2膜等を用いても良い。
以上のように、本実施形態によると、異なる深さのパターンを同時に形成することができると共に、パターンの下部の内径寸法を十分大きく形成することができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
図面中、1は半導体基板(被加工層)、2は塗布型レジスト層(第1層、第11層)、3は塗布型酸化膜(第2層、第12層)、4はフォトレジスト層(第3層、第13層)、6、7、8、9は段部、10は塗布型レジスト層(第4層)、11は塗布型酸化膜(第5層)、12はフォトレジスト層(第6層)、13〜17はホール、18は段部、19〜23はコンタクトホール、24は金属材、25〜29はコンタクトである。
Claims (6)
- 被加工層上に有機膜からなる第1層を形成する工程と、
前記第1層上に無機膜からなる第2層を形成する工程と、
前記第2層上に開口パターンを有する第3層を形成する工程と、
前記第3層をマスクとして前記第2層、前記第1層及び前記被加工層をエッチングする工程であって、前記第1層を斜めに加工する工程と、
前記第1層を除去することにより、前記被加工層上に前記第2層を直接設け、段部を形成する工程と
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記被加工層及び前記第2層の上に有機膜からなる第11層を形成する工程と、
前記第11層上に無機膜からなる第21層を形成する工程と、
前記第21層上に開口パターンを有する第31層を形成する工程と、
前記第31層をマスクとして前記第21層、前記第11層、前記第2層及び前記被加工層をエッチングする工程であって、前記第11層を斜めに加工する工程と、
前記第11層を除去することにより、前記第2層上に前記第21層を直接設け、段部を形成する工程とを備え、
前記第11層を形成する工程から前記段部を形成する工程までの各工程を所望の回数実行することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記被加工層、前記第2層及び前記第21層の上に、有機膜からなる第4層を形成する工程と、
前記第4層上に無機膜からなる第5層を形成する工程と、
前記第5層上にホールパターンを有する第6層を形成する工程と、
前記第6層をマスクとして前記第5層及び前記第4層をエッチングして、前記被加工層、前記第2層及び前記第21層をストッパーとすることにより、深さ寸法が異なるパターンを同時に形成する工程とを備えたことを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1層及び第11層は、塗布型レジストまたはCVD−Cで構成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2層及び第21層は、塗布型シリコン、塗布型シリコン酸化膜、P−CVD酸化膜またはULT−シリコン酸化膜で構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
- 被加工層と、
前記被加工層の上面に形成された複数の段部と、
前記被加工層の上面における前記複数の段部の外側に設けられた無機膜に形成された2個の段部と、
前記被加工層の複数の段部及び前記無機膜の2個の段部に開口するように形成され、深さ寸法が異なる複数のホールと
を備えた半導体装置。
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