JP2016045082A - 端子間ショート制御端子付き半導体集積回路、及び端子間ショート制御端子付き半導体集積回路と測定治具との接触抵抗を測定する方法 - Google Patents
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路、及び端子間ショート制御端子付き半導体集積回路と測定治具との接触抵抗を測定する方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016045082A JP2016045082A JP2014169673A JP2014169673A JP2016045082A JP 2016045082 A JP2016045082 A JP 2016045082A JP 2014169673 A JP2014169673 A JP 2014169673A JP 2014169673 A JP2014169673 A JP 2014169673A JP 2016045082 A JP2016045082 A JP 2016045082A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- semiconductor integrated
- integrated circuit
- control terminal
- inter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
【課題】回路規模が大きくならず、その構成が複雑になることのない半導体集積回路、及びこの半導体集積回路と測定治具との接触抵抗を効率的に測定することのできる方法を提供する【解決手段】少なくとも1つ以上の外部端子と、制御端子と、を含んで構成される半導体集積回路であって、スイッチング素子を制御する端子間ショート制御端子を備え、前記外部端子が、前記スイッチング素子を介して前記制御端子と接続された、ことを特徴とする端子間ショート制御端子付き半導体集積回路。【選択図】 図2
Description
本発明は半導体デバイスのテスト方法に関し、特にテスト効率向上に関するものである。
半導体集積回路とプローブカード及びソケット等の測定治具間の接触抵抗は、測定治具の接触部分の形状、硬さ、測定治具の配線抵抗などの影響を受けるため精度よく測定することは容易ではない。
その解決のために特許文献1には、入出力回路に動的に構成可能なプルアップ素子とプルダウン素子を備え、端子の電流、電圧及び電流特性を測定することで各端子の接触抵抗を算出する技術が開示されている。
その解決のために特許文献1には、入出力回路に動的に構成可能なプルアップ素子とプルダウン素子を備え、端子の電流、電圧及び電流特性を測定することで各端子の接触抵抗を算出する技術が開示されている。
しかしながら、特許文献1に示される動的に構成可能なプルアップ素子とプルダウン素子は、回路規模が大きく構成が複雑なため、全ての回路及び素子について動作検証する時間も長くなるという問題点がある。もし一つの素子または回路に不具合があれば接触抵抗を測定することはできない。また、半導体集積回路上の素子数も多く実装時の制約も多い。
また、特許文献1では、半導体集積回路の検査装置またはこの検査装置とは別の装置に測定回路を設けて、接触抵抗の測定を行うものであるため、従来の測定治具(既存の測定治具)にそのまま使用することはできないため、新たな測定治具を用意するための設備投資しなければならないといった問題がある。
この問題点を解決するために、上記特許文献1に記載の測定回路を半導体集積回路内に設ける(搭載する)ということが想起される。しかしながら、上記測定回路は回路規模が大きく複雑であるため、半導体集積回路内に設けようとすると、この半導体集積回路自体が大きく(面積が大きく)なってしまい、1個の半導体集積回路に係るコストが増大になってしまい、製造過程におけるコストパフォーマンスが低下するといった問題がある。
そこで、本発明は、上記問題点を解決することを目的とし、回路規模が大きくならず、その構成が複雑になることのない半導体集積回路、及びこの半導体集積回路と測定治具との接触抵抗を効率的に測定することのできる方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明は、少なくとも1つ以上の外部端子と、制御端子と、を含んで構成される半導体集積回路であって、スイッチング素子を制御する端子間ショート制御端子を備え、前記外部端子が、前記スイッチング素子を介して前記制御端子と接続された、ことを特徴とする。
ここでいう「端子間ショート制御端子」とは、半導体集積回路上の専用端子で、その端子に所定の電圧を印加することで、複数の外部端子間を低抵抗でショートする機能を持つ端子のことである。
本発明によれば、回路規模が大きくならず、その構成が複雑になることのない半導体集積回路、及びこの半導体集積回路と測定治具との接触抵抗を効率的に測定することのできる方法を提供することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、全図に通して同一の構成には同一の符号を付し、重複説明を省略する。
<第1実施形態>
図1は、本第1実施形態を構成する、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100が、テストボード101(以下では「測定治具101」ともいう)のソケット101A上に配置されたときの様子を概略的に説明するための図である。端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100をテストボード101のソケット101A上(なお、以下では、単に「測定治具101上」という)に配置(セット)させると、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100のA端子〜H端子が、測定治具101の端子1〜端子8とそれぞれ接触するように構成されている。
図1は、本第1実施形態を構成する、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100が、テストボード101(以下では「測定治具101」ともいう)のソケット101A上に配置されたときの様子を概略的に説明するための図である。端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100をテストボード101のソケット101A上(なお、以下では、単に「測定治具101上」という)に配置(セット)させると、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100のA端子〜H端子が、測定治具101の端子1〜端子8とそれぞれ接触するように構成されている。
また、測定治具101におけるa〜h(接続端子)は、端子1〜端子8にそれぞれ導通可能に接続されており、この接続端子a〜hには、電流計や電圧印加装置等を適宜接続させることが可能となっている。また、測定治具101には、その他、テスタなどを接続して各種検査を行うことが可能となっている。
なお、測定治具101としては、プローブカードやその他、接続治具(探針)等を用いるものとしてもよい。
なお、測定治具101としては、プローブカードやその他、接続治具(探針)等を用いるものとしてもよい。
図2は、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の構成の一例を示すブロック図である。図2に示すように、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100は、単結晶シリコンのような一個の半導体基板に形成され、入出力回路11、グランド配線12、電源回路13等が設けられている。そして、外部端子として端子間ショート制御端子3、電源端子、グランド端子、信号端子、とを備えている。また、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100は、任意の外部端子間を接続するためのNMOSトランジスタから成るスイッチング素子1を備え、NMOSトランジスタのゲートを所望の電位に設定することにより、NMOSトランジスタのソース・ドレイン間に接続される外部端子間がショートできるように構成されている。
図3は、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置したときの各端子間の接続状態の一例を示す図である。端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の外部端子の抵抗測定手順は、次の通りである。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置する。これにより、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子と測定治具101のそれぞれの端子間が接触抵抗4を経由して接続される。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に電圧印加装置22が接続される。測定対象の外部端子一つ(この場合は、信号端子A)に対して電流計23を介して電圧印加装置21が接続される。測定対象以外の外部端子についてはグランドレベル(0V)を印加する。
先ず、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3にNMOSトランジスタのソース・ドレイン間が導通する電圧を与える。これにより、スイッチング素子1が接続された全ての外部端子間がグランドレベルに接続される。
次いで、測定対象の外部端子(信号端子A)に対して所定の電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。電圧印加装置21に接続された電流計23の値を測定することで、外部端子の接触抵抗値を知ることができる。
図4は、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の接触抵抗測定手順の一例を示すフロー図である。以下の手順に従い接触抵抗測定を行う。
(S1)
まず、図2で説明したように、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置する。端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に電圧印加装置22が接続される、測定対象の外部端子(この例では、信号端子A)に対して電流計23を介して電圧印加装置21が接続される。測定対象以外の外部端子についてはグランドレベルを印加する。
まず、図2で説明したように、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置する。端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に電圧印加装置22が接続される、測定対象の外部端子(この例では、信号端子A)に対して電流計23を介して電圧印加装置21が接続される。測定対象以外の外部端子についてはグランドレベルを印加する。
(S2)
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に対し、スイッチング素子1(NMOSトランジスタ)のソース・ドレイン間が導通する電圧を与える。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に対し、スイッチング素子1(NMOSトランジスタ)のソース・ドレイン間が導通する電圧を与える。
(S3)
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、グランドレベルに対し電位差のある電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、グランドレベルに対し電位差のある電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。
(S4)
電圧印加装置21に接続した電流計23で測定対象の外部端子(信号端子A)の電流値を測定する。
電圧印加装置21に接続した電流計23で測定対象の外部端子(信号端子A)の電流値を測定する。
(S5)
測定対象の外部端子(信号端子A)に印加した電位と、電流計23で測定した電流値より測定対象の外部端子の接触抵抗を知ることができる。
測定対象の外部端子(信号端子A)に印加した電位と、電流計23で測定した電流値より測定対象の外部端子の接触抵抗を知ることができる。
(S6)
残りの外部端子に対しても、上記(S1)〜(S5)の手順を1端子毎に繰り返して実行する(S6=YESとなるまでS1〜S5の処理を繰り返す)。これにより全ての外部端子の接触抵抗を測定することが可能である。
残りの外部端子に対しても、上記(S1)〜(S5)の手順を1端子毎に繰り返して実行する(S6=YESとなるまでS1〜S5の処理を繰り返す)。これにより全ての外部端子の接触抵抗を測定することが可能である。
なお、本実施形態を構成する、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100が通常の動作を行うときは、端子間ショート制御端子3は、フローティング、若しくは端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の最低電圧と同じ電位に固定すれば、外部端子間にはスイッチング素子1が介在するので、電気的にオープンであり、端子間ショート制御端子3は、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の動作上、何ら支障をきたすことはない。
<第2実施形態>
図5は、第2実施形態を構成する、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置したときの各端子間の接続状態の一例を示す図である。この第2実施形態を構成する端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100では、スイッチング素子1と入出力回路11との間にプルダウン抵抗がそれぞれ設けられている。第2実施形態を構成する端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の外部端子の抵抗測定手順は、次の通りである。
図5は、第2実施形態を構成する、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置したときの各端子間の接続状態の一例を示す図である。この第2実施形態を構成する端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100では、スイッチング素子1と入出力回路11との間にプルダウン抵抗がそれぞれ設けられている。第2実施形態を構成する端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の外部端子の抵抗測定手順は、次の通りである。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置する。これにより端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子と測定治具101のそれぞれの端子間が接触抵抗4を経由して接続される。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に電圧印加装置22が接続される。測定対象の外部端子一つ(この場合は、信号端子A)に対して電流計23を介して電圧印加装置21が接続される。測定対象以外の外部端子については、グランドレベルを印加する。
先ず、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3にNMOSトランジスタのソース・ドレイン間が導通する電圧を与える。これにより、スイッチング素子1が接続された全ての外部端子間がグランドレベルに接続される。
次いで、測定対象の外部端子(信号端子A)に対して所定の電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。電圧印加装置21に接続された電流計23の値を測定することで、外部端子の接触抵抗値を知ることができる。
次に、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に、NMOSトランジスタのソース・ドレイン間が非導通(電気的にオープン)となる電圧を与える。これにより、全ての外部端子間が非導通(電気的にオープン)となる。
次いで、測定対象の外部端子(信号端子A)に対して所定の電位、例えば、+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。これにより、外部端子からプルダウン抵抗5を経由してグランドに電流が流れる。この状態で電圧印加装置21に接続された電流計23の値を測定することで外部端子の接触抵抗値を含んだプルダウン抵抗値を知ることができる。
この値から、先に測定した接触抵抗値を差し引くことで接触抵抗値を含まないプルダウン抵抗の値を求めることができる。
図6は、第2実施形態を構成する、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の接触抵抗及びプルダウン抵抗の測定手順の一例を示すフロー図である。以下の手順に従い、接触抵抗及びプルダウン抵抗測定を行う。
(S10)
まず、図5で説明したように、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置する。端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に電圧印加装置22が接続される。測定対象の外部端子一つ(この例では、信号端子A)に対して電流計23を介して電圧印加装置21が接続される。測定対象以外の外部端子についてはグランドレベルを印加する。
まず、図5で説明したように、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置する。端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に電圧印加装置22が接続される。測定対象の外部端子一つ(この例では、信号端子A)に対して電流計23を介して電圧印加装置21が接続される。測定対象以外の外部端子についてはグランドレベルを印加する。
(S11)
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100が端子間ショート制御端子3に対し、スイッチング素子(NMOSトランジスタ)のソース・ドレイン間が導通する電圧を与える。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100が端子間ショート制御端子3に対し、スイッチング素子(NMOSトランジスタ)のソース・ドレイン間が導通する電圧を与える。
(S12)
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、グランドレベルに対し電位差のある電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、グランドレベルに対し電位差のある電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。
(S13)
電圧印加装置21に接続した電流計23で測定対象の外部端子(信号端子A)の電流値を測定する。
電圧印加装置21に接続した電流計23で測定対象の外部端子(信号端子A)の電流値を測定する。
(S14)
測定対象の外部端子(信号端子A)に印加した電位と電流計23で測定した電流値より測定対象の外部端子の接触抵抗を知ることができる。
測定対象の外部端子(信号端子A)に印加した電位と電流計23で測定した電流値より測定対象の外部端子の接触抵抗を知ることができる。
(S15)
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に対し、スイッチング素子(NMOSトランジスタ)のソース・ドレイン間が非導通(電気的にオープン)する電圧を与える。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に対し、スイッチング素子(NMOSトランジスタ)のソース・ドレイン間が非導通(電気的にオープン)する電圧を与える。
(S16)
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、グランドレベルに対し電位差のある電位、例えば+0.2Vを電源印加装置21により印加する。これにより、外部端子からプルダウン抵抗5を経由してグランドに電流が流れる。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、グランドレベルに対し電位差のある電位、例えば+0.2Vを電源印加装置21により印加する。これにより、外部端子からプルダウン抵抗5を経由してグランドに電流が流れる。
(S17)
電圧印加装置21に接続した電池計23で測定対象の外部端子(この例では、信号端子A)の電流値を測定する。
電圧印加装置21に接続した電池計23で測定対象の外部端子(この例では、信号端子A)の電流値を測定する。
(S18)
測定対象の外部端子(信号端子A)に印加した電位と電流計23で測定した電流値より測定対象の外部端子の接触抵抗4を含んだプルダウン抵抗値を知ることができる。
測定対象の外部端子(信号端子A)に印加した電位と電流計23で測定した電流値より測定対象の外部端子の接触抵抗4を含んだプルダウン抵抗値を知ることができる。
(S19)
上記(S18)において算出した、測定対象の外部端子の接触抵抗4を含んだプルダウン抵抗値から、上記(S14)で求めた接触抵抗値を差し引くことで接触抵抗値を含まないプルダウン抵抗5の値を求めることができる。
上記(S18)において算出した、測定対象の外部端子の接触抵抗4を含んだプルダウン抵抗値から、上記(S14)で求めた接触抵抗値を差し引くことで接触抵抗値を含まないプルダウン抵抗5の値を求めることができる。
(S20)
残りの外部端子に対しても、上記(S10)〜(S19)の手順を1端子毎に繰り返して実行する(S20=YESとなるまでS10〜S19の処理を繰り返す)。これにより全ての外部端子に接続されたプルダウン抵抗5を測定可能である。
残りの外部端子に対しても、上記(S10)〜(S19)の手順を1端子毎に繰り返して実行する(S20=YESとなるまでS10〜S19の処理を繰り返す)。これにより全ての外部端子に接続されたプルダウン抵抗5を測定可能である。
<第3実施形態>
図7は、第3実施形態を構成する、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置したときの各端子間の接続状態の一例を示す図である。この第3実施形態を構成する端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100では、スイッチング素子1と入出力回路11との間にプルアップ抵抗がそれぞれ設けられている。第3実施形態を構成する端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の外部端子の抵抗測定手順は、次の通りである。
図7は、第3実施形態を構成する、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置したときの各端子間の接続状態の一例を示す図である。この第3実施形態を構成する端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100では、スイッチング素子1と入出力回路11との間にプルアップ抵抗がそれぞれ設けられている。第3実施形態を構成する端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の外部端子の抵抗測定手順は、次の通りである。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置する。これにより端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子と測定治具101のそれぞれの端子間が接触抵抗4を経由して接続される。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に電圧印加装置22が接続される。測定対象の外部端子一つ(この場合は、信号端子A)に対して電流計23を介して電圧印加装置21が接続される。測定対象以外の外部端子についてはグランドレベルを印加する。
先ず、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3にNMOSトランジスタのソース・ドレイン間が導通する電圧を与える。これにより、スイッチング素子1が接続された全ての外部端子間がグランドレベルに接続される。
次いで、測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、所定の電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。電圧印加装置21に接続された電流計23の値を測定することで、外部端子の接触抵抗値を知ることができる。
次に、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3にNMOSトランジスタのソース・ドレイン間が非導通(電気的にオープン)となる電圧を与える。これにより、全ての外部端子間が非導通(電気的にオープン)となる。
次いで、測定対象の外部端子一つに対して、所定の電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。これにより、外部端子からプルアップ抵抗6を経由して電源(グランドレベル)に電流が流れる。この状態で電圧印加装置21に接続された電流計23の値を測定することで、外部端子の接触抵抗値を含んだプルアップ抵抗値を知ることができる。
この値から、先に測定した接触抵抗値を差し引くことで、接触抵抗値を含まないプルダウン抵抗そのものの値を求めることができる。
図8は、第3実施形態を構成する、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の接触抵抗及びプルアップ抵抗の測定手順の一例を示すフロー図である。以下の手順に従い、接触抵抗及びプルアップ抵抗測定を行う。
(S30)
まず、図7で説明したように、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置する。端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に電圧印加装置22が接続される。測定対象の外部端子一つ(この例では、信号端子A)に対して電流計23を介して電圧印加装置21が接続される。測定対象以外の外部端子についてはグランドレベルを印加する。
まず、図7で説明したように、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上に配置する。端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に電圧印加装置22が接続される。測定対象の外部端子一つ(この例では、信号端子A)に対して電流計23を介して電圧印加装置21が接続される。測定対象以外の外部端子についてはグランドレベルを印加する。
(S31)
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に対し、スイッチング素子(NMOSトランジスタ)のソース・ドレイン間が導通する電圧を与える。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に対し、スイッチング素子(NMOSトランジスタ)のソース・ドレイン間が導通する電圧を与える。
(S32)
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、グランドレベルに対し電位差のある電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、グランドレベルに対し電位差のある電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。
(S33)
電圧印加装置21に接続した電流計23で測定対象の外部端子(信号端子A)の電流値を測定する。
電圧印加装置21に接続した電流計23で測定対象の外部端子(信号端子A)の電流値を測定する。
(S34)
測定対象の外部端子(信号端子A)に印加した電位と電流計23で測定した電流値より測定対象の外部端子の接触抵抗を知ることができる。
測定対象の外部端子(信号端子A)に印加した電位と電流計23で測定した電流値より測定対象の外部端子の接触抵抗を知ることができる。
(S35)
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に対し、スイッチング素子(NMOSトランジスタ)のソース・ドレイン間が非導通(電気的にオープン)する電圧を与える。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の端子間ショート制御端子3に対し、スイッチング素子(NMOSトランジスタ)のソース・ドレイン間が非導通(電気的にオープン)する電圧を与える。
(S36)
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、グランドレベルに対し電位差のある電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。これにより、外部端子からプルアップ抵抗6を経由して電源(グランドレベル)に電流が流れる。
端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の測定対象の外部端子(信号端子A)に対して、グランドレベルに対し電位差のある電位、例えば+0.2Vを電圧印加装置21により印加する。これにより、外部端子からプルアップ抵抗6を経由して電源(グランドレベル)に電流が流れる。
(S37)
電圧印加装置21に接続した電流計23で測定対象の外部端子(信号端子A)の電流値を測定する。
電圧印加装置21に接続した電流計23で測定対象の外部端子(信号端子A)の電流値を測定する。
(S38)
測定対象の外部端子(信号端子A)に印加した電位と電流計23で測定した電流値より測定対象の外部端子の接触抵抗4を含んだプルアップ抵抗値を知ることができる。
測定対象の外部端子(信号端子A)に印加した電位と電流計23で測定した電流値より測定対象の外部端子の接触抵抗4を含んだプルアップ抵抗値を知ることができる。
(S39)
上記(S38)において算出した、測定対象の外部端子の接触抵抗4を含んだプルアップ抵抗値から、上記(S34)で求めた接触抵抗値を差し引くことで接触抵抗値を含まないプルアップ抵抗6の値を求めることができる。
上記(S38)において算出した、測定対象の外部端子の接触抵抗4を含んだプルアップ抵抗値から、上記(S34)で求めた接触抵抗値を差し引くことで接触抵抗値を含まないプルアップ抵抗6の値を求めることができる。
(S40)
残りの外部端子に対しても、上記(S30)〜(S39)の手順を1端子毎に繰り返して実行する(S40=YESとなるまでS30〜S39の処理を繰り返す)。これにより、全ての外部端子に接続されたプルアップ抵抗6を測定可能である。
残りの外部端子に対しても、上記(S30)〜(S39)の手順を1端子毎に繰り返して実行する(S40=YESとなるまでS30〜S39の処理を繰り返す)。これにより、全ての外部端子に接続されたプルアップ抵抗6を測定可能である。
最後に、上記各実施形態(第1実施形態、第2実施形態、第3実施形態)を構成する端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を、その製造過程において測定治具101(テストボード101やプローブカード等を含む)により、正常に機能する製品であるかを検査する場合の流れについての概略を説明する。
(処理1)
まず、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101にセットして、当該端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の外部端子(ピン)の1つ1つに対して、導通チェックを行い、正常/異常を判定する。
まず、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101にセットして、当該端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の外部端子(ピン)の1つ1つに対して、導通チェックを行い、正常/異常を判定する。
(処理2)
全ての外部端子に対して、導通チェックが終了すると、当該端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100に対する検査が終了となり、その結果に応じて、良品(正常に機能する)/不良品(正常に機能しない)に分別する(例えば、それぞれ別々のトレイに分ける)。
全ての外部端子に対して、導通チェックが終了すると、当該端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100に対する検査が終了となり、その結果に応じて、良品(正常に機能する)/不良品(正常に機能しない)に分別する(例えば、それぞれ別々のトレイに分ける)。
(処理3)
上記(処理1)〜(処理2)が終了すると、当該端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上から取り外して、別の新たな端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100(検査前の端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100)を測定治具101に新たにセットして、上記(処理1)〜(処理3)を行う。
上記(処理1)〜(処理2)が終了すると、当該端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100を測定治具101上から取り外して、別の新たな端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100(検査前の端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100)を測定治具101に新たにセットして、上記(処理1)〜(処理3)を行う。
このように、検査前の端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100について、(処理1)〜(処理2)を次々と繰り返していくことにより、量産した端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の検査が行われていく。
そして、上記(処理1)〜(処理3)の工程において、例えば、不良品が大量に生じた場合などには、所謂コンタクト不良が原因であると考えられる。
すなわち、1つ目の原因としては、測定治具101のソケットや針等の端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の外部端子と接触する接触部材(導電性のある金属部材など)の摩耗、損耗等による測定治具101側の不具合が発生した場合が考えられる。
また、2つ目の原因としては、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の製造過程、規格(仕様)等の変更があった場合が考えられる。
すなわち、1つ目の原因としては、測定治具101のソケットや針等の端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の外部端子と接触する接触部材(導電性のある金属部材など)の摩耗、損耗等による測定治具101側の不具合が発生した場合が考えられる。
また、2つ目の原因としては、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100の製造過程、規格(仕様)等の変更があった場合が考えられる。
このようなコンタクト不良が発生した場合において、上記各実施形態を構成する端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100によれば、上記(S1)〜(S6)、上記(S10)〜(S20)、または上記(S30)〜(S40)において説明した方法により、コンタクト不良の原因を特定することが可能である。すなわち、端子間ショート制御端子付き半導体集積回路100と測定治具101との接触抵抗を測定することにより、上記原因の特定をすることができる。これにより、コンタクト不良の原因を早期に特定することができ、量産する期間に遅れを生じさせる可能性を極力防ぐことができる。
<その他の実施形態>
上記各実施形態は、本発明を限定するものではなく、要旨を変更しない範囲で様々な変更態様がありうる。
上記各実施形態は、本発明を限定するものではなく、要旨を変更しない範囲で様々な変更態様がありうる。
例えば、上記各実施形態における外部端子は信号端子に限定されることはなく、電源端子でもグランド端子でもよい。また、外部端子は複数端子でもよい。
例えば、上記各実施形態では、端子間ショート制御端子3を半導体集積回路の外部端子の1つとして説明したが、端子間ショート制御端子3は1つに限定されることはなく、オープン検出操作を迅速に行うために共通に接続させた複数の端子間ショート制御端子3を設けることもできる。上記オープン検出外部端子についても同様である。
例えば、上記各実施形態では、スイッチング素子1としては端子間ショート制御端子3にゲートが接続されたNMOSトランジスタの1素子を用いたが、複数の素子を並列接続した構成でもよく、また、バイポートランジスタや電気スイッチでもよく、限定されるものではない。
1 スイッチング素子(NMOSトランジスタ)
3 端子間ショート制御端子
4 接触抵抗
5 プルダウン抵抗
6 プルアップ抵抗
11 入出力回路(制御端子)
12 グランド配線(制御端子)
13 電源回路(制御端子)
21 電圧印加装置
22 電圧印加装置
23 電流計
100 端子間ショート制御端子付き半導体集積回路
101 測定治具(テストボード)
101A ソケット
3 端子間ショート制御端子
4 接触抵抗
5 プルダウン抵抗
6 プルアップ抵抗
11 入出力回路(制御端子)
12 グランド配線(制御端子)
13 電源回路(制御端子)
21 電圧印加装置
22 電圧印加装置
23 電流計
100 端子間ショート制御端子付き半導体集積回路
101 測定治具(テストボード)
101A ソケット
Claims (5)
- 少なくとも1つ以上の外部端子と、制御端子と、を含んで構成される半導体集積回路であって、
スイッチング素子を制御する端子間ショート制御端子を備え、
前記外部端子が、前記スイッチング素子を介して前記制御端子と接続された、ことを特徴とする端子間ショート制御端子付き半導体集積回路。 - 請求項1に記載の端子間ショート制御端子付き半導体集積回路であって、
1つの前記外部端子は、
1つの前記スイッチング素子を介して、1つの前記制御端子と接続された、ことを特徴とする端子間ショート制御端子付き半導体集積回路。 - 請求項1または請求項2のいずれか1項に記載の端子間ショート制御端子付き半導体集積回路を、測定治具に測定可能に配置した状態で、前記端子間ショート制御端子付き半導体集積回路と前記測定治具との接触抵抗を測定する方法であって、
前記端子間ショート制御端子を所定の電位とし、測定対象である前記外部端子に所定の電圧を印加する、ことにより前記接触抵抗を測定する、ことを特徴とする前記端子間ショート制御端子付き半導体集積回路と前記測定治具との接触抵抗を測定する方法。 - 請求項1に記載の端子間ショート制御端子付き半導体集積回路であって、
前記スイッチング素子と前記制御端子とが、電源若しくはグランドに接続された抵抗素子を介して接続された、ことを特徴とする端子間ショート制御端子付き半導体集積回路。 - 請求項4に記載の端子間ショート制御端子付き半導体集積回路を測定治具に測定可能に配置した状態で、前記端子間ショート制御端子付き半導体集積回路と前記測定治具との接触抵抗及び前記抵抗素子に係る抵抗を測定する方法であって、
前記端子間ショート制御端子を所定の電位とし、測定対象である前記外部端子に所定の電圧を印加する、ことにより前記接触抵抗及び前記抵抗素子に係る抵抗を測定する、ことを特徴とする前記端子間ショート制御端子付き半導体集積回路と前記測定治具との接触抵抗及び抵抗素子に係る抵抗を測定する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014169673A JP2016045082A (ja) | 2014-08-22 | 2014-08-22 | 端子間ショート制御端子付き半導体集積回路、及び端子間ショート制御端子付き半導体集積回路と測定治具との接触抵抗を測定する方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014169673A JP2016045082A (ja) | 2014-08-22 | 2014-08-22 | 端子間ショート制御端子付き半導体集積回路、及び端子間ショート制御端子付き半導体集積回路と測定治具との接触抵抗を測定する方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016045082A true JP2016045082A (ja) | 2016-04-04 |
Family
ID=55635775
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014169673A Pending JP2016045082A (ja) | 2014-08-22 | 2014-08-22 | 端子間ショート制御端子付き半導体集積回路、及び端子間ショート制御端子付き半導体集積回路と測定治具との接触抵抗を測定する方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016045082A (ja) |
-
2014
- 2014-08-22 JP JP2014169673A patent/JP2016045082A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI439706B (zh) | 用於測量一電容組件之一漏電流的裝置 | |
JP5785194B2 (ja) | 静止電流(iddq)指示および試験装置および方法 | |
CN109557376B (zh) | 电阻测定装置、基板检查装置以及电阻测定方法 | |
US8860455B2 (en) | Methods and systems to measure a signal on an integrated circuit die | |
KR100485462B1 (ko) | 집적회로검사방법 | |
JP2010249802A (ja) | 集積回路における外部端子の開放/短絡検査方法及び集積回路における外部端子の開放/短絡検査装置 | |
KR20140146535A (ko) | 기판검사장치 | |
JP2016045082A (ja) | 端子間ショート制御端子付き半導体集積回路、及び端子間ショート制御端子付き半導体集積回路と測定治具との接触抵抗を測定する方法 | |
WO2008001651A1 (fr) | Procédé d'inspection de carte et dispositif d'inspection de carte | |
KR100788501B1 (ko) | 키패드 검사 장치 및 검사 방법 | |
JP2010272825A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JP5326898B2 (ja) | 集積回路における外部端子の開放/短絡検査方法及び集積回路における外部端子の開放/短絡検査装置 | |
JP2014163851A (ja) | オープン検出端子付き半導体集積回路 | |
JP2020128881A (ja) | 短絡検査システム、及び短絡検査方法 | |
JP2014020815A (ja) | 基板検査装置および基板検査方法 | |
JP2012083262A (ja) | 試験装置および試験方法 | |
JP6197573B2 (ja) | スイッチング素子検査方法及び電子回路ユニット | |
JP5206701B2 (ja) | 回路検査装置 | |
KR101575959B1 (ko) | 프로브 테스터 및 프로브 테스트 방법 | |
TWI471576B (zh) | The inspection apparatus, the inspection system, the inspection method, and the inspection method of the semiconductor device of the semiconductor device | |
JP6798834B2 (ja) | 検査装置、検査システム、検査方法、及び検査プログラム | |
US11243232B2 (en) | Test apparatuses including probe card for testing semiconductor devices and operation methods thereof | |
JP2013024724A (ja) | 回路基板検査装置および回路基板検査方法 | |
JP4744884B2 (ja) | ウエハ検査装置及びウエハ検査方法 | |
KR100916763B1 (ko) | 반도체 디바이스 테스트 시스템 |