JP2016042466A - 導電性粒子、導電材料及び接続構造体 - Google Patents

Abstract

【課題】電極間を電気的に接続した場合に、電極間に導電性粒子を効率的に配置することができ、接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供する。
【解決手段】本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、導電部とを備え、前記導電部が、結晶構造を有する第１の導電部と、結晶構造を有する第２の導電部とを含み、前記第１の導電部が、前記基材粒子の表面上に配置されており、前記第２の導電部が、前記第１の導電部に接するように前記第１の導電部の外表面上に配置されており、前記第１の導電部における結晶子サイズと、前記第２の導電部における結晶子サイズとの差の絶対値が５ｎｍ以上である。
【選択図】図１

Description

本発明は、基材粒子と、該基材粒子の表面上に配置された導電部とを有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。

異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。上記異方性導電材料では、バインダー樹脂中に複数の導電性粒子が分散されている。

上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ ｏｎ Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ ｏｎ Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。

上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献１には、樹脂を含む基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆している緩衝層と、該緩衝層の上を被覆しているＡｕ層とを有する導電性粒子が開示されている。上記緩衝層の厚さは０．０１〜０．１μｍである。上記緩衝層は、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ又はそれらの合金（但しＮｉ−Ｐを除く）を含む。

下記の特許文献２には、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆している導電性金属層とを有する導電性粒子が開示されている。上記導電性金属層は、ニッケルめっき層を含む。該ニッケルめっき層は、走査型電子顕微鏡を使用して１０００００倍の拡大倍率で、ニッケルめっき層の厚さ方向の断面を観測したとき、その断面に粒界が認められ、かつ、粒界構造がニッケルめっき層の厚さ方向に配向する柱状構造でない。

下記の特許文献３には、基材粒子と、該基材粒子の表面を被覆する導電性金属層とを有する導電性粒子が開示されている。上記導電性金属層は、ニッケルを含む。上記導電性粒子では、粉末Ｘ線回折法により測定されるニッケルの［１１１］方向の結晶子径が、３ｎｍ以下である。

特開平１１−３９９３７号公報 特開２０１３−７３６９４号公報 ＷＯ２０１３／０４２７８５Ａ１

特許文献１〜３に記載のような従来の導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続して接続構造体を得た場合に、接続抵抗が高くなることがある。

また、導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続する際には、一般に、電極間に導電性粒子を配置して、加熱及び加圧が行われる。従来の導電性粒子では、電極間に複数の導電性粒子を効率的に配置することが困難なことがある。電極が形成されている部分のライン（Ｌ）だけでなく、電極が形成されていない部分のスペース（Ｓ）にも、導電性粒子が配置されやすいという問題がある。このため、スペースにも導電性粒子が配置されることを前提として、導電性粒子を多く用いなければならないことがある。さらに、スペースに導電性粒子が配置された結果、絶縁不良が生じやすいという問題がある。また、電極が形成されている部分に配置される導電性粒子が少ないと、接続抵抗が高くなる。

本発明の目的は、電極間を電気的に接続した場合に、電極間に導電性粒子を効率的に配置することができ、接続抵抗を低くすることができる導電性粒子を提供することである。また、本発明の目的は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体を提供することである。

本発明の広い局面によれば、基材粒子と、導電部とを備え、前記導電部が、結晶構造を有する第１の導電部と、結晶構造を有する第２の導電部とを含み、前記第１の導電部が、前記基材粒子の表面上に配置されており、前記第２の導電部が、前記第１の導電部に接するように前記第１の導電部の外表面上に配置されており、前記第１の導電部における結晶子サイズと、前記第２の導電部における結晶子サイズとの差の絶対値が５ｎｍ以上である、導電性粒子が提供される。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第１の導電部における結晶子サイズが、前記第２の導電部における結晶子サイズよりも小さいか、又は大きい。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第１の導電部が、ニッケルを含む。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記第２の導電部が、ニッケルを含む。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が外表面に複数の突起を有する。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、複数の前記突起の平均高さが、５ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、複数の前記突起の基部の平均径が、５ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、複数の前記突起の平均高さの、複数の前記突起の基部の平均径に対する比が、０．１以上、１０以下である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備える。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記芯物質の材料のモース硬度が５以上である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部中の結晶構造を有する導電部部分の全体での測定において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及び（２２２）面の結晶子サイズの平均値による結晶子サイズが１０ｎｍ以上である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部中の結晶構造を有する導電部部分の全体での測定において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とウィリアムソン−ホール式から求められる結晶子サイズが１０ｎｍ以上である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部中の結晶構造を有する導電部部分の全体での測定において、Ｘ線回折における（２２０）面の結晶子サイズをＤ（２２０）とし、（１１１）面の結晶子サイズをＤ（１１１）としたときに、これらの比（Ｄ（２２０）／Ｄ（１１１））が、０．０１以上である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子の粒子径が１．０μｍ以上、１０．０μｍ以下である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記基材粒子が、樹脂粒子であるか、又は有機無機ハイブリッド粒子である。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面が防錆処理されている。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面が、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物により防錆処理されている。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面が、リンを含まない化合物により防錆処理されている。

本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える。

本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。

本発明の広い局面によれば、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体が提供される。

本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、導電部とを備えており、上記導電部が、結晶構造を有する第１の導電部と、結晶構造を有する第２の導電部とを含み、上記第１の導電部が、上記基材粒子の表面上に配置されており、上記第２の導電部が、上記第１の導電部に接するように上記第１の導電部の外表面上に配置されており、上記第１の導電部における結晶子サイズと、上記第２の導電部における結晶子サイズとの差の絶対値が５ｎｍ以上であるので、電極間を電気的に接続した場合に、電極間に導電性粒子を効率的に配置することができる。さらに、電極間の接続抵抗を低くすることができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図５は、本発明の第５の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す断面図である。

以下、本発明の詳細を説明する。

（導電性粒子）
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、導電部とを備える。上記導電部が、結晶構造を有する第１の導電部と、結晶構造を有する第２の導電部とを含む。上記第１の導電部は、上記基材粒子の表面上に配置されている。上記第２の導電部は、上記第１の導電部に接するように上記第１の導電部の外表面上に配置されている。上記第１の導電部における結晶子サイズ（１）と、上記第２の導電部における結晶子サイズ（２）との差の絶対値は、５ｎｍ以上である。

本発明に係る導電性粒子では、上記の構成が採用されているので、電極間を電気的に接続した場合に、電極間に導電性粒子を効率的に配置することができる。また、電極間の接続抵抗を低くすることができる。本発明者らは、電極間に導電性粒子を効率的に配置し、かつ電極間の接続抵抗を十分に低くするためには、隣接する導電層の結晶子サイズ（１）と結晶子サイズ（２）とを異ならせればよいことを見出した。さらに、本発明者らは、電極間に導電性粒子をかなり効率的に配置し、かつ電極間の接続抵抗をかなり低くするためには、隣接する導電層の結晶子サイズ（１）と結晶子サイズ（２）とが異なるだけでは不十分であり、結晶子サイズ（１）と結晶子サイズ（２）との差の絶対値を５ｎｍ以上にする必要があることを見出した。結晶子サイズ（１）と結晶子サイズ（２）との差の絶対値が５ｎｍ以上である場合に、結晶子サイズ（１）と結晶子サイズ（２）との差の絶対値が５ｎｍ未満である場合と比べて、電極間に配置される導電性粒子の数が多くなり、電極間の接続抵抗が低くなる。

近年、電子機器の小型化に伴って、電極が形成されている部分のライン（Ｌ）と、電極が形成されていない部分のスペース（Ｓ）との間隔が狭くなってきている。例えば、Ｌ／Ｓが３０μｍ以下／３０μｍ以下の微細な電極間を電気的に接続する必要が高まっている。Ｌ／Ｓが小さい電極間を電気的に接続する場合には、従来の導電性粒子を用いると、ライン（Ｌ）に配置される導電性粒子が少なくなりやすいので、接続抵抗が高くなりやすく、更にスペース（Ｓ）に導電性粒子が多く配置されやすいので、絶縁不良が特に生じやすいという問題がある。

これに対して、本発明に係る導電性粒子の使用により、ライン（Ｌ）に電極を効率的に配置することができ、接続抵抗を効果的に低くすることができ、更にスペース（Ｓ）に導電性粒子が配置され難くなり、絶縁不良が生じるのを効果的に抑制できる。

また、近年、電極が形成されている部分のライン（Ｌ）と、電極が形成されていない部分のスペース（Ｓ）との間隔が狭くなってきており、ライン（Ｌ）の数が増えてきている。このような電極の１つのライン（Ｌ）上に配置される導電性粒子の数が少なくなりやすく、結果として接続抵抗が高くなりやすい傾向がある。一方で、このような電極の１つのライン（Ｌ）上に配置される導電性粒子の数を多くすることを目的として、導電材料における導電性粒子の含有量を多くすることが考えられるが、導電材料における導電性粒子の含有量を多くすると絶縁不良が生じやすくなる。本発明では、導電材料における導電性粒子の含有量を多くしなくても、接続抵抗を充分に低くすることができる。

また、結晶子サイズが異なる２つの導電部を互いに接するように設けることで、外部応力が緩和され、導電部全体の厚みを薄くしても、導電部の割れを生じ難くすることができる。さらに、小さいＬ／Ｓに対応して、導電性粒子を小さくするために、導電部の厚みを薄くしても、良好な導通信頼性が発揮される。

上記導電性粒子は、上記第１の導電層の内側に他の導電層を有していてもよく、上記第２の導電層の外側に他の導電層を有していてもよい。接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電層数は好ましくは２層以上、より好ましくは４層以上であり、好ましくは１０層以下、より好ましくは８層以下である。

電極間に導電性粒子をより一層効率的に配置し、かつ電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、結晶子サイズ（１）と結晶子サイズ（２）との差の絶対値は好ましくは８ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上である。結晶子サイズ（１）と結晶子サイズ（２）との差の絶対値の上限は特に限定されない。結晶子サイズ（１）と結晶子サイズ（２）との差の絶対値は１００ｎｍ以下であってもよく、５０ｎｍ以下であってもよい。

内側に位置する上記第１の導電部における結晶子サイズ（１）は、外側に位置する上記第２の導電部における結晶子サイズ（２）よりも大きくてもよく、小さくてもよい。

上記導電部における結晶子サイズを微細にする方法としては、Ｎｉ導電部中のリン含有量の増加による微細化、Ｎｉ導電部中のボロン含有量の増加による微細化、めっき液中の有機系光沢剤の添加による微細化、並びに金属系光沢剤の添加による微細化等が挙げられる。特にニッケルめっき導電部中のリン及びボロン含有量の増加、有機系光沢剤の添加が、導電部における結晶子サイズの微細化に効果がある。

ニッケルめっき導電部中のリン及びボロン含有量を増加させる方法としては、めっき液のｐＨを低くしてニッケルめっき液の反応の速度を遅くする方法、ニッケルめっき液の温度を下げる方法、ニッケルめっき液中のリン系還元剤及びボロン系還元剤の濃度を高くする方法、並びにニッケルめっき液中の錯化剤濃度を高くする方法等が挙げられる。これらの方法は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記有機系光沢剤としては、サッカリン、ナフタレンジスルホン酸ナトリウム、ナフタレントリスルホン酸ナトリウム、アリルスルホン酸ナトリウム、プロパギルスルホン酸ナトリウム、ブチンジオール、プロパギルアルコール、クマリン、ホルマリン、エトキシ化ポリエチレンイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、ゼラチン、デキストリン、チオ尿素、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ポリアクリルアミド、ケイ皮酸、ニコチン酸及びベンザルアセトン等が挙げられる。上記有機系光沢剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

さらに、上記有機系光沢剤の好ましい例としては、エトキシ化ポリエチレンイミン、ポリアルキルイミン、ポリエチレンイミン、及びポリエチレングリコール等が挙げられる。

導電性粒子が複数である場合に、上記結晶子サイズは、例えば、以下のようにして測定することができる。

導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その導電性粒子検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。

ＦＥ−ＳＥＭ−ＥＢＳＰを用いて、導電性粒子の断面について、結晶粒マッピング測定を実施する。結晶子サイズの粒径分布チャートを確認することにより、結晶子サイズを判定する。得られた結晶子サイズ（１），（２）から、上記第１の導電部における結晶子サイズ（１）と、上記第２の導電部における結晶子サイズ（２）との差の絶対値を算出する。結晶子サイズ（１），（２）は、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求めてもよく、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とウィリアムソン−ホール式から求めてもよい。

電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分の全体での測定において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及び（２２２）面の結晶子サイズの平均値による結晶子サイズが１０ｎｍ以上であることが好ましい。この結晶子サイズは、（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及び（２２２）面の各結晶子サイズの５つの値を平均することにより求められる。

電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分の全体での測定において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とウィリアムソン−ホール式から求められる結晶子サイズが１０ｎｍ以上であることが好ましい。

電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分の全体での測定において、Ｘ線回折における（２２０）面の結晶子サイズをＤ（２２０）とし、（１１１）面の結晶子サイズをＤ（１１１）としたときに、これらの比（Ｄ（２２０）／Ｄ（１１１））が、０．０１以上であることが好ましい。

各方位の上記結晶子サイズの平均値は、以下のようにして測定することができる。

Ｘ線回折装置（理学電機社製「ＲＩＮＴ２５００ＶＨＦ」）を用いて粉末Ｘ線回折測定を行う。ＣｕＫα線によるＸ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及び（２２２）面の結晶子サイズの平均値により、結晶子サイズを判定する。

まず、基材粒子と、導電部とを備えており、上記導電部が、結晶構造を有する第１の導電部と、結晶構造を有する第２の導電部とを含み、上記第１の導電部が、上記基材粒子の表面上に配置されており、上記第２の導電部が、上記第１の導電部に接するように上記第１の導電部の外表面上に配置されている粒子の結晶子サイズ（Ａ）を測定する。

次に、基材粒子と、導電部とを備えており、上記導電部が、結晶構造を有する第１の導電部のみであり、上記第１の導電部が、上記基材粒子の表面上に配置されている粒子の結晶子サイズ（Ｂ）を測定する。

上記第１の導電部と上記第２の導電部を含む結晶子サイズ（Ａ）と上記第１の導電部のみの結晶子サイズ（Ｂ）との差の絶対値を算出する。

結晶子サイズは、下記のシェラーの式により算出する。

シェラーの式：Ｄ＝Ｋλ／βｃｏｓθ
Ｄ：結晶子サイズ
Ｋ：シェラー定数
λ：Ｘ線の波長
β：半値幅［ｒａｄ］
θ：回折角

また、上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分全体での上記結晶子サイズは、以下のようにして測定することができる。

Ｘ線回折装置（理学電機社製「ＲＩＮＴ２５００ＶＨＦ」）を用いて得られた導電性粒子の粉末Ｘ線回折測定を行う。ＣｕＫα線によるＸ線回折により得られる回折ピークの半値幅とウィリアムソン−ホール式から得られた導電性粒子の上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分全体での結晶子サイズを算出する。

上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分全体での結晶子サイズは、下記のウィリアムソン−ホール式により算出する。

ウィリアムソン−ホール式：Δ２θ・ｃｏｓθ／λ＝０．９／Ｄ＋２ε・ｓｉｎθ／λ
Ｄ：結晶子サイズ
λ：Ｘ線の波長
Δ２θ：半値幅［ｒａｄ］
θ：回折角度
ε：格子ひずみ

結晶子サイズは、下記のウィリアムソン−ホール式により横軸に２ｓｉｎθ／λ、縦軸にΔ２θ・ｃｏｓθ／λを取ってプロットを行い、プロットの直線の切片の値から上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分全体での結晶子サイズ（Ｄ）を算出する。

また、（１１１）面の結晶子サイズＤ（１１１）と（２２０）面の結晶子サイズＤ（２２０）との上記結晶子サイズ比は以下のようにして測定することができる。

Ｘ線回折装置（理学電機社製「ＲＩＮＴ２５００ＶＨＦ」）を用いて得られた導電性粒子の粉末Ｘ線回折測定を行う。ＣｕＫα線によるＸ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面及び（２２０）面の得られた導電性粒子の結晶子サイズを算出する。

まず、上記のＣｕＫα線によるＸ線回折により得られる（１１１）面の回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面の得られた導電性粒子の結晶子サイズＤ（１１１）を算出する。

次に、上記のＣｕＫα線によるＸ線回折により得られる（２２０）面の回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（２２０）面の得られた導電性粒子の結晶子サイズＤ（２２０）を算出する。

そして、得られた（１１１）面の結晶子サイズと（２２０）面の結晶子サイズの比Ｄ（２２０）／Ｄ（１１１）を算出する。

結晶子サイズは、下記のシェラーの式により算出する。

シェラーの式：Ｄ＝Ｋλ／βｃｏｓθ
Ｄ：結晶子サイズ
Ｋ：シェラー定数
λ：Ｘ線の波長
β：半値幅［ｒａｄ］
θ：回折角

接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に複数の突起を有することが好ましい。さらに、上記導電性粒子は、上記導電部内において、複数の上記突起を形成するように、上記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましい。

接続抵抗をより一層低くし、導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電性粒子の全表面積１００％中、上記突起がある部分の表面積は好ましくは１０％以上、より好ましくは２５％以上、更に好ましくは３０％以上であり、好ましくは９５％以下、より好ましくは９０％以下である。上記突起がある部分の表面積は、導電性粒子を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、突起がある部分の表面積の粒子の投影面積に対する百分率を算出することにより求められる。複数の導電性粒子の場合には、上記突起がある部分の表面積は、好ましくは、任意の導電性粒子１０個を電子顕微鏡又は電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）にて観察し、突起がある部分の表面積の粒子の投影面積に対する百分率の平均値を算出することにより求められる。

以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。なお、参照した図面では、大きさ及び厚みなどは、図示の便宜上、実際の大きさ及び厚みから適宜変更している。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。なお、各実施形態における異なる部分構成は、適宜置き換えて、組み合わせることが可能である。

図１に示すように、導電性粒子１は、基材粒子２と、結晶構造を有する第１の導電部３と、結晶構造を有する第２の導電部４とを備える。第１の導電部３と第２の導電部４とで層界面が形成されている。第１の導電部３における結晶子サイズ（１）と第２の導電部４における結晶子サイズ（２）との差の絶対値が上記の下限以上である。第１の導電部３と第２の導電部４とで、全体の導電部が構成されている。第２の導電部４は、導電部における最外層である。導電性粒子１では、多層の導電部が形成されている。

第１の導電部３は、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の導電部４との間に、第１の導電部３が配置されている。第２の導電部４は、第１の導電部３の外表面上に配置されている。第２の導電部４は、第１の導電部３と接している。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が第１の導電部３及び第２の導電部４により被覆された被覆粒子である。

図示しないが、第２の導電部４の外表面は防錆処理されている。従って、導電性粒子１は、第２の導電部４の外表面に、防錆膜を備える。

導電性粒子１は、芯物質を有さない。導電性粒子１は、導電性の表面に突起を有さない。導電性粒子１は球状である。第１の導電部３及び第２の導電部４は表面に突起を有さない。このように、本発明に係る導電性粒子は導電性の突起を有していなくてもよく、球状であってもよい。また、導電性粒子１は、絶縁物質を有さない。但し、導電性粒子１は、第２の導電部４の表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。

図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図２に示す導電性粒子２１は、基材粒子２と、結晶構造を有する第１の導電部２２と、結晶構造を有する第２の導電部２３と、芯物質２４と、絶縁物質２５とを備える。第１の導電部２２における結晶子サイズ（１）と第２の導電部２３における結晶子サイズ（２）との差の絶対値が上記の下限以上である。第１の導電部２２は、基材粒子２の表面上に配置されている。第２の導電部２３は、第１の導電部２２の外表面上に配置されている。第２の導電部２３は、第１の導電部２２と接している。

図示しないが、第２の導電部２３の外表面は防錆処理されている。従って、導電性粒子２１は、第２の導電部２３の外表面に、防錆膜を備える。

導電性粒子２１は、導電性の表面に突起２１ａを有する。突起２１ａは複数である。第１の導電部２２及び第２の導電部２３は外表面に、複数の突起２２ａ，２３ａを有する。複数の芯物質２４が、基材粒子２の表面上に配置されている。複数の芯物質２４は第１の導電部２２及び第２の導電部２３内に埋め込まれている。芯物質２４は、突起２１ａ，２２ａ，２３ａの内側に配置されている。第１の導電部２２及び第２の導電部２３は、複数の芯物質２４を被覆している。複数の芯物質２４により第１の導電部２２及び第２の導電部２３の外表面が隆起されており、突起２１ａ，２２ａ，２３ａが形成されている。

このように、導電性粒子は導電性の外表面に突起を有していてもよい。導電性粒子は、導電部の外表面に突起を有していてもよい。また、導電性粒子は、内側の導電部（第１の導電部など）の外表面に突起を有さず、かつ外側の導電部（第２の導電部など）の外表面に突起を有していてもよい。

導電性粒子２１は、第２の導電部２３の外表面上に配置された絶縁物質２５を有する。第２の導電部２３の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁物質２５により被覆されている。絶縁物質２５は絶縁性を有する材料により形成されており、絶縁性粒子である。このように、導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。

図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。
図３に示す導電性粒子２１Ａは、導電性粒子２１と芯物質２４の有無が異なり、結果として第１の導電部２２，２２Ａの形状が異なる。その他は、導電性粒子２１，２１Ａは同様に形成されている。

導電性粒子２１Ａは、芯物質を有さない。第１の導電部２２Ａ中に、芯物質が埋め込まれていない。導電性粒子２１Ａは、導電性の表面に突起２１Ａａを有する。第１の導電部２２Ａは、外表面に複数の突起２２Ａａを有する。導電性粒子２１Ａのように、突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。

図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図４に示すように、導電性粒子３１は、基材粒子２と、他の導電部３２と、結晶構造を有する第１の導電部３３と、結晶構造を有する第２の導電部３４とを備える。第１の導電部３３における結晶子サイズ（１）と第２の導電部３４における結晶子サイズ（２）との差の絶対値が上記の下限以上である。第１の導電部３３と第２の導電部３４とは導電部である。第２の導電部３４は、導電部における最外層である。

他の導電部３２は、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第１の導電部３３との間に、他の導電部３２が配置されている。第１の導電部３３は、他の導電部３２の外表面上に配置されている。他の導電部３２と第２の導電部３４との間に、第１の導電部３３が配置されている。第２の導電部３４は、第１の導電部３３の外表面上に配置されている。第２の導電部３４は、第１の導電部３３と接している。導電性粒子３１は、基材粒子２の表面が他の導電部３２、第１の導電部３３及び第２の導電部３４により被覆された被覆粒子である。

また、導電性粒子１では、第１の導電部３は、基材粒子２の表面上に直接積層されている。導電性粒子３１のように、基材粒子２と第１の導電部３３との間に他の導電部３２が配置されていてもよい。基材粒子２の表面上に、他の導電部３２を介して、第１の導電部３３が配置されていてもよい。

図５は、本発明の第５の実施形態に係る導電性粒子を示す断面図である。

図５に示すように、導電性粒子４１は、基材粒子２と、結晶構造を有する第１の導電部４２と、結晶構造を有する第２の導電部４３と、他の導電部４４とを備える。第１の導電部４２における結晶子サイズ（１）と第２の導電部４３における結晶子サイズ（２）との差の絶対値が上記の下限以上である。第１の導電部４２と第２の導電部４３とは導電部である。他の導電部４４は、導電部における最外層である。

第１の導電部４２は、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の導電部４３との間に、第１の導電部４２が配置されている。第２の導電部４３は、第１の導電部４２の外表面上に配置されている。第２の導電部４３は、第１の導電部４２と接している。第１の導電部４２と他の導電部４４との間に、第２の導電部４３が配置されている。他の導電部４４は、第２の導電部４３の外表面上に配置されている。導電性粒子４１は、基材粒子２の表面が第１の導電部４２、第２の導電部４３及び他の導電部４４により被覆された被覆粒子である。

導電性粒子１では、第２の導電部４は、導電部における最外層である。導電性粒子４１のように、第２の導電部４３の外表面上に他の導電部４４が配置されていてもよい。但し、本発明の効果が効果的に得られることから、第２の導電部は導電部において最も外側に位置していることが好ましく、導電部における最外層であることが好ましい。

導電性粒子４１は、他の導電部４４の表面上に配置された絶縁物質を有していてもよい。導電性粒子４１は、他の導電部４４の外表面が防錆処理されており、防錆膜を備えることが好ましい。

以下、基材粒子及び導電部の詳細を説明する。なお、以下の説明において、「（メタ）アクリル」は「アクリル」と「メタクリル」との一方又は双方を意味し、「（メタ）アクリレート」は「アクリレート」と「メタクリレート」との一方又は双方を意味する。

［基材粒子］
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアシェル粒子であってもよい。

上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られる。

上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。

上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。

上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。

上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。

上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。

上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。

上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属でないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。

上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。

上記有機コアを形成するための材料としては、上述した樹脂粒子を形成するための樹脂等が挙げられる。

上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物が挙げられる。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼成させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。

上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。

上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、更に好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の間隔が小さくなり、かつ導電部の厚みを厚くしても、小さい導電性粒子が得られる。

上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。

複数の基材粒子に関しては、上記基材粒子の粒子径は、例えば基材粒子を任意の粒径測定装置により測定した平均粒子径として求めることができる。例えば、レーザー光散乱、電気抵抗値変化、撮像後の画像解析などの原理を用いた粒度分布測定機が利用できる。複数の基材粒子の場合には、更に具体的には、複数の基材粒子の場合には、基材粒子の粒子径の測定方法としては、例えば、粒度分布測定装置（ベックマンコールター社製「Ｍｕｌｔｉｓｉｚｅｒ４」）を用いて、約１０００００個の粒子径を測定し、平均粒子径を測定する方法が挙げられる。上記平均粒子径は、数平均粒子径を示す。

［導電部］
上記導電性粒子は、上記導電部として、上記第１の導電部と上記第２の導電部とを有する。上記導電部、上記第１の導電部及び上記第２の導電部に含まれる金属としては、ニッケル、金、銀、銅、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、パラジウム、ロジウム、ルテニウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及び錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等が挙げられる。これらの金属は、導電部内で合金化していてもよい。これらの金属は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

結晶子サイズの調整が容易であり、電極間に導電性粒子を効率的に配置し、かつ電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記第１の導電部は、金、銅、ニッケル又はパラジウムを含むことが好ましく、ニッケルを含むことが好ましい。結晶子サイズの調整が容易であり、電極間に導電性粒子を効率的に配置し、かつ電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記第２の導電部は、金、銅、ニッケル又はパラジウムを含むことが好ましく、ニッケルを含むことが好ましい。

ニッケルを含む導電部には、金属として、ニッケルのみを用いた場合だけでなく、ニッケルと他の金属とを用いた場合も含まれる。上記ニッケルを含む導電部は、ニッケル合金部であってもよい。

上記ニッケルを含む導電部は、ニッケルを主金属として含むことが好ましい。上記ニッケルを含む導電部１００重量％中、ニッケルの含有量（平均含有量）は５０重量％以上であることが好ましい。上記ニッケルを含む導電部１００重量％中、ニッケルの含有量は好ましくは６５重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、更に好ましくは９０重量％以上である。ニッケルの含有量が上記下限以上であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。

ニッケルを含む導電部は、銅、タングステン又はモリブデンを含むことが好ましく、タングステン又はモリブデンを含むことがより好ましい。銅、タングステン又はモリブデンの使用により、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。上記ニッケルを含む導電部１００重量％中、銅の含有量、タングステンの含有量及びモリブデンの含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは５重量％以上、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１０重量％以下である。銅の含有量、タングステンの含有量及びモリブデンの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。

電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記ニッケルを含む導電部はリン又はボロンを含むことが好ましい。上記ニッケルを含む導電部はボロンを含んでいてもよい。上記ニッケルを含む導電部１００重量％中、リンの含有量及びボロンの含有量は好ましくは０重量％を超え、より好ましくは０．１重量％以上、更に好ましくは２重量％以上であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。リンの含有量及びボロンの含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、接続抵抗がより一層低くなる。

電極間の接続抵抗をより一層低くし、かつ高温高湿下での電極間の接続信頼性をより一層高めるために、上記ニッケルを含む導電部１００重量％中、リンの含有量は１５重量％未満であることがより好ましい。電極間の低い接続抵抗と、高温高湿下での電極間の高い接続信頼性との双方を効果的に発現させる観点からは、上記ニッケルを含む導電部はリンを含むことが好ましく、上記ニッケルを含む導電部１００重量％中、リンの含有量は０重量％を超え、より好ましくは０．１重量％以上、更に好ましくは２重量％以上である。リンの含有量が上記下限以上であると、接続抵抗がより一層低くなる。接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記ニッケルを含む導電部１００重量％中、リンの含有量は好ましくは１３重量％以下、より好ましくは１１重量％以下、更に好ましくは３重量％以下である。

上記第１の導電部の厚み及び上記第２の導電部の各厚みはそれぞれ、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは３０ｎｍ以上、更に好ましくは６０ｎｍ以上であり、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、更に好ましくは１５０ｎｍ以下、特に好ましくは１３０ｎｍ以下である。上記第１の導電部の厚み及び上記第２の導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極の表面の酸化被膜がより一層効果的に除去され、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。上記厚みは、導電性粒子における上記第１の導電部の平均厚み及び上記第２の導電部の平均厚みを示す。

複数の導電性粒子の場合には、導電部の厚みは、例えば以下のようにして求めることができる。導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その導電性粒子検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。

そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、例えば５０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の導電部を観察した。得られた導電性粒子における導電部の厚みを計測し、それを算術平均して導電部の厚みとする。

上記第１の導電部と上記第２の導電部との合計の厚みはそれぞれ、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは１２０ｎｍ以上、好ましくは６００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。上記第１の導電部と上記第２の導電部との合計の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極の表面の酸化被膜がより一層効果的に除去され、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。

また、本発明では、結晶子サイズが異なる２つの導電部を互いに接するように設けているので、導電部の厚みを薄くしても、良好な導通信頼性が発揮される。

また、本発明に係る導電性粒子は、上記第１，第２の導電部の基材粒子側又は外表面側に他の導電部を更に有していてもよい。上記他の導電部は、上記第１，第２の導電部に含まれる金属と、同種の金属を含んでいてもよく、異種の金属を含んでいてもよい。例えば、上記他の導電部に含まれる金属としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｆｅ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐａ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｃｏ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｗ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、及びこれらの１種以上を含む合金等が挙げられる。

上記導電性粒子の粒子径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは２０μｍ以下、より一層好ましくは１０．０μｍ以下、更に好ましくは５．０μｍ以下、特に好ましくは４．０μｍ以下である。上記導電性粒子の粒子径が上記下限以上及び上記上限以下であると、導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。上記導電性粒子の粒子径は、３．０μｍ以下であってもよい。

上記導電性粒子の粒子径は、導電性粒子が真球状である場合には、直径を示し、導電性粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。

複数の導電性粒子では、導電性粒子の粒子径は以下のようにして求めることができる。導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製する。その導電性粒子検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出す。

そして、電界放射型走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、例えば５０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の導電部及び基材粒子部を観察する。得られた導電性粒子の粒子径を計測し、それを算術平均して導電粒子の平均粒子径とする。上記平均粒子径は、数平均粒子径を示す。

無電解めっきによりニッケルを含む第１の導電部を形成する方法では、一般的に、触媒化工程と、無電解めっき工程とが行われる。以下、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、ニッケルとリンとタングステンを含む合金めっき層を形成する方法の一例を説明する。

上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。

上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、例えば、塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法、並びに硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法等が挙げられる。上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む導電層を形成できる。ボロンを含む導電層を形成する場合には、上記還元剤として、ボロン含有還元剤を用いてもよい。

上記無電解めっき工程では、ニッケル含有化合物、リン含有還元剤又はボロン含有還元剤、タングステン含有化合物、錯化剤、安定剤を含むニッケルめっき浴が好適に用いられる。

ニッケルめっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、ニッケルを析出させることができ、ニッケルとリンとタングステンとを含む導電層を形成できる。

上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル及び塩化ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、ニッケル塩であることが好ましい。

上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。上記リン含有還元剤に加えて、ボロン含有還元剤を用いてもよい。上記ボロン含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。

上記タングステン含有化合物としては、ホウ化タングステン及びタングステン酸ナトリウム等が挙げられる。

上記錯化剤の好ましい例としては、酢酸ナトリウム及びプロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤；マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤；コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤；乳酸、ＤＬ−リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム及びグルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤；グリシン及びＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤；エチレンジアミン等のアミン系錯化剤；マレイン酸等の有機酸系錯化剤等が挙げられる。上記錯化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記安定剤としては、鉛化合物、ビスマス化合物、及びタリウム化合物等が挙げられる。これらの安定剤の具体例としては、化合物を構成する金属（鉛、ビスマス、タリウム）の硫酸塩、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩及び塩酸塩等が挙げられる。環境への影響を考慮すると、ビスマス化合物又はタリウム化合物が好ましい。

上記導電性粒子は、導電性の表面に複数の突起を有することが好ましい。上記導電性粒子は、上記導電部の外表面に複数の突起を有することが好ましい。上記導電性粒子は、上記第１の導電部の外表面に複数の突起を有することが好ましい。上記導電性粒子は、上記第２の導電部の外表面に複数の突起を有することが好ましい。導電性粒子により接続される電極の表面には、酸化被膜が形成されていることが多い。導電性の突起を有する導電性粒子の使用により、電極間に導電性粒子を配置した後、圧着させることにより、突起により酸化被膜が効果的に排除される。このため、電極と導電性粒子とをより一層確実に接触させることができ、電極間の接続抵抗をより一層低くすることができる。さらに、導電性粒子が表面に絶縁物質を有する場合、又は導電性粒子が樹脂中に分散されて導電材料として用いられる場合に、導電性粒子の突起によって、導電性粒子と電極との間の絶縁物質又は樹脂を効果的に排除できる。このため、電極間の導通信頼性を高めることができる。

上記導電性粒子１個当たりの上記導電部の外表面の突起は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起の数の上限は特に限定されない。突起の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。

複数の上記突起の平均高さは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下である。上記突起の平均高さが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。

上記突起の高さは、導電性粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線（図２に示す破線Ｌ１）上における、突起が無いと想定した場合の導電部の仮想線（図２に示す破線Ｌ２）上（突起が無いと想定した場合の球状の導電性粒子の外表面上）から突起の先端までの距離を示す。すなわち、図２においては、破線Ｌ１と破線Ｌ２との交点から突起の先端までの距離を示す。

［芯物質］
上記導電性粒子は、上記導電部内において、複数の上記突起を形成するように、上記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましい。上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電部の外表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。例えば、無電解めっきにより芯物質を用いずに突起を形成する方法として、無電解めっきにより金属核を発生させ、基材粒子又は導電部の表面に金属核を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。

上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成する途中段階で芯物質を添加する方法等が挙げられる。例えば、芯物質を用いないで、上記突起を形成する方法としては、無電解めっき中の金属錯体を還元剤により金属核を析出させ、粒子に吸着させる事により突起を形成する方法、無電解めっき中の金属錯体を強アルカリ溶液により金属水酸化物を形成させ、粒子に吸着させる事により突起を形成する方法、無電解めっき中に触媒としてパラジウム錯体を添加する事により金属核を析出させ、粒子に吸着させる事により突起を形成する方法、無電解めっき中にめっき析出抑制剤を添加し、めっき析出成長速度をコントロールする事により突起を形成する方法等が挙げられる。なかでも、突起核のサイズを制御しやすいため、無電解めっき中の金属錯体を還元剤により金属核を析出させ、粒子に吸着させる事により突起を形成する方法が好ましい。

無電解めっき中の金属錯体を還元剤により金属核を析出させ、粒子に吸着させる工程は、還元剤溶液の添加と無電解めっき液の滴下を一連の工程として、通常複数回、好ましくは１回以上、より好ましくは３回以上、更に好ましくは５回以上行い、突起核を形成させる方法が好ましい。

上記還元剤としては、次亜リン酸ナトリウム、ヒドラジン、ホルマリン、蟻酸、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。

上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。

上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子の導電性の表面及び導電部の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。

上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。上記芯物質の材料である金属としては、上記導電材料の材料として挙げた金属を適宜使用可能である。

上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム（モース硬度４．５）、ニッケル（モース硬度５）、シリカ（二酸化珪素、モース硬度６〜７）、酸化チタン（モース硬度７）、ジルコニア（モース硬度８〜９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）等が挙げられる。上記無機粒子は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは５以上、より好ましくは６以上、更に好ましくは７以上、特に好ましくは７．５以上である。

上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。

上記芯物質の平均径（平均粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。

上記芯物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。

接続抵抗を効果的に低くする観点からは、複数の上記突起の平均高さが、５ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましい。複数の上記突起の平均高さは、導電性粒子１つあたりの各突起の高さの平均である。

接続抵抗を効果的に低くする観点からは、複数の上記突起の基部の平均径が、５ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下であることが好ましい。複数の上記突起の基部の平均径は、導電性粒子１つあたりの各突起の基部の径の平均である。１つの上記基部の径は、導電性粒子における導電部が隆起し始める部分の最大径を示す。

接続抵抗を効果的に低くする観点からは、複数の上記突起の平均高さの、複数の上記突起の基部の平均径に対する比が、０．１以上、１０以下であることが好ましい。

［絶縁物質］
上記導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。導電性粒子が導電部の外表面に複数の突起を有する場合には、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁物質を容易に排除できる。

電極間の圧着時に上記絶縁物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。

上記絶縁物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。

上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。

上記導電部の外表面上に絶縁物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁物質が脱離し難いことから、上記導電部の表面に、化学結合を介して上記絶縁物質を配置する方法が好ましい。

上記導電部の外表面、及び絶縁性粒子の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電部の外表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミンなどの高分子電解質を介して絶縁性粒子の表面の官能基と化学結合していても構わない。

上記絶縁物質の平均径（平均粒子径）は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁物質の平均径（平均粒子径）は好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下である。絶縁物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。

上記絶縁物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。絶縁物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。

［防錆処理］
導電性粒子の腐食を抑え、電極間の接続抵抗を低くするために、上記導電部の外表面は防錆処理されていることが好ましい。

導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面は、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物により、防錆処理されていることが好ましい。上記導電部の表面は、リンを含まない化合物により防錆処理されていてもよく、炭素数６〜２２のアルキル基を有しかつリンを含まない化合物により防錆処理されていてもよい。導通信頼性をより一層高める観点からは、上記導電部の外表面は、アルキルリン酸化合物又はアルキルチオールにより、防錆処理されていることが好ましい。防錆処理により、導電部の外表面に、防錆膜を形成できる。

上記防錆膜は、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物（以下、化合物Ａともいう）により形成されていることが好ましい。上記導電部の外表面は、上記化合物Ａにより表面処理されていることが好ましい。上記アルキル基の炭素数が６以上であると、導電部全体で錆がより一層生じ難くなり、特に導電部に錆がより一層生じ難くなる。上記アルキル基の炭素数が２２以下であると、導電性粒子の導電性が高くなる。導電性粒子の導電性をより一層高める観点からは、上記化合物Ａにおける上記アルキル基の炭素数は１６以下であることが好ましい。上記アルキル基は直鎖構造を有していてもよく、分岐構造を有していてもよい。上記アルキル基は、直鎖構造を有することが好ましい。

上記化合物Ａは、炭素数６〜２２のアルキル基を有していれば特に限定されない。上記化合物Ａは、炭素数６〜２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩、炭素数６〜２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩、炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルコキシシラン、炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルキルチオール、及び炭素数６〜２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。すなわち、上記炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物Ａは、リン酸エステル又はその塩、亜リン酸エステル又はその塩、アルコキシシラン、アルキルチオール及びジアルキルジスルフィドからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。これらの好ましい化合物Ａの使用により、導電部に錆をより一層生じ難くすることができる。錆をより一層生じ難くする観点からは、上記化合物Ａは、上記リン酸エステルもしくはその塩、亜リン酸エステルもしくはその塩、又は、アルキルチオールであることが好ましく、上記リン酸エステルもしくはその塩、又は、亜リン酸エステルもしくはその塩であることがより好ましい。上記化合物Ａは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記化合物Ａは、導電部の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましく、導電部の外表面と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記化合物Ａは、上記絶縁物質と反応可能な反応性官能基を有することが好ましい。上記防錆膜は、導電部と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記絶縁物質と化学結合していることが好ましい。上記防錆膜は、上記導電部及び上記絶縁物質の双方と化学結合していることがより好ましい。上記反応性官能基の存在により、及び上記化学結合により、上記防錆膜の剥離が生じ難くなり、この結果、導電部に錆がより一層生じ難くなり、かつ導電性粒子の表面から絶縁物質が意図せずにより一層脱離し難くなる。

上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するリン酸エステル又はその塩としては、例えば、リン酸ヘキシルエステル、リン酸ヘプチルエステル、リン酸モノオクチルエステル、リン酸モノノニルエステル、リン酸モノデシルエステル、リン酸モノウンデシルエステル、リン酸モノドデシルエステル、リン酸モノトリデシルエステル、リン酸モノテトラデシルエステル、リン酸モノペンタデシルエステル、リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及びリン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。

上記炭素数６〜２２のアルキル基を有する亜リン酸エステル又はその塩としては、例えば、亜リン酸ヘキシルエステル、亜リン酸ヘプチルエステル、亜リン酸モノオクチルエステル、亜リン酸モノノニルエステル、亜リン酸モノデシルエステル、亜リン酸モノウンデシルエステル、亜リン酸モノドデシルエステル、亜リン酸モノトリデシルエステル、亜リン酸モノテトラデシルエステル、亜リン酸モノペンタデシルエステル、亜リン酸モノヘキシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノヘプチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノオクチルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノノニルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノウンデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノドデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノトリデシルエステルモノナトリウム塩、亜リン酸モノテトラデシルエステルモノナトリウム塩及び亜リン酸モノペンタデシルエステルモノナトリウム塩等が挙げられる。上記亜リン酸エステルのカリウム塩を用いてもよい。

上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルコキシシランとしては、例えば、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、ヘプチルトリメトキシシラン、ヘプチルトリエトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、ノニルトリメトキシシラン、ノニルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、デシルトリエトキシシラン、ウンデシルトリメトキシシラン、ウンデシルトリエトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、ドデシルトリエトキシシラン、トリデシルトリメトキシシラン、トリデシルトリエトキシシラン、テトラデシルトリメトキシシラン、テトラデシルトリエトキシシラン、ペンタデシルトリメトキシシラン及びペンタデシルトリエトキシシラン等が挙げられる。

上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するアルキルチオールとしては、例えば、ヘキシルチオール、ヘプチルチオール、オクチルチオール、ノニルチオール、デシルチオール、ウンデシルチオール、ドデシルチオール、トリデシルチオール、テトラデシルチオール、ペンタデシルチオール及びヘキサデシルチオール等が挙げられる。上記アルキルチオールは、アルキル鎖の末端にチオール基を有することが好ましい。

上記炭素数６〜２２のアルキル基を有するジアルキルジスルフィドとしては、例えば、ジヘキシルジスルフィド、ジヘプチルジスルフィド、ジオクチルジスルフィド、ジノニルジスルフィド、ジデシルジスルフィド、ジウンデシルジスルフィド、ジドデシルジスルフィド、ジトリデシルジスルフィド、ジテトラデシルジスルフィド、ジペンタデシルジスルフィド及びジヘキサデシルジスルフィド等が挙げられる。

（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散されて用いられることが好ましく、バインダー樹脂中に分散されて導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極間の電気的な接続に用いられることが好ましい。上記導電材料は、回路接続材料であることが好ましい。

上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。

上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、光硬化型樹脂又は湿気硬化型樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。

上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。

上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。

上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは２０重量％以下、最も好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。

（接続構造体）
上記導電性粒子を用いて、又は上記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。

上記接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、第１，第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、上記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料であることが好ましい。上記接続部が、上述した導電性粒子により形成されているか、又は上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。導電性粒子が用いられた場合には、接続部自体が導電性粒子である。すなわち、第１，第２の接続対象部材が導電性粒子により接続される。

図５に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に断面図で示す。

図５に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料を硬化させることにより形成されている。なお、図５では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子２１，３１，４１等を用いてもよい。

第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。

上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０^４〜４．９×１０^６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０〜２２０℃程度である。

上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板などの電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。

上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。

以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。

（実施例１）
基材粒子Ａとして、粒子径が２．５μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０２５」）を用意した。

上記基材粒子Ａの表面上に、以下のようにして導電部を形成した。導電部における内側の第１の導電部と、導電部における外側の第２の導電部とで、結晶子サイズを異ならせた。

パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。

次に、アルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）１重量部を３分間かけて上記分散液に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む懸濁液（１）を得た。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ４．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．３０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。

得られた懸濁液（１）を６０℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量１５重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み４９ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

続けて上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量０．６重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の導電部の外表面に第２の導電部（厚み５２ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０１ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％である導電性粒子を得た。

（実施例２）
アルミナ粒子スラリーをニッケルスラリー（１５０ｎｍ）に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例３）
硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ６．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．３０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。

実施例１で得られた懸濁液（１）を６５℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量９重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み４８ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

続けて上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量０．６重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の導電部の外表面に第２の導電部（厚み５２ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１００ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％である導電性粒子を得た。

（実施例４）
硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ４．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン２．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を用意した。

実施例１で得られた懸濁液（１）を６０℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量１５重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み４９ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

続けて上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量１．２重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の導電部の外表面に第２の導電部（厚み５０ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み９９ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％である導電性粒子を得た。

（実施例５）
硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ６．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン２．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を用意した。

実施例１で得られた懸濁液（１）を６５℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量９重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み４８ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

続けて上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量１．２重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の導電部の外表面に第２の導電部（厚み５０ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み９８ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％である導電性粒子を得た。

（実施例６）
硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．３０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ４．０）を用意した。

実施例１で得られた懸濁液（１）を攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液（ｐＨ１０）を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−ボロンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量０．６重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み５２ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

続けて得られた懸濁液（３）を攪拌しながら、上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ４．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量１５重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の導電部の外表面に第２の導電部（厚み４９ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０１ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％である導電性粒子を得た。

（実施例７）
硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、硫酸ヒドラジニウム２．００ｍｏｌ／Ｌ及びグリシン０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。

実施例１で得られた懸濁液（１）を５０℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−ボロンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量２．０重量％）を形成した。上記の懸濁液のｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み５２ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

得られた懸濁液（３）を８０℃にて攪拌しながら、上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を徐々に滴下し、無電解純ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル導電層（ボロン含有量０％、リン含有量０％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解純ニッケルめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の導電部の外表面に第２の導電部（厚み４９ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０１ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％である導電性粒子を得た。

（実施例８）
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。

次に、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍの濃度になる様に上記分散液に添加し、基材粒子Ａを含む懸濁液（１）を得た。

硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を用意した。

また別に、ジメチルアミンボラン２．５ｍｏｌ／Ｌ、水酸化ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌ、を含む突起形成めっき液（ｐＨ１２．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、硫酸ヒドラジニウム２．００ｍｏｌ／Ｌ及びグリシン０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。

得られた懸濁液（１）を５０℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−ボロンめっきを行った。その後、更に導電層に突起形成する為に、突起形成用めっき液を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液の滴下速度は、１ｍｌ／ｍｉｎ．で滴下を実施した。突起形成用めっき液の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながら基材粒子に付着させ、ニッケルめっきを施すことにより突起の高さを大きくした。

第１の導電部として芯物質を含まない突起を有するニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量２．０重量％）を形成した。その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み５２ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

得られた懸濁液（３）を８０℃にて攪拌しながら、上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を徐々に滴下し、無電解純ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル導電層（ボロン含有量０％、リン含有量０％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解純ニッケルめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の導電部の外表面に第２の導電部（厚み４９ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０１ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が９０％である導電性粒子を得た。

（実施例９）
硫酸ニッケル０．０９ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ６．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．０９ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン２．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．０９ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第３のニッケルめっき液（ｐＨ６．０）を用意した。

実施例１で得られた懸濁液（１）を６５℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量９重量％）を形成した。上記の懸濁液をｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み３３ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

続けて上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量１．２重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（厚み３５ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（５）を得た。

得られた懸濁液（５）を６５℃にて攪拌しながら、上記第３のニッケルめっき液を懸濁液（５）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第３の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量９重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（６）を得た。

その後、懸濁液（６）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第２の導電部の外表面に第３の導電部（厚み３３ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０１ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％である導電性粒子を得た。

なお、実施例９では、第２の導電部を第１の導電部、第３の導電部を第２の導電部とみることができる。

（実施例１０）
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。

次に、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍの濃度になる様に上記分散液に添加し、基材粒子Ａを含む懸濁液（１）を得た。

硫酸ニッケル０．０９ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．３０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。

また別に、ジメチルアミンボラン２．５ｍｏｌ／Ｌ、水酸化ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌ、を含む突起形成めっき液（ｐＨ１２．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．０９ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、硫酸ヒドラジニウム２．００ｍｏｌ／Ｌ及びグリシン０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第３のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。

得られた懸濁液（１）を６０℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−ボロンめっきを行った。その後、更に導電層に突起形成する為に、突起形成用めっき液を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液の滴下速度は、１ｍｌ／ｍｉｎ．で滴下を実施した。突起形成用めっき液の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながら基材粒子に付着させ、ニッケルめっきを施すことにより突起の高さを大きくした。

第１の導電部として芯物質を含まない突起を有するニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量０．６重量％）を形成した。その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み３３ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

得られた懸濁液（３）を５０℃にて攪拌しながら、続けて上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量２．０重量％）を形成した。上記の懸濁液をｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（厚み３５ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（５）を得た。

得られた懸濁液（５）を８０℃にて攪拌しながら、上記第３のニッケルめっき液を懸濁液（５）に徐々に滴下し、無電解純ニッケルめっきを行い、第３の導電部としてニッケル導電層（ボロン含有量０％、リン含有量０％）を形成した。上記の懸濁液をｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解純ニッケルめっき後の懸濁液（６）を得た。

その後、懸濁液（６）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第２の導電部の外表面に第３の導電部（厚み３３ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０１ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が９０％である導電性粒子を得た。

なお、実施例１０では、第２の導電部を第１の導電部、第３の導電部を第２の導電部とみることができる。

（実施例１１）
硫酸ニッケル０．０７ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ６．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．０７ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン２．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．０７ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第３のニッケルめっき液（ｐＨ６．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．０７ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン２．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第４のニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を用意した。

実施例１で得られた懸濁液（１）を６５℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量９重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み２５ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

続けて上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量１．２重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（厚み２４ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（５）を得た。

得られた懸濁液（５）を６５℃にて攪拌しながら、上記第３のニッケルめっき液を懸濁液（５）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第３の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量９重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（６）を得た。

その後、懸濁液（６）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記第２の導電部の表面上に第３の導電部（厚み２５ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（７）を得た。

続けて上記第４のニッケルめっき液（ｐＨ８．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量１．２重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（８）を得た。

その後、懸濁液（８）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第３の導電部の外表面に第４の導電部（厚み２４ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み９８ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％である導電性粒子を得た。

なお、実施例１１では、第２の導電部を第１の導電部、第３の導電部を第２の導電部とみることができ、更に、第３の導電部を第１の導電部、第４の導電部を第２の導電部とみることもできる。

（実施例１２）
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。

次に、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍの濃度になる様に上記分散液に添加し、基材粒子Ａを含む懸濁液（１）を得た。

硫酸ニッケル０．０７ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を用意した。

また別に、ジメチルアミンボラン２．５ｍｏｌ／Ｌ、水酸化ナトリウム０．０５ｍｏｌ／Ｌ、を含む突起形成めっき液（ｐＨ１２．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．０７ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．３０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。

硫酸ニッケル０．０７ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン０．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．０７ｍｏｌ／Ｌ、硫酸ヒドラジニウム２．００ｍｏｌ／Ｌ及びグリシン０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第４のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を用意した。

得られた懸濁液（１）を５０℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−ボロンめっきを行った。その後、更に導電層に突起形成する為に、突起形成用めっき液を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液の滴下速度は、１ｍｌ／ｍｉｎ．で滴下を実施した。突起形成用めっき液の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながら基材粒子に付着させ、ニッケルめっきを施すことにより突起の高さを大きくした。

第１の導電部として芯物質を含まない突起を有するニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量２．０重量％）を形成した。その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み２５ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

得られた懸濁液（３）を６０℃にて攪拌しながら、上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量０．６重量％）を形成した。上記の懸濁液をｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記第１の導電部の表面上に第２の導電部（厚み２４ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（５）を得た。

得られた懸濁液（５）を６０℃にて攪拌しながら、上記第３のニッケルめっき液を懸濁液（５）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−ボロンめっきを行い、第３の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量０．６重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（６）を得た。

その後、懸濁液（６）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記第２の導電部の表面上に第３の導電部（厚み２５ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（７）を得た。

得られた懸濁液（７）を８０℃にて攪拌しながら、上記第４のニッケルめっき液（ｐＨ１０．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部として純ニッケル導電層（ボロン含有量０％、リン含有量０％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解純ニッケルめっき後の懸濁液（８）を得た。

その後、懸濁液（８）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第３の導電部の外表面に第４の導電部（厚み２４ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み９８ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が９０％である導電性粒子を得た。

なお、実施例１２では、第２の導電部を第１の導電部、第３の導電部を第２の導電部とみることができ、更に、第３の導電部を第１の導電部、第４の導電部を第２の導電部とみることもできる。

（実施例１３）
上記基材粒子Ａを、基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が１．５μｍである基材粒子Ｂに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１４）
上記基材粒子Ａを、基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が３．５μｍである基材粒子Ｃに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１５）
上記基材粒子Ａを、基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が５μｍである基材粒子Ｄに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１６）
アルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）の添加量を１重量部から０．２５重量部に変更し、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積を２５％に変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１７）
粒子径が２．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０２」）の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル（厚み２５０ｎｍ）により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子Ｅ）を得た。上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｅに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１８）
攪拌機及び温度計が取り付けられた５００ｍＬの反応容器内に、０．１３重量％のアンモニア水溶液３００ｇを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン４．１ｇと、ビニルトリメトキシシラン１９．２ｇと、シリコーンアルコキシオリゴマー（信越化学工業社製「Ｘ−４１−１０５３」）０．７ｇとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、２５重量％アンモニア水溶液２．４ｍＬを添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧１０^−１７ａｔｍ、３５０℃で２時間焼成して、粒子径が２．５μｍの有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子Ｆ）を得た。上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｆに変更したこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。

（実施例１９）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に秤取した後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。

絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。

実施例１で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。

走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。

（比較例１）
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、分散液を得た。

次に、硝酸タリウム１０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス５ｐｐｍの濃度になる様に上記分散液に添加し、基材粒子Ａを含む懸濁液（１）を得た。

硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ６．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン４．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を用意した。

得られた懸濁液（１）を６５℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量９重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み４８ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

続けて上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量２．２重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の導電部の外表面に第２の導電部（厚み５３ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０１ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が０％である導電性粒子を得た。

（比較例２）
硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ４．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン４．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を用意した。

実施例１で得られた懸濁液（１）を６０℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量１５重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み４９ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

続けて上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量２．２重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の導電部の外表面に第２の導電部（厚み５３ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０２ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％である導電性粒子を得た。

（比較例３）
硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．５０ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第１のニッケルめっき液（ｐＨ６．０）を用意した。

また、硫酸ニッケル０．１２ｍｏｌ／Ｌ、ジメチルアミンボラン４．００ｍｏｌ／Ｌ及びクエン酸ナトリウム０．２５ｍｏｌ／Ｌを含む第２のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を用意した。

実施例１で得られた懸濁液（１）を６５℃にて攪拌しながら、上記第１のニッケルめっき液を懸濁液（１）に徐々に滴下し、無電解ニッケル−リンめっきを行い、第１の導電部としてニッケル−リン導電層（リン含有量９重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−リンめっき後の懸濁液（２）を得た。

その後、懸濁液（２）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗することにより、上記基材粒子Ａの表面上に第１の導電部（厚み４８ｎｍ）が形成された粒子を得た。この粒子を十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（３）を得た。

続けて上記第２のニッケルめっき液（ｐＨ７．０）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行い、外側の第２の導電部としてニッケル−ボロン導電層（ボロン含有量２．２重量％）を形成した。上記の懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、その後ｐＨが安定するまで攪拌し、水素の発泡が停止するのを確認し、無電解ニッケル−ボロンめっき後の懸濁液（４）を得た。

その後、懸濁液（４）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、第１の導電部の外表面に第２の導電部（厚み５３ｎｍ）が配置された粒子を得た。

このようにして、基材粒子Ａの表面上に導電部（厚み１０１ｎｍ）が形成されており、導電部の外表面の全表面積１００％中、突起がある部分の表面積が７４％である導電性粒子を得た。

（評価）
（１）粒子断面での結晶子サイズ
得られた導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その導電性粒子検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。

ＦＥ−ＳＥＭ−ＥＢＳＰ（ＴＳＬ社製）を用いて、導電性粒子の断面について、結晶粒マッピング測定を実施した。結晶子サイズの粒径分布チャートを確認することにより、結晶子サイズを判定した。なお、上記第１の導電部における結晶子サイズ（１）と上記第２の導電部における結晶子サイズ（２）との差の絶対値、上記第２の導電部における結晶子サイズ（２）と上記第３の導電部における結晶子サイズ（３）との差の絶対値、及び上記第３の導電部における結晶子サイズ（３）と上記第４の導電部における結晶子サイズ（４）との差の絶対値を算出した。なお、結晶子サイズ（１），（２），（３）及び（４）は、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とウィリアムソン−ホール式から求めても同様の値が得られる。

（２）各方位の結晶子サイズの平均値
Ｘ線回折装置（理学電機社製「ＲＩＮＴ２５００ＶＨＦ」）を用いて粉末Ｘ線回折測定を行った。ＣｕＫα線によるＸ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及び（２２２）面の結晶子サイズの平均値により、結晶子サイズを算出した。

ＸＲＤ測定条件は４５ｋＶ、５０ｍＡでスキャンレート４．０ｄｅｇ／ｍｉｎ．、スキャンステップ０．０２ｄｅｇ、測定範囲を２θで５．０ｄｅｇから１１０．０ｄｅｇで、測定を行った。

まず、上記の最外層の導電部を含む粒子の結晶子サイズ（Ａ）を測定した。

次に、上記の最外層の導電部形成前の粒子の結晶子サイズ（Ｂ）を測定した。

上記の最外層の導電部を含む粒子の結晶子サイズ（Ａ）と上記の最外層の導電部形成前の粒子の結晶子サイズ（Ｂ）との差の絶対値を算出した。

結晶子サイズは、下記のシェラーの式により算出した。

Ｄ＝Ｋλ／βｃｏｓθ
Ｄ：結晶子サイズ
Ｋ：シェラー定数
λ：Ｘ線の波長
β：半値幅［ｒａｄ］
θ：回折角

（３）上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分全体（導電部全体）での結晶子サイズ
Ｘ線回折装置（理学電機社製「ＲＩＮＴ２５００ＶＨＦ」）を用いて得られた導電性粒子の粉末Ｘ線回折測定を行った。ＣｕＫα線によるＸ線回折により得られる回折ピークの半値幅とウィリアムソン−ホール式から得られた導電性粒子の上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分全体での結晶子サイズを算出した。実施例１〜８及び実施例１３〜１９及び比較例１〜３では、上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分全体は、第１，第２の導電部全体である。実施例９，１０では、上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分全体は、第１，第２，第３の導電部全体である。実施例１１，１２では、上記導電部中の結晶構造を有する導電部部分全体は、第１，第２，第３，第４の導電部全体である。

ＸＲＤ測定条件は４５ｋＶ、５０ｍＡでスキャンレート４．０ｄｅｇ／ｍｉｎ．、スキャンステップ０．０２ｄｅｇ、測定範囲を２θで５．０ｄｅｇから１１０．０ｄｅｇで、測定を行った。

結晶子サイズは、下記のウィリアムソン−ホール式により算出した。

Δ２θ・ｃｏｓθ／λ＝０．９／Ｄ＋２ε・ｓｉｎθ／λ
Ｄ：結晶子サイズ
λ：Ｘ線の波長
Δ２θ：半値幅［ｒａｄ］
θ：回折角度
ε：格子ひずみ

結晶子サイズは、上記のウィリアムソン−ホール式の横軸に２ｓｉｎθ／λ、縦軸にΔ２θ・ｃｏｓθ／λを取ってプロットを行い、プロットの直線の切片の値から結晶子サイズ（Ｄ）を算出した。

（４）（１１１）面の結晶子サイズＤ（１１１）と（２２０）面の結晶子サイズＤ（２２０）の結晶子サイズ比
Ｘ線回折装置（理学電機社製「ＲＩＮＴ２５００ＶＨＦ」）を用いて得られた導電性粒子の粉末Ｘ線回折測定を行った。ＣｕＫα線によるＸ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面及び（２２０）面の得られた導電性粒子の結晶子サイズを算出した。

ＸＲＤ測定条件は４５ｋＶ、５０ｍＡでスキャンレート４．０ｄｅｇ／ｍｉｎ．、スキャンステップ０．０２ｄｅｇ、測定範囲を２θで５．０ｄｅｇから１１０．０ｄｅｇで、測定を行った。

まず、上記のＣｕＫα線によるＸ線回折により得られる（１１１）面の回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面の得られた導電性粒子の結晶子サイズＤ（１１１）を算出した。

次に、上記のＣｕＫα線によるＸ線回折により得られる（２２０）面の回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（２２０）面の得られた導電性粒子の結晶子サイズＤ（２２０）を算出した。

そして、得られた（１１１）面の結晶子サイズと（２２０）面の結晶子サイズの比Ｄ（２２０）／Ｄ（１１１）を算出した。

結晶子サイズは、下記のシェラーの式により算出した。

Ｄ＝Ｋλ／βｃｏｓθ
Ｄ：結晶子サイズ
Ｋ：シェラー定数
λ：Ｘ線の波長
β：半値幅［ｒａｄ］
θ：回折角

（５）第１，第２，第３，第４の導電部１００重量％中のニッケル、リン及びボロンの含有量
得られた導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その導電性粒子検査用埋め込み樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。

第１，第２，第３，第４導電部におけるニッケル、ボロン及びリンの各含有量を、導電性粒子の断面について、ＦＥ−ＴＥＭ／ＥＤＸ分析（ＪＥＯＬ社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）にて測定した。第１，第２，第３，第４の導電部のそれぞれにおける平均含有量を求めた。

（６）導電部の割れ
得られた導電性粒子１ｇと、トルエン６０ｇと、直径０．５ｍｍのジルコニアボールとを混合し、直径３ｃｍの攪拌羽根で４００ｒｐｍの条件で２分間攪拌した。固液分離した粒子を乾燥した後、ＳＥＭ観察を行った。導電性粒子１０００個中、導電部に割れが生じた導電性粒子の個数をカウントして、導電部の割れを下記の基準で判定した。

［導電部の割れの判定基準］
○○：導電部に割れが生じた導電性粒子の個数の割合が３％未満
○：導電部に割れが生じた導電性粒子の個数の割合が３％以上、１０％未満
△：導電部に割れが生じた導電性粒子の個数の割合が１０％以上、２０％未満
×：導電部に割れが生じた導電性粒子の個数の割合が２０％以上

（７）電極上の導電性粒子の配置精度（捕捉率）
得られた導電性粒子を含有量が１０重量％となるように、三井化学社製「ストラクトボンドＸＮ−５Ａ」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。

Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍであるＩＴＯ電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍである銅電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。

上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、３ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で硬化させて、接続構造体を得た。

得られた接続構造体において、導電材料により形成された接続部に含まれる導電性粒子の全個数１００重量％中、電極上に配置されている導電性粒子の個数の割合（％）を評価した。電極上の導電性粒子の配置精度を下記の基準で判定した。

［電極上の導電性粒子の配置精度の判定基準］
○○：電極上に配置されている導電性粒子の個数の割合が８０％以上
○：電極上に配置されている導電性粒子の個数の割合が７０％以上、８０％未満
△：電極上に配置されている導電性粒子の個数の割合が６０％以上、７０％未満
×：電極上に配置されている導電性粒子の個数の割合が６０％未満

（８）導通信頼性
上記（７）の評価で得られた接続構造体１５個の上下の電極間の接続抵抗を、４端子法により測定した。２つの接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。接続抵抗を下記の基準で判定した。

［接続抵抗（導通信頼性）の判定基準］
○○：接続抵抗の平均値が８．０Ω以下
○：接続抵抗の平均値が８．０Ωを超え、１０．０Ω以下
△：接続抵抗の平均値が１０．０Ωを超え、１５．０Ω以下
×：接続抵抗の平均値が１５．０Ωを超える

（９）絶縁信頼性
上記（７）の評価で得られた接続構造体１５個を、８５℃及び湿度８５％にて５００時間放置した。放置後の接続構造体において、隣接する電極間に、５Ｖを印加し、抵抗値を２５箇所で測定して、絶縁抵抗の平均値を算出した。絶縁信頼性を下記の基準で判定した。

［絶縁信頼性の判定基準］
○○：絶縁抵抗が１０００ＭΩ以上
○：絶縁抵抗が１００ＭΩ以上、１０００ＭΩ未満
△：絶縁抵抗が１０ＭΩ以上、１００ＭΩ未満
×：絶縁抵抗が１０ＭΩ未満

結果を下記の表１に示す。

なお、防錆処理していない導電性粒子の具体的な実施例を示したが、防錆処理を行った場合には、導通信頼性がより一層高くなることを確認した。防錆処理には、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物が好適に用いられ、またリンを含まない化合物が好適に用いられる。

１，２１，２１Ａ，３１，４１…導電性粒子
２…基材粒子
３，２２，２２Ａ，３３，４２…第１の導電部
４，２３，３４，４３…第２の導電部
２１ａ，２１Ａａ，２２ａ，２２Ａａ，２３ａ…突起
２４…芯物質
２５…絶縁物質
３２，４４…他の導電部
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部

Claims (23)

1. 基材粒子と、導電部とを備え、
   前記導電部が、結晶構造を有する第１の導電部と、結晶構造を有する第２の導電部とを含み、
   前記第１の導電部が、前記基材粒子の表面上に配置されており、
   前記第２の導電部が、前記第１の導電部に接するように前記第１の導電部の外表面上に配置されており、
   前記第１の導電部における結晶子サイズと、前記第２の導電部における結晶子サイズとの差の絶対値が５ｎｍ以上である、導電性粒子。
2. 前記第１の導電部における結晶子サイズが、前記第２の導電部における結晶子サイズよりも小さい、請求項１に記載の導電性粒子。
3. 前記第１の導電部における結晶子サイズが、前記第２の導電部における結晶子サイズよりも大きい、請求項１に記載の導電性粒子。
4. 前記第１の導電部が、ニッケルを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
5. 前記第２の導電部が、ニッケルを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性粒子。
6. 前記導電部が外表面に複数の突起を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性粒子。
7. 前記導電部の外表面の全表面積１００％中、前記突起がある部分の表面積が１０％以上である、請求項６に記載の導電性粒子。
8. 複数の前記突起の平均高さが、５ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である、請求項６又は７に記載の導電性粒子。
9. 複数の前記突起の基部の平均径が、５ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である、請求項６〜８のいずれか１項に記載の導電性粒子。
10. 複数の前記突起の平均高さの、複数の前記突起の基部の平均径に対する比が、０．１以上、１０以下である、請求項６〜９のいずれか１項に記載の導電性粒子。
11. 前記導電部内において、複数の前記突起を形成するように、前記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備える、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の導電性粒子。
12. 前記芯物質の材料のモース硬度が５以上である、請求項１１に記載の導電性粒子。
13. 前記導電部中の結晶構造を有する導電部部分の全体での測定において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から求められる（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面及び（２２２）面の結晶子サイズの平均値による結晶子サイズが１０ｎｍ以上である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の導電性粒子。
14. 前記導電部中の結晶構造を有する導電部部分の全体での測定において、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とウィリアムソン−ホール式から求められる結晶子サイズが１０ｎｍ以上である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
15. 前記導電部中の結晶構造を有する導電部部分の全体での測定において、Ｘ線回折における（２２０）面の結晶子サイズをＤ（２２０）とし、（１１１）面の結晶子サイズをＤ（１１１）としたときに、これらの比（Ｄ（２２０）／Ｄ（１１１））が、０．０１以上である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の導電性粒子。
16. 前記導電性粒子の粒子径が１．０μｍ以上、１０．０μｍ以下である、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の導電性粒子。
17. 前記基材粒子が、樹脂粒子であるか、又は有機無機ハイブリッド粒子である、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
18. 前記導電部の外表面が防錆処理されている、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
19. 前記導電部の外表面が、炭素数６〜２２のアルキル基を有する化合物により防錆処理されている、請求項１８に記載の導電性粒子。
20. 前記導電部の外表面が、リンを含まない化合物により防錆処理されている、請求項１８又は１９に記載の導電性粒子。
21. 前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備える、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の導電性粒子。
22. 請求項１〜２１のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
23. 第１の接続対象部材と、
    第２の接続対象部材と、
    前記第１の接続対象部材と、前記第２の接続対象部材とを備え、
    前記接続部の材料が、請求項１〜２１のいずれか１項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体。

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