JP2016039158A - Wiring board manufacturing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board manufacturing method which can inhibit generation of a resin residue on a connection terminal.SOLUTION: A wiring board manufacturing method according to the present embodiment comprises: a process of forming a first via hole in a first insulation layer and a second via hole in a second insulation layer; a process of forming a first via conductor in the first via hole and a second via conductor in the second via hole and forming a first connection terminal on the first via conductor and the first insulation layer and a second connection terminal on the second via conductor and the second insulation layer; and a process of forming a conductive salient having an outer diameter larger than an outer diameter of the second via conductor.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、配線基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board.

半導体チップを実装するための配線基板の表面側には、半導体チップとの接続用の端子(以下、接続端子と称する)が形成されている。近年では、この接続端子の高密度化が進んでおり、配置される接続端子の間隔(ピッチ)が狭くなっている。このため、複数の接続端子をソルダーレジスト層の同一開口部内に配置したNSMD(ノン・ソルダー・マスク・ディファインド)形状を採用した配線基板が提案されている。   Terminals for connection to the semiconductor chip (hereinafter referred to as connection terminals) are formed on the surface side of the wiring board for mounting the semiconductor chip. In recent years, the density of the connection terminals has been increased, and the interval (pitch) between the connection terminals to be arranged has been reduced. For this reason, a wiring board adopting an NSMD (non-solder mask-defined) shape in which a plurality of connection terminals are arranged in the same opening of the solder resist layer has been proposed.

ところが、複数の接続端子を狭ピッチで同一開口部内に配置した場合、接続端子表面にコートされた半田が隣接する接続端子側に流出し、接続端子間が短絡(ショート)する虞がある。そこで、接続端子間に充填部材を充填することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。該提案によれば、接続端子間が充填部材で充填されているので、半導体チップと接続した際に、半導体チップと配線基板との隙間に充填されることとなるアンダーフィルやNCP(Non-Conductive Paste)、NCF(Non-Conductive Film)の接続端子間におけるボイドの発生を防止することができる。このため、リフロー時に、このボイドに半田が流出して接続端子間が短絡することを防止できるとしている。   However, when a plurality of connection terminals are arranged in the same opening at a narrow pitch, there is a possibility that the solder coated on the surface of the connection terminal flows out to the adjacent connection terminal side and the connection terminals are short-circuited. Thus, it has been proposed to fill a filling member between connection terminals (see, for example, Patent Document 1). According to the proposal, since the space between the connection terminals is filled with the filling member, underfill or NCP (Non-Conductive) which is filled in the gap between the semiconductor chip and the wiring board when connected to the semiconductor chip. Paste) and voids between connection terminals of NCF (Non-Conductive Film) can be prevented. For this reason, at the time of reflow, it can be prevented that the solder flows out to the void and the connection terminals are short-circuited.

特許第5415632号公報Japanese Patent No. 5415632

しかしながら、上記提案では、接続端子上にレジスト層を積層した後、該レジスト層を貫通しないように現像することで複数の接続端子を露出させる開口部と、該複数の接続端子間を充填する充填部材とを形成している。   However, in the above proposal, after laminating a resist layer on the connection terminal, development is performed so as not to penetrate the resist layer, and an opening for exposing the plurality of connection terminals and filling between the plurality of connection terminals are filled. Forming a member.

通常、配線基板では、表面側だけでなく裏面側にもマザーボード等との接続用に接続端子が形成されている。そして、表面側と同様に、裏面側にもレジスト層(樹脂層)が形成され、レジスト層には各接続端子を露出させるための開口部が、該レジスト層を貫通するようにして形成される。そして、表面側の開口部と裏面側の開口部とは、同一の現像工程で形成される。   Usually, in the wiring board, connection terminals are formed not only on the front surface side but also on the back surface side for connection with a mother board or the like. Similarly to the front surface side, a resist layer (resin layer) is also formed on the back surface side, and an opening for exposing each connection terminal is formed in the resist layer so as to penetrate the resist layer. . The front-side opening and the back-side opening are formed in the same development process.

通常、開口部を形成するための現像時間は、形成すべき表面側の開口部の深さに合わせて決定される。このため、形成すべき表面側の開口部の深さに合わせて決定された現像時間で現像を行うことにより、表面側のレジスト層を貫通しない開口部と裏面側のレジスト層を貫通する開口部とが形成される。しかしながら、裏面側の接続端子表面に窪みがあると、該窪みに埋まったレジスト材が現像により除去されず、窪みにレジスト材等の樹脂が残存することがある。樹脂残りが発生すると、マザーボード等との接続において接触不良を生じたり、接続端子に半田をコートする際に十分な半田をコートできなかったりする虞がある。   Usually, the development time for forming the opening is determined in accordance with the depth of the opening on the surface side to be formed. For this reason, by performing development with a development time determined in accordance with the depth of the opening on the front surface side to be formed, an opening that does not penetrate the resist layer on the front surface side and an opening that penetrates the resist layer on the back surface side And are formed. However, if there is a depression on the surface of the connection terminal on the back side, the resist material buried in the depression may not be removed by development, and a resin such as a resist material may remain in the depression. If the resin residue is generated, there is a possibility that a contact failure may occur in connection with the mother board or the like, or sufficient solder may not be coated when solder is applied to the connection terminals.

本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、接続端子上に樹脂残りが生じるのを抑制できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in response to the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wiring board capable of suppressing the occurrence of a resin residue on a connection terminal.

上記目的を達成すべく、本発明は、少なくとも1層の導体層と複数の絶縁層とが交互に積層された積層体を有し、積層体の第1主面と第1主面の反対側に位置する第2主面とが、複数の絶縁層を構成する第1の絶縁層及び第2の絶縁層の表面により形成される配線基板の製造方法であって、第1の絶縁層を厚み方向に貫通する第1のビア穴と第2の絶縁層を厚み方向に貫通する第2のビア穴と形成する工程と、第1のビア穴内を充填する第1のビア導体と第2のビア穴内を充填する第2のビア導体とを形成するとともに、第1のビア導体及び第1の絶縁層上に第1の接続端子を形成し、第2のビア導体及び第2の絶縁層上に第2の接続端子を形成する工程と、第2の接続端子上に、第2のビア導体の外径よりも外径の大きな導電性の凸部を形成する工程と、凸部を形成する工程よりも後に、第1の絶縁層及び第1の接続端子上に感光性を有する第1のレジスト層を形成し、第2の絶縁層及び第2の接続端子上に感光性を有する第2のレジスト層を形成する工程と、第1,第2のレジスト層に、第1の接続端子及び凸部を露出させる開口部を形成するための露光を行う工程と、第1,第2のレジスト層の現像により、第1の接続端子を露出させる開口部であって第1のレジスト層が底面を形成する第1の開口部と、第2のレジスト層を厚み方向に貫通し、凸部を露出させる第2の開口部とを一括して形成する工程とを有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, the present invention has a laminate in which at least one conductor layer and a plurality of insulating layers are alternately laminated, and the first main surface and the opposite side of the first main surface of the laminate. And a second main surface located at a surface of the first insulating layer and the surface of the second insulating layer forming a plurality of insulating layers, wherein the thickness of the first insulating layer is Forming a first via hole penetrating in the direction and a second via hole penetrating the second insulating layer in the thickness direction, and a first via conductor and a second via filling the first via hole Forming a second via conductor filling the hole, forming a first connection terminal on the first via conductor and the first insulating layer, and on the second via conductor and the second insulating layer; Forming a second connecting terminal, and forming a conductive convex portion having an outer diameter larger than the outer diameter of the second via conductor on the second connecting terminal; And after the step of forming the convex portion, a first resist layer having photosensitivity is formed on the first insulating layer and the first connection terminal, and the second insulating layer and the second connection are formed. A step of forming a photosensitive second resist layer on the terminal, and a step of performing exposure for forming an opening for exposing the first connection terminal and the convex portion in the first and second resist layers. And developing the first and second resist layers to form a first opening that exposes the first connection terminal, the first resist layer forming a bottom surface, and a second resist layer. And a step of collectively forming a second opening that penetrates in the thickness direction and exposes the convex portion.

本発明によれば、第2の接続端子上に、第2のビア導体の外径よりも外径の大きな導電性の凸部を形成しているので、第2の接続端子上に窪みが生じるのを抑制でき、第2の接続端子上に第2のレジスト層等の樹脂残りが生じることを抑制することができる。   According to the present invention, since the conductive convex portion having an outer diameter larger than the outer diameter of the second via conductor is formed on the second connection terminal, a depression is generated on the second connection terminal. This can suppress the occurrence of resin residue such as the second resist layer on the second connection terminal.

本発明の一態様においては、第1,第2の接続端子を形成する工程では、電解めっきにより第1,第2のビア導体及び第1,第2の接続端子となる第1の金属層を形成し、凸部は、第1の金属層を形成する際の電解めっきにより形成されることを特徴とする。   In one aspect of the present invention, in the step of forming the first and second connection terminals, the first metal layer to be the first and second via conductors and the first and second connection terminals is formed by electrolytic plating. The projecting portion is formed by electrolytic plating when forming the first metal layer.

本発明の一態様によれば、電解めっきにより第1,第2のビア導体及び第1,第2の接続端子となる第1の金属層を形成する際に、凸部も形成している。つまり、凸部を形成するために別途工程を追加する必要がなく、製造工程を簡略化することができる。   According to one aspect of the present invention, when the first metal layer to be the first and second via conductors and the first and second connection terminals is formed by electrolytic plating, the convex portion is also formed. That is, it is not necessary to add a separate process for forming the convex portion, and the manufacturing process can be simplified.

本発明の他の態様においては、凸部を形成する工程は、第2の接続端子上に凸部を形成するための開口部を有する第3のレジスト層を形成する工程と、電解めっきにより、第3のレジスト層の開口部内に、凸部となる第2の金属層を形成する工程と、第3のレジスト層を除去する工程と、を有することを特徴とする。   In another aspect of the present invention, the step of forming the convex portion includes a step of forming a third resist layer having an opening for forming the convex portion on the second connection terminal, and electrolytic plating. It has the process of forming the 2nd metal layer used as a convex part in the opening part of a 3rd resist layer, and the process of removing a 3rd resist layer, It is characterized by the above-mentioned.

本発明の他の態様によれば、第2の接続端子上に開口部を有する第3のレジスト層を形成した後、電解めっきにより、第3のレジスト層の開口部内に、凸部となる第2の金属層を形成している。このため、第2の接続端子上に確実に凸部を形成することができる。また、凸部の外径や高さを容易に変更することができる。   According to another aspect of the present invention, after the third resist layer having an opening is formed on the second connection terminal, the first resist that becomes a convex portion is formed in the opening of the third resist layer by electrolytic plating. 2 metal layers are formed. For this reason, a convex part can be reliably formed on the 2nd connecting terminal. Moreover, the outer diameter and height of a convex part can be changed easily.

以上説明したように、本発明によれば、接続端子上に樹脂残りが生じるのを抑制できる配線基板の製造方法を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a wiring board capable of suppressing the occurrence of resin residue on a connection terminal.

実施形態に係る配線基板の断面図。Sectional drawing of the wiring board which concerns on embodiment. 実施形態に係る配線基板の接続端子の拡大平面図。The enlarged plan view of the connecting terminal of the wiring board which concerns on embodiment. 実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board concerning an embodiment. 実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on embodiment. 実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on embodiment. 実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board concerning an embodiment. 実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on embodiment. 実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on embodiment. 他の実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on other embodiment. 他の実施形態に係る配線基板の製造工程図。The manufacturing process figure of the wiring board which concerns on other embodiment.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。以下に説明する実施形態に係る配線基板は、あくまでも例示であって、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。例えば、以下の説明では、コア基板を有する配線基板を例に実施形態を説明しているが、コア基板を有しない、いわゆるコアレス基板であってもよい。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The wiring board according to the embodiment described below is merely an example, and the present invention is not limited to the following embodiment. For example, in the following description, the embodiment has been described by taking a wiring substrate having a core substrate as an example, but a so-called coreless substrate having no core substrate may be used.

(実施形態)
図1は、実施形態に係る配線基板100の断面図である。図2は、配線基板100が備える接続端子24A及び凸部Tの拡大平面図である。以下、図1及び図2を参照して、配線基板100の構成について説明する。
(Embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view of a wiring board 100 according to an embodiment. FIG. 2 is an enlarged plan view of the connection terminals 24 </ b> A and the protrusions T included in the wiring board 100. Hereinafter, the configuration of the wiring board 100 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.

配線基板100は、コア基板11と、絶縁層12,13と、導体層21〜24と、ビア導体31,32と、レジスト層41,42とを備えている。なお、コア基板11と、絶縁層12,13と、導体層21,22は、積層体を構成し、表面(第1主面)側に半導体チップが実装され、裏面(第2主面)側にマザーボード等が接続される。   The wiring substrate 100 includes a core substrate 11, insulating layers 12 and 13, conductor layers 21 to 24, via conductors 31 and 32, and resist layers 41 and 42. The core substrate 11, the insulating layers 12 and 13, and the conductor layers 21 and 22 constitute a laminated body, a semiconductor chip is mounted on the front surface (first main surface) side, and the back surface (second main surface) side. A motherboard etc. are connected to

コア基板11は、耐熱性樹脂板(たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)や、繊維強化樹脂板(たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂)等で構成された板状の樹脂製基板である。   The core substrate 11 is a plate-shaped resin substrate made of a heat-resistant resin plate (for example, a bismaleimide-triazine resin plate), a fiber reinforced resin plate (for example, a glass fiber reinforced epoxy resin), or the like.

(表面側の構成)
導体層21は、コア基板11の表面上に形成されている。導体層21は、ビア導体31と電気的に接触するビアランド21Aと、ビア導体31と接触していない配線21Bとを備える。導体層21は、導電性に優れる金属、例えば、銅により形成されている。
(Structure on the front side)
The conductor layer 21 is formed on the surface of the core substrate 11. The conductor layer 21 includes a via land 21 </ b> A that is in electrical contact with the via conductor 31 and a wiring 21 </ b> B that is not in contact with the via conductor 31. The conductor layer 21 is made of a metal having excellent conductivity, for example, copper.

絶縁層12(第1の絶縁層)は、導体層21及びコア基板11の表面上に熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させて形成されている。絶縁層12には、厚み方向に貫通するビアホール(第1のビア穴)12Aがレーザ等により形成されている。ビアホール12A内には、ビア導体31(第1のビア導体)が充填されている。ビア導体31は、導体層21及び導体層23を電気的に接続する。   The insulating layer 12 (first insulating layer) is formed by thermosetting a thermosetting resin composition on the surfaces of the conductor layer 21 and the core substrate 11. A via hole (first via hole) 12A penetrating in the thickness direction is formed in the insulating layer 12 by a laser or the like. A via conductor 31 (first via conductor) is filled in the via hole 12A. The via conductor 31 electrically connects the conductor layer 21 and the conductor layer 23.

導体層23は、絶縁層12上に形成されている。導体層23は、ビア導体31と電気的に接触するビアランド23Aと、ビア導体31と接触していない配線23Bと、接続端子23C(第1の接続端子)とを備える。導体層23は、導電性に優れる金属、例えば、銅により形成されている。   The conductor layer 23 is formed on the insulating layer 12. The conductor layer 23 includes a via land 23A that is in electrical contact with the via conductor 31, a wiring 23B that is not in contact with the via conductor 31, and a connection terminal 23C (first connection terminal). The conductor layer 23 is made of a metal having excellent conductivity, for example, copper.

接続端子23Cは、配線基板100の表面側に実装される半導体チップとの接続用の端子である。なお、接続端子23Cの露出部分を金属めっき層でコートしてもよい。金属めっき層としては、例えば、Ni層、Sn層、Ag層、Pd層、Au層等の金属層から選択される単一又は複数の層(例えば、Ni層/Au層、Ni層/Pd層/Au層)で構成できる。また、金属めっき層の代わりに、防錆用のOSP(Organic Solderability Preservative)処理を施してもよい。また、半田をコートしてもよく、さらに、金属めっき層をコートした後、この金属めっき層に半田をコートしてもよい。   The connection terminal 23 </ b> C is a terminal for connection with a semiconductor chip mounted on the surface side of the wiring substrate 100. The exposed portion of the connection terminal 23C may be coated with a metal plating layer. As the metal plating layer, for example, a single layer or a plurality of layers (for example, Ni layer / Au layer, Ni layer / Pd layer) selected from metal layers such as Ni layer, Sn layer, Ag layer, Pd layer, Au layer, etc. / Au layer). Further, an OSP (Organic Solderability Preservative) treatment for rust prevention may be performed instead of the metal plating layer. In addition, solder may be coated, and after coating a metal plating layer, the metal plating layer may be coated with solder.

レジスト層41(第1のレジスト層)は、導体層23及び絶縁層12上に形成されている。レジスト層41は、感光性のレジスト材により形成されている。レジスト層41には、接続端子23Cの少なくとも一部を露出させ、レジスト層41自身が底面41Sを形成する開口部41Aが形成されている。   The resist layer 41 (first resist layer) is formed on the conductor layer 23 and the insulating layer 12. The resist layer 41 is formed of a photosensitive resist material. The resist layer 41 is formed with an opening 41A in which at least a part of the connection terminal 23C is exposed and the resist layer 41 itself forms the bottom surface 41S.

図1に示すように、底面41Sにおけるレジスト層41の厚みT1は、接続端子23Cの厚み(高さ)T2よりも薄くなっている。また、底面41Sにおけるレジスト層41は、接続端子23Cの側面Sと密着した状態で接続端子23C間に充填されている。   As shown in FIG. 1, the thickness T1 of the resist layer 41 on the bottom surface 41S is thinner than the thickness (height) T2 of the connection terminal 23C. Further, the resist layer 41 on the bottom surface 41S is filled between the connection terminals 23C in a state of being in close contact with the side surface S of the connection terminals 23C.

なお、図1では、一つの開口部41A内に複数の接続端子23Cを配置するNSMD形状となっているが、一つの開口部41A内に露出させる接続端子23Cの数は任意である。例えば、一つの開口部41A内に接続端子23Cを一つだけ露出させるようにしてもよい。   In FIG. 1, the NSMD shape has a plurality of connection terminals 23 </ b> C arranged in one opening 41 </ b> A, but the number of connection terminals 23 </ b> C exposed in one opening 41 </ b> A is arbitrary. For example, only one connection terminal 23C may be exposed in one opening 41A.

(裏面側の構成)
導体層22は、コア基板11の裏面上に形成されている。導体層22は、ビア導体32と電気的に接触するビアランド22Aと、ビア導体32と接触していない配線22Bとを備える。導体層22は、導電性に優れる金属、例えば、銅により形成されている。
(Configuration on the back side)
The conductor layer 22 is formed on the back surface of the core substrate 11. The conductor layer 22 includes a via land 22 </ b> A that is in electrical contact with the via conductor 32 and a wiring 22 </ b> B that is not in contact with the via conductor 32. The conductor layer 22 is made of a metal having excellent conductivity, for example, copper.

絶縁層13(第2の絶縁層)は、導体層22及びコア基板11の裏面上に熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させて形成されている。絶縁層13には、厚み方向に貫通するビアホール(第2のビア穴)13Aがレーザ等により形成されている。ビアホール13A内には、ビア導体32(第2のビア導体)が充填されている。ビア導体32は、導体層22及び導体層24を電気的に接続する。   The insulating layer 13 (second insulating layer) is formed by thermosetting a thermosetting resin composition on the conductor layer 22 and the back surface of the core substrate 11. In the insulating layer 13, a via hole (second via hole) 13A penetrating in the thickness direction is formed by a laser or the like. A via conductor 32 (second via conductor) is filled in the via hole 13A. The via conductor 32 electrically connects the conductor layer 22 and the conductor layer 24.

導体層24は、絶縁層13上に形成されている。導体層24は、ビア導体32と電気的に接触する接続端子24A(第2の接続端子)と、ビア導体32と接触していない接続端子24Bと、接続端子24A上に形成された凸部Tとを備える。導体層24は、導電性に優れる金属、例えば、銅により形成されている。なお、導体層24は、図示しない配線を備えていてもよい。   The conductor layer 24 is formed on the insulating layer 13. The conductor layer 24 includes a connection terminal 24A (second connection terminal) that is in electrical contact with the via conductor 32, a connection terminal 24B that is not in contact with the via conductor 32, and a convex portion T formed on the connection terminal 24A. With. The conductor layer 24 is made of a metal having excellent conductivity, for example, copper. The conductor layer 24 may be provided with a wiring (not shown).

接続端子24A,24Bは、配線基板100の裏面側に設けられたマザーボード等との接続用の端子である。なお、接続端子24A,24Bや凸部Tの露出部分を金属めっき層でコートしてもよい。金属めっき層としては、例えば、Ni層、Sn層、Ag層、Pd層、Au層等の金属層から選択される単一又は複数の層(例えば、Ni層/Au層、Ni層/Pd層/Au層)で構成できる。また、金属めっき層の代わりに、防錆用のOSP(Organic Solderability Preservative)処理を施してもよい。また、半田をコートしてもよく、さらに、金属めっき層をコートした後、この金属めっき層に半田をコートしてもよい。   The connection terminals 24 </ b> A and 24 </ b> B are terminals for connection with a motherboard or the like provided on the back side of the wiring board 100. In addition, you may coat the connection part 24A, 24B and the exposed part of the convex part T with a metal plating layer. As the metal plating layer, for example, a single layer or a plurality of layers (for example, Ni layer / Au layer, Ni layer / Pd layer) selected from metal layers such as Ni layer, Sn layer, Ag layer, Pd layer, Au layer, etc. / Au layer). Further, an OSP (Organic Solderability Preservative) treatment for rust prevention may be performed instead of the metal plating layer. In addition, solder may be coated, and after coating a metal plating layer, the metal plating layer may be coated with solder.

図2に示すように、平面視における凸部Tの外径D1は、平面視におけるビア導体32の外径D2よりも大きくなっている。ここで、凸部Tの外径D1及びビア導体32の外径D2とはいずれも外径の最大値を意味する。なお、図2では、平面視における凸部Tの形状が円形となっているが、該形状に限定されない。例えば、平面視における凸部Tの形状を多角形や楕円形としてもよい。なお、この場合、凸部Tを絶縁層13の厚み方向に投影した投影領域がビア導体32を絶縁層13の厚み方向に投影領域を包含していればよい。平面視における凸部Tの面積がビア導体32のS2よりも広ければよい。平面視における凸部Tの外径D1を、平面視におけるビア導体32の外径D2よりも大きくすることで、接続端子24A上に樹脂残りが発生しにくくなる。   As shown in FIG. 2, the outer diameter D1 of the convex portion T in plan view is larger than the outer diameter D2 of the via conductor 32 in plan view. Here, the outer diameter D1 of the convex portion T and the outer diameter D2 of the via conductor 32 both mean the maximum value of the outer diameter. In addition, in FIG. 2, although the shape of the convex part T in planar view is circular, it is not limited to this shape. For example, the shape of the convex portion T in plan view may be a polygon or an ellipse. In this case, the projection region obtained by projecting the projection T in the thickness direction of the insulating layer 13 may include the projection region of the via conductor 32 in the thickness direction of the insulating layer 13. The area of the convex portion T in plan view may be larger than S2 of the via conductor 32. By making the outer diameter D1 of the convex portion T in plan view larger than the outer diameter D2 of the via conductor 32 in plan view, the resin residue hardly occurs on the connection terminal 24A.

レジスト層42(第2のレジスト層)は、導体層24及び絶縁層13上に形成されている。レジスト層42には、厚み方向に貫通し、凸部T及び接続端子24A,24Bの一部を露出させる開口部42Aが形成されている。つまり、レジスト層42の開口部42Aは、接続端子24A,24Bの一部を露出させるSMD形状となっている。   The resist layer 42 (second resist layer) is formed on the conductor layer 24 and the insulating layer 13. The resist layer 42 is formed with an opening 42A that penetrates in the thickness direction and exposes the convex portion T and a part of the connection terminals 24A and 24B. That is, the opening 42A of the resist layer 42 has an SMD shape that exposes part of the connection terminals 24A and 24B.

(配線基板の製造方法)
図3乃至図8は、実施形態に係る配線基板100の製造工程を示す図である。以下、図1及び図3乃至図8を参照して、配線基板100の製造方法について説明する。なお、図1及び図2を参照して説明した構成と同一の構成には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
(Method for manufacturing a wiring board)
3 to 8 are views showing a manufacturing process of the wiring substrate 100 according to the embodiment. Hereinafter, a method for manufacturing the wiring substrate 100 will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure same as the structure demonstrated with reference to FIG.1 and FIG.2, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

表面及び裏面に銅箔が貼付された板状の樹脂製基板(コア基板11)を準備する。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、コア基板11の両面に所望の形状の銅めっき層を形成する。その後、コア基板11の両面の銅箔及び銅めっき層を所望の形状にエッチングして、表面側に導体層21を構成するビアランド21A及び配線21Bを形成し、裏面側に導体層22を構成するビアランド22A及び配線22Bを形成する(図3参照)。   A plate-shaped resin substrate (core substrate 11) having a copper foil attached to the front and back surfaces is prepared. Next, electrolytic copper plating is performed according to a conventionally known method to form a copper plating layer having a desired shape on both surfaces of the core substrate 11. Thereafter, the copper foil and the copper plating layer on both surfaces of the core substrate 11 are etched into a desired shape to form via lands 21A and wirings 21B constituting the conductor layer 21 on the front surface side, and the conductor layer 22 is formed on the back surface side. Via lands 22A and wirings 22B are formed (see FIG. 3).

次に、導体層21及び導体層22の表面を銅表面粗化剤(例えば、メックエッチンボンドCZ:メック社製)により粗化する。導体層21,22の表面を粗化することにより、導体層21,22上にそれぞれ形成される絶縁層12,13との密着性が向上する。   Next, the surfaces of the conductor layer 21 and the conductor layer 22 are roughened with a copper surface roughening agent (for example, Meck Etien Bond CZ: manufactured by MEC). By roughening the surfaces of the conductor layers 21 and 22, the adhesion to the insulating layers 12 and 13 formed on the conductor layers 21 and 22, respectively, is improved.

次に、導体層21,22が形成されたコア基板11の表面側及び裏面側に熱硬化性の樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて絶縁層12,13をそれぞれ形成する(図4参照)。これにより、コア基板11の表面及び裏面が絶縁層12,13によりそれぞれ覆われる。次に、絶縁層12,13に対して、例えばCOガスレーザやYAGレーザから所定強度のレーザ光を照射し、それぞれビアホール12A,13Aを形成する(図5参照)。 Next, a thermosetting resin film is laminated on the front surface side and the back surface side of the core substrate 11 on which the conductor layers 21 and 22 are formed, and cured by pressurizing and heating under vacuum to form the insulating layers 12 and 13. Each is formed (see FIG. 4). Thereby, the front surface and the back surface of the core substrate 11 are covered with the insulating layers 12 and 13, respectively. Next, the insulating layers 12 and 13 are irradiated with laser light having a predetermined intensity from, for example, a CO 2 gas laser or a YAG laser to form via holes 12A and 13A, respectively (see FIG. 5).

その後、ビアホール12A,13Aを含む絶縁層12,13に対して粗化処理を実施する。なお、絶縁層12,13がフィラーを含む場合、粗化処理を実施するとフィラーが遊離して絶縁層12,13上に残存するため適宜水洗を行う。次に、ビアホール12A,13Aに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール12A,13A内を洗浄する。なお、上記水洗とデスミア処理との間にエアーブロー処理を行ってもよい。水洗により遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブロー処理によりフィラーの残存をより確実に抑制することができる。   Thereafter, a roughening process is performed on the insulating layers 12 and 13 including the via holes 12A and 13A. In addition, when the insulating layers 12 and 13 contain a filler, when the roughening treatment is performed, the filler is released and remains on the insulating layers 12 and 13, so that washing is performed as appropriate. Next, desmear processing and outline etching are performed on the via holes 12A and 13A to clean the inside of the via holes 12A and 13A. In addition, you may perform an air blow process between the said water washing and a desmear process. Even when the filler released by washing with water is not completely removed, the remaining of the filler can be more reliably suppressed by the air blowing process.

次に、絶縁層12,13に対して、電解めっきのためのシード層M1,M2をそれぞれ形成する。シード層M1,M2は、従来公知の手法、例えば、無電解銅めっき、スパッタ(PVD)や真空蒸着等により形成することができる。その後、絶縁層12,13上のシード層M1,M2上に所望のパターンの開口部を有する感光性樹脂からなるドライフィルムR1,R2を形成する(図6参照)。   Next, seed layers M1 and M2 for electrolytic plating are formed on the insulating layers 12 and 13, respectively. The seed layers M1 and M2 can be formed by a conventionally known method such as electroless copper plating, sputtering (PVD), vacuum deposition, or the like. Thereafter, dry films R1 and R2 made of a photosensitive resin having openings having a desired pattern are formed on the seed layers M1 and M2 on the insulating layers 12 and 13 (see FIG. 6).

次に、ドライフィルムR1,R2の非形成部分に電解銅めっきを行い、ビア導体31,32、導体層23及び導体層24となる金属層(第1の金属層)を形成する。そして、導体層24を構成する接続端子24Aが形成された後も、さらに電解銅めっきを行うことで接続端子24A上に凸部Tを形成する(図7参照)。   Next, electrolytic copper plating is performed on the non-formed portions of the dry films R1 and R2 to form the via conductors 31 and 32, the conductor layer 23, and the metal layer (first metal layer) to be the conductor layer 24. Then, even after the connection terminal 24A constituting the conductor layer 24 is formed, a convex portion T is formed on the connection terminal 24A by further performing electrolytic copper plating (see FIG. 7).

次に、ドライフィルムR1,R2をKOH等の剥離液を用いて剥離した後、ドライフィルムR1,R2の下のシード層M1,M2をエッチングにより除去する(図8参照)。   Next, after the dry films R1 and R2 are peeled using a stripping solution such as KOH, the seed layers M1 and M2 under the dry films R1 and R2 are removed by etching (see FIG. 8).

次に、導体層23及び導体層24の表面を銅表面粗化剤(例えば、メックエッチンボンドCZ:メック社製)により粗化する。導体層23,24の表面を粗化することにより、導体層23,24上にそれぞれ形成されるレジスト層41,42との密着性が向上する。   Next, the surfaces of the conductor layer 23 and the conductor layer 24 are roughened with a copper surface roughening agent (for example, Meck Etien Bond CZ: manufactured by MEC). By roughening the surfaces of the conductor layers 23 and 24, adhesion with the resist layers 41 and 42 formed on the conductor layers 23 and 24, respectively, is improved.

次に、導体層23,24及び絶縁層12,13上に、それぞれ感光性のレジスト材(感光性樹脂)を塗布してレジスト層41,42を形成した後、接続端子23C,24A,24B及び凸部Tを露出させる開口部41A,42Aをそれぞれ形成するための露光を行う。   Next, a photosensitive resist material (photosensitive resin) is applied on the conductor layers 23 and 24 and the insulating layers 12 and 13 to form resist layers 41 and 42, respectively, and then the connection terminals 23C, 24A, 24B and Exposure is performed to form openings 41A and 42A that expose the convex portions T, respectively.

その後、現像により、接続端子23Cを露出させ、レジスト層41が底面41Sを形成する開口部41Aと、レジスト層42を厚み方向に貫通し、凸部T及び接続端子24Aの表面の一部や接続端子24Bの表面の一部を露出させる開口部42とを一括して形成し、本実施形態の配線基板100を得る(図1参照)。   Thereafter, the connection terminal 23C is exposed by development, and the resist layer 41 penetrates the resist layer 42 in the thickness direction and the opening 41A in which the bottom surface 41S is formed. An opening 42 that exposes a part of the surface of the terminal 24B is formed at a time to obtain the wiring substrate 100 of the present embodiment (see FIG. 1).

なお、レジスト層41を現像する際は、炭酸ナトリウム水溶液(濃度1重量%)に、製造途中の配線基板100を短時間(未感光部の感光性樹脂表面が若干膨潤する程度の時間)浸漬し、その後、水洗して膨潤した感光性樹脂を乳化させて、膨潤・乳化した感光性樹脂を製造途中の配線基板100から除去することで、接続端子23C間に充填されるとともにレジスト層41が底面41Sを形成する開口部41Aを形成する。   When developing the resist layer 41, the wiring substrate 100 being manufactured is immersed in an aqueous solution of sodium carbonate (concentration of 1% by weight) for a short time (a time that the photosensitive resin surface of the unexposed part is slightly swollen). Then, the photosensitive resin swollen by washing with water is emulsified, and the swollen and emulsified photosensitive resin is removed from the wiring substrate 100 in the process of manufacturing, so that the resist layer 41 is filled between the connection terminals 23C and the bottom surface of the resist layer 41. An opening 41A for forming 41S is formed.

以上のように、本実施形態に係る配線基板100では、ビアホール13内のビア導体32をいわゆるフィルドビアとしているため、ビア導体32上に形成される接続端子24Aの表面には窪みが生じやすい。このため、この窪みにレジスト材等の樹脂が残存することがある。しかしながら、本実施形態に係る配線基板100の製造方法によれば、接続端子24A上に、ビア導体32の外径よりも外径の大きな導電性の凸部Tを形成している。このため、接続端子24A上に窪みが形成されるのを抑制し、該窪みにレジスト材等の樹脂残りが生じることを抑制することができる。   As described above, in the wiring substrate 100 according to the present embodiment, the via conductor 32 in the via hole 13 is a so-called filled via, and therefore a depression is likely to be formed on the surface of the connection terminal 24A formed on the via conductor 32. For this reason, a resin such as a resist material may remain in this recess. However, according to the method for manufacturing the wiring board 100 according to the present embodiment, the conductive convex portion T having an outer diameter larger than the outer diameter of the via conductor 32 is formed on the connection terminal 24A. For this reason, it can suppress that a hollow is formed on 24 A of connection terminals, and can suppress that resin residues, such as a resist material, arise in this hollow.

さらに、本実施形態においては、接続端子23C及び接続端子24Aを形成する工程では、電解めっきによりビア導体31,32及び接続端子23C,24Aを形成し、凸部Tは、ビア導体31,32及び接続端子23C,24Aを形成する際の電解めっきにより形成される。このため、凸部Tを形成するために別途工程を追加する必要がなく、製造工程を簡略化することができる。また、配線基板100の製造コストを低減することができる。   Furthermore, in the present embodiment, in the step of forming the connection terminal 23C and the connection terminal 24A, the via conductors 31 and 32 and the connection terminals 23C and 24A are formed by electrolytic plating, and the convex portion T is formed of the via conductors 31 and 32 and It is formed by electrolytic plating when forming the connection terminals 23C and 24A. For this reason, it is not necessary to add a separate process for forming the convex part T, and the manufacturing process can be simplified. Moreover, the manufacturing cost of the wiring board 100 can be reduced.

(他の実施形態)
図9乃至図12は、他の実施形態に係る配線基板100の製造方法を説明するための図である。ここでは、上述の実施形態とは異なる方法で凸部Tを形成する実施形態について説明する。以下、図1〜図6、図9乃至図12を参照して他の実施形態に係る配線基板100の製造方法について説明する。なお、実施形態で説明した構成と同一の構成には、同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
(Other embodiments)
9 to 12 are views for explaining a method of manufacturing the wiring board 100 according to another embodiment. Here, an embodiment in which the convex portion T is formed by a method different from the above-described embodiment will be described. Hereinafter, a method of manufacturing the wiring board 100 according to another embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6 and FIGS. 9 to 12. In addition, the same code | symbol is attached | subjected to the structure same as the structure demonstrated in embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted.

初めに、図3〜図6を参照して説明したとおりに配線基板100の製造を行い、絶縁層12,13上のシード層M1,M2上に所望のパターンの開口部を有する感光性樹脂からなるドライフィルムR1,R2を形成する(図6参照)。   First, the wiring substrate 100 is manufactured as described with reference to FIGS. 3 to 6, and a photosensitive resin having openings of desired patterns on the seed layers M <b> 1 and M <b> 2 on the insulating layers 12 and 13 is manufactured. The resulting dry films R1 and R2 are formed (see FIG. 6).

次に、ドライフィルムR1,R2の非形成部分に電解銅めっきを行い、ビアホール12A,13A内にビア導体31,32を形成するとともに、導体層23を構成するビアランド23A、配線23B及び接続端子23Cと、導体層24を構成する接続端子24A,24Bをそれぞれ形成する(図9参照)。なお、ビア導体32がフィルドビアであることから、ビア導体32上に形成される接続端子24Aには窪み24Rが生じやすい。   Next, electrolytic copper plating is performed on portions where the dry films R1 and R2 are not formed to form via conductors 31 and 32 in the via holes 12A and 13A, and via lands 23A, wirings 23B, and connection terminals 23C constituting the conductor layer 23. Then, connection terminals 24A and 24B constituting the conductor layer 24 are formed (see FIG. 9). Since the via conductor 32 is a filled via, the recess 24R is likely to be formed in the connection terminal 24A formed on the via conductor 32.

次に、ドライフィルムR1上にドライフィルムR3を形成し、ドライフィルムR2上に凸部Tを形成するための開口部APを有するドライフィルムR4(第3のレジスト層)を形成する(図10参照)。   Next, the dry film R3 is formed on the dry film R1, and the dry film R4 (third resist layer) having the opening AP for forming the convex portion T is formed on the dry film R2 (see FIG. 10). ).

次に、電解銅めっきにより、ドライフィルムR4の開口部AP内に、凸部Tとなる金属層(第2の金属層)を形成する(図11参照)。   Next, a metal layer (second metal layer) to be the convex portion T is formed in the opening AP of the dry film R4 by electrolytic copper plating (see FIG. 11).

次に、ドライフィルムR1〜R4をKOH等の剥離液を用いて剥離した後、ドライフィルムR1〜R4の下のシード層M1,M2をエッチングにより除去する(図12参照)。   Next, after the dry films R1 to R4 are peeled using a stripping solution such as KOH, the seed layers M1 and M2 under the dry films R1 to R4 are removed by etching (see FIG. 12).

次に、導体層23及び導体層24の表面を銅表面粗化剤(例えば、メックエッチンボンドCZ:メック社製)により粗化する。導体層23,24の表面を粗化することにより、導体層23,24上にそれぞれ形成されるレジスト層41,42との密着性が向上する。   Next, the surfaces of the conductor layer 23 and the conductor layer 24 are roughened with a copper surface roughening agent (for example, Meck Etien Bond CZ: manufactured by MEC). By roughening the surfaces of the conductor layers 23 and 24, adhesion with the resist layers 41 and 42 formed on the conductor layers 23 and 24, respectively, is improved.

次に、導体層23,24及び絶縁層12,13上に、それぞれ感光性のレジスト材を塗布してレジスト層41,42を形成した後、接続端子23C,24A,24B及び凸部Tを露出させる開口部41A,42Aを形成するための露光を行う。その後、現像により、接続端子23Cを露出させ、レジスト層41が底面41Sを形成する開口部41Aと、レジスト層42を厚み方向に貫通し、凸部T及び接続端子24A,24Bの表面の一部を露出させる開口部42とを一括して形成し、本実施形態の配線基板100を得る(図1参照)。   Next, a photosensitive resist material is applied on the conductor layers 23 and 24 and the insulating layers 12 and 13 to form resist layers 41 and 42, respectively, and then the connection terminals 23C, 24A and 24B and the projections T are exposed. Exposure for forming the openings 41A and 42A to be performed is performed. Thereafter, the connection terminal 23C is exposed by development, and the resist layer 41 penetrates the resist layer 42 in the thickness direction and the opening 41A in which the bottom surface 41S is formed, and a part of the surface of the convex portion T and the connection terminals 24A and 24B. Are formed in a lump to obtain the wiring substrate 100 of the present embodiment (see FIG. 1).

以上のように、その他の実施形態に係る配線基板100の製造方法によれば、接続端子24A上に、ビア導体32の外径よりも外径の大きな導電性の凸部Tを形成している。このため、接続端子24A上に窪みが形成されるのを抑制し、該窪みにレジスト材等の樹脂残りが生じることを抑制することができる。   As described above, according to the method for manufacturing the wiring substrate 100 according to the other embodiment, the conductive convex portion T having an outer diameter larger than the outer diameter of the via conductor 32 is formed on the connection terminal 24A. . For this reason, it can suppress that a hollow is formed on 24 A of connection terminals, and can suppress that resin residues, such as a resist material, arise in this hollow.

さらに、凸部Tを形成する工程は、接続端子24A上に凸部Tを形成するための開口部APを有するドライフィルムR4(第3のレジスト層)を形成する工程し、電解めっきにより、ドライフィルムR4の開口部AP内に、凸部Tとなる金属層を形成した後、ドライフィルムR4を除去している。このため、接続端子24A上に確実に凸部Tを形成することができる。また、凸部Tの外径や高さを容易に変更することができる。   Furthermore, the step of forming the convex portion T includes a step of forming a dry film R4 (third resist layer) having an opening AP for forming the convex portion T on the connection terminal 24A, and is dry by electrolytic plating. The dry film R4 is removed after the metal layer to be the convex portion T is formed in the opening AP of the film R4. For this reason, the convex part T can be reliably formed on the connection terminal 24A. Moreover, the outer diameter and height of the convex part T can be changed easily.

100…配線基板
11…コア基板
12,13…絶縁層
12A,13A…ビアホール
21〜24…導体層
31,32…ビア導体
41,42…レジスト層
41A、42A…開口部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Wiring board 11 ... Core board | substrate 12, 13 ... Insulating layer 12A, 13A ... Via hole 21-24 ... Conductor layer 31, 32 ... Via conductor 41, 42 ... Resist layer 41A, 42A ... Opening part

Claims (3)

少なくとも1層の導体層と複数の絶縁層とが交互に積層された積層体を有し、前記積層体の第1主面と該第1主面の反対側に位置する第2主面とが、前記複数の絶縁層を構成する第1の絶縁層及び第2の絶縁層の表面により形成される配線基板の製造方法であって、
前記第1の絶縁層を厚み方向に貫通する第1のビア穴と前記第2の絶縁層を厚み方向に貫通する第2のビア穴と形成する工程と、
前記第1のビア穴内を充填する第1のビア導体と前記第2のビア穴内を充填する第2のビア導体とを形成するとともに、前記第1のビア導体及び前記第1の絶縁層上に第1の接続端子を形成し、前記第2のビア導体及び前記第2の絶縁層上に第2の接続端子を形成する工程と、
前記第2の接続端子上に、前記第2のビア導体の外径よりも外径の大きな導電性の凸部を形成する工程と、
前記凸部を形成する工程よりも後に、前記第1の絶縁層及び前記第1の接続端子上に感光性を有する第1のレジスト層を形成し、前記第2の絶縁層及び前記第2の接続端子上に感光性を有する第2のレジスト層を形成する工程と、
前記第1,第2のレジスト層に、前記第1の接続端子及び前記凸部を露出させる開口部を形成するための露光を行う工程と、
前記第1,第2のレジスト層の現像により、前記第1の接続端子を露出させる開口部であって前記第1のレジスト層が底面を形成する第1の開口部と、前記第2のレジスト層を厚み方向に貫通し、前記凸部を露出させる第2の開口部とを一括して形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
A laminated body in which at least one conductor layer and a plurality of insulating layers are alternately laminated; and a first main surface of the laminated body and a second main surface located on the opposite side of the first main surface. A method of manufacturing a wiring board formed by the surfaces of the first insulating layer and the second insulating layer constituting the plurality of insulating layers,
Forming a first via hole penetrating the first insulating layer in the thickness direction and a second via hole penetrating the second insulating layer in the thickness direction;
Forming a first via conductor filling the first via hole and a second via conductor filling the second via hole; and on the first via conductor and the first insulating layer. Forming a first connection terminal and forming a second connection terminal on the second via conductor and the second insulating layer;
Forming a conductive convex portion having an outer diameter larger than the outer diameter of the second via conductor on the second connection terminal;
After the step of forming the convex portion, a photosensitive first resist layer is formed on the first insulating layer and the first connection terminal, and the second insulating layer and the second insulating layer are formed. Forming a photosensitive second resist layer on the connection terminal;
Exposing the first and second resist layers to form openings for exposing the first connection terminals and the protrusions; and
A first opening that exposes the first connection terminal by the development of the first and second resist layers and the first resist layer forms a bottom surface; and the second resist Forming a second opening that penetrates the layer in the thickness direction and exposes the protrusion, and a method for manufacturing a wiring board.
前記第1,第2の接続端子を形成する工程では、
電解めっきにより前記第1,第2のビア導体及び前記第1,第2の接続端子となる第1の金属層を形成し、
前記凸部は、
前記第1の金属層を形成する際の前記電解めっきにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
In the step of forming the first and second connection terminals,
Forming a first metal layer to be the first and second via conductors and the first and second connection terminals by electrolytic plating;
The convex portion is
The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the wiring board is formed by the electrolytic plating when forming the first metal layer.
前記凸部を形成する工程は、
前記第2の接続端子上に前記凸部を形成するための開口部を有する第3のレジスト層を形成する工程と、
電解めっきにより、前記第3のレジスト層の開口部内に、前記凸部となる第2の金属層を形成する工程と、
前記第3のレジスト層を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。
The step of forming the convex portion includes
Forming a third resist layer having an opening for forming the convex portion on the second connection terminal;
Forming a second metal layer to be the protrusion in the opening of the third resist layer by electrolytic plating;
Removing the third resist layer;
The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein:
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