JP2016039158A - Wiring board manufacturing method - Google Patents
Wiring board manufacturing method Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016039158A JP2016039158A JP2014159241A JP2014159241A JP2016039158A JP 2016039158 A JP2016039158 A JP 2016039158A JP 2014159241 A JP2014159241 A JP 2014159241A JP 2014159241 A JP2014159241 A JP 2014159241A JP 2016039158 A JP2016039158 A JP 2016039158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- forming
- connection terminal
- conductor
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、配線基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a wiring board.
半導体チップを実装するための配線基板の表面側には、半導体チップとの接続用の端子(以下、接続端子と称する)が形成されている。近年では、この接続端子の高密度化が進んでおり、配置される接続端子の間隔(ピッチ)が狭くなっている。このため、複数の接続端子をソルダーレジスト層の同一開口部内に配置したNSMD(ノン・ソルダー・マスク・ディファインド)形状を採用した配線基板が提案されている。 Terminals for connection to the semiconductor chip (hereinafter referred to as connection terminals) are formed on the surface side of the wiring board for mounting the semiconductor chip. In recent years, the density of the connection terminals has been increased, and the interval (pitch) between the connection terminals to be arranged has been reduced. For this reason, a wiring board adopting an NSMD (non-solder mask-defined) shape in which a plurality of connection terminals are arranged in the same opening of the solder resist layer has been proposed.
ところが、複数の接続端子を狭ピッチで同一開口部内に配置した場合、接続端子表面にコートされた半田が隣接する接続端子側に流出し、接続端子間が短絡(ショート)する虞がある。そこで、接続端子間に充填部材を充填することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。該提案によれば、接続端子間が充填部材で充填されているので、半導体チップと接続した際に、半導体チップと配線基板との隙間に充填されることとなるアンダーフィルやNCP(Non-Conductive Paste)、NCF(Non-Conductive Film)の接続端子間におけるボイドの発生を防止することができる。このため、リフロー時に、このボイドに半田が流出して接続端子間が短絡することを防止できるとしている。 However, when a plurality of connection terminals are arranged in the same opening at a narrow pitch, there is a possibility that the solder coated on the surface of the connection terminal flows out to the adjacent connection terminal side and the connection terminals are short-circuited. Thus, it has been proposed to fill a filling member between connection terminals (see, for example, Patent Document 1). According to the proposal, since the space between the connection terminals is filled with the filling member, underfill or NCP (Non-Conductive) which is filled in the gap between the semiconductor chip and the wiring board when connected to the semiconductor chip. Paste) and voids between connection terminals of NCF (Non-Conductive Film) can be prevented. For this reason, at the time of reflow, it can be prevented that the solder flows out to the void and the connection terminals are short-circuited.
しかしながら、上記提案では、接続端子上にレジスト層を積層した後、該レジスト層を貫通しないように現像することで複数の接続端子を露出させる開口部と、該複数の接続端子間を充填する充填部材とを形成している。 However, in the above proposal, after laminating a resist layer on the connection terminal, development is performed so as not to penetrate the resist layer, and an opening for exposing the plurality of connection terminals and filling between the plurality of connection terminals are filled. Forming a member.
通常、配線基板では、表面側だけでなく裏面側にもマザーボード等との接続用に接続端子が形成されている。そして、表面側と同様に、裏面側にもレジスト層(樹脂層)が形成され、レジスト層には各接続端子を露出させるための開口部が、該レジスト層を貫通するようにして形成される。そして、表面側の開口部と裏面側の開口部とは、同一の現像工程で形成される。 Usually, in the wiring board, connection terminals are formed not only on the front surface side but also on the back surface side for connection with a mother board or the like. Similarly to the front surface side, a resist layer (resin layer) is also formed on the back surface side, and an opening for exposing each connection terminal is formed in the resist layer so as to penetrate the resist layer. . The front-side opening and the back-side opening are formed in the same development process.
通常、開口部を形成するための現像時間は、形成すべき表面側の開口部の深さに合わせて決定される。このため、形成すべき表面側の開口部の深さに合わせて決定された現像時間で現像を行うことにより、表面側のレジスト層を貫通しない開口部と裏面側のレジスト層を貫通する開口部とが形成される。しかしながら、裏面側の接続端子表面に窪みがあると、該窪みに埋まったレジスト材が現像により除去されず、窪みにレジスト材等の樹脂が残存することがある。樹脂残りが発生すると、マザーボード等との接続において接触不良を生じたり、接続端子に半田をコートする際に十分な半田をコートできなかったりする虞がある。 Usually, the development time for forming the opening is determined in accordance with the depth of the opening on the surface side to be formed. For this reason, by performing development with a development time determined in accordance with the depth of the opening on the front surface side to be formed, an opening that does not penetrate the resist layer on the front surface side and an opening that penetrates the resist layer on the back surface side And are formed. However, if there is a depression on the surface of the connection terminal on the back side, the resist material buried in the depression may not be removed by development, and a resin such as a resist material may remain in the depression. If the resin residue is generated, there is a possibility that a contact failure may occur in connection with the mother board or the like, or sufficient solder may not be coated when solder is applied to the connection terminals.
本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、接続端子上に樹脂残りが生じるのを抑制できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in response to the above-described circumstances, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a wiring board capable of suppressing the occurrence of a resin residue on a connection terminal.
上記目的を達成すべく、本発明は、少なくとも1層の導体層と複数の絶縁層とが交互に積層された積層体を有し、積層体の第1主面と第1主面の反対側に位置する第2主面とが、複数の絶縁層を構成する第1の絶縁層及び第2の絶縁層の表面により形成される配線基板の製造方法であって、第1の絶縁層を厚み方向に貫通する第1のビア穴と第2の絶縁層を厚み方向に貫通する第2のビア穴と形成する工程と、第1のビア穴内を充填する第1のビア導体と第2のビア穴内を充填する第2のビア導体とを形成するとともに、第1のビア導体及び第1の絶縁層上に第1の接続端子を形成し、第2のビア導体及び第2の絶縁層上に第2の接続端子を形成する工程と、第2の接続端子上に、第2のビア導体の外径よりも外径の大きな導電性の凸部を形成する工程と、凸部を形成する工程よりも後に、第1の絶縁層及び第1の接続端子上に感光性を有する第1のレジスト層を形成し、第2の絶縁層及び第2の接続端子上に感光性を有する第2のレジスト層を形成する工程と、第1,第2のレジスト層に、第1の接続端子及び凸部を露出させる開口部を形成するための露光を行う工程と、第1,第2のレジスト層の現像により、第1の接続端子を露出させる開口部であって第1のレジスト層が底面を形成する第1の開口部と、第2のレジスト層を厚み方向に貫通し、凸部を露出させる第2の開口部とを一括して形成する工程とを有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, the present invention has a laminate in which at least one conductor layer and a plurality of insulating layers are alternately laminated, and the first main surface and the opposite side of the first main surface of the laminate. And a second main surface located at a surface of the first insulating layer and the surface of the second insulating layer forming a plurality of insulating layers, wherein the thickness of the first insulating layer is Forming a first via hole penetrating in the direction and a second via hole penetrating the second insulating layer in the thickness direction, and a first via conductor and a second via filling the first via hole Forming a second via conductor filling the hole, forming a first connection terminal on the first via conductor and the first insulating layer, and on the second via conductor and the second insulating layer; Forming a second connecting terminal, and forming a conductive convex portion having an outer diameter larger than the outer diameter of the second via conductor on the second connecting terminal; And after the step of forming the convex portion, a first resist layer having photosensitivity is formed on the first insulating layer and the first connection terminal, and the second insulating layer and the second connection are formed. A step of forming a photosensitive second resist layer on the terminal, and a step of performing exposure for forming an opening for exposing the first connection terminal and the convex portion in the first and second resist layers. And developing the first and second resist layers to form a first opening that exposes the first connection terminal, the first resist layer forming a bottom surface, and a second resist layer. And a step of collectively forming a second opening that penetrates in the thickness direction and exposes the convex portion.
本発明によれば、第2の接続端子上に、第2のビア導体の外径よりも外径の大きな導電性の凸部を形成しているので、第2の接続端子上に窪みが生じるのを抑制でき、第2の接続端子上に第2のレジスト層等の樹脂残りが生じることを抑制することができる。 According to the present invention, since the conductive convex portion having an outer diameter larger than the outer diameter of the second via conductor is formed on the second connection terminal, a depression is generated on the second connection terminal. This can suppress the occurrence of resin residue such as the second resist layer on the second connection terminal.
本発明の一態様においては、第1,第2の接続端子を形成する工程では、電解めっきにより第1,第2のビア導体及び第1,第2の接続端子となる第1の金属層を形成し、凸部は、第1の金属層を形成する際の電解めっきにより形成されることを特徴とする。 In one aspect of the present invention, in the step of forming the first and second connection terminals, the first metal layer to be the first and second via conductors and the first and second connection terminals is formed by electrolytic plating. The projecting portion is formed by electrolytic plating when forming the first metal layer.
本発明の一態様によれば、電解めっきにより第1,第2のビア導体及び第1,第2の接続端子となる第1の金属層を形成する際に、凸部も形成している。つまり、凸部を形成するために別途工程を追加する必要がなく、製造工程を簡略化することができる。 According to one aspect of the present invention, when the first metal layer to be the first and second via conductors and the first and second connection terminals is formed by electrolytic plating, the convex portion is also formed. That is, it is not necessary to add a separate process for forming the convex portion, and the manufacturing process can be simplified.
本発明の他の態様においては、凸部を形成する工程は、第2の接続端子上に凸部を形成するための開口部を有する第3のレジスト層を形成する工程と、電解めっきにより、第3のレジスト層の開口部内に、凸部となる第2の金属層を形成する工程と、第3のレジスト層を除去する工程と、を有することを特徴とする。 In another aspect of the present invention, the step of forming the convex portion includes a step of forming a third resist layer having an opening for forming the convex portion on the second connection terminal, and electrolytic plating. It has the process of forming the 2nd metal layer used as a convex part in the opening part of a 3rd resist layer, and the process of removing a 3rd resist layer, It is characterized by the above-mentioned.
本発明の他の態様によれば、第2の接続端子上に開口部を有する第3のレジスト層を形成した後、電解めっきにより、第3のレジスト層の開口部内に、凸部となる第2の金属層を形成している。このため、第2の接続端子上に確実に凸部を形成することができる。また、凸部の外径や高さを容易に変更することができる。 According to another aspect of the present invention, after the third resist layer having an opening is formed on the second connection terminal, the first resist that becomes a convex portion is formed in the opening of the third resist layer by electrolytic plating. 2 metal layers are formed. For this reason, a convex part can be reliably formed on the 2nd connecting terminal. Moreover, the outer diameter and height of a convex part can be changed easily.
以上説明したように、本発明によれば、接続端子上に樹脂残りが生じるのを抑制できる配線基板の製造方法を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a wiring board capable of suppressing the occurrence of resin residue on a connection terminal.
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。以下に説明する実施形態に係る配線基板は、あくまでも例示であって、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。例えば、以下の説明では、コア基板を有する配線基板を例に実施形態を説明しているが、コア基板を有しない、いわゆるコアレス基板であってもよい。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The wiring board according to the embodiment described below is merely an example, and the present invention is not limited to the following embodiment. For example, in the following description, the embodiment has been described by taking a wiring substrate having a core substrate as an example, but a so-called coreless substrate having no core substrate may be used.
(実施形態)
図1は、実施形態に係る配線基板100の断面図である。図2は、配線基板100が備える接続端子24A及び凸部Tの拡大平面図である。以下、図1及び図2を参照して、配線基板100の構成について説明する。
(Embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view of a
配線基板100は、コア基板11と、絶縁層12,13と、導体層21〜24と、ビア導体31,32と、レジスト層41,42とを備えている。なお、コア基板11と、絶縁層12,13と、導体層21,22は、積層体を構成し、表面(第1主面)側に半導体チップが実装され、裏面(第2主面)側にマザーボード等が接続される。
The
コア基板11は、耐熱性樹脂板(たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板)や、繊維強化樹脂板(たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂)等で構成された板状の樹脂製基板である。
The
(表面側の構成)
導体層21は、コア基板11の表面上に形成されている。導体層21は、ビア導体31と電気的に接触するビアランド21Aと、ビア導体31と接触していない配線21Bとを備える。導体層21は、導電性に優れる金属、例えば、銅により形成されている。
(Structure on the front side)
The
絶縁層12(第1の絶縁層)は、導体層21及びコア基板11の表面上に熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させて形成されている。絶縁層12には、厚み方向に貫通するビアホール(第1のビア穴)12Aがレーザ等により形成されている。ビアホール12A内には、ビア導体31(第1のビア導体)が充填されている。ビア導体31は、導体層21及び導体層23を電気的に接続する。
The insulating layer 12 (first insulating layer) is formed by thermosetting a thermosetting resin composition on the surfaces of the
導体層23は、絶縁層12上に形成されている。導体層23は、ビア導体31と電気的に接触するビアランド23Aと、ビア導体31と接触していない配線23Bと、接続端子23C(第1の接続端子)とを備える。導体層23は、導電性に優れる金属、例えば、銅により形成されている。
The
接続端子23Cは、配線基板100の表面側に実装される半導体チップとの接続用の端子である。なお、接続端子23Cの露出部分を金属めっき層でコートしてもよい。金属めっき層としては、例えば、Ni層、Sn層、Ag層、Pd層、Au層等の金属層から選択される単一又は複数の層(例えば、Ni層/Au層、Ni層/Pd層/Au層)で構成できる。また、金属めっき層の代わりに、防錆用のOSP(Organic Solderability Preservative)処理を施してもよい。また、半田をコートしてもよく、さらに、金属めっき層をコートした後、この金属めっき層に半田をコートしてもよい。
The
レジスト層41(第1のレジスト層)は、導体層23及び絶縁層12上に形成されている。レジスト層41は、感光性のレジスト材により形成されている。レジスト層41には、接続端子23Cの少なくとも一部を露出させ、レジスト層41自身が底面41Sを形成する開口部41Aが形成されている。
The resist layer 41 (first resist layer) is formed on the
図1に示すように、底面41Sにおけるレジスト層41の厚みT1は、接続端子23Cの厚み(高さ)T2よりも薄くなっている。また、底面41Sにおけるレジスト層41は、接続端子23Cの側面Sと密着した状態で接続端子23C間に充填されている。
As shown in FIG. 1, the thickness T1 of the resist
なお、図1では、一つの開口部41A内に複数の接続端子23Cを配置するNSMD形状となっているが、一つの開口部41A内に露出させる接続端子23Cの数は任意である。例えば、一つの開口部41A内に接続端子23Cを一つだけ露出させるようにしてもよい。
In FIG. 1, the NSMD shape has a plurality of
(裏面側の構成)
導体層22は、コア基板11の裏面上に形成されている。導体層22は、ビア導体32と電気的に接触するビアランド22Aと、ビア導体32と接触していない配線22Bとを備える。導体層22は、導電性に優れる金属、例えば、銅により形成されている。
(Configuration on the back side)
The
絶縁層13(第2の絶縁層)は、導体層22及びコア基板11の裏面上に熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させて形成されている。絶縁層13には、厚み方向に貫通するビアホール(第2のビア穴)13Aがレーザ等により形成されている。ビアホール13A内には、ビア導体32(第2のビア導体)が充填されている。ビア導体32は、導体層22及び導体層24を電気的に接続する。
The insulating layer 13 (second insulating layer) is formed by thermosetting a thermosetting resin composition on the
導体層24は、絶縁層13上に形成されている。導体層24は、ビア導体32と電気的に接触する接続端子24A(第2の接続端子)と、ビア導体32と接触していない接続端子24Bと、接続端子24A上に形成された凸部Tとを備える。導体層24は、導電性に優れる金属、例えば、銅により形成されている。なお、導体層24は、図示しない配線を備えていてもよい。
The
接続端子24A,24Bは、配線基板100の裏面側に設けられたマザーボード等との接続用の端子である。なお、接続端子24A,24Bや凸部Tの露出部分を金属めっき層でコートしてもよい。金属めっき層としては、例えば、Ni層、Sn層、Ag層、Pd層、Au層等の金属層から選択される単一又は複数の層(例えば、Ni層/Au層、Ni層/Pd層/Au層)で構成できる。また、金属めっき層の代わりに、防錆用のOSP(Organic Solderability Preservative)処理を施してもよい。また、半田をコートしてもよく、さらに、金属めっき層をコートした後、この金属めっき層に半田をコートしてもよい。
The
図2に示すように、平面視における凸部Tの外径D1は、平面視におけるビア導体32の外径D2よりも大きくなっている。ここで、凸部Tの外径D1及びビア導体32の外径D2とはいずれも外径の最大値を意味する。なお、図2では、平面視における凸部Tの形状が円形となっているが、該形状に限定されない。例えば、平面視における凸部Tの形状を多角形や楕円形としてもよい。なお、この場合、凸部Tを絶縁層13の厚み方向に投影した投影領域がビア導体32を絶縁層13の厚み方向に投影領域を包含していればよい。平面視における凸部Tの面積がビア導体32のS2よりも広ければよい。平面視における凸部Tの外径D1を、平面視におけるビア導体32の外径D2よりも大きくすることで、接続端子24A上に樹脂残りが発生しにくくなる。
As shown in FIG. 2, the outer diameter D1 of the convex portion T in plan view is larger than the outer diameter D2 of the via
レジスト層42(第2のレジスト層)は、導体層24及び絶縁層13上に形成されている。レジスト層42には、厚み方向に貫通し、凸部T及び接続端子24A,24Bの一部を露出させる開口部42Aが形成されている。つまり、レジスト層42の開口部42Aは、接続端子24A,24Bの一部を露出させるSMD形状となっている。
The resist layer 42 (second resist layer) is formed on the
(配線基板の製造方法)
図3乃至図8は、実施形態に係る配線基板100の製造工程を示す図である。以下、図1及び図3乃至図8を参照して、配線基板100の製造方法について説明する。なお、図1及び図2を参照して説明した構成と同一の構成には、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
(Method for manufacturing a wiring board)
3 to 8 are views showing a manufacturing process of the
表面及び裏面に銅箔が貼付された板状の樹脂製基板(コア基板11)を準備する。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、コア基板11の両面に所望の形状の銅めっき層を形成する。その後、コア基板11の両面の銅箔及び銅めっき層を所望の形状にエッチングして、表面側に導体層21を構成するビアランド21A及び配線21Bを形成し、裏面側に導体層22を構成するビアランド22A及び配線22Bを形成する(図3参照)。
A plate-shaped resin substrate (core substrate 11) having a copper foil attached to the front and back surfaces is prepared. Next, electrolytic copper plating is performed according to a conventionally known method to form a copper plating layer having a desired shape on both surfaces of the
次に、導体層21及び導体層22の表面を銅表面粗化剤(例えば、メックエッチンボンドCZ:メック社製)により粗化する。導体層21,22の表面を粗化することにより、導体層21,22上にそれぞれ形成される絶縁層12,13との密着性が向上する。
Next, the surfaces of the
次に、導体層21,22が形成されたコア基板11の表面側及び裏面側に熱硬化性の樹脂フィルムを積層し、真空下において加圧加熱することにより硬化させて絶縁層12,13をそれぞれ形成する(図4参照)。これにより、コア基板11の表面及び裏面が絶縁層12,13によりそれぞれ覆われる。次に、絶縁層12,13に対して、例えばCO2ガスレーザやYAGレーザから所定強度のレーザ光を照射し、それぞれビアホール12A,13Aを形成する(図5参照)。
Next, a thermosetting resin film is laminated on the front surface side and the back surface side of the
その後、ビアホール12A,13Aを含む絶縁層12,13に対して粗化処理を実施する。なお、絶縁層12,13がフィラーを含む場合、粗化処理を実施するとフィラーが遊離して絶縁層12,13上に残存するため適宜水洗を行う。次に、ビアホール12A,13Aに対してデスミア処理及びアウトラインエッチングを施し、ビアホール12A,13A内を洗浄する。なお、上記水洗とデスミア処理との間にエアーブロー処理を行ってもよい。水洗により遊離したフィラーが完全に除去されていない場合でも、エアーブロー処理によりフィラーの残存をより確実に抑制することができる。
Thereafter, a roughening process is performed on the insulating
次に、絶縁層12,13に対して、電解めっきのためのシード層M1,M2をそれぞれ形成する。シード層M1,M2は、従来公知の手法、例えば、無電解銅めっき、スパッタ(PVD)や真空蒸着等により形成することができる。その後、絶縁層12,13上のシード層M1,M2上に所望のパターンの開口部を有する感光性樹脂からなるドライフィルムR1,R2を形成する(図6参照)。
Next, seed layers M1 and M2 for electrolytic plating are formed on the insulating
次に、ドライフィルムR1,R2の非形成部分に電解銅めっきを行い、ビア導体31,32、導体層23及び導体層24となる金属層(第1の金属層)を形成する。そして、導体層24を構成する接続端子24Aが形成された後も、さらに電解銅めっきを行うことで接続端子24A上に凸部Tを形成する(図7参照)。
Next, electrolytic copper plating is performed on the non-formed portions of the dry films R1 and R2 to form the via
次に、ドライフィルムR1,R2をKOH等の剥離液を用いて剥離した後、ドライフィルムR1,R2の下のシード層M1,M2をエッチングにより除去する(図8参照)。 Next, after the dry films R1 and R2 are peeled using a stripping solution such as KOH, the seed layers M1 and M2 under the dry films R1 and R2 are removed by etching (see FIG. 8).
次に、導体層23及び導体層24の表面を銅表面粗化剤(例えば、メックエッチンボンドCZ:メック社製)により粗化する。導体層23,24の表面を粗化することにより、導体層23,24上にそれぞれ形成されるレジスト層41,42との密着性が向上する。
Next, the surfaces of the
次に、導体層23,24及び絶縁層12,13上に、それぞれ感光性のレジスト材(感光性樹脂)を塗布してレジスト層41,42を形成した後、接続端子23C,24A,24B及び凸部Tを露出させる開口部41A,42Aをそれぞれ形成するための露光を行う。
Next, a photosensitive resist material (photosensitive resin) is applied on the conductor layers 23 and 24 and the insulating
その後、現像により、接続端子23Cを露出させ、レジスト層41が底面41Sを形成する開口部41Aと、レジスト層42を厚み方向に貫通し、凸部T及び接続端子24Aの表面の一部や接続端子24Bの表面の一部を露出させる開口部42とを一括して形成し、本実施形態の配線基板100を得る(図1参照)。
Thereafter, the
なお、レジスト層41を現像する際は、炭酸ナトリウム水溶液(濃度1重量%)に、製造途中の配線基板100を短時間(未感光部の感光性樹脂表面が若干膨潤する程度の時間)浸漬し、その後、水洗して膨潤した感光性樹脂を乳化させて、膨潤・乳化した感光性樹脂を製造途中の配線基板100から除去することで、接続端子23C間に充填されるとともにレジスト層41が底面41Sを形成する開口部41Aを形成する。
When developing the resist
以上のように、本実施形態に係る配線基板100では、ビアホール13内のビア導体32をいわゆるフィルドビアとしているため、ビア導体32上に形成される接続端子24Aの表面には窪みが生じやすい。このため、この窪みにレジスト材等の樹脂が残存することがある。しかしながら、本実施形態に係る配線基板100の製造方法によれば、接続端子24A上に、ビア導体32の外径よりも外径の大きな導電性の凸部Tを形成している。このため、接続端子24A上に窪みが形成されるのを抑制し、該窪みにレジスト材等の樹脂残りが生じることを抑制することができる。
As described above, in the
さらに、本実施形態においては、接続端子23C及び接続端子24Aを形成する工程では、電解めっきによりビア導体31,32及び接続端子23C,24Aを形成し、凸部Tは、ビア導体31,32及び接続端子23C,24Aを形成する際の電解めっきにより形成される。このため、凸部Tを形成するために別途工程を追加する必要がなく、製造工程を簡略化することができる。また、配線基板100の製造コストを低減することができる。
Furthermore, in the present embodiment, in the step of forming the
(他の実施形態)
図9乃至図12は、他の実施形態に係る配線基板100の製造方法を説明するための図である。ここでは、上述の実施形態とは異なる方法で凸部Tを形成する実施形態について説明する。以下、図1〜図6、図9乃至図12を参照して他の実施形態に係る配線基板100の製造方法について説明する。なお、実施形態で説明した構成と同一の構成には、同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
(Other embodiments)
9 to 12 are views for explaining a method of manufacturing the
初めに、図3〜図6を参照して説明したとおりに配線基板100の製造を行い、絶縁層12,13上のシード層M1,M2上に所望のパターンの開口部を有する感光性樹脂からなるドライフィルムR1,R2を形成する(図6参照)。
First, the
次に、ドライフィルムR1,R2の非形成部分に電解銅めっきを行い、ビアホール12A,13A内にビア導体31,32を形成するとともに、導体層23を構成するビアランド23A、配線23B及び接続端子23Cと、導体層24を構成する接続端子24A,24Bをそれぞれ形成する(図9参照)。なお、ビア導体32がフィルドビアであることから、ビア導体32上に形成される接続端子24Aには窪み24Rが生じやすい。
Next, electrolytic copper plating is performed on portions where the dry films R1 and R2 are not formed to form via
次に、ドライフィルムR1上にドライフィルムR3を形成し、ドライフィルムR2上に凸部Tを形成するための開口部APを有するドライフィルムR4(第3のレジスト層)を形成する(図10参照)。 Next, the dry film R3 is formed on the dry film R1, and the dry film R4 (third resist layer) having the opening AP for forming the convex portion T is formed on the dry film R2 (see FIG. 10). ).
次に、電解銅めっきにより、ドライフィルムR4の開口部AP内に、凸部Tとなる金属層(第2の金属層)を形成する(図11参照)。 Next, a metal layer (second metal layer) to be the convex portion T is formed in the opening AP of the dry film R4 by electrolytic copper plating (see FIG. 11).
次に、ドライフィルムR1〜R4をKOH等の剥離液を用いて剥離した後、ドライフィルムR1〜R4の下のシード層M1,M2をエッチングにより除去する(図12参照)。 Next, after the dry films R1 to R4 are peeled using a stripping solution such as KOH, the seed layers M1 and M2 under the dry films R1 to R4 are removed by etching (see FIG. 12).
次に、導体層23及び導体層24の表面を銅表面粗化剤(例えば、メックエッチンボンドCZ:メック社製)により粗化する。導体層23,24の表面を粗化することにより、導体層23,24上にそれぞれ形成されるレジスト層41,42との密着性が向上する。
Next, the surfaces of the
次に、導体層23,24及び絶縁層12,13上に、それぞれ感光性のレジスト材を塗布してレジスト層41,42を形成した後、接続端子23C,24A,24B及び凸部Tを露出させる開口部41A,42Aを形成するための露光を行う。その後、現像により、接続端子23Cを露出させ、レジスト層41が底面41Sを形成する開口部41Aと、レジスト層42を厚み方向に貫通し、凸部T及び接続端子24A,24Bの表面の一部を露出させる開口部42とを一括して形成し、本実施形態の配線基板100を得る(図1参照)。
Next, a photosensitive resist material is applied on the conductor layers 23 and 24 and the insulating
以上のように、その他の実施形態に係る配線基板100の製造方法によれば、接続端子24A上に、ビア導体32の外径よりも外径の大きな導電性の凸部Tを形成している。このため、接続端子24A上に窪みが形成されるのを抑制し、該窪みにレジスト材等の樹脂残りが生じることを抑制することができる。
As described above, according to the method for manufacturing the
さらに、凸部Tを形成する工程は、接続端子24A上に凸部Tを形成するための開口部APを有するドライフィルムR4(第3のレジスト層)を形成する工程し、電解めっきにより、ドライフィルムR4の開口部AP内に、凸部Tとなる金属層を形成した後、ドライフィルムR4を除去している。このため、接続端子24A上に確実に凸部Tを形成することができる。また、凸部Tの外径や高さを容易に変更することができる。
Furthermore, the step of forming the convex portion T includes a step of forming a dry film R4 (third resist layer) having an opening AP for forming the convex portion T on the
100…配線基板
11…コア基板
12,13…絶縁層
12A,13A…ビアホール
21〜24…導体層
31,32…ビア導体
41,42…レジスト層
41A、42A…開口部
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記第1の絶縁層を厚み方向に貫通する第1のビア穴と前記第2の絶縁層を厚み方向に貫通する第2のビア穴と形成する工程と、
前記第1のビア穴内を充填する第1のビア導体と前記第2のビア穴内を充填する第2のビア導体とを形成するとともに、前記第1のビア導体及び前記第1の絶縁層上に第1の接続端子を形成し、前記第2のビア導体及び前記第2の絶縁層上に第2の接続端子を形成する工程と、
前記第2の接続端子上に、前記第2のビア導体の外径よりも外径の大きな導電性の凸部を形成する工程と、
前記凸部を形成する工程よりも後に、前記第1の絶縁層及び前記第1の接続端子上に感光性を有する第1のレジスト層を形成し、前記第2の絶縁層及び前記第2の接続端子上に感光性を有する第2のレジスト層を形成する工程と、
前記第1,第2のレジスト層に、前記第1の接続端子及び前記凸部を露出させる開口部を形成するための露光を行う工程と、
前記第1,第2のレジスト層の現像により、前記第1の接続端子を露出させる開口部であって前記第1のレジスト層が底面を形成する第1の開口部と、前記第2のレジスト層を厚み方向に貫通し、前記凸部を露出させる第2の開口部とを一括して形成する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 A laminated body in which at least one conductor layer and a plurality of insulating layers are alternately laminated; and a first main surface of the laminated body and a second main surface located on the opposite side of the first main surface. A method of manufacturing a wiring board formed by the surfaces of the first insulating layer and the second insulating layer constituting the plurality of insulating layers,
Forming a first via hole penetrating the first insulating layer in the thickness direction and a second via hole penetrating the second insulating layer in the thickness direction;
Forming a first via conductor filling the first via hole and a second via conductor filling the second via hole; and on the first via conductor and the first insulating layer. Forming a first connection terminal and forming a second connection terminal on the second via conductor and the second insulating layer;
Forming a conductive convex portion having an outer diameter larger than the outer diameter of the second via conductor on the second connection terminal;
After the step of forming the convex portion, a photosensitive first resist layer is formed on the first insulating layer and the first connection terminal, and the second insulating layer and the second insulating layer are formed. Forming a photosensitive second resist layer on the connection terminal;
Exposing the first and second resist layers to form openings for exposing the first connection terminals and the protrusions; and
A first opening that exposes the first connection terminal by the development of the first and second resist layers and the first resist layer forms a bottom surface; and the second resist Forming a second opening that penetrates the layer in the thickness direction and exposes the protrusion, and a method for manufacturing a wiring board.
電解めっきにより前記第1,第2のビア導体及び前記第1,第2の接続端子となる第1の金属層を形成し、
前記凸部は、
前記第1の金属層を形成する際の前記電解めっきにより形成されることを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。 In the step of forming the first and second connection terminals,
Forming a first metal layer to be the first and second via conductors and the first and second connection terminals by electrolytic plating;
The convex portion is
The method of manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein the wiring board is formed by the electrolytic plating when forming the first metal layer.
前記第2の接続端子上に前記凸部を形成するための開口部を有する第3のレジスト層を形成する工程と、
電解めっきにより、前記第3のレジスト層の開口部内に、前記凸部となる第2の金属層を形成する工程と、
前記第3のレジスト層を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項1に記載の配線基板の製造方法。 The step of forming the convex portion includes
Forming a third resist layer having an opening for forming the convex portion on the second connection terminal;
Forming a second metal layer to be the protrusion in the opening of the third resist layer by electrolytic plating;
Removing the third resist layer;
The method for manufacturing a wiring board according to claim 1, wherein:
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014159241A JP6230971B2 (en) | 2014-08-05 | 2014-08-05 | Wiring board manufacturing method |
KR1020150108739A KR101792335B1 (en) | 2014-08-05 | 2015-07-31 | Method for manufacturing wiring board |
TW104125056A TWI569703B (en) | 2014-08-05 | 2015-08-03 | Wiring substrate manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014159241A JP6230971B2 (en) | 2014-08-05 | 2014-08-05 | Wiring board manufacturing method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016039158A true JP2016039158A (en) | 2016-03-22 |
JP6230971B2 JP6230971B2 (en) | 2017-11-15 |
Family
ID=55357280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014159241A Active JP6230971B2 (en) | 2014-08-05 | 2014-08-05 | Wiring board manufacturing method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6230971B2 (en) |
KR (1) | KR101792335B1 (en) |
TW (1) | TWI569703B (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021124506A1 (en) | 2019-12-19 | 2021-06-24 | ヤマハ発動機株式会社 | Vehicle |
WO2021124507A1 (en) | 2019-12-19 | 2021-06-24 | ヤマハ発動機株式会社 | Vehicle |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11298141A (en) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | Manufacture for electronic device |
JP2003332716A (en) * | 2002-03-04 | 2003-11-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board and method of manufacturing same |
JP2007123558A (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Harima Chem Inc | Solder bump forming method |
JP2013105908A (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board |
JP5415632B2 (en) * | 2011-07-25 | 2014-02-12 | 日本特殊陶業株式会社 | Wiring board |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3152796B2 (en) * | 1993-05-28 | 2001-04-03 | 株式会社東芝 | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP3851607B2 (en) * | 2002-11-21 | 2006-11-29 | ローム株式会社 | Manufacturing method of semiconductor device |
JP5800674B2 (en) * | 2011-10-25 | 2015-10-28 | 日本特殊陶業株式会社 | Wiring board and manufacturing method thereof |
JP5502139B2 (en) * | 2012-05-16 | 2014-05-28 | 日本特殊陶業株式会社 | Wiring board |
CN104854966A (en) * | 2012-12-11 | 2015-08-19 | 日本特殊陶业株式会社 | Wiring substrate and production method therefor |
-
2014
- 2014-08-05 JP JP2014159241A patent/JP6230971B2/en active Active
-
2015
- 2015-07-31 KR KR1020150108739A patent/KR101792335B1/en active IP Right Grant
- 2015-08-03 TW TW104125056A patent/TWI569703B/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11298141A (en) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Hitachi Ltd | Manufacture for electronic device |
JP2003332716A (en) * | 2002-03-04 | 2003-11-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board and method of manufacturing same |
JP2007123558A (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-17 | Harima Chem Inc | Solder bump forming method |
JP5415632B2 (en) * | 2011-07-25 | 2014-02-12 | 日本特殊陶業株式会社 | Wiring board |
JP2013105908A (en) * | 2011-11-14 | 2013-05-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Wiring board |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI569703B (en) | 2017-02-01 |
TW201613438A (en) | 2016-04-01 |
KR20160016688A (en) | 2016-02-15 |
JP6230971B2 (en) | 2017-11-15 |
KR101792335B1 (en) | 2017-10-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5913063B2 (en) | Wiring board | |
JP5873152B1 (en) | Wiring board | |
JP2014078551A (en) | Wiring board, wiring board manufacturing method | |
TWI492690B (en) | Method for manufacturing circuit board | |
JP6189592B2 (en) | Component-embedded printed circuit board and manufacturing method thereof | |
JP2013105908A (en) | Wiring board | |
JP2009283671A (en) | Method of manufacturing printed-wiring board | |
JP6037514B2 (en) | Wiring board, method for manufacturing wiring board | |
US9699916B2 (en) | Method of manufacturing wiring substrate, and wiring substrate | |
JP2019046860A (en) | Printed-circuit board and manufacturing method thereof | |
JP6230971B2 (en) | Wiring board manufacturing method | |
JP5848404B2 (en) | Wiring board and manufacturing method thereof | |
US20230089948A1 (en) | Wiring board and manufacturing method of wiring board | |
JP5432800B2 (en) | Wiring board manufacturing method | |
JP2012160559A (en) | Method for manufacturing wiring board | |
JP6374703B2 (en) | Wiring board manufacturing method | |
JP2013008945A (en) | Manufacturing method of coreless substrate | |
JP5942514B2 (en) | Semiconductor package manufacturing method and semiconductor package | |
JP2017073497A (en) | Printed wiring board and method for manufacturing the same | |
KR20150136914A (en) | Manufacturing method of printed circuit board | |
JP2014089996A (en) | Wiring board | |
KR101171100B1 (en) | Manufacturing method for circuit board | |
JP2017005096A (en) | Method for manufacturing wiring board | |
JP2017073496A (en) | Printed wiring board and method for manufacturing the same | |
JP2014167950A (en) | Printed-wiring board and manufacturing method thereof |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20161005 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161007 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20161007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161026 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170323 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170531 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170829 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20170906 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171011 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171018 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6230971 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |