JP2003332716A - Wiring board and method of manufacturing same - Google Patents

Wiring board and method of manufacturing same

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JP2003332716A
JP2003332716A JP2002348107A JP2002348107A JP2003332716A JP 2003332716 A JP2003332716 A JP 2003332716A JP 2002348107 A JP2002348107 A JP 2002348107A JP 2002348107 A JP2002348107 A JP 2002348107A JP 2003332716 A JP2003332716 A JP 2003332716A
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JP
Japan
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filled via
via conductor
layer
wiring board
insulating layer
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Shinji Yuri
伸治 由利
Kazuhisa Sato
和久 佐藤
Noritaka Ban
典高 伴
Kozo Yamazaki
耕三 山崎
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Niterra Co Ltd
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NGK Spark Plug Co Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board which is equipped with connection terminals formed on the filled via conductors and can be improved in reliability by preventing voids from occurring in solder and to provide a method of manufacturing the same. <P>SOLUTION: The wiring board 101 is equipped with a second insulating layer 124 provided with viaholes 125 and formed on its main surface, the filled via conductors 128 filling the viaholes 125, and a main-surface side Ni plating layer 136 deposited on the surface of the filled via conductors 128. The filled via conductor 128 is formed into the shape provided with an convex expanded part, and the main-surface side Ni plating layer 136 has a convex surface as following the surface of the filled via conductor 128. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や他の基
板の端子などと接続される接続端子を有する配線基板及
び配線基板の製造方法に関し、特に、ビア導体上に接続
端子が形成された、あるいは、ビア導体自体が接続端子
とされた配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board having a connection terminal connected to an electronic component or a terminal of another board, and a method for manufacturing the wiring board, and more particularly to a connection terminal formed on a via conductor. Alternatively, the present invention relates to a wiring board in which the via conductor itself is a connection terminal and a method for manufacturing the wiring board.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、ビア導体上に接続端子が形成
された配線基板が知られている。例えば、図18に基板
主面902側の要部の部分拡大断面図を示す配線基板9
01が挙げられる。この配線基板901は、ICチップ
を搭載する基板主面902と、基板裏面(図示しない)
とを有する略板形状である。配線基板901は、図18
に示すように、第1樹脂絶縁層905を備える。その上
には、所定の位置にビアホール908を有する第2樹脂
絶縁層907が積層されている。さらにその上には、所
定の位置に開口910を有するソルダーレジスト層90
9が積層されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, there has been known a wiring board having a connection terminal formed on a via conductor. For example, FIG. 18 is a wiring substrate 9 showing a partially enlarged cross-sectional view of the main part on the substrate main surface 902 side.
01 is mentioned. The wiring board 901 includes a board main surface 902 on which an IC chip is mounted and a board back surface (not shown).
And a substantially plate shape having. The wiring board 901 is shown in FIG.
As shown in, the first resin insulation layer 905 is provided. A second resin insulation layer 907 having a via hole 908 at a predetermined position is laminated thereon. Further thereon, a solder resist layer 90 having an opening 910 at a predetermined position.
9 are stacked.

【0003】第1樹脂絶縁層905と第2樹脂絶縁層9
07との層間には、板状のパッド911が形成されてい
る。このパッド911の中央部上には、第2樹脂絶縁層
907のビアホール908が位置し、ビアホール908
には、パッド911に接続するフィルドビア導体913
(ビアホール908が導体で充填されたビア導体)が形
成されている。このフィルドビア導体913の表面の中
央部上には、ソルダーレジスト層909の開口910が
位置し、開口910内には、フィルドビア導体913に
接続する板状のNiメッキ層(金属層)915が形成さ
れている。さらに、このNiメッキ層915には、ハン
ダバンプ916が溶着し、開口910内からソルダーレ
ジスト層909の表面を越えて突出している。これらN
iメッキ層915とハンダバンプ916が、ICチップ
の端子と接続される接続端子917である。
First resin insulation layer 905 and second resin insulation layer 9
A plate-shaped pad 911 is formed between the layer 07 and 07. The via hole 908 of the second resin insulating layer 907 is located on the central portion of the pad 911.
The filled via conductor 913 connected to the pad 911.
(Via conductor whose via hole 908 is filled with a conductor) is formed. An opening 910 of the solder resist layer 909 is located on the center of the surface of the filled via conductor 913, and a plate-shaped Ni plating layer (metal layer) 915 connected to the filled via conductor 913 is formed in the opening 910. ing. Further, a solder bump 916 is welded to the Ni plating layer 915 and protrudes from inside the opening 910 over the surface of the solder resist layer 909. These N
The i-plated layer 915 and the solder bumps 916 are the connection terminals 917 connected to the terminals of the IC chip.

【0004】このような配線基板901は、次のように
製造する。即ち、第1樹脂絶縁層905とパッド911
とビアホール908を有する第2樹脂絶縁層907とが
形成された基板を用意する。そして、この基板に、フィ
ルドビア導体形成用の電解メッキ液を用いてCuメッキ
を施し、ビアホール908をメッキで充填してフィルド
ビア導体913を形成する。このとき、フィルドビア導
体913の表面は、通常、若干凹むか平らになる。次
に、第2樹脂絶縁層907上に、開口910を有するソ
ルダーレジスト層909を形成する。その後、Niメッ
キを施し、開口910内に露出するフィルドビア導体9
13の表面に、Niメッキ層915を被着させる。その
際、Niメッキ層915の表面も、フィルドビア導体9
13の表面に倣って、若干凹むか平らになる。その後さ
らに、Auメッキを施し、Niメッキ層915上にAu
メッキ層を被着させる。次に、開口910に対応した所
定パターンの印刷マスクを用いて、あるいは、ディスペ
ンサー等を用いて、開口910にハンダペーストを塗布
し、その後、これをリフローしてハンダバンプ916を
形成する。その際、Auメッキは、ハンダ内に拡散する
ので、ハンダバンプ916は、上述したようにNiメッ
キ層915上に形成される。なお、このような技術に関
連する文献として、例えば、特許文献1が挙げられる。
Such a wiring board 901 is manufactured as follows. That is, the first resin insulation layer 905 and the pad 911.
A substrate on which a second resin insulation layer 907 having a via hole 908 is formed is prepared. Then, this substrate is subjected to Cu plating by using an electrolytic plating solution for forming a filled via conductor, and the via hole 908 is filled with the plating to form a filled via conductor 913. At this time, the surface of the filled via conductor 913 is usually slightly concave or flat. Next, a solder resist layer 909 having an opening 910 is formed on the second resin insulating layer 907. After that, Ni plating is applied to the filled via conductor 9 exposed in the opening 910.
A Ni plating layer 915 is deposited on the surface of 13. At this time, the surface of the Ni plating layer 915 also covers the filled via conductor 9
Following the surface of 13, it becomes slightly concave or flat. After that, Au plating is further applied, and Au is plated on the Ni plating layer 915.
Apply the plating layer. Next, a solder paste is applied to the openings 910 using a print mask having a predetermined pattern corresponding to the openings 910, or using a dispenser or the like, and then the solder paste is reflowed to form solder bumps 916. At that time, since the Au plating diffuses into the solder, the solder bump 916 is formed on the Ni plating layer 915 as described above. Note that, as a document related to such a technique, for example, Patent Document 1 can be cited.

【0005】[0005]

【特許文献1】特開2002−134862号公報[Patent Document 1] Japanese Patent Laid-Open No. 2002-134862

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、開口9
10に塗布したハンダペーストをリフローしたときに、
図18中に破線で示すように、ハンダバンプ916に気
泡(ボイド)BDを生じることがある。ハンダペースト
を塗布する際に、空気が巻き込まれやすいためであり、
また、リフロー時にフラックスが逃げ切れず、ハンダ内
に残るためであると考えられる。このようにハンダバン
プ916にボイドBDが内包されると、配線基板901
に熱ストレスが掛かったときなどに、このボイドBDを
起点としたクラックが発生しやすい。つまり、接続端子
917に電気的な接続不良が生じやすく、配線基板90
1の信頼性に劣る。
However, the opening 9
When reflowing the solder paste applied to 10,
As shown by the broken line in FIG. 18, air bubbles (voids) BD may occur in the solder bump 916. This is because air is easily trapped when applying the solder paste.
It is also considered that the flux does not escape during reflow and remains in the solder. When the void BD is included in the solder bump 916, the wiring board 901 is
When heat stress is applied to the cracks, cracks starting from the void BD are likely to occur. That is, electrical connection failure is likely to occur in the connection terminal 917, and the wiring board 90
1 is inferior in reliability.

【0007】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、フィルドビア導体上に接続端子が形成された
配線基板、あるいは、フィルドビア導体自体が接続端子
とされた配線基板について、ハンダにボイドが生じるの
を防止し、信頼性を向上させることができる配線基板及
び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a wiring board in which a connection terminal is formed on a filled via conductor or a wiring board in which the filled via conductor itself serves as a connection terminal has voids in solder. It is an object of the present invention to provide a wiring board and a method for manufacturing the wiring board, which can prevent the occurrence and improve the reliability.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段、作用及び効果】その解決
手段は、ビアホールを有する絶縁層と、上記ビアホール
に形成されたフィルドビア導体と、上記フィルドビア導
体の表面に被着した金属層と、を備える配線基板であっ
て、上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされ、上記金属層も、上記フィ
ルドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に膨らん
だ形状とされている配線基板である。
Means for Solving the Problems, Actions and Effects The solution is provided with an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, and a metal layer deposited on the surface of the filled via conductor. In the wiring board, the filled via conductor has a shape having a bulging portion in which the surface bulges in a convex shape, and the metal layer also bulges in a convex shape along the surface of the filled via conductor. The wiring board has a shape.

【0009】この配線基板は、ICチップ等の電子部品
の端子やマザーボード等の他の基板の端子(以下、これ
らを外部の端子とも言う)などと接続される接続端子と
して、フィルドビア導体の表面に形成された金属層を備
える。そして、本発明では、フィルドビア導体は、その
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、ま
た、その表面に被着した金属層も、フィルドビア導体の
表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされて
いる。このような配線基板は、金属層にハンダを形成す
るときに、ハンダにボイドが生じにくい。その理由は、
金属層の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダペース
トを塗布したときに、空気の巻き込みが減るためである
と考えられる。また、リフロー時にフラックス成分がハ
ンダの重心に集まりやすいところ、金属層の表面が膨ら
んでいることにより、ハンダの重心からハンダの表面ま
での距離が短くなるため、フラックス成分が表面に移動
しやすくなり、ボイドとしての内包が低減されるためで
あると考えられる。従って、配線基板に熱ストレスが掛
かったときなどにも、応力がボイド部分に局所的に集中
することがなくなるので、ハンダのクラック耐性が向上
する。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じにく
く、配線基板の信頼性を向上させることができる。また
さらに、金属層の表面が膨らんでいることにより、ハン
ダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合強度を向
上させることができる。
This wiring board is provided on the surface of the filled via conductor as a connection terminal to be connected to terminals of electronic parts such as IC chips and terminals of other boards such as a mother board (hereinafter also referred to as external terminals). A formed metal layer is provided. Then, in the present invention, the filled via conductor has a shape having a bulging portion in which the surface is bulged in a convex shape, and the metal layer adhered to the surface also follows the surface of the filled via conductor and its surface is It has a convex shape. In such a wiring board, voids are unlikely to occur in the solder when forming the solder on the metal layer. The reason is,
It is considered that since the surface of the metal layer is bulged in a convex shape, entrapment of air is reduced when the solder paste is applied. Also, during reflow, where flux components tend to collect at the center of gravity of the solder, and because the surface of the metal layer swells, the distance from the center of gravity of the solder to the surface of the solder becomes shorter, making it easier for flux components to move to the surface. It is considered that this is because the inclusion as voids is reduced. Therefore, even when thermal stress is applied to the wiring board, the stress is not locally concentrated in the void portion, and the crack resistance of the solder is improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the connection terminal, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the metal layer is swollen, the joint area with the solder is increased, so that the joint strength of the solder can be improved.

【0010】なお、フィルドビア導体は、その表面が凸
状に膨らんだ膨出部を有する形状であればよく、表面全
体が膨らんだものでも、表面の一部(例えば中央部)が
膨らんだものでもよい。また、金属層は、上記の要件を
満たすものであればいずれのものでもよく、例えば、N
i層、Sn層、Cu層、Pd層、Au層や、これらを主
成分とする金属層などが挙げられる。また、1層からな
る金属層の他、例えば、Ni層上にAu層が形成された
Ni/Au層など2層以上からなる金属層でもよい。ま
た、絶縁層は、セラミック製でも樹脂製でもよい。即
ち、絶縁体は、アルミナ、窒化アルミニウム、ガラスセ
ラミック、低温焼成セラミックなどのセラミックでも、
エポキシ樹脂、BT樹脂などの樹脂でも、あるいは、ガ
ラス−エポキシ樹脂複合材料、セラミック−樹脂複合材
料などの複合材料などであってもよい。
The filled via conductor may have any shape as long as it has a convex bulge on its surface, and may be a bulge on the entire surface or a bulge on a part of the surface (for example, the central portion). Good. Further, the metal layer may be any one as long as it satisfies the above requirements, for example, N
Examples thereof include an i layer, a Sn layer, a Cu layer, a Pd layer, an Au layer, and a metal layer containing these as a main component. In addition to the metal layer formed of one layer, a metal layer formed of two or more layers such as a Ni / Au layer in which an Au layer is formed on a Ni layer may be used. The insulating layer may be made of ceramic or resin. That is, the insulator may be a ceramic such as alumina, aluminum nitride, glass ceramic, low temperature fired ceramic,
It may be a resin such as an epoxy resin or a BT resin, or a composite material such as a glass-epoxy resin composite material or a ceramic-resin composite material.

【0011】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、を備える配線基板であって、上記フィルドビア
導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状
とされている配線基板である。
Another solution is a wiring board including an insulating layer having a via hole and a filled via conductor formed in the via hole, wherein the filled via conductor has a convex surface swelling. It is a wiring board having a shape having a projecting portion.

【0012】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子としてのフィルドビア導体を備える。そし
て、本発明では、このフィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。この
ような配線基板は、フィルドビア導体上にハンダを形成
するときに、フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんで
いるため、ハンダにボイドが生じにくい。従って、ハン
ダのクラック耐性を向上させることができる。よって、
接続端子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の
信頼性を向上させることができる。またさらに、フィル
ドビア導体の表面が膨らんでいることにより、ハンダと
の接合面積が増加するので、ハンダの接合強度を向上さ
せることができる。
This wiring board includes a filled via conductor as a connection terminal connected to an external terminal or the like. Further, in the present invention, the filled via conductor has a shape having a bulged portion whose surface bulges in a convex shape. In such a wiring board, when the solder is formed on the filled via conductor, the surface of the filled via conductor swells in a convex shape, and thus voids are less likely to occur in the solder. Therefore, the crack resistance of the solder can be improved. Therefore,
Electrical connection failure is unlikely to occur at the connection terminals, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the filled via conductor is swollen, the joint area with the solder is increased, so that the joint strength of the solder can be improved.

【0013】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記フィルドビア導体の表面に被着した金属層
と、上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備
える配線基板であって、上記フィルドビア導体は、その
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、上記
金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、その
表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板であ
る。
Another solution is to provide an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, a metal layer deposited on the surface of the filled via conductor, and a solder bump welded to the surface of the metal layer. And the filled via conductor is formed into a shape having a bulge portion in which the surface bulges in a convex shape, and the metal layer also follows the surface of the filled via conductor and has a convex surface. The wiring board has a bulging shape.

【0014】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、フィルドビア導体の表面に形成さ
れた金属層とこれに溶着したハンダバンプとを備える。
そして、本発明では、フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、また、その
表面に被着した金属層も、フィルドビア導体の表面に倣
って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされている。こ
のような配線基板は、その製造にあたり、金属層にハン
ダバンプを形成するときに、金属層の表面が凸状に膨ら
んでいるため、ハンダバンプにボイドが生じにくい。従
って、ハンダバンプのクラック耐性を向上させることが
できる。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じに
くく、配線基板の信頼性を向上させることができる。ま
たさらに、金属層の表面が膨らんでいることにより、ハ
ンダバンプとの接合面積が増加するので、ハンダバンプ
の接合強度を向上させることができる。
The wiring board includes a metal layer formed on the surface of the filled via conductor and a solder bump welded to the metal layer as a connection terminal connected to an external terminal or the like.
Then, in the present invention, the filled via conductor has a shape having a bulging portion in which the surface is bulged in a convex shape, and the metal layer adhered to the surface also follows the surface of the filled via conductor and its surface is It has a convex shape. In manufacturing such a wiring board, when forming the solder bumps on the metal layer, the surface of the metal layer swells in a convex shape, so that voids are less likely to occur in the solder bumps. Therefore, the crack resistance of the solder bump can be improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the connection terminal, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the metal layer is swollen, the joint area with the solder bump is increased, so that the joint strength of the solder bump can be improved.

【0015】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記フィルドビア導体の表面に溶着したハンダ
バンプと、を備える配線基板であって、上記フィルドビ
ア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形
状とされている配線基板である。
Another solution is a wiring board comprising an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, and a solder bump welded to the surface of the filled via conductor. Is a wiring board whose surface has a bulging portion that bulges in a convex shape.

【0016】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、フィルドビア導体の表面に溶着し
たハンダバンプを備える。そして、本発明では、フィル
ドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有す
る形状とされている。このような配線基板は、その製造
にあたり、フィルドビア導体上にハンダバンプを形成す
るときに、フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんでい
るため、ハンダバンプにボイドが生じにくい。従って、
ハンダバンプのクラック耐性を向上させることができ
る。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じにく
く、配線基板の信頼性を向上させることができる。また
さらに、フィルドビア導体の表面が膨らんでいることに
より、ハンダバンプとの接合面積が増加するので、ハン
ダバンプの接合強度を向上させることができる。
This wiring board is provided with solder bumps welded to the surface of the filled via conductor as connection terminals connected to external terminals and the like. Further, in the present invention, the filled via conductor has a shape having a bulging portion in which the surface thereof bulges in a convex shape. In manufacturing such a wiring board, when the solder bumps are formed on the filled via conductors, the surface of the filled via conductors bulges in a convex shape, so that voids are less likely to occur in the solder bumps. Therefore,
The crack resistance of the solder bump can be improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the connection terminal, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the filled via conductor is swollen, the joint area with the solder bump is increased, so that the joint strength of the solder bump can be improved.

【0017】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、上記開口内において上記フィ
ルドビア導体の表面に被着した金属層と、を備える配線
基板であって、上記フィルドビア導体は、上記開口内に
おいてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状と
され、上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣
って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線
基板である。
Another solution is that an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, and an insulating layer are laminated on the insulating layer, and at least a part of the filled via conductor is arranged inside thereof. A wiring board comprising: a solder resist layer having an opening; and a metal layer deposited on the surface of the filled via conductor in the opening, wherein the filled via conductor has a convex surface swelled in the opening. The wiring board is formed to have a bulge portion, and the metal layer is also a wiring board whose surface bulges in a convex shape following the surface of the filled via conductor.

【0018】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いてフィルドビア導体の表面に形成された金属層を備え
る。そして、本発明では、フィルドビア導体は、ソルダ
ーレジスト層の開口内においてその表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされ、また、その表面に被着し
た金属層も、フィルドビア導体の表面に倣って、その表
面が凸状に膨らんだ形状とされている。このような配線
基板は、金属層にハンダを形成するときに、金属層の表
面が凸状に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じに
くい。従って、ハンダのクラック耐性を向上させること
ができる。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じ
にくく、配線基板の信頼性を向上させることができる。
またさらに、金属層の表面が膨らんでいることにより、
ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合強度
を向上させることができる。
This wiring board has a metal layer formed on the surface of the filled via conductor in the opening of the solder resist layer as a connection terminal connected to an external terminal or the like. Then, in the present invention, the filled via conductor has a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape in the opening of the solder resist layer, and the metal layer adhered to the surface is also the surface of the filled via conductor. In accordance with the above, the surface has a convex shape. In such a wiring board, when the solder is formed on the metal layer, the surface of the metal layer bulges in a convex shape, and thus voids are less likely to occur in the solder. Therefore, the crack resistance of the solder can be improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the connection terminal, and the reliability of the wiring board can be improved.
Furthermore, because the surface of the metal layer is swollen,
Since the joint area with the solder increases, the joint strength of the solder can be improved.

【0019】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、上記開口内において上記フィ
ルドビア導体の表面に被着した金属層と、上記金属層の
表面に溶着したハンダバンプと、を備える配線基板であ
って、上記フィルドビア導体は、上記開口内においてそ
の表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、上
記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、そ
の表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板であ
る。
Another solution is that an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, and an insulating layer are laminated on the insulating layer, and at least a part of the filled via conductor is arranged inside thereof. A wiring board comprising a solder resist layer having an opening, a metal layer deposited on the surface of the filled via conductor in the opening, and a solder bump welded on the surface of the metal layer, wherein the filled via conductor is In the wiring board, the surface of which has a bulging portion that bulges in a convex shape in the opening, and the metal layer also has a shape in which the surface thereof bulges in a convex shape following the surface of the filled via conductor. is there.

【0020】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いてフィルドビア導体の表面に形成された金属層とこれ
に溶着したハンダバンプとを備える。そして、本発明で
は、フィルドビア導体は、ソルダーレジスト層の開口内
においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状
とされ、また、その表面に被着した金属層も、フィルド
ビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ形
状とされている。このような配線基板は、その製造にあ
たり、金属層にハンダバンプを形成するときに、金属層
の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプにボイ
ドが生じにくい。従って、ハンダバンプのクラック耐性
を向上させることができる。よって、接続端子に電気的
な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性を向上させ
ることができる。またさらに、金属層の表面が膨らんで
いることにより、ハンダバンプとの接合面積が増加する
ので、ハンダバンプの接合強度を向上させることができ
る。
This wiring board is provided with a metal layer formed on the surface of the filled via conductor in the opening of the solder resist layer and a solder bump welded to the metal layer as a connection terminal connected to an external terminal or the like. Then, in the present invention, the filled via conductor has a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape in the opening of the solder resist layer, and the metal layer adhered to the surface is also the surface of the filled via conductor. In accordance with the above, the surface has a convex shape. In manufacturing such a wiring board, when forming the solder bumps on the metal layer, the surface of the metal layer swells in a convex shape, so that voids are less likely to occur in the solder bumps. Therefore, the crack resistance of the solder bump can be improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the connection terminal, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the metal layer is swollen, the joint area with the solder bump is increased, so that the joint strength of the solder bump can be improved.

【0021】上記のいずれかに記載の配線基板であっ
て、前記金属層の表面は、前記ソルダーレジスト層の表
面よりも低位にある配線基板とすると良い。
In any one of the above wiring boards, the surface of the metal layer may be lower than the surface of the solder resist layer.

【0022】前述の通り、ハンダにボイドが生じるのを
抑制するためには、フィルドビア導体の表面を膨らま
せ、金属層の表面を膨らませるのがよい。しかし、金属
層の表面がソルダーレジスト層の表面を越えると、例え
ば、搭載するICチップやチップコンデンサ等の電子部
品の端子と接触するため、電子部品のマウント状態に悪
影響を及ぼすことがある。これに対し、本発明では、金
属層の表面がソルダーレジスト層の表面よりも低位であ
るので、電子部品等の端子を接続端子に接続したとき
に、電子部品等を良好な状態で搭載することができる。
一方、金属層の表面は膨らんでいるので、前述したよう
に、ハンダにボイドが生じるのを抑制することができ
る。
As described above, in order to suppress the occurrence of voids in the solder, it is preferable to swell the surface of the filled via conductor and the surface of the metal layer. However, when the surface of the metal layer exceeds the surface of the solder resist layer, it comes into contact with the terminals of electronic components such as IC chips and chip capacitors to be mounted, which may adversely affect the mounting state of the electronic components. On the other hand, in the present invention, the surface of the metal layer is lower than the surface of the solder resist layer. You can
On the other hand, since the surface of the metal layer is swollen, it is possible to suppress the occurrence of voids in the solder, as described above.

【0023】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、を備える配線基板であって、
上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線
基板である。
Another solution is that the insulating layer having a via hole, the filled via conductor formed in the via hole, and the insulating layer are laminated, and at least a part of the filled via conductor is arranged inside thereof. A wiring board comprising: a solder resist layer having an opening,
The filled via conductor is a wiring board having a shape in which the surface has a convex bulge in the opening.

【0024】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子としてのフィルドビア導体を備える。そし
て、本発明では、このフィルドビア導体は、ソルダーレ
ジスト層の開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされている。このような配線基板
は、フィルドビア導体上にハンダを形成するときに、フ
ィルドビア導体の表面が凸状に膨らんでいるため、ハン
ダにボイドが生じにくい。従って、ハンダのクラック耐
性を向上させることができる。よって、接続端子に電気
的な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性を向上さ
せることができる。またさらに、フィルドビア導体の表
面が膨らんでいることにより、ハンダとの接合面積が増
加するので、ハンダの接合強度を向上させることができ
る。
This wiring board has a filled via conductor as a connection terminal connected to an external terminal or the like. Further, in the present invention, the filled via conductor is formed in a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape in the opening of the solder resist layer. In such a wiring board, when the solder is formed on the filled via conductor, the surface of the filled via conductor swells in a convex shape, and thus voids are less likely to occur in the solder. Therefore, the crack resistance of the solder can be improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the connection terminal, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the filled via conductor is swollen, the joint area with the solder is increased, so that the joint strength of the solder can be improved.

【0025】また、他の解決手段は、ビアホールを有す
る絶縁層と、上記ビアホールに形成されたフィルドビア
導体と、上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導
体の少なくとも一部がその内側に配置された開口を有す
るソルダーレジスト層と、上記フィルドビア導体の表面
に溶着したハンダバンプと、を備える配線基板であっ
て、上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている
配線基板である。
Another solution is that an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, and an insulating layer are laminated on the insulating layer, and at least a part of the filled via conductor is arranged inside thereof. A wiring board comprising a solder resist layer having an opening and a solder bump welded to the surface of the filled via conductor, wherein the filled via conductor has a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape in the opening. This is a wiring board.

【0026】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、フィルドビア導体の表面に溶着し
たハンダバンプを備える。そして、本発明では、フィル
ドビア導体は、ソルダーレジスト層の開口内においてそ
の表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされてい
る。このような配線基板は、その製造にあたり、フィル
ドビア導体上にハンダバンプを形成するときに、フィル
ドビア導体の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバ
ンプにボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプのク
ラック耐性を向上させることができる。よって、接続端
子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性
を向上させることができる。またさらに、フィルドビア
導体の表面が膨らんでいることにより、ハンダバンプと
の接合面積が増加するので、ハンダバンプの接合強度を
向上させることができる。
This wiring board is provided with solder bumps welded to the surface of the filled via conductor as connection terminals connected to external terminals and the like. Further, in the present invention, the filled via conductor is formed in a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape in the opening of the solder resist layer. In manufacturing such a wiring board, when the solder bumps are formed on the filled via conductors, the surface of the filled via conductors bulges in a convex shape, so that voids are less likely to occur in the solder bumps. Therefore, the crack resistance of the solder bump can be improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the connection terminal, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the filled via conductor is swollen, the joint area with the solder bump is increased, so that the joint strength of the solder bump can be improved.

【0027】上記のいずれかに記載の配線基板であっ
て、前記フィルドビア導体の表面は、前記ソルダーレジ
スト層の表面よりも低位にある配線基板とすると良い。
In the wiring board according to any one of the above, it is preferable that the surface of the filled via conductor is lower than the surface of the solder resist layer.

【0028】本発明では、フィルドビア導体の表面がソ
ルダーレジスト層の表面よりも低位である。このため、
電子部品等の端子を接続端子に接続したときに、電子部
品等を良好な状態で搭載することができる。一方、フィ
ルドビア導体の表面は膨らんでいるので、前述したよう
に、ハンダにボイドが生じるのを抑制することができ
る。
In the present invention, the surface of the filled via conductor is lower than the surface of the solder resist layer. For this reason,
When the terminal of the electronic component or the like is connected to the connection terminal, the electronic component or the like can be mounted in a good state. On the other hand, since the surface of the filled via conductor is swollen, it is possible to suppress the occurrence of voids in the solder, as described above.

【0029】また、他の解決手段は、第1ビアホールと
第2ビアホールを有する絶縁層と、上記第1ビアホール
に形成された第1フィルドビア導体と、上記第2ビアホ
ールに形成された第2フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第1フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第2フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記開口内
において上記第1フィルドビア導体の表面に被着した金
属層と、を備える配線基板であって、上記第1フィルド
ビア導体は、上記開口内においてその表面が凸状に膨ら
んだ膨出部を有する形状とされ、上記金属層も、上記第
1フィルドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に
膨らんだ形状とされ、上記第2フィルドビア導体は、そ
の表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされてい
る配線基板である。
Another solution is an insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, and a second filled via conductor formed in the second via hole. And a solder resist layer which is laminated on the insulating layer and has an opening in which at least a part of the first filled via conductor is arranged, and which covers the second filled via conductor, and the first resist in the opening. A wiring board comprising: a metal layer deposited on the surface of a filled via conductor, wherein the first filled via conductor has a shape having a convex bulge on the surface in the opening, The layer also has a shape in which its surface bulges in a convex shape following the surface of the first filled via conductor, and the surface of the second filled via conductor bulges in a convex shape. A wiring substrate has a shape having a bulging portion I.

【0030】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いて第1フィルドビア導体の表面に形成された金属層を
備える。そして、本発明では、第1フィルドビア導体
は、ソルダーレジスト層の開口内においてその表面が凸
状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、また、その表
面に被着した金属層も、第1フィルドビア導体の表面に
倣って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされている。
このような配線基板は、金属層にハンダを形成するとき
に、金属層の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダに
ボイドが生じにくい。従って、ハンダのクラック耐性を
向上させることができる。よって、接続端子に電気的な
接続不良が生じにくく、配線基板の信頼性を向上させる
ことができる。またさらに、金属層の表面が膨らんでい
ることにより、ハンダとの接合面積が増加するので、ハ
ンダの接合強度を向上させることができる。
This wiring board includes a metal layer formed on the surface of the first filled via conductor in the opening of the solder resist layer as a connection terminal connected to an external terminal or the like. Further, in the present invention, the first filled via conductor has a shape having a bulging portion in which the surface is bulged in a convex shape in the opening of the solder resist layer, and the metal layer deposited on the surface is also the first Following the surface of the filled via conductor, the surface has a convex shape.
In such a wiring board, when the solder is formed on the metal layer, the surface of the metal layer bulges in a convex shape, and thus voids are less likely to occur in the solder. Therefore, the crack resistance of the solder can be improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the connection terminal, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the metal layer is swollen, the joint area with the solder is increased, so that the joint strength of the solder can be improved.

【0031】他方、この配線基板は、ソルダーレジスト
層の覆われた第2フィルドビア導体を備える。このよう
なビア導体を有する配線基板は、その製造にあたり、ソ
ルダーレジスト層を形成したとき、ビア導体上にボイド
が生じる可能性がある。ボイドが生じると、その部分か
らソルダーレジスト層が剥がれやすくなる。これに対
し、本発明では、第2フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。この
ため、ソルダーレジスト層を形成したときに、第2フィ
ルドビア導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基
板の信頼性を向上させることができる。
On the other hand, this wiring board has a second filled via conductor covered with a solder resist layer. A wiring board having such a via conductor may have a void on the via conductor when a solder resist layer is formed in manufacturing the wiring board. When a void is generated, the solder resist layer is easily peeled off from that portion. On the other hand, according to the present invention, the second filled via conductor has a shape in which the surface thereof has a convex bulge. Therefore, when the solder resist layer is formed, voids are unlikely to occur on the second filled via conductor. Therefore, the reliability of the wiring board can be improved.

【0032】また、他の解決手段は、第1ビアホールと
第2ビアホールを有する絶縁層と、上記第1ビアホール
に形成された第1フィルドビア導体と、上記第2ビアホ
ールに形成された第2フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第1フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第2フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記開口内
において上記第1フィルドビア導体の表面に被着した金
属層と、上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、
を備える配線基板であって、上記第1フィルドビア導体
は、上記開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出
部を有する形状とされ、上記金属層も、上記第1フィル
ドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ
形状とされ、上記第2フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線基
板である。
Another solution is an insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, and a second filled via conductor formed in the second via hole. And a solder resist layer which is laminated on the insulating layer and has an opening in which at least a part of the first filled via conductor is arranged, and which covers the second filled via conductor, and the first resist in the opening. A metal layer deposited on the surface of the filled via conductor, and a solder bump deposited on the surface of the metal layer,
A wiring board comprising: a first filled via conductor having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape in the opening; and the metal layer also follows the surface of the first filled via conductor. The surface of the second filled via conductor is bulged in a convex shape, and the second filled via conductor has a bulge in which the surface is bulged in a convex shape.

【0033】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、ソルダーレジスト層の開口内にお
いて第1フィルドビア導体の表面に形成された金属層と
これに溶着したハンダバンプとを備える。そして、本発
明では、第1フィルドビア導体は、ソルダーレジスト層
の開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有
する形状とされ、また、その表面に被着した金属層も、
第1フィルドビア導体の表面に倣って、その表面が凸状
に膨らんだ形状とされている。このような配線基板は、
その製造にあたり、金属層にハンダバンプを形成すると
きに、金属層の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダ
バンプにボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプの
クラック耐性を向上させることができる。よって、接続
端子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の信頼
性を向上させることができる。またさらに、金属層の表
面が膨らんでいることにより、ハンダバンプとの接合面
積が増加するので、ハンダバンプの接合強度を向上させ
ることができる。
This wiring board is provided with a metal layer formed on the surface of the first filled via conductor in the opening of the solder resist layer and a solder bump welded to the metal layer as a connection terminal connected to an external terminal or the like. Then, in the present invention, the first filled via conductor has a shape having a bulging portion whose surface is convexly bulged in the opening of the solder resist layer, and the metal layer adhered to the surface is also
Following the surface of the first filled via conductor, the surface has a convex shape. Such a wiring board
At the time of manufacturing, when forming the solder bump on the metal layer, since the surface of the metal layer is bulged in a convex shape, voids are less likely to occur in the solder bump. Therefore, the crack resistance of the solder bump can be improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the connection terminal, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the metal layer is swollen, the joint area with the solder bump is increased, so that the joint strength of the solder bump can be improved.

【0034】他方、本発明では、ソルダーレジスト層の
覆われた第2フィルドビア導体を備えるが、この第2フ
ィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされている。このため、その製造の際、ソ
ルダーレジスト層を形成したときに、第2フィルドビア
導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基板の信頼
性を向上させることができる。
On the other hand, in the present invention, the second filled via conductor covered with the solder resist layer is provided, and the second filled via conductor is formed in a shape having a bulged portion whose surface bulges in a convex shape. Therefore, when the solder resist layer is formed during manufacturing, voids are unlikely to occur on the second filled via conductor. Therefore, the reliability of the wiring board can be improved.

【0035】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記金属層の表面は、前記ソルダーレジスト
層の表面よりも低位にある配線基板とすると良い。
Further, in the wiring board according to any one of the above, it is preferable that the surface of the metal layer is lower than the surface of the solder resist layer.

【0036】本発明では、金属層の表面がソルダーレジ
スト層の表面よりも低位である。このため、電子部品等
の端子を接続端子に接続したときに、電子部品等を良好
な状態で搭載することができる。一方、金属層の表面は
膨らんでいるので、前述したように、ハンダにボイドが
生じるのを抑制することができる。
In the present invention, the surface of the metal layer is lower than the surface of the solder resist layer. Therefore, when the terminal of the electronic component or the like is connected to the connection terminal, the electronic component or the like can be mounted in a good state. On the other hand, since the surface of the metal layer is swollen, it is possible to suppress the occurrence of voids in the solder, as described above.

【0037】また、他の解決手段は、第1ビアホールと
第2ビアホールを有する絶縁層と、上記第1ビアホール
に形成された第1フィルドビア導体と、上記第2ビアホ
ールに形成された第2フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第1フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第2フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、を備える配
線基板であって、上記第1フィルドビア導体は、上記開
口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する
形状とされ、上記第2フィルドビア導体は、その表面が
凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線基
板である。
Another solution is to provide an insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, and a second filled via conductor formed in the second via hole. And a solder resist layer that is laminated on the insulating layer and has an opening in which at least a part of the first filled via conductor is arranged, and a solder resist layer that covers the second filled via conductor. The first filled via conductor has a shape in which the surface has a convex bulge in the opening, and the second filled via conductor has a shape in which the surface has a convex bulge. This is a wiring board.

【0038】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子としての第1フィルドビア導体を備える。
そして、本発明では、この第1フィルドビア導体は、ソ
ルダーレジスト層の開口内においてその表面が凸状に膨
らんだ膨出部を有する形状とされている。このような配
線基板は、第1フィルドビア導体上にハンダを形成する
ときに、第1フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんで
いるため、ハンダにボイドが生じにくい。従って、ハン
ダのクラック耐性を向上させることができる。よって、
接続端子に電気的な接続不良が生じにくく、配線基板の
信頼性を向上させることができる。またさらに、第1フ
ィルドビア導体の表面が膨らんでいることにより、ハン
ダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合強度を向
上させることができる。
This wiring board has a first filled via conductor as a connection terminal connected to an external terminal or the like.
Further, in the present invention, the first filled via conductor has a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape in the opening of the solder resist layer. In such a wiring board, when the solder is formed on the first filled via conductor, the surface of the first filled via conductor bulges in a convex shape, and thus voids are less likely to occur in the solder. Therefore, the crack resistance of the solder can be improved. Therefore,
Electrical connection failure is unlikely to occur at the connection terminals, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the first filled via conductor is swollen, the joint area with the solder is increased, so that the joint strength of the solder can be improved.

【0039】他方、本発明では、ソルダーレジスト層の
覆われた第2フィルドビア導体を備えるが、この第2フ
ィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされている。このため、その製造の際、ソ
ルダーレジスト層を形成したときに、第2フィルドビア
導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基板の信頼
性を向上させることができる。
On the other hand, according to the present invention, the second filled via conductor covered with the solder resist layer is provided, and the second filled via conductor has a shape in which the surface thereof has a convex bulge. Therefore, when the solder resist layer is formed during manufacturing, voids are unlikely to occur on the second filled via conductor. Therefore, the reliability of the wiring board can be improved.

【0040】また、他の解決手段は、第1ビアホールと
第2ビアホールを有する絶縁層と、上記第1ビアホール
に形成された第1フィルドビア導体と、上記第2ビアホ
ールに形成された第2フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第1フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第2フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記第1フ
ィルドビア導体の表面に溶着したハンダバンプと、を備
える配線基板であって、上記第1フィルドビア導体は、
上記開口内においてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされ、上記第2フィルドビア導体は、その
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている
配線基板である。
Another solution is to provide an insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, and a second filled via conductor formed in the second via hole. And a solder resist layer laminated on the insulating layer, having an opening in which at least a part of the first filled via conductor is arranged, and covering the second filled via conductor, and a surface of the first filled via conductor. And a solder bump welded to the wiring board, wherein the first filled via conductor is
The surface of the second filled via conductor is formed into a shape having a convex bulge in the opening, and the second filled via conductor is a wiring board having a surface having a convex bulge. .

【0041】この配線基板は、外部の端子などと接続さ
れる接続端子として、第1フィルドビア導体の表面に溶
着したハンダバンプを備える。そして、本発明では、第
1フィルドビア導体は、ソルダーレジスト層の開口内に
おいてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状と
されている。このような配線基板は、その製造にあた
り、第1フィルドビア導体上にハンダバンプを形成する
ときに、第1フィルドビア導体の表面が凸状に膨らんで
いるため、ハンダバンプにボイドが生じにくい。従っ
て、ハンダバンプのクラック耐性を向上させることがで
きる。よって、接続端子に電気的な接続不良が生じにく
く、配線基板の信頼性を向上させることができる。また
さらに、第1フィルドビア導体の表面が膨らんでいるこ
とにより、ハンダバンプとの接合面積が増加するので、
ハンダバンプの接合強度を向上させることができる。
This wiring board is provided with solder bumps welded to the surface of the first filled via conductor as connection terminals to be connected to external terminals and the like. Further, in the present invention, the first filled via conductor has a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape in the opening of the solder resist layer. In manufacturing such a wiring board, when the solder bump is formed on the first filled via conductor, the surface of the first filled via conductor bulges in a convex shape, and thus the void does not easily occur in the solder bump. Therefore, the crack resistance of the solder bump can be improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the connection terminal, and the reliability of the wiring board can be improved. Furthermore, since the surface of the first filled via conductor swells, the bonding area with the solder bump increases,
The bonding strength of the solder bump can be improved.

【0042】他方、本発明では、ソルダーレジスト層の
覆われた第2フィルドビア導体を備えるが、この第2フ
ィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出部を
有する形状とされている。このため、その製造の際、ソ
ルダーレジスト層を形成したときに、第2フィルドビア
導体上にボイドが生じにくい。従って、配線基板の信頼
性を向上させることができる。
On the other hand, in the present invention, the second filled via conductor covered with the solder resist layer is provided, and the second filled via conductor has a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape. Therefore, when the solder resist layer is formed during manufacturing, voids are unlikely to occur on the second filled via conductor. Therefore, the reliability of the wiring board can be improved.

【0043】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記第1フィルドビア導体の表面は、前記ソ
ルダーレジスト層の表面よりも低位にある配線基板とす
ると良い。
Further, in the wiring board according to any one of the above, it is preferable that the surface of the first filled via conductor is lower than the surface of the solder resist layer.

【0044】本発明では、第1フィルドビア導体の表面
がソルダーレジスト層の表面よりも低位である。このた
め、電子部品等の端子を接続端子に接続したときに、電
子部品等を良好な状態で搭載することができる。一方、
第1フィルドビア導体の表面は膨らんでいるので、前述
したように、ハンダにボイドが生じるのを抑制すること
ができる。
In the present invention, the surface of the first filled via conductor is lower than the surface of the solder resist layer. Therefore, when the terminal of the electronic component or the like is connected to the connection terminal, the electronic component or the like can be mounted in a good state. on the other hand,
Since the surface of the first filled via conductor is swollen, it is possible to suppress the occurrence of voids in the solder, as described above.

【0045】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記ソルダーレジスト層のうち、前記第2フ
ィルドビア導体の膨出部上に積層された部分の厚さは、
5μm以上である配線基板とすると良い。
Further, in the wiring board according to any one of the above, the thickness of the portion of the solder resist layer laminated on the bulging portion of the second filled via conductor is:
A wiring board having a thickness of 5 μm or more is preferable.

【0046】第2フィルドビア導体の表面を凸状に膨ら
ませると、第2フィルドビア導体上にボイドが生じるの
を防止することができる。しかし、この膨出部の高さが
高くなり、その上のソルダーレジスト層の厚みが薄くな
り過ぎると、配線基板の外観が損なわれる。これに対
し、本発明では、ソルダーレジスト層のうち、第2フィ
ルドビア導体の膨出部上に積層された部分の厚さは、5
μm以上であるので、第2フィルドビア導体上にボイド
が生じるのを防止することができる上、配線基板の外観
も良好とすることができる。
By bulging the surface of the second filled via conductor in a convex shape, it is possible to prevent the occurrence of voids on the second filled via conductor. However, if the height of the bulging portion becomes high and the thickness of the solder resist layer on the bulging portion becomes too thin, the appearance of the wiring board is impaired. On the other hand, in the present invention, the thickness of the portion of the solder resist layer laminated on the bulging portion of the second filled via conductor is 5
Since it is at least μm, it is possible to prevent the occurrence of voids on the second filled via conductor, and it is possible to improve the appearance of the wiring board.

【0047】さらに、上記のいずれかに記載の配線基板
であって、前記第2フィルドビア導体は、その表面全面
が粗化面である配線基板とすると良い。
Furthermore, in the wiring board according to any one of the above, it is preferable that the second filled via conductor has a roughened surface on the entire surface thereof.

【0048】第2フィルドビア導体の表面のうち凸状に
膨出した部分が粗化されていない場合には、この膨出部
からソルダーレジスト層が剥がれやすくなる。これに対
し、本発明では、膨出部を含め、第2フィルドビア導体
の表面全面が粗化面である。従って、第2フィルドビア
導体とソルダーレジスト層との密着強度を向上させるこ
とができる。
When the convex bulging portion of the surface of the second filled via conductor is not roughened, the solder resist layer is easily peeled from the bulging portion. On the other hand, in the present invention, the entire surface of the second filled via conductor including the bulging portion is a roughened surface. Therefore, the adhesion strength between the second filled via conductor and the solder resist layer can be improved.

【0049】さらに、上記の配線基板であって、前記ソ
ルダーレジスト層は、真空ラミネートにより形成されて
なり、前記第2フィルドビア導体の膨出部の高さは、1
5μm以下である配線基板とするのが好ましい。
Further, in the above wiring board, the solder resist layer is formed by vacuum lamination, and the height of the bulging portion of the second filled via conductor is 1
A wiring board having a thickness of 5 μm or less is preferable.

【0050】ソルダーレジスト層が真空ラミネートによ
り形成される場合には、第2フィルドビア導体の膨出部
の高さが高いと、搬送ローラや真空シールローラにより
膨出部が擦れて潰れ、粗化面の表面粗度が低下し、なめ
らかな面になる。このようになると、この膨出部からソ
ルダーレジスト層が剥がれやすくなる。これに対し、本
発明では、この膨出部の高さが15μm以下であるの
で、導体粗化後にソルダーレジスト層を形成したとき
に、真空シールローラ等により膨出部が多少潰れること
はあっても、その表面粗度はある程度維持される。従っ
て、第2フィルドビア導体とソルダーレジスト層との密
着強度を向上させ、配線基板の信頼性を向上させること
ができる。
When the solder resist layer is formed by vacuum laminating, if the height of the bulging portion of the second filled via conductor is high, the bulging portion is rubbed and crushed by the conveying roller or the vacuum seal roller, and the roughened surface is crushed. The surface roughness of is reduced, resulting in a smooth surface. In this case, the solder resist layer easily peels off from the bulging portion. On the other hand, in the present invention, since the height of the bulging portion is 15 μm or less, when the solder resist layer is formed after the conductor is roughened, the bulging portion may be crushed to some extent by a vacuum seal roller or the like. However, the surface roughness is maintained to some extent. Therefore, the adhesion strength between the second filled via conductor and the solder resist layer can be improved, and the reliability of the wiring board can be improved.

【0051】さらに、上記の配線基板であって、前記第
2フィルドビア導体の膨出部の高さは、5μm以下であ
る配線基板とするのが好ましい。
Furthermore, it is preferable that the above-mentioned wiring board is such that the height of the bulging portion of the second filled via conductor is 5 μm or less.

【0052】本発明によれば、第2フィルドビア導体の
膨出部の高さが5μm以下とさらに低いので、ソルダー
レジスト層を形成したときに、膨出部自体が潰れにくく
なり、その表面粗度が維持される。従って、第2フィル
ドビア導体とソルダーレジスト層との密着強度をさらに
向上させ、さらに配線基板の信頼性を向上させることが
できる。
According to the present invention, since the height of the bulging portion of the second filled via conductor is as low as 5 μm or less, the bulging portion itself is less likely to be crushed when the solder resist layer is formed, and the surface roughness thereof is reduced. Is maintained. Therefore, it is possible to further improve the adhesion strength between the second filled via conductor and the solder resist layer and further improve the reliability of the wiring board.

【0053】また、他の解決手段は、第1ビアホールと
第2ビアホールを有する絶縁層と、上記第1ビアホール
に形成された第1フィルドビア導体と、上記第2ビアホ
ールに形成された第2フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第1フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第2フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記開口内
において上記第1フィルドビア導体の表面に被着した金
属層と、上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、
を備え、上記第1フィルドビア導体は、上記開口内にお
いてその表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とさ
れ、上記金属層も、上記第1フィルドビア導体の表面に
倣って、その表面が凸状に膨らんだ形状とされ、上記第
2フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨出
部を有する形状とされている配線基板の製造方法であっ
て、電解メッキにより、上記膨出部を有する第1フィル
ドビア導体と上記膨出部を有する第2フィルドビア導体
とを同時に形成するフィルドビア形成工程であって、上
記膨出部の高さが15μm以下の上記第2フィルドビア
導体を形成するフィルドビア形成工程と、上記第2フィ
ルドビア導体の表面全面を粗化する粗化工程と、真空ラ
ミネートにより、前記絶縁層上に前記ソルダーレジスト
層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、を備える
配線基板の製造方法である。
Another solution is an insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, and a second filled via conductor formed in the second via hole. And a solder resist layer which is laminated on the insulating layer and has an opening in which at least a part of the first filled via conductor is arranged, and which covers the second filled via conductor, and the first resist in the opening. A metal layer deposited on the surface of the filled via conductor, and solder bumps deposited on the surface of the metal layer,
And the first filled via conductor has a shape having a bulge in which the surface bulges in a convex shape in the opening, and the surface of the metal layer also follows the surface of the first filled via conductor. A method of manufacturing a wiring board having a convex bulge, wherein the second filled via conductor has a convex bulge on the surface thereof, wherein the bulge is formed by electrolytic plating. A filled via forming step of simultaneously forming a first filled via conductor having a portion and a second filled via conductor having the bulged portion, wherein the height of the bulged portion is 15 μm or less and the filled via is formed. Forming step, roughening step of roughening the entire surface of the second filled via conductor, and vacuum laminating to form the solder resist layer on the insulating layer. And over the resist layer forming step, a method of manufacturing a wiring board comprising a.

【0054】前述したように、第2フィルドビア導体の
表面のうち凸状に膨出した部分が粗化されていない場合
には、この膨出部からソルダーレジスト層が剥がれやす
くなるので、第2フィルドビア導体の表面全面を粗化す
るのがよい。しかし、ソルダーレジスト層を真空ラミネ
ートにより形成する場合には、膨出部の高さが高いと、
搬送ローラや真空シールローラにより膨出部が擦れて潰
れ、粗化面の表面粗度が低下し、なめらかな面になる。
このようになると、この膨出部からソルダーレジスト層
が剥がれやすくなる。
As described above, if the convexly bulged portion of the surface of the second filled via conductor is not roughened, the solder resist layer is easily peeled off from the bulged portion. It is preferable to roughen the entire surface of the conductor. However, when the solder resist layer is formed by vacuum lamination, if the height of the bulging portion is high,
The bulging portion is rubbed and crushed by the transport roller and the vacuum seal roller, and the surface roughness of the roughened surface is reduced, resulting in a smooth surface.
In this case, the solder resist layer easily peels off from the bulging portion.

【0055】これに対し、本発明では、電解メッキによ
り、膨出部を有する第1フィルドビア導体と膨出部を有
する第2フィルドビア導体とを同時に形成するフィルド
ビア形成工程において、膨出部の高さが15μm以下の
第2フィルドビア導体を形成する。そして、第2フィル
ドビア導体の表面全面を粗化し、その後、真空ラミネー
トにより、絶縁層及び第2フィルドビア導体上にソルダ
ーレジスト層を形成する。このように第2フィルドビア
導体の膨出部の高さを15μm以下と抑えれば、導体の
粗化後、ソルダーレジスト層を形成したときに、膨出部
が多少潰れることはあっても、その表面粗度はある程度
維持される。従って、第2フィルドビア導体とソルダー
レジスト層との密着強度を向上させ、信頼性を向上させ
ることができる。
On the other hand, in the present invention, the height of the bulging portion is increased in the filled via forming step in which the first filled via conductor having the bulging portion and the second filled via conductor having the bulging portion are simultaneously formed by electrolytic plating. Form a second filled via conductor having a thickness of 15 μm or less. Then, the entire surface of the second filled via conductor is roughened, and then a solder resist layer is formed on the insulating layer and the second filled via conductor by vacuum lamination. If the height of the bulging portion of the second filled via conductor is suppressed to 15 μm or less, the bulging portion may be crushed to some extent when the solder resist layer is formed after the conductor is roughened. The surface roughness is maintained to some extent. Therefore, the adhesion strength between the second filled via conductor and the solder resist layer can be improved, and the reliability can be improved.

【0056】また、他の解決手段は、第1ビアホールと
第2ビアホールを有する絶縁層と、上記第1ビアホール
に形成された第1フィルドビア導体と、上記第2ビアホ
ールに形成された第2フィルドビア導体と、上記絶縁層
上に積層され、上記第1フィルドビア導体の少なくとも
一部がその内側に配置された開口を有し、上記第2フィ
ルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、上記第1フ
ィルドビア導体の表面に溶着したハンダバンプと、を備
え、上記第1フィルドビア導体は、上記開口内において
その表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、
上記第2フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板の製造方法
であって、電解メッキにより、上記膨出部を有する第1
フィルドビア導体と上記膨出部を有する第2フィルドビ
ア導体とを同時に形成するフィルドビア形成工程であっ
て、上記膨出部の高さが15μm以下の上記第2フィル
ドビア導体を形成するフィルドビア形成工程と、上記第
2フィルドビア導体の表面全面を粗化する粗化工程と、
真空ラミネートにより、上記絶縁層上に上記ソルダーレ
ジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、を
備える配線基板の製造方法である。
Another solution is to provide an insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, and a second filled via conductor formed in the second via hole. And a solder resist layer laminated on the insulating layer, having an opening in which at least a part of the first filled via conductor is arranged, and covering the second filled via conductor, and a surface of the first filled via conductor. And a solder bump welded to
The second filled via conductor is a method of manufacturing a wiring board in which the surface has a bulging portion that bulges in a convex shape, and the first filled via conductor has the bulging portion by electrolytic plating.
A filled via forming step of simultaneously forming a filled via conductor and a second filled via conductor having the bulged portion, the filled via forming step of forming the second filled via conductor having a height of the bulged portion of 15 μm or less; A roughening step of roughening the entire surface of the second filled via conductor;
And a solder resist layer forming step of forming the solder resist layer on the insulating layer by vacuum lamination.

【0057】本発明では、電解メッキにより、膨出部を
有する第1フィルドビア導体と膨出部を有する第2フィ
ルドビア導体とを同時に形成するフィルドビア形成工程
において、膨出部の高さが15μm以下の第2フィルド
ビア導体を形成する。そして、第2フィルドビア導体の
表面全面を粗化し、その後、真空ラミネートにより、絶
縁層及び第2フィルドビア導体上にソルダーレジスト層
を形成する。このように第2フィルドビア導体の膨出部
の高さを15μm以下と抑えれば、導体の粗化後、ソル
ダーレジスト層を形成したときに、膨出部が多少潰れる
ことはあっても、その表面粗度はある程度維持される。
従って、第2フィルドビア導体とソルダーレジスト層と
の密着強度を向上させ、信頼性を向上させることができ
る。
In the present invention, the height of the bulging portion is 15 μm or less in the filled via forming step in which the first filled via conductor having the bulging portion and the second filled via conductor having the bulging portion are simultaneously formed by electrolytic plating. A second filled via conductor is formed. Then, the entire surface of the second filled via conductor is roughened, and then a solder resist layer is formed on the insulating layer and the second filled via conductor by vacuum lamination. If the height of the bulging portion of the second filled via conductor is suppressed to 15 μm or less, the bulging portion may be crushed to some extent when the solder resist layer is formed after the conductor is roughened. The surface roughness is maintained to some extent.
Therefore, the adhesion strength between the second filled via conductor and the solder resist layer can be improved, and the reliability can be improved.

【0058】さらに、上記の配線基板の製造方法であっ
て、前記フィルドビア形成工程において、前記膨出部の
高さが5μm以下の前記第2フィルドビア導体を形成す
る配線基板の製造方法とすると良い。
Further, it is preferable that in the method of manufacturing a wiring board described above, in the filled via forming step, the second filled via conductor having a height of the bulging portion of 5 μm or less is formed.

【0059】本発明によれば、第2フィルドビア導体の
膨出部の高さを5μm以下とさらに低くしている。この
ようにすれば、ソルダーレジスト層を形成したときに、
膨出部自体が潰れにくくなり、その表面粗度が維持され
る。従って、第2フィルドビア導体とソルダーレジスト
層との密着強度をさらに向上させ、さらに信頼性を向上
させることができる。
According to the present invention, the height of the bulging portion of the second filled via conductor is further reduced to 5 μm or less. By doing this, when the solder resist layer is formed,
The bulging portion itself is less likely to be crushed and its surface roughness is maintained. Therefore, it is possible to further improve the adhesion strength between the second filled via conductor and the solder resist layer and further improve the reliability.

【0060】[0060]

【発明の実施の形態】(実施形態1)以下、本発明の実
施の形態を、図面を参照しつつ説明する。本実施形態の
配線基板101について、図1に部分断面図を示す。ま
た、図2に主面側接続端子135近傍の部分拡大断面図
を、図3に主面側第2絶縁層124の第2フィルドビア
導体130近傍の部分拡大断面図を、図4に裏面側接続
端子155近傍の部分拡大断面図を示す。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION (Embodiment 1) Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 shows a partial cross-sectional view of the wiring board 101 of the present embodiment. Further, FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view near the main surface side connection terminal 135, FIG. 3 is a partially enlarged cross sectional view near the second filled via conductor 130 of the main surface side second insulating layer 124, and FIG. The partial expanded sectional view of the terminal 155 vicinity is shown.

【0061】この配線基板101は、図1中に破線で示
すICチップICが搭載される基板主面102と、図示
しないマザーボードに接続される基板裏面103とを有
する略矩形の略板形状である。配線基板101は、その
中心にガラス−エポキシ樹脂からなる厚さ約800μm
のコア基板111を備える。このコア基板111のコア
主面112上には、エポキシ樹脂等からなる厚さ約35
μmの主面側第1絶縁層121が積層され、その上に
は、同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約35μmの主
面側第2絶縁層124が積層され、さらにその上には、
同じくエポキシ樹脂等からなる厚さ約25μmの主面側
ソルダーレジスト層133が積層されている。また同様
に、コア基板111のコア裏面113上には、エポキシ
樹脂等からなる厚さ約35μmの裏面側第1絶縁層14
1が積層され、その上には、同じくエポキシ樹脂等から
なる厚さ約35μmの裏面側第2絶縁層144が積層さ
れ、さらにその上には、同じくエポキシ樹脂等からなる
厚さ約25μmの裏面側ソルダーレジスト層153が積
層されている。
The wiring board 101 has a substantially rectangular plate shape having a substrate main surface 102 on which an IC chip IC indicated by a broken line in FIG. 1 is mounted and a substrate back surface 103 connected to a mother board (not shown). . The wiring board 101 is made of glass-epoxy resin and has a thickness of about 800 μm at its center.
Core substrate 111. The core main surface 112 of the core substrate 111 has a thickness of about 35 made of epoxy resin or the like.
A main surface side first insulating layer 121 having a thickness of μm is stacked, and a main surface side second insulating layer 124 having a thickness of about 35 μm, which is also made of an epoxy resin or the like, is stacked on the main surface side first insulating layer 121.
Similarly, a main surface side solder resist layer 133 having a thickness of about 25 μm and made of epoxy resin or the like is laminated. Similarly, on the core back surface 113 of the core substrate 111, a back surface side first insulating layer 14 made of epoxy resin or the like and having a thickness of about 35 μm is formed.
1 is laminated, and a back side second insulating layer 144 having a thickness of about 35 μm and also made of an epoxy resin or the like is laminated thereon. The side solder resist layer 153 is laminated.

【0062】主面側第1絶縁層121の表面及び主面側
第2絶縁層124の表面、並びに、裏面側第1絶縁層1
41の表面及び裏面側第2絶縁層144の表面は、それ
ぞれ表面粗さRa=約0.5μmの粗化面とされている
(図2〜図4参照)。絶縁層同士の密着性や絶縁層とソ
ルダーレジスト層との密着性、また、絶縁層と後述する
導体層等との密着性を向上させるためである。
The surface of the main surface side first insulating layer 121, the surface of the main surface side second insulating layer 124, and the back surface side first insulating layer 1
The surface of 41 and the surface of the back surface side second insulating layer 144 are roughened surfaces each having a surface roughness Ra of about 0.5 μm (see FIGS. 2 to 4). This is for improving the adhesion between the insulating layers, the adhesion between the insulating layer and the solder resist layer, and the adhesion between the insulating layer and a conductor layer described later.

【0063】コア基板111には、これを貫通する直径
約350μmの多数のスルーホール115が所定の位置
に形成され、その内周面には、Cuからなる略筒状の厚
さ約20μmのスルーホール導体116がそれぞれ形成
されている。各スルーホール導体116内には、エポキ
シ樹脂等からなる略円柱形状の樹脂充填体117がそれ
ぞれ形成されている。
A large number of through holes 115 having a diameter of about 350 μm are formed through the core substrate 111 at predetermined positions, and the inner peripheral surface of the through holes 115 is made of Cu and has a thickness of about 20 μm. The hole conductors 116 are formed respectively. In each through-hole conductor 116, a substantially columnar resin filling body 117 made of epoxy resin or the like is formed.

【0064】主面側第1絶縁層121には、これを貫通
する開口径約65μmの多数のビアホール122が所定
の位置に形成され、その内部及びその上には、Cuから
なるフィルドビア導体123がそれぞれ形成されてい
る。具体的には、各々のフィルドビア導体123は、ビ
アホール122内に形成された略円錐台状の円錐台部
と、その上に形成された直径約125μm、厚さ約1
4.5μmの円盤状の円盤部とを有する。さらに、円盤
部の中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径が約55μ
m、高さが約5μmの膨出部を有する。つまり、このフ
ィルドビア導体123は、表面が凸状に膨らんだ膨出部
を有する形状とされている。また、フィルドビア導体1
23の表面全面は、主面側第2絶縁層127との密着性
を向上させるため、表面粗さRa=約0.5μmの粗化
面とされている。
A large number of via holes 122 having an opening diameter of about 65 μm are formed through the main surface side first insulating layer 121 at predetermined positions, and a filled via conductor 123 made of Cu is formed inside and on the via holes 122. Each is formed. Specifically, each of the filled via conductors 123 has a substantially truncated cone-shaped truncated cone portion formed in the via hole 122, and a diameter of about 125 μm and a thickness of about 1 μm formed thereon.
And a disc-shaped disc portion of 4.5 μm. Furthermore, on the center of the disc, it bulges convexly and the diameter of the bottom surface is about 55μ.
m, and the height is about 5 μm. That is, the filled via conductor 123 has a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape. Also, filled via conductor 1
The entire surface of 23 is a roughened surface having a surface roughness Ra of about 0.5 μm in order to improve the adhesion with the main surface side second insulating layer 127.

【0065】また、図1〜図3に示すように、主面側第
2絶縁層124にも、これを貫通する開口径約65μm
の多数のビアホール125が所定の位置に形成され、そ
の内部及びその上には、Cuからなるフィルドビア導体
128がそれぞれ形成されている。具体的には、ビアホ
ール125は、ICチップICを搭載する領域下に配置
された第1ビアホール126と、それ以外の領域下に配
置された第2ビアホール127に分類することができ
る。第1ビアホール126には第1フィルドビア導体1
29が、第2ビアホール127には第2フィルドビア導
体130が形成されている。第1フィルドビア導体12
9も第2フィルドビア導体130も、第1ビアホール1
26または第2ビアホール127内に形成された略円錐
台状の円錐台部129P,130Pと、その上に形成さ
れた直径約125μm、厚さ約14.5μmの円盤状の
円盤部129Q,130Qとを有する(図2及び図3参
照)。さらに、円盤部129Q,130Qの中央上に
は、凸状に膨らみ、底面の直径が約55μm、高さが約
5μmの膨出部129R,130Rを有する。つまり、
これら第1,第2フィルドビア導体129,130は、
表面が凸状に膨らんだ膨出部129R,130Rを有す
る形状とされている。また、第1,第2フィルドビア導
体129,130の表面全面は、主面側ソルダーレジス
ト層133との密着性を向上させるため、表面粗さRa
=約0.5μmの粗化面とされている。
Further, as shown in FIGS. 1 to 3, the main surface side second insulating layer 124 also has an opening diameter of about 65 μm penetrating therethrough.
A large number of via holes 125 are formed at predetermined positions, and filled via conductors 128 made of Cu are formed inside and on the via holes 125, respectively. Specifically, the via hole 125 can be classified into a first via hole 126 arranged under the region where the IC chip IC is mounted and a second via hole 127 arranged under the other region. The first filled via conductor 1 is provided in the first via hole 126.
29, a second filled via conductor 130 is formed in the second via hole 127. First filled via conductor 12
9 and the second filled via conductor 130, the first via hole 1
26 or substantially circular truncated cone-shaped truncated cone portions 129P and 130P formed in the second via hole 127, and disk-shaped disc portions 129Q and 130Q having a diameter of approximately 125 μm and a thickness of approximately 14.5 μm formed thereon. (See FIGS. 2 and 3). Further, on the centers of the disk portions 129Q and 130Q, there are bulged portions 129R and 130R that bulge in a convex shape and have a bottom diameter of approximately 55 μm and a height of approximately 5 μm. That is,
These first and second filled via conductors 129 and 130 are
The surface is formed to have bulging portions 129R and 130R bulging in a convex shape. In addition, the entire surface of the first and second filled via conductors 129 and 130 has surface roughness Ra in order to improve adhesion with the main surface side solder resist layer 133.
= About 0.5 μm roughened surface.

【0066】主面側ソルダーレジスト層133には、図
1及び図2に示すように、これを貫通する直径約60μ
mの多数の主面側開口134がICチップICを搭載す
る領域に平面視略格子状に形成されている。これら主面
側開口134の内側には、主面側第2絶縁層124に形
成された第1フィルドビア導体129の中央部、具体的
には、第1フィルドビア導体129の膨出部129Rが
位置している。そして、各主面側開口134には、第1
フィルドビア導体129に接続し、他方で搭載するIC
チップICの端子と接続される主面側接続端子135が
それぞれ形成されている。これらの主面側接続端子13
5は、主面側開口134内において第1フィルドビア導
体129の表面に被着した厚さ約7μmの主面側Niメ
ッキ層136と、この主面側Niメッキ層136の表面
に溶着し、主面側ソルダーレジスト層133の表面を越
えて突出するハンダバンプ138とからなる。
As shown in FIGS. 1 and 2, the main surface side solder resist layer 133 has a diameter of about 60 μ which penetrates it.
A large number of main surface side openings 134 of m are formed in a substantially lattice shape in a plan view in a region where the IC chip IC is mounted. Inside the main surface side opening 134, the central portion of the first filled via conductor 129 formed in the main surface side second insulating layer 124, specifically, the bulging portion 129R of the first filled via conductor 129 is located. ing. Then, in each main surface side opening 134, the first
IC connected to field via conductor 129 and mounted on the other side
Main surface side connection terminals 135 connected to the terminals of the chip IC are respectively formed. These main surface side connection terminals 13
5 is a main surface side Ni plating layer 136 having a thickness of about 7 μm deposited on the surface of the first filled via conductor 129 in the main surface side opening 134, and is welded to the surface of the main surface side Ni plating layer 136. The solder bumps 138 project beyond the surface of the surface-side solder resist layer 133.

【0067】このうち主面側Niメッキ層136は、ほ
ぼ均一な厚さ(約7μm)であるので、第1フィルドビ
ア導体129の表面に倣って、その表面が凸状に膨らん
だ形状とされている。また、主面側開口134の深さ
(主面側ソルダーレジスト層133の厚さ)は約25μ
mであるところ、第1フィルドビア導体129の膨出部
129Rの高さが約5μmであり、主面側Niメッキ層
136の厚さが約7μmであるから、主面側Niメッキ
層136の表面は、主面側開口134の底面から約12
μmの高さにある。従って、主面側Niメッキ層136
の表面は、主面側ソルダーレジスト層133の表面より
も低位にある。一方、主面側第2絶縁層124に形成さ
れた第2フィルドビア導体130は、その表面全面がこ
の主面側ソルダーレジスト層133に覆われている(図
1及び図3参照)。主面側ソルダーレジスト層133の
うち、第2フィルドビア導体130の膨出部130R上
に積層された部分の厚さは、約5.5μmである。
Of these, since the main surface side Ni plating layer 136 has a substantially uniform thickness (about 7 μm), the surface thereof is made to be convex so as to follow the surface of the first filled via conductor 129. There is. The depth of the main surface side opening 134 (the thickness of the main surface side solder resist layer 133) is about 25 μm.
Since the height of the bulging portion 129R of the first filled via conductor 129 is about 5 μm and the thickness of the main surface side Ni plating layer 136 is about 7 μm, the surface of the main surface side Ni plating layer 136 is Is about 12 from the bottom surface of the main surface side opening 134.
It is at a height of μm. Therefore, the Ni plating layer 136 on the main surface side
Surface is lower than the surface of the main surface side solder resist layer 133. On the other hand, the entire surface of the second filled via conductor 130 formed on the main surface side second insulating layer 124 is covered with the main surface side solder resist layer 133 (see FIGS. 1 and 3). The thickness of the portion of the main surface side solder resist layer 133 that is stacked on the bulging portion 130R of the second filled via conductor 130 is approximately 5.5 μm.

【0068】図1に示すように、裏面側第1絶縁層14
1にも、これを貫通する開口径約65μmの多数のビア
ホール142が所定の位置に形成され、その内部及びそ
の上には、Cuからなるフィルドビア導体143がそれ
ぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビア
導体143は、フィルドビア導体123,128と同様
に、円錐台部と円盤部と膨出部とからなり、表面が凸状
に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。また、そ
の表面全面は、裏面側第2絶縁層144との密着性を向
上させるため、粗化面とされている。
As shown in FIG. 1, the back side first insulating layer 14
1, a number of via holes 142 having an opening diameter of about 65 μm are formed at predetermined positions, and filled via conductors 143 made of Cu are formed inside and on the via holes 142. Specifically, each of the filled via conductors 143, like the filled via conductors 123 and 128, includes a truncated cone portion, a disk portion, and a bulging portion, and has a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape. ing. In addition, the entire front surface is a roughened surface in order to improve the adhesion with the second back insulating layer 144.

【0069】また、図1及び図4に示すように、裏面側
第2絶縁層144にも、これを貫通する開口径約65μ
mの多数のビアホール145が所定の位置に形成され、
その内部及びその上には、Cuからなるフィルドビア導
体148がそれぞれ形成されている。具体的には、各々
のフィルドビア導体148は、フィルドビア導体12
3,128,143と同様に、ビアホール145内に形
成された略円錐台状の円錐台部148Pと、その上に形
成された直径約800μm、厚さ約14.5μmの円盤
状の円盤部148Qと、その中央上に凸状に膨らみ、底
面の直径が約55μm、高さが約5μmの膨出部148
Rとからなる(図4参照)。従って、このフィルドビア
導体148も、表面が凸状に膨らんだ膨出部148Rを
有する形状とされている。また、フィルドビア導体14
8の表面全面は、裏面側ソルダーレジスト層153との
密着性を向上させるため、表面粗さRa=約0.5μm
の粗化面とされている。
Further, as shown in FIGS. 1 and 4, the back side second insulating layer 144 also has an opening diameter of about 65 μ which penetrates the second back side insulating layer 144.
a large number of m via holes 145 are formed at predetermined positions,
Filled via conductors 148 made of Cu are formed in and on the inside of the conductors. Specifically, each of the filled via conductors 148 corresponds to each of the filled via conductors 12.
Similar to 3,128,143, a substantially truncated cone-shaped truncated cone portion 148P formed in the via hole 145 and a disk-shaped disc portion 148Q having a diameter of about 800 μm and a thickness of about 14.5 μm formed thereon. And a bulging portion 148 that bulges convexly above the center and has a bottom surface diameter of approximately 55 μm and a height of approximately 5 μm.
And R (see FIG. 4). Therefore, the filled via conductor 148 also has a shape having a bulged portion 148R whose surface bulges in a convex shape. In addition, the filled via conductor 14
In order to improve the adhesion with the back side solder resist layer 153, the entire surface of No. 8 has a surface roughness Ra of about 0.5 μm.
It is said to be a roughened surface.

【0070】裏面側ソルダーレジスト層153には、こ
れを貫通する直径約650μmの多数の裏面側開口15
4が平面視略格子状に形成されている(図1及び図4参
照)。これら裏面側開口154の内側には、裏面側第2
絶縁層144に形成されたフィルドビア導体148の中
央部、具体的には、フィルドビア導体148の膨出部1
48Rと円盤部148Qの一部が位置している。そし
て、各裏面側開口154には、フィルドビア導体148
と接続し、他方でマザーボードの端子と接続される裏面
側接続端子155がそれぞれ形成されている。これらの
裏面側接続端子155は、裏面側開口154内において
フィルドビア導体148の表面に被着した厚さ約7μm
の裏面側Niメッキ層156と、この裏面側Niメッキ
層156の表面に被着した厚さ約0.05μmの裏面側
Auメッキ層157とからなる。
The rear surface side solder resist layer 153 has a large number of rear surface side openings 15 having a diameter of about 650 μm and penetrating therethrough.
4 are formed in a substantially lattice shape in a plan view (see FIGS. 1 and 4). Inside these rear surface side openings 154, the rear surface side second
The central portion of the filled via conductor 148 formed in the insulating layer 144, specifically, the bulging portion 1 of the filled via conductor 148.
48R and a part of the disk portion 148Q are located. Then, the filled via conductor 148 is provided in each back surface side opening 154.
And rear surface side connection terminals 155 which are connected to the terminals of the motherboard on the other side. These back side connection terminals 155 have a thickness of about 7 μm deposited on the surface of the filled via conductor 148 in the back side opening 154.
The back side Ni plating layer 156 and the back side Au plating layer 157 having a thickness of about 0.05 μm deposited on the surface of the back side Ni plating layer 156.

【0071】このうち裏面側Niメッキ層156は、ほ
ぼ均一な厚さ(約7μm)であるので、フィルドビア導
体148の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ形
状とされている。また、裏面側開口154の深さ(裏面
側ソルダーレジスト層153の厚さ)は約25μmであ
るところ、フィルドビア導体148の膨出部148Rの
高さが約5μmであり、裏面側Niメッキ層156の厚
さが約7μm、裏面側Auメッキ層157の厚さが約
0.05μmであるから、金属層の表面(裏面側Auメ
ッキ層156の表面)は、裏面側開口154の底面から
約12μmの高さにある。従って、金属層の表面は、裏
面ソルダーレジスト層153の表面よりも低位にある。
Of these, since the back surface side Ni plating layer 156 has a substantially uniform thickness (about 7 μm), the surface thereof is convexly bulged following the surface of the filled via conductor 148. The depth of the back surface side opening 154 (the thickness of the back surface side solder resist layer 153) is about 25 μm, the height of the bulging portion 148R of the filled via conductor 148 is about 5 μm, and the back surface side Ni plating layer 156 is formed. Is about 7 μm and the thickness of the back side Au plating layer 157 is about 0.05 μm, the surface of the metal layer (the surface of the back side Au plating layer 156) is about 12 μm from the bottom surface of the back side opening 154. At the height of. Therefore, the surface of the metal layer is lower than the surface of the backside solder resist layer 153.

【0072】コア基板111と主面側第1絶縁層121
との層間には、図1に示すように、Cuからなる厚さ約
35μmの主面側第1導体層161が形成されている。
この主面側第1導体層161は、電源電位とされる電源
プレーン層であり、略ベタ状に形成されている。主面側
第1導体層161は、コア基板111のスルーホール導
体116の一部及び主面側第1絶縁層121のフィルド
ビア導体123の一部と接続している。また、主面側第
1絶縁層121と主面側第2絶縁層124との層間に
は、Cuからなる厚さ約14.5μmの主面側第2導体
層163が形成されている。この主面側第2導体層16
3は、配線等を有する所定パターンの配線層である。主
面側第2導体層163は、主面側第1絶縁層121のフ
ィルドビア導体123及び主面側第2絶縁層124のフ
ィルドビア導体128と接続している。また、主面側第
2絶縁層124と主面側ソルダーレジスト層133との
層間には、Cuからなる厚さ約14.5μmの主面側第
3導体層165が形成されている。この主面側第3導体
層165は、配線等を一部に有する所定パターンの導体
層である。主面側第3導体層165は、主面側第2絶縁
層124のフィルドビア導体128及び主面側接続端子
135と接続している。
Core substrate 111 and main surface side first insulating layer 121
As shown in FIG. 1, a main surface side first conductor layer 161 made of Cu and having a thickness of about 35 μm is formed between the layers and.
The main surface side first conductor layer 161 is a power plane layer that is at a power potential and is formed in a substantially solid shape. The main surface side first conductor layer 161 is connected to a part of the through-hole conductor 116 of the core substrate 111 and a part of the filled via conductor 123 of the main surface side first insulating layer 121. Further, between the main surface side first insulating layer 121 and the main surface side second insulating layer 124, a main surface side second conductor layer 163 of Cu having a thickness of about 14.5 μm is formed. This main surface side second conductor layer 16
Reference numeral 3 is a wiring layer having a predetermined pattern including wiring and the like. The main surface side second conductor layer 163 is connected to the filled via conductor 123 of the main surface side first insulating layer 121 and the filled via conductor 128 of the main surface side second insulating layer 124. Further, between the main surface side second insulating layer 124 and the main surface side solder resist layer 133, a main surface side third conductor layer 165 of Cu having a thickness of about 14.5 μm is formed. The main surface side third conductor layer 165 is a conductor layer having a predetermined pattern that partially includes wiring and the like. The main surface side third conductor layer 165 is connected to the filled via conductor 128 of the main surface side second insulating layer 124 and the main surface side connection terminal 135.

【0073】他方、コア基板111と裏面側第1絶縁層
141との層間には、Cuからなる厚さ約35μmの裏
面側第1導体層171が形成されている。この裏面側第
1導体層171は、接地電位とされる接地プレーン層で
あり、略ベタ状に形成されている。裏面側第1導体層1
71は、コア基板111のスルーホール導体116の一
部及び裏面側第1絶縁層141のフィルドビア導体14
3の一部と接続している。また、裏面側第1絶縁層14
1と裏面側第2絶縁層144との層間には、Cuからな
る厚さ約14.5μmの裏面側第2導体層173が形成
されている。この裏面側第2導体層173は、配線等を
有する所定パターンの配線層であり、裏面側第1絶縁層
141のフィルドビア導体143及び裏面側第2絶縁層
144のフィルドビア導体148と接続している。ま
た、裏面側第2絶縁層144と裏面側ソルダーレジスト
層153との層間には、Cuからなる厚さ約14.5μ
mの裏面側第3導体層175が形成されている。この裏
面側第3導体層175は、配線等を一部に有する所定パ
ターンの導体層であり、裏面側第2絶縁層144のフィ
ルドビア導体148及び裏面側接続端子155と接続し
ている。
On the other hand, between the core substrate 111 and the backside first insulating layer 141, a backside first conductor layer 171 having a thickness of about 35 μm and made of Cu is formed. The back surface side first conductor layer 171 is a ground plane layer that is at a ground potential and is formed in a substantially solid shape. Back side first conductor layer 1
Reference numeral 71 denotes a part of the through-hole conductor 116 of the core substrate 111 and the filled via conductor 14 of the back-side first insulating layer 141.
It is connected to part of 3. In addition, the back side first insulating layer 14
A backside second conductor layer 173 having a thickness of about 14.5 μm and made of Cu is formed between the layer 1 and the backside second insulating layer 144. The back surface side second conductor layer 173 is a wiring layer having a predetermined pattern including wiring, and is connected to the filled via conductor 143 of the back surface side first insulating layer 141 and the filled via conductor 148 of the back surface side second insulating layer 144. . In addition, a thickness of about 14.5 μm made of Cu is provided between the back side second insulating layer 144 and the back side solder resist layer 153.
A third conductor layer 175 on the back side of m is formed. The back surface side third conductor layer 175 is a conductor layer having a predetermined pattern partially including wiring and the like, and is connected to the filled via conductor 148 and the back surface side connection terminal 155 of the back surface side second insulating layer 144.

【0074】このような配線基板101は、その製造に
あたり、主面側Niメッキ層136にハンダバンプ13
8を形成するときに、主面側Niメッキ層136の表面
が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプ138にボイ
ドが生じにくい。従って、配線基板101に熱ストレス
が掛かったときなどにも、応力がボイド部分に局所的に
集中することがなくなるので、ハンダバンプ138のク
ラック耐性が向上する。よって、主面側接続端子135
に電気的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させる
ことができる。さらに、主面側Niメッキ層136の表
面が膨らんでいることにより、ハンダバンプ138との
接合面積が増加するので、ハンダバンプ138の接合強
度を向上させることができる。
In manufacturing the wiring board 101 as described above, the solder bumps 13 are formed on the Ni plating layer 136 on the main surface side.
Since the surface of the Ni plating layer 136 on the main surface side is convexly bulged when forming No. 8, voids are less likely to occur in the solder bump 138. Therefore, even when thermal stress is applied to the wiring board 101, the stress is not locally concentrated on the void portion, so that the crack resistance of the solder bump 138 is improved. Therefore, the main surface side connection terminal 135
The electrical connection failure is unlikely to occur, and the reliability can be improved. Furthermore, since the surface of the Ni plating layer 136 on the main surface side swells, the bonding area with the solder bump 138 increases, so that the bonding strength of the solder bump 138 can be improved.

【0075】また、この配線基板101をマザーボード
に接続するにあたり、裏面側Niメッキ層156にハン
ダを付けるときに、裏面側Niメッキ層156の表面が
凸状に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じにく
い。従って、配線基板101に熱ストレスが掛かったと
きなどにも、応力がボイド部分に局所的に集中すること
がなくなるので、ハンダのクラック耐性が向上する。よ
って、裏面側接続端子155に電気的な接続不良が生じ
にくく、信頼性を向上させることができる。さらに、裏
面側Niメッキ層156の表面が膨らんでいることによ
り、ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合
強度を向上させることができる。
When connecting the wiring board 101 to the mother board, when solder is applied to the back side Ni plating layer 156, the surface of the back side Ni plating layer 156 bulges in a convex shape, so that a void is formed in the solder. Unlikely to occur. Therefore, even when thermal stress is applied to the wiring board 101, the stress is not locally concentrated on the void portion, and the crack resistance of the solder is improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the back surface side connection terminal 155, and reliability can be improved. Further, since the surface of the back Ni plating layer 156 is swollen, the joint area with the solder is increased, so that the joint strength of the solder can be improved.

【0076】さらに、本実施形態では、主面側Niメッ
キ層136の表面(金属層の表面)が主面側ソルダーレ
ジスト層133の表面よりも低位とされているので、主
面側Niメッキ層136の表面が膨らんでいるにも拘わ
らず、ICチップICを良好な状態で搭載することがで
きる。また、裏面側Auメッキ層157の表面(金属層
の表面)が裏面側ソルダーレジスト層153の表面より
も低位とされているので、裏面側Auメッキ層157の
表面が膨らんでいるにも拘わらず、マザーボードに接続
したときに、マザーボードとの接続状態を良好にするこ
とができる。
Further, in the present embodiment, the surface of the main surface side Ni plating layer 136 (the surface of the metal layer) is lower than the surface of the main surface side solder resist layer 133, so that the main surface side Ni plating layer is formed. Although the surface of 136 is swollen, the IC chip IC can be mounted in a good state. Moreover, since the surface of the back side Au plating layer 157 (the surface of the metal layer) is lower than the surface of the back side solder resist layer 153, the surface of the back side Au plating layer 157 is swollen despite the fact that it is swollen. , When connected to the motherboard, the connection state with the motherboard can be improved.

【0077】さらに、本実施形態では、主面側ソルダー
レジスト層133に覆われた第2フィルドビア導体13
0の表面が凸状に膨らんでいるため、その製造にあた
り、主面側ソルダーレジスト層133を形成するとき
に、第2フィルドビア導体130上にボイドが生じにく
い。従って、配線基板101の信頼性を向上させること
ができる。しかも、第2フィルドビア導体130の膨出
部130R上に積層された主面側ソルダーレジスト層1
33の厚さ(約5.5μm)は、5μm以上あるので、
第2フィルドビア130上にボイドが生じるのを防止す
ることができる上、配線基板101の外観も良好にする
ことができる。また、膨出部130Rを含め、第2フィ
ルドビア導体130の表面全面が粗化面である。従っ
て、第2フィルドビア導体130と主面側ソルダーレジ
スト層133との密着強度を向上させることができる。
Further, in this embodiment, the second filled via conductor 13 covered with the main surface side solder resist layer 133 is used.
Since the surface of No. 0 bulges in a convex shape, a void is unlikely to be formed on the second filled via conductor 130 when the main surface side solder resist layer 133 is formed in the manufacturing thereof. Therefore, the reliability of the wiring board 101 can be improved. Moreover, the principal surface side solder resist layer 1 laminated on the bulging portion 130R of the second filled via conductor 130
Since the thickness of 33 (about 5.5 μm) is 5 μm or more,
It is possible to prevent the occurrence of voids on the second filled via 130, and also to improve the appearance of the wiring board 101. In addition, the entire surface of the second filled via conductor 130 including the bulged portion 130R is a roughened surface. Therefore, the adhesion strength between the second filled via conductor 130 and the main surface side solder resist layer 133 can be improved.

【0078】次いで、この配線基板101の製造方法に
ついて図を参照しつつ説明する。まず、コア基板111
を用意し、これにドリル等で所定の位置にスルーホール
115を穿孔する(図5参照)。
Next, a method of manufacturing the wiring board 101 will be described with reference to the drawings. First, the core substrate 111
Is prepared, and through holes 115 are drilled at predetermined positions with a drill or the like (see FIG. 5).

【0079】次に、Cu無電解メッキとCu電解メッキ
を順次施し、スルーホール115の内周面に略筒状のス
ルーホール導体116を形成すると共に、コア主面11
2とコア裏面113の略全面にベタ状導体層を形成す
る。その後、スルーホール導体116内に樹脂ペースト
を印刷充填し、樹脂ペーストを熱硬化させて、樹脂充填
体117を形成する。そして、この樹脂充填体117の
端部を研磨除去し、コア主面112及びコア裏面113
を面一にする。さらに、Cu無電解メッキとCu電解メ
ッキを順次施し、樹脂充填体117上に蓋メッキ層を形
成する。その後、コア主面112とコア裏面113のベ
タ状導体層上に、公知のフォトリソグラフィ法により所
定パターンのエッチングレジスト層をそれぞれ形成す
る。そして、エッチングレジスト層から露出する導体層
をエッチング除去し、ベタ状導体層から主面側第1導体
層161と裏面側第1導体層171を形成する。
Next, Cu electroless plating and Cu electrolytic plating are sequentially performed to form a substantially cylindrical through hole conductor 116 on the inner peripheral surface of the through hole 115, and the core main surface 11
2 and a solid conductor layer are formed on substantially the entire surface of the core back surface 113. After that, a resin paste is printed and filled in the through-hole conductor 116, and the resin paste is thermoset to form a resin filling body 117. Then, the end portion of this resin filling body 117 is removed by polishing, and the core main surface 112 and the core back surface 113
To make it flush. Further, Cu electroless plating and Cu electrolytic plating are sequentially performed to form a lid plating layer on the resin filling body 117. After that, an etching resist layer having a predetermined pattern is formed on each of the solid conductor layers on the core main surface 112 and the core back surface 113 by a known photolithography method. Then, the conductor layer exposed from the etching resist layer is removed by etching to form the main surface side first conductor layer 161 and the back surface side first conductor layer 171 from the solid conductor layer.

【0080】次に、第1導体粗化工程において、公知の
化学的粗化処理、例えば、CuCl2 等を含む粗化処理
液等を用いて粗化することにより、主面側第1導体層1
61の表面と裏面側第1導体層171の表面を、表面粗
さRa=約0.7μmに粗化する。
Next, in the first conductor roughening step, the main surface side first conductor layer 1 is roughened by a known chemical roughening treatment, for example, using a roughening treatment liquid containing CuCl 2 or the like.
The surface of 61 and the surface of the back side first conductor layer 171 are roughened to a surface roughness Ra = about 0.7 μm.

【0081】次に、第1絶縁層形成工程において、コア
主面112及び主面側第1導体層161上に、公知のフ
ォトリソグラフィ法により、ビアホール122を所定の
位置に有する主面側第1絶縁層121を形成する。また
同様にして、コア裏面113及び裏面側第1導体層17
1上に、ビアホール142を所定の位置に有する裏面側
第1絶縁層141を形成する。
Next, in the first insulating layer forming step, the first main surface side having the via holes 122 at predetermined positions on the core main surface 112 and the main surface side first conductor layer 161 by a known photolithography method. The insulating layer 121 is formed. Similarly, the core back surface 113 and the back surface side first conductor layer 17 are similarly formed.
A first back surface side insulating layer 141 having a via hole 142 at a predetermined position is formed on the first surface.

【0082】次に、第1絶縁層粗化工程において、公知
の化学的粗化処理、例えば、KMnO4 等を含む粗化処
理液等を用いて粗化することにより、主面側第1絶縁層
121の表面と裏面側第1絶縁層141の表面を、表面
粗さRa=約0.5μmに粗化する。
Next, in the first insulating layer roughening step, the main surface side first insulating layer is roughened by using a known chemical roughening treatment, for example, a roughening treatment liquid containing KMnO4 or the like. The surface of 121 and the surface of the back surface side first insulating layer 141 are roughened to a surface roughness Ra = about 0.5 μm.

【0083】次に、第1フィルドビア形成工程におい
て、Cuメッキにより、主面側第1絶縁層121のビア
ホール122にフィルドビア導体123を形成すると共
に、裏面側第1絶縁層141のビアホール142にフィ
ルドビア導体143を形成する。また、主面側第1絶縁
層121上に主面側第2導体層163を形成し、裏面側
第1絶縁層141上に裏面側第2導体層173を形成す
る。具体的には、Cu無電解メッキを施し、主面側第1
絶縁層121上及びそのビアホール122内、裏面側第
1絶縁層141上及びそのビアホール142内に、無電
解メッキ層を形成する。その後、主面側第1絶縁層12
1上の無電解メッキ層上と裏面側第1絶縁層141上の
無電解メッキ層上に、公知のフォトリソグラフィ法によ
り所定パターンのメッキレジスト層を形成する。次に、
Cu電解メッキを施し、各々のメッキレジスト層から露
出する無電解メッキ層上に、フィルドビア導体123,
143を含む所定パターンの電解メッキを形成する。そ
の際、フィルドビア導体123,143の表面が膨ら
み、高さ約5μmの膨出部がそれぞれできるまでCu電
解メッキを施す。その後、メッキレジスト層をそれぞれ
剥離して、露出した無電解メッキ層をエッチングにより
除去し、所定パターンの主面側第2導体層163と裏面
側第2導体層173を形成する。なお、Cu電解メッキ
の際は、フィルドビア導体形成用のメッキ液を使用す
る。
Next, in the first filled via forming step, the filled via conductor 123 is formed in the via hole 122 of the main surface side first insulating layer 121 by Cu plating, and the filled via conductor is formed in the via hole 142 of the back surface side first insulating layer 141. 143 is formed. Further, the main surface side second conductor layer 163 is formed on the main surface side first insulating layer 121, and the back surface side second conductor layer 173 is formed on the back surface side first insulating layer 141. Specifically, Cu electroless plating is applied to the first main surface side.
An electroless plating layer is formed on the insulating layer 121 and the via hole 122 thereof, and on the back side first insulating layer 141 and the via hole 142. Then, the main surface side first insulating layer 12
A plating resist layer having a predetermined pattern is formed on the electroless plating layer on 1 and the electroless plating layer on the back side first insulating layer 141 by a known photolithography method. next,
Cu electroplating is performed, and the filled via conductor 123, on the electroless plating layer exposed from each plating resist layer,
A predetermined pattern of electrolytic plating including 143 is formed. At that time, Cu electrolytic plating is performed until the surfaces of the filled via conductors 123 and 143 swell and bulges each having a height of about 5 μm are formed. After that, the plating resist layers are peeled off, and the exposed electroless plating layer is removed by etching to form a main surface side second conductor layer 163 and a back surface side second conductor layer 173 having a predetermined pattern. In addition, in the Cu electrolytic plating, a plating solution for forming a filled via conductor is used.

【0084】次に、第2導体粗化工程において、公知の
化学的粗化処理、例えば、CuCl2 等を含む粗化処理
液等を用いて粗化することにより、フィルドビア導体1
23,143の表面と主面側第2導体層163の表面と
裏面側第2導体層173の表面を、表面粗さRa=約
0.5μmに粗化する。
Next, in the second conductor roughening step, the filled via conductor 1 is roughened by a known chemical roughening treatment, for example, using a roughening treatment liquid containing CuCl 2 or the like.
The surface of 23, 143, the surface of the main surface side second conductor layer 163, and the surface of the back surface side second conductor layer 173 are roughened to a surface roughness Ra = about 0.5 μm.

【0085】次に、第2絶縁層形成工程において、主面
側第1絶縁層121及び主面側第2導体層163上に、
公知のフォトリソグラフィ法により、ビアホール125
を所定の位置に有する主面側第2絶縁層124を形成す
る。また同様にして、裏面側第1絶縁層141及び裏面
側第2導体層173上に、ビアホール145を所定の位
置に有する裏面側第2絶縁層144を形成する。
Next, in the second insulating layer forming step, on the main surface side first insulating layer 121 and the main surface side second conductor layer 163,
Via hole 125 is formed by a known photolithography method.
The main surface side second insulating layer 124 having a predetermined position is formed. Similarly, the back surface side second insulating layer 144 having the via hole 145 at a predetermined position is formed on the back surface side first insulating layer 141 and the back surface side second conductor layer 173.

【0086】次に、第2絶縁層粗化工程において、公知
の化学的粗化処理、例えば、KMnO4 等を含む粗化処
理液等を用いて粗化することにより、主面側第2絶縁層
124の表面と裏面側第2絶縁層144の表面を、表面
粗さRa=約0.5μmに粗化する。このようにして、
図5に示す基板ができる。
Next, in the second insulating layer roughening step, the main surface side second insulating layer is roughened by a known chemical roughening treatment, for example, using a roughening treatment liquid containing KMnO4 or the like. The surface of 124 and the surface of the back surface side second insulating layer 144 are roughened to a surface roughness Ra = about 0.5 μm. In this way
The substrate shown in FIG. 5 is produced.

【0087】次に、第2フィルドビア形成工程におい
て、Cuメッキにより、図6に示すように、主面側第2
絶縁層124のビアホール125にフィルドビア導体1
28を形成すると共に、裏面側第2絶縁層144のビア
ホール145にフィルドビア導体148を形成する。ま
た、主面側第2絶縁層124上に主面側第3導体層16
5を形成し、裏面側第1絶縁層144上に裏面側第3導
体層175を形成する。具体的には、Cu無電解メッキ
を施し、主面側第2絶縁層124上及びそのビアホール
125(第1ビアホール126及び第2ビアホール12
7)内、裏面側第2絶縁層144上及びそのビアホール
145内に、無電解メッキ層を形成する。その後、主面
側第2絶縁層124上の無電解メッキ層上と裏面側第2
絶縁層144上の無電解メッキ層上に、公知のフォトリ
ソグラフィ法により所定パターンのメッキレジスト層を
形成する。次に、Cu電解メッキを施し、各々のメッキ
レジスト層から露出する無電解メッキ層上に、フィルド
ビア導体128(第1フィルドビア導体129及び第2
フィルドビア導体130)並びにフィルドビア導体14
8を含む所定パターンの電解メッキを形成する。その
際、フィルドビア導体128(第1フィルドビア導体1
29及び第2フィルドビア導体130)並びにフィルド
ビア導体148の表面が膨らみ、高さ約5μmの膨出部
129R,130R,148RがそれぞれできるまでC
u電解メッキを施す。次に、メッキレジスト層をそれぞ
れ剥離して、露出した無電解メッキ層をエッチングによ
り除去し、所定パターンの主面側第3導体層165と裏
面側第3導体層175を形成する。なお、Cu電解メッ
キの際は、フィルドビア導体形成用のメッキ液を使用す
る。
Next, in the second filled via forming step, as shown in FIG.
The filled via conductor 1 is provided in the via hole 125 of the insulating layer 124.
28, the filled via conductor 148 is formed in the via hole 145 of the second back surface side insulating layer 144. In addition, the main surface side third conductor layer 16 is provided on the main surface side second insulating layer 124.
5 is formed, and the back surface side third conductor layer 175 is formed on the back surface side first insulating layer 144. Specifically, Cu electroless plating is performed, and the main surface side second insulating layer 124 and its via hole 125 (first via hole 126 and second via hole 12) are formed.
7), an electroless plating layer is formed on the second insulating layer 144 on the back surface side and in the via hole 145. After that, on the electroless plating layer on the main surface side second insulating layer 124 and on the back surface side second
A plating resist layer having a predetermined pattern is formed on the electroless plating layer on the insulating layer 144 by a known photolithography method. Next, Cu electrolytic plating is performed, and the filled via conductor 128 (the first filled via conductor 129 and the second filled via conductor 129 is formed on the electroless plating layer exposed from each plating resist layer).
Filled via conductor 130) and filled via conductor 14
Electrolytic plating of a predetermined pattern including 8 is formed. At that time, the filled via conductor 128 (the first filled via conductor 1
29 and the second filled via conductor 130) and the surface of the filled via conductor 148 are swollen to form swollen portions 129R, 130R, 148R having a height of about 5 μm, respectively.
u Electrolytic plating is performed. Next, the plating resist layers are peeled off, and the exposed electroless plating layer is removed by etching to form a main surface side third conductor layer 165 and a back surface side third conductor layer 175 having a predetermined pattern. In addition, in the Cu electrolytic plating, a plating solution for forming a filled via conductor is used.

【0088】次に、第3導体粗化工程において、フィル
ドビア導体128(第1フィルドビア導体129及び第
2フィルドビア導体130)の表面全面並びにフィルド
ビア導体148の表面全面と、主面側第3導体層165
の表面全面及び裏面側第3導体層175の表面全面とを
粗化する。具体的には、公知の化学的粗化処理、例え
ば、CuCl2 等を含む粗化処理液等を用いて粗化する
ことにより、これらの表面を表面粗さRa=約0.5μ
mに粗化する。
Next, in the third conductor roughening step, the entire surface of the filled via conductor 128 (the first filled via conductor 129 and the second filled via conductor 130) and the entire surface of the filled via conductor 148, and the main surface side third conductor layer 165.
And the entire surface of the back side third conductor layer 175 are roughened. Specifically, these surfaces are roughened using a known chemical roughening treatment, for example, a roughening treatment liquid containing CuCl2 or the like, so that the surface roughness Ra is about 0.5 μm.
roughen to m.

【0089】次に、ソルダーレジスト層形成工程におい
て、図7に示すように、主面側第2絶縁層124及び主
面側第3導体層165上に、公知の真空ラミネート法及
びフォトリソグラフィ法により、主面側開口134を所
定の位置に有する主面側ソルダーレジスト層133を形
成する。また同様にして、裏面側第2絶縁層144及び
裏面側第3導体層175上に、裏面側開口154を所定
の位置に有する裏面側ソルダーレジスト層153を形成
する。具体的には、真空ラミネートにより、主面側第2
絶縁層124及び主面側第3導体層165上に未硬化の
主面側ソルダーレジスト層を積層すると共に、裏面側第
2絶縁層144及び裏面側第3導体層175上に未硬化
の裏面側ソルダーレジスト層を積層する。その際、搬送
ローラや真空シールローラが、基板の表裏面に接触する
ので、フィルドビア導体129,130,148の頂部
にもそれぞれ接触するが、膨出部129R,130R,
148Rの高さが5μm以下に抑えられているので、膨
出部129R,130R,148Rは潰れず、表面粗さ
が低下するのが防止される。その後、フォトリソグラフ
ィ法により、主面側開口134を有する所定パターンの
主面側ソルダーレジスト層133と、裏面側開口154
を有する所定パターンの裏面側ソルダーレジスト層15
3を形成する。
Next, in the solder resist layer forming step, as shown in FIG. 7, on the main surface side second insulating layer 124 and the main surface side third conductor layer 165, a known vacuum laminating method and photolithography method are used. The main surface side solder resist layer 133 having the main surface side opening 134 at a predetermined position is formed. Similarly, the back surface side solder resist layer 153 having the back surface side opening 154 at a predetermined position is formed on the back surface side second insulating layer 144 and the back surface side third conductor layer 175. Specifically, by vacuum lamination, the main surface side second
An uncured main surface side solder resist layer is laminated on the insulating layer 124 and the main surface side third conductor layer 165, and an uncured back surface side is formed on the back surface side second insulating layer 144 and the back surface side third conductor layer 175. Laminate a solder resist layer. At that time, since the transport roller and the vacuum seal roller come into contact with the front and back surfaces of the substrate, they also come into contact with the tops of the filled via conductors 129, 130, 148, respectively, but the bulged portions 129R, 130R,
Since the height of 148R is suppressed to 5 μm or less, the bulged portions 129R, 130R, 148R are not crushed and the surface roughness is prevented from being lowered. Then, the main surface side solder resist layer 133 having a predetermined pattern having the main surface side opening 134 and the back surface side opening 154 are formed by photolithography.
Backside solder resist layer 15 having a predetermined pattern
3 is formed.

【0090】次に、図8に示すように、無電解Niメッ
キを施し、主面側ソルダーレジスト層133の主面側開
口134内に露出するフィルドビア導体128(第1フ
ィルドビア導体129)上に、主面側Niメッキ層13
6を被着させる。またこれと共に、裏面側ソルダーレジ
スト層153の裏面側開口154内に露出するフィルド
ビア導体148上にも、裏面側Niメッキ層156を被
着させる。その後、Auメッキを施し、酸化防止のた
め、主面側Niメッキ層136上に、ごく薄い約0.0
5μmの主面側Auメッキ層137を形成すると共に、
裏面側Niメッキ層156上にも、ごく薄い約0.05
μmの裏面側Auメッキ層157を形成し、裏面側接続
端子155とする。
Next, as shown in FIG. 8, electroless Ni plating is applied to the filled via conductor 128 (first filled via conductor 129) exposed in the main surface side opening 134 of the main surface side solder resist layer 133. Ni plating layer 13 on the main surface side
6 is attached. At the same time, the back side Ni plating layer 156 is also deposited on the filled via conductor 148 exposed in the back side opening 154 of the back side solder resist layer 153. Then, Au plating is applied, and to prevent oxidation, a very thin film of about 0.0 is formed on the Ni plating layer 136 on the main surface side.
While forming the main surface side Au plating layer 137 of 5 μm,
On the back side Ni plating layer 156, very thin, about 0.05
A backside Au plated layer 157 having a thickness of μm is formed to serve as a backside connection terminal 155.

【0091】次に、主面側Niメッキ層133上にハン
ダバンプ138を形成し、主面側接続端子135とする
(図1参照)。具体的には、まず、主面側開口134に
対応した所定パターンの印刷マスクを用いて、各々の主
面側開口134にハンダペーストを印刷する。その後、
これをリフローし、ハンダバンプ138を形成する。そ
の際、主面側Auメッキ層137のAuは、ハンダ内に
拡散するので、ハンダバンプ135は、前述したように
主面側Niメッキ層136に溶着する。以上のようにし
て、配線基板101が完成する。
Next, solder bumps 138 are formed on the main surface side Ni plating layer 133 to form main surface side connection terminals 135 (see FIG. 1). Specifically, first, using a print mask having a predetermined pattern corresponding to the main surface side openings 134, solder paste is printed on each main surface side opening 134. afterwards,
This is reflowed to form solder bumps 138. At that time, since Au of the main surface side Au plating layer 137 diffuses into the solder, the solder bumps 135 are welded to the main surface side Ni plating layer 136 as described above. The wiring board 101 is completed as described above.

【0092】以上で説明したように、本実施形態では、
フィルドビア形成工程において、第2フィルドビア導体
130の膨出部130Rの高さ(約5μm)を、5μm
以下に抑えている。このため、導体の粗化後、主面側ソ
ルダーレジスト層133を真空ラミネートする際に、搬
送ローラや真空シールローラが第2フィルドビア130
の膨出部130Rに接触しても、膨出部130Rが潰れ
にくくなり、その表面粗度が維持される。従って、第2
フィルドビア導体130と主面側ソルダーレジスト層1
33との密着強度を向上させ、信頼性を向上させること
ができる。
As described above, in this embodiment,
In the filled via forming process, the height (about 5 μm) of the bulging portion 130R of the second filled via conductor 130 is set to 5 μm.
It is kept below. Therefore, after the conductor is roughened, when the main surface side solder resist layer 133 is vacuum-laminated, the transport roller and the vacuum seal roller are connected to the second filled via 130.
Even if the bulging portion 130R comes into contact with the bulging portion 130R, the bulging portion 130R is less likely to be crushed and the surface roughness is maintained. Therefore, the second
Field via conductor 130 and main surface side solder resist layer 1
The adhesion strength with 33 can be improved, and the reliability can be improved.

【0093】(調査結果)本実施形態の配線基板101
について、ハンダバンプ138内のボイド発生率と、ハ
ンダバンプ138内のボイドの最大の大きさを調査し
た。また、比較のため、従来技術に係る配線基板につい
ても、同様な調査を行った。具体的には、従来形態1の
配線基板は、第1フィルドビア129の表面を5〜20
μm凹ませたものである。また、比較形態2の配線基板
は、第1フィルドビア129の表面を0〜5μm凹ませ
たものである。その結果をまとめて表1に示す。
(Results of Investigation) Wiring board 101 of this embodiment
For the above, the occurrence rate of voids in the solder bump 138 and the maximum size of the void in the solder bump 138 were investigated. Further, for comparison, the same investigation was conducted on the wiring board according to the conventional technique. Specifically, in the wiring board of the conventional form 1, the surface of the first filled via 129 is 5 to 20.
It is recessed by μm. In the wiring board of Comparative Example 2, the surface of the first filled via 129 is recessed by 0 to 5 μm. The results are summarized in Table 1.

【0094】[0094]

【表1】 [Table 1]

【0095】表1から判るように、比較形態1の配線基
板では、ボイド発生率が57.6%、比較形態2の配線
基板では、ボイド発生率が50.0%であったのに対
し、本実施形態の配線基板101では、ボイド発生率が
20.0%まで大幅に抑制されている。また、ボイドを
大きさ(最大サイズ)について見ても、比較形態1の配
線基板では13.0μm、比較形態2の配線基板では1
0.1μmであったのに対し、本実施形態の配線基板1
01では4.6μmまで小さくなっている。以上の結果
から、本発明を適用することにより、ハンダバンプ13
8内のボイドの発生を抑制することができ、配線基板の
信頼性を向上させることができる。
As can be seen from Table 1, the wiring board of Comparative Example 1 had a void generation rate of 57.6% and the wiring board of Comparative Example 2 had a void generation rate of 50.0%. In the wiring board 101 of the present embodiment, the void occurrence rate is significantly suppressed to 20.0%. Also, regarding the size (maximum size) of the voids, the wiring board of Comparative Example 1 has a size of 13.0 μm, and the wiring board of Comparative Example 2 has a size of 1 μm.
The wiring board 1 according to the present embodiment has a thickness of 0.1 μm.
In No. 01, it was reduced to 4.6 μm. From the above results, by applying the present invention, the solder bump 13
It is possible to suppress the generation of voids inside the wiring board 8 and improve the reliability of the wiring board.

【0096】(実施形態2)次いで、第2の実施の形態
について説明する。なお、上記実施形態1と同様な部分
の説明は、省略または簡略化する。本実施形態の配線基
板201について、図9に部分断面図を示す。また、図
10に主面側接続端子235近傍の部分拡大断面図を、
図11に主面側第2絶縁層124の第2フィルドビア導
体130近傍の部分拡大断面図を、図12に裏面側接続
端子255近傍の部分拡大断面図を示す。
(Second Embodiment) Next, a second embodiment will be described. The description of the same parts as those in the first embodiment will be omitted or simplified. FIG. 9 shows a partial cross-sectional view of the wiring board 201 of the present embodiment. Further, FIG. 10 is a partially enlarged sectional view of the vicinity of the main surface side connection terminal 235,
FIG. 11 shows a partially enlarged sectional view of the second insulating layer 124 on the main surface side in the vicinity of the second filled via conductor 130, and FIG.

【0097】この配線基板201は、上記実施形態1と
同様に、ICチップICが搭載される基板主面102
と、マザーボードに接続される基板裏面103とを有す
る略矩形の略板形状である。また、配線基板201は、
その中心にコア基板111を備え、コア主面112側に
は、主面側第1絶縁層121、主面側第2絶縁層12
4、及び、主面側ソルダーレジスト層133が積層さ
れ、コア裏面113側には、裏面側第1絶縁層141、
裏面側第2絶縁層144、及び、裏面側ソルダーレジス
ト層153が積層されている。
This wiring board 201 is similar to the first embodiment, and the main surface 102 of the board on which the IC chip IC is mounted.
And a substrate back surface 103 connected to the mother board, and has a substantially rectangular plate shape. The wiring board 201 is
A core substrate 111 is provided in the center, and a main surface side first insulating layer 121 and a main surface side second insulating layer 12 are provided on the core main surface 112 side.
4 and the main surface side solder resist layer 133 are laminated, and the core back surface 113 side is provided with a back surface side first insulating layer 141,
The back surface side second insulating layer 144 and the back surface side solder resist layer 153 are laminated.

【0098】また、コア基板111には、多数のスルー
ホール115が所定の位置に形成され、その内周面に
は、スルーホール導体116がそれぞれ形成され、さら
に、各スルーホール導体116内には、樹脂充填体11
7が形成されている。また、主面側第1絶縁層121に
は、多数のビアホール122が所定の位置に形成され、
その内部及びその上には、フィルドビア導体123がそ
れぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビ
ア導体123は、ビアホール122内に形成された略円
錐台状の円錐台部と、その上に形成された円盤状の円盤
部とを有する。さらに、円盤部の中央上には、凸状に膨
らむ膨出部を有する。
A large number of through holes 115 are formed in the core substrate 111 at predetermined positions, through hole conductors 116 are formed on the inner peripheral surfaces of the through holes 115, and the through holes conductors 116 are formed in the through hole conductors 116. , Resin filling body 11
7 are formed. In addition, a large number of via holes 122 are formed at predetermined positions in the main surface side first insulating layer 121,
Filled via conductors 123 are formed inside and on the inside thereof, respectively. Specifically, each filled via conductor 123 has a substantially truncated cone-shaped truncated cone portion formed in the via hole 122, and a disk-shaped disc portion formed thereon. Further, a convex portion that bulges in a convex shape is provided on the center of the disc portion.

【0099】また、図9〜図11に示すように、主面側
第2絶縁層124にも、多数のビアホール125が所定
の位置に形成され、その内部及びその上には、フィルド
ビア導体128がそれぞれ形成されている。具体的に
は、ビアホール125は、ICチップICを搭載する領
域下に配置された第1ビアホール126と、それ以外の
領域下に配置された第2ビアホール127に分類するこ
とができる。第1ビアホール126には第1フィルドビ
ア導体129が、第2ビアホール127には第2フィル
ドビア導体130が形成されている。第1フィルドビア
導体129も第2フィルドビア導体130も、第1ビア
ホール126または第2ビアホール127内に形成され
た略円錐台状の円錐台部129P,130Pと、その上
に形成された円盤状の円盤部129Q,130Qとを有
する(図10及び図11参照)。さらに、円盤部129
Q,130Qの中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径
が約55μm、高さが約5μmの膨出部129R,13
0Rを有する。また、第1,第2フィルドビア導体12
9,130の表面全面は、表面粗さRa=約0.5μm
の粗化面とされている。
Further, as shown in FIGS. 9 to 11, a large number of via holes 125 are formed in predetermined positions in the main surface side second insulating layer 124, and filled via conductors 128 are formed inside and on the via holes 125. Each is formed. Specifically, the via hole 125 can be classified into a first via hole 126 arranged under the region where the IC chip IC is mounted and a second via hole 127 arranged under the other region. A first filled via conductor 129 is formed in the first via hole 126, and a second filled via conductor 130 is formed in the second via hole 127. Both the first filled via conductor 129 and the second filled via conductor 130 are substantially truncated cone-shaped truncated cone portions 129P and 130P formed in the first via hole 126 or the second via hole 127, and a disk-shaped disc formed thereon. And portions 129Q and 130Q (see FIGS. 10 and 11). Furthermore, the disk portion 129
A bulge portion 129R, 13 bulging in a convex shape on the center of Q, 130Q and having a bottom surface diameter of about 55 μm and a height of about 5 μm.
Has 0R. In addition, the first and second filled via conductors 12
The entire surface of 9,130 has a surface roughness Ra of about 0.5 μm.
It is said to be a roughened surface.

【0100】主面側ソルダーレジスト層133には、図
9及び図10に示すように、多数の主面側開口134が
ICチップICを搭載する領域に平面視略格子状に形成
されている。これら主面側開口134の内側には、主面
側第2絶縁層124に形成された第1フィルドビア導体
129の中央部、具体的には、第1フィルドビア導体1
29の膨出部129Rが位置している。そして、各主面
側開口134には、第1フィルドビア導体129に接続
し、他方で搭載するICチップICの端子と接続される
主面側接続端子235がそれぞれ形成されている。これ
らの主面側接続端子235は、主面側開口134内にお
いて第1フィルドビア導体129の表面に溶着し、主面
側ソルダーレジスト層133の表面を越えて突出するハ
ンダバンプ235からなる。
In the main surface side solder resist layer 133, as shown in FIGS. 9 and 10, a large number of main surface side openings 134 are formed in a region in which the IC chip IC is mounted in a substantially lattice shape in a plan view. Inside the main surface side opening 134, a central portion of the first filled via conductor 129 formed in the main surface side second insulating layer 124, specifically, the first filled via conductor 1 is formed.
The bulging part 129R of 29 is located. Then, main surface side connection terminals 235 connected to the first filled via conductor 129 and connected to the terminals of the IC chip IC mounted on the other side are formed in the respective main surface side openings 134, respectively. These main surface side connection terminals 235 are solder bumps 235 that are welded to the surface of the first filled via conductor 129 in the main surface side opening 134 and project beyond the surface of the main surface side solder resist layer 133.

【0101】主面側開口134の深さ(主面側ソルダー
レジスト層133の厚さ)は約25μmであるところ、
第1フィルドビア導体129の膨出部129Rの高さが
約5μmであるから、第1フィルドビア導体129の表
面は、主面側ソルダーレジスト層133の表面よりも低
位にある。一方、主面側第2絶縁層124に形成された
第2フィルドビア導体130は、その表面全面がこの主
面側ソルダーレジスト層133に覆われている(図9及
び図11参照)。主面側ソルダーレジスト層133のう
ち、第2フィルドビア導体130の膨出部130R上に
積層された部分の厚さは、約5.5μmである。
The depth of the main surface side opening 134 (thickness of the main surface side solder resist layer 133) is about 25 μm,
Since the height of the bulging portion 129R of the first filled via conductor 129 is about 5 μm, the surface of the first filled via conductor 129 is lower than the surface of the main surface side solder resist layer 133. On the other hand, the entire surface of the second filled via conductor 130 formed on the main surface side second insulating layer 124 is covered with the main surface side solder resist layer 133 (see FIGS. 9 and 11). The thickness of the portion of the main surface side solder resist layer 133 that is stacked on the bulging portion 130R of the second filled via conductor 130 is approximately 5.5 μm.

【0102】図9に示すように、裏面側第1絶縁層14
1にも、多数のビアホール142が所定の位置に形成さ
れ、その内部及びその上には、フィルドビア導体143
がそれぞれ形成されている。具体的には、各々のフィル
ドビア導体143は、フィルドビア導体123,128
と同様に、円錐台部と円盤部と膨出部とからなり、表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。
As shown in FIG. 9, the back side first insulating layer 14
1, a large number of via holes 142 are formed at predetermined positions, and filled via conductors 143 are formed inside and on the via holes 142.
Are formed respectively. Specifically, each of the filled via conductors 143 has the filled via conductors 123, 128.
Similarly, it is composed of a truncated cone portion, a disk portion, and a bulging portion, and has a shape having a bulging portion whose surface bulges in a convex shape.

【0103】また、図9及び図12に示すように、裏面
側第2絶縁層144にも、多数のビアホール145が所
定の位置に形成され、その内部及びその上には、フィル
ドビア導体148がそれぞれ形成されている。具体的に
は、各々のフィルドビア導体148は、フィルドビア導
体123,128,143と同様に、ビアホール145
内に形成された略円錐台状の円錐台部148Pと、その
上に形成された円盤状の円盤部148Qと、その中央上
に凸状に膨らみ、底面の直径が約55μm、高さが約5
μmの膨出部148Rとからなる(図12参照)。ま
た、フィルドビア導体148の表面全面は、表面粗さR
a=約0.5μmの粗化面とされている。
Further, as shown in FIGS. 9 and 12, a large number of via holes 145 are formed in predetermined positions in the second insulating layer 144 on the back surface side, and filled via conductors 148 are formed inside and on the via holes 145, respectively. Has been formed. Specifically, each filled via conductor 148 has a via hole 145, similar to the filled via conductors 123, 128, 143.
A truncated cone portion 148P having a substantially truncated cone shape formed therein, a disk portion 148Q formed on the truncated cone portion 148Q, and a convex bulge on the center thereof, the diameter of the bottom surface is about 55 μm, and the height is about 55 μm. 5
and a bulging portion 148R of μm (see FIG. 12). In addition, the entire surface of the filled via conductor 148 has a surface roughness R.
a = a roughened surface of about 0.5 μm.

【0104】裏面側ソルダーレジスト層153には、多
数の裏面側開口154が平面視略格子状に形成されてい
る(図9及び図12参照)。これら裏面側開口154の
内側には、裏面側第2絶縁層144に形成されたフィル
ドビア導体148の中央部、具体的には、フィルドビア
導体148の膨出部148Rと円盤部148Qの一部が
位置している。そして、各裏面側開口154には、フィ
ルドビア導体148と接続し、他方でマザーボードの端
子と接続される裏面側接続端子255がそれぞれ形成さ
れている。これらの裏面側接続端子255は、裏面側開
口154内においてフィルドビア導体148の表面に被
着した厚さ約0.05μmの裏面側Auメッキ層255
からなる。
A large number of rear surface-side openings 154 are formed in the rear surface-side solder resist layer 153 in a substantially lattice shape in plan view (see FIGS. 9 and 12). Inside the rear surface side opening 154, the central portion of the filled via conductor 148 formed in the second rear surface insulating layer 144, specifically, the bulging portion 148R of the filled via conductor 148 and a part of the disk portion 148Q are located. is doing. Then, in each back surface side opening 154, a back surface side connection terminal 255 is formed, which is connected to the filled via conductor 148 and is connected to the terminal of the motherboard on the other side. These back surface side connection terminals 255 are provided on the surface of the filled via conductor 148 in the back surface side opening 154 and have a thickness of about 0.05 μm on the back surface side Au plating layer 255.
Consists of.

【0105】この裏面側Auメッキ層255は、ほぼ均
一な厚さ(約0.05μm)であるので、フィルドビア
導体148の表面に倣って、その表面が凸状に膨らんだ
形状とされている。また、裏面側開口154の深さ(裏
面側ソルダーレジスト層153の厚さ)は約25μmで
あるところ、フィルドビア導体148の膨出部148R
の高さが約5μmであり、裏面側Auメッキ層255の
厚さが約0.05μmであるから、金属層の表面(裏面
側Auメッキ層255の表面)は、裏面側開口154の
底面から約5μmの高さにある。従って、金属層の表面
は、裏面ソルダーレジスト層153の表面よりも低位に
ある。
Since the back surface side Au plating layer 255 has a substantially uniform thickness (about 0.05 μm), the surface thereof has a convex shape swelling following the surface of the filled via conductor 148. Further, the depth of the back surface side opening 154 (the thickness of the back surface side solder resist layer 153) is about 25 μm, and the bulged portion 148R of the filled via conductor 148 is
Is about 5 μm and the thickness of the back side Au plating layer 255 is about 0.05 μm, the surface of the metal layer (the surface of the back side Au plating layer 255) is from the bottom surface of the back side opening 154. It is at a height of about 5 μm. Therefore, the surface of the metal layer is lower than the surface of the backside solder resist layer 153.

【0106】また、上記実施形態1と同様に、コア基板
111と主面側第1絶縁層121との層間には、図9に
示すように、主面側第1導体層161が形成され、主面
側第1絶縁層121と主面側第2絶縁層124との層間
には、主面側第2導体層163が形成され、また、主面
側第2絶縁層124と主面側ソルダーレジスト層133
との層間には、主面側第3導体層165が形成されてい
る。また、コア基板111と裏面側第1絶縁層141と
の層間には、裏面側第1導体層171が形成され、裏面
側第1絶縁層141と裏面側第2絶縁層144との層間
には、裏面側第2導体層173が形成され、また、裏面
側第2絶縁層144と裏面側ソルダーレジスト層153
との層間には、裏面側第3導体層175が形成されてい
る。
As in the first embodiment, a main surface side first conductor layer 161 is formed between the core substrate 111 and the main surface side first insulating layer 121, as shown in FIG. A main surface side second conductor layer 163 is formed between the main surface side first insulating layer 121 and the main surface side second insulating layer 124, and the main surface side second insulating layer 124 and the main surface side solder are provided. Resist layer 133
A main surface side third conductor layer 165 is formed between the layers of and. Further, a back surface side first conductor layer 171 is formed between the core substrate 111 and the back surface side first insulating layer 141, and a back surface side first insulating layer 141 and a back surface side second insulating layer 144 are provided between the layers. , The back surface side second conductor layer 173 is formed, and the back surface side second insulating layer 144 and the back surface side solder resist layer 153 are formed.
A back side third conductor layer 175 is formed between the layers and.

【0107】このような配線基板201は、その製造に
あたり、第1フィルドビア導体129上にハンダバンプ
235を形成するときに、第1フィルドビア導体129
の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプ235
にボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプ235の
クラック耐性が向上する。よって、主面側接続端子23
5に電気的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させ
ることができる。さらに、第1フィルドビア導体129
の表面が膨らんでいることにより、ハンダバンプ235
との接合面積が増加するので、ハンダバンプ235の接
合強度を向上させることができる。
In manufacturing the wiring board 201, the first filled via conductor 129 is formed when the solder bump 235 is formed on the first filled via conductor 129.
The surface of the solder bump 235 bulges in a convex shape.
Voids are unlikely to occur in the Therefore, the crack resistance of the solder bump 235 is improved. Therefore, the main surface side connection terminal 23
5. Electrical connection failure is unlikely to occur in 5, and reliability can be improved. Further, the first filled via conductor 129
Due to the bulging surface of the solder bump 235
Since the joint area with the solder bump 235 increases, the joint strength of the solder bump 235 can be improved.

【0108】また、この配線基板201をマザーボード
に接続するにあたり、裏面側Auメッキ層255にハン
ダを付けるときに、裏面側Auメッキ層255の表面が
凸状に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じにく
い。従って、ハンダのクラック耐性が向上する。よっ
て、裏面側接続端子255に電気的な接続不良が生じに
くく、信頼性を向上させることができる。さらに、裏面
側Auメッキ層255の表面が膨らんでいることによ
り、ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接合
強度を向上させることができる。
Further, when connecting the wiring board 201 to the mother board, when soldering the back side Au plating layer 255, the surface of the back side Au plating layer 255 bulges in a convex shape, so that a void is formed in the solder. Unlikely to occur. Therefore, the crack resistance of the solder is improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the back surface side connection terminal 255, and reliability can be improved. Furthermore, since the surface of the back side Au plating layer 255 is swollen, the joint area with the solder is increased, so that the joint strength of the solder can be improved.

【0109】さらに、本実施形態では、第1フィルドビ
ア導体129の表面が主面側ソルダーレジスト層133
の表面よりも低位とされているので、ICチップICを
良好な状態で搭載することができる。また、裏面側Au
メッキ層255の表面(金属層の表面)が裏面側ソルダ
ーレジスト層153の表面よりも低位とされているの
で、マザーボードに接続したときに、マザーボードとの
接続状態を良好にすることができる。
Furthermore, in this embodiment, the surface of the first filled via conductor 129 is the main surface side solder resist layer 133.
Since it is lower than the surface of the IC chip, the IC chip IC can be mounted in a good state. Also, the back side Au
Since the surface of the plating layer 255 (the surface of the metal layer) is lower than the surface of the back side solder resist layer 153, the connection state with the motherboard can be improved when connected to the motherboard.

【0110】さらに、本実施形態では、主面側ソルダー
レジスト層133に覆われた第2フィルドビア導体13
0の表面が凸状に膨らんでいるため、その製造にあた
り、主面側ソルダーレジスト層133を形成するとき
に、第2フィルドビア導体130上にボイドが生じにく
い。従って、配線基板201の信頼性を向上させること
ができる。しかも、第2フィルドビア導体130の膨出
部130R上に積層された主面側ソルダーレジスト層1
33の厚さ(約5.5μm)は、5μm以上あるので、
第2フィルドビア130上にボイドが生じるのを防止す
ることができる上、配線基板201の外観も良好にする
ことができる。また、膨出部130Rを含め、第2フィ
ルドビア導体130の表面全面が粗化面である。従っ
て、第2フィルドビア導体130と主面側ソルダーレジ
スト層133との密着強度を向上させることができる。
Further, in this embodiment, the second filled via conductor 13 covered with the main surface side solder resist layer 133 is used.
Since the surface of No. 0 bulges in a convex shape, a void is unlikely to be formed on the second filled via conductor 130 when the main surface side solder resist layer 133 is formed in the manufacturing thereof. Therefore, the reliability of the wiring board 201 can be improved. Moreover, the principal surface side solder resist layer 1 laminated on the bulging portion 130R of the second filled via conductor 130
Since the thickness of 33 (about 5.5 μm) is 5 μm or more,
It is possible to prevent the occurrence of voids on the second filled via 130, and also to improve the appearance of the wiring board 201. In addition, the entire surface of the second filled via conductor 130 including the bulged portion 130R is a roughened surface. Therefore, the adhesion strength between the second filled via conductor 130 and the main surface side solder resist layer 133 can be improved.

【0111】次いで、この配線基板201の製造方法に
ついて図を参照しつつ説明する。まず、上記実施形態1
と同様にして、図5に示す基板を製造する。次に、上記
実施形態1と同様に、第2フィルドビア形成工程におい
て、図6に示すように、主面側第2絶縁層124のビア
ホール125にフィルドビア導体128を形成すると共
に、裏面側第2絶縁層144のビアホール145にフィ
ルドビア導体148を形成する。また、主面側第2絶縁
層124上に主面側第3導体層165を形成し、裏面側
第1絶縁層144上に裏面側第3導体層175を形成す
る。その際、フィルドビア導体128(第1フィルドビ
ア導体129及び第2フィルドビア導体130)並びに
フィルドビア導体148の表面が膨らみ、高さ約5μm
の膨出部129R,130R,148Rがそれぞれでき
るまでCu電解メッキを施す。次に、第3導体粗化工程
において、フィルドビア導体128(第1フィルドビア
導体129及び第2フィルドビア導体130)の表面全
面並びにフィルドビア導体148の表面全面と、主面側
第3導体層165の表面全面及び裏面側第3導体層17
5の表面全面とを、表面粗さRa=約0.5μmに粗化
する。
Next, a method of manufacturing this wiring board 201 will be described with reference to the drawings. First, the first embodiment
Similarly to the above, the substrate shown in FIG. 5 is manufactured. Next, as in the first embodiment, in the second filled via forming step, as shown in FIG. 6, the filled via conductor 128 is formed in the via hole 125 of the main surface side second insulating layer 124 and the back surface side second insulating layer is formed. Filled via conductors 148 are formed in via holes 145 in layer 144. Further, the main surface side third conductor layer 165 is formed on the main surface side second insulating layer 124, and the back surface side third conductor layer 175 is formed on the back surface side first insulating layer 144. At that time, the surfaces of the filled via conductor 128 (the first filled via conductor 129 and the second filled via conductor 130) and the filled via conductor 148 swell to a height of about 5 μm.
Cu electrolytic plating is performed until the bulged portions 129R, 130R, and 148R are formed. Next, in the third conductor roughening step, the entire surface of the filled via conductor 128 (the first filled via conductor 129 and the second filled via conductor 130) and the entire surface of the filled via conductor 148, and the entire surface of the main surface side third conductor layer 165. And the back side third conductor layer 17
The entire surface of 5 is roughened to a surface roughness Ra of about 0.5 μm.

【0112】次に、上記実施形態1と同様に、ソルダー
レジスト層形成工程において、図7に示すように、主面
側第2絶縁層124及び主面側第3導体層165上に、
主面側開口134を所定の位置に有する主面側ソルダー
レジスト層133を形成する。また同様にして、裏面側
第2絶縁層144及び裏面側第3導体層175上に、裏
面側開口154を所定の位置に有する裏面側ソルダーレ
ジスト層153を形成する。具体的には、真空ラミネー
トにより、主面側第2絶縁層124及び主面側第3導体
層165上に未硬化の主面側ソルダーレジスト層を積層
すると共に、裏面側第2絶縁層144及び裏面側第3導
体層175上に未硬化の裏面側ソルダーレジスト層を積
層する。その際、搬送ローラや真空シールローラが、基
板の表裏面に接触するので、フィルドビア導体129,
130,148の頂部にもそれぞれ接触するが、膨出部
129R,130R,148Rの高さが5μm以下に抑
えられているので、膨出部129R,130R,148
Rは潰れず、表面粗さが低下するのが防止される。
Next, as in the first embodiment, in the solder resist layer forming step, as shown in FIG. 7, on the main surface side second insulating layer 124 and the main surface side third conductor layer 165,
The main surface side solder resist layer 133 having the main surface side opening 134 at a predetermined position is formed. Similarly, the back surface side solder resist layer 153 having the back surface side opening 154 at a predetermined position is formed on the back surface side second insulating layer 144 and the back surface side third conductor layer 175. Specifically, the uncured main surface side solder resist layer is laminated on the main surface side second insulating layer 124 and the main surface side third conductor layer 165 by vacuum lamination, and the back surface side second insulating layer 144 and An uncured back side solder resist layer is laminated on the back side third conductor layer 175. At that time, since the transport roller and the vacuum seal roller come into contact with the front and back surfaces of the substrate, the filled via conductor 129,
The bulging portions 129R, 130R, 148 are also in contact with the tops of the bulging portions 129R, 130R, 148R because the heights of the bulging portions 129R, 130R, 148R are suppressed to 5 μm or less.
R does not collapse and prevents the surface roughness from decreasing.

【0113】次に、本実施形態では、Niメッキを施す
ことなく、図13に示すように、Auメッキを施し、主
面側ソルダーレジスト層133の主面側開口134内に
露出するフィルドビア導体128(第1フィルドビア導
体129)上に、厚さ約0.05μmの主面側Auメッ
キ層237を被着させる。またこれと共に、裏面側ソル
ダーレジスト層153の裏面側開口154内に露出する
フィルドビア導体148上にも、厚さ約0.05μmの
裏面側Auメッキ層255を被着させ、これを裏面側接
続端子255とする。
Next, in this embodiment, as shown in FIG. 13, Au plating is performed without Ni plating, and the filled via conductor 128 exposed in the main surface side opening 134 of the main surface side solder resist layer 133 is exposed. On the (first filled via conductor 129), a main surface side Au plating layer 237 having a thickness of about 0.05 μm is deposited. Along with this, a back side Au plating layer 255 having a thickness of about 0.05 μm is also deposited on the filled via conductor 148 exposed in the back side opening 154 of the back side solder resist layer 153, and this is connected to the back side connection terminal. It is set to 255.

【0114】次に、第1フィルドビア導体129上にハ
ンダバンプ235を形成し、主面側接続端子235とす
る(図9参照)。その際、主面側Auメッキ層237の
Auは、ハンダ内に拡散するので、ハンダバンプ235
は、前述したように第1フィルドビア導体129に溶着
する。以上のようにして、配線基板201が完成する。
Next, solder bumps 235 are formed on the first filled via conductors 129 to form main surface side connection terminals 235 (see FIG. 9). At that time, since the Au of the Au plating layer 237 on the main surface side diffuses into the solder, the solder bump 235.
Is welded to the first filled via conductor 129 as described above. The wiring board 201 is completed as described above.

【0115】以上で説明したように、本実施形態でも、
フィルドビア形成工程において、第2フィルドビア導体
130の膨出部130Rの高さ(約5μm)を、5μm
以下に抑えている。このため、導体の粗化後、主面側ソ
ルダーレジスト層133を真空ラミネートする際に、搬
送ローラや真空シールローラが第2フィルドビア130
の膨出部130Rに接触しても、膨出部130Rが潰れ
にくくなり、その表面粗度が維持される。従って、第2
フィルドビア導体130と主面側ソルダーレジスト層1
33との密着強度を向上させ、信頼性を向上させること
ができる。
As described above, also in this embodiment,
In the filled via forming process, the height (about 5 μm) of the bulging portion 130R of the second filled via conductor 130 is set to 5 μm.
It is kept below. Therefore, after the conductor is roughened, when the main surface side solder resist layer 133 is vacuum-laminated, the transport roller and the vacuum seal roller are connected to the second filled via 130.
Even if the bulging portion 130R comes into contact with the bulging portion 130R, the bulging portion 130R is less likely to be crushed and the surface roughness is maintained. Therefore, the second
Field via conductor 130 and main surface side solder resist layer 1
The adhesion strength with 33 can be improved, and the reliability can be improved.

【0116】(実施形態3)次いで、第3の実施の形態
について説明する。なお、上記実施形態1または実施形
態2と同様な部分の説明は、省略または簡略化する。本
実施形態の配線基板301について、図14に部分断面
図を示す。また、図15に主面側接続端子335近傍の
部分拡大断面図を、図16に主面側第2絶縁層124の
第2フィルドビア導体130近傍の部分拡大断面図を、
図17に裏面側接続端子148近傍の部分拡大断面図を
示す。
(Third Embodiment) Next, a third embodiment will be described. The description of the same parts as those in the first or second embodiment will be omitted or simplified. FIG. 14 shows a partial cross-sectional view of the wiring board 301 of this embodiment. Further, FIG. 15 is a partially enlarged cross-sectional view near the main surface side connection terminal 335, and FIG. 16 is a partially enlarged cross sectional view near the second filled via conductor 130 of the main surface side second insulating layer 124.
FIG. 17 shows a partially enlarged cross-sectional view in the vicinity of the back surface side connection terminal 148.

【0117】この配線基板301は、上記実施形態1,
2と同様に、ICチップICが搭載される基板主面10
2と、マザーボードに接続される基板裏面103とを有
する略矩形の略板形状である。また、配線基板301
は、その中心にコア基板111を備え、コア主面112
側には、主面側第1絶縁層121、主面側第2絶縁層1
24、及び、主面側ソルダーレジスト層133が積層さ
れ、コア裏面113側には、裏面側第1絶縁層141、
裏面側第2絶縁層144、及び、裏面側ソルダーレジス
ト層153が積層されている。
This wiring board 301 is the same as that of the first embodiment.
Similar to 2, the substrate main surface 10 on which the IC chip IC is mounted
2 and a substrate back surface 103 connected to a mother board, which is a substantially rectangular plate shape. Also, the wiring board 301
Has a core substrate 111 at its center, and a core main surface 112
On the side, the main surface side first insulating layer 121, the main surface side second insulating layer 1
24 and a main surface side solder resist layer 133 are laminated, and the back surface side first insulating layer 141 is provided on the core back surface 113 side.
The back surface side second insulating layer 144 and the back surface side solder resist layer 153 are laminated.

【0118】また、コア基板111には、多数のスルー
ホール115が所定の位置に形成され、その内周面に
は、スルーホール導体116がそれぞれ形成され、さら
に、各スルーホール導体116内には、樹脂充填体11
7が形成されている。また、主面側第1絶縁層121に
は、多数のビアホール122が所定の位置に形成され、
その内部及びその上には、フィルドビア導体123がそ
れぞれ形成されている。具体的には、各々のフィルドビ
ア導体123は、ビアホール122内に形成された略円
錐台状の円錐台部と、その上に形成された円盤状の円盤
部とを有する。さらに、円盤部の中央上には、凸状に膨
らむ膨出部を有する。
Further, a large number of through holes 115 are formed at predetermined positions in the core substrate 111, through hole conductors 116 are formed on the inner peripheral surfaces thereof, and further, in each through hole conductor 116. , Resin filling body 11
7 are formed. In addition, a large number of via holes 122 are formed at predetermined positions in the main surface side first insulating layer 121,
Filled via conductors 123 are formed inside and on the inside thereof, respectively. Specifically, each filled via conductor 123 has a substantially truncated cone-shaped truncated cone portion formed in the via hole 122, and a disk-shaped disc portion formed thereon. Further, a convex portion that bulges in a convex shape is provided on the center of the disc portion.

【0119】また、図14〜図16に示すように、主面
側第2絶縁層124にも、多数のビアホール125が所
定の位置に形成され、その内部及びその上には、フィル
ドビア導体128がそれぞれ形成されている。具体的に
は、ビアホール125は、ICチップICを搭載する領
域下に配置された第1ビアホール126と、それ以外の
領域下に配置された第2ビアホール127に分類するこ
とができる。第1ビアホール126には第1フィルドビ
ア導体129が、第2ビアホール127には第2フィル
ドビア導体130が形成されている。第1フィルドビア
導体129も第2フィルドビア導体130も、第1ビア
ホール126または第2ビアホール127内に形成され
た略円錐台状の円錐台部129P,130Pと、その上
に形成された円盤状の円盤部129Q,130Qとを有
する(図15及び図16参照)。さらに、円盤部129
Q,130Qの中央上には、凸状に膨らみ、底面の直径
が約55μm、高さが約5μmの膨出部129R,13
0Rを有する。また、第1,第2フィルドビア導体12
9,130の表面全面は、表面粗さRa=約0.5μm
の粗化面とされている。
Further, as shown in FIGS. 14 to 16, a large number of via holes 125 are formed at predetermined positions in the main surface side second insulating layer 124, and filled via conductors 128 are formed inside and on the via holes 125. Each is formed. Specifically, the via hole 125 can be classified into a first via hole 126 arranged under the region where the IC chip IC is mounted and a second via hole 127 arranged under the other region. A first filled via conductor 129 is formed in the first via hole 126, and a second filled via conductor 130 is formed in the second via hole 127. Both the first filled via conductor 129 and the second filled via conductor 130 are substantially truncated cone-shaped truncated cone portions 129P and 130P formed in the first via hole 126 or the second via hole 127, and a disk-shaped disc formed thereon. And portions 129Q and 130Q (see FIGS. 15 and 16). Furthermore, the disk portion 129
A bulge portion 129R, 13 bulging in a convex shape on the center of Q, 130Q and having a bottom surface diameter of about 55 μm and a height of about 5 μm.
Has 0R. In addition, the first and second filled via conductors 12
The entire surface of 9,130 has a surface roughness Ra of about 0.5 μm.
It is said to be a roughened surface.

【0120】主面側ソルダーレジスト層133には、図
14及び図15に示すように、多数の主面側開口134
がICチップICを搭載する領域に平面視略格子状に形
成されている。これら主面側開口134の内側には、主
面側第2絶縁層124に形成された第1フィルドビア導
体129の中央部、具体的には、第1フィルドビア導体
129の膨出部129Rが位置している。そして、各主
面側開口134には、第1フィルドビア導体129に接
続し、他方で搭載するICチップICの端子と接続され
る主面側接続端子335がそれぞれ形成されている。こ
れらの主面側接続端子335は、主面側開口134内に
おいて第1フィルドビア導体129の表面に溶着し、主
面側ソルダーレジスト層133の表面を越えて突出する
ハンダバンプ335からなる。
As shown in FIGS. 14 and 15, the main surface side solder resist layer 133 has a large number of main surface side openings 134.
Are formed in a substantially lattice shape in a plan view in a region where the IC chip IC is mounted. Inside the main surface side opening 134, the central portion of the first filled via conductor 129 formed in the main surface side second insulating layer 124, specifically, the bulging portion 129R of the first filled via conductor 129 is located. ing. Then, each main surface side opening 134 is formed with a main surface side connection terminal 335 which is connected to the first filled via conductor 129 and is connected to the terminal of the IC chip IC mounted on the other side. These main surface side connection terminals 335 are solder bumps 335 that are welded to the surface of the first filled via conductor 129 in the main surface side opening 134 and project beyond the surface of the main surface side solder resist layer 133.

【0121】主面側開口134の深さ(主面側ソルダー
レジスト層133の厚さ)は約25μmであるところ、
第1フィルドビア導体129の膨出部129Rの高さが
約5μmであるから、第1フィルドビア導体129の表
面は、主面側ソルダーレジスト層133の表面よりも低
位にある。一方、主面側第2絶縁層124に形成された
第2フィルドビア導体130は、その表面全面がこの主
面側ソルダーレジスト層133に覆われている(図14
及び図16参照)。主面側ソルダーレジスト層133の
うち、第2フィルドビア導体130の膨出部130R上
に積層された部分の厚さは、約5.5μmである。
The depth of the main surface side opening 134 (thickness of the main surface side solder resist layer 133) is about 25 μm,
Since the height of the bulging portion 129R of the first filled via conductor 129 is about 5 μm, the surface of the first filled via conductor 129 is lower than the surface of the main surface side solder resist layer 133. On the other hand, the entire surface of the second filled via conductor 130 formed on the main surface side second insulating layer 124 is covered with the main surface side solder resist layer 133 (FIG. 14).
And FIG. 16). The thickness of the portion of the main surface side solder resist layer 133 that is stacked on the bulging portion 130R of the second filled via conductor 130 is approximately 5.5 μm.

【0122】図14に示すように、裏面側第1絶縁層1
41にも、多数のビアホール142が所定の位置に形成
され、その内部及びその上には、フィルドビア導体14
3がそれぞれ形成されている。具体的には、各々のフィ
ルドビア導体143は、フィルドビア導体123,12
8と同様に、円錐台部と円盤部と膨出部とからなり、表
面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている。
As shown in FIG. 14, the back side first insulating layer 1
41, a large number of via holes 142 are formed at predetermined positions, and the filled via conductors 14 are formed in and on the via holes 142.
3 are formed respectively. Specifically, each of the filled via conductors 143 has the filled via conductors 123, 12
Like No. 8, it has a shape including a truncated cone portion, a disk portion, and a bulging portion, and the surface has a bulging portion bulging in a convex shape.

【0123】また、図14及び図17に示すように、裏
面側第2絶縁層144にも、多数のビアホール145が
所定の位置に形成され、その内部及びその上には、フィ
ルドビア導体148がそれぞれ形成されている。具体的
には、各々のフィルドビア導体148は、フィルドビア
導体123,128,143と同様に、ビアホール14
5内に形成された略円錐台状の円錐台部148Pと、そ
の上に形成された円盤状の円盤部148Qと、その中央
上に凸状に膨らみ、底面の直径が約55μm、高さが約
5μmの膨出部148Rとからなる(図17参照)。ま
た、フィルドビア導体148の表面全面は、表面粗さR
a=約0.5μmの粗化面とされている。
Also, as shown in FIGS. 14 and 17, a large number of via holes 145 are formed in predetermined positions in the second insulating layer 144 on the back surface side, and filled via conductors 148 are formed inside and on the via holes 145, respectively. Has been formed. Specifically, each of the filled via conductors 148 is similar to the filled via conductors 123, 128, 143 in the via hole 14.
5, a truncated cone portion 148P having a substantially truncated cone shape, a disk portion 148Q formed on the truncated cone portion 148Q, and a convex bulge on the center thereof, and the bottom surface has a diameter of about 55 μm and a height of The bulging portion 148R is about 5 μm (see FIG. 17). In addition, the entire surface of the filled via conductor 148 has a surface roughness R.
a = a roughened surface of about 0.5 μm.

【0124】裏面側ソルダーレジスト層153には、多
数の裏面側開口154が平面視略格子状に形成されてい
る(図14及び図17参照)。これら裏面側開口154
の内側には、裏面側第2絶縁層144に形成されたフィ
ルドビア導体148の中央部、具体的には、フィルドビ
ア導体148の膨出部148Rと円盤部148Qの一部
が位置している。そして、このフィルドビア導体148
自体が、マザーボードの端子と接続される裏面接続端子
148となっている。裏面側開口154の深さ(裏面側
ソルダーレジスト層153の厚さ)は約25μmである
ところ、フィルドビア導体148の膨出部148Rの高
さが約5μmであるから、フィルドビア導体148の表
面は、裏面ソルダーレジスト層153の表面よりも低位
にある。
A large number of rear surface-side openings 154 are formed in the rear surface-side solder resist layer 153 in a substantially lattice pattern in plan view (see FIGS. 14 and 17). These back side openings 154
Inside, the central portion of the filled via conductor 148 formed on the back side second insulating layer 144, specifically, the bulging portion 148R of the filled via conductor 148 and a part of the disk portion 148Q are located. And this filled via conductor 148
The terminal itself is the back surface connection terminal 148 connected to the terminal of the motherboard. The depth of the back surface side opening 154 (the thickness of the back surface side solder resist layer 153) is about 25 μm, and the height of the bulging portion 148R of the filled via conductor 148 is about 5 μm. Therefore, the surface of the filled via conductor 148 is It is lower than the surface of the backside solder resist layer 153.

【0125】また、上記実施形態1,2と同様に、コア
基板111と主面側第1絶縁層121との層間には、図
14に示すように、主面側第1導体層161が形成さ
れ、主面側第1絶縁層121と主面側第2絶縁層124
との層間には、主面側第2導体層163が形成され、ま
た、主面側第2絶縁層124と主面側ソルダーレジスト
層133との層間には、主面側第3導体層165が形成
されている。また、コア基板111と裏面側第1絶縁層
141との層間には、裏面側第1導体層171が形成さ
れ、裏面側第1絶縁層141と裏面側第2絶縁層144
との層間には、裏面側第2導体層173が形成され、ま
た、裏面側第2絶縁層144と裏面側ソルダーレジスト
層153との層間には、裏面側第3導体層175が形成
されている。
As in the first and second embodiments, a main surface side first conductor layer 161 is formed between the core substrate 111 and the main surface side first insulating layer 121 as shown in FIG. The main surface side first insulating layer 121 and the main surface side second insulating layer 124
A main surface side second conductor layer 163 is formed between the main surface side second conductor layer 163 and the main surface side second insulating layer 124 and the main surface side solder resist layer 133. Are formed. A backside first conductor layer 171 is formed between the core substrate 111 and the backside first insulating layer 141, and the backside first insulating layer 141 and the backside second insulating layer 144 are formed.
And a back surface side second conductor layer 173 is formed between the back surface side second conductor layer 173 and the back surface side second insulating layer 144 and the back surface side solder resist layer 153. There is.

【0126】このような配線基板301は、その製造に
あたり、第1フィルドビア導体129上にハンダバンプ
335を形成するときに、第1フィルドビア導体129
の表面が凸状に膨らんでいるため、ハンダバンプ335
にボイドが生じにくい。従って、ハンダバンプ335の
クラック耐性が向上する。よって、主面側接続端子33
5に電気的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させ
ることができる。さらに、第1フィルドビア導体129
の表面が膨らんでいることにより、ハンダバンプ335
との接合面積が増加するので、ハンダバンプ235の接
合強度を向上させることができる。
In manufacturing the wiring board 301, the first filled via conductor 129 is formed when the solder bump 335 is formed on the first filled via conductor 129.
The surface of the solder bump 335 bulges in a convex shape.
Voids are unlikely to occur in the Therefore, the crack resistance of the solder bump 335 is improved. Therefore, the main surface side connection terminal 33
5. Electrical connection failure is unlikely to occur in 5, and reliability can be improved. Further, the first filled via conductor 129
The solder bump 335 due to the swollen surface of the
Since the joint area with the solder bump 235 increases, the joint strength of the solder bump 235 can be improved.

【0127】また、この配線基板301をマザーボード
に接続するにあたり、フィルドビア導体148にハンダ
を付けるときに、フィルドビア導体148の表面が凸状
に膨らんでいるため、ハンダにボイドが生じにくい。従
って、ハンダのクラック耐性が向上する。よって、電気
的な接続不良が生じにくく、信頼性を向上させることが
できる。さらに、フィルドビア導体148の表面が膨ら
んでいることにより、ハンダとの接合面積が増加するの
で、ハンダの接合強度を向上させることができる。
When connecting the wiring board 301 to the mother board, when the filled via conductor 148 is soldered, since the surface of the filled via conductor 148 bulges in a convex shape, voids are unlikely to occur in the solder. Therefore, the crack resistance of the solder is improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur, and reliability can be improved. Further, since the surface of the filled via conductor 148 is swollen, the joint area with the solder is increased, so that the joint strength of the solder can be improved.

【0128】さらに、本実施形態では、第1フィルドビ
ア導体129の表面が主面側ソルダーレジスト層133
の表面よりも低位とされているので、ICチップICを
良好な状態で搭載することができる。また、フィルドビ
ア導体148の表面が裏面側ソルダーレジスト層153
の表面よりも低位とされているので、マザーボードに接
続したときに、マザーボードとの接続状態を良好にする
ことができる。
Further, in this embodiment, the surface of the first filled via conductor 129 is the main surface side solder resist layer 133.
Since it is lower than the surface of the IC chip, the IC chip IC can be mounted in a good state. In addition, the front surface of the filled via conductor 148 is the back side solder resist layer 153.
Since it is lower than the surface of, the connection state with the motherboard can be improved when the motherboard is connected.

【0129】さらに、本実施形態では、主面側ソルダー
レジスト層133に覆われた第2フィルドビア導体13
0の表面が凸状に膨らんでいるため、その製造にあた
り、主面側ソルダーレジスト層133を形成するとき
に、第2フィルドビア導体130上にボイドが生じにく
い。従って、配線基板301の信頼性を向上させること
ができる。しかも、第2フィルドビア導体130の膨出
部130R上に積層された主面側ソルダーレジスト層1
33の厚さ(約5.5μm)は、5μm以上あるので、
第2フィルドビア130上にボイドが生じるのを防止す
ることができる上、配線基板301の外観も良好にする
ことができる。また、膨出部130Rを含め、第2フィ
ルドビア導体130の表面全面が粗化面である。従っ
て、第2フィルドビア導体130と主面側ソルダーレジ
スト層133との密着強度を向上させることができる。
Further, in this embodiment, the second filled via conductor 13 covered with the main surface side solder resist layer 133 is used.
Since the surface of No. 0 bulges in a convex shape, a void is unlikely to be formed on the second filled via conductor 130 when the main surface side solder resist layer 133 is formed in the manufacturing thereof. Therefore, the reliability of the wiring board 301 can be improved. Moreover, the principal surface side solder resist layer 1 laminated on the bulging portion 130R of the second filled via conductor 130
Since the thickness of 33 (about 5.5 μm) is 5 μm or more,
A void can be prevented from being formed on the second filled via 130, and the appearance of the wiring board 301 can be improved. In addition, the entire surface of the second filled via conductor 130 including the bulged portion 130R is a roughened surface. Therefore, the adhesion strength between the second filled via conductor 130 and the main surface side solder resist layer 133 can be improved.

【0130】次いで、この配線基板301の製造方法に
ついて図を参照しつつ説明する。まず、上記実施形態
1,2と同様にして、図5に示す基板を製造する。次
に、上記実施形態1,2と同様に、第2フィルドビア形
成工程において、図6に示すように、主面側第2絶縁層
124のビアホール125にフィルドビア導体128を
形成すると共に、裏面側第2絶縁層144のビアホール
145にフィルドビア導体148を形成する。また、主
面側第2絶縁層124上に主面側第3導体層165を形
成し、裏面側第1絶縁層144上に裏面側第3導体層1
75を形成する。その際、フィルドビア導体128(第
1フィルドビア導体129及び第2フィルドビア導体1
30)並びにフィルドビア導体148の表面が膨らみ、
高さ約5μmの膨出部129R,130R,148Rが
それぞれできるまでCu電解メッキを施す。次に、第3
導体粗化工程において、フィルドビア導体128(第1
フィルドビア導体129及び第2フィルドビア導体13
0)の表面全面並びにフィルドビア導体148の表面全
面と、主面側第3導体層165の表面全面及び裏面側第
3導体層175の表面全面とを、表面粗さRa=約0.
5μmに粗化する。
Next, a method of manufacturing the wiring board 301 will be described with reference to the drawings. First, the substrate shown in FIG. 5 is manufactured in the same manner as in the first and second embodiments. Next, as in Embodiments 1 and 2, in the second filled via forming step, as shown in FIG. 6, the filled via conductor 128 is formed in the via hole 125 of the main surface side second insulating layer 124, and the back surface side first insulating layer 124 is formed. The filled via conductor 148 is formed in the via hole 145 of the second insulating layer 144. Further, the main surface side third conductor layer 165 is formed on the main surface side second insulating layer 124, and the back surface side third conductor layer 1 is formed on the back surface side first insulating layer 144.
Forming 75. At that time, the filled via conductor 128 (the first filled via conductor 129 and the second filled via conductor 1
30) and the surface of the filled via conductor 148 swells,
Cu electrolytic plating is performed until bulges 129R, 130R, and 148R having a height of about 5 μm are formed. Next, the third
In the conductor roughening step, the filled via conductor 128 (first
Filled via conductor 129 and second filled via conductor 13
0) and the entire surface of the filled via conductor 148, and the entire surface of the main surface side third conductor layer 165 and the back surface side third conductor layer 175 have a surface roughness Ra of about 0.
Coarse to 5 μm.

【0131】次に、上記実施形態1,2と同様に、ソル
ダーレジスト層形成工程において、図7に示すように、
主面側第2絶縁層124及び主面側第3導体層165上
に、主面側開口134を所定の位置に有する主面側ソル
ダーレジスト層133を形成する。また同様にして、裏
面側第2絶縁層144及び裏面側第3導体層175上
に、裏面側開口154を所定の位置に有する裏面側ソル
ダーレジスト層153を形成する。具体的には、真空ラ
ミネートにより、主面側第2絶縁層124及び主面側第
3導体層165上に未硬化の主面側ソルダーレジスト層
を積層すると共に、裏面側第2絶縁層144及び裏面側
第3導体層175上に未硬化の裏面側ソルダーレジスト
層を積層する。その際、搬送ローラや真空シールローラ
が、基板の表裏面に接触するので、フィルドビア導体1
29,130,148の頂部にもそれぞれ接触するが、
膨出部129R,130R,148Rの高さが5μm以
下に抑えられているので、膨出部129R,130R,
148Rは潰れず、表面粗さが低下するのが防止され
る。
Next, as in Embodiments 1 and 2, in the solder resist layer forming step, as shown in FIG.
A main surface side solder resist layer 133 having a main surface side opening 134 at a predetermined position is formed on the main surface side second insulating layer 124 and the main surface side third conductor layer 165. Similarly, the back surface side solder resist layer 153 having the back surface side opening 154 at a predetermined position is formed on the back surface side second insulating layer 144 and the back surface side third conductor layer 175. Specifically, the uncured main surface side solder resist layer is laminated on the main surface side second insulating layer 124 and the main surface side third conductor layer 165 by vacuum lamination, and the back surface side second insulating layer 144 and An uncured back side solder resist layer is laminated on the back side third conductor layer 175. At that time, since the transport roller and the vacuum seal roller contact the front and back surfaces of the substrate, the filled via conductor 1
It also touches the tops of 29, 130 and 148, respectively.
Since the height of the bulging portions 129R, 130R, 148R is suppressed to 5 μm or less, the bulging portions 129R, 130R,
148R is not crushed and prevents the surface roughness from decreasing.

【0132】次に、本実施形態では、NiメッキやAu
メッキを施すことなく、第1フィルドビア導体129上
にハンダバンプ335を形成し、主面側接続端子335
とする(図15参照)。以上のようにして、配線基板3
01が完成する。
Next, in this embodiment, Ni plating or Au is used.
The solder bump 335 is formed on the first filled via conductor 129 without plating, and the main surface side connection terminal 335 is formed.
(See FIG. 15). As described above, the wiring board 3
01 is completed.

【0133】以上で説明したように、本実施形態でも、
フィルドビア形成工程において、第2フィルドビア導体
130の膨出部130Rの高さ(約5μm)を、5μm
以下に抑えている。このため、導体の粗化後、主面側ソ
ルダーレジスト層133を真空ラミネートする際に、搬
送ローラや真空シールローラが第2フィルドビア130
の膨出部130Rに接触しても、膨出部130Rが潰れ
にくくなり、その表面粗度が維持される。従って、第2
フィルドビア導体130と主面側ソルダーレジスト層1
33との密着強度を向上させ、信頼性を向上させること
ができる。
As described above, also in this embodiment,
In the filled via forming process, the height (about 5 μm) of the bulging portion 130R of the second filled via conductor 130 is set to 5 μm.
It is kept below. Therefore, after the conductor is roughened, when the main surface side solder resist layer 133 is vacuum-laminated, the transport roller and the vacuum seal roller are connected to the second filled via 130.
Even if the bulging portion 130R comes into contact with the bulging portion 130R, the bulging portion 130R is less likely to be crushed and the surface roughness is maintained. Therefore, the second
Field via conductor 130 and main surface side solder resist layer 1
The adhesion strength with 33 can be improved, and the reliability can be improved.

【0134】以上において、本発明を実施形態に即して
説明したが、本発明は上記各実施形態1〜3に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変
更して適用できることはいうまでもない。例えば、上記
実施形態1では、主面側Niメッキ層136上にハンダ
バンプ138を形成しているが、ハンダバンプ138の
ない配線基板を製品とすることもできる。即ち、図8に
示す状態の配線基板とすることもできる。このような配
線基板は、主面側Niメッキ層136にハンダを付ける
ときに、主面側Niメッキ層136の表面が凸状に膨ら
んでいるため、ハンダにボイドが生じにくい。従って、
ハンダのクラック耐性を向上させることができる。よっ
て、主面側接続端子に電気的な接続不良が生じにくく、
配線基板の信頼性を向上させることができる。さらに、
主面側Niメッキ層136の表面が膨らんでいることに
より、ハンダとの接合面積が増加するので、ハンダの接
合強度が向上させることができる。また、その他、上記
実施形態と同様な部分は、同様な効果を奏する。なお、
これと同様に、上記実施形態2及び実施形態3において
も、ハンダバンプ235,335のない状態の配線基板
を製品としてもよい。
Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited to the above-described first to third embodiments, and is appropriately modified and applied without departing from the scope of the invention. It goes without saying that you can do it. For example, in the first embodiment, the solder bumps 138 are formed on the Ni plating layer 136 on the main surface side, but a wiring board without the solder bumps 138 can be used as a product. That is, the wiring board in the state shown in FIG. 8 can also be used. In such a wiring board, when solder is applied to the main surface side Ni plating layer 136, the surface of the main surface side Ni plating layer 136 swells in a convex shape, so that voids are unlikely to occur in the solder. Therefore,
The crack resistance of the solder can be improved. Therefore, electrical connection failure is unlikely to occur in the main surface side connection terminal,
The reliability of the wiring board can be improved. further,
Since the surface of the Ni plating layer 136 on the main surface side swells, the joint area with the solder increases, so that the joint strength of the solder can be improved. In addition, other parts similar to those of the above-described embodiment have similar effects. In addition,
Similarly, in the second and third embodiments, the wiring board without the solder bumps 235 and 335 may be used as a product.

【0135】また、上記各実施形態1〜3では、ハンダ
を介して裏面側接続端子155,255,148とマザ
ーボードを接続する配線基板101,201,301に
ついて示したが、裏面側接続端子155等にハンダを介
してピンを立設することもできる。
In each of the first to third embodiments described above, the wiring board 101, 201, 301 for connecting the back surface side connection terminals 155, 255, 148 and the mother board via the solder has been described, but the back surface side connection terminal 155 and the like. It is also possible to erected the pin via solder.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施形態1に係る配線基板の部分断面図であ
る。
FIG. 1 is a partial cross-sectional view of a wiring board according to a first embodiment.

【図2】実施形態1に係る配線基板のうち主面側接続端
子近傍を示す部分拡大断面図である。
FIG. 2 is a partially enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the main surface side connection terminal of the wiring board according to the first embodiment.

【図3】実施形態1に係る配線基板のうち主面側第2絶
縁層の第2フィルドビア導体近傍を示す部分拡大断面図
である。
FIG. 3 is a partial enlarged cross-sectional view showing the vicinity of a second filled via conductor of the second insulating layer on the main surface side of the wiring board according to the first embodiment.

【図4】実施形態1に係る配線基板のうち裏面側接続端
子近傍を示す部分拡大断面図である。
FIG. 4 is a partially enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the back surface side connection terminal of the wiring board according to the first embodiment.

【図5】実施形態1に係る配線基板の製造方法に関し、
主面側第2絶縁層及び裏面側第2絶縁層まで形成した基
板を示す説明図である。
FIG. 5 relates to a method for manufacturing a wiring board according to the first embodiment,
It is explanatory drawing which shows the board | substrate which formed the main surface side 2nd insulating layer and the back surface side 2nd insulating layer.

【図6】実施形態1に係る配線基板の製造方法に関し、
主面側第2絶縁層のフィルドビア導体及び裏面側第2絶
縁層のフィルドビア導体等を形成した様子を示す説明図
である。
FIG. 6 relates to a method for manufacturing a wiring board according to the first embodiment,
It is explanatory drawing which shows a mode that the filled via conductor of the main surface side 2nd insulating layer, the filled via conductor of the back surface side 2nd insulating layer, etc. were formed.

【図7】実施形態1に係る配線基板の製造方法に関し、
主面側ソルダーレジスト層及び裏面側ソルダーレジスト
層を形成した様子を示す説明図である。
FIG. 7 relates to a method for manufacturing a wiring board according to the first embodiment,
It is explanatory drawing which shows a mode that the main surface side solder resist layer and the back surface side solder resist layer were formed.

【図8】実施形態1に係る配線基板の製造方法に関し、
主面側Niメッキ層、主面側Auメッキ層、裏面側Ni
メッキ層、裏面側Auメッキ層を形成した様子を示す説
明図である。
FIG. 8 relates to a method for manufacturing a wiring board according to the first embodiment,
Main surface side Ni plating layer, main surface side Au plating layer, back surface side Ni plating layer
It is explanatory drawing which shows a mode that the plating layer and the back surface side Au plating layer were formed.

【図9】実施形態2に係る配線基板の部分断面図であ
る。
FIG. 9 is a partial cross-sectional view of a wiring board according to a second embodiment.

【図10】実施形態2に係る配線基板のうち主面側接続
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
FIG. 10 is a partial enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the main surface side connection terminal of the wiring board according to the second embodiment.

【図11】実施形態2に係る配線基板のうち主面側第2
絶縁層の第2フィルドビア導体近傍を示す部分拡大断面
図である。
FIG. 11 is a second main surface side of the wiring board according to the second embodiment.
It is a partial expanded sectional view which shows the 2nd filled via conductor vicinity of an insulating layer.

【図12】実施形態2に係る配線基板のうち裏面側接続
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
FIG. 12 is a partially enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the back surface side connection terminal of the wiring board according to the second embodiment.

【図13】実施形態2に係る配線基板の製造方法に関
し、主面側Auメッキ層及び裏面側Auメッキ層を形成
した様子を示す説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram showing a state in which a main surface side Au plating layer and a back surface side Au plating layer are formed in the method for manufacturing a wiring board according to the second embodiment.

【図14】実施形態3に係る配線基板の部分断面図であ
る。
FIG. 14 is a partial cross-sectional view of a wiring board according to a third embodiment.

【図15】実施形態3に係る配線基板のうち主面側接続
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
FIG. 15 is a partially enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the main surface side connection terminal of the wiring board according to the third embodiment.

【図16】実施形態3に係る配線基板のうち主面側第2
絶縁層の第2フィルドビア導体近傍を示す部分拡大断面
図である。
FIG. 16 is a second main surface side of the wiring board according to the third embodiment.
It is a partial expanded sectional view which shows the 2nd filled via conductor vicinity of an insulating layer.

【図17】実施形態3に係る配線基板のうち裏面側接続
端子近傍を示す部分拡大断面図である。
FIG. 17 is a partially enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the back surface side connection terminal of the wiring board according to the third embodiment.

【図18】従来形態に係る配線基板の要部の部分拡大断
面図である。
FIG. 18 is a partial enlarged cross-sectional view of a main part of a wiring board according to a conventional form.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101,201,301 配線基板 121 主面側第1絶縁層 122,125,142,145 ビアホール 123,128,143,148 フィルドビア導体 124 主面側第2絶縁層 126 第1ビアホール 127 第2ビアホール 129 第1フィルドビア導体 130 第2フィルドビア導体 133 主面側ソルダーレジスト層 134 主面側開口 135,235,335 主面側接続端子 136 主面側Niメッキ層 138,235,335 ハンダバンプ 141 裏面側第1絶縁層 144 裏面側第2絶縁層 153 裏面側ソルダーレジスト層 154 裏面側開口 155,255,148 裏面側接続端子 156 裏面側Niメッキ層 157,255 裏面側Auメッキ層 101, 201, 301 wiring board 121 First surface first insulating layer 122,125,142,145 via holes 123,128,143,148 filled via conductors 124 Main surface side second insulating layer 126 First via hole 127 Second via hole 129 First filled via conductor 130 Second filled via conductor 133 main surface side solder resist layer 134 Main surface side opening 135,235,335 Main surface side connection terminal 136 Ni plating layer on main surface 138, 235, 335 solder bumps 141 Backside First Insulating Layer 144 Backside second insulating layer 153 Backside solder resist layer 154 Back side opening 155, 255, 148 Rear side connection terminals 156 Back side Ni plating layer 157,255 Au plating layer on the back side

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伴 典高 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 山崎 耕三 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 Fターム(参考) 5E319 AA03 AB05 AC02 AC11 BB04 CC33 CD26 GG03 GG11 5E343 AA17 BB17 BB23 BB24 BB44 DD33 DD43 EE53 GG02 GG18 5E346 AA15 AA32 AA43 BB16 CC09 CC32 CC37 CC38 DD13 DD25 DD47 EE18 FF07 FF09 FF10 FF15 FF18 FF22 FF45 GG06 GG15 GG17 GG25 HH07 HH11 HH33    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Noritaka             14-18 Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture             Inside this special ceramics company (72) Inventor Kozo Yamazaki             14-18 Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya City, Aichi Prefecture             Inside this special ceramics company F-term (reference) 5E319 AA03 AB05 AC02 AC11 BB04                       CC33 CD26 GG03 GG11                 5E343 AA17 BB17 BB23 BB24 BB44                       DD33 DD43 EE53 GG02 GG18                 5E346 AA15 AA32 AA43 BB16 CC09                       CC32 CC37 CC38 DD13 DD25                       DD47 EE18 FF07 FF09 FF10                       FF15 FF18 FF22 FF45 GG06                       GG15 GG17 GG25 HH07 HH11                       HH33

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記フィルドビア導体の表面に被着した金属層と、を備
える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、
その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板。
1. A wiring board comprising an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, and a metal layer deposited on the surface of the filled via conductor, wherein the filled via conductor has a surface thereof. Is a shape having a convex bulge, and the metal layer also follows the surface of the filled via conductor,
A wiring board whose surface is convex.
【請求項2】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、を備
える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされている配線基板。
2. A wiring board comprising: an insulating layer having a via hole; and a filled via conductor formed in the via hole, wherein the filled via conductor has a shape having a bulged portion whose surface bulges in a convex shape. Wiring board.
【請求項3】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記フィルドビア導体の表面に被着した金属層と、 上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備える
配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、
その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板。
3. A wiring board comprising: an insulating layer having a via hole; a filled via conductor formed in the via hole; a metal layer deposited on the surface of the filled via conductor; and solder bumps deposited on the surface of the metal layer. In the filled via conductor, the surface thereof has a shape having a bulging portion that bulges in a convex shape, and the metal layer also follows the surface of the filled via conductor,
A wiring board whose surface is convex.
【請求項4】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記フィルドビア導体の表面に溶着したハンダバンプ
と、を備える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らんだ膨
出部を有する形状とされている配線基板。
4. A wiring board comprising an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, and a solder bump welded to the surface of the filled via conductor, wherein the filled via conductor has a convex surface. A wiring board having a shape that has a bulging portion that bulges like a circle.
【請求項5】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導体の少な
くとも一部がその内側に配置された開口を有するソルダ
ーレジスト層と、 上記開口内において上記フィルドビア導体の表面に被着
した金属層と、を備える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、
その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板。
5. A solder resist layer having an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, laminated on the insulating layer, and having an opening in which at least a part of the filled via conductor is arranged. And a metal layer deposited on the surface of the filled via conductor in the opening, wherein the filled via conductor has a bulged portion whose surface bulges convexly in the opening. And the metal layer also follows the surface of the filled via conductor,
A wiring board whose surface is convex.
【請求項6】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導体の少な
くとも一部がその内側に配置された開口を有するソルダ
ーレジスト層と、 上記開口内において上記フィルドビア導体の表面に被着
した金属層と、 上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備える
配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記フィルドビア導体の表面に倣って、
その表面が凸状に膨らんだ形状とされている配線基板。
6. A solder resist layer having an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, laminated on the insulating layer, and having an opening in which at least a part of the filled via conductor is arranged. And a metal layer deposited on the surface of the filled via conductor in the opening, and a solder bump welded to the surface of the metal layer, wherein the filled via conductor has a surface in the opening. It has a shape having a convex bulge, and the metal layer also follows the surface of the filled via conductor,
A wiring board whose surface is convex.
【請求項7】請求項5または請求項6に記載の配線基板
であって、 前記金属層の表面は、前記ソルダーレジスト層の表面よ
りも低位にある配線基板。
7. The wiring board according to claim 5, wherein the surface of the metal layer is lower than the surface of the solder resist layer.
【請求項8】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導体の少な
くとも一部がその内側に配置された開口を有するソルダ
ーレジスト層と、を備える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線
基板。
8. A solder resist layer having an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, laminated on the insulating layer, and having an opening in which at least a part of the filled via conductor is arranged. And a filled via conductor having a bulging portion whose surface is convexly bulged in the opening.
【請求項9】ビアホールを有する絶縁層と、 上記ビアホールに形成されたフィルドビア導体と、 上記絶縁層上に積層され、上記フィルドビア導体の少な
くとも一部がその内側に配置された開口を有するソルダ
ーレジスト層と、 上記フィルドビア導体の表面に溶着したハンダバンプ
と、を備える配線基板であって、 上記フィルドビア導体は、上記開口内においてその表面
が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされている配線
基板。
9. A solder resist layer having an insulating layer having a via hole, a filled via conductor formed in the via hole, laminated on the insulating layer, and having an opening in which at least a part of the filled via conductor is arranged. And a solder bump welded to the surface of the filled via conductor, wherein the filled via conductor has a shape in which the surface has a convex bulge in the opening. .
【請求項10】請求項8または請求項9に記載の配線基
板であって、 前記フィルドビア導体の表面は、前記ソルダーレジスト
層の表面よりも低位にある配線基板。
10. The wiring board according to claim 8 or 9, wherein the surface of the filled via conductor is lower than the surface of the solder resist layer.
【請求項11】第1ビアホールと第2ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第1ビアホールに形成された第1フィルドビア導体
と、 上記第2ビアホールに形成された第2フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第1フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第2フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、 上記開口内において上記第1フィルドビア導体の表面に
被着した金属層と、を備える配線基板であって、 上記第1フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記第1フィルドビア導体の表面に倣っ
て、その表面が凸状に膨らんだ形状とされ、 上記第2フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板。
11. An insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, a second filled via conductor formed in the second via hole, and an insulating layer on the insulating layer. And a solder resist layer that has an opening in which at least a part of the first filled via conductor is disposed inside and that covers the second filled via conductor, and a surface of the first filled via conductor in the opening. And a metal layer attached to the first filled via conductor, wherein the first filled via conductor has a shape having a bulged portion whose surface bulges in a convex shape in the opening. According to the surface of the filled via conductor, the surface has a shape that bulges in a convex shape, and the second filled via conductor has a bulging portion whose surface bulges in a convex shape. A wiring board that has a shape.
【請求項12】第1ビアホールと第2ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第1ビアホールに形成された第1フィルドビア導体
と、 上記第2ビアホールに形成された第2フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第1フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第2フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、 上記開口内において上記第1フィルドビア導体の表面に
被着した金属層と、 上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備える
配線基板であって、 上記第1フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記第1フィルドビア導体の表面に倣っ
て、その表面が凸状に膨らんだ形状とされ、 上記第2フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板。
12. An insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, a second filled via conductor formed in the second via hole, and an insulating layer on the insulating layer. And a solder resist layer that has an opening in which at least a part of the first filled via conductor is disposed inside and that covers the second filled via conductor, and a surface of the first filled via conductor in the opening. A wiring board comprising a deposited metal layer and a solder bump welded to the surface of the metal layer, wherein the first filled via conductor has a bulging portion in which the surface bulges in a convex shape in the opening. And the metal layer also has a shape in which the surface bulges in a convex shape following the surface of the first filled via conductor. Conductor wiring the surface is a shape having a bulging portion bulging convex substrate.
【請求項13】請求項11または請求項12に記載の配
線基板であって、 前記金属層の表面は、前記ソルダーレジスト層の表面よ
りも低位にある配線基板。
13. The wiring board according to claim 11, wherein the surface of the metal layer is lower than the surface of the solder resist layer.
【請求項14】第1ビアホールと第2ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第1ビアホールに形成された第1フィルドビア導体
と、 上記第2ビアホールに形成された第2フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第1フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第2フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、
を備える配線基板であって、 上記第1フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記第2フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板。
14. An insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, a second filled via conductor formed in the second via hole, and an insulating layer on the insulating layer. A solder resist layer that is laminated on the second filled via conductor and has an opening in which at least a part of the first filled via conductor is arranged.
A wiring board comprising: the first filled via conductor having a bulging portion whose surface bulges convexly in the opening; and the surface of the second filled via conductor bulges convexly. A wiring board having a shape with a bulge.
【請求項15】第1ビアホールと第2ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第1ビアホールに形成された第1フィルドビア導体
と、 上記第2ビアホールに形成された第2フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第1フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第2フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、 上記第1フィルドビア導体の表面に溶着したハンダバン
プと、を備える配線基板であって、 上記第1フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記第2フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板。
15. An insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, a second filled via conductor formed in the second via hole, and an insulating layer on the insulating layer. And a solder resist layer having an opening in which at least a part of the first filled via conductor is arranged, the solder resist layer covering the second filled via conductor, and a solder bump welded to the surface of the first filled via conductor. A wiring board comprising: the first filled via conductor having a bulging portion whose surface bulges convexly in the opening; and the surface of the second filled via conductor bulges convexly. A wiring board having a shape with a bulge.
【請求項16】請求項14または請求項15に記載の配
線基板であって、 前記第1フィルドビア導体の表面は、前記ソルダーレジ
スト層の表面よりも低位にある配線基板。
16. The wiring board according to claim 14 or 15, wherein the surface of the first filled via conductor is lower than the surface of the solder resist layer.
【請求項17】請求項11〜請求項16のいずれか一項
に記載の配線基板であって、 前記ソルダーレジスト層のうち、前記第2フィルドビア
導体の膨出部上に積層された部分の厚さは、5μm以上
である配線基板。
17. The wiring board according to claim 11, wherein a thickness of a portion of the solder resist layer laminated on the bulging portion of the second filled via conductor. The wiring board is 5 μm or more.
【請求項18】請求項11〜請求項17のいずれか一項
に記載の配線基板であって、 前記第2フィルドビア導体は、その表面全面が粗化面で
ある配線基板。
18. The wiring board according to claim 11, wherein the entire surface of the second filled via conductor is a roughened surface.
【請求項19】第1ビアホールと第2ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第1ビアホールに形成された第1フィルドビア導体
と、 上記第2ビアホールに形成された第2フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第1フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第2フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、 上記開口内において上記第1フィルドビア導体の表面に
被着した金属層と、 上記金属層の表面に溶着したハンダバンプと、を備え、 上記第1フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記金属層も、上記第1フィルドビア導体の表面に倣っ
て、その表面が凸状に膨らんだ形状とされ、 上記第2フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板の製造方法
であって、 電解メッキにより、上記膨出部を有する第1フィルドビ
ア導体と上記膨出部を有する第2フィルドビア導体とを
同時に形成するフィルドビア形成工程であって、上記膨
出部の高さが15μm以下の上記第2フィルドビア導体
を形成するフィルドビア形成工程と、 上記第2フィルドビア導体の表面全面を粗化する粗化工
程と、 真空ラミネートにより、上記絶縁層上に上記ソルダーレ
ジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、を
備える配線基板の製造方法。
19. An insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, a second filled via conductor formed in the second via hole, and an insulating layer on the insulating layer. And a solder resist layer that has an opening in which at least a part of the first filled via conductor is disposed inside and that covers the second filled via conductor, and a surface of the first filled via conductor in the opening. And a solder bump welded to the surface of the metal layer, wherein the first filled via conductor has a shape having a bulged portion whose surface bulges in a convex shape in the opening. The layer also has a shape in which the surface thereof bulges in a convex shape following the surface of the first filled via conductor, and the second filled via conductor has a surface thereof. A method of manufacturing a wiring board having a shape having a convex bulge, comprising: a first filled via conductor having the bulge and a second filled via conductor having the bulge by electroplating; And a filled via forming step of forming the second filled via conductor having a height of the bulging portion of 15 μm or less, and a roughening step of roughening the entire surface of the second filled via conductor. And a solder resist layer forming step of forming the solder resist layer on the insulating layer by vacuum lamination.
【請求項20】第1ビアホールと第2ビアホールを有す
る絶縁層と、 上記第1ビアホールに形成された第1フィルドビア導体
と、 上記第2ビアホールに形成された第2フィルドビア導体
と、 上記絶縁層上に積層され、上記第1フィルドビア導体の
少なくとも一部がその内側に配置された開口を有し、上
記第2フィルドビア導体を覆うソルダーレジスト層と、 上記第1フィルドビア導体の表面に溶着したハンダバン
プと、 を備え、 上記第1フィルドビア導体は、上記開口内においてその
表面が凸状に膨らんだ膨出部を有する形状とされ、 上記第2フィルドビア導体は、その表面が凸状に膨らん
だ膨出部を有する形状とされている配線基板の製造方法
であって、 電解メッキにより、上記膨出部を有する第1フィルドビ
ア導体と上記膨出部を有する第2フィルドビア導体とを
同時に形成するフィルドビア形成工程であって、上記膨
出部の高さが15μm以下の上記第2フィルドビア導体
を形成するフィルドビア形成工程と、 上記第2フィルドビア導体の表面全面を粗化する粗化工
程と、 真空ラミネートにより、上記絶縁層上に上記ソルダーレ
ジスト層を形成するソルダーレジスト層形成工程と、を
備える配線基板の製造方法。
20. An insulating layer having a first via hole and a second via hole, a first filled via conductor formed in the first via hole, a second filled via conductor formed in the second via hole, and an insulating layer on the insulating layer. And a solder resist layer having an opening in which at least a part of the first filled via conductor is arranged, the solder resist layer covering the second filled via conductor, and a solder bump welded to the surface of the first filled via conductor. The first filled via conductor has a shape in which the surface has a bulging portion in which a convex shape bulges in the opening, and the second filled via conductor has a bulging portion in which a surface thereof bulges in a convex shape. A method of manufacturing a wiring board having a shape, comprising: forming a first filled via conductor having the bulged portion and the bulged portion by electrolytic plating. A filled via forming step of simultaneously forming a second filled via conductor for forming the second filled via conductor and a filled via forming step of forming the second filled via conductor having a height of the bulging portion of 15 μm or less; A method of manufacturing a wiring board, comprising: a roughening step of roughening; and a solder resist layer forming step of forming the solder resist layer on the insulating layer by vacuum lamination.
【請求項21】請求項19または請求項20に記載の配
線基板の製造方法であって、 前記フィルドビア形成工程において、前記膨出部の高さ
が5μm以下の前記第2フィルドビア導体を形成する配
線基板の製造方法。
21. The method of manufacturing a wiring board according to claim 19 or 20, wherein in the filled via forming step, the second filled via conductor having a height of the bulging portion of 5 μm or less is formed. Substrate manufacturing method.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005167154A (en) * 2003-12-05 2005-06-23 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Printed wiring board for electronic component mounting, manufacturing method for printed wiring board, and semiconductor device
JP2005303079A (en) * 2004-04-13 2005-10-27 Fujitsu Ltd Mounting board
US7377032B2 (en) 2003-11-21 2008-05-27 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Process for producing a printed wiring board for mounting electronic components
JP2009081334A (en) * 2007-09-27 2009-04-16 Aisin Aw Co Ltd Multi-layer printed wiring board, and manufacturing method thereof
US8362367B2 (en) 2008-09-29 2013-01-29 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board
WO2015068555A1 (en) * 2013-11-07 2015-05-14 株式会社村田製作所 Multi-layer substrate and method for manufacturing same
JP2016039158A (en) * 2014-08-05 2016-03-22 日本特殊陶業株式会社 Wiring board manufacturing method
JP2016166855A (en) * 2015-03-09 2016-09-15 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Semiconductor device and manufacturing method for the same
CN111033771A (en) * 2017-08-29 2020-04-17 京瓷株式会社 Substrate for mounting electronic component, electronic device, and electronic module
JP2020181925A (en) * 2019-04-26 2020-11-05 イビデン株式会社 Wiring board and manufacturing method of wiring board
WO2022091957A1 (en) * 2020-10-30 2022-05-05 Tdk株式会社 Substrate having built-in electronic component

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7377032B2 (en) 2003-11-21 2008-05-27 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Process for producing a printed wiring board for mounting electronic components
JP2005167154A (en) * 2003-12-05 2005-06-23 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd Printed wiring board for electronic component mounting, manufacturing method for printed wiring board, and semiconductor device
JP2005303079A (en) * 2004-04-13 2005-10-27 Fujitsu Ltd Mounting board
JP4502690B2 (en) * 2004-04-13 2010-07-14 富士通株式会社 Mounting board
JP2009081334A (en) * 2007-09-27 2009-04-16 Aisin Aw Co Ltd Multi-layer printed wiring board, and manufacturing method thereof
US8362367B2 (en) 2008-09-29 2013-01-29 Ibiden Co., Ltd. Multilayer printed wiring board and method for manufacturing multilayer printed wiring board
US9877390B2 (en) 2013-11-07 2018-01-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multilayer substrate and method for manufacturing the same
WO2015068555A1 (en) * 2013-11-07 2015-05-14 株式会社村田製作所 Multi-layer substrate and method for manufacturing same
JP2016039158A (en) * 2014-08-05 2016-03-22 日本特殊陶業株式会社 Wiring board manufacturing method
KR101792335B1 (en) * 2014-08-05 2017-10-31 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 Method for manufacturing wiring board
JP2016166855A (en) * 2015-03-09 2016-09-15 サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. Semiconductor device and manufacturing method for the same
CN111033771A (en) * 2017-08-29 2020-04-17 京瓷株式会社 Substrate for mounting electronic component, electronic device, and electronic module
JPWO2019044706A1 (en) * 2017-08-29 2020-09-24 京セラ株式会社 Substrate for mounting electronic components, electronic devices and electronic modules
CN111033771B (en) * 2017-08-29 2023-10-20 京瓷株式会社 Substrate for mounting electronic component, electronic device, and electronic module
JP2020181925A (en) * 2019-04-26 2020-11-05 イビデン株式会社 Wiring board and manufacturing method of wiring board
JP7288339B2 (en) 2019-04-26 2023-06-07 イビデン株式会社 Wiring board and method for manufacturing wiring board
WO2022091957A1 (en) * 2020-10-30 2022-05-05 Tdk株式会社 Substrate having built-in electronic component

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