JP2016029195A - 合金粉末の製造方法 - Google Patents
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Landscapes
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- Powder Metallurgy (AREA)
Abstract
Description
実施例1−1として、元素組成がAl0.3CoCrFeNiで表わされる合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Alの原子濃度が約7at%、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約23.3at%である。
実施例1−2として、元素組成がAlCoCrFeNiで表わされる合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約20.0at%である。
比較例1−1として、元素組成がAl0.3CoCrFeNiで表わされる合金構造体を鋳造により製造した。原子濃度比率は、Alの原子濃度が約7at%、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約23.3at%である。
比較例1−2として、元素組成がAl0.2CoCrFeNiで表わされる合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Alの原子濃度が約4.8at%、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約23.8at%である。
実施例1−3として、元素組成がAl1.5CoCrFeNiで表わされる合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Alの原子濃度が約27.2at%、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約18.2at%である。
比較例1−3として、元素組成がAlCoCrFeNiで表わされる合金構造体を溶射により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約20.0at%である。
比較例1−4として、元素組成がAl2.0CoCrFeNiで表わされる合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Alの原子濃度が約33.3at%、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約16.7at%である。
実施例1−4として、元素組成がAlCoCrFeNiMo0.5で表わされる合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約18.2at%、Moの原子濃度が約9.1at%である。
実施例2−1として、元素組成がAl0.3CoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限した合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Alの原子濃度が約7at%、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約23.3at%である。また、Pの濃度を0.002wt%以下、Siの濃度を0.010wt%以下、Sの濃度を0.001wt%以下、Snの濃度を0.002wt%以下、Sbの濃度を0.001wt%以下、Asの濃度を0.001wt%以下、Mnの濃度を0.020wt%以下、Oの濃度を0.0003wt%以下、Nの濃度を0.001wt%以下に制限した。
実施例2−2として、元素組成がAlCoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限した合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約20.0at%である。また、Pの濃度を0.002wt%以下、Siの濃度を0.010wt%以下、Sの濃度を0.001wt%以下、Snの濃度を0.002wt%以下、Sbの濃度を0.001wt%以下、Asの濃度を0.001wt%以下、Mnの濃度を0.020wt%以下、Oの濃度を0.0003wt%以下、Nの濃度を0.001wt%以下に制限した。
比較例2−1として、元素組成がAlCoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限した合金構造体を鋳造により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約20.0at%である。また、Pの濃度を0.002wt%以下、Siの濃度を0.010wt%以下、Sの濃度を0.001wt%以下、Snの濃度を0.002wt%以下、Sbの濃度を0.001wt%以下、Asの濃度を0.001wt%以下、Mnの濃度を0.020wt%以下、Oの濃度を0.0003wt%以下、Nの濃度を0.001wt%以下に制限した。
比較例2−2として、元素組成がAl0.2CoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限した合金構造体を鋳造により製造した。原子濃度比率は、Alの原子濃度が約4.8at%、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約23.8at%である。また、Pの濃度を0.002wt%以下、Siの濃度を0.010wt%以下、Sの濃度を0.001wt%以下、Snの濃度を0.002wt%以下、Sbの濃度を0.001wt%以下、Asの濃度を0.001wt%以下、Mnの濃度を0.020wt%以下、Oの濃度を0.0003wt%以下、Nの濃度を0.001wt%以下に制限した。
実施例2−3として、元素組成がAl1.5CoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限した合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Alの原子濃度が約27.2at%、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約18.2at%である。また、Pの濃度を0.005wt%以下、Siの濃度を0.040wt%以下、Sの濃度を0.002wt%以下、Snの濃度を0.005wt%以下、Sbの濃度を0.002wt%以下、Asの濃度を0.005wt%以下、Mnの濃度を0.050wt%以下、Oの濃度を0.001wt%以下、Nの濃度を0.002wt%以下に制限した。
比較例2−3として、元素組成がAlCoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限した合金構造体を溶射により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約20.0at%である。また、Pの濃度を0.002wt%以下、Siの濃度を0.010wt%以下、Sの濃度を0.001wt%以下、Snの濃度を0.002wt%以下、Sbの濃度を0.001wt%以下、Asの濃度を0.001wt%以下、Mnの濃度を0.020wt%以下、Oの濃度を0.0003wt%以下、Nの濃度を0.001wt%以下に制限した。
比較例2−4として、元素組成がAl2.0CoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限した合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Alの原子濃度が約33.3at%、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約16.7at%である。また、Pの濃度を0.002wt%以下、Siの濃度を0.010wt%以下、Sの濃度を0.001wt%以下、Snの濃度を0.002wt%以下、Sbの濃度を0.001wt%以下、Asの濃度を0.001wt%以下、Mnの濃度を0.020wt%以下、Oの濃度を0.0003wt%以下、Nの濃度を0.001wt%以下に制限した。
実施例3−1として、元素組成がAlCoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限した図5に示す合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約20.0at%である。また、Pの濃度を0.002wt%以下、Siの濃度を0.010wt%以下、Sの濃度を0.001wt%以下、Snの濃度を0.002wt%以下、Sbの濃度を0.001wt%以下、Asの濃度を0.001wt%以下、Mnの濃度を0.020wt%以下、Oの濃度を0.0003wt%以下、Nの濃度を0.001wt%以下に制限した。
実施例3−2として、元素組成がAlCoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限していない図5に示す合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約20.0at%である。
実施例4−1として、元素組成がAlCoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限した合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約20.0at%である。また、Pの濃度を0.002wt%以下、Siの濃度を0.010wt%以下、Sの濃度を0.001wt%以下、Snの濃度を0.002wt%以下、Sbの濃度を0.001wt%以下、Asの濃度を0.001wt%以下、Mnの濃度を0.020wt%以下、Oの濃度を0.0003wt%以下、Nの濃度を0.001wt%以下に制限した。
実施例4−2として、元素組成がAlCoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限した合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約20.0at%である。また、Pの濃度を0.002wt%〜0.005wt%、Siの濃度を0.010wt%〜0.040wt%、Sの濃度を0.001wt%〜0.002wt%、Snの濃度を0.002wt%〜0.005wt%、Sbの濃度を0.001wt%〜0.002wt%、Asの濃度を0.001wt%〜0.005wt%、Mnの濃度を0.020wt%〜0.050wt%、Oの濃度を0.0003wt%〜0.001wt%、Nの濃度を0.001wt%〜0.002wt%とした。
実施例4−3として、元素組成がAlCoCrFeNiで表わされ、不可避的不純物の濃度を制限していない合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Al、Co、Cr、Fe及びNiの原子濃度が約20.0at%である。
実施例5として、元素組成をAlTiCoCrFeNiCuVMnとし、不可避的不純物の濃度を制限した図5に示す合金構造体を積層造形により製造した。原子濃度比率は、Al、Ti、Co、Cr、Fe、Ni、Cu、V及びMnの原子濃度については、原子濃度の差を±3%以内の範囲に揃えて略等原子比率とした。また、Pの濃度を0.005wt%〜0.002wt%、Siの濃度を0.040wt%〜0.010wt%、Sの濃度を0.002wt%〜0.001wt%、Snの濃度を0.005wt%〜0.002wt%、Sbの濃度を0.002wt%〜0.001wt%、Asの濃度を0.005wt%〜0.001wt%、Mnの濃度を0.050wt%〜0.020wt%、Oの濃度を0.001wt%〜0.0003wt%、Nの濃度を0.002wt%〜0.001wt%の範囲に制限した。
実施例6として、元素組成をAlTiCoCrFeNiCuVMnとし、不可避的不純物の濃度を制限した円弧状の形状を有する合金構造体(図9参照)を積層造形により製造した。
実施例7として、元素組成をAlTiCoCrFeNiCuVMnとし、不可避的不純物の濃度を制限したダンベル状の形状を有する合金構造体を積層造形により製造した。
実施例8として、元素組成をAlTiCoCrFeNiCuVMnとし、不可避的不純物の濃度を制限したロッド状の形状を有する合金構造体を積層造形により製造した。
10 合金粉末
15 基材
20 溶融部
21 基材載置台
22 加工テーブル
23 リコータ
24 加熱手段
30 凝固部
40 凝固層
50 結晶粒
100 溶融境界
110 粒界(大傾角粒界)
120 小傾角粒界
301 電気炉
302 金属塊
303 アーク放電
304 電極
305 酸素バーナ
306 酸素ガス
309 取鍋
310 溶湯
311 取鍋製錬炉
313 ポーラスプラグ
314 アルゴンガス
316 真空装置
317 排気孔
318 タンディッシュ
319 真空容器
320 排気孔
324 電気炉
326 合金溶湯
330 チャンバ
Claims (10)
- 原料金属塊を溶融し溶湯を生成する溶融工程と、
前記溶湯に酸素ガスを吹き込んでスラグを形成する過酸化工程と、
前記溶湯の液面に浮上した前記スラグと前記溶湯とを分離する分離工程と、
前記スラグと分離された前記溶湯にアルゴンガスを吹き込んで前記溶湯中のガス成分を脱気する脱気工程と、
脱気された前記溶湯を鋳造して鋳込み合金を形成する鋳込み工程と、
前記鋳込み合金を真空中で溶融して溶融合金とする工程と、
前記溶融合金を流下させ、流下する前記溶融合金に不活性ガスを吹き付けて合金粉末を形成する粉末化工程と、を備えた合金粉末の製造方法において、
前記溶融合金は、1600℃を越え2500℃以下とされ、
前記合金粉末は、
前記合金粉末を層状に展延する粉末展延工程と、
展延された前記合金粉末を局所加熱して溶融させた後に凝固させて凝固組織を形成し、前記局所加熱による被加熱領域を前記合金粉末が展延された面に対して平行に移動させて凝固層を形成する凝固層造形工程と、
前記粉末展延工程と前記凝固層造形工程とを交互に繰り返すことで複数の層状の凝固層を形成する一連の工程に用いられ、
前記合金粉末は、Al、Co、Cr、Fe及びNiをそれぞれ5at%以上30at%以下の原子濃度の範囲で含有すると共に、前記元素のうち少なくとも4種の元素の原子濃度の差が3at%未満の範囲にあり、
不可避的不純物として、Pを0.005wt%以下、Siを0.040wt%以下、Sを0.002wt%以下、Snを0.005wt%以下、Sbを0.002wt%以下、Asを0.005wt%以下、Mnを0.050wt%以下、Oを0.001wt%以下、Nを0.002wt%以下の原子濃度の範囲で含有することを特徴とする合金粉末の製造方法。 - 前記不可避的不純物として、Pを0.002wt%以上0.005wt%以下、Siを0.010wt%以上0.040wt%以下、Sを0.001wt%以上0.002wt%以下、Snを0.002wt%以上0.005wt%以下、Sbを0.001wt%以上0.002wt%以下、Asを0.001wt%以上0.005wt%以下、Mnを0.020wt%以上0.050wt%以下、Oを0.0003wt%以上0.001wt%以下、Nを0.001wt%以上0.002wt%以下の原子濃度の範囲で含有することを特徴とする請求項1に記載の合金粉末の製造方法。
- 前記不可避的不純物として、Pを0.002wt%以下、Siを0.005wt%以下、Sを0.001wt%以下、Snを0.002wt%以下、Sbを0.001wt%以下、Asを0.001wt%以下、Mnを0.005wt%以下、Oを0.0003wt%以下、Nを0.001wt%以下の原子濃度の範囲で含有することを特徴とする請求項1に記載の合金粉末の製造方法。
- 前記合金は、Al、Co、Cr、Fe及びNiのうちの少なくとも4種の元素を、15at%以上23.75at%以下の原子濃度の範囲で含有し、他の1種の元素を、5at%以上30at%以下の原子濃度の範囲で含有することを特徴とする請求項1に記載の合金粉末の製造方法。
- 前記粉末化工程は、前記合金を真空炉内で溶融し、前記真空炉を構成する材料は、SiO2、グラファイト、Al2O3、MgO、ZrO2、TiC、ZrC、HfC、NbC、TaCの少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項1に記載の合金粉末の製造方法。
- 原料金属塊を溶融し溶湯を生成する溶融工程と、
前記溶湯に酸素ガスを吹き込んでスラグを形成する過酸化工程と、
前記溶湯の液面に浮上した前記スラグと前記溶湯とを分離する分離工程と、
前記スラグと分離された前記溶湯にアルゴンガスを吹き込んで前記溶湯中のガス成分を脱気する脱気工程と、
脱気された前記溶湯を鋳造して鋳込み合金を形成する鋳込み工程と、
前記鋳込み合金を真空中で溶融して溶融合金とする工程と、
前記溶融合金を流下させ、流下する前記溶融合金に不活性ガスを吹き付けて合金粉末を形成する粉末化工程と、を備えた合金粉末の製造方法において、
前記溶融合金は、1600℃を越え2500℃以下とされ、
前記合金粉末は、
前記合金粉末を層状に展延する粉末展延工程と、
展延された前記合金粉末を局所加熱して溶融させた後に凝固させて凝固組織を形成し、前記局所加熱による被加熱領域を前記合金粉末が展延された面に対して平行に移動させて凝固層を形成する凝固層造形工程と、
前記粉末展延工程と前記凝固層造形工程とを交互に繰り返すことで複数の層状の凝固層を形成する一連の工程に用いられ、
前記合金粉末は、元素周期表の第3族から第16族までに含まれる原子番号13から原子番号79の元素群から選択され、Fe原子に対する原子半径の比率が0.83以上1.17以下である少なくとも4種の元素と、Feとをそれぞれ5at%以上30at%以下の原子濃度の範囲で含有すると共に、前記少なくとも4種の元素及びFeのうち少なくとも4種の元素の原子濃度の差が3at%未満の範囲にあり、
不可避的不純物として、Pを0.005wt%以下、Siを0.040wt%以下、Sを0.002wt%以下、Snを0.005wt%以下、Sbを0.002wt%以下、Asを0.005wt%以下、Mnを0.050wt%以下、Oを0.001wt%以下、Nを0.002wt%以下の原子濃度の範囲で含有することを特徴とする合金粉末の製造方法。 - 前記不可避的不純物として、Pを0.002wt%以上0.005wt%以下、Siを0.010wt%以上0.040wt%以下、Sを0.001wt%以上0.002wt%以下、Snを0.002wt%以上0.005wt%以下、Sbを0.001wt%以上0.002wt%以下、Asを0.001wt%以上0.005wt%以下、Mnを0.020wt%以上0.050wt%以下、Oを0.0003wt%以上0.001wt%以下、Nを0.001wt%以上0.002wt%以下の原子濃度の範囲で含有することを特徴とする請求項6に記載の合金粉末の製造方法。
- 前記不可避的不純物として、Pを0.002wt%以下、Siを0.005wt%以下、Sを0.001wt%以下、Snを0.002wt%以下、Sbを0.001wt%以下、Asを0.001wt%以下、Mnを0.005wt%以下、Oを0.0003wt%以下、Nを0.001wt%以下の原子濃度の範囲で含有することを特徴とする請求項6に記載の合金粉末の製造方法。
- 前記少なくとも4種の元素が、Al、Si、P、Ti、V、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、As、Se、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sn、Sb、Te、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Auからなる群より選択されることを特徴とする請求項6に記載の合金粉末の製造方法。
- 前記粉末化工程は、前記合金を真空炉内で溶融し、前記真空炉を構成する材料は、SiO2、グラファイト、Al2O3、MgO、ZrO2、TiC、ZrC、HfC、NbC、TaCの少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項6に記載の合金粉末の製造方法。
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