JP2016025198A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線基板の両面の封止樹脂を一括で形成し配線基板の反りを低減することで半導体装置の生産性を向上する。【解決手段】モールド金型の下型に設けられたゲートより下型のキャビティに封止樹脂を注入し下型のキャビティに記封止樹脂を充填し、配線基板を両面間を貫通する第１の開口部を通じて上型のキャビティ内に封止樹脂を充填し、配線基板の両面の封止樹脂を一括で形成する。【選択図】図１３

Description

本発明は、半導体装置の製造方法に関する。

ＢＧＡ（Ball Grid Array）タイプの半導体装置は、例えば特許文献１に記載されているように、１つの半導体装置の配線基板に相当する製品形成部（「製品領域」ともいう）を複数有する配線基板（「配線母基板」ともいう）を準備し、複数の製品形成部のそれぞれに半導体チップを搭載し、半導体チップの電極パッドと配線基板の接続パッドを接続し、上型と下型からなる成形（モールド）金型で配線基板を型締めし、トランスファー成形（モールド）によりゲート側からエアベント側に向かって、溶融した封止樹脂を上型のキャビティに充填し、配線基板の一面の複数の製品形成部を一体的に覆う封止樹脂層を形成したあと、配線基板（配線母基板）を個々の製品形成部毎に分割するＭＡＰ（Mold Array Process）方式により製造される。なお、トランスファーモールドでは、よく知られているように、例えば配線基板を加熱した金型内に固定し、ポットにモールド用の樹脂（熱硬化樹脂）を供給し、ポット内で溶融した樹脂をプランジャーで加圧して送り出しランナー、ゲートを介してキャビティ内を充填し熱硬化させてモールド成形する。

また、特許文献２には、封止工程で用いる成形金型の上型と下型にそれぞれゲート部が形成され、上下のキャビティに封止樹脂を注入することで、配線基板の両面を同時にモールドし封止樹脂層を形成する方法が開示されている。特許文献２に開示された半導体装置は、配線基板の半導体チップの搭載面及び前記半導体チップを覆う第１の封止樹脂層と、配線基板の他の面を覆う第２の封止樹脂層を備えている。

特開２０１１−２２８６０３号公報 特開２０１０−１０３３４８号公報

以下に関連技術の分析を与える。

半導体装置の大容量化・高機能化を図るために、配線基板の両面にそれぞれ複数の半導体チップを搭載し、これら複数の半導体チップを覆うように、配線基板の両面に封止樹脂層を形成することが検討されている。

前述したトランスファーモールドによって配線基板の両面に封止樹脂層を形成しようとした場合、配線基板の一方の面に封止樹脂層を形成した後、配線基板の他方の面に封止樹脂層を形成することが必要になる。

しかしながら、配線基板の一方の面に封止樹脂層を形成した後に、配線基板の他方の面に封止樹脂層を形成するというように、２段階でモールドすると、配線基板上に最初に形成した封止樹脂層は、他方の面に形成した封止樹脂層よりも熱履歴が多くなる。具体的には、最初に形成した封止樹脂層が、他方の面に封止樹脂層を形成する際の加熱により硬化収縮がより進行することになる。
このような配線基板の上下面の封止樹脂層の熱履歴の差により、ベーク後の配線基板に反りが生じる場合がある。配線基板の反りによって、例えば、半導体装置の二次実装性が低下したり、モールド工程以降の工程において不具合が生じる。なお、二次実装は、例えば配線回路基板等に、個片化された個々の半導体装置（一次実装半導体装置）を搭載し、一次実装半導体装置の突起（バンプ）電極と配線回路基板とを接続し二次実装半導体装置を製造することをいう。

上記したように、特許文献２では、上型と下型にそれぞれゲートを形成し、上下のゲートから、上型と下型のキャビティにそれぞれ加熱溶融された封止樹脂を注入し充填している。このため、モールド装置の構成が複雑化する。また、上型と下型のキャビティの容積の差があることから、上下のキャビティにおける封止樹脂の流動の度合いが異なる。そして、一方の封止樹脂の流動が先行してしまうと、エアベント側で、樹脂圧力により配線基板に歪みが生じ、良好に封止樹脂層を形成することができない事態も生じ得る。

本発明によれば、複数の製品領域と、前記複数の製品領域を囲繞する枠部と、前記枠部の一端側に形成され第１面と前記第１面と反対側の第２面間を貫通する第１開口部と、を有する配線基板を準備する工程と、
前記複数の製品領域の前記第１面と前記第２面とに第１半導体チップ群と第２半導体チップ群とをそれぞれ実装する工程と、
第１キャビティと第２キャビティとが、前記配線基板の前記複数の製品領域及び前記第１開口部の前記第１面側と前記第２面側とをそれぞれ一括で覆う第１金型と第２金型とで、前記配線基板を型締めし、前記第１金型と前記第２金型の一方のゲートより、前記第１及び第２のキャビティの一方のキャビティを充填するとともに、前記一方のキャビティから、前記配線基板の前記第１開口部を通じて、前記第１及び第２のキャビティの他方のキャビティ内に封止樹脂を充填し、前記配線基板の前記第１面側と前記第２面側とをそれぞれ覆う第１封止樹脂と第２封止樹脂とを一括で形成するモールド工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、配線基板の両面の封止樹脂を一括で形成することで、配線基板の反りを抑え半導体装置の生産性を向上することができる。本発明の他の特徴、効果等は、以下の説明、図面および特許請求の範囲から明らかであろう。

本発明の実施形態１乃至４の半導体装置の平面構成を模式的に例示する図である。 図１のＡ−Ａ’線の断面を模式的に例示する図である。 実施形態１の配線母基板の平面構成を模式的に例示する図である。 （Ａ）乃至（Ｄ）は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面を工程順に模式的に例示する図である。 （Ｅ）乃至（Ｇ）は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面を工程順に模式的に例示する図である。 （Ａ）乃至（Ｃ）は、実施形態１のトランスファーモールド工程を順に模式的に例示する図である。 （Ｄ）乃至（Ｆ）は、実施形態１のトランスファーモールド工程を順に模式的に例示する図である。 図７（Ｆ）の状態の平面構成を模式的に例示する図である（Ｂ−Ｂ’線の断面が図７（Ｆ））。 実施形態２の配線母基板の平面構成を模式的に例示する図である。 図９のＣ−Ｃ’線の断面を模式的に例示する図である。 実施形態３の配線母基板の平面構成を模式的に例示する図である。 実施形態４の配線母基板の平面構成を模式的に例示する図である。 図１２のＤ−Ｄ’線の断面を模式的に例示する図である。

本発明の実施形態について説明する。はじめに本発明の概要を説明する。本発明の製造方法の一形態によれば、複数の製品領域（２５）と、前記複数の製品領域を囲繞する枠部（２８）と、前記枠部の一端側（２８Ｇ）に形成され、第１面と前記第１面と反対側の第２面間を貫通する第１開口部（３１）と、を有する配線母基板（２６）を準備し、前記複数の製品領域（２５）の前記第１面と前記第２面に、複数の第１半導体チップ（１１）と複数の第２半導体チップ（１７）とをそれぞれ実装する。モールド工程では、対向する第１キャビティ（３７）と第２キャビティ（３９）とが、前記配線母基板（２６）の前記複数の製品領域（２５）及び前記第１開口部（３１）の前記第１面側と前記第２面側とをそれぞれ一括で覆う第１金型（３４）と第２金型（３５）とで、前記配線母基板（２６）を型締めし、前記第１金型と前記第２金型の一方に設けられたゲート（４１）より、前記第１及び第２のキャビティの一方のキャビティを充填するとともに、前記一方のキャビティから、前記配線母基板（２６）の前記第１の開口部（３１）を通じて、前記第１及び第２のキャビティの他方のキャビティ内に封止樹脂を充填し、前記配線母基板の前記第１面側と前記第２面側とをそれぞれ覆う第１封止樹脂（１６）と第２封止樹脂と（２３）を一括で形成する。１個の製品領域（２５）は、１つの半導体装置の配線基板（２）に対応している。以下では、複数の製品領域（２５）を備え、個々の製品領域（２５）に分割する前の配線基板を、配線母基板と呼ぶ。

本発明の製造方法の一形態によれば、前記モールド工程において、前記第２金型に設けられ、前記第２金型（３５）の前記第２キャビティ（３９）に連通するゲート（４１）より、前記第２キャビティ（２９）内に封止樹脂を注入して、前記第２金型（３５）の前記第２キャビティ（３９）内に封止樹脂を充填するとともに、前記第２金型（３５）の前記第２キャビティ（３９）から、前記配線母基板の前記第１の開口部（３１）を通じて、前記第１金型（３４）の前記第１キャビティ（３７）内に封止樹脂を充填することで、前記第１及び第２の封止樹脂（１６、２３）を一括で形成する。

本発明の製造方法の別の形態によれば、前記配線母基板を準備する工程において、前記配線母基板の前記枠部の一端側（２８Ｇ）の、モールド時のゲートに対応する位置に形成され、前記第１面と前記第２面間を貫通する第２の開口部（３２）をさらに有する配線母基板（２６）を準備する。モールド工程では、前記第１金型（３４）に設けられたゲート（４１）より、前記配線母基板の前記第２開口部（３２）を介して連通する前記第２金型（３５）の前記第２キャビティ（３９）内に封止樹脂を注入し、前記第２金型（３５）の前記第２キャビティ（３９）内に封止樹脂を充填するともに、前記第２金型（３５）の前記第２キャビティ（３９）から前記配線母基板の前記第１の開口部（３１）を通じて、前記第１金型（３４）の前記第１キャビティ（３７）内に封止樹脂を充填することで、前記第１及び第２の封止樹脂（１６、２３）を一括で形成するようにしてもよい。

本発明の製造方法の別の形態によれば、前記配線母基板を準備する工程において、前記枠部の一端側と対向する他端側に形成され、前記第１面と前記第２面間を貫通する第３開口部（４７）をさらに有する配線母基板を準備する。モールド工程において、型締めした前記第１及び第２金型の前記第１及び第２のキャビティ（３７、３９）は、エアベント側で、前記第３開口部（４７）を介して互いに連通し、前記封止樹脂の注入時、前記第１及び第２キャビティ（３７、３９）のうち一方のキャビティから前記第３開口部（４７）に早く到着した前記封止樹脂は、前記第３開口部（４７）を介して他方のキャビティに廻り込むようにしてもよい。

本発明の製造方法により製造される半導体装置は、例えば第１半導体チップ（１１）及び第２半導体チップ（１７）と、
第１面において前記第１半導体チップ（１１）の電極群（１２）と接続する第１接続パッド群（８）を備え、前記第１面と反対側の第２面において、前記第２半導体チップ（１７）の電極群（１８）に接続する第２接続パッド群（９）と、ランド群（１０）とを備え、前記第１及び第２接続パッド群（８、９）と前記ランド群（１０）とを電気的に接続する配線パタンが形成された配線基板（２）と、
前記配線基板（２）の前記第１面及び前記第１半導体チップ（１１）を覆う第１封止樹脂（１６）と、
前記配線基板（２）の前記第２面及び前記第２半導体チップ（１７）を覆う第２封止樹脂（２３）と、
前記配線基板（２）の前記第２面の前記第２封止樹脂（２３）を貫通して前記ランド群（１０）に接続される外部端子群（２４）と、を備え、第１封止樹脂（１６）と第２封止樹脂（２３）とが一括で形成されている。

以上、本発明の概要を説明したが、括弧内の符号等は、あくまで本発明の理解を容易とするためのものであって、本発明を限定するものと解釈されるべきものでないことは勿論である。以下、図面を参照して、いくつかの実施形態に即して詳細に説明する。

図１は、実施形態の製造方法が適用される半導体装置１の平面構成を模式的に示す図である。図１において、右上コーナー部分の１６は、全面を覆う第１封止樹脂層１６の一部を表しており、第１封止樹脂層１６の下に、第１半導体チップ１１が配線基板２の一面に実装され、第１封止樹脂層１６の下において、配線基板２の一の面に、絶縁膜（ソルダーレジスト膜）４がパターン形成されている状態を表している。図１において、参照符号６は、ソルダーレジスト膜４の開口部を表しており、参照符号８は、開口部６内で露出して見える接続パッド（第１接続パッド）であり、配線基板２の表面に形成される配線パターンの一部（端部）を構成している。参照符号１２は、第１半導体チップ１１の一面（回路形成面）の電極パッドを表している。第１半導体チップ１１の電極パッド１２は、第１接続パッド８にフリップチップボンディングされる。参照符号１７は、配線基板２の他の面に実装される第２半導体チップを表しており、参照符号１８は第２半導体チップ１７の一面（回路形成面）の電極パッドを表している。また、参照符号２４は、配線基板２の他の面側に配設されるボール状の電極（外部端子）を表している。

図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面を模式的に例示した図である。ただし、図１において、第１封止樹脂層１６が配線基板２全面を覆っているものとする。実施形態１のＢＧＡタイプの半導体装置１は、例えば略四角形の板状で９０μｍ（micro meter）厚程度の薄い配線基板２を有している。配線基板２は、ガラスエポキシ基板等の絶縁基材３の両面に、例えばＣｕ（銅）等からなる所定の配線パターン（不図示）が形成されており、絶縁基材３の両面には、それぞれ、配線絶縁膜（ソルダーレジスト膜）４、５がパターン形成されている。絶縁基材３の両面に形成された所定の配線パターン（不図示）は一部を除き、ソルダーレジスト膜４、５で覆われている。なお、ソルダーレジスト膜４、５は、実装時に、はんだが不必要な部分へ付着することを防止し配線パターン等を保護するとともに、ほこり、湿気等に対して絶縁性を保つ保護膜として機能を有する。

絶縁基材３の一面側のソルダーレジスト膜４の開口部６（図１）から露出した配線パターンは複数の第１接続パッド８となり、他面側のソルダーレジスト膜５の開口部７から露出した配線パターンは、複数の第２接続パッド９と複数のランド１０となる。

複数のランド１０は、例えば第１半導体チップ１１の配置領域の外側の領域に、例えば配線基板２の４つの辺に沿って２列で配置されている。なお、複数のランド１０の配列はかかる構成に制限されるものでないことは勿論である。

配線基板２の一の面側の複数の第１接続パッド８は、第１接続パッド８に接続する配線パターンと、スルーホール８１を介して他の面側の対応する複数のランド１０に電気的に接続される。配線基板２の他の面側の複数の第２接続パッド９は、第２接続パッド９に接続する配線パターンを介して対応する複数のランド１０に電気的に接続される。

なお、ソルダーレジスト膜４の開口部６から露出した複数の第１接続パッド８の表面には、図示しないＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）メッキが形成され、同様に、ソルダーレジスト膜５の開口部７から露出した第２接続パッド９と複数のランド１０の表面には、例えば、図示しないＮｉ／Ａｕメッキが形成されている。ソルダーレジスト膜４、５は、それぞれ、第１、第２半導体チップ１１、１７と重なる領域に配置された部位が周辺の部位よりも厚さが薄くなるように形成してもよい。

図１及び図２に示すように、配線基板２の一の面の略中央領域には、第１半導体チップ１１が搭載されている。第１半導体チップ１１は、例えばシリコン等の半導体基板上の一面に、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のメモリチップの素子と配線構造を備えている。特に制限されないが、第１半導体チップ１１は、例えば略長方形の板状であり、第１半導体チップ１１の一面（回路形成面側）には、対向する２つの短辺に沿って複数の電極パッド１２が配置されている。第１半導体チップ１１の一面（回路形成面）には、電極パッド１２を除いた領域に、不図示パッシベーション膜が形成され、回路形成面を保護している。各電極パッド１２上には、バンプ電極１３が第１半導体チップ１１の一面から突出するように形成されている。バンプ電極１３は、例えばＣｕ（銅）からなるピラー部１３ａと、ピラー部１３ａの表面に形成されたはんだ層１４とから構成される。そして、第１半導体チップ１１のバンプ電極１３は、それぞれ配線基板２の一面側のソルダーレジスト膜４の開口部６から露出された第１接続パッド８に、はんだ層１４を介して接合される。第１半導体チップ１１の一面（回路形成面）と配線基板２との間の隙間には、樹脂充填部材１５が充填されている。樹脂充填部材１５して例えばＵＦ（Under Fill:アンダーフィル）、ＮＣＦ（Non-conductive Film）、又は、ＮＣＰ（Non-conductive Paste）が用いられる。配線基板２の一面上には、第１封止樹脂層１６が形成されており、第１半導体チップ１１は第１封止樹脂層１６によって覆われる。第１封止樹脂層１６は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等からなる。

また、配線基板２の一の面と反対側の他の面の中央領域には、第２半導体チップ１７が搭載されている。第２半導体チップ１７は、例えばシリコン等の半導体基板上の一面に例えばＤＲＡＭ等のメモリチップの素子と配線構造を備えている。特に制限されないが、第２半導体チップ１７は、例えば略長方形の板状であり、第２半導体チップ１７の一面（回路形成面側）には、対向する２つの短辺に沿って、複数の電極パッド１８が配置されており、電極パッド１８を除く、第２半導体チップ１７の一面（回路形成面）には、不図示のパッシベーション膜が形成され、回路形成面を保護している。複数の電極パッド１８上には、複数のバンプ電極１９が、第２半導体チップ１７の一面から突出するように形成されている。第２半導体チップ１７のバンプ電極１９は、例えばＣｕからなるピラー部１９ａと、ピラー部１９ａの表面に形成されたはんだ層２０を備えている。

第２半導体チップ１７は、図１に示すように、第１半導体チップ１１に対して略９０°回転した状態で、配線基板２の他の面にフリップチップ実装される。第２半導体チップ１７のバンプ電極１９は、配線基板２の他の面側の絶縁膜５の開口部７から露出された第２接続パッド９に、はんだ層２０を介して接合される。第２半導体チップ１７の回路形成面と配線基板２との間の隙間には、樹脂充填部材２１が充填されている。樹脂充填部材２１は、例えばＵＦ、ＮＣＦ、又はＮＣＰからなる。

配線基板２の他の面の周辺領域に配置された複数のランド１０上には、それぞれ複数の導体ポスト２２が配置されている。導体ポスト２２は例えばＣｕ等からなり、第２半導体チップ１７の実装高さよりも高く形成されている。そして、配線基板２の他の面には、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等の第２封止樹脂２３が形成されており、第２半導体チップ１７は、第２封止樹脂２３によって覆われる。

また複数の導体ポスト２２の表面は、それぞれ第２封止樹脂２３から露出するように構成されており、各導体ポスト２２の露出面には、外部電極（外部端子）となるはんだボール２４が搭載されている。なお、導体ポスト２２は、ランド１０上にメッキ等で形成してもよいし、あるいは、柱状の金属材（導電部材）をランド１０上に搭載することで形成しても良い。

＜実施形態１＞
図３は、実施形態１の半導体装置の製造方法で準備される配線母基板の平面構成の概略を模式的に例示する図である。図３に示すように、配線母基板２６には、複数の製品領域２５がマトリクス状に配置されている。複数の製品領域２５の各々は、図１及び図２に示した半導体装置１の１個分の配線基板２に相当し、図１及び図２の第１接続パッド８や第２接続パッド９、ランド１０、配線パターン等が形成されている。なお、図３に示した配線母基板２６は、フリップチップボンディング工程前に対応している。マトリクス状の複数の製品領域２５（図３では、４×６）が配置された領域（矩形領域）を囲んで枠部２８（外枠）が配置されている。枠部２８のうち、一端側の枠部２８Ｇは、モールド時にゲート側に位置する。枠部２８Ｇと対向する他端側の枠部２８Ａは、モールド時にエアベント側に位置する。図３において、３０で示す領域はモールド領域を表している。枠部２８Ｇには、モールド後の封止樹脂のランナー部の離型性等を考慮して、ゲートに対応する部位に、メタルパターン２９が形成されている。

配線母基板２６の枠部２８Ｇには、該枠部２８Ｇを一の面と他の面間を貫通する複数の第１開口部（貫通口）３１と複数の第２開口部３２（貫通口）とが形成されている。複数の第１開口部３１（図３では８個）は、同一の平面形状とされ、枠部２８Ｇのモールド領域３０内に、枠部２８Ｇの外縁の長手方向（Ｘ方向）に沿って一列に配置されている。複数の第２開口部３２（図３では８個）は、同一の平面形状とされ、枠部２８Ｇにおいて、第１開口部３１の外側、すなわちモールド時のゲート部に対応する位置に、枠部２８Ｇの外縁の長手方向（Ｘ方向）に沿って、一列に配置されている。第２開口部３２のＸ方向の位置は、対応する第１開口部３１と、同一又はほぼ同一とされる。図３に示す例では、第１開口部３１と第２開口部３２の平面形状は、枠部２８Ｇの外縁の長手方向（Ｘ方向）に沿った辺を長辺、枠部２８Ｇの外縁の長手方向（Ｘ方向）に直交する方向（Ｙ方向）に沿った辺を短辺とする矩形形状（長方形）とされている。なお、図３に示すように、第１開口部３１と第２開口部３２のＹ方向の幅は大幅には相違していず、例えば同等又は同一としてもよい。第１開口部３１と第２開口部３２のＸ方向の長さは、同等又は同一としてもよい。

複数の製品領域２５間はダイシングライン２７により区画されている。また、配線母基板２６の４隅には、位置決め孔３３が形成されている。

図４及び図５は、実施形態１の半導体装置の製造方法を説明するために断面を代表的な工程にしたがって模式的に例示した図である。なお、図４及び図５は単に図面作成の都合で分図されたものである。図６及び図７は、実施形態１のモールド工程を説明するために断面を処理順に模式的に示した図である。図６及び図７も、単に図面作成の都合で分図されたものである。図８は、実施形態１のモールド工程後の配線母基板の概略構成を模式的に示す平面図である。以下、実施形態１の製造方法について説明する。

図４（Ａ）は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面に対応する。図４（Ａ）に示すように、複数の製品領域２５を有する配線母基板２６が準備される。それぞれの製品領域２５の構成は図１及び図２の配線基板２と同様である。ただし、図４（Ａ）では、配線母基板２６の一面と他面にソルダーレジスト膜４、５、接続パッド８、９、ランド１０、及び、配線パターンが形成された状態である。また、配線母基板２６の枠部２８Ｇには、一の面と他の面を貫通する第１開口部３１と第２開口部３２が設けられ、さらに他の面のランド１０には、導電ポスト２２が接続されている。なお、図４（Ａ）に示す配線母基板２６には、図３の位置決め孔３３が形成されている。準備された配線母基板２６は、フリップチップボンディング工程に移行される。

フリップチップボンディング工程に移行された配線母基板２６は、図４（Ｂ）に示すように、複数の製品領域２５の一の面上に、それぞれ第１半導体チップ１１をフリップチップ実装により搭載する。なお、図４（Ｂ）から図５（Ｇ）も、図４（Ａ）の断面に対応した断面を、工程順に模式的に示している。

フリップチップボンディング工程では、一面（回路形成面）上の複数の電極パッド１２上にバンプ電極１３が形成された第１半導体チップ１１が準備されている。

第１半導体チップ１１の一面には樹脂充填部材１５（例えばＮＣＦ）が形成されている。図示しないフリップチップボンディング装置のステージには、逃げ溝が形成されており、配線母基板２６の他の面の導体ポスト２２が、逃げ溝内に配置されるように、配線母基板２６の他の面（導体ポスト２２設置側の面）を保持する。

フリップチップボンディングは、ボンディングツール４８により、第１の半導体チップ１１の一面（電極パッド１２が設けられた回路形成面）と反対側の面を保持し、例えば２４０℃程度の高温で荷重を印加し、第１半導体チップ１１のバンプ電極１３を、はんだ層を介して、製品領域２５の第１接続パッド８に接合することで、配線母基板２６の製品領域２５上に、第１半導体チップ１１を搭載する。この時、第１半導体チップ１１の一面（回路形成面）に形成されたＮＣＦが溶融され、配線母基板２６の製品領域２５と第１半導体チップ１１との間の隙間に充填される。

そして、ＮＣＦの充填後、所定の温度、例えば１５０℃程度でキュアすることで、ＮＣＦが硬化され、樹脂充填部材１５が形成される。

なお、ＮＣＦの代わりに、第１半導体チップ１１のフリップチップ実装後に、配線母基板２６と第１の半導体チップ１１の間の隙間に、アンダーフィル材を充填するか、あるいは予め配線母基板２６の製品領域２５にＮＣＰを供給しておき、フリップチップ実装によりＮＣＰが配線母基板２６と第１半導体チップ１１の間の隙間に充填することで、樹脂充填部材１５を形成するように構成してもよい。

次に、図４（Ｃ）に示すように、配線母基板２６の複数の製品領域２５の他面上に、それぞれ第２半導体チップ１７を、フリップチップ実装により、搭載する。

第２半導体チップ１７は、例えば、第１の半導体チップ１１と同じ構成の半導体チップであり、一面（回路形成面）に設けられた電極パッド１８上にバンプ電極１９が形成されている。また、第２半導体チップ１７の一面（回路形成面）には、樹脂充填部材２１として例えばＮＣＦが形成されている。図示しないステージには、第１の半導体チップ１１に対応した逃げ溝が形成されており、配線母基板２６に搭載された第１半導体チップ１１が逃げ溝内に配置されるように、配線母基板２６の一面を保持する。

そして、第１半導体チップ１１の場合と同様に、ボンディングツール４９により、第２半導体チップ１７の一面（電極パッド１８が設けられた回路形成面）と反対側の面を保持し、例えば２４０℃程度の高温で荷重を印加し、第２半導体チップ１７のバンプ電極１９を、はんだ層２０を介して、製品領域２５の第２接続パッド９に接合することで、配線母基板の製品領域２５上に、第２半導体チップ１７を搭載する。

第２半導体チップ１７の一面に形成したＮＣＦは溶融され、製品領域２５と第２半導体チップ１７との間の隙間に充填される。そしてＮＣＦの充填後、所定の温度、例えば１５０℃程度でキュアすることで、ＮＣＦが硬化され、樹脂充填部材２１が形成される。すべての製品領域に第１及び第２の半導体チップを搭載した配線母基板２６は、モールド工程に移行される。

モールド工程では、図４（Ｄ）に示すように、配線母基板２６の複数の製品領域２５の一の面に、それぞれの製品領域２５に搭載された複数の第１半導体チップ１１を一括的に覆う第１封止樹脂層１６と、複数の製品領域２５の他の面に、それぞれの製品領域２５に搭載された複数の第２半導体チップ１７を一括的に覆う第２封止樹脂層２３が形成される。以下、図６及び図７を参照して、モールド工程について詳細に説明する。

図示しないトランスファーモールド装置は、図６（Ａ）に示すように、上型３４と下型３５からなるモールド金型３６を有している。上型３４には、キャビティ３７が形成されており、下型３５には、配線母基板２６を搭載するための凹部３８が形成されている。下型３５の凹部３８には、キャビティ３９が形成されている。

モールド金型３６は、上型３４に、全体は図示しないカル部（図６（Ａ）の左端側）が形成されており、該カル部からゲート部を通じて、キャビティに溶融した封止樹脂が注入されるように構成されている。

そして、下型３５の凹部３８に、第１、第２半導体チップ群１１、１７が搭載された配線母基板２６がセットされる。配線母基板２６は、枠部２８Ｇのゲート用メタルパターン２９が形成された端部が、上型３４のゲート部４１（図６（Ｂ）参照）に向くように、下型３５の凹部３８に支持されて配置される。

そして図６（Ｂ）に示すように、上型３４と下型３５で配線母基板２６を型閉めすることで、配線母基板２６の一面の上方に、所定の大きさのキャビティ３７、及び、カル４０（上型３４のカルの一部を参照符号４０にて示す）、ゲート４１、エアベントが形成される。なお、カル４０、ゲート４１の間は、ランナー（図８の５０）に対応する。

上型３４のキャビティ３７の側壁のゲート側の一端が突設しており、この突設部３４ａの先端が、配線母基板２６の枠部２８Ｇと、第１開口部３１と第２開口部３２の間の領域で当接する。すなわち、上型３４に設けられたゲート４１と上型３４のキャビティ３７の間は、上型３４の突設部３４ａと枠部２８Ｇと、第１開口部３１と第２開口部３２の間の領域で仕切られている。配線母基板２６に形成された第２開口部３２は、上型３４のゲート４１に連通する位置に配置されており、第１開口部３１は、上型３４のキャビティ３７と下型３５のキャビティ３９で覆われる位置に配置される。上型３４のキャビティ３７と下型３５のキャビティ３９は、第１の開口部３１を介して連通する。

次に、下型３５の不図示のポットに不図示のレジン（樹脂）タブレットが供給され、モールド金型を、不図示のヒータ等で加熱することで、不図示のポット内のレジンタブレットが加熱溶融される。

そして、図６（Ｃ）に示すように、溶融した封止樹脂４２を、図示しないプランジャーにより加圧し、上型３４のカル４０を通じてゲート４１から注入する。ゲート４１から注入された、溶融した封止樹脂４２は、配線母基板２６の第２開口部３２を通じて、下型３５のキャビティ３９に注入される。

下型３５のキャビティ３９に注入された封止樹脂４２は、エアベント側（図の右側）に向かって充填されるとともに、配線母基板２６の第１開口部３１を通じて、上型のキャビティ３７にも回り込む。ここで、配線母基板２６の他面側には、第２半導体チップ１７とともに複数の導体ポスト２２が配置される。よって、下型のキャビティ３９の部品の配置密度は、上型のキャビティ３７の部品の配置密度よりも高い。この結果、上型のキャビティ３７内の封止樹脂の流動が、下型のキャビティ３９内の封止樹脂の流動よりも早くなる。

このため、配線母基板２６の一面を流動する封止樹脂の流動と、他面を流動する封止樹脂の流動が、図７（Ｄ）に示すように、エアベント側の近くでほぼ同じとすることができる。そのため、配線母基板２６のエアベント側の上下面での封止樹脂４２の流動の差を小さくすることでき、封止樹脂４２の流動の差による配線母基板２６の歪み等を低減することができる。

その後、図７（Ｅ）に示すように、上下のキャビティ３７、３９内に封止樹脂４２が充填された後、所定の温度、例えば１７５℃でモールド成形することで、封止樹脂４２が熱硬化され、半硬化状態の封止樹脂層が形成される。

その後、成形金型での型閉めを解除し、モールド金型から配線母基板２６が取り出される。配線母基板２６には、図７（Ｆ）及び図８に示すように、配線母基板２６の複数の製品領域２５の一面を一括的に覆う第１封止樹脂層１６と、複数の製品領域２５の他の面を一括的に覆う第２封止樹脂層２３が形成される。図７（Ｆ）は、図８のＢ−Ｂ’線の断面に対応する。そして、封止樹脂層のゲート部４１でブレイクし、配線母基板２６から封止樹脂層のゲート部４１、ランナー部５０、カル部４０を除去する。

その後、ベーク炉に、配線母基板２６を入れて、所定の温度、例えば１７５℃で所定時間、アフターキュアすることで封止樹脂を完全に硬化させる。これにより、図４（Ｄ）に示すように、配線母基板２６の複数の製品領域２５の一面を一括的に覆う第１封止樹脂層１６と、複数の製品領域の他の面を一括的に覆う第２封止樹脂層２３が形成される。

このように、配線母基板２６のゲート側の枠部のモールド領域３０の内側と外側に第１、第２開口部３１、３２を設け、ゲートから配線母基板２６の一方のキャビティに供給された封止樹脂を、配線母基板２６の開口部３１を通じて他方のキャビティに充填するように構成したことで、モールド装置の大幅変更することなく、金型の変更のみで、配線母基板２６の上下面に同時に、第１封止樹脂層１６と第２封止樹脂層２３を形成することできる。

また、配線母基板２６の上下面に同時に、第１、第２封止樹脂層１６、２３を形成したことで、第１、第２封止樹脂層１６、２３での熱履歴の差もなくなり、配線母基板２６の反りを低減できる。

次に、モールド工程の完了した配線母基板２６は、バックグラインド工程に移行される。

バックグラインド工程では、図５（Ｅ）に示すように、研磨装置の砥石４３により、配線母基板２６の他面の第２封止樹脂層２３を所定量、研削し、導体ポスト２２を露出させる。

配線母基板２６の他面の第２半導体チップ１７上に第２封止樹脂層２３を残すように構成したことで、第２封止樹脂層２３を研削し、導体ポスト２２を露出させる際に、研削時の導体ポスト２２の屑等でチップ裏面が汚染されることを抑制することができる。

なお、本実施形態では、配線母基板２６の他の面を研削し、導体ポスト２２を露出させているが、第２封止樹脂層２３の導体ポスト２２に対応する位置に、レーザー照射等により、孔部を形成し、孔部から導体ポスト２２を露出させるように構成してもよい。

次に、第２封止樹脂層２３の研削が終了し、導体ポスト２２の表面が露出された配線母基板２６は、ボールマウント工程に移行される。

ボールマウント工程では、図５（Ｆ）に示すように、配線母基板２６の第２封止樹脂層２３から露出した複数の導体ポスト２２上に、外部電極となるはんだボール２４が形成される。

ボールマウント工程では、配線母基板２６の複数の導体ポスト２２の配置に合わせて、複数の吸着孔が形成されたマウントツール４４を用いて、例えば半田等からなる金属ボール２４を、マウントツール４４の吸着孔に保持し、前記保持された金属ボール２４に、フラックスを転写形成し、配線母基板２６の複数の導体ポスト２２に一括搭載する。すべての導体ポスト２２にはんだボール２４を搭載した後、配線母基板２６を所定温度でリフローすることで、配線母基板２６の導体ポスト２２上に外部電極が形成される。

次に、外部電極の形成された配線母基板２６は、基板分割工程に移行される。

基板分割工程では、図５（Ｇ）に示すように、外部電極の形成された配線母基板２６のダイシングライン２７に沿って、ダイシング装置のダイシングブレード４５でダイシングすることで、個々の製品領域２５毎に切断・分離される。

基板分割工程では、例えば、配線母基板２６の第１封止樹脂層１６を、ダイシングテープ４６に貼着固定した状態で、図示されないダイシング装置の高速回転のダイシングブレード４５により回転研削することで、ダイシングラインに沿って、フルカット切断する。

そして、フルカット切断後、ダイシングテープ４６から個片化された配線基板を、ピックアップすることで、図１及び図２に示すような半導体装置１が得られる。

上述したように、配線母基板２６のゲート側の枠部２８に、第１、第２開口部３１、３２を設け、ゲートから一方のキャビティに供給された封止樹脂を、配線母基板２６の第１開口部３１を通じて他方のキャビティに充填するようにしたことで、モールド装置を大幅変更することなく、配線母基板２６に第１、第２開口部３１、３２を設けるだけで、配線母基板２６の上下面に、同時に、第１、第２封止樹脂層１６、２３を形成することができる。

実施形態１によれば、配線母基板２６の上下面に、同時に一括で、封止樹脂層を形成することで、第１、第２封止樹脂層１６、２３には、熱履歴の差もなくなり、配線母基板２６の反りを低減できる。

実施形態１によれば、配線母基板２６の反りを低減することで、モールド後の工程において反りに起因した配線母基板２６の搬送不具合等の発生を低減する、ことを可能としており、半導体装置の生産性を向上することができる。

また、実施形態１によれば、配線母基板２６の上下面に別々に封止樹脂層を形成する場合と比べて、１度のモールド工程で配線母基板２６の上下面に、第１、第２封止樹脂層１６、２３を形成（一括で形成）することができ、製造工程の効率化を図ることができる。

＜実施形態２＞
図９は、実施形態２の半導体装置の製造方法に用いる配線母基板２６Ａの概略構成を説明するための図である。実施形態２の配線母基板２６Ａは、基本構成は、前記実施形態１と同様であるが、以下の点で、実施形態１と相違している。すなわち、実施形態２では、配線母基板２６Ａのゲート側の枠部２８Ｇの第１開口部３１が、実施形態１の第１開口部３１に比べて、Ｙ方向に大きく開口している。また、実施形態２では、配線母基板２６Ａのエアベント側枠部２８Ａに複数の第３の開口部４７が形成されている。

図９に示すように、実施形態２の配線母基板２６Ａは、図３の実施形態１と同様、ダイシングライン２７によって区画された複数の製品領域２５と、複数の製品領域２５を囲むように配置された枠部２８を有している。そして、実施形態１と同様に、ゲート側の枠部２８Ｇには、ゲート側枠部２８Ｇのモールド領域３０の内側に配置された複数の第１開口部３１、モールド領域３０の外側に配置された複数の第２開口部３２とを有する。実施形態２において、配線母基板２６Ａの第１開口部３１の幅ｄ２（Ｙ方向の大きさ）は、図３の実施形態１の配線母基板２６の第１開口部３１の幅ｄ１よりも大きく設定されている。

また、実施形態２では、図９に示すように、またエアベント側の枠部２８Ａには、複数の第３開口部４７が形成されている。

第３開口部４７は、例えば半導体チップが搭載されず、モールド時の樹脂の流動が早く、エアベント側枠部に早く到達しやすい両サイドと、エアベント側の枠部２８Ａの中央位置の３箇所に配置される。なお、第３開口部４７は、配線母基板２６Ａの剛性を考慮し、三角形状に開口している。例えば、枠部２８Ａの両サイドの第３開口部４７は、枠部２８Ａのコーナーに対応する位置を直角とする直角２等辺三角形とされ、中央の第３開口部４７は枠部２８Ａの外縁に平行な底辺を有する２等辺三角形とされ、いずれも、一端側（ゲート側）に１つの頂点を有し、他端側に残りの２つの頂点が配置されている。

実施形態２においても、前記実施形態１と同様に、ダイボンディング工程を経て、モールド工程に移行される。モールド工程では、前記実施形態１と同様、モールド金型にセットされ、第１封止樹脂層と第２封止樹脂層が形成される。図１０は、図９のＣ−Ｃ’線に沿った断面を模式的に示す図であり、図６（Ｂ）に対応している。上型３４のキャビティ３７の側壁のゲート側の一端の突設部３４ａの先端が、配線母基板２６Ａの第１開口部３１、第２開口部３２の間の領域の一面と当接する。実施形態１と同様、ゲート４１とキャビティ３７の間は、上型３４の突設部３４ａで仕切られている。配線母基板２６Ａに形成された第２開口部３２は、ゲート４１と下型３５のキャビティ３９とを連通させ、第２の開口部３２は、上型３４のキャビティ３７と下型３５のキャビティ３９を連通させ、第３開口部４７は、ゲート４１と反対側のエアベント側で、上型３４のキャビティ３７と下型３５のキャビティ３９とを連通させる。

実施形態２においては、第１開口部３１を、実施形態１の第１開口部３１（図３）よりも、樹脂の流動方向（図９のＹ方向）に大きく開口した結果（図９の第１開口部３１の幅ｄ２＞図３の幅ｄ１）、上型３４のキャビティ３７のゲート側への封止樹脂の充填性を向上することができる。

配線母基板２６Ａのエアベント側枠部２８Ａの封止樹脂の流動が早くなり得る部位に、第３開口部４７を設けたことにより、上下のキャビティを流動する封止樹脂の流動に差が生じた場合には、第３開口部４７に早く到達したキャビティの封止樹脂を他方のキャビティに回り込ませることができる。

第３開口部４７に早く到達したキャビティの封止樹脂を、他方のキャビティに回りこませることで、エアベント側での樹脂圧力による配線母基板２６Ａの歪みの発生を抑制することができる。この結果、良好に、封止樹脂層を形成することができる。

実施形態２によれば、前記実施形態１と同様の作用効果を奏するとともに、さらに、上型３４のキャビティ３７のゲート側への封止樹脂の充填性を向上することができるとともに、エアベント側での樹脂圧力による配線母基板２６Ａの歪みの発生を抑制でき、良好に封止樹脂層を形成することできる。

＜実施形態３＞
図１１は、実施形態３の半導体装置の製造方法に用いる配線母基板２６Ｂの概略構成を模式的に示す図であり、実施形態１の図３に対応している。図１１を参照すると、実施形態３の配線母基板２６Ｂは、図３の実施形態１と以下の点で相違している。

実施形態１では、複数の第２開口部３２（８個）がＸ方向に（枠２８Ｇの外縁に平行な方向に）、所定間隔で、互いに離間して配置されているが、実施形態３では、一つの第２開口部３２がＸ方向に、実施形態１よりも大きく開口するように構成されている。図１１の例では、一つの第２開口部３２が、互いに離間して一列に配置された８個の第１開口部３１の一端から他端を包含する長さ（Ｘ方向に沿って６個の製品領域２５を含む範囲）にわたって延在されている。

また、実施形態２と同様、エアベント側枠部２８Ａには、第３の開口部４７が、両サイドと中央に計３個形成されている。第３の開口部４７の平面形状は実施形態２と同様とされている。特に制限されないが、第１開口部３１のＹ方向の幅は、前記第２の実施形態の第１開口部３１のＹ方向の幅ｄ２と同一としてもよい。

図１１に示すように、実施形態３の配線母基板２６Ｂは、実施形態１と同様、ダイシングライン２７によって区画された複数の製品領域２５と、複数の製品領域２５を囲むように配置された枠部２８を有している。そして、実施形態３の配線母基板２６Ｂは、実施形態１と同様に、ゲート側の枠部２８Ｇには、ゲート側枠部２８Ｇのモールド領域３０の内側に配置された複数の第１開口部３１が形成され、モールド領域３０の外側に配置された一つの第２開口部３２とを備えている。

実施形態３においても、実施形態１と同様、ダイボンディング工程を経て、モールド工程に移行される。モールド工程においても、実施形態１と同様、モールド金型にセットされ、第１封止樹脂層１６と第２封止樹脂層２３（図４（Ｄ）参照）が形成される。

実施形態３によれば、実施形態１と同様な効果を奏するとともに、第２開口部３２を、Ｘ方向に大きく開口するように構成したことで、下型３５のキャビティ３９に溶融した封止樹脂を早く供給することができる。モールド金型は加熱されており、溶融した封止樹脂も徐々に硬化され粘度も高くなるが、溶融した封止樹脂を早くキャビティに供給することで、良好に封止樹脂層を形成することできる。

さらに、実施形態３によれば、前記実施形態２と同様に、配線母基板２６Ｂのエアベント側枠部２８Ａにおいて流動が早くなり得る部位に、第３開口部４７を設けたことにより、早く到達したキャビティの封止樹脂を他方のキャビティに回り込ませることができる。この結果、エアベント側での樹脂圧力による配線母基板２６Ｂの歪みの発生を抑制することができ、良好に封止樹脂層を形成することができる。

＜実施形態４＞
図１２は、実施形態４の半導体装置の製造方法に用いる配線母基板２６Ｃの概略構成を示す平面図である。図１３は、実施形態４のモールド工程を示す断面を模式的に説明する図である。以下、実施形態４について、図３の前記実施形態１との相違点について説明し、同一部分については重複を回避するため適宜省略する。図１２に示すように、実施形態４の配線母基板２６Ｃは、配線母基板２６Ｃのゲート側の枠部２８Ｇにおいて、モールド領域３０の内側の第１開口部３１を備えており、モールド領域３０の外側の第２開口部３２は備えていない。また、エアベント側枠部２８Ａには、両サイドと中央に、計三個の第３の開口部４７を備えている。特に制限されないが、第１開口部３１のＹ方向の幅は、前記第２の実施形態の第１開口部３１のＹ方向の幅ｄ２と同一としてもよい。

図１２に示すように、実施形態４の配線母基板２６Ｃは、実施形態１と同様、ダイシングラインによって区画された複数の製品領域２５と、複数の製品領域２５を囲むように配置された枠部２８を有している。

ゲート側の枠部２８Ｇには、前記実施形態１と同様に、ゲート側枠部２８Ｇのモールド領域３０の内側に配置された、複数の第１開口部３１が形成されている。

実施形態４の配線母基板２６Ｃは、モールド工程において、下型３５にカル部が形成されたモールド金型に用いるための構成である。そして、前記実施形態１と同様、ダイボンディング工程を経て、モールド工程に移行される。モールド工程においても、前記実施形態１と同様、モールド金型にセットされ、第１封止樹脂層１６と第２封止樹脂層２３（図１３（Ｃ）参照）が形成される。

実施形態４で用いるトランスファーモールド装置は、前記実施形態１と同様、それぞれキャビティ３７、２９を有する上型３４と下型３５からなるモールド金型３６を有している。図１３（Ａ）に示すように、下型３５にカル４０（図の左端側に設けられている、参照符号４０はカル部の一部を示す）とゲート４１が形成されている。

実施形態４のモールド金型３６は、下型３５のカル部からゲート４１を通じて、下型３５のキャビティ３９に溶融した封止樹脂が注入されるように構成されている。上型３４内の不図示のポット内で溶融した封止樹脂を不図示のプランジャーにより加圧し（プランジャーを下降させ）、下型３５のカル４０を通じて下型３５のゲート４１から、下型３５の該ゲート４１に連通する下型３５のキャビティ３９に注入する。

下型３５のキャビティ３９に注入された封止樹脂４２はエアベント側に向かって充填されるとともに、配線母基板２６Ｃの第１開口部３１を通じて上型のキャビティ３７にも回り込む。

ここで、配線母基板２６Ｃの他面側には、第２半導体チップ１７とともに複数の導体ポスト２２が配置されている。このため、下型のキャビティ３９の部品の配置密度が上型のキャビティ３７の部品の配置密度よりも高い。このため、上型のキャビティ３７内の封止樹脂の流動が、下型のキャビティ３９内の封止樹脂の流動よりも早くなる。よって、配線母基板２６Ｃの一面を流動する封止樹脂の流動と、他面を流動する封止樹脂の流動が、図１３（Ｂ）に示すように、エアベント側の近くでほぼ同じくできる。

このため、実施形態４によれば、前記実施形態１と同様、配線母基板２６Ｃのエアベント側の上下面での封止樹脂の流動の差を小さくすることができ、封止樹脂の流動の差による配線母基板の歪み等を低減できる。

上下のキャビティ３７、３９内に封止樹脂４２が充填した後、所定の温度、例えば１７５℃でモールド成形することで、封止樹脂４２が熱硬化され、半硬化状態の封止樹脂層が形成され、配線母基板２６Ｃ上には、図１３（Ｃ）に示すように、配線母基板２６Ｃの複数の製品領域２５の一の面を一括的に覆う第１封止樹脂層１６と、複数の製品領域の他の面を一括的に覆う第２封止樹脂層２３が形成される。

実施形態４においても、前記実施形態１と同様な効果が得られるとともに、下型にカル部、ゲート部を設けたモールド装置を用いるため、下型のキャビティに溶融した封止樹脂をキャビティに直接的に供給することができ、前記実施形態１よりも早く供給することができる。また、下型にカル部が形成されたモールド装置に対して、該モールド装置の大幅な変更なく、適用が可能となる。

実施形態４によれば、前記実施形態２と同様に、配線母基板２６Ｃのエアベント側の枠部２８Ａにおいて流動が早くなり得る部位に第３開口部４７を設けたことにより、早く到達したキャビティの封止樹脂を他方のキャビティに回り込ませることができる。この結果、エアベント側での樹脂圧力による配線母基板２６Ｃの歪みの発生を抑制することができ、良好に、封止樹脂層を形成することができる。

前記各実施形態に基づき説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば、本実施形態では、ガラスエポキシ基板等のリジットな配線基板を用いた場合について説明したが、ポリイミド基板等を用いたフレキシブルな配線基板に対しても同様にして適用できることは勿論である。

また本実施形態では、製品領域２５に搭載される第１、第２半導体チップ１１、１７として、ＤＲＡＭ等のメモリチップを搭載した半導体装置に適用した場合について説明したが、第１、第２半導体チップ１１、１７はメモリチップに制限されるものでなく、例えば論理ＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）等のロジックチップ等、メモリデバイス以外の他の半導体チップを搭載した半導体装置に適用しても良いことは勿論である。

さらに、本実施形態では、配線基板上に半導体チップをフリップチップ実装した半導体装置に適用した場合について説明したが、配線基板上に搭載した半導体チップをワイヤボンディングで接続する半導体装置の製造方法に適用してもよいことは勿論である。

なお、上記の特許文献の各開示を、本書に引用をもって繰り込むものとする。本発明の全開示（請求の範囲を含む）の枠内において、さらにその基本的技術思想に基づいて、実施形態ないし実施例の変更・調整が可能である。また、本発明の請求の範囲の枠内において種々の開示要素（各請求項の各要素、各実施例の各要素、各図面の各要素等を含む）の多様な組み合わせ乃至選択が可能である。すなわち、本発明は、請求の範囲を含む全開示、技術的思想にしたがって当業者であればなし得るであろう各種変形、修正を含むことは勿論である。

１ 半導体装置
２ 配線基板
３ 絶縁基材
４、５ ソルダーレジスト膜
６、７ 開口部
８ 第１接続パッド
９ 第２接続パッド
１０ ランド
１１ 第１半導体チップ
１２ 電極パッド
１３ バンプ電極
１３ａ ピラー部
１４ はんだ層
１５ 樹脂充填部材
１６ 第１封止樹脂層（第１封止樹脂）
１７ 第２半導体チップ
１８ 電極パッド
１９ バンプ電極
１９ａ ピラー部
２０ はんだ層
２１ 樹脂充填部材
２２ 導体ポスト
２３ 第２封止樹脂層（第２封止樹脂）
２４ 電極（はんだボール）
２５ 製品領域
２６、２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃ 配線母基板
２７ ダイシングライン
２８ 枠部
２８Ａ エアベント側枠部
２８Ｇ ゲート側枠部
２９ メタルパターン
３０ モールド領域
３１ 第１開口部
３２ 第２開口部
３３ 位置決め孔
３４ 上型
３４ａ 突設部
３５ 下型
３６ モールド金型
３７ キャビティ
３８ 凹部
３９ キャビティ
４０ カル（カル部）
４１ ゲート（ゲート部）
４２ 封止樹脂
４３ 砥石
４４ マウントツール
４５ ダイシングブレード
４６ ダイシングテープ
４７ 第３開口部
４８、４９ ボンディングツール
５０ ランナー
８１ スルーホール

Claims (20)

1. 複数の製品領域と、前記複数の製品領域を囲繞する枠部と、前記枠部の一端側に形成され第１面と前記第１面と反対側の第２面間を貫通する第１開口部と、を有する配線基板を準備する工程と、
   前記複数の製品領域の前記第１面と前記第２面とに第１半導体チップ群と第２半導体チップ群とをそれぞれ実装する工程と、
   第１キャビティと第２キャビティとが、前記配線基板の前記複数の製品領域及び前記第１開口部の前記第１面側と前記第２面側とをそれぞれ一括で覆う第１金型と第２金型とで、前記配線基板を型締めし、
   前記第１金型と前記第２金型の一方のゲートより、前記第１及び第２のキャビティの一方のキャビティを充填するとともに、前記一方のキャビティから、前記配線基板の前記第１開口部を通じて、前記第１及び第２のキャビティの他方のキャビティ内に封止樹脂を充填し、前記配線基板の前記第１面側と前記第２面側とをそれぞれ覆う第１封止樹脂と第２封止樹脂とを一括で形成するモールド工程と、
   を含む、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記モールド工程において、前記第２金型に設けられたゲートより、前記ゲートに連通する前記第２金型の前記第２キャビティ内に封止樹脂を注入し、前記第２金型の前記第２キャビティ内に封止樹脂を充填するとともに、前記第２キャビティから、前記配線基板の前記第１開口部を通じて、前記第１金型の前記第１キャビティ内に封止樹脂を充填することで、前記第１及び第２封止樹脂を一括で形成する、ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記配線基板を準備する工程において、前記配線基板の前記枠部の一端側に形成され、前記第１面と前記第２面間を貫通する第２開口部をさらに有する配線基板を準備し、
   前記モールド工程において、前記第１金型に設けられたゲートより、前記配線基板の前記第２開口部を介して連通する前記第２金型の前記第２キャビティ内に封止樹脂を注入し、前記第２金型の前記第２キャビティ内に封止樹脂を充填するともに、前記第２金型の前記第２キャビティから前記配線基板の前記第１開口部を通じて、前記第１金型の前記第１キャビティ内に封止樹脂を充填することで、前記第１及び第２封止樹脂を一括で形成する、ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記配線基板を準備する工程において、前記枠部の前記一端側と対向する他端側に形成され、前記第１面と前記第２面間を貫通する第３開口部をさらに有する配線基板を準備し、
   前記モールド工程において、型締めした前記第１及び第２金型の前記第１及び第２のキャビティは、エアベント側で、前記第３開口部を介して互いに連通し、前記封止樹脂の注入時、前記第１及び第２キャビティのうち一方のキャビティから前記第３開口部に早く到着した前記封止樹脂は、前記第３開口部を介して他方のキャビティに廻り込む、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記配線基板の前記枠の一端側において、前記第２開口部は、前記第１開口部に対して前記枠の一端の外縁側にあり、モールド時にゲートに対応する位置に形成されている、ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記第１開口部と前記第２開口部は、それぞれ多角形の平面形状を有する、ことを特徴とする請求項３又は５に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記第１開口部と前記第２開口部の各々は、前記枠の一端側の外縁の長手方向に平行な、互いに対向する第１及び第２辺と、前記枠の一端側の外縁の長手方向に直交する方向に平行な、互いに対向する第３及び第４辺とを有する矩形の平面形状有する、ことを特徴とする請求項３、５、６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記第１金型は、前記第１キャビティのゲート側の端部壁面を突設させた突設部を有し、
   前記第１及び第２金型を型締めした状態で、前記第１金型の前記突設部は、前記配線基板の前記枠の一端側の前記第１面側の前記第２開口部と前記第１開口部との間で当接して前記第１金型のゲートと前記第１金型の前記第１キャビティとを仕切り、
   前記第１金型のゲートは、前記配線基板の前記第２開口部を介して、前記第２金型の前記第２キャビティと連通する、ことを特徴とする請求項３、５乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記配線基板の前記枠の一端側において、前記枠の一端側の外縁の長手方向に、前記複数の製品領域の一端から他端を含む領域にわたって、前記第１開口部と前記第２開口部の対が、予め定められた所定間隔互いに離間して複数対配設されている、ことを特徴とする請求項３、５乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記配線基板の前記枠の一端側において、前記枠の一端側の外縁の長手方向に沿って、前記複数の製品領域の一端から他端を含む領域にわたって、複数の前記第１開口部が、予め定められた所定間隔互いに離間して配設されており、
    前記第２開口部は、前記複数の第１開口部を含む領域にわたって、前記枠部の長手方向に延在されている１つの開口からなる、ことを特徴とする請求項３、５乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記第３開口部は、前記枠部の他端側の両サイドと中央に配置される、ことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
12. 前記第３開口部の平面形状は、一つの頂点が他の２つの頂点よりも前記枠の一端側に配置された三角形である、ことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
13. 前記第２金型が、前記配線基板の前記枠部を支持する凹部を有し、
    前記第２金型の前記第２キャビティは前記凹部に設けられている、ことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
14. 前記配線基板の前記製品領域の前記第２面に配置される部品の密度は、前記配線基板の前記第１面に配置される部品の密度よりも大きい、ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
15. 前記配線基板を準備する工程では、前記複数の製品領域の各々において、
    前記第１及び第２面に、前記第１及び第２半導体チップの電極群と接続する第１及び第２配線パッド群がそれぞれ形成され、
    前記第２面に複数のランドが形成され、
    前記第１及び第２接続パッド群と前記複数のランドを接続する配線を含む配線パタンが形成された配線基板を準備し、
    前記複数の製品領域の前記第１及び第２面に前記第１及び第２の半導体チップ群をそれぞれ実装し、前記第２面の前記複数のランドに複数の柱状導電部材を接続した前記配線基板に対して、前記モールド工程を行う、ことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
16. 前記モールド工程の後に、
    前記配線基板の前記第２面の前記第２封止樹脂を研削するか、穴開けして、前記柱状導電部材の他端を、前記第２封止樹脂から露出させる工程と、
    露出した前記柱状導電部材の他端に外部端子を接続する工程と、
    をさらに含む、請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
17. 前記複数の製品領域の各々において、前記第１面の第１半導体チップと前記第２面の第２半導体チップとは互いに９０度回転した状態で配置される、ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
18. 第１面と、前記第１面と反対側の第２面とにそれぞれ半導体チップが実装された製品領域を複数有し、前記複数の製品領域を囲繞する枠部の一端側に設けられ前記第１面と前記第２面間を貫通する開口部を有する配線基板の前記第２面側を第２金型で支持し、前記配線基板の前記複数の製品領域及び前記開口部の前記第１面側と前記第２面側とをそれぞれ一括で覆う第１キャビティと第２キャビティとをそれぞれ有する第１金型と前記第２金型とで、前記配線基板を型締めし、
    前記配線基板の前記第２面の一端側から前記第２金型の前記第２キャビティ内に封止樹脂を注入し、前記第２金型の前記第２キャビティ内に前記封止樹脂を充填するともに、前記第２金型の前記第２キャビティ内から、前記配線基板の前記枠部の前記開口部を通じて、前記第１金型の前記第１キャビティ内に封止樹脂を充填し、前記配線基板の前記第１面と前記第２面とをそれぞれ覆う第１封止樹脂と第２封止樹脂とを一括で形成する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
19. 第１面と、前記第１面と反対側の第２面とにそれぞれ半導体チップが実装された製品領域を複数有し、前記複数の製品領域を囲繞する枠部の一端側に互いに離間して設けられ、前記第１面と第２面間を貫通する一の開口部と他の開口部とを有する配線基板の前記第２面側を第２金型で支持し、前記配線基板の前記複数の製品領域及び前記他の開口部の前記第１面側と前記第２面側とをそれぞれ一括で覆う第１キャビティと第２キャビティとをそれぞれ有する第１金型と前記第２金型とで、前記配線基板を型締めし、
    前記配線基板の前記第１面の一端側から、前記配線基板の前記枠部の前記一の開口部を通じて、前記第２金型の前記第２キャビティ内に封止樹脂を注入し、前記第２金型の前記第２キャビティ内に前記封止樹脂を充填するともに、前記第２金型の前記第２キャビティ内から、前記配線基板の前記枠部の前記他の開口部を通じて、前記第１金型の前記第１キャビティ内に封止樹脂を充填し、前記配線基板の前記第１面と前記第２面とをそれぞれ覆う第１封止樹脂と第２封止樹脂とを一括で形成する、ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
20. 前記配線基板の前記製品領域の前記第２面に配置される部品の密度は、前記配線基板の前記第１面に配置される部品の密度よりも大きい、ことを特徴とする請求項１８又は１９に記載の半導体装置の製造方法。

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