JP2016015452A - ヒューズ機能を備える半導体基板、その製造方法、記録素子基板および液体吐出ヘッド。 - Google Patents

Abstract

【課題】ヒューズの溶断を確実に行いつつ、同じ基板上に配備されたインクジェット記録素子からのインクの侵入を回避することが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ヒューズ層６０２の上に積層された第１の絶縁膜６０３と更にその上に積層された第２の絶縁膜６０５の間に、ヒューズ層６０２の溶断部６０８を囲う領域についてのみ空洞６０７を介在させる。
【選択図】図６

Description

本発明は、ヒューズ機能を備えた半導体基板の製造方法に関する。

インクジェット方式の液体吐出ヘッドにおいては、ＩＤ（Ｉｄｅｎｔｉｔｙ）コードやインク吐出特性のような液体吐出ヘッド固有の情報を保持するために、基体にＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）を搭載したものがある。

また、特許文献１には、数本のヒューズ素子を基板上に配備し、個々のヒューズの溶断の有無により液体吐出ヘッド固有の情報を保持する構成が開示されている。特許文献１のような構成であれば、１つのヒューズで１ビット分の情報を保持することが出来るので、小容量の情報を簡易な構成で保持する液体吐出ヘッドを低コストに提供することが可能となる。

さらに、特許文献２には、ヒューズ素子を配備した基板の製造方法であって、ヒューズ層の上方に形成される個々の絶縁膜層の上に複数の空洞形成用パターンを形成し、絶縁膜を積層する際に絶縁膜中に空洞を生成する方法が開示されている。上方に空洞が配備された構成においては、ヒューズを溶断する際に加えられるエネルギが上位に積層された絶縁膜に拡散するのを抑えることが出来るので、エネルギが効率的にヒューズに付与され、ヒューズの溶断不良を回避することが可能となる。

特許第３４２８６８３号公報 特開２００９−４５６５号公報

しかしながら、特許文献２の構成においては、１つのヒューズの上位に空洞のほか当該空洞を形成するためのアルミなどの金属を材料とした複数の空洞形成パターンが配置されている。よって、ヒューズを溶断した際にヒューズの飛散物が空洞形成パターンと連結し、確実な溶断が実現されない場合があった。また、１つのヒューズの上に複数の空洞と複数の空洞形成パターンが交互に配列しているので、ヒューズの部分によって付与されるエネルギに偏りが生じ、これによっても確実な溶断が実現されない場合があった。

更に、特許文献２では、ヒューズを溶断する際に、当該ヒューズの上位に位置する全ての絶縁膜を破壊している。この場合、インクを吐出する記録素子をヒューズと同じ基板上に形成する構成においては、破壊された部分からインクが侵入し、配線等を腐食させるおそれがあった。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものである。よってその目的とするところは、ヒューズの溶断を確実に行いつつ、同じ基板上に配備されたインクジェット記録素子からのインクの侵入を回避することが可能な半導体基板の製造方法を提供することである。

そのために本発明は、ヒューズ機能を備える半導体基板であって、溶断部を有するヒューズ層に接触して積層された第１の絶縁膜と、該第１の絶縁膜に対し前記ヒューズ層とは反対側の面に配置され、前記溶断部を含む領域を空洞を介して囲うように配置された第２の絶縁膜と、を備えることを特徴とする。

本発明によれば、ヒューズの溶断を溶断部の位置で的確に行うことが可能となる。また、ヒューズやこれに直接接触する絶縁膜の破壊物が飛散しても、破壊された領域からのインクの進入を抑え、配線の腐食を回避することができる。

本発明に使用可能なインクジェット記録装置の要部を示した図である。 （ａ）および（ｂ）は、液体吐出ヘッドの分解斜視図である。 インクタンク、記録素子基板、電気配線テープの接続状態を示す図である。 記録素子基板の構成を説明するための斜視図である。 記録素子基板の電気的な配線構造を示す平面図である。 ヒューズ素子の１つにおける溶断前の断面図である。 （ａ）〜（ｇ）は、ヒューズ素子を形成する工程を段階的に説明する図である。 ヒューズ素子領域と駆動回路形成領域の断面図である。 （ａ）および（ｂ）は、開口部の形成位置の別例を示す上面図である。 ２つのヒューズに対し１つの空洞を用意する場合の上面図である。

以下に図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本発明に使用可能なインクジェット記録装置の要部を示した図である。積載された記録媒体１０８は、オートシートフィーダ１３２によって１枚ずつＹ方向に給紙され、搬送ローラ１０９の回転によって液体吐出ヘッド１００および１０２が記録可能な位置まで搬送される。ブラック用の液体吐出ヘッド１００およびカラーインク用の液体吐出ヘッド１０１は、固定および解放を切り替え可能なヘッドセットレバー１０６の回動により、キャリッジ１０２に対して着脱可能になっている。液体吐出ヘッド１００および１０１を搭載したキャリッジ１０２は、ガイドシャフト１０３に案内支持されながら図のＸ方向に往復移動する。この往復移動の最中に液体吐出ヘッド１００および１０１が画像データに従ってインク等の液体を吐出することにより、記録媒体１０８に１バンド分の画像が記録される。このような記録走査が終了すると搬送ローラ１０９の回転により、記録媒体１０８は１バンド分に相当する距離だけＹ方向に搬送される。以上説明した、液体吐出ヘッド１００および１０２による記録走査と記録媒体１０８の搬送動作を交互に繰り返すことにより、記録媒体１０８には段階的に画像が形成されて行く。

図２（ａ）および（ｂ）は、ブラック用の液体吐出ヘッド１００（以下、単に液体吐出ヘッドと言う）の分解斜視図である。カラー用液体吐出ヘッド１０１についてもほぼ同様の構成を有しているため、ここではブラック用液体吐出ヘッド１００について説明する。図２（ａ）は液体吐出ヘッド１００の外部の構成を、図２（ｂ）は内部の構成をそれぞれ示している。

図２（ａ）を参照する。液体吐出ヘッド１００は、主に、インクを保持するインクタンク２０２、インクタンクから供給されたインクを画像データに従って吐出する記録素子基板２００、および記録素子基板２００に画像データ信号を送信するための電気配線テープから構成されている。

電気配線部材である電気配線テープ２０１は、記録素子基板２００に対して画像データを送信する電気信号経路を形成するものであり、インクタンク２０２の外径に沿ってＬ字型に装着される。Ｌ字型の片方の面にはキャリッジ１０２に配備されたコンタクトピンと接続するための外部入力信号端子２０９が設けられている。そして、もう片方の面には記録素子基板２００を露出するための開口２０７と記録素子基板２００に電気的に接続するための電極端子２０８が設けられている。外部入力信号端子２０９と電極端子２０８は、電気配線テープ２０１内において、連続した銅箔の配線パターンによって連結されている。

液体吐出ヘッド１００を組み立てる際、まず、インクタンク２０２側に設けられたインク供給口２１０に記録素子基板２００側に設けられたインク供給口が接続するように、記録素子基板２００がインクタンク２０２に配置される。その後、電気配線テープ２０１の開口２０７から記録素子基板２００が露出するように、電気配線テープ２０１が位置決めされ接着される。これにより、記録素子基板２００側の電極部３０３と電気配線テープ２０１側の電極端子２０８が電気的に接続する。

液体吐出ヘッド１００をキャリッジ１０２に搭載するとき、液体吐出ヘッド１００は装着ガイド２１４を介してキャリッジの所定位置に案内され、キャリッジ１０２のヘッドセットレバー１０６の回動によって固定される。この際、インクタンク２０２に形成されたＸ方向突き当て部２１５、Ｙ方向突き当て部２１６およびＺ方向突き当て部２１６によって液体吐出ヘッド１００は位置決めされ、外部入力信号端子２０９がキャリッジ１０２上のコンタクトピンと接続する。

図２（ｂ）を参照するに、インクタンク２０２の内部にはインクを吸収して負圧を発生するためのインク吸収体２０４が収容され、蓋部材２０５によってその上部が閉じられている。インク吸収体２０４が保持するインクはゴミの進入を防ぐためのフィルタ２０３を介してインク供給口２１０から記録素子基板２００に供給される。

図３は、インクタンク２０２と、記録素子基板２００と、電気配線テープ２０１の接続状態を説明するための断面図である。本実施形態においては、熱超音波圧着法により電気配線テープ２０１と記録素子基板２００との電気的接続を行い、更に第１の封止剤４００および第２の封止剤４０１を用いて、これら３者を封止している。第１の封止剤４００は、主に電気配線テープ２０１の電極端子２０８と、記録素子基板２００に設けられたバンプ３０４の接続部の裏面側と記録素子基板２００の外周部分を封止している。また、第２の封止剤４０１は、記録素子基板２００のバンプ３０４との接続部の表側を封止している。これら２段階の封止により、電気接続部分がインクによる腐食や外的衝撃から保護されるようになっている。電気配線テープ２０１の未接着部は、Ｌ字型に折り曲げられインクタンク２０２の側面に熱カシメもしくは接着等で固定される。このような接着により、インクタンク２０２側に設けられたインク供給口２１０と記録素子基板２００側に設けられたインク供給口３０１とが互いにずれることなく連結する。結果、インクタンク２０２内のインクが確実に記録素子基板２００に供給される。

図４は、記録素子基板２００の構成を説明するために一部を断面にして示した斜視図である。記録素子基板２００は、例えば、厚さ０.５〜１ｍｍのシリコンから成る基板３００にインク流路である長溝状の貫通口のインク供給口３０１がシリコンの結晶方位を利用した異方性エッチングやサンドブラストなどの方法で形成されている。

インク供給口３０１を挟んだＸ方向の両側には、インク等の液体を吐出するために利用されるエネルギを発生するエネルギ発生素子であるＴａＳｉＮ等から成る電気熱変換素子３０２が１列ずつＹ方向に所定のピッチで配置されている。これら２列の素子列はＹ方向に互いに半ピッチずれている。そして、これら複数の電気熱変換素子３０２のそれぞれには、Ａｌなどから成る不図示の電気配線から電力が供給されるようになっている。これら複数の電気熱変換素子３０２と電気配線とは成膜技術により形成される。基板３００のＹ方向の両端には、個々の電気熱変換素子３０２に電圧を印加するための電極部３０３が配備されており、電極部３０３上にはＡｕなどからなるバンプ３０４が形成されている。

基板３００上には、個々の電気熱変換素子３０２に対応した位置にインク流路３０５と吐出口３０６が形成された構造体が配置されている。当該構造体は、樹脂材料からなり、インク流路３０５や吐出口３０６はフォトリソ技術によって形成されている。このような構成により、画像データに従い所定の電気熱変換素子３０２に所定の電圧が印加されると、インク供給口３０１から導かれた電気熱変換素子３０２近傍にあるインク中に膜沸騰が起こる。そして、発生した泡の成長エネルギによって対応する吐出口３０６よりインクが滴として吐出される仕組みになっている。本実施形態においてはエネルギ発生素子として電気熱変化素子３０２の例を示したが、本発明はこれに限られず例えばピエゾ素子等の液体を吐出するために利用されるエネルギを発生する素子であればあらゆるものが適用可能である。

図５は、本発明の半導体基板となりうる記録素子基板２００の電気的な配線構造を示す平面図である。基板３００上には、ヒューズ機能や駆動素子機能などを実現するための様々な半導体素子と配線が半導体製造プロセスによって形成されている。本実施形態では、上述した複数の電気熱変換素子３０２のほか、液体吐出ヘッド１００固有の情報を示すためのヒューズ素子５００も配備されている。電気熱変換素子３０２がインク供給口３０１の長辺に沿うように所定のピッチで配列しているのに対し、ヒューズ素子５００はインク供給口３０１の短辺に隣接する位置に形成されている。

インク供給口３０１に対して電気熱変換素子３０２の更に外側には、個々の電気熱変換素子３０２を駆動するための第１の駆動素子５０１と、ヒューズ素子５００を溶断したり溶断状態を検出したりするための第２の駆動素子５０２がＹ方向に連続的に配列している。第１の駆動素子５０１および第２の駆動素子５０２は、トランジスタ形態になっている。

インク供給口３０１に対して第１および第２の駆動素子５０１、５０２の更に外側には、シフトレジスタなどより出力された信号線に従ってＯＮ／ＯＦＦを決定するための選択回路５０３が、Ｙ方向に連続的に配列している。選択回路５０３はＡＮＤ回路であり、同じものが第１の駆動素子５０１および第２の駆動素子５０２のそれぞれに対応して配備されている。

ＶＨ電源パッド５０４ｅから延びるＶＨ電源配線５０５は個々の電気熱変換素子３０２に接続し、これらにＶＨ電源を供給している。ＧＮＤＨ電源パッド５０４ｆから延びるＧＮＤＨ電源配線５０６は、第１の駆動素子５０１と第２の駆動素子５０２のそれぞれに接続し、これらにＧＮＤＨ電源を供給している。

以上の構成により、第１の駆動素子５０１も第２の駆動素子５０２も、外部より入力される信号線から、シフトレジスタ、ラッチ回路、デコーダを経由する等しい回路を介して駆動することが出来る。その結果、第１の駆動素子５０１については、画像データに従ってＯＮ／ＯＦＦを切り替えることにより、選択された電気熱変換素子３０２のみが印加され、対応する吐出口３０６よりインクが吐出される。第２の駆動素子５０２については、液体吐出ヘッド固有の情報に従ってＯＮ／ＯＦＦを切り替えることにより、ヒューズ素子５００のそれぞれが選択的に溶断される。

図６は、ヒューズ素子５００の１つにおける溶断前の断面図である。本実施形態のヒューズ素子５００においては、シリコンなどの基板３００上に熱酸化膜６０１が成膜され、さらに上層にヒューズ層６０２（以下、単にヒューズとも言う）が形成されている。この際、図６の下図に示すように、ヒューズ層６０２にはＹ方向中央においてＸ方向に短い領域が形成され、この領域が結果として溶断部６０８となる。そして、ヒューズ層６０２の直上層には第１の絶縁膜６０３が一様に積層され、この第１の絶縁膜６０３のヒューズ層６０２とは反対側の面にヒューズ６０２の溶断部６０８を囲うように空洞６０７を設けた状態で第２の絶縁膜６０５が形成される。更に、第２の絶縁膜６０５を覆うように第３の絶縁膜６０６が積層されている。

図７（ａ）〜（ｇ）は、図６のようなヒューズ素子５００を形成する工程を段階的に説明するための図である。なお、ヒューズ素子５００は記録素子基板２００の一部に形成された領域であり、製造時には電気熱変換素子３０２が配備される駆動回路形成領域を含む他の領域も同時進行に形成される。ここでは、図８に示す構成を例に、ヒューズ素子５００と駆動回路形成領域を並行して形成する場合について説明する。なお、図８に一例は示しているが、駆動回路形成領域についてはこのような構成および製造工程に限定されるものではない。

図７（ａ）は第１工程を示す図である。ここでは、基板３００上に熱酸化膜６０１が形成され、更にヒューズ６０２が形成された状態を示している。本実施形態において、ヒューズ６０２はポリシリコンからなり約４００ｎｍの厚みを有している。この際、下図に示すように、ヒューズ６０２には溶断部６０８となるＸ方向に短い領域が形成されている。本実施形態において、溶断部６０８はＹ方向に１０μｍＸ方向に１．５μｍの大きさを有し、電流を流した際に発熱し溶断されるようになっている。なお、ヒューズ６０２の材料としては、駆動回路形成領域における電気熱変換素子（ヒータ）やゲート部の構成と同じ材料とすることが出来る。この場合、図８を参照するに、第１工程では、ヒューズ層６０２と電気熱変換素子（ヒータ）やゲート部の構成を併せて形成することが出来る。なお、ヒューズの材料としてはポリシリコンに限定されるものではなく、アルミを含む合金とすることも出来る。

図７（ｂ）は第２工程である。ここでは、ヒューズ６０２上を被覆するように第１の絶縁膜６０３が積層される。具体的には、プラズマＣＶＤ法によって、リンを含有する酸化シリコン層が約５００ｎｍの厚みでヒューズ６０２上に形成される。第１の絶縁膜でヒューズ６０２全体を被覆することにより、ヒューズ溶断の際に印加された電圧エネルギを蓄積し、溶断部６０８に対し効率的にエネルギを付与することが可能となる。また、この後の工程でエッチング処理などが行われても、ヒューズ６０２がエッチング液に直接晒されることを防ぐので、ヒューズの抵抗値も維持することが出来る。すなわち、第１の絶縁膜を設けておくことにより、ヒューズ溶断の安定性および確実性を向上させることが出来る。なお、ここでは第１の絶縁膜６０３の膜厚を約５００ｎｍとしたが、３００〜１０００ｎｍの範囲であれば、上記説明したような好適な効果を得ることは出来る。本実施形態において、第１の絶縁膜６０３の材料は、駆動回路形成領域における層間絶縁膜の材料と等しくすることが出来、これら構成はこの第２工程で同時に形成することが出来る。

図７（ｃ）は第３工程である。ここでは、ヒューズ６０２の溶断部６０８上に犠牲層６０４が積層される。犠牲層６０４は、例えばアルミを含む合金からなり、ヒューズ６０２の領域よりは小さく且つ溶断部６０８を十分に覆う大きさで、約４００ｎｍの厚さで積層される。但し、このような厚みは特に限定されるものではなく、３００〜１０００ｎｍ程度の厚みであれば、本発明の効果は十分に得ることが出来る。本実施形態において、犠牲層６０４の材料は、駆動回路形成領域における各種配線の材料と等しくすることが出来、この場合これら構成は第３工程で同時に形成することが出来る。

図７（ｄ）は、第４工程である。ここでは、犠牲層６０４や露出した第１の絶縁膜６０３を被覆するように第２の絶縁膜６０５が積層される。具体的には、酸化シリコン層が３００〜１０００ｎｍ程度の厚みで犠牲層６０４および露出した第１の絶縁膜６０３上に凸状に形成される。第２の絶縁膜６０３の材料についても、駆動回路形成領域における層間絶縁膜の材料と等しくすることが出来、これら構成はこの第４工程で同時に形成することが出来る。

図７（ｅ）は第５工程である。ここでは、第４工程で形成した第２の絶縁膜６０５の一部をエッチングして、犠牲層６０４を挟む両端部の２箇所に開口部６０９を形成する。このような第５工程では、駆動回路形成領域の絶縁膜をエッチングする処理を同時に行うことも出来る。

図７（ｆ）は第６工程である。ここでは、第５工程で形成した開口部６０９を介してウェットエッチングを行い、犠牲層６０４を除去する。これにより、第１の絶縁膜６０３と第２の絶縁膜６０５との間には、空洞６０７が形成される。

図７（ｇ）は第７工程である。ここでは、凸型の第２の絶縁膜６０５を被覆するように第３の絶縁膜６０６が積層される。具体的には、炭素、酸素、窒素の少なくともいずれかと結合したシリコンの層が約４００ｎｍの厚みで凸型の第２の絶縁膜６０５上に形成される。但し、このような厚みは特に限定されるものではなく、２００〜６００ｎｍ程度の厚みであれば、本発明の効果は十分に得ることが出来る。第３の絶縁膜６０３の材料は、駆動回路形成領域における層間絶縁膜の材料や保護膜と等しくすることが出来、これら構成はこの第７工程で同時に形成することが出来る。第７工程により、２つの開口部６０９は閉塞され空洞６０７は外部から遮断され、以上でヒューズ素子５００が完成する。

本実施形態のヒューズ素子５００によれば、第１の絶縁膜６０３に覆われたヒューズ６０２のうち、溶断部６０８に相当する領域の上方に空洞が配置され、更にその上方に第２の絶縁膜６０５と第３の絶縁膜６０６が積層されている。つまり、溶断部６０８の上方には、特許文献２のように空洞形成用パターンのような金属材料が接続せず空洞６０７のみが配置されている。よって、ヒューズ６０２の両端に電圧が印加された際、発生する熱エネルギはヒューズ６０２以外の領域に分散し難く、幅の短い溶断部６０８に対し効果的に付与される。結果、ヒューズ６０２の溶断を溶断部６０８の位置で的確に行うことが可能となる。

また、ヒューズ６０２に接触する第１の絶縁膜は、上述したようにヒューズ溶断の際に印加された電圧エネルギを蓄積し、溶断部６０８に対し効率的にエネルギを付与する役割を果たしている。従って、ヒューズ６０２が溶断される際には第１の絶縁膜６０３も破壊される。しかしながら、ヒューズ６０２や第１の絶縁膜６０３の破壊物が空洞６０７に飛散しても、空洞６０７はこれら飛散を包含するのに十分大きく、その上に位置する第２の絶縁膜６０５や第３の絶縁膜６０６が破壊されることは無い。よって、インクが導入される駆動回路形成領域とヒューズ素子５００とが、同じ基板上に形成された構成であっても、破壊された領域からインクが進入することは無く、配線の腐食も回避できる。

以下、本発明の他の実施形態について説明する。

（第２の実施形態）
図９（ａ）および（ｂ）は、第２の絶縁膜６０５に形成する開口部６０９の、第１の実施形態とは異なる例を示す上面図である。図９（ａ）は、溶断部６０８に対し短手方向の両端部に開口部６０９を形成した状態を示している。また同図（ｂ）は、長手方向と短手方向の両方の両端部に開口部６０９を形成した状態を示している。いずれの場合も、開口部６０９は溶断部６０８の領域から外れた位置に形成され、形成された複数の開口部を介して溶断部６０８を被覆する犠牲層６０４を囲い込むようにエッチング液を流入することが出来る。結果、第１の実施形態と同様、犠牲層６０４の全体を効果的に除去し、ヒューズ６０２の溶断部６０８を囲うように空洞６０７を設けた状態で第２の絶縁膜６０５を形成することが出来る。

（第３の実施形態）
第１の実施形態では、１つのヒューズ６０２に対し１つの空洞６０７を対応させる形態で説明したが、本発明は複数のヒューズに対し共通した１つの空洞を対応させることも出来る。

図１０は、２つのヒューズ６０２の２つの溶断部６０８に対し１つの空洞を用意する場合の上面図である。このような状態は、２つのヒューズ６０２に対し共通する犠牲層を用意し、当該犠牲層を囲うようにエッチング液を流入可能なように空洞を形成すれば、実現することが出来る。本実施形態を採用すれば、第１の実施形態よりも空洞の容積を更に大きくすることが出来るので、溶断部６０８を溶断する際の効果を更に高めることが期待出来る。

（第４の実施形態）
第１の実施形態では、一例としてヒューズ６０２の厚みを４００ｎｍ、空洞すなわち犠牲層６０４の厚みを４００ｎｍとしたが、本実施形態ではヒューズ６０２の厚み４００ｎｍに対して８００ｎｍの厚みを有する犠牲層を用いる。これにより、ヒューズ６０２の厚みの２倍の厚みを有する空洞を形成することが出来る。溶断部６０８が飛散する程度は、ヒューズやその周辺の膜の材質や厚みのほか、ヒューズに投入されるエネルギ（電圧や電流）など、様々な条件によって変化する。空洞を設けていても、その容積が各種条件に対して不十分であると、十分な飛散が行われず確実な溶断が実現されないおそれが生じる。本実施形態のように、空洞がヒューズの２倍以上の厚みを有していれば、より確実な飛散および溶断を期待することが出来る。

５００ ヒューズ素子
６０２ ヒューズ層
６０３ 第１の絶縁膜
６０５ 第２の絶縁膜
６０７ 空洞

Claims (15)

1. ヒューズ機能を備える半導体基板であって、
   溶断部を有するヒューズ層に接触して積層された第１の絶縁膜と、
   該第１の絶縁膜に対し前記ヒューズ層とは反対側の面に配置され、前記溶断部を含む領域を空洞を介して囲うように配置された第２の絶縁膜と、
   を備えることを特徴とする半導体基板。
2. 前記第２の絶縁膜は、複数の前記溶断部を含む領域を共通する前記空洞を介して囲うように配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体基板。
3. 前記ヒューズ層はポリシリコンで構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体基板。
4. 前記空洞は前記ヒューズ層の２倍以上の厚みを有していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体基板。
5. インクを滴として吐出させる駆動素子としての機能を更に備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体基板。
6. ヒューズ機能を備える半導体基板の製造方法であって、
   基板上に溶断部を有するヒューズ層を形成する工程と、
   前記ヒューズ層の上に第１の絶縁膜を積層する工程と、
   前記第１の絶縁膜の前記溶断部を含む領域の上に犠牲層を形成する工程と、
   前記犠牲層および露出した前記第１の絶縁膜の上に第２の絶縁膜を積層する工程と、
   前記第２の絶縁膜の前記溶断部から外れた領域の一部を除去して開口部を形成する工程と、
   前記開口部を介して前記犠牲層を除去する工程と、
   前記第２の絶縁膜の上に第３の絶縁膜を積層し前記開口部を閉塞する工程と
   を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
7. 前記開口部の複数が、前記溶断部から外れた領域であって前記溶断部を囲うように形成されることを特徴とする請求項６に記載の半導体基板の製造方法。
8. 前記ヒューズ層はポリシリコンで形成されることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体基板の製造方法。
9. 前記犠牲層はアルミを含む合金で形成されることを特徴とする請求項６ないし８のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
10. 前記犠牲層は前記ヒューズ層の２倍以上の厚みを有していることを特徴とする請求項６ないし９のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
11. 前記犠牲層は、複数の前記溶断部を含む領域の上に形成されることを特徴とする請求項６ないし１０のいずれか１項に記載の半導体基板の製造方法。
12. 液体を吐出するために利用されるエネルギを発生するエネルギ発生素子を備える記録素子基板であって、
    溶断部を有するヒューズ層と、
    前記ヒューズ層に接触して積層された第１の絶縁膜と、
    該第１の絶縁膜に対し前記ヒューズ層とは反対側の面に配置され、前記溶断部を含む領域を空洞を介して囲うように配置された第２の絶縁膜と、
    を備えることを特徴とする記録素子基板。
13. 前記ヒューズ層はポリシリコンで構成されていることを特徴とする請求項１に記載の記録素子基板。
14. 前記空洞は前記ヒューズ層の２倍以上の厚みを有していることを特徴とする請求項１または２に記載の記録素子基板。
15. 請求項１２ないし１４のいずれか１項に記載の記録素子基板と、
    前記記録素子基板に信号を送信するための電気配線部材と、
    を備える液体吐出ヘッド。

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