JP2016012031A - 複層フィルムの製造方法、位相差フィルム、円偏光板、及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】マスキングフィルムを剥がされた基材フィルムの面に液晶樹脂層を備える複層フィルムの製造方法であって、配向状態が良好で、配向欠陥の少ない液晶樹脂層が得られる製造方法を提供する。【解決手段】配向規制力を付与された面を有する基材フィルム及びマスキングフィルムを備える原反フィルムのマスキングフィルムを剥離する工程（Ｉ）と、基材フィルムの面の配向規制力が低下する工程（II）と、基材フィルムの面に液晶組成物の層を形成する工程（III）と、基材フィルムの面の配向規制力を修復すると同時に液晶組成物の層に含まれる液晶性化合物を配向させる工程（IV）と、液晶組成物の層を硬化させて液晶樹脂層を得る工程（Ｖ）と、を含み、基材フィルムとマスキングフィルムとの間の剥離力が５Ｎ／２５ｍｍ以下である、複層フィルムの製造方法。【選択図】図１

Description

本発明は、複層フィルムの製造方法、並びに、前記の複層フィルムを用いて得られる位相差フィルム、円偏光板及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。以下、有機エレクトロルミネッセンスのことを、適宜「有機ＥＬ」と略称することがある。

従来、液晶性化合物を用いて位相差フィルムを製造する場合、基材の面に液晶性化合物を含む液晶組成物の層を形成し、液晶性化合物を配向させた状態で当該液晶組成物の層を硬化させる製造方法が用いられることがあった。ここで、液晶性化合物とは、液晶組成物において配向させた場合に液晶相を呈しうる化合物を意味する。また、ここで「液晶組成物」と称する材料は、２以上の物質の混合物のみならず、単一の物質からなる材料をも包含する。この製造方法によれば、液晶組成物の層を硬化させて得られる液晶樹脂層においてレターデーションが発現するので、位相差フィルムを製造することが可能である。

前記のように液晶性化合物を配向させるために、通常、基材の面には、配向規制力を付与するための処理が施される。このような処理としては、例えば、ラビング処理（特許文献１〜３）、光配向処理（特許文献４及び５）などが知られていた。また、例えば、基材として延伸処理を施されたフィルムを用いることにより、そのフィルムの面に配向規制力を付与できることが知られていた（特許文献６）。

特開平０８−１６０４３０号公報 特開２０００−２６７１０５号公報 特開２００２−６３２２号公報 特許第２９８０５５８号公報 特開平１１−１５３７１２号公報 特開平３−９３２５号公報

基材として基材フィルムを用いる場合、この基材フィルムにマスキングフィルムを設けることがあった。マスキングフィルムは、例えば保存及び搬送の際に基材フィルムに設けられ、必要に応じて基材フィルムから剥離されうるフィルムである。マスキングフィルムを用いることにより、基材フィルムのハンドリング性の向上、基材フィルムの表面の傷つき防止などが可能である。

しかし、基材フィルムからマスキングフィルムを剥がし、基材フィルムの面（以下、マスキング剥離面または単に剥離面と呼ぶことがある。）に液晶樹脂層を形成することで位相差フィルムを製造しようとした場合、高品質の位相差フィルムを得ることが困難であった。具体的には、液晶樹脂層に含まれる硬化液晶分子の配向が乱れて液晶樹脂層の配向状態が不良となったり、液晶樹脂層において配向欠陥が生じたりしていた。

本発明は前記の課題に鑑みて創案されたもので、マスキングフィルムを剥がされた基材フィルムの面に液晶樹脂層を備える複層フィルムの製造方法であって、配向状態が良好で、配向欠陥の少ない液晶樹脂層が得られる製造方法；並びに、前記の製造方法で製造された複層フィルムの液晶樹脂層を備える位相差フィルム、円偏光板及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することを目的とする。

本発明者等は前記の課題を解決するべく鋭意検討した結果、従来の製造方法では製造工程中において基材フィルムの面の配向規制力が低下する場合があること、その低下した配向規制力を修復することによって液晶樹脂層の配向状態等を良好にできることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は以下の通りである。

〔１〕 配向規制力を付与された面を有する基材フィルム及び前記基材フィルムの前記面に接して設けられたマスキングフィルムを備える原反フィルムの、前記マスキングフィルムを剥離する工程（Ｉ）と、
前記基材フィルムの前記面の配向規制力が低下する工程（II）と、
前記工程（Ｉ）及び前記工程（II）の後で、前記基材フィルムの前記面に、液晶性化合物を含む液晶組成物の層を形成する工程（III）と、
前記工程（III）の後で、前記基材フィルムの前記面の配向規制力を修復すると同時に前記液晶組成物の層に含まれる液晶性化合物を配向させる工程（IV）と、
前記工程（IV）の後で、前記液晶組成物の層を硬化させて液晶樹脂層を得る工程（Ｖ）と、を含み、
前記基材フィルムと前記マスキングフィルムとの間の剥離力が、５Ｎ／２５ｍｍ以下である、複層フィルムの製造方法。
〔２〕 前記工程（Ｉ）及び前記工程（II）が、同時に行われる工程であり、
前記工程（IV）が、前記基材フィルム及び前記液晶組成物の層を加熱する工程であり、
前記基材フィルムに含まれる熱可塑性樹脂のガラス転移温度をＴｇとして、前記工程（IV）での加熱温度が、前記液晶組成物のＣＮ点以上、Ｔｇ−１５℃以下である、〔１〕記載の複層フィルムの製造方法。
〔３〕 前記工程（Ｉ）に先立って、前記基材フィルムを延伸して、前記基材フィルムの前記面に配向規制力を付与する工程（VI）を含む、〔１〕又は〔２〕記載の複層フィルムの製造方法。
〔４〕 前記工程（VI）における延伸が、一方向への延伸である、〔３〕記載の複層フィルムの製造方法。
〔５〕 前記基材フィルムが、前記基材フィルムの幅方向とは異なる方向に遅相軸を有する、〔１〕〜〔４〕のいずれか一項に記載の複層フィルムの製造方法。
〔６〕 前記基材フィルムが、脂環式構造含有重合体又はセルロースエステルを含む樹脂のフィルムである、〔１〕〜〔５〕のいずれか一項に記載の複層フィルムの製造方法。
〔７〕 〔１〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の製造方法で製造された複層フィルムからなる位相差フィルムであって、
前記液晶樹脂層が、１／４波長の面内レターデーションを有する、位相差フィルム。
〔８〕 〔１〕〜〔６〕のいずれか一項に記載の製造方法で製造された複層フィルムの、前記基材フィルムを剥離する工程を経て得られ、
前記液晶樹脂層が、１／４波長の面内レターデーションを有する、位相差フィルム。
〔９〕 〔７〕又は〔８〕記載の位相差フィルムを備える、円偏光板。
〔１０〕 〔９〕記載の円偏光板を備える、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

本発明によれば、マスキングフィルムを剥がされた基材フィルムの面に液晶樹脂層を備える複層フィルムの製造方法であって、配向状態が良好で、配向欠陥の少ない液晶樹脂層が得られる製造方法；並びに、前記の製造方法で製造された複層フィルムの液晶樹脂層を備える位相差フィルム、円偏光板及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することができる。

図１は、本発明の一実施形態に係る複層フィルムの製造方法に用いる、原反フィルムの製造装置を模式的に示す概略図である。 図２は、本発明の一実施形態に係る複層フィルムの製造方法に用いる、複層フィルムの製造装置を模式的に示す概略図である。 図３は、マスキングフィルムを貼り合わせられていた基材フィルムの前記マスキングフィルム側の面（マスキング剥離面）に、従来の製造方法で製造された液晶樹脂層を、偏光顕微鏡で撮影した写真である。

以下、実施形態及び例示物を示して本発明について詳細に説明する。ただし、本発明は以下に示す実施形態及び例示物に限定されるものでは無く、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施しうる。

以下の説明において、固有複屈折が正であるとは、別に断らない限り、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも大きくなることを意味する。また、固有複屈折が負であるとは、別に断らない限り、延伸方向の屈折率がそれに直交する方向の屈折率よりも小さくなることを意味する。固有複屈折の値は誘電率分布から計算することができる。

また、以下の説明において、ある層の面内レターデーションとは、別に断らない限り、「（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ」で表される値である。また、ある層の複屈折は、別に断らない限り、「ｎｘ−ｎｙ」で表される値である。ここで、ｎｘは、層の厚み方向に垂直な方向（面内方向）であって最大の屈折率を与える方向の屈折率を表す。ｎｙは、前記面内方向であってｎｘの方向に垂直な方向の屈折率を表す。ｄは、層の厚みを表す。測定波長は、別に断らない限り、５５０ｎｍである。

また、ある層の遅相軸とは、別に断らない限り、面内の遅相軸を表す。

また、要素の方向が「平行」、「垂直」又は「直交」とは、特に断らない限り、本発明の効果を損ねない範囲内、例えば、通常±５°、好ましくは±２°、より好ましくは±１°の範囲内での誤差を含んでいてもよい。

また、以下の説明において、「偏光板」及び「波長板」は、剛直な部材に限られるものではなく、フィルム状の可撓性を有するものを包含しうる。

［１．実施形態］
以下、図面を示して、本発明の一実施形態に係る複層フィルムの製造方法について説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る複層フィルムの製造方法に用いる、原反フィルム１０の製造装置１００を模式的に示す概略図である。
図１に示すように、製造装置１００は、延伸装置としてテンター延伸機１１０、貼合装置１２０、及び、巻取装置としての巻き軸１３０を、フィルム搬送方向の上流からこの順に備える。この製造装置１００は、長尺の基材フィルム２０をその長手方向に連続的に搬送しながら、各工程の処理を施しうるように設けられている。また、本実施形態では、基材フィルム２０として、熱可塑性樹脂からなる延伸処理を施されていないフィルムを用いた例を示して説明する。

前記の製造装置１００を用いて原反フィルム１０を製造する場合、延伸処理を施されていない基材フィルム２０を、テンター延伸機１１０に供給する。テンター延伸機１１０では、供給された基材フィルム２０を延伸する工程（VI）を行う。この延伸により、基材フィルム２０に含まれる重合体分子が配向する。そのため、基材フィルム２０の面２１に、配向規制力が付与される。基材フィルム２０の面２１は、この後の工程においてマスキングフィルム３０を貼り合わせられる面であるので、以下、適宜「マスキングフィルム３０側の面」と呼ぶことがある。

工程（VI）での延伸方向は、液晶樹脂層に含まれる硬化液晶分子を配向させたい方向に応じて設定しうる。ここで「液晶樹脂層」とは、液晶組成物の層を硬化させて得られる層である。また、「硬化液晶分子」とは、液晶性化合物を、液晶相を呈した状態のまま固体とした際の当該化合物の分子を意味する。硬化液晶分子の例としては、重合性液晶性化合物を重合させてなる重合体が挙げられる。通常、基材フィルム２０に含まれる重合体分子を、液晶樹脂層における硬化液晶分子の配向方向と略同一方向に配向させられるように、工程（VI）での延伸方向を設定する。

工程（VI）における延伸は、複数の方向に行ってもよいが、一方向に行うことが好ましい。通常、一方向に延伸された基材フィルム２０に含まれる重合体分子は、延伸方向と平行に配向する。したがって、工程（VI）において基材フィルム２０を一方向に延伸することにより、延伸方向によって液晶樹脂層における硬化液晶分子の配向方向を制御できるので、液晶樹脂層における配向規則性を容易に制御することができる。
基材フィルム２０の具体的な延伸方向は、基材フィルム２０の幅方向、長手方向及び斜め方向のいずれでもよいが、本実施形態では、斜め方向に延伸した例を示して説明する。ここで斜め方向とは、基材フィルム２０の幅方向及び長手方向に平行ではなく垂直でもない方向をいう。

工程（VI）における延伸倍率は、基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１に所望の配向規制力を付与できる範囲で、適切に設定しうる。また、工程（VI）における延伸温度は、基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１に所望の配向規制力を付与できる範囲で、適切に設定しうる。具体的な範囲は、例えば、基材フィルム２０に後述する所定の複屈折Δｎを付与できる範囲に設定しうる。

延伸されることで配向規制力を付与された基材フィルム２０は、テンター延伸機１１０から貼合装置１２０へと搬送される。貼合装置１２０は互いに押圧し合うように設けられたニップロール１２１及び１２２を備えている。貼合装置１２０に搬送されてきた基材フィルム２０は、前記のニップロール１２１及び１２２の間に送り込まれる。

また、貼合装置１２０には、長尺のマスキングフィルム３０が供給されている。供給されたマスキングフィルム３０は、ニップロール１２１及び１２２の間に送り込まれ、基材フィルム２０の片方の面２１に貼り合わせられる。これにより、延伸された基材フィルム２０、及び、この基材フィルム２０に接して設けられたマスキングフィルム３０を備える原反フィルム１０が得られる。

こうして得られた原反フィルム１０は、巻き軸１３０に搬送され、巻き軸１３０によってロール状に巻き取られる。これにより、原反フィルム１０のロール１１が得られる。

図２は、本発明の一実施形態に係る複層フィルム４０の製造方法に用いる、複層フィルム４０の製造装置２００を模式的に示す概略図である。
図２に示すように、製造装置２００は、原反フィルム供給源としてのロール１１、剥離装置２１０、塗布装置としてのダイコーター２２０、配向装置としてのオーブン２３０、硬化処理装置としてのエネルギー線照射装置２４０、及び、回収装置としての巻き軸２５０を、フィルム搬送方向の上流からのこの順に備える。この製造装置２００は、長尺の原反フィルム１０、基材フィルム２０、中間フィルム５０及び複層フィルム４０を、それらの長手方向に連続的に搬送しながら、各工程の処理を施しうるように設けられている。

前記の製造装置２００を用いて複層フィルム４０を製造する場合、ロール１１から原反フィルム１０を繰り出し、剥離装置２１０へと搬送する。
剥離装置２１０は、互いに対向して設けられた、マスキングフィルム３０を剥離するための剥離ロール２１１と、基材フィルム２０を案内するための案内ロール２１２を備えている。剥離装置２１０に搬送されてきた原反フィルム１０は、前記の剥離ロール２１１及び案内ロール２１２の間に送り込まれる。そして、剥離ロール２１１によって、原反フィルム１０のマスキングフィルム３０を基材フィルム２０から剥離する工程（Ｉ）が行われる。

また、基材フィルム２０からマスキングフィルム３０が剥離される際、基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１には、剥離されるマスキングフィルム３０に引っ張られることにより、応力が加わる。この応力によって、基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１では、重合体分子の配向軸が乱れる。そのため、マスキングフィルム３０を剥離する工程（Ｉ）と同時に、基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１の配向規制力が低下する工程（II）が行われる。

本実施形態に係る原反フィルム１０において、基材フィルム２０とマスキングフィルム３０との間の剥離力は、通常５Ｎ／２５ｍｍ以下、好ましくは３Ｎ／２５ｍｍ以下、より好ましくは１．５Ｎ／２５ｍｍ以下である。前記のように、基材フィルム２０からマスキングフィルム３０が剥離されることにより、基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１では、重合体分子の配向軸が乱れる。この配向軸の乱れの程度は、基材フィルム２０とマスキングフィルム３０との間の剥離力が大きいほど、大きくなる傾向がある。前記の剥離力が前記の範囲内に収まることにより、後述する工程（IV）において基材フィルム２０の面２１の配向規制力を安定して修復できるので、得られる液晶樹脂層の配向を良好にできる。また、前記の剥離力の下限に制限はないが、通常０．１Ｎ／２５ｍｍ以上、好ましくは０．１５Ｎ／２５ｍｍ以上、より好ましくは０．２Ｎ／２５ｍｍ以上である。これにより、基材フィルム２０からの意図しないマスキングフィルム３０の剥離を防止できるので、原反フィルム１０のハンドリング性を向上させることができる。また、このような剥離力であると基材フィルム２０からマスキングフィルム３０を剥離する時に基材フィルム２０の面２１の配向規制力の低下が生じやすいので、工程（IV）における配向規制力の修復を意義あるものにできる。

基材フィルム２０とマスキングフィルム３０との間の剥離力は、下記の方法により測定しうる。
原反フィルム１０を２０ｍｍ×１００ｍｍの短冊状に切り出して、サンプルを用意する。このサンプルの基材フィルム２０とマスキングフィルム３０との間の剥離力を、引っ張り試験機（島津製作所社製「オートグラフィー」）を用いて、剥離速度０．３ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°の条件で測定する。この時の測定条件は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準拠する。

前記のようにマスキングフィルム３０を剥離された基材フィルム２０は、その後、案内ロール２１２に案内されて、搬送ロール２６０を経てダイコーター２２０へと搬送される。また、基材フィルム２０から剥離されたマスキングフィルム３０は、基材フィルム２０とは別に搬送され、回収される。

ダイコーター２２０は、基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１に、液晶組成物２２１を塗布する。本実施形態では、エネルギー線の照射により重合しうる液晶性化合物及び溶媒を含む液晶組成物２２１を用いた例を示して説明する。これにより、基材フィルム２０の面２１に、液晶組成物の層５１を形成する工程（III）が行われて、基材フィルム２０及び液晶組成物の層５１を備える中間フィルム５０が得られる。

工程（III）において得られた中間フィルム５０は、その後、オーブン２３０へと搬送される。オーブン２３０では、中間フィルム５０を加熱することにより、当該中間フィルム５０に含まれる基材フィルム２０及び液晶組成物の層５１を所定の温度に加熱する工程を行う。この工程により、基材フィルム２０の面２１の配向規制力を修復すると同時に液晶組成物の層５１に含まれる液晶性化合物を配向させる工程（IV）が行われる。また、通常は、工程（IV）と同時に、中間フィルム５０の液晶組成物の層５１に含まれていた溶媒を乾燥させる工程（VII）が行われる。

前記のように基材フィルム２０からマスキングフィルム３０を剥離することにより、マスキングフィルム３０に接していた基材フィルム２０の面２１の重合体分子の配向軸が乱れ、配向規制力は低下する。しかし、オーブン２３０で加熱されることにより、基材フィルム２０の面２１の近傍において分子が配向の変化を生じやすい環境が生まれる。このような環境では、基材フィルム２０の内部にある分子、及び、基材フィルム２０の表面近傍において配向軸が乱れていない分子によって、原反フィルムの元の配向状態に戻ろうとして、乱れた分子の配向軸が矯正される。そのため、基材フィルム２０の面２１の配向規制力が修復され、高い配向規制力が得られる。

そして、基材フィルム２０の面２１の配向規制力が修復されたことにより、中間フィルム５０の液晶組成物の層５１においては、液晶組成物の層５１に含まれていた液晶性化合物が、基材フィルム２０の面２１の配向規制力に従って、配向する。本実施形態に示す例では、工程（VI）において基材フィルム２０をその斜め方向に延伸したので、液晶組成物の層５１に含まれる液晶性化合物は、基材フィルム２０の斜め方向と略同一方向に沿ってホモジニアスに配向する。

前記の工程（IV）における加熱温度は、液晶組成物２２１のＣＮ点をＴ_ＣＮ、基材フィルム２０に含まれる熱可塑性樹脂のガラス転移温度をＴｇとして、好ましくはＴ_ＣＮ以上、より好ましくはＴ_ＣＮ＋５℃以上、特に好ましくはＴ_ＣＮ＋１０℃以上であり、好ましくはＴｇ−１５℃以下、より好ましくはＴｇ−１７℃以下、特に好ましくはＴｇ−２０℃以下である。ここで、「ＣＮ点」とは、結晶−ネマチック相転移温度のことをいう。加熱温度を前記範囲の下限値以上にすることにより、基材フィルム２０の面２１の配向規制力を効果的に修復できる。また、液晶組成物の層５１に含まれる液晶性化合物の配向を効果的に促進することができる。さらに、液晶組成物の層５１に含まれる溶媒を速やかに乾燥させることができる。また、上限値以下にすることにより、基材フィルム２０の熱による意図しない変形を安定して抑制できる。

工程（IV）における加熱時間は、好ましくは３０秒以上、より好ましくは６０秒以上、特に好ましくは１２０秒以上であり、好ましくは６００秒以下、より好ましくは３６０秒以下、特に好ましくは２４０秒以下である。加熱時間を前記範囲の下限値以上にすることにより、基材フィルム２０の面２１の配向規制力を十分に修復できる。また、液晶組成物の層５１に含まれる液晶性化合物の配向を十分に進行させることができる。さらに、液晶組成物の層５１に含まれる溶媒を十分に乾燥させることができる。また、上限値以下にすることにより、製造効率を高めることができる。

その後、中間フィルム５０は、オーブン２３０からエネルギー線照射装置２４０へと搬送される。エネルギー線照射装置２４０は、中間フィルム５０の液晶組成物の層５１に、紫外線等のエネルギー線を照射する工程を行う。この際の照射条件は、例えば紫外線を照射する場合には、温度が通常１５℃以上３０℃以下であり、紫外線照射強度が通常０．１ｍＷ／ｃｍ^２〜１０００ｍＷ／ｃｍ^２、好ましくは０．５ｍＷ／ｃｍ^２〜６００ｍＷ／ｃｍ^２の範囲である。エネルギー線の照射によって、液晶組成物２２１中の液晶性化合物が重合する。そのため、この工程によって、液晶組成物の層５１が硬化されて液晶樹脂層４１を得る工程（Ｖ）が行われ、基材フィルム２０と、この基材フィルム２０の面２１に設けられた液晶樹脂層４１とを備える複層フィルム４０が得られる。

こうして得られた複層フィルム４０は、その後、巻き軸２５０へと搬送される。巻き軸２５０は、複層フィルム４０をロール状に巻き取る。これにより、複層フィルム４０はロール４２の状態で回収される。

このようにして製造された複層フィルム４０の液晶樹脂層４１は、硬化液晶分子を含む。この硬化液晶分子は、基材フィルム２０の面２１が有する配向規制力に従って配向している。具体的には、硬化液晶分子は、通常、基材フィルム２０に含まれる重合体分子の配向方向と略同一方向に沿ったホモジニアスな配向規則性を有する。
ここで、基材フィルム２０に含まれる重合体分子の配向方向は、通常、当該基材フィルム２０を構成する樹脂の固有複屈折が正である場合には基材フィルム２０の面内の遅相軸方向と平行な方向となり、また、基材フィルム２０を構成する樹脂の固有複屈折が負である場合には基材フィルム２０の面内の遅相軸方向に垂直な方向となる。

また、「ホモジニアスな配向規則性を有する」とは、硬化液晶分子のメソゲンの長軸方向をフィルム面に投影して得られる線の平均方向が、フィルム面に水平なある一の方向に整列することをいう。そして、このように硬化液晶分子のメソゲンの長軸方向をフィルム面に投影して得られる線の平均方向が整列した方向が、その硬化液晶分子の配向方向である。
さらに、ある所定の方向に「沿った」ホモジニアス配向規則性とは、前記硬化液晶分子の配向方向が、前記所定の方向に略一致することをいう。例えば、前記所定の方向とは、基材フィルムの遅相軸方向である。
硬化液晶分子がホモジニアス配向規則性を有しているか否か、及びその配向方向は、ＡｘｏＳｃａｎ（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製）に代表されるような位相差計を用いた遅相軸方向の測定と、遅相軸方向における入射角毎のリタデーション分布の測定とにより確認しうる。

また、本実施形態で示す例のように、硬化液晶分子が液晶性化合物を重合させてなるものである場合、通常は、当該液晶性化合物のメソゲンの長軸方向が、硬化液晶分子のメソゲンの長軸方向となる。
さらに、液晶性化合物として逆波長分散液晶性化合物を用いた場合のように、液晶樹脂層４１中に、長軸方向の整列方向が異なる複数種類のメソゲンが存在する場合は、それらのうち最も長い種類のメソゲンの長軸方向が整列する方向が、それら複数種類のメソゲン全体の長軸方向の整列方向となる。

また、基材フィルム２０に含まれる重合体分子の配向方向と「略」同一方向に沿った配向とは、基材フィルム２０に含まれる重合体分子の配向方向と、メソゲンの長軸方向の整列方向とがなす角が、通常０°〜５°、好ましくは０°〜３°、より好ましくは０°〜１°であることをいう。

本実施形態に係る製造方法で製造された複層フィルム４０の液晶樹脂層４１は、良好な配向状態を有する。具体的には、下記の方法によって測定されるクロスニコル透過率を、低くできる。通常、配向状態は、ボトムとなる波長におけるクロスニコル透過率で評価できる。ここで、「ボトムとなる波長」とは、可視領域の波長のうち、クロスニコル透過率が最も小さくなる波長のことをいう。

〔クロスニコル透過率の測定方法〕
液晶樹脂層をガラス板に貼り付けて、２枚の直線偏光子（偏光子及び検光子）の間に置く。この際、前記の直線偏光子は、厚み方向から見て、互いの偏光透過軸が垂直になるように、向きを設定する。また、液晶樹脂層の遅相軸方向は、厚み方向から見て、直線偏光子の偏光透過軸と平行又は垂直になるように設定する。これにより、直線偏光子、液晶樹脂層、ガラス板及び直線偏光子をこの順に備えるサンプルが得られる。このサンプルを透過する光の透過率を、クロスニコル透過率として測定する。

また、本実施形態に係る製造方法で製造された複層フィルム４０の液晶樹脂層４１は、配向欠陥が少ない。ここで、図面を示して、前記の配向欠陥について説明する。図３は、マスキングフィルムを貼り合わせられていた基材フィルムの前記マスキングフィルム側の面に、従来の製造方法で製造された液晶樹脂層を、偏光顕微鏡で撮影した写真である。この図３に示すように、従来の製造方法で製造された液晶樹脂層には、線状の配向欠陥が形成されることが多かった。図３において、斜めに延びる黒色の線が、この配向欠陥に相当する。これに対し、本実施形態で製造された液晶樹脂層４１は、前記のような欠陥が少なく、通常は線状の欠陥を無くすことができる。

さらに、本実施形態に係る製造方法で製造された複層フィルム４０の液晶樹脂層４１は、通常、異物の混入が少ない。仮に基材フィルム２０のマスキングフィルム３０とは反対側の面２２に液晶樹脂層を形成すると、マスキングフィルム３０によって保護されていなかった面２２にはゴミ等の異物が付着しやすい。また、仮に基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１に配向規制力を付与するために、延伸処理の代わりにラビング処理を行うと、ラビング処理によって微小な異物が発生する可能性がある。しかし、本実施形態では、マスキングフィルム３０で保護されていた基材フィルム２０の面２１は異物が付着し難く、また、延伸処理ではラビング処理のような異物の発生が無いので、液晶樹脂層４１で異物の混入を少なくできたものと考えられる。

また、本実施形態に係る製造方法で製造された複層フィルム４０の液晶樹脂層４１は、通常、輝点が少ない。ここで輝点とは、偏光顕微鏡で液晶樹脂層４１を観察したときに局所的に輝いて見える点であり、配向欠陥及び異物の他、突起及び窪みなどによって生じうる。基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側と反対側の面２２には、基材フィルム２０を巻き取ったロール１１においてマスキングフィルム３０と擦れたり重力による圧力が加えられたりして、窪み又は突起が基材フィルムに転写形成されることがある。仮に基材フィルム２０のマスキングフィルム３０とは反対側の面２２に液晶樹脂層を形成すると、前記のような面２２の窪み又は突起に起因して、液晶樹脂層に輝点が生じることがある。しかし、マスキングフィルム３０で保護されていた基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１は、このような突起及び窪みを防止できるので、この面２１に形成された液晶樹脂層４１で輝点を少なくできたものと考えられる。

液晶樹脂層４１は、面内レターデーションを有しうる。液晶樹脂層４１の面内レターデーションの範囲は、当該液晶樹脂層４１の用途に応じて適切に設定してもよく、例えば、１／４波長にしてもよい。ここで、１／４波長の面内レターデーションとは、具体的には、測定波長の１／４の値から、通常±６５ｎｍ、好ましくは±３０ｎｍ、より好ましくは±１０ｎｍの範囲、または、測定波長の３／４の値から、通常±６５ｎｍ、好ましくは±３０ｎｍ、より好ましくは±１０ｎｍの範囲にある面内レターデーションをいう。

また、液晶樹脂層４１は、逆波長分散性を有することが好ましい。即ち、液晶樹脂層４１は、短波長より長波長の透過光について高い面内レターデーションを示すことが好ましい。液晶樹脂層４１は、少なくとも可視光の帯域の一部、好ましくは全部においてそのような逆波長分散性を有することが好ましい。液晶樹脂層４１が逆波長分散性を有することにより、１／４波長板又は１／２波長板といった光学用途において、広い帯域において均一に機能を発現しうる。

また、液晶樹脂層４１は、透明性に優れることが好ましい。具体的には、液晶樹脂層４１の全光線透過率は、好ましくは８５％以上である。また、液晶樹脂層４１のヘイズは、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下である。ここで、光線透過率は、ＪＩＳ Ｋ０１１５に準拠して、分光光度計（日本分光社製、紫外可視近赤外分光光度計「Ｖ−５７０」）を用いて測定しうる。また、ヘイズは、ＪＩＳ Ｋ７３６１−１９９７に準拠して、日本電色工業社製「濁度計 ＮＤＨ−３００Ａ」を用いて、５箇所測定し、それから求めた平均値を採用しうる。

液晶樹脂層４１の厚みは、面内レターデーションなどの特性を所望の範囲とできるよう適切に調整しうる。具体的な厚みは、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１．０μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは７μｍ以下である。

液晶樹脂層４１の形状並びに長さ及び幅は、特に限定されないが、基材フィルム２０と同様の長尺のフィルム状の形状としうる。また、このようなフィルム状の液晶樹脂層４１を、必要に応じて所望の用途に適合した矩形などの形状に裁断してもよい。

［２．変更例］
上述した実施形態は、更に変更して実施しうる。
例えば、上述した実施形態のように基材フィルム２０に配向規制力を付与してからマスキングフィルム３０と貼り合わせる代わりに、基材フィルム２０をマスキングフィルム３０と貼り合わせてから当該基材フィルム２０に配向規制力を付与してもよい。

また、工程（VI）において基材フィルム２０を延伸する場合、延伸方法は、上述した実施形態のようなテンター延伸機１１０を用いた方法だけでなく、任意の延伸方法を用いうる。
さらに、基材フィルム２０の面２１に配向規制力を付与する方法は、上述した実施形態のような延伸に限定されない。例えば、基材フィルム２０の延伸の代わりに、基材フィルム２０の面２１にラビング処理を行うことによって、配向規制力を付与してもよい。

また、基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１の配向規制力が低下する工程（II）は、マスキングフィルム３０の剥離と同時でない工程で進行することがあり得る。例えば、原反フィルム１０のロール１１を長期間保存した場合、その保存環境に応じて基材フィルム２０の面２１の配向規制力の低下が生じうる。また、基材フィルム２０からマスキングフィルム３０を剥離した後、この基材フィルム２０の面２１に摩擦力が加えられた場合にも、基材フィルム２０の面２１の配向規制力の低下が生じうる。このような場合でも、工程（IV）で適切に配向規制力の修復を行うことにより、配向状態が良好で、配向欠陥の少ない液晶樹脂層を得ることができる。

さらに、基材フィルム２０の面２１に液晶組成物の層５１を形成する工程（III）において、液晶組成物の層５１の形成は、上述した実施形態のようなダイコーティング法以外の方法で行ってもよい。液晶組成物の層５１の形成方法としては、例えば、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、印刷コーティング法、グラビアコーティング法、キャップコーティング法、及びディッピング法などが挙げられる。

また、基材フィルム２０のマスキングフィルム３０側の面２１の配向規制力を修復する工程（IV）は、上述した実施形態のような基材フィルム２０の加熱以外の方法によって行ってもよい。
さらに、工程（IV）において基材フィルム２０を加熱する場合、その加熱に用いる加熱装置はオーブンに限定されず、任意の加熱装置を用いうる。

また、液晶組成物の層５１の溶媒を乾燥させる工程（VII）において、乾燥は、上述した実施形態のような加熱以外の方法で行ってもよい。乾燥方法としては、例えば、自然乾燥、減圧乾燥、減圧加熱乾燥等が挙げられる。
さらに、得られる液晶樹脂層４１の配向を良好にできる限り、工程（VII）は省略してもよい。

さらに、液晶組成物の層５１を硬化させて液晶樹脂層４１を得る工程（Ｖ）において、液晶組成物の層５１を硬化させる方法は、上述した実施形態のようなエネルギー線の照射以外の方法で行ってもよい。硬化方法としては、加熱によって液晶性化合物を重合させる熱重合法などが挙げられる。

［３．基材フィルム］
基材フィルムとしては、通常、長尺の樹脂フィルムを用いる。ここで、「長尺」とは、幅に対して、少なくとも５倍以上の長さを有する形状をいい、好ましくは１０倍若しくはそれ以上の長さを有し、具体的にはロール状に巻き取られて保管又は運搬される程度の長さを有するフィルムの形状をいう。

基材フィルムの材質としては、延伸によってその表面に配向規制力を付与しうる樹脂を用いることができ、通常は熱可塑性樹脂を用いる。樹脂の例としては、各種の重合体を含む樹脂が挙げられる。当該重合体としては、脂環式構造含有重合体、セルロースエステル、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ＵＶ透過アクリル、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、エポキシ重合体及びポリスチレン等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。これらの中でも、透明性、低吸湿性、寸法安定性及び軽量性等の観点から、脂環式構造含有重合体及びセルロースエステルが好ましく、脂環式構造含有重合体がより好ましい。

脂環式構造含有重合体は、構造単位中に脂環式構造を有する非晶性の重合体であり、主鎖中に脂環式構造を含有する重合体及び側鎖に脂環式構造を含有する重合体のいずれも用いうる。
脂環式構造としては、例えば、シクロアルカン構造、シクロアルケン構造等が挙げられるが、熱安定性等の観点からシクロアルカン構造が好ましい。
１つの脂環式構造の構造単位を構成する炭素数に特に制限はないが、通常４個以上、好ましくは５個以上、より好ましくは６個以上であり、通常３０個以下、好ましくは２０個以下、より好ましくは１５個以下である。

脂環式構造含有重合体において脂環式構造を有する構造単位の割合は、使用目的に応じて選択しうるが、通常５０重量％以上、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは９０重量％以上である。脂環式構造を有する構造単位を前記範囲にすることにより、基材フィルムの耐熱性を高めることができる。

脂環式構造含有重合体の具体例としては、（１）ノルボルネン重合体、（２）単環の環状オレフィン重合体、（３）環状共役ジエン重合体、（４）ビニル脂環式炭化水素重合体、及びこれらの水素添加物などが挙げられる。これらの中でも、透明性や成形性の観点から、ノルボルネン重合体及びこれらの水素添加物がより好ましい。

ノルボルネン重合体としては、例えば、ノルボルネンモノマーの開環重合体、ノルボルネンモノマーと開環共重合可能な任意のモノマーとの開環共重合体、及びそれらの水素添加物；ノルボルネンモノマーの付加重合体、ノルボルネンモノマーと共重合可能な任意のモノマーとの付加共重合体などが挙げられる。これらの中でも、透明性の観点から、ノルボルネンモノマーの開環重合体水素添加物が特に好ましい。
上記の脂環式構造含有重合体は、例えば特開２００２−３２１３０２号公報等に開示されている公知の重合体から選ばれうる。

脂環式構造含有重合体のガラス転移温度は、好ましくは８０℃以上、より好ましくは１００℃以上であり、好ましくは２５０℃以下である。ガラス転移温度がこのような範囲にある脂環式構造含有重合体は、高温下での使用における変形や応力が生じることがなく耐久性に優れる。

脂環式構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、通常１０，０００以上、好ましくは２５，０００以上、より好ましくは２５，０００以上であり、通常１００，０００以下、好ましくは８０，０００以下、より好ましくは５０，０００以下である。脂環式構造含有重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、溶媒としてシクロヘキサン（樹脂が溶解しない場合にはトルエン）を用いたゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」と略す。）で、ポリイソプレン換算（溶媒がトルエンのときは、ポリスチレン換算）の値として測定しうる。脂環式構造含有重合体の重量平均分子量がこのような範囲にあるときに、基材フィルムの機械的強度及び成形加工性が高度にバランスされ、好適である。

脂環式構造含有重合体の分子量分布（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ））は、好ましくは１以上、より好ましくは１．２以上であり、好ましくは１０以下、より好ましくは４以下、特に好ましくは３．５以下である。

脂環式構造含有重合体を含む樹脂は、分子量２，０００以下のオリゴマー成分の含有量が、好ましくは５重量％以下、より好ましくは３重量％以下、さらに好ましくは２重量％以下である。オリゴマー成分の量が前記範囲内にあると、表面における微細な凸部の発生が減少し、厚みむらが小さくなり、面精度を向上させられる。
オリゴマー成分の量を低減する方法としては、重合触媒及び水素化触媒の選択；重合、水素化等の反応条件；樹脂を成形用材料としてペレット化する工程における温度条件；等を適切に調整することが挙げられる。また、オリゴマー成分の量は、前述のＧＰＣによって測定しうる。

脂環式構造含有重合体を含む樹脂は、脂環式構造含有重合体のみからなってもよいが、任意の配合剤を含んでもよい。脂環式構造含有重合体を含む樹脂中の、脂環式構造含有重合体の割合は、好ましくは７０重量％以上、より好ましくは８０重量％以上である。
脂環式構造含有重合体を含む樹脂の好適な具体例としては、日本ゼオン社製「ゼオノア１４２０」を挙げうる。

セルロースエステルとしては、例えば、セルロースの低級脂肪酸エステルを用いうる。ここで低級脂肪酸は、１分子あたりの炭素原子数６以下の脂肪酸を意味する。その具体例としては、セルロースアセテート、セルロースアセテートブチレートおよびセルロースアセテートプロピオネート等が挙げられる。また、セルロースアセテートには、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）及びセルロースジアセテート（ＤＡＣ）が含まれる。これらは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

セルロースアセテートの酢化度は、好ましくは５０％以上、より好ましくは５５％以上であり、好ましくは７０％以下、特に好ましくは６５％以下である。また、セルロースアセテートの重量平均分子量は、好ましくは７００００以上、より好ましくは８００００以上であり、好ましくは１２００００以下、より好ましくは１０００００以下である。

前記セルロースアセテートは、上記酢化度を満足する範囲において、酢酸だけでなく、一部がプロピオン酸、酪酸等の脂肪酸でエステル化されていてもよい。また、セルロースエステルとしてセルロースアセテートとセルロースアセテート以外のセルロースエステル（セルロースプロピオネート及びセルロースブチレート等）とを組み合わせて用いる場合、これらのセルロースエステルの全体が、上記酢化度を満足することが好ましい。

基材フィルムとしてトリアセチルセルロースを含む樹脂のフィルムを用いる場合、かかるフィルムとしては、トリアセチルセルロースを低温溶解法あるいは高温溶解法によってジクロロメタンを実質的に含まない溶剤に溶解することで調製されたトリアセチルセルロースドープを用いて製造されたトリアセチルセルロースフィルムが、環境保全の観点から特に好ましい。トリアセチルセルロースのフィルムは、例えば、共流延法により作製しうる。共流延法は、トリアセチルセルロースの原料フレークを溶媒に溶解し、これに必要に応じて任意の添加剤を混合し溶液（ドープ）を調製し、当該ドープをドープ供給手段（ダイ）から支持体上に流延し、流延物をある程度乾燥して剛性が付与された時点でフィルムとして支持体から剥離し、当該フィルムをさらに乾燥して溶媒を除去することにより行いうる。原料フレークを溶解する溶媒の例としては、ハロゲン化炭化水素類（ジクロロメタン等）、アルコール類（メタノール、エタノール、ブタノール等）、エステル類（蟻酸メチル、酢酸メチル等）、エーテル類（ジオキサン、ジオキソラン、ジエチルエーテル等）等が挙げられる。ドープに混合する添加剤の例としては、可塑剤、紫外線吸収剤、劣化防止剤、滑り剤、剥離促進剤等が挙げられる。ドープを流延する支持体の例としては、水平式のエンドレスの金属ベルト、及び回転するドラムが挙げられる。流延に際しては、単一のドープを単層流延してもよく、複数の層を共流延してもよい。複数の層を共流延する場合、例えば、低濃度のセルロースエステルドープの層と、そのおもて面及び裏面に接して設けられた高濃度のセルロースエステルドープの層が形成されるよう、複数のドープを順次流延しうる。フィルムを乾燥して溶媒を除去する方法の例としては、フィルムを搬送して、内部を乾燥に適した条件に設定した乾燥部を通過させる方法が挙げられる。

トリアセチルセルロースのフィルムの好ましい例としては、富士写真フィルム社製「ＴＡＣ−ＴＤ８０Ｕ」、及び、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号にて公開されたものなどが挙げられる。

延伸された後の基材フィルムには、通常、延伸によって遅相軸が発現している。基材フィルムが有する遅相軸の方向は、通常、液晶樹脂層に含まれる硬化液晶分子の配向方向、及び、基材フィルムに求められる光学特性に応じて適切に設定しうる。中でも、基材フィルムは、当該基材フィルムの幅方向とは異なる方向に遅相軸を有することが好ましい。ここで、遅相軸の方向が幅方向と「異なる」とは、遅相軸の方向と幅方向とがなす角が、通常５°以上であることをいう。遅相軸の方向と幅手方向とがなす角の上限は、特に限定されないが、例えば９０°以下としうる。遅相軸の方向と幅方向とがなす角は、例えば、４５°±３°、又は、２２．５°±３°などの角度としうる。基材フィルムがこのような方向に遅相軸を有することによって、通常は、その表面に形成される液晶樹脂層に、基材フィルムの遅相軸の方向と略同一方向又はその垂直方向に沿ったホモジニアス配向規則性を付与することができる。

延伸された後の基材フィルムには、通常、延伸によって所定の範囲の複屈折Δｎが発現している。この複屈折Δｎの範囲は、好ましくは０．００００５０以上、より好ましくは０．００００７０以上であり、好ましくは０．００７５００以下、より好ましくは０．００７０００以下である。複屈折Δｎを前記範囲の下限値以上にすることにより、通常、基材フィルムの面に良好な配向規制力を付与できる。また、上限値以下にすることにより、基材フィルムを液晶樹脂層から剥離しなくても、複層フィルムを位相差フィルム板等の各種の用途に用いることができる。また、基材フィルムが複層の層を備える場合、マスキングフィルムと接する層の複屈折Δｎが、前記範囲に収まることが好ましい。

また、上述した製造方法で製造された複層フィルムを光学フィルムとして用いる場合、基材フィルムは、透明性に優れることが好ましい。具体的には、基材フィルムの全光線透過率は、好ましくは８５％以上である。また、基材フィルムのヘイズは、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下、特に好ましくは１％以下である。

基材フィルムの厚みは、任意である。例えば、基材フィルムが脂環式構造含有重合体を含む樹脂を含む場合、生産性の向上、薄型化及び軽量化を容易にする観点から、延伸後の基材フィルムの厚みは、通常１μｍ以上、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは３０μｍ以上であり、通常１０００μｍ以下、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下である。また、基材フィルムがトリアセチルセルロースを含む樹脂を含む場合、基材フィルムの厚みは、通常３０μｍ以上、好ましくは４０μｍ以上、より好ましくは７０μｍ以上であり、通常１５０μｍ以下、好ましくは１３０μｍ以下、より好ましくは１２０μｍ以下である。

［４．液晶組成物］
液晶組成物は、少なくとも液晶性化合物を含み、通常は更に溶媒を含む。
液晶性化合物としては、通常、工程（Ｖ）において液晶組成物の層を硬化させたとき、液晶相を呈した状態のまま固体となりうるものを用いる。中でも、重合性液晶性化合物を用いることが好ましい。

重合性液晶性化合物とは、液晶相を呈した状態で液晶組成物中で重合し、液晶相における分子の配向を維持したまま重合体となりうる液晶性化合物である。さらに、以下の説明において、液晶組成物の成分であって、重合性を有する化合物（重合性液晶性化合物及びその他の重合性を有する化合物等）を総称して、単に「重合性化合物」ということがある。

重合性液晶性化合物としては、例えば、重合性基を有する液晶性化合物、側鎖型液晶ポリマーを形成しうる化合物、円盤状液晶性化合物などが挙げられる。重合性基を有する液晶性化合物の具体例としては、特開平１１−５１３３６０号公報、特開２００２−０３００４２号公報、特開２００４−２０４１９０号公報、特開２００５−２６３７８９号公報、特開２００７−１１９４１５号公報、特開２００７−１８６４３０号公報などに記載された、重合性基を有する棒状液晶性化合物などが挙げられる。また、側鎖型液晶ポリマー化合物の具体例としては、特開２００３−１７７２４２号公報などに記載の側鎖型液晶ポリマー化合物などが挙げられる。好ましい重合性液晶性化合物の例を製品名で挙げると、ＢＡＳＦ社製「ＬＣ２４２」等が挙げられる。円盤状液晶性化合物の具体例としては、特開平８−５０２０６号公報、文献（Ｃ． Ｄｅｓｔｒａｄｅ ｅｔ ａｌ．， Ｍｏｌ． Ｃｒｙｓｒ． Ｌｉｑ． Ｃｒｙｓｔ．， ｖｏｌ． ７１， ｐａｇｅ １１１ （１９８１） ；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ． Ｋｏｈｎｅ ｅｔ ａｌ．， Ａｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ． Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍ．， ｐａｇｅ １７９４ （１９８５）；Ｊ． Ｚｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．， Ｊ． Ａｍ． Ｃｈｅｍ． Ｓｏｃ．， ｖｏｌ． １１６， ｐａｇｅ ２６５５ （１９９４））に記載されている円盤状液晶性化合物が挙げられる。

また、重合性液晶性化合物の一部又は全部として、逆波長分散重合性液晶性化合物を用いうる。逆波長分散重合性液晶性化合物とは、重合性液晶性化合物のうち、重合体とした場合に当該重合体が逆波長分散性を示すものをいう。逆波長分散重合性液晶性化合物を用いることにより、逆波長分散性を有する液晶樹脂層を容易に得ることができる。

逆波長分散重合性液晶性化合物の例としては、その分子中に主鎖メソゲンと、主鎖メソゲンに結合した側鎖メソゲンとを有する化合物が挙げられる。このような逆波長分散重合性液晶性化合物が配向した状態において、側鎖メソゲンは、主鎖メソゲンと異なる方向に配向しうる。したがって、液晶樹脂層において、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンは異なる方向に配向しうる。そのような配向により、液晶樹脂層が逆波長分散性を呈しうる。

逆波長分散重合性液晶性化合物の例としては、下記式（Ｉ）で示される化合物を挙げることができる。下記式（Ｉ）で示される化合物を、以下、適宜「化合物（Ｉ）」ということがある。

逆波長分散重合性液晶性化合物が化合物（Ｉ）である場合、通常、基−Ｙ^５−Ａ^４−Ｙ^３−Ａ^２−Ｙ^１−Ａ^１−Ｙ^２−Ａ^３−Ｙ^４−Ａ^５−Ｙ^６−が主鎖メソゲンとなり、基＞Ａ^１−Ｃ（Ｑ^１）＝Ｎ−Ｎ（Ａ^ｘ）Ａ^ｙが側鎖メソゲンとなる。また、通常、基Ａ^１は、主鎖メソゲン及び側鎖メソゲンの両方の性質に影響する。

式（Ｉ）中、Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^１−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^１−、−Ｏ−ＮＲ^１−、又は、−ＮＲ^１−Ｏ−を表す。

Ｒ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^１の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−へキシル基等が挙げられる。
Ｒ^１としては、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基が好ましい。

Ｙ^１〜Ｙ^８は、それぞれ独立して、化学的な単結合、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、又は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−であるのが好ましい。

式（Ｉ）中、Ｇ^１、Ｇ^２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を表す。炭素数１〜２０の二価の脂肪族基としては、例えば、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基；炭素数３〜２０のシクロアルカンジイル基、炭素数４〜２０のシクロアルケンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基等の二価の脂肪族基；等が挙げられる。

Ｇ^１、Ｇ^２の二価の脂肪族基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−へキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；等が挙げられる。なかでも、フッ素原子、メトキシ基、エトキシ基が好ましい。

また、前記脂肪族基には、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−、−ＮＲ^２−、又は、−Ｃ（＝Ｏ）−が介在していてもよい。ただし、−Ｏ−又は−Ｓ−がそれぞれ２以上隣接して介在する場合を除く。ここで、Ｒ^２は、前記Ｒ^１と同様の、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表し、水素原子又はメチル基であることが好ましい。
前記脂肪族基に介在する基としては、−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｃ（＝Ｏ）−が好ましい。

これらの基が介在する脂肪族基の具体例としては、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｓ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＮＲ^２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＲ^２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−ＮＲ^２−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、−ＣＨ_２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ_２−等が挙げられる。

これらの中でも、液晶樹脂層に逆波長分散性を良好に発現させる観点から、Ｇ^１、Ｇ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、炭素数２〜２０のアルケニレン基等の鎖状構造を有する二価の脂肪族基が好ましく、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基〔−（ＣＨ_２）_１０−〕等の、炭素数１〜１２のアルキレン基がより好ましく、テトラメチレン基〔−（ＣＨ_２）_４−〕、ヘキサメチレン基〔−（ＣＨ_２）_６−〕、オクタメチレン基〔−（ＣＨ_２）_８−〕、及び、デカメチレン基〔−（ＣＨ_２）_１０−〕が特に好ましい。

式（Ｉ）中、Ｚ^１、Ｚ^２は、それぞれ独立して、無置換又はハロゲン原子で置換された炭素数２〜１０のアルケニル基を表す。
該アルケニル基の炭素数としては、２〜６が好ましい。Ｚ^１及びＺ^２のアルケニル基の置換基であるハロゲン原子としては、例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、塩素原子が好ましい。

Ｚ^１及びＺ^２の炭素数２〜１０のアルケニル基の具体例としては、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ_２−、（ＣＨ_３）_２Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−等が挙げられる。

なかでも、液晶樹脂層に逆波長分散性を良好に発現させる観点から、Ｚ^１及びＺ^２としては、それぞれ独立して、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−、ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＨ_２−ＣＨ_２−が好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ−、ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−、又は、ＣＨ_２＝Ｃ（Ｃｌ）−がより好ましく、ＣＨ_２＝ＣＨ−が特に好ましい。

式（Ｉ）中、Ａ^ｘは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、「芳香環」は、Ｈｕｃｋｅｌ則に従う広義の芳香族性を有する環状構造、及び硫黄、酸素、窒素等のヘテロ原子の孤立電子対がπ電子系に関与して芳香族性を示す化合物を意味する。ここで、Ｈｕｃｋｅｌ則に従う広義の芳香族性を有する環状構造とは、π電子を（４ｎ＋２）個有する環状共役構造を意味する。また、ヘテロ原子の孤立電子対がπ電子系に関与して芳香族性を示す環状構造を有する化合物の例としては、チオフェン、フラン、ベンゾチアゾール等が挙げられる。

Ａ^ｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基は、芳香環を複数個有するものであってもよく、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環を有するものであってもよい。

前記芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環等が挙げられる。前記芳香族複素環としては、例えば、ピロール環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環等の単環の芳香族複素環；ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノリン環、フタラジン環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾピラゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、チアゾロピリジン環、オキサゾロピリジン環、チアゾロピラジン環、オキサゾロピラジン環、チアゾロピリダジン環、オキサゾロピリダジン環、チアゾロピリミジン環、オキサゾロピリミジン環等の縮合環の芳香族複素環；等が挙げられる。

Ａ^ｘが有する芳香環は、置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^５；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^５；−ＳＯ_２Ｒ^６；等が挙げられる。ここで、Ｒ^５は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、又は、炭素数３〜１２のシクロアルキル基を表し、Ｒ^６は後述するＲ^４と同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。

また、Ａ^ｘが有する芳香環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は、単環であってもよく、縮合多環であってもよく、不飽和環であってもよく、飽和環であってもよい。
なお、Ａ^ｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙにて同じである。）。

Ａ^ｘの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、芳香族炭化水素環基；芳香族複素環基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数３〜３０のアルキル基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルケニル基；芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数４〜３０のアルキニル基；等が挙げられる。

Ａ^ｘの好ましい具体例を以下に示す。但し、Ａ^ｘは以下に示すものに限定されるものではない。下記式中、「−」は環の任意の位置からのびる結合手を表す（以下にて同じである。）。
（１）芳香族炭化水素環基

（２）芳香族複素環基

上記式中、Ｅは、ＮＲ^６ａ、酸素原子又は硫黄原子を表す。ここで、Ｒ^６ａは、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。

上記式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、それぞれ独立して、ＮＲ^７、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、又は、−ＳＯ_２−を表す（ただし、酸素原子、硫黄原子、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−が、それぞれ隣接する場合を除く。）。Ｒ^７は、前記Ｒ^６ａと同様の、水素原子；又は、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基を表す。

（上記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。）
（３）芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキル基

（４）芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルケニル基

（５）芳香族炭化水素環基及び芳香族複素環基からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、アルキニル基

上記したＡ^ｘの中でも、炭素数６〜３０の芳香族炭化水素基、又は炭素数４〜３０の芳香族複素環基であることが好ましく、下記に示すいずれかの基であることがより好ましく、

下記に示すいずれかの基であることが更に好ましい。

Ａ^ｘが有する環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基、アリル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；トリフルオロメチル基等の炭素数１〜６のハロゲン化アルキル基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^８；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^８；−ＳＯ_２Ｒ^６；等が挙げられる。ここでＲ^８は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；又は、フェニル基等の炭素数６〜１４のアリール基；を表す。なかでも、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、及び炭素数１〜６のアルコキシ基が好ましい。

また、Ａ^ｘが有する環は、同一又は相異なる置換基を複数有していてもよく、隣り合った二つの置換基が一緒になって結合して環を形成していてもよい。形成される環は単環であっても、縮合多環であってもよい。
なお、Ａ^ｘの炭素数２〜３０の有機基の「炭素数」は、置換基の炭素原子を含まない有機基全体の総炭素数を意味する（後述するＡ^ｙにて同じである。）。

Ａ^ｙは、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、−Ｃ（＝Ｓ）ＮＨ−Ｒ^９又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基を表す。ここで、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素基を表す。また、Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。さらに、Ｒ^９は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、置換基を有していてもよい炭素数５〜２０の芳香族基を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、１−メチルペンチル基、１−エチルペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−へキシル基、イソヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−イコシル基等が挙げられる。置換基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基の炭素数は、好ましくは４以上であり、また、好ましくは１２以下、より好ましくは１０以下である。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数２〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、イソブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、デセニル基、ウンデセニル基、ドデセニル基、トリデセニル基、テトラデセニル基、ペンタデセニル基、ヘキサデセニル基、ヘプタデセニル基、オクタデセニル基、ノナデセニル基、イコセニル基等が挙げられる。
置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の炭素数は、２〜１２であることが好ましい。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の炭素数３〜１２のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の炭素数２〜２０のアルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロピニル基、２−プロピニル基（プロパルギル基）、ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、ペンチニル基、２−ペンチニル基、ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−オクチニル基、ノナニル基、デカニル基、７−デカニル基等が挙げられる。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基等の炭素数１〜２０のアルコキシ基；メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基等の、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等の炭素数３〜８のシクロアルキルオキシ基；テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基、ジオキソラニル基、ジオキサニル基等の炭素数２〜１２の環状エーテル基；フェノキシ基、ナフトキシ基等の炭素数６〜１４のアリールオキシ基；トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、−ＣＨ_２ＣＦ_３等の、少なくとも１個がフッ素原子で置換された炭素数１〜１２のフルオロアルコキシ基；ベンゾフリル基；ベンゾピラニル基；ベンゾジオキソリル基；ベンゾジオキサニル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^７ａ；−ＳＯ_２Ｒ^８ａ；−ＳＲ^１０；−ＳＲ^１０で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基；水酸基；等が挙げられる。ここで、Ｒ^７ａ及びＲ^１０はそれぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を表す。また、Ｒ^８ａは、前記Ｒ^４と同様の、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の置換基としては、例えば、フッ素原子、塩素原子等のハロゲン原子；シアノ基；ジメチルアミノ基等の置換アミノ基；メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜６のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；ニトロ基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基；−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^７ａ；−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^７ａ；−ＳＯ_２Ｒ^８ａ；水酸基；等が挙げられる。ここでＲ^７ａ、Ｒ^８ａは前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、及び置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基の置換基と同様な置換基が挙げられる。

Ａ^ｙの、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３で表される基において、Ｒ^３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、又は、炭素数５〜１２の芳香族炭化水素基を表す。これらの具体例は、前記Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基の例として列記したものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙの、−ＳＯ_２−Ｒ^４で表される基において、Ｒ^４は、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基、フェニル基、又は、４−メチルフェニル基を表す。
Ｒ^４の、炭素数１〜２０のアルキル基、及び炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例は、前記Ａ^ｙの、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基の例として列記したものと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｙの、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基としては、前記Ａ^ｘで例示したのと同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ａ^ｙとしては、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４、又は、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環からなる群から選ばれる少なくとも一つの芳香環を有する、炭素数２〜３０の有機基で表される基が好ましく、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^３、−ＳＯ_２−Ｒ^４で表される基が更に好ましい。ここで、Ｒ^３、Ｒ^４は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、フェニルスルホニル基、４−メチルフェニルスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０が好ましい。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。
Ａ^ｙの、置換基を有していてもよい炭素数３〜１２のシクロアルキル基、置換基を有してもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、置換基を有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基の置換基としては、フッ素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、シアノ基が好ましい。

また、Ａ^ｘとＡ^ｙは一緒になって、環を形成していてもよい。かかる環としては、置換基を有していてもよい、炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環が挙げられる。

前記炭素数４〜３０の不飽和複素環、炭素数６〜３０の不飽和炭素環としては、特に制約はなく、芳香族性を有していても有していなくてもよい。例えば、下記に示す環が挙げられる。なお、下記に示す環は、式（Ｉ）中の

として表される部分を示すものである。

（式中、Ｘ、Ｙ、Ｚは、前記と同じ意味を表す。）
また、これらの環は置換基を有していてもよい。かかる置換基としては、例えば、Ａ^ｘが有する芳香環の置換基として例示したのと同様のものが挙げられる。

Ａ^ｘとＡ^ｙに含まれるπ電子の総数は、本発明の所望の効果をより良好に発現させる観点から、好ましくは４以上、より好ましくは６以上であり、好ましくは２４以下、より好ましくは２０以下、特に好ましくは１８以下である。

Ａ^ｘとＡ^ｙの好ましい組み合わせとしては、
（α）Ａ^ｘが炭素数４〜３０の、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基であり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくはシアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせ、及び、
（β）Ａ^ｘとＡ^ｙが一緒になって不飽和複素環又は不飽和炭素環を形成しているもの、
が挙げられる。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

Ａ^ｘとＡ^ｙのより好ましい組み合わせとしては、
（γ）Ａ^ｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくはシアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０のいずれかである組み合わせである。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

（式中、Ｘ、Ｙは、前記と同じ意味を表す。）
Ａ^ｘとＡ^ｙの特に好ましい組み合わせとしては、
（δ）Ａ^ｘが下記構造を有する基のいずれかであり、Ａ^ｙが水素原子、炭素数３〜８のシクロアルキル基、（ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくは炭素数３〜８のシクロアルキル基）を置換基として有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基、（ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、若しくはシアノ基）を置換基として有していてもよい炭素数３〜９の芳香族複素環基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０のアルケニル基、置換基を有していてもよい炭素数２〜２０のアルキニル基であり、当該置換基が、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基で置換された炭素数１〜１２のアルコキシ基、フェニル基、シクロヘキシル基、炭素数２〜１２の環状エーテル基、炭素数６〜１４のアリールオキシ基、水酸基、ベンゾジオキサニル基、ベンゼンスルホニル基、ベンゾイル基、−ＳＲ^１０のいずれかである組合せである。下記式中、Ｘは前記と同じ意味を表す。ここで、Ｒ^１０は前記と同じ意味を表す。

式（Ｉ）中、Ａ^１は、置換基を有していてもよい三価の芳香族基を表す。三価の芳香族基としては、三価の炭素環式芳香族基であっても、三価の複素環式芳香族基であってもよい。液晶樹脂層の逆波長分散性をより良好に発現させる観点から、三価の炭素環式芳香族基が好ましく、三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がより好ましく、下記式に示す三価のベンゼン環基又は三価のナフタレン環基がさらに好ましい。
なお、下記式においては、結合状態をより明確にすべく、置換基Ｙ^１、Ｙ^２を便宜上記載している（Ｙ^１、Ｙ^２は、前記と同じ意味を表す。以下にて同じ。）。

これらの中でも、Ａ^１としては、下記に示す式（Ａ１１）〜（Ａ２５）で表される基がより好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ１３）、（Ａ１５）、（Ａ１９）、（Ａ２３）で表される基がさらに好ましく、式（Ａ１１）、（Ａ２３）で表される基が特に好ましい。

Ａ^１の、三価の芳香族基が有していてもよい置換基としては、例えば、前記Ａ^ｘが有する芳香環の置換基として例示したのと同様のものが挙げられる。Ａ^１としては、置換基を有さないものが好ましい。

式（Ｉ）中、Ａ^２、Ａ^３は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基を表す。
炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基、炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基等が挙げられる。

炭素数３〜３０のシクロアルカンジイル基としては、例えば、シクロプロパンジイル基；シクロブタン−１，２−ジイル基、シクロブタン−１，３−ジイル基等のシクロブタンジイル基；シクロペンタン−１，２−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基等のシクロペンタンジイル基；シクロヘキサン−１，２−ジイル基、シクロヘキサン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基等のシクロへキサンジイル基；シクロヘプタン−１，２−ジイル基、シクロヘプタン−１，３−ジイル基、シクロヘプタン−１，４−ジイル基等のシクロへプタンジイル基；シクロオクタン−１，２−ジイル基、シクロオクタン−１，３−ジイル基、シクロオクタン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロオクタンジイル基；シクロデカン−１，２−ジイル基、シクロデカン−１，３−ジイル基、シクロデカン−１，４−ジイル基、シクロデカン−１，５−ジイル基等のシクロデカンジイル基；シクロドデカン−１，２−ジイル基、シクロドデカン−１，３−ジイル基、シクロドデカン−１，４−ジイル基、シクロドデカン−１，５−ジイル基等のシクロドデカンジイル基；シクロテトラデカン−１，２−ジイル基、シクロテトラデカン−１，３−ジイル基、シクロテトラデカン−１，４−ジイル基、シクロテトラデカン−１，５−ジイル基、シクロテトラデカン−１，７−ジイル基等のシクロテトラデカンジイル基；シクロエイコサン−１，２−ジイル基、シクロエイコサン−１，１０−ジイル基等のシクロエイコサンジイル基；等が挙げられる。

炭素数１０〜３０の二価の脂環式縮合環基としては、例えば、デカリン−２，５−ジイル基、デカリン−２，７-ジイル基等のデカリンジイル基；アダマンタン−１，２−ジイル基、アダマンタン−１，３−ジイル基等のアダマンタンジイル基；ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，３−ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，５-ジイル基、ビシクロ［２．２．１］へプタン−２，６−ジイル基等のビシクロ［２．２．１］へプタンジイル基；等が挙げられる。

これらの二価の脂環式炭化水素基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、例えば、前記Ａ^ｘが有する芳香環の置換基として例示したのと同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ａ^２、Ａ^３としては、炭素数３〜１２の二価の脂環式炭化水素基が好ましく、炭素数３〜１２のシクロアルカンジイル基がより好ましく、下記式（Ａ３１）〜（Ａ３４）

で表される基がさらに好ましく、前記式（Ａ３２）で表される基が特に好ましい。
前記炭素数３〜３０の二価の脂環式炭化水素基は、Ｙ^１、Ｙ^３（又はＹ^２、Ｙ^４）と結合する炭素原子の立体配置の相違に基づく、シス型、トランス型の立体異性体が存在し得る。例えば、シクロヘキサン−１，４−ジイル基の場合には、下記に示すように、シス型の異性体（Ａ３２ａ）とトランス型の異性体（Ａ３２ｂ）が存在し得る。

本発明においては、シス型であってもトランス型であっても、あるいはシス型とトランス型の異性体混合物であってもよいが、配向性が良好であることから、トランス型あるいはシス型であるのが好ましく、トランス型がより好ましい。

式（Ｉ）中、Ａ^４、Ａ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、炭素数６〜３０の二価の芳香族基を表す。
Ａ^４、Ａ^５の芳香族基は単環のものであっても、多環のものであってもよい。
Ａ^４、Ａ^５の好ましい具体例としては、下記のものが挙げられる。

上記Ａ^４、Ａ^５の二価の芳香族基は、任意の位置に置換基を有していてもよい。当該置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシル基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、ニトロ基、−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＲ^８ｂ基；等が挙げられる。ここでＲ^８ｂは、炭素数１〜６のアルキル基である。なかでも、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、アルコキシ基が好ましい。また、ハロゲン原子としてはフッ素原子が、炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基が、アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基がより好ましい。

これらの中でも、液晶樹脂層の逆波長分散性をより良好に発現させる観点から、Ａ^４、Ａ^５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、下記式（Ａ４１）、（Ａ４２）及び（Ａ４３）で表される基がより好ましく、置換基を有していてもよい式（Ａ４１）で表される基が特に好ましい。

式（Ｉ）中、Ｑ^１は、水素原子、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基を示す。置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、前記Ａ^ｘで例示したのと同様のものが挙げられる。
これらの中でも、Ｑ^１は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、水素原子及びメチル基がより好ましい。

化合物（Ｉ）は、例えば、下記に示す反応により製造することができる。

（式中、Ｙ^１〜Ｙ^８、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^ｘ、Ａ^ｙ、Ａ^１〜Ａ^５及びＱ^１は、前記と同じ意味を表す。）
すなわち、式（３）で表されるヒドラジン化合物（ヒドラジン化合物（３））を、式（４）で表されるカルボニル化合物（カルボニル化合物（４））と、〔ヒドラジン化合物（３）：カルボニル化合物（４）〕のモル比で、１：２〜２：１、好ましくは１：１．５〜１．５：１の割合で反応させることにより、高選択的かつ高収率で目的とする化合物（Ｉ）を製造することができる。

この場合、（±）−１０−カンファースルホン酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸；塩酸、硫酸等の無機酸；等の酸触媒を用いて反応を行うことができる。反応系が酸触媒を含むことで反応時間が短縮され、収率が向上する場合がある。酸触媒の量は、カルボニル化合物（４）１モルに対して、通常０．００１モル〜１モルである。また、酸触媒はそのまま用いてもよいし、適当な溶液に溶解させた溶液として用いてもよい。

この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に限定されない。例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸エチル、酢酸プロピル、プロピオン酸メチル等のエステル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種類以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及びアルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。

溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、ヒドラジン化合物（３）１ｇに対し、通常１ｇ〜１００ｇである。

反応は、−１０℃から用いる溶媒の沸点までの温度範囲で円滑に進行する。各反応の反応時間は、反応規模にもよるが、通常、数分から数時間である。

ヒドラジン化合物（３）は、次のようにして製造することができる。

（式中、Ａ^ｘ、Ａ^ｙは前記と同じ意味を表す。Ｘ^ａは、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。）

すなわち、式（２ａ）で表される化合物とヒドラジン（１）を、適当な溶媒中、（化合物（２ａ）：ヒドラジン（１））のモル比で、１：１〜１：２０、好ましくは１：２〜１：１０で反応させて、対応するヒドラジン化合物（３ａ）を得ることができる。さらに、ヒドラジン化合物（３ａ）と式（２ｂ）で表される化合物を反応させることで、ヒドラジン化合物（３）を得ることができる。

ヒドラジン（１）としては、通常１水和物のものを用いる。ヒドラジン（１）は、市販品をそのまま使用することができる。
この反応に用いる溶媒としては、反応に不活性なものであれば特に限定されない。例えば、メチルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；及びこれらの２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
これらの中でも、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、及びアルコール系溶媒とエーテル系溶媒の混合溶媒が好ましい。

溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、ヒドラジン１ｇに対し、通常１ｇ〜１００ｇである。
反応は、−１０℃から用いる溶媒の沸点までの温度範囲で円滑に進行する。各反応の反応時間は、反応規模にもよるが、通常、数分から数時間である。

また、ヒドラジン化合物（３）は、次のように、従来公知の方法を用いて、ジアゾニウム塩（５）を還元することによって製造することもできる。

式（５）中、Ａ^ｘ、Ａ^ｙは、前記と同じ意味を表す。Ｘ^ｂ−は、ジアゾニウムに対する対イオンである陰イオンを示す。Ｘ^ｂ−としては、例えば、ヘキサフルオロリン酸イオン、ホウフッ化水素酸イオン、塩化物イオン、硫酸イオン等の無機陰イオン；ポリフルオロアルキルカルボン酸イオン、ポリフルオロアルキルスルホン酸イオン、テトラフェニルホウ酸イオン、芳香族カルボン酸イオン、芳香族スルホン酸イオン等の有機陰イオン；等が挙げられる。

上記反応に用いる還元剤としては、金属塩還元剤が挙げられる。
金属塩還元剤とは、一般に低原子価金属を含む化合物、もしくは金属イオンとヒドリド源からなる化合物である（「有機合成実験法ハンドブック」１９９０年社団法人有機合成化学協会編 丸善株式会社発行８１０ページを参照）。
金属塩還元剤としては、例えば、ＮａＡｌＨ_４、ＮａＡｌＨ_ｐ（Ｏｒ）_ｑ（ｐ、ｑはそれぞれ独立して１〜３の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である。ｒは炭素数１〜６のアルキル基を表す。）、ＬｉＡｌＨ_４、ｉＢｕ_２ＡｌＨ、ＬｉＢＨ_４、ＮａＢＨ_４、ＳｎＣｌ_２、ＣｒＣｌ_２、ＴｉＣｌ_３等が挙げられる。

還元反応においては公知の反応条件を採用することができる。例えば、特開２００５−３３６１０３号公報、新実験化学講座 １９７８年 丸善株式会社発行 １４巻、実験化学講座 １９９２年 丸善株式会社発行 ２０巻、等の文献に記載の条件で反応を行うことができる。
また、ジアゾニウム塩（５）は、アニリン等の化合物から常法により製造することができる。

カルボニル化合物（４）は、典型的には、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適宜結合又は修飾することにより製造することができる。

エーテル結合の形成は、例えば、以下のようにして行うことができる。
（ｉ）式：Ｄ１−ｈａｌ（ｈａｌはハロゲン原子を表す。以下にて同じ。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔ（Ｍｅｔはアルカリ金属（主にナトリウム）を表す。以下にて同じ。）で表される化合物とを混合して縮合させる（ウイリアムソン合成）。なお、式中、Ｄ１及びＤ２は任意の有機基を表す（以下にて同じ。）。
（ii）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（iii）式：Ｄ１−Ｊ（Ｊはエポキシ基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨで表される化合物とを水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して縮合させる。
（iv）式：Ｄ１−ＯＦＮ（ＯＦＮは不飽和結合を有する基を表す。）で表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物を、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の塩基存在下、混合して付加反応させる。
（ｖ）式：Ｄ１−ｈａｌで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＭｅｔで表される化合物とを、銅あるいは塩化第一銅存在下、混合して縮合させる（ウルマン縮合）。

エステル結合及びアミド結合の形成は、例えば、以下のようにして行うことができる。
（vi）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、脱水縮合剤（Ｎ，Ｎ−ジシクロヘキシルカルボジイミド等）の存在下に脱水縮合させる。
（vii）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物にハロゲン化剤を作用させることにより、式：Ｄ１−ＣＯ−ｈａｌで表される化合物を得、このものと式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、塩基の存在下に反応させる。
（viii）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物に酸無水物を作用させることにより、混合酸無水物を得た後、このものに、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物を反応させる。
（ix）式：Ｄ１−ＣＯＯＨで表される化合物と、式：Ｄ２−ＯＨ又はＤ２−ＮＨ_２で表される化合物とを、酸触媒あるいは塩基触媒の存在下に脱水縮合させる。

カルボニル化合物（４）は、より具体的には、下記反応式に示す方法により製造することができる。

（式中、Ｙ^１〜Ｙ^８、Ｇ^１、Ｇ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ａ^１〜Ａ^５、及びＱ^１は、前記と同じ意味を表す。Ｌ^１、Ｌ^２は、水酸基、ハロゲン原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基等の脱離基を表す。−Ｙ^１ａは、−Ｌ^１と反応して、−Ｙ^１−となる基を表し、−Ｙ^２ａは、−Ｌ^２と反応して、−Ｙ^２−となる基を表す。）

すなわち、従来公知の、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、又は、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）の形成反応を用いることにより、式（６ｄ）で表される化合物に、式（７ａ）で表される化合物、次いで、式（７ｂ）で表される化合物を反応させて、カルボニル化合物（４）を製造することができる。

より具体的に、Ｙ^１が、Ｙ^１１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−で表される基であり、式：Ｚ^２−Ｙ^８−Ｇ^２−Ｙ^６−Ａ^５−Ｙ^４−Ａ^３−Ｙ^２−で表される基が、式：Ｚ^１−Ｙ^７−Ｇ^１−Ｙ^５−Ａ^４−Ｙ^３−Ａ^２−Ｙ^１−で表される基と同一である、化合物（４’）の製造方法の一例を以下に示す。

（式中、Ｙ^３、Ｙ^５、Ｙ^７、Ｇ^１、Ｚ^１、Ａ^１、Ａ^２、Ａ^４、Ｑ^１、及びＬ^１は前記と同じ意味を表す。Ｙ^１１は、Ｙ^１１−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−がＹ^１となる基を表す。Ｙ^１は前記と同じ意味を表す。）

上記反応においては、式（６）で表されるジヒドロキシ化合物（化合物（６））と式（７）で表される化合物（化合物（７））とを、（化合物（６）：化合物（７））のモル比で、１：２〜１：４、好ましくは１：２〜１：３の割合で反応させることにより、高選択的かつ高収率で目的とする化合物（４’）を得ることができる。

化合物（７）が、式（７）中、Ｌ^１が水酸基の化合物（カルボン酸）である場合には、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩、ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水縮合剤の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。
脱水縮合剤の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。

また、化合物（７）が、式（７）中、Ｌ^１が水酸基の化合物（カルボン酸）である場合には、メタンスルホニルクロリド、ｐ−トルエンスルホニルクロリド等のスルホニルハライド、及びトリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基の存在下に反応させることによっても、目的物を得ることができる。

スルホニルハライドの使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。
塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１〜３モルである。
この場合、前記式（７）中、Ｌ^１がスルホニルオキシ基の化合物（混合酸無水物）を単離して次の反応を行ってもよい。

さらに、化合物（７）が、式（７）中、Ｌ^１がハロゲン原子の化合物（酸ハライド）である場合には、塩基の存在下に反応させることにより、目的物を得ることができる。
用いる塩基としては、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基；水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム等の無機塩基が挙げられる。
塩基の使用量は、化合物（７）１モルに対し、通常１モル〜３モルである。

上記反応に用いる溶媒としては、例えば、クロロホルム、塩化メチレン等の塩素系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド等のアミド系溶媒；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン等のエーテル類；ジメチルスルホキシド、スルホラン等の含硫黄系溶媒；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン等の脂肪族炭化水素系溶媒；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素系溶媒；及びこれらの溶媒の２種以上からなる混合溶媒；等が挙げられる。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、ヒドロキシ化合物（６）１ｇに対し、通常１ｇ〜５０ｇである。

化合物（６）の多くは公知物質であり、公知の方法により製造することができる。
例えば、下記反応式に示す方法により製造することができる（国際公開第２００９／０４２５４４号、及び、Ｔｈｅ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２０１１，７６，８０８２−８０８７等参照。）。化合物（６）として市販されているものを、所望により精製して用いることもできる。

（式中、Ａ^１、Ｑ^１は前記と同じ意味を表し、Ａ^１ａは、ホルミル化又はアシル化されることによりＡ^１になる２価の芳香族基を表し、Ｒ’は、メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基、メトキシメチル基等の炭素数２〜６のアルコキシアルキル基等の水酸基の保護基を表す。）
すなわち、式（６ａ）で表されるジヒドロキシ化合物（１，４−ジヒドロキシベンゼン、１，４−ジヒドロキシナフタレン等）の水酸基をアルキル化して、式（６ｂ）で表される化合物を得た後、ＯＲ’基のオルト位を、公知の方法により、ホルミル化又はアシル化することにより、式（６ｃ）で表される化合物を得、このものを脱保護（脱アルキル化）することにより、目的とする化合物（６）を得ることができる。
また、化合物（６）として、市販されているものをそのまま、又は所望により精製して用いることもできる。

化合物（７）の多くは公知化合物であり、エーテル結合（−Ｏ−）、エステル結合（−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−）、カーボネート結合（−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）及びアミド結合（−Ｃ（＝Ｏ）−ＮＨ−、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−）の形成反応を任意に組み合わせて、所望の構造を有する複数の公知化合物を適宜結合又は修飾することにより製造することができる。

例えば、化合物（７）が、下記式（７’）で表される化合物（化合物（７’））である場合には、式（９’）で表されるジカルボン酸（化合物（９’））を用いて、下記のようにして製造することができる。

（式中、Ｙ^５、Ｙ^７、Ｇ^１、Ｚ^１、Ａ^２、Ａ^４、Ｙ^１１は、前記と同じ意味を表す。Ｙ^１２は、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｙ^１２がＹ^３となる基を表す。Ｒは、メチル基、エチル基等のアルキル基；フェニル基、ｐ−メチルフェニル基等の置換基を有していてもよいアリール基；を表す。）
先ず、化合物（９’）に、式（１０）で表されるスルホニルクロライドを、トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基存在下で反応させる。
次いで、反応混合物に、化合物（８）と、トリエチルアミン、４−（ジメチルアミノ）ピリジン等の塩基を加えて反応を行う。
スルホニルクロライドの使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．７当量である。
化合物（８）の使用量は、化合物（９’）１当量に対して、通常０．５当量〜０．６当量である。
塩基の使用量は、化合物（３）１当量に対して、通常０．５当量〜０．７当量である。
反応温度は、２０℃〜３０℃であり、反応時間は反応規模等にもよるが、数分から数時間である。

上記反応に用いる溶媒としては、前記化合物（４’）を製造する際に用いることができる溶媒として例示したものが挙げられる。なかでも、エーテル類が好ましい。
溶媒の使用量は、特に限定されず、用いる化合物の種類や反応規模等を考慮して適宜定めることができるが、化合物（９’）１ｇに対し、通常１ｇ〜５０ｇである。

いずれの反応においても、反応終了後は、有機合成化学における通常の後処理操作を行い、所望により、カラムクロマトグラフィー、再結晶法、蒸留法等の公知の分離又は精製手段を施すことにより、目的物を単離することができる。

目的とする化合物の構造は、ＮＭＲスペクトル、ＩＲスペクトル、マススペクトル等の測定、元素分析等により、同定することができる。

上述した液晶性化合物は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

液晶組成物が含む溶媒としては、通常、有機溶媒を用いる。有機溶媒の例としては、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類；酢酸ブチル、酢酸アミル等の酢酸エステル類；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素類；１，４−ジオキサン、シクロペンチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，３−ジオキソラン、１，２−ジメトキシエタン等のエーテル類；及びトルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素が挙げられる。溶媒の沸点は、取り扱い性に優れる観点から、６０℃〜２５０℃が好ましく、６０℃〜１５０℃がより好ましい。また、溶媒は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。
液晶組成物において、溶媒の量は、重合性化合物１００重量部に対し、通常１００重量部〜１０００重量部である。

液晶組成物は、任意の成分として、重合性モノマーを含みうる。「重合性モノマー」とは、重合能を有しモノマーとして働きうる化合物のうち、特に、重合性液晶性化合物以外の化合物をいう。重合性モノマーとしては、例えば、１分子当たり１以上の重合性基を有するものを用いうる。そのような重合性基を有することにより、液晶樹脂層の形成に際し重合を達成することができる。重合性モノマーが１分子当たり２以上の重合性基を有する架橋性モノマーである場合、架橋的な重合を達成することができる。かかる重合性基の例としては、化合物（Ｉ）中の基Ｚ^１−Ｙ^７−及びＺ^２−Ｙ^８−と同様の基を挙げることができ、より具体的には例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びエポキシ基を挙げることができる。また、重合性モノマーは、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

重合性モノマーは、非液晶性の化合物である。ここで、「非液晶性」であるとは、当該重合性モノマーそのものを、室温から２００℃のいずれの温度に置いた場合にも、配向処理をした基材フィルム上で配向を示さないことをいう。配向を示すかどうかは、偏光顕微鏡のクロスニコル透過観察にてラビング方向を面相で回転させた場合に、明暗のコントラストがあるかどうかで判断しうる。

液晶組成物において、重合性モノマーの量は、液晶性化合物１００重量部に対し、通常１重量部以上、好ましくは５重量部以上であり、通常１００重量部以下、好ましくは５０重量部以下である。重合性モノマーの量を前記の範囲に収めることにより、液晶樹脂層の光学特性の精密な制御が容易となる。
重合性モノマーは、既知の製造方法により製造することができる。または、化合物（Ｉ）と類似の構造を持つものについては、化合物（Ｉ）の製造方法に準じて製造することができる。

液晶組成物は、任意の成分として、重合開始剤を含みうる。重合開始剤としては、液晶組成物中の重合性化合物が有する重合性基の種類に応じて適宜選択しうる。例えば、重合性基がラジカル重合性の基であればラジカル重合開始剤を、アニオン重合性の基であればアニオン重合開始剤を、カチオン重合性の基であればカチオン重合開始剤を、それぞれ使用しうる。また、重合開始剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

ラジカル重合開始剤としては、例えば、加熱することにより、重合性化合物の重合を開始しえる活性種を発生しうる化合物である、熱ラジカル発生剤；及び、可視光線、紫外線（ｉ線など）、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の露光光の露光により、重合性化合物の重合を開始しえる活性種を発生しうる化合物である、光ラジカル発生剤；のいずれも使用可能である。中でも、光ラジカル発生剤を使用するのが好適である。

光ラジカル発生剤としては、例えば、アセトフェノン系化合物、ビイミダゾール系化合物、トリアジン系化合物、Ｏ−アシルオキシム系化合物、オニウム塩系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、α−ジケトン系化合物、多核キノン系化合物、キサントン系化合物、ジアゾ系化合物、イミドスルホナート系化合物等を挙げることができる。これらの化合物は、露光によって活性ラジカルまたは活性酸、あるいは活性ラジカルと活性酸の両方を発生しうる成分である。

アセトフェノン系化合物の具体例としては、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、２−メチル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）ブタン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシル・フェニルケトン、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１，２−オクタンジオン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−４’−モルフォリノブチロフェノン等を挙げることができる。

ビイミダゾール系化合物の具体例としては、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラキス（４−エトキシカルボニルフェニル）−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２−ブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４−ジブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、２，２’−ビス（２，４，６−トリブロモフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール等を挙げることができる。

光重合開始剤としてビイミダゾール系化合物を用いる場合、ビイミダゾール系化合物と水素供与体とを組み合わせて用いることが、感度をさらに改良することができる点で好ましい。「水素供与体」とは、露光によりビイミダゾール系化合物から発生したラジカルに対して、水素原子を供与することができる化合物を意味する。水素供与体としては、下記で例示するメルカプタン系化合物、アミン系化合物等が好ましい。また、これらの水素供与体は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

メルカプタン系化合物としては、例えば、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、２，５−ジメルカプト−１，３，４−チアジアゾール、２−メルカプト−２，５−ジメチルアミノピリジン等を挙げることができる。
アミン系化合物としては、例えば、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４−ジエチルアミノアセトフェノン、４−ジメチルアミノプロピオフェノン、エチル−４−ジメチルアミノベンゾエート、４−ジメチルアミノ安息香酸、４−ジメチルアミノベンゾニトリル等を挙げることができる。

トリアジン系化合物の具体例としては、２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−メチル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（フラン−２−イル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−〔２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−エトキシスチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−ｎ−ブトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等のハロメチル基を有するトリアジン系化合物を挙げることができる。

Ｏ−アシルオキシム系化合物の具体例としては、１−〔４−（フェニルチオ）フェニル〕−ヘプタン−１，２−ジオン ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−〔４−（フェニルチオ）フェニル〕−オクタン−１，２−ジオン ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−〔４−（ベンゾイル）フェニル〕−オクタン−１，２−ジオン ２−（Ｏ−ベンゾイルオキシム）、１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−エタノン １−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−［９−エチル−６−（３−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−エタノン １−（Ｏ−アセチルオキシム）、１−（９−エチル−６−ベンゾイル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−エタノン １−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）ベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−［９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−４−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロフラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン，１−［９−エチル−６−（２−メチルベンゾイル）−９Ｈ−カルバゾール−３−イル］−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−（２−メチル−５−テトラヒドロピラニルメトキシベンゾイル）−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）、エタノン−１−〔９−エチル−６−｛２−メチル−４−（２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラニル）メトキシベンゾイル｝−９．Ｈ．−カルバゾール−３−イル〕−１−（Ｏ−アセチルオキシム）等を挙げることができる。

光ラジカル発生剤としては、市販品をそのまま用いることもできる。具体例としては、ＢＡＳＦ社製の「Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ１８４」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ３６９」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ６５１」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ８１９」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ９０７」、「Ｉｒｇａｃｕｒｅ３７９」及び「Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＯＸＥ０２」；並びに、ＡＤＥＫＡ社製の「アデカオプトマーＮ１９１９」等が挙げられる。

アニオン重合開始剤としては、例えば、アルキルリチウム化合物；ビフェニル、ナフタレン、ピレン等の、モノリチウム塩又はモノナトリウム塩；ジリチウム塩及びトリリチウム塩等の多官能性開始剤；等が挙げられる。

カチオン重合開始剤としては、例えば、硫酸、リン酸、過塩素酸、トリフルオロメタンスルホン酸等のプロトン酸；三フッ化ホウ素、塩化アルミニウム、四塩化チタン、四塩化スズのようなルイス酸；芳香族オニウム塩又は芳香族オニウム塩と、還元剤との併用系；などが挙げられる。

液晶組成物において、重合開始剤の量は、重合性化合物１００重量部に対し、通常０．１重量部以上、好ましくは０．５重量部以上であり、通常３０重量部以下、好ましくは１０重量部以下である。

液晶組成物は、任意の成分として、界面活性剤を含みうる。界面活性剤により、液晶組成物の表面張力を調整できる。界面活性剤としては、ノニオン系界面活性剤が好ましく、例えば、分子量が数千程度のオリゴマーであるノニオン系界面活性剤が好ましい。ノニオン系界面活性剤としては、市販品を用いてもよく、例えば、セイミケミカル社製「ＫＨ−４０」等が挙げられる。また、界面活性剤は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

液晶組成物において、界面活性剤の量は、重合性化合物１００重量部に対し、通常０．０１重量部以上、好ましくは０．１重量部以上であり、通常１０重量部以下、好ましくは２重量部以下である。

さらに、液晶組成物は、任意の成分として、例えば、金属；金属錯体；染料及び顔料等の着色剤；蛍光材料；燐光材料；レベリング剤；チキソ剤；ゲル化剤；多糖類；紫外線吸収剤；赤外線吸収剤；抗酸化剤；イオン交換樹脂；酸化チタン等の金属酸化物；等の配合剤を含みうる。液晶組成物において、このような任意の配合剤の量は、重合性化合物１００重量部に対し、通常、各々０．１重量部〜２０重量部である。

液晶組成物は、例えば、上述した成分を混合することにより、製造できる。

［５．マスキングフィルム］
マスキングフィルムとしては、基材フィルムに着脱可能に貼り合わせうるフィルムを用いうる。このようなマスキングフィルムとしては、通常、樹脂フィルムを用いる。特に、マスキングフィルムは、透明性、機械的強度、熱安定性及び水分遮蔽性に優れる樹脂により形成することが好ましい。このような樹脂としては、例えば、トリアセチルセルロース等の酢酸セルロース系樹脂；ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂；ポリエーテルスルホン樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリアミド樹脂；ポリイミド樹脂；鎖状ポリオレフィン樹脂；ノルボルネン系の脂環式オレフィン樹脂；アクリル樹脂；メタクリル樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、１種類を単独で用いてもよく、２種類以上を任意の比率で組み合わせて用いてもよい。

マスキングフィルムの厚みは任意であるが、通常５μｍ以上であり、通常５００μｍ以下、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下である。

マスキングフィルムとしては、市販品を用いてもよい。市販のマスキングフィルムの例としては、トレテガー社製の「ＦＦ１０２５」「ＦＦ１０３５」；サンエー化研社製の「ＳＡＴ１１６Ｔ」、「ＳＡＴ２０３８Ｔ−ＪＳＬ」及び「ＳＡＴ４５３８Ｔ−ＪＳＬ」；藤森工業社製の「ＮＢＯ−０４２４」、「ＴＦＢ−Ｋ００１」、「ＴＦＢ−Ｋ０４２１」及び「ＴＦＢ−Ｋ２０２」；日立化成社製の「ＤＴ−２２００−２５」及び「Ｋ−６０４０」；寺岡製作所社製の「６０１０＃７５」、「６０１０＃１００」、「６０１１＃７５」及び「６０９３＃７５」；などが挙げられる。

［６．位相差フィルム］
本発明の製造方法で製造された複層フィルムの液晶樹脂層は、位相差フィルムなどの光学用途に用いることができ、特に、１／４波長板、１／２波長板等の波長板として用いうる。中でも、液晶樹脂層を備える位相差フィルムにおいては、液晶樹脂層は、１／４波長板として機能させるために、１／４波長の面内レターデーションを有することが好ましい。

液晶樹脂層を備える位相差フィルムは、本発明の製造方法で製造された複層フィルムの液晶樹脂層のみを備えていてもよい。このような位相差フィルムは、例えば、本発明の製造方法で製造された複層フィルムの基材フィルムを液晶樹脂層から剥離する工程を経て得られる。一般に、液晶樹脂層は、延伸フィルムからなる位相差フィルムよりも厚みを薄くできる。そのため、液晶樹脂層を位相差フィルムとして用いることにより、厚みの薄い位相差フィルムを実現できる。

また、液晶樹脂層から基材フィルムを剥離せず、本発明の製造方法で製造された複層フィルムをそのまま、複層フィルムからなる位相差フィルムとして用いてもよい。これにより、液晶樹脂層の面内レターデーションと基材フィルムの面内レターデーションとを組み合わせて、多様な面内レターデーションを有する位相差フィルムを実現できる。
さらに、基材フィルムは、当該基材フィルムを形成する材質を適切に選択することにより、延伸により付与された高い配向規制力を有しながら光学異方性が小さいものとしうる。そのため、この場合には、複層フィルムに、液晶樹脂層のみからなる位相差フィルムと同様の面内レターデーションを発現させることも可能である。

また、液晶樹脂層を備える位相差フィルムは、液晶樹脂層及び基材フィルム以外の任意の層を備えていてもよい。任意の層の例としては、他の部材と接着するための接着層、フィルムの滑り性を良くするマット層、耐衝撃性ポリメタクリレート樹脂層などのハードコート層、反射防止層、防汚層等が挙げられる。

［７．円偏光板］
本発明の円偏光板は、前記の位相差フィルムを備える。通常、本発明の円偏光板は、位相差フィルムに加えて、直線偏光子を備えうる。

直線偏光子としては、液晶表示装置等の装置に用いられている公知の偏光子を用いうる。直線偏光子の例としては、ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させた後、ホウ酸浴中で一軸延伸することによって得られるもの、及びポリビニルアルコールフィルムにヨウ素又は二色性染料を吸着させ延伸しさらに分子鎖中のポリビニルアルコール単位の一部をポリビニレン単位に変性することによって得られるものが挙げられる。直線偏光子の他の例としては、グリッド偏光子、多層偏光子、コレステリック液晶偏光子などの偏光を反射光と透過光に分離する機能を有する偏光子が挙げられる。これらのうちポリビニルアルコールを含有する偏光子が好ましい。

通常、直線偏光子に自然光を入射させると、一方の偏光だけが透過する。直線偏光子の偏光度は、特に限定されないが、好ましくは９８％以上、より好ましくは９９％以上である。偏光子の平均厚みは好ましくは５μｍ〜８０μｍである。

円偏光板において、位相差フィルムは、通常、１／４波長の面内レターデーションを有する。また、円偏光板において、位相差フィルムの遅相軸と直線偏光子の偏光透過軸とがなす角は、４５°またはそれに近い角度が好ましく、具体的には４０°〜５０°であることが好ましい。これにより、液晶表示装置の構成要素などの用途に有用に用いうる円偏光板を実現できる。

また、円偏光板は、上述した位相差フィルムが備えうるものと同様の、任意の層を有していてもよい。

このような円偏光板は、位相差フィルムと直線偏光子とを貼り合わせることにより製造しうる。ここで、上述した実施形態のように長尺の基材フィルムを用いて複層フィルムを製造した場合、位相差フィルムは長尺のフィルムとして製造しうる。また、このような長尺の位相差フィルムを、長尺の直線偏光子とロールトゥロール法にて貼り合わせることにより、長尺の円偏光板を製造可能である。ロールトゥロール法の利用が可能であるので、本発明の円偏光板は、製造効率に優れる。

前記の円偏光板の用途の一つとして、有機ＥＬ素子を有する表示装置の反射防止フィルムとしての用途が挙げられる。即ち、表示装置の表面に、円偏光板を、直線偏光子側の面が視認側に向くように設けることにより、装置外部から入射した光が装置内で反射して装置外部へ出射することを抑制することができ、その結果、表示装置の表示面のぎらつきなどを抑制しうる。具体的には、装置外部から入射した光は、その一部の直線偏光のみが直線偏光子を通過し、次にそれが位相差フィルムを通過することにより円偏光となる。円偏光は、表示装置内の光を反射する構成要素（有機ＥＬ素子中の反射電極等）により反射され、再び位相差フィルムを通過することにより、入射した直線偏光の偏光軸と直交する方向に偏光軸を有する直線偏光となり、直線偏光子を通過しなくなる。これにより、反射防止の機能が達成される。

［８．有機ＥＬ表示装置］
本発明の位相差フィルム及び本発明の円偏光板は、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置等の表示装置の構成要素として用いうる。特に、好ましい態様として、本発明の有機ＥＬ表示装置は、前記本発明の円偏光板を備える。具体的には、本発明の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を有する表示装置において、上で説明した通り、反射防止フィルムとして本発明の円偏光板を備えうる。

以下、実施例を示して本発明について具体的に説明するが、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものではなく、本発明の特許請求の範囲及びその均等の範囲を逸脱しない範囲において任意に変更して実施してもよい。
以下の説明において、量を表す「％」及び「部」は、別に断らない限り重量基準である。また、以下に説明する操作は、別に断らない限り、常温及び常圧の条件において行った。

［評価方法］
〔面内レターデーション及び遅相軸方向の測定方法〕
フィルム及び層の面内レターデーション及び遅相軸方向は、ＡｘｏＳｃａｎ（Ａｘｏｍｅｔｒｉｃｓ社製）を用いて、測定波長５５０ｎｍで測定した。

〔配向状態の評価方法〕
液晶樹脂層をガラス板に転写したサンプルを作製し、２枚の直線偏光子（偏光子及び検光子）の間に置いた。この際、前記の直線偏光子は、厚み方向から見て、互いの偏光透過軸が垂直になるように、向きを設定した。また、液晶樹脂層の遅相軸方向は、厚み方向から見て、直線偏光子の偏光透過軸と平行又は垂直になるように設定し、このサンプルを透過する光の透過率（クロスニコル透過率）を、日本分光社製の分光光度計「Ｖ７２００」及び自動偏光フィルム測定装置「ＶＡＰ−７０７０Ｓ」を用いて測定し、下記の基準で評価した。
優：ボトムとなる波長におけるクロスニコル透過率が０．０１０％以下。
良：ボトムとなる波長におけるクロスニコル透過率が０．０１０％超０．０２０％以下。
可：ボトムとなる波長におけるクロスニコル透過率が０．０２０％超０．０３０％以下。
不可：ボトムとなる波長におけるクロスニコル透過率が０．０３０％超。

〔配向欠陥の評価方法〕
液晶樹脂層を、偏光顕微鏡を用いて観察し、液晶樹脂層における線欠陥の有無によって下記の基準で評価した。ここで線欠陥とは、図３に示すように、線状に延びる配向欠陥のことをいう。
良：線欠陥無し。
不良：線欠陥有り。

〔シワの評価方法〕
液晶樹脂層を目視で観察して、シワの有無を評価した。
良：シワ無し。
不良：シワ有り。

〔輝点、異物及び面状態の評価方法〕
液晶樹脂層を、偏光顕微鏡を用いて観察し、液晶樹脂層における輝点及び異物の有無並びに面状態を目視で評価した。ここで、下記の評価において「シボ」とは、マスキングフィルムの基材フィルムとは反対側の面の突起又は窪みが、基材フィルムを介して液晶樹脂層に転写されることで形成される、突起又は窪みのことを言う。
良：１平方メートル当り、輝点及び異物が５個以下であり、シボが無い。
不良：１平方メートル当り、輝点及び異物が６個以上であるか、又は、シボが有る。

〔マスキングフィルムの剥離力の測定方法〕
原反フィルムのロールから、原反フィルムを引き出した。引き出した原反フィルムを２０ｍｍ×１００ｍｍの短冊状に切り出して、サンプルを用意した。このサンプルの基材フィルムとマスキングフィルムとの間の剥離力を、引っ張り試験機（島津製作所社製「オートグラフィー」）を用いて、剥離速度０．３ｍｍ／ｍｉｎ、剥離角度１８０°の条件で測定した。この時の測定条件は、ＪＩＳ Ｚ−０２３７に準拠して設定した。

［製造例１．基材フィルムＡの製造］
熱可塑性ノルボルネン樹脂のペレット（日本ゼオン社製「ＺＥＯＮＯＲ１４２０Ｒ」、ガラス転移温度１３７℃）を、９０℃で５時間乾燥させた。乾燥させたペレットを押し出し機に供給し、押し出し機内で溶融させた。溶融した樹脂を、ポリマーパイプ及びポリマーフィルターを通し、Ｔダイからキャスティングドラム上にシート状に押し出し、冷却して、長尺の透明な基材フィルムＡを得た。この基材フィルムＡを、保護フィルム（トレテガー社製「ＦＦ１０２５」）で保護しながら巻取り、ロールＡ１を得た。ロールＡ１に巻き取られたフィルムは、基材フィルムＡ及び保護フィルムを備えるフィルムであり、基材フィルムＡの厚みは８０μｍ、幅は１４９０ｍｍであった。

［製造例２．基材フィルムＢの製造］
Ｔダイを変更したこと以外は製造例１と同様にして、ロールＢ１を得た。ロールＢ１に巻き取られたフィルムは、基材フィルムＢ及び保護フィルムを備えるフィルムであり、基材フィルムＢの厚みは５０μｍ、幅は６７５ｍｍであった。

［製造例３．基材フィルムＣの製造］
熱可塑性ノルボルネン樹脂のペレットの種類を、日本ゼオン社製の別の樹脂（ガラス転移温度１２６℃）に変更したこと以外は製造例１と同様にして、ロールＣ１を得た。ロールＣ１に巻き取られたフィルムは、基材フィルムＣ及び保護フィルムを備えるフィルムであり、基材フィルムＣの厚みは８０μｍ、幅は１４９０ｍｍであった。

［製造例４］
重合性液晶性化合物（ＢＡＳＦ社製「ＬＣ２４２」）２８．９８重量部、界面活性剤（ネオス社製「フタージェントＦＴＸ−２０９Ｆ」）０．１４重量部、重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９」）０．７３重量部、及び、溶媒（メチルエチルケトン）５５．６５重量部を混合し、液晶組成物αを調製した。前記の重合性液晶性化合物の構造は、下記式の通りである。

［製造例５］
逆波長分散重合性液晶性化合物２１．２５部、界面活性剤（ＡＧＣセイミケミカル社製「サーフロンＳ４２０」）０．１１部、重合開始剤（ＢＡＳＦ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ３７９」）０．６４部、及び溶媒（シクロペンタノン、日本ゼオン社製）７８．００部を混合し、液晶組成物βを調製した。前記の逆波長分散重合性液晶性化合物の構造は、下記式の通りである。

［実施例１］
以下に説明する実施例１では、フィルムを長手方向に連続的に搬送しながら、各工程の処理を行った。

製造例１で製造したロールＡ１からフィルムを引き出し、保護フィルムを剥離しながら基材フィルムＡをテンター延伸機に供給した。テンター延伸機により、基材フィルムＡの幅方向に対して４５°の角度をなす方向に遅相軸が発現するように、基材フィルムＡに斜め延伸を行った（工程（VI））。この延伸により、基材フィルムＡに含まれる重合体分子は基材フィルムＡの遅相軸方向と平行に配向し、基材フィルムＡの面に、配向規制力が付与された。
延伸された基材フィルムＡに、当該基材フィルムＡの幅方向の両端を切り取るトリミング処理を行った。その後、トリミング処理を施された基材フィルムＡの片面にマスキングフィルム（トレテガー社製「ＦＦ１０２５」）を貼り合わせて、長尺の原反フィルムを得た。この原反フィルムを、巻き張力１００Ｎで巻き取って、幅１３５０ｍｍの原反フィルムのロールＡ２を得た。
ロールＡ２に巻き取られた原反フィルムの基材フィルムＡの面内レターデーションＲｅは７０ｎｍ、厚みは７５μｍであった。
また、得られた原反フィルムのロールＡ２から一部を引き出し、基材フィルムＡとマスキングフィルムとの間の剥離力を測定したところ、１．２Ｎ／２５ｍｍであった。

ロールＡ２から原反フィルムを引き出し、マスキングフィルムを剥離しながら基材フィルムＡをダイコーターへ向けて搬送した（工程（Ｉ）及び工程（II））。
その後、ダイコーターを用いて、基材フィルムＡのマスキングフィルムと貼り合わせられていた面に、製造例４で製造した液晶組成物αを室温２５℃にて塗布して、液晶組成物αの層を形成した（工程（III））。

その後、１１０℃で２．５分間加熱することにより、基材フィルムＡのマスキングフィルムと貼り合わせられていた面の配向規制力を修復すると同時に、液晶組成物αの層に含まれる液晶性化合物を配向させる工程（IV）を行った。また、この工程においては、液晶組成物αの層に含まれている溶媒を乾燥させる工程も行われた。

その後、液晶組成物αの層に、窒素雰囲気下で１００ｍＪ／ｃｍ^２以上の紫外線を照射して、この液晶組成物αの層を硬化させた（工程（Ｖ））。これにより、乾燥膜厚１．１μｍの液晶樹脂層を基材フィルムＡ上に備える複層フィルムを得た。前記の液晶樹脂層では、硬化液晶分子が、基材フィルムＡに含まれる重合体分子の配向方向に沿ったホモジニアス配向規則性を有していた。
こうして得た複層フィルムから液晶樹脂層を剥がし、剥がした液晶樹脂層を前述の方法で評価した。

［実施例２］
原反フィルムを巻き取る際の巻き張力を４０Ｎに変更した。実施例２において、基材フィルムＡとマスキングフィルムとの間の剥離力は、０．２４Ｎ／２５ｍｍであった。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、複層フィルムの製造と、当該複層フィルムが備える液晶樹脂層の評価を行った。

［実施例３］
ロールＡ１の代わりに、製造例３で製造したロールＣ１を用いた。これにより、基材フィルムＡの代わりに基材フィルムＣを用いることになった。
また、原反フィルムを巻き取る際の巻き張力を２５０Ｎに変更した。実施例３において、基材フィルムＣとマスキングフィルムとの間の剥離力は、４．７Ｎ／２５ｍｍであった。
さらに、工程（III）において液晶組成物αの塗布量を変更することにより、工程（Ｖ）の後で得られる液晶樹脂層の乾燥厚みを０．９μｍにした。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、複層フィルムの製造と、当該複層フィルムが備える液晶樹脂層の評価を行った。

［実施例４］
ロールＡ１の代わりに、製造例２で製造したロールＢ１を用いた。これにより、基材フィルムＡの代わりに基材フィルムＢを用いることになった。
また、テンター延伸機での基材フィルムＢの延伸条件を、延伸後の基材フィルムＢの幅方向に平行に遅相軸が発現するように変更した。延伸後の基材フィルムＢの面内レターデーションＲｅは１１８ｎｍ、厚みは４５μｍであった。さらに、実施例４において、基材フィルムＢとマスキングフィルムとの間の剥離力は、１．５Ｎ／２５ｍｍであった。
また、工程（III）において液晶組成物αの塗布量を変更することにより、工程（Ｖ）の後で得られる液晶樹脂層の乾燥厚みを１．２μｍにした。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、複層フィルムの製造と、当該複層フィルムが備える液晶樹脂層の評価を行った。

［実施例５］
テンター延伸機での基材フィルムＡの延伸条件を、延伸後の基材フィルムＡの幅方向に対して２２．５°の角度をなす方向に遅相軸が発現するように変更した。延伸後の基材フィルムＡの面内レターデーションＲｅは３２５ｎｍ、膜厚は７５μｍであった。
また、工程（III）において液晶組成物αの代わりに製造例５で製造した液晶組成物βを用い、更に、その塗布量を変更することにより工程（Ｖ）の後で得られる液晶樹脂層の乾燥厚みを２．２μｍにした。
さらに、工程（IV）において加熱温度を１１５℃に変更した。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、複層フィルムの製造と、当該複層フィルムが備える液晶樹脂層の評価を行った。

［実施例６］
工程（III）において液晶組成物αの代わりに、製造例５で製造した液晶組成物βを用い、更に、その塗布量を変更することにより工程（Ｖ）の後で得られる液晶樹脂層の乾燥厚みを２．１μｍにした。
また、工程（IV）において加熱温度を１１５℃に変更した。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、複層フィルムの製造と、当該複層フィルムが備える液晶樹脂層の評価を行った。

［実施例７］
以下に説明する実施例７では、フィルムを長手方向に連続的に搬送しながら、各工程の処理を行った。

基材フィルムＤのロールＤ１として、長尺のトリアセチルセルロースフィルム（コニカミノルタ社製、厚み８０μｍ、幅１４９０ｍｍ、ガラス転移温度１０７℃）のロールを用意した。このロールＤ１から基材フィルムＤを引き出し、テンター延伸機に供給した。テンター延伸機により、基材フィルムＤの幅方向に対して４５°の角度をなす方向に遅相軸が発現するように、基材フィルムＤに斜め延伸を行った（工程（VI））。この延伸により、基材フィルムＤの面に、配向規制力が付与された。
延伸された基材フィルムＤに、当該基材フィルムＤの幅方向の両端を切り取るトリミング処理を行った。その後、トリミング処理を施された基材フィルムＤの片面にマスキングフィルム（トレテガー社製「ＦＦ１０２５」）を貼り合わせて、長尺の原反フィルムを得た。この原反フィルムを、巻き張力１００Ｎで巻き取って、幅１３５０ｍｍの原反フィルムのロールＤ２を得た。
ロールＤ２に巻き取られた原反フィルムの基材フィルムＤの面内レターデーションは１４ｎｍ、厚みは７９μｍであった。
また、得られた原反フィルムのロールＤ２から一部を引き出し、基材フィルムＤとマスキングフィルムとの間の剥離力を測定したところ、１．５Ｎ／２５ｍｍであった。

ロールＤ２から原反フィルムを引き出し、マスキングフィルムを剥離しながら基材フィルムＤをダイコーターへ向けて搬送した（工程（Ｉ）及び工程（II））。
その後、ダイコーターを用いて、基材フィルムＤのマスキングフィルムと貼り合わせられていた面に、製造例４で製造した液晶組成物αを室温２５℃にて塗布して、液晶組成物αの層を形成した（工程（III））。

その後、９０℃で２．５分間加熱することにより、基材フィルムＤのマスキングフィルムと貼り合わせられていた面の配向規制力を修復すると同時に、液晶組成物αの層に含まれる液晶性化合物を配向させる工程（IV）を行った。また、この工程においては、液晶組成物αの層に含まれている溶媒を乾燥させる工程も行われた。

その後、液晶組成物αの層に、窒素雰囲気下で１００ｍＪ／ｃｍ^２以上の紫外線を照射して、この液晶組成物αの層を硬化させた（工程（Ｖ））。これにより、乾燥膜厚１．１μｍの液晶樹脂層を基材フィルムＤ上に備える複層フィルムを得た。
こうして得た複層フィルムから液晶樹脂層を剥がし、剥がした液晶樹脂層を前述の方法で評価した。

［実施例８］
工程（IV）において加熱温度を１３０℃に変更した。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、複層フィルムの製造と、当該複層フィルムが備える液晶樹脂層の評価を行った。

［実施例９］
製造例１で製造したロールＡ１からフィルムを引き出し、保護フィルムを剥離しながら基材フィルムＡをラビング処理機に供給した。ラビング処理機によって、基材フィルムＡの幅方向に対して４５°の角度をなす方向にラビング処理を施した。このラビング処理により、基材フィルムＡの面に、配向規制力が付与された。
ラビング処理を施された基材フィルムＡに、当該基材フィルムＡの幅方向の両端を切り取るトリミング処理を行った。その後、トリミング処理を施された基材フィルムＡの片面にマスキングフィルム（トレテガー社製「ＦＦ１０２５」）を貼り合わせて長尺の原反フィルムを得た。この原反フィルムを、巻き張力１００Ｎで巻き取って、幅１３５０ｍｍの原反フィルムのロールＡ３を得た。
ロールＡ３に巻き取られた原反フィルムの基材フィルムＡの面内レターデーションＲｅは５ｎｍ、厚みは８０μｍであった。

工程（Ｉ）及び工程（II）において、原反フィルムを引き出すロールを、ロールＡ２から実施例９で製造したロールＡ３に変更した。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、複層フィルムの製造と、当該複層フィルムが備える液晶樹脂層の評価を行った。

［比較例１］
原反フィルムを巻き取る際の巻き張力を３５０Ｎに変更した。比較例１において、基材フィルムＡとマスキングフィルムとの間の剥離力は、５．５Ｎ／２５ｍｍであった。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、複層フィルムの製造と、当該複層フィルムが備える液晶樹脂層の評価を行った。

［比較例２］
工程（III）において、基材フィルムＡのマスキングフィルムと貼り合わせられていた面ではなく、その反対側の面に液晶組成物αを塗布した。
以上の事項以外は実施例１と同様にして、複層フィルムの製造と、当該複層フィルムが備える液晶樹脂層の評価を行った。

［結果］
前記の実施例及び比較例の結果を、下記の表に示す。下記の表において、略称の意味は、以下の通りである。
基材樹脂：基材フィルムに含まれる樹脂。
ＣＯＰ：脂環式構造含有重合体を含む樹脂。
ＴＡＣ：トリアセチルセルロースを含む樹脂。
基材Ｔｇ：基材フィルムに含まれる樹脂のガラス転移温度。
基材Ｒｅ：延伸後の基材フィルムの面内レターデーション。
基材厚み：延伸後の基材フィルムの厚み。
遅相軸方向：延伸後の基材フィルムの遅相軸が、当該基材フィルムの幅方向に対してなす角度。
剥離力：原反フィルムの基材フィルムとマスキングフィルムとの間の剥離力。
塗布面：基材フィルムの、液晶組成物を塗布された面。
剥離面：基材フィルムの、マスキングフィルムと貼り合わせられていた面。
非剥離面：基材フィルムの、マスキングフィルムと貼り合わせられていた面とは反対側の面。
塗布温度：液晶組成物を塗布するときの基材フィルムの温度。
配向温度：工程（IV）における加熱温度。
液晶樹脂層Ｒｅ：液晶樹脂層の面内レターデーション。
液晶樹脂層厚み：液晶樹脂層の厚み。

［検討］
実施例１〜９においては、配向状態及び配向欠陥のいずれの評価においても、優れた結果が得られている。このことから、本発明の製造方法により、配向状態が良好で、配向欠陥の少ない液晶樹脂層を備える複層フィルムが得られることが確認された。

また、工程（IV）における加熱温度が高い実施例８において液晶樹脂層にシワが発生していたのに対し、他の実施例１〜７及び９ではシワの発生が無かったことから、工程（IV）における加熱温度には、シワの発生を抑制する上で好適な温度範囲があることが分かる。

さらに、延伸処理ではなくラビング処理によって基材フィルムに配向規制力を付与した実施例９において液晶樹脂層に異物が見られたのに対し、他の実施例１〜８では液晶樹脂層に異物が見られなかったことから、異物の発生を防ぐ観点では、基材に配向規制力を付与する方法として延伸処理が好ましいことが分かる。

また、基材フィルムからマスキングフィルムを剥離させる際の剥離力が大きい比較例１では、配向状態及び配向欠陥の結果が良好でない。このことから、配向状態が良好で配向欠陥の少ない液晶樹脂層を製造するためには、基材フィルムとマスキングフィルムとの間の剥離力は所定の範囲に収まることが求められることが分かる。さらに、比較例１では、液晶樹脂層にシボの発生が見られる。

さらに、基材フィルムのマスキングフィルムとは反対側の面に液晶樹脂層を設けた比較例２では、配向状態は良好であるが、配向欠陥及び輝点の発生がある。基材フィルムのマスキングフィルムとは反対の面は、ロールとなっていた時に接触していたマスキングフィルムの突起又は窪みが転写されたり、巻き取り時にマスキングフィルムとこすれたりすることがある。そのため、基材フィルムのマスキングフィルムとは反対の面では、配向に欠陥が生じたり、面形状が変形したりしていると考えられる。そして、これらが原因となって、比較例２では、配向欠陥及び輝点が発生しているものと推察される。また、原反フィルムのロールにおいて巻き軸の近くにあった基材フィルムは、ロールの径方向外側にあった基材フィルムよりも大きな圧力を受けているのであるから、配向の欠陥及び面形状の変形の程度はより大きく、そのため製造される液晶樹脂層においてより多くの配向欠陥及び輝点が生じるものと推察される。

１０ 原反フィルム
１１ 原反フィルムのロール
２０ 基材フィルム
２１ 基材フィルムのマスキングフィルム側の面
２２ 基材フィルムのマスキングフィルムとは反対側の面
３０ マスキングフィルム
４０ 複層フィルム
４１ 液晶樹脂層
４２ 複層フィルムのロール
５０ 中間フィルム
５１ 液晶組成物の層
１００ 原反フィルムの製造装置
１１０ テンター延伸機
１２０ 貼合装置
１２１ ニップロール
１２２ ニップロール
１３０ 巻き軸
２００ 複層フィルムの製造装置
２１０ 剥離装置
２１１ 剥離ロール
２１２ 案内ロール
２２０ ダイコーター
２２１ 液晶組成物
２３０ オーブン
２４０ エネルギー線照射装置
２５０ 巻き軸
２６０ 搬送ロール

Claims (10)

1. 配向規制力を付与された面を有する基材フィルム及び前記基材フィルムの前記面に接して設けられたマスキングフィルムを備える原反フィルムの、前記マスキングフィルムを剥離する工程（Ｉ）と、
   前記基材フィルムの前記面の配向規制力が低下する工程（II）と、
   前記工程（Ｉ）及び前記工程（II）の後で、前記基材フィルムの前記面に、液晶性化合物を含む液晶組成物の層を形成する工程（III）と、
   前記工程（III）の後で、前記基材フィルムの前記面の配向規制力を修復すると同時に前記液晶組成物の層に含まれる液晶性化合物を配向させる工程（IV）と、
   前記工程（IV）の後で、前記液晶組成物の層を硬化させて液晶樹脂層を得る工程（Ｖ）と、を含み、
   前記基材フィルムと前記マスキングフィルムとの間の剥離力が、５Ｎ／２５ｍｍ以下である、複層フィルムの製造方法。
2. 前記工程（Ｉ）及び前記工程（II）が、同時に行われる工程であり、
   前記工程（IV）が、前記基材フィルム及び前記液晶組成物の層を加熱する工程であり、
   前記基材フィルムに含まれる熱可塑性樹脂のガラス転移温度をＴｇとして、前記工程（IV）での加熱温度が、前記液晶組成物のＣＮ点以上、Ｔｇ−１５℃以下である、請求項１記載の複層フィルムの製造方法。
3. 前記工程（Ｉ）に先立って、前記基材フィルムを延伸して、前記基材フィルムの前記面に配向規制力を付与する工程（VI）を含む、請求項１又は２記載の複層フィルムの製造方法。
4. 前記工程（VI）における延伸が、一方向への延伸である、請求項３記載の複層フィルムの製造方法。
5. 前記基材フィルムが、前記基材フィルムの幅方向とは異なる方向に遅相軸を有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の複層フィルムの製造方法。
6. 前記基材フィルムが、脂環式構造含有重合体又はセルロースエステルを含む樹脂のフィルムである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の複層フィルムの製造方法。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の製造方法で製造された複層フィルムからなる位相差フィルムであって、
   前記液晶樹脂層が、１／４波長の面内レターデーションを有する、位相差フィルム。
8. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の製造方法で製造された複層フィルムの、前記基材フィルムを剥離する工程を経て得られ、
   前記液晶樹脂層が、１／４波長の面内レターデーションを有する、位相差フィルム。
9. 請求項７又は８記載の位相差フィルムを備える、円偏光板。
10. 請求項９記載の円偏光板を備える、有機エレクトロルミネッセンス表示装置。