JP2016008321A - コーティング膜付き切削工具の成膜装置、切削工具用コーティング膜の成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】適切な温度条件でコーティング膜を形成できるコーティング膜付き切削工具の成膜装置の提供。【解決手段】切削工具Wにコーティング膜を形成する成膜室12、成膜室12に真空弁52,53を介してそれぞれ連結された前処理室11から成膜室12を経由して後処理室13へ切削工具Wを搬送する搬送経路を備え、切削工具Wを支持する複数のロッド82が搬送方向に沿って起立姿勢で配置された搬送キャリア80を用いるインライン式の成膜装置100であって、成膜室12は、切削工具Wにコーティング膜を形成する成膜領域Dと、搬送キャリア80を搬送経路に沿って搬送しつつ成膜領域Dを通過させる搬送装置31と、成膜領域Dに対してキャリア搬送方向に隣り合って配置され切削工具Wを加熱する加熱領域Hと、成膜領域Dと少なくとも一方の真空弁53との間に搬送キャリア80を収容するキャリア待機領域C1と、を備える成膜装置。【選択図】図1
Description
本発明は、コーティング膜付き切削工具の成膜装置、切削工具用コーティング膜の成膜方法に関する。
成膜装置として、例えば特許文献1に記載のインライン式真空成膜装置が知られている。この種の成膜装置では、パレットを一方向に送って成膜領域を通過させ、切削工具の表面にコーティング膜を形成する。
インライン式の成膜装置を用いて切削工具にコーティング膜を形成する場合、切削工具にコーティング膜を形成する成膜室の前段に設けられた前処理室において、ヒーターにより切削工具を加熱する。しかし、前処理室から成膜室へ切削工具を搬送する期間や、成膜室内でパレットを待機させる期間に切削工具の温度が低下するため、成膜初期の温度が低くなり、コーティング膜の品質が低下する場合がある。一方、成膜開始時に適切な表面温度となるように切削工具を予め高温に加熱すると、成膜中に温度が上がりすぎ、最適温度範囲の上限を超えてしまうおそれがある。このような温度変化が生じると、切削工具の基材側と表面側とで膜質が異なってしまい、膜厚に相応する切削性能が得られない。また、基材側の膜質が劣る場合にはコーティング膜の剥離の原因となることもある。
また、パレットを搬送しながらコーティング膜を形成するので、パレットの先頭側の切削工具と、後尾側の切削工具とで成膜時の温度差が生じ、膜質のばらつきを生じやすい。すなわち、同一製品内で切削性能にばらつきを生じることになるため、製品の推奨切削条件を決める際には、最も性能が劣るコーティング膜に合わせて決定することになってしまう。
また、パレットを搬送しながらコーティング膜を形成するので、パレットの先頭側の切削工具と、後尾側の切削工具とで成膜時の温度差が生じ、膜質のばらつきを生じやすい。すなわち、同一製品内で切削性能にばらつきを生じることになるため、製品の推奨切削条件を決める際には、最も性能が劣るコーティング膜に合わせて決定することになってしまう。
本発明は、適切な温度条件でコーティング膜を形成することができるコーティング膜付き切削工具の成膜装置,及び切削工具用コーティング膜の成膜方法を提供することを目的の一つとする。
本発明の第1の態様によれば、切削工具にコーティング膜を形成する成膜室と、前記成膜室に真空弁を介してそれぞれ連結された前処理室及び後処理室と、前記前処理室から前記成膜室を経由して前記後処理室へ前記切削工具を搬送する搬送経路とを備え、前記切削工具を支持する複数のロッドが搬送方向に沿って起立姿勢で配置された搬送キャリアを用いるインライン式の成膜装置であって、前記成膜室は、前記切削工具に前記コーティング膜を形成する成膜領域と、前記搬送キャリアを前記搬送経路に沿って搬送しつつ前記成膜領域を通過させる搬送装置と、前記成膜領域に対してキャリア搬送方向に隣り合って配置され前記切削工具を加熱する加熱領域と、前記成膜領域と少なくとも一方の前記真空弁との間に前記搬送キャリアを収容するキャリア待機領域と、を備える、コーティング膜付き切削工具の成膜装置が提供される。
前記成膜領域には前記搬送キャリアの搬送経路を挟むように複数のターゲットが設けられ、前記加熱領域には前記搬送キャリアの搬送経路を挟むように複数の加熱装置が設けられている構成としてもよい。
前記キャリア搬送方向における前記成膜領域の両側に、それぞれ前記加熱領域が設けられている構成としてもよい。
前記キャリア搬送方向に沿って、複数の前記成膜領域が設けられている構成としてもよい。
前記複数の成膜領域の前記キャリア搬送方向の両側に、それぞれ前記加熱領域が設けられている構成としてもよい。
前記キャリア搬送方向に沿って、複数の前記加熱領域と複数の前記成膜領域とが交互に配置され、前記キャリア搬送方向における前記成膜領域の両側にそれぞれ前記加熱領域が配置されている構成としてもよい。
一又は複数の前記成膜領域の両側に設けられた2つの前記加熱領域間の長さが、前記搬送キャリアの前記搬送方向の長さよりも小さい構成としてもよい。
前記搬送方向に連続して配置された複数の前記成膜領域の数が3つ以下である構成としてもよい。前記搬送方向に連続して配置された複数の前記成膜領域の数が2つ以下である構成としてもよい。
前記搬送キャリアに前記切削工具を回転させる回転機構が設けられている構成としてもよい。
前記加熱領域と少なくとも一方の前記真空弁との間に前記搬送キャリアを収容するキャリア待機領域が設けられている構成としてもよい。
前記加熱領域の前記搬送方向の幅は、前記搬送キャリアの前記搬送方向の長さよりも小さい構成としてもよい。
前記キャリア搬送方向における前記成膜領域の両側に、それぞれ前記加熱領域が設けられている構成としてもよい。
前記キャリア搬送方向に沿って、複数の前記成膜領域が設けられている構成としてもよい。
前記複数の成膜領域の前記キャリア搬送方向の両側に、それぞれ前記加熱領域が設けられている構成としてもよい。
前記キャリア搬送方向に沿って、複数の前記加熱領域と複数の前記成膜領域とが交互に配置され、前記キャリア搬送方向における前記成膜領域の両側にそれぞれ前記加熱領域が配置されている構成としてもよい。
一又は複数の前記成膜領域の両側に設けられた2つの前記加熱領域間の長さが、前記搬送キャリアの前記搬送方向の長さよりも小さい構成としてもよい。
前記搬送方向に連続して配置された複数の前記成膜領域の数が3つ以下である構成としてもよい。前記搬送方向に連続して配置された複数の前記成膜領域の数が2つ以下である構成としてもよい。
前記搬送キャリアに前記切削工具を回転させる回転機構が設けられている構成としてもよい。
前記加熱領域と少なくとも一方の前記真空弁との間に前記搬送キャリアを収容するキャリア待機領域が設けられている構成としてもよい。
前記加熱領域の前記搬送方向の幅は、前記搬送キャリアの前記搬送方向の長さよりも小さい構成としてもよい。
本発明の第2の態様によれば、切削工具にコーティング膜を形成する成膜室と、前記成膜室に真空弁を介してそれぞれ連結された前処理室及び後処理室と、前記前処理室から前記成膜室を経由して前記後処理室へ前記切削工具を搬送する搬送経路とを備え、前記切削工具を支持する複数のロッドが搬送方向に沿って起立姿勢で配置された搬送キャリアを用いるインライン式の成膜装置を用いて前記切削工具の表面にコーティング膜を形成する成膜方法であって、前記切削工具を搬送キャリアに搭載することと、前記成膜室に前記搬送キャリアを搬入することと、前記成膜室内で前記搬送キャリアを前記搬送経路に沿って搬送しつつ、前記切削工具を加熱する加熱領域と、前記コーティング膜を形成する成膜領域と、を順次通過させることと、を含む切削工具用コーティング膜の成膜方法が提供される。
前記加熱領域において前記搬送経路を挟んだ両側から前記切削工具を加熱し、前記成膜領域において前記搬送経路を挟んだ両側から前記コーティング膜を成膜する方法としてもよい。
前記成膜領域に対して前記搬送キャリアの搬送方向の両側にそれぞれ前記加熱領域を配置し、複数の前記加熱領域と前記成膜領域とを含む領域に対して前記搬送キャリアを往復移動させることで前記切削工具上に複数層のコーティング膜を形成する方法としてもよい。
前記搬送キャリアの搬送方向に沿って複数の前記成膜領域を配置し、前記搬送キャリアを複数の前記成膜領域に順次通過させることで、前記切削工具上に複数層の前記コーティング膜を形成する方法としてもよい。
前記搬送キャリアの搬送方向に沿って複数の前記加熱領域と複数の前記成膜領域を交互に通過させる方法としてもよい。
前記搬送キャリア上で前記切削工具を回転させながら前記コーティング膜を成膜する方法としてもよい。
前記成膜領域に対して前記搬送キャリアの搬送方向の両側にそれぞれ前記加熱領域を配置し、複数の前記加熱領域と前記成膜領域とを含む領域に対して前記搬送キャリアを往復移動させることで前記切削工具上に複数層のコーティング膜を形成する方法としてもよい。
前記搬送キャリアの搬送方向に沿って複数の前記成膜領域を配置し、前記搬送キャリアを複数の前記成膜領域に順次通過させることで、前記切削工具上に複数層の前記コーティング膜を形成する方法としてもよい。
前記搬送キャリアの搬送方向に沿って複数の前記加熱領域と複数の前記成膜領域を交互に通過させる方法としてもよい。
前記搬送キャリア上で前記切削工具を回転させながら前記コーティング膜を成膜する方法としてもよい。
本発明によれば、適切な温度条件でコーティング膜を形成することができるコーティング膜付き切削工具の成膜装置、及び切削工具用コーティング膜の成膜方法を提供することができる。
以下、実施形態に係る成膜装置及び成膜方法について、図面を参照しつつ説明する。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態に係る成膜装置の内部構造を示す側面図である。図2は、第1実施形態に係る成膜装置の内部構造を示す上面図である。
図1は、第1実施形態に係る成膜装置の内部構造を示す側面図である。図2は、第1実施形態に係る成膜装置の内部構造を示す上面図である。
本実施形態の成膜装置100は、切削工具Wを搭載した搬送キャリア80を搬送しつつ切削工具Wに対して成膜処理を実施する、インライン式の成膜装置である。
搬送キャリア80は、図1に示すように、矩形枠状のフレーム81と、フレーム81の枠内に起立姿勢で配置された複数本(図示では5本)のロッド82とを有する。各々のロッド82に、コーティング膜(切削工具用コーティング膜)の形成対象である切削工具Wが挿通支持される。
搬送キャリア80は、図1に示すように、矩形枠状のフレーム81と、フレーム81の枠内に起立姿勢で配置された複数本(図示では5本)のロッド82とを有する。各々のロッド82に、コーティング膜(切削工具用コーティング膜)の形成対象である切削工具Wが挿通支持される。
ここで図3は、切削工具Wの支持態様を示す図である。ロッド82には多数の切削工具Wが、隣り合う切削工具Wの間に円管状のスペーサSを介在させた状態で配置される。ロッド82は、軸周りに回転自在である。フレーム81には、ロッド82を回転させる不図示の回転機構が設けられる。ロッド82を回転させる機構としては、搬送キャリア80の移動に伴って回転する駆動ギアを設け、この駆動ギアからロッド82に駆動力を伝達する構成を例示することができる。
本実施形態において、切削工具Wは、刃先交換式切削工具に用いられる切削インサートである。切削インサートは、超硬合金等の硬質材料により形成される多角形板状の部材であり、切削工具本体に取り付けるための円形の取り付け孔が形成されている。本実施形態では、図3に示すように、切削インサートである切削工具Wの取付孔hにロッド82を挿通する。
成膜装置100は、図1及び図2に示すように、前処理室11と、成膜室12と、後処理室13を備える。前処理室11と成膜室12とは真空弁52を介して連結され、成膜室12と後処理室13とは真空弁53を介して連結されている。前処理室11には成膜装置100内に搬送キャリア80を導入するための入口側ゲート弁51が設けられている。後処理室13には搬送キャリア80を排出するための出口側ゲート弁54が設けられている。
前処理室11、成膜室12、及び後処理室13の底部側には、複数の搬送ローラを併設したローラコンベア(搬送装置)31〜33が敷設されている。搬送キャリア80は、ローラコンベア31〜33上を搬送される。本実施形態では、ローラコンベア31〜33上の搬送キャリア80の通り道が直線状のキャリア搬送経路Tを構成する。切削工具Wを搭載した搬送キャリア80は、キャリア搬送経路Tに沿って、前処理室11、成膜室12、後処理室13に順次搬送される。
図1に戻り、前処理室11には、真空ポンプ14と、大気開放バルブ28とが接続されている。前処理室11の内部には、切削工具Wを搬送キャリア80ごと加熱するためのヒータ21A、及びヒータ21Bが設けられている。本実施形態の場合、搬送キャリア80の両側からヒータ21A、21Bにより切削工具Wを加熱する。ヒータ21A、21Bは、キャリア搬送方向(図示Y方向)において、搬送キャリア80の長さと同程度の幅を有する。また、鉛直方向(図示Z方向)において、搬送キャリア80の切削工具Wが保持された領域と同程度の高さを有する。すなわち、ヒータ21A、21Bは、搬送キャリア80上の全ての切削工具Wを同時に加熱可能である。
成膜室12には、真空ポンプ15と、ガス源26と、バイアス電源17とが接続されている。成膜室12の内部には、キャリア待機領域C1と、加熱領域Hと、成膜領域Dと、キャリア待機領域C2とが、キャリア搬送経路Tに沿ってこの順に配置されている。
なお、本明細書において、「成膜領域」とは、切削工具Wの表面に単一のコーティング膜の層を形成する機能を備えた成膜室内の領域を指す。したがって、ターゲット数やターゲットの配置状態を変更した場合であっても、それらのターゲットにより、切削工具Wの表面に単一のコーティング膜の層が形成されるのであれば1つの「成膜領域」である。例えば、成膜領域Dにおいて、キャリア搬送方向(Y方向)に同種のターゲットを複数並べて配置してもよい。
キャリア待機領域C1は、加熱領域Hの手前側で搬送キャリア80を一時停止させる領域である。キャリア待機領域C2は、コーティング膜形成後の搬送キャリア80を一時停止させる領域である。キャリア待機領域C1は、真空弁52と成膜領域Dとの間に搬送キャリア80を収容可能な長さに形成される。キャリア待機領域C1は、好ましくは、真空弁52と加熱領域Hとの間に搬送キャリア80を収容可能な長さに形成される。キャリア待機領域C2は、成膜領域Dと真空弁53との間に搬送キャリア80を収容可能な長さに形成される。
加熱領域Hは、成膜領域Dの直前で切削工具Wを加熱する領域である。加熱領域Hには、キャリア搬送経路Tを挟むようにヒータ(加熱装置)22A、及びヒータ(加熱装置)22Bが設けられている。本実施形態の場合、搬送キャリア80をヒータ22A、22Bの間に通過させることで切削工具Wを加熱する。そのため、ヒータ22A、22Bのキャリア搬送方向(Y方向)の幅は、搬送キャリア80の長さ(Y方向長さ)よりも短い。一方、ヒータ22A、22Bの高さ(Z方向長さ)は、搬送キャリア80の切削工具Wが保持された領域と同程度の高さである。
成膜領域Dは、切削工具Wに対してアークイオンプレーティング法によるコーティング処理を行う領域である。本実施形態の場合、成膜領域Dに、4つのターゲットが配置されている。図2に示すように、一対のターゲット23A、23Bがキャリア搬送経路Tを挟んで互いに対向するように配置されている。図1に示すように、ターゲット23Aの鉛直下方(−Z方向)には、ターゲット24Aが配置されている。図示はしていないが、ターゲット23Bの鉛直下方にも、ターゲット24Aと対向するターゲットが配置されている。
なお、本実施形態では円形のターゲットを複数個設置して成膜領域Dを形成しているが、ターゲットの形状はとくに限定されない。例えば、成膜室12の上下方向(図示Z方向)に長手の長方形状のターゲットを用いてもよい。また、成膜室12の上下方向に、3個以上のターゲットを並べて配置してもよい。
成膜領域Dには、さらに、ターゲット(23A、23B、24A)にアーク放電電力を供給する図示略のアーク電源が設けられている。バイアス電源17は、搬送キャリア80が少なくとも成膜領域Dに位置するときに、搬送キャリア80を介して切削工具Wにバイアス電圧を印加する。
後処理室13には、真空ポンプ16と、大気開放バルブ29と、ガス源27とが接続されている。後処理室13は、コーティング処理後の切削工具W及び搬送キャリア80を冷却する冷却室である。ガス源27は、キャリア冷却用の冷却ガスを後処理室13内に供給する。
次に、本実施形態の成膜装置100を用いた成膜方法について説明する。
まず、図1に示すように、搬送キャリア80に切削工具Wを搭載する。このとき、成膜装置100において、真空弁52、53は閉塞されており、前処理室11、成膜室12、及び後処理室13は、所定の真空状態(例えば1×10−5Pa程度)に保持されている。
まず、図1に示すように、搬送キャリア80に切削工具Wを搭載する。このとき、成膜装置100において、真空弁52、53は閉塞されており、前処理室11、成膜室12、及び後処理室13は、所定の真空状態(例えば1×10−5Pa程度)に保持されている。
次に、前処理室11の大気開放バルブ28を開け、前処理室11の室内を大気圧にする。その後、前処理室11の室内が大気圧の状態で入口側ゲート弁51を開放し、搬送キャリア80を前処理室11内に搬入する。搬送キャリア80は、搭載した切削工具Wがヒータ21A、21Bと正対する位置に停止させる。その後、入口側ゲート弁51を閉塞する。次に、真空ポンプ14を作動させ、前処理室11内を所定の真空度(例えば1×10−3Pa程度)となるまで排気する。
前処理室11内が所定の真空度に達したならば、次に、ヒータ21A、21Bを作動させ、切削工具Wと搬送キャリア80を所定温度まで加熱する。本実施形態では、ヒータ21A、21Bにより切削工具Wを両側から均一に加熱可能である。この加熱処理において、切削工具Wをロッド82の軸周りに回転させてもよい。
切削工具Wを所定温度にまで加熱したならば、次に、真空弁52を開放する。その後、搬送キャリア80を前処理室11から成膜室12へ移動させる。搬送キャリア80は、成膜室12内のキャリア待機領域C1に停止させる。搬送キャリア80の搬入後、真空弁52を閉塞する。その後、前処理室11に次の搬送キャリア80を搬入するために、大気開放バルブ28を開けて前処理室11を大気圧に復帰させる。その後は、入口側ゲート弁51を開放して次の搬送キャリア80を搬入し、上記した動作を繰り返す。
次に、成膜室12において、切削工具Wへのコーティング処理を実行する。
ここで図4は、成膜室12内における切削工具Wの温度変化を表した説明図である。以下では、図1、2、4を参照しつつ説明する。
成膜室12において、搬送キャリア80をキャリア待機領域C1に待機させた状態で、ヒータ22A、22Bを作動させる。その後、搬送キャリア80の加熱領域H側への搬送を開始する。搬送キャリア80上の切削工具Wは、加熱領域Hを通過する際にヒータ22A、22Bにより加熱される。図4に示すように、切削工具Wは、加熱領域Hの後端(+Y方向端)を通過するまでの間に、コーティングに適した温度(下限温度T2よりも高い温度)にまで加熱される。
ここで図4は、成膜室12内における切削工具Wの温度変化を表した説明図である。以下では、図1、2、4を参照しつつ説明する。
成膜室12において、搬送キャリア80をキャリア待機領域C1に待機させた状態で、ヒータ22A、22Bを作動させる。その後、搬送キャリア80の加熱領域H側への搬送を開始する。搬送キャリア80上の切削工具Wは、加熱領域Hを通過する際にヒータ22A、22Bにより加熱される。図4に示すように、切削工具Wは、加熱領域Hの後端(+Y方向端)を通過するまでの間に、コーティングに適した温度(下限温度T2よりも高い温度)にまで加熱される。
したがって、ヒータ22A、22Bの幅(Y方向長さ)は、切削工具Wが加熱領域Hを通過する間に、切削工具Wを所望の昇温レートで設定温度まで加熱することができる長さとされる。
ヒータ22A、22Bは、成膜直前の切削工具Wの温度を調整できればよく、過度に幅を大きくするとエネルギー消費が大きくなる。また、ヒータ22A、22Bの幅を大きくすることにより真空弁52に近づきすぎると、熱によって真空弁52の動作安定性が損なわれる可能性がある。したがって、ヒータ22A、22Bの幅は、エネルギー効率、真空弁52の安定動作の観点から、搬送キャリア80の幅(Y方向長さ)よりも短くすることが好ましい。
ヒータ22A、22Bは、成膜直前の切削工具Wの温度を調整できればよく、過度に幅を大きくするとエネルギー消費が大きくなる。また、ヒータ22A、22Bの幅を大きくすることにより真空弁52に近づきすぎると、熱によって真空弁52の動作安定性が損なわれる可能性がある。したがって、ヒータ22A、22Bの幅は、エネルギー効率、真空弁52の安定動作の観点から、搬送キャリア80の幅(Y方向長さ)よりも短くすることが好ましい。
搬送キャリア80の先端が加熱領域Hから抜け出る前に、成膜領域Dを切削工具Wへの成膜が可能な状態とする。具体的には、バイアス電源17からフレーム81を介して切削工具Wに所定(例えば−300V)のバイアス電圧が印加される。また、ガス源26から成膜室12内にプロセスガスが供給され、ターゲット23A、23B、24Aの表面にアーク放電が発生する圧力条件(例えば0.3〜1Pa)に制御される。
切削工具Wは、加熱領域Hで所定温度に加熱された後、連続して成膜領域Dを通過する。切削工具Wが成膜領域Dを通過する際に、切削工具Wの表面に所望の組成のコーティング膜が形成される。例えば、ターゲットとしてTiターゲットを用い、プロセスガスとしてN2含有ガスを用いた場合、切削工具Wの表面にTiN膜が形成される。コーティング膜の膜厚及びその均一性は、バイアス電圧、圧力、搬送キャリア80の搬送速度、切削工具Wの回転速度などにより制御することができる。
搬送キャリア80が成膜領域Dを通過した後、切削工具Wへのバイアス電圧印加、及びアーク放電を停止させる。搬送キャリア80は、成膜室12のキャリア待機領域C2に停止される。切削工具Wの表面温度は、図4に示すように、成膜中にも上昇し続けるが、切削工具Wが成膜領域Dから抜け出て成膜が終了すると、温度は低下し始める。
次に、成膜室12と後処理室13との間の真空弁53を開放し、搬送キャリア80を後処理室13へ送り出す。搬送キャリア80が後処理室13へ搬入されたら、真空弁53を閉塞する。この搬送動作において、前処理室11との間の真空弁52を開放し、次の搬送キャリア80を成膜室12内へ搬入する動作を並行して実施してもよい。
後処理室13では、成膜室12から搬入された搬送キャリア80を室内で停止させて冷却する。冷却処理は、ガス源27から室内へ冷却ガスを供給しながら、所定時間圧力を維持することで行う。冷却ガスとしては不活性ガスを用いることができる。
冷却処理が完了したならば、大気開放バルブ29を開け、後処理室13内を大気圧に復帰させる。その後、出口側ゲート弁54を開放し、搬送キャリア80を後処理室13から搬出する。搬送キャリア80の搬出後、後処理室13では真空ポンプ16による排気動作が行われる。その後、後処理室13は、次の搬送キャリア80の搬入がなされるまで、所定の真空度(例えば1×10−3Pa)を維持する。
本実施形態の成膜装置100の前処理室11、成膜室12、及び後処理室13は、それぞれに1つの搬送キャリア80が収容された状態とすることができる。この状態において、前処理室11における加熱処理、成膜室12におけるコーティング処理、及び後処理室13における冷却処理を並行して実施することができる。このようにして搬送キャリア80の搬送と、各室での加熱、コーティング、冷却の処理を繰り返すことにより、効率よく切削工具Wへのコーティングを実施することができる。
以上に説明した第1実施形態の成膜装置100によれば、成膜室12の成膜領域Dのキャリア搬送方向手前側(図示−Y方向側)に、加熱領域Hが設けられていることで、切削工具Wを成膜直前に所定温度にまで加熱することができる。これにより、搬送キャリア80全体の切削工具Wを、コーティング直前に一定の温度に調整することができる。
仮に、成膜室12に加熱領域Hが設けられていない場合、前処理室11で加熱された直後の搬送キャリア80上の切削工具Wはほぼ均一な温度であるが、搬送キャリア80の先頭側の切削工具Wと後尾側の切削工具Wとでは、加熱されてから成膜領域Dに進入するまでの時間に差がある。そのため、搬送キャリア80の先頭側の切削工具Wと後尾側の切削工具Wとで成膜温度に差が生じてしまい、コーティング膜の膜質に影響を及ぼす可能性がある。
これに対して、本実施形態の成膜装置100では、加熱領域Hでの加熱によって、全ての切削工具を常に一定の温度で成膜領域Dに進入させることができる。したがって、一定の温度条件の下でコーティング処理することができるので、切削工具Wごとにコーティング膜の品質がばらつくのを抑え、歩留まりよくコーティング膜を形成することができる。
また、成膜室12に加熱領域Hを設けない場合、図4の「対照形態」として示すように、成膜開始時には温度が低く、成膜領域Dのアーク放電やバイアス印加による発熱で急激に切削工具Wの温度が上昇する。そのため、成膜の初期に低温条件でコーティング膜を形成することになり、密着性や膜質に劣るコーティング膜が形成されるおそれがある。
これに対して本実施形態では、成膜の初期から最後まで最適温度でコーティングを行うことができ、高品質のコーティング膜を形成することができる。
これに対して本実施形態では、成膜の初期から最後まで最適温度でコーティングを行うことができ、高品質のコーティング膜を形成することができる。
また本実施形態では、搬送キャリア80の複数のロッド82がキャリア搬送方向に沿って起立姿勢で配列され、切削工具Wはロッド82に支持されている。これにより、成膜領域Dを通過する切削工具Wとターゲット(23A、23B、24A)との距離がほぼ一定に保たれる。そのため、個々の切削工具Wにおいて、成膜温度だけでなく、他の成膜条件もほぼ一定になる。その結果、膜厚方向においてより均質なコーティング膜を形成することができる。
また本実施形態では、成膜領域Dに隣り合う位置に加熱領域Hが設けられているため、成膜領域Dのアーク放電を停止している期間にも、加熱領域Hの熱によって雰囲気の温度をある程度維持することができる。これにより、ターゲット23A、23B、24Aの表面温度が低下しにくくなるので、アーク放電停止期間中にターゲット表面にN2等のガスが付着しにくくなる。その結果、成膜を再開したとき放電状態や膜質に不具合を生じるのを抑制することができる。
(第2実施形態)
次に、第2実施形態に係る成膜装置について説明する。なお、第1実施形態と共通の構成については適宜説明を省略する。
次に、第2実施形態に係る成膜装置について説明する。なお、第1実施形態と共通の構成については適宜説明を省略する。
図5は、第2実施形態に係る成膜装置の内部構造を示す側面図である。図6は、第2実施形態に係る成膜装置の内部構造を示す上面図である。
本実施形態の成膜装置200は、その基本構成において第1実施形態の成膜装置100と共通し、2つの加熱領域H1、H2を備える点において成膜装置100と異なる。
図5及び図6に示すように、成膜装置200は、前処理室11と、成膜室212と、後処理室13とを備える。前処理室11と成膜室212とは真空弁52を介して連結され、成膜室212と後処理室13とは真空弁53を介して連結されている。前処理室11及び後処理室13の構成は第1実施形態と共通である。
図5及び図6に示すように、成膜装置200は、前処理室11と、成膜室212と、後処理室13とを備える。前処理室11と成膜室212とは真空弁52を介して連結され、成膜室212と後処理室13とは真空弁53を介して連結されている。前処理室11及び後処理室13の構成は第1実施形態と共通である。
成膜室212には、真空ポンプ15と、ガス源26と、バイアス電源17とが接続されている。成膜室212の内部には、キャリア待機領域C1と、加熱領域H1と、成膜領域Dと、加熱領域H2と、キャリア待機領域C2とが、キャリア搬送経路Tに沿ってこの順に配置されている。キャリア待機領域C1、C2、及び成膜領域Dの構成は第1実施形態と共通である。
本実施形態では、成膜領域Dの両側に、2つの加熱領域H1、H2が設けられている。
加熱領域H1は、成膜領域Dに対してキャリア待機領域C1側(図示−Y方向側)に設けられている。加熱領域H1には、キャリア搬送経路Tを挟むようにヒータ22A、22Bが設けられている。ヒータ22A、22Bは、キャリア待機領域C1から成膜領域Dへ搬送される搬送キャリア80を加熱する。
加熱領域H1は、成膜領域Dに対してキャリア待機領域C1側(図示−Y方向側)に設けられている。加熱領域H1には、キャリア搬送経路Tを挟むようにヒータ22A、22Bが設けられている。ヒータ22A、22Bは、キャリア待機領域C1から成膜領域Dへ搬送される搬送キャリア80を加熱する。
加熱領域H2は、成膜領域Dに対してキャリア待機領域C2側(図示+Y方向側)に設けられている。加熱領域H2には、キャリア搬送経路Tを挟むようにヒータ(加熱装置)25A、及びヒータ(加熱装置)25Bが設けられている。ヒータ25A、25Bは、キャリア待機領域C2から成膜領域Dへ搬送される搬送キャリア80を加熱する。
本実施形態の場合も、加熱領域H1、H2は、搬送中の搬送キャリア80を加熱する。そのため、ヒータ22A、22B、25A、25Bのキャリア搬送方向(Y方向)の幅は、搬送キャリア80の長さ(Y方向長さ)よりも短い。一方、ヒータ22A、22Bの高さ(Z方向長さ)は、搬送キャリア80の切削工具Wが保持された領域と同程度の高さである。
以上の構成を備えた本実施形態の成膜装置200では、キャリア待機領域C1とキャリア待機領域C2との間で搬送キャリア80を往復移動させて成膜領域Dを通過させることで、搬送キャリア80上の切削工具Wに対して連続的にコーティング膜を成膜することができる。
以下、本実施形態の成膜装置200におけるコーティング処理について、図面を参照しつつ説明する。
なお、前処理室11及び後処理室13の動作は第1実施形態と同様であるから、以下では成膜室212におけるコーティング工程についてのみ説明する。
なお、前処理室11及び後処理室13の動作は第1実施形態と同様であるから、以下では成膜室212におけるコーティング工程についてのみ説明する。
図7から図10は、成膜室212におけるコーティング工程の説明図である。図11は、搬送キャリア80上の各部位における温度変化とコーティング膜の形成状態を示した説明図である。
図7から図10において、図示左側には、搬送キャリア80と加熱領域H1、H2及び成膜領域Dの位置関係が示されている。図7から図10の図示右側には、搬送キャリア80の各部位における切削工具Wの温度が示されている。
図7から図10に示す搬送キャリア80において、キャリア待機領域C1からキャリア待機領域C2へ向かう方向における搬送キャリア80の先頭位置を第1位置80a、中間位置を第2位置80b、最後尾を第3位置80cと規定する。図中では、第1位置80aを文字「a」を丸で囲んだ標識(標識aと称する。)で示し、第2位置80bを文字「b」を丸で囲んだ標識(標識bと称する。)で示し、第3位置80cを文字「c」を丸で囲んだ標識(標識c)で示す。
また図7から図10の図示右側の温度グラフに、上記した標識a、b、cを用いて、第1位置80a、第2位置80b、及び第3位置80cにおける相対的な温度関係を示す。また、温度グラフに示す「コーティング温度上下限域」は、膜質及び密着性に優れたコーティング膜を形成できる切削工具Wの温度範囲である。例えば、TiNコーティング膜の場合、500℃〜600℃の範囲である。
まず、図7(a)に示すように、前処理室11から搬入され、キャリア待機領域C1に停止されている搬送キャリア80が、成膜領域Dへ向かって搬送開始される。このとき、第1位置80a〜第3位置80cは均一な温度に維持されている。また、加熱領域H1のヒータ22A、22Bと、加熱領域H2のヒータ25A、25Bの動作が開始される。一方、成膜領域Dは動作停止状態である。
搬送開始後、搬送キャリア80が加熱領域H1に進入するまでは、図7(b)に示すように、搬送キャリア80の各位置の温度は変化しない。
搬送開始後、搬送キャリア80が加熱領域H1に進入するまでは、図7(b)に示すように、搬送キャリア80の各位置の温度は変化しない。
次に、図7(c)に示すように、搬送キャリア80が加熱領域H1に進入すると、ヒータ22A、22Bにより切削工具Wが加熱され、先頭側の第1位置80aの温度が上昇する。第1位置80aの切削工具Wは、第1位置80aが加熱領域H1を通過する間に、コーティング膜の形成に好適な温度域の少なくとも下限値以上の温度にまで加熱される。また、第1位置80aが加熱領域H1から抜け出る前に、成膜領域Dのアーク放電が開始され、成膜領域Dが成膜可能な状態となる。
さらに搬送キャリア80が搬送されると、図8(a)に示すように、第1位置80aが成膜領域Dに進入し、切削工具Wにコーティング膜が形成される。このとき、第2位置80bは加熱領域H1に進入しており、加熱領域H1を通過する間に、第2位置80bの切削工具Wも成膜に適した温度にまで加熱される。
次に、図8(b)に示すように、第2位置80bが成膜領域Dに進入し、第2位置80bの切削工具Wへの成膜が実施される。このとき、後尾側の第3位置80cは加熱領域H1に進入しており、加熱領域H1を通過する間に第3位置80cの切削工具Wも成膜に適した温度にまで加熱される。一方、搬送キャリア80の第1位置80aは、成膜領域Dを通過して加熱領域H2に進入している。このとき、加熱領域H2のヒータ25A、25Bも動作しているため、第1位置80aの温度は成膜に適した範囲内に維持される。
次に、図8(c)に示すように、第3位置80cが成膜領域Dに進入し、第3位置80cの切削工具Wへの成膜が実施される。第2位置80bは加熱領域H2において加熱されており、成膜に適した温度範囲に維持される。
一方、第1位置80aは加熱領域H2を通過してキャリア待機領域C2内に位置しているため、温度が低下する。
一方、第1位置80aは加熱領域H2を通過してキャリア待機領域C2内に位置しているため、温度が低下する。
次に、第3位置80cが成膜領域D内の所定位置に達した時点で、搬送キャリア80の搬送方向が反転される。すなわち、搬送キャリア80の搬送方向が、キャリア待機領域C2からキャリア待機領域C1へ向かう方向に変更される。このとき、加熱領域H1、H2及び成膜領域Dは停止されることなく動作状態を維持している。
なお、搬送キャリア80の進行方向の切り返しは、第3位置80cが成膜領域Dから抜け出た時点で行ってもよい。
なお、搬送キャリア80の進行方向の切り返しは、第3位置80cが成膜領域Dから抜け出た時点で行ってもよい。
搬送キャリア80の搬送方向が反転すると、引き続き、第3位置80cにおけるコーティング膜の形成がなされる。第3位置80cは、加熱領域H2の手前側で反転するため、ほとんど温度が変わらないうちに再び成膜領域Dに進入し、成膜に適した温度でさらに成膜される。またこのとき、第2位置80bは加熱領域H2で加熱されている。
次に、搬送キャリア80がキャリア待機領域C1側へ移動すると、図9(a)に示すように、第2位置80bが成膜領域Dに進入する。第2位置80bは加熱領域H2で加熱されているので、好適な温度条件でコーティング膜が形成される。このとき、第1位置80aは加熱領域H2に位置し、ヒータ25A、25Bによって加熱される。第1位置80aの温度は、図8(c)に示した時点では低下していたが、加熱領域H2で再加熱され、成膜に適した温度に復帰する。
次に、搬送キャリア80がさらにキャリア待機領域C1側へ移動し、図9(b)に示すように、第1位置80aが成膜領域Dに進入する。第1位置80aは加熱領域H2において加熱されているため、好適な温度条件でコーティング膜が形成される。このとき、第2位置80bは加熱領域H1に位置し、ヒータ22A、22Bによって加熱されている。一方、第3位置80cは加熱領域H1を抜け出してキャリア待機領域C1に位置しているため、温度が低下する。
次に、第1位置80aが成膜領域D内の所定位置に達した時点で、搬送キャリア80の搬送方向が反転される。すなわち、搬送キャリア80の搬送方向が、再び、キャリア待機領域C1からキャリア待機領域C2へ向かう方向となる。加熱領域H1、H2及び成膜領域Dは停止されることなく動作状態を維持している。
なお、搬送キャリア80の進行方向の切り返しは、第1位置80aが成膜領域Dから抜け出た時点で行ってもよい。
なお、搬送キャリア80の進行方向の切り返しは、第1位置80aが成膜領域Dから抜け出た時点で行ってもよい。
搬送キャリア80の搬送方向が反転すると、引き続き、第1位置80aにおけるコーティング膜の形成がなされる。第1位置80aは、加熱領域H1の手前側で反転するため、ほとんど温度が変わらないうちに再び成膜領域Dに進入し、成膜に適した温度でさらに成膜される。またこのとき、第2位置80bは加熱領域H1で加熱されている。
次に、搬送キャリア80がキャリア待機領域C2側へ移動すると、図9(c)に示すように、第2位置80bが成膜領域Dに進入する。第2位置80bは加熱領域H1で加熱されているので、好適な温度条件でコーティング膜が形成される。このとき、第3位置80cは加熱領域H1に位置し、ヒータ22A、22Bによって加熱される。第3位置80cの温度は、図9(b)に示した時点では低下していたが、加熱領域H1で再加熱され、成膜に適した温度に復帰する。
次に、搬送キャリア80がさらにキャリア待機領域C2側へ移動し、図10(a)に示すように、第3位置80cが成膜領域Dに進入する。第3位置80cは加熱領域H1において加熱されているため、好適な温度条件でコーティング膜が形成される。このとき、第2位置80bは加熱領域H2において加熱されているため、温度を維持している。一方、第1位置80aは加熱領域H2を抜け出してキャリア待機領域C2に位置しているため、温度が低下する。
次に、搬送キャリア80はキャリア待機領域C2へ搬送される。第2位置80b、第3位置80cは加熱領域H2を通過している間は温度を維持しているが、キャリア待機領域C2へ入ると温度が低下し始める。
以上の工程により、成膜室212におけるコーティング処理が終了する。コーティング処理の後、搬送キャリア80は後処理室13へ搬出され、冷却処理に供される。
本実施形態の場合、図8(c)及び図9(b)に示したように、搬送キャリア80の第2位置80bが加熱領域H2又は加熱領域H1内に位置し、搬送キャリア80の最後尾が成膜領域D内に位置する時点で進行方向を切り返す。そのため、図11に示すように、第2位置80b(標識b)の温度は、常に好適な温度範囲に維持される。一方、第1位置80aと第3位置80cは、成膜中に進行方向が反転する。そのため、コーティング処理全体で見ると、第1位置80a(標識a)及び第3位置80c(標識c)は成膜が2回となり、成膜が3回行われる第2位置80bよりも成膜回数が少なくなる。
そこで、図11に示すように、搬送キャリア80の進行方向の切返し時間を調整することで膜厚分布を調整することができる。具体的には、第1位置80a、第3位置80cの成膜期間中の切り返しにおいて、搬送キャリア80の停止時間を長くすることで、第1位置80a及び第3位置80cの成膜時間を長くする。あるいは、第2位置80bが成膜領域Dを通過する際の搬送キャリア80の搬送速度を上昇させ、第2位置80bの成膜時間を短くする。これらの操作によって、例えば第1位置80a及び第3位置80cの成膜時間を、第2位置80bの成膜時間の1.5倍とすれば、搬送キャリア80の全体にわたって均一な膜厚でコーティング膜を形成することができる。
なお、以上の説明では、搬送キャリア80を2回方向転換し、成膜領域Dを3回通過させる場合について説明したが、搬送キャリア80の往復移動は必要なだけ繰り返して実行することができる。
以上に詳細に説明したように、本実施形態の成膜装置200によれば、成膜室212において搬送キャリア80を往復移動させて成膜領域Dを複数回通過させることができる。これにより、所望の膜厚のコーティング膜を効率よく形成することができる。
また本実施形態では、成膜領域Dの両側に加熱領域H1、H2が配置されている。これにより、キャリア待機領域C1から成膜領域Dに進入する搬送キャリア80は加熱領域H1により加熱された直後にコーティング処理され、キャリア待機領域C2から成膜領域Dに進入する搬送キャリア80は加熱領域H2により加熱された直後にコーティング処理される。すなわち、成膜領域Dにおいてコーティング処理される切削工具Wを、常に好適な温度条件に保持することができる。したがって、本実施形態によれば、切削工具W上に優れた膜質のコーティング膜を連続して積層することができる。
本実施形態では、図8(c)に示した第1位置80a及び図9(c)に示した第3位置80cのように加熱領域H1、H2の外側に出て低下した温度を再上昇させることができ、積層構造のコーティング膜の各層を最適な温度条件で形成することができる。
これに対し、仮に加熱領域H1、H2が設けられていないとすると、成膜領域Dから外側に出た切削工具Wの温度は大きく低下してしまい、温度を再上昇させることはできない。そのため、次の成膜は必ず切削工具Wの温度が低下した状態で開始されることになる。そうすると、積層構造のコーティング膜中に、最適ではない温度条件で成膜された層が含まれることになる。
これに対し、仮に加熱領域H1、H2が設けられていないとすると、成膜領域Dから外側に出た切削工具Wの温度は大きく低下してしまい、温度を再上昇させることはできない。そのため、次の成膜は必ず切削工具Wの温度が低下した状態で開始されることになる。そうすると、積層構造のコーティング膜中に、最適ではない温度条件で成膜された層が含まれることになる。
また本実施形態では、加熱領域H1、H2の温度設定によって、成膜時の切削工具Wの温度を自在に制御することができる。
図4の「対照形態」に示したように、成膜室に加熱領域がない場合、切削工具Wを成膜領域Dに進入させると温度が急上昇し、ある温度域で上昇が緩やかになる。すなわち、バイアス電圧等の成膜条件によって切削工具Wの温度が決まってしまい、ほとんど制御することができない。
図4の「対照形態」に示したように、成膜室に加熱領域がない場合、切削工具Wを成膜領域Dに進入させると温度が急上昇し、ある温度域で上昇が緩やかになる。すなわち、バイアス電圧等の成膜条件によって切削工具Wの温度が決まってしまい、ほとんど制御することができない。
これに対して本実施形態では、成膜前に必ず加熱領域H1又は加熱領域H2を通過させるので、切削工具Wを所定の温度に調整した状態で成膜領域Dに進入させることができる。しかし、このように温度制御して成膜領域Dに進入させたとしても、成膜領域D内では切削工具Wの温度が上昇してしまう。そこで、搬送キャリア80の搬送速度を高め、切削工具Wの温度が過度に上昇しないうちに成膜領域Dを通過させるようにする。これにより、切削工具Wの温度を所定の範囲内に制御することができる。
このように、本実施形態によれば、バイアス電圧等の成膜条件を変更することなく、切削工具Wを任意の温度で成膜領域Dに通過させることができる。したがって、本実施形態によれば、コーティングする膜の種類に応じた適切な成膜条件、かつ温度条件でコーティング膜を積層することができる。
このように、本実施形態によれば、バイアス電圧等の成膜条件を変更することなく、切削工具Wを任意の温度で成膜領域Dに通過させることができる。したがって、本実施形態によれば、コーティングする膜の種類に応じた適切な成膜条件、かつ温度条件でコーティング膜を積層することができる。
(第3実施形態)
次に、第3実施形態に係る成膜装置について説明する。なお、第1実施形態又は第2実施形態と共通の構成については適宜説明を省略する。
次に、第3実施形態に係る成膜装置について説明する。なお、第1実施形態又は第2実施形態と共通の構成については適宜説明を省略する。
図12は、第3実施形態に係る成膜装置の内部構造を示す側面図である。図13は、第3実施形態に係る成膜装置の内部構造を示す上面図である。
本実施形態の成膜装置300は、その基本構成において第2実施形態の成膜装置200と共通し、2つの成膜領域D1、D2と、3つの加熱領域H1、H2、H3とを備える点において成膜装置200と異なる。
本実施形態の成膜装置300は、その基本構成において第2実施形態の成膜装置200と共通し、2つの成膜領域D1、D2と、3つの加熱領域H1、H2、H3とを備える点において成膜装置200と異なる。
図12及び図13に示すように、成膜装置300は、前処理室11と、成膜室312と、後処理室13とを備える。前処理室11と成膜室312とは真空弁52を介して連結され、成膜室312と後処理室13とは真空弁53を介して連結されている。前処理室11及び後処理室13の構成は第1実施形態と共通である。
成膜室312には、真空ポンプ15と、ガス源26と、バイアス電源17とが接続されている。成膜室312の内部には、キャリア待機領域C1と、加熱領域H1と、成膜領域D1と、加熱領域H2と、成膜領域D2と、加熱領域H3と、キャリア待機領域C2とが、キャリア搬送経路Tに沿ってこの順に配置されている。キャリア待機領域C1、C2、加熱領域H1、H2の構成は第2実施形態と共通である。また、成膜領域D1の構成は、第2実施形態の成膜領域Dと共通である。
本実施形態では、加熱領域H2のキャリア待機領域C2側に、成膜領域D2と加熱領域H3とが設けられている。
成膜領域D2は、基本構成において図1等に示した成膜領域Dと共通する。すなわち、成膜領域D2には4つのターゲットが配置されている。図12に示すように、鉛直方向(Z方向)に2枚のターゲット33A、34Aが並んで配置されている。図13に示すように、ターゲット33Aとキャリア搬送経路Tを挟んでX方向に対向する位置に、ターゲット33Bが配置されている。さらに、図示は省略しているが、ターゲット34Aと対向する位置にも同種のターゲットが配置されている。
成膜領域D2は、基本構成において図1等に示した成膜領域Dと共通する。すなわち、成膜領域D2には4つのターゲットが配置されている。図12に示すように、鉛直方向(Z方向)に2枚のターゲット33A、34Aが並んで配置されている。図13に示すように、ターゲット33Aとキャリア搬送経路Tを挟んでX方向に対向する位置に、ターゲット33Bが配置されている。さらに、図示は省略しているが、ターゲット34Aと対向する位置にも同種のターゲットが配置されている。
成膜領域D2には、さらに、ターゲット(33A、33B、34A)にアーク放電電力を供給する図示略のアーク電源が設けられている。バイアス電源17は、搬送キャリア80が少なくとも成膜領域D1、D2に位置するときに、搬送キャリア80を介して切削工具Wにバイアス電圧を印加する。
加熱領域H3は、成膜領域D2に対してキャリア待機領域C2側(図示+Y方向側)に設けられている。加熱領域H3には、ヒータ(加熱装置)35A、及びヒータ(加熱装置)35Bが設けられている。ヒータ35A、35Bはキャリア搬送経路Tを挟むように対向配置されている。ヒータ35A、35Bは、キャリア待機領域C2から成膜領域D2へ搬送される搬送キャリア80を加熱する。
加熱領域H3は、搬送中の搬送キャリア80を加熱する。そのため、ヒータ35A、35Bのキャリア搬送方向(Y方向)の幅は、搬送キャリア80の長さ(Y方向長さ)よりも短い。一方、ヒータ35Aの高さ(Z方向長さ)は、搬送キャリア80の切削工具Wが保持された領域と同程度の高さである。
以上の構成を備えた本実施形態の成膜装置300では、2つの成膜領域D1、D2が設けられていることで、切削工具W上に異なる種類のコーティング膜を積層することができる。また、第2実施形態の成膜装置200と同様に、キャリア待機領域C1とキャリア待機領域C2との間で搬送キャリア80を往復移動させて成膜領域D1又はD2を通過させることで、搬送キャリア80上の切削工具Wに対して連続的にコーティング膜を成膜することができる。
例えば、切削工具W上に、互いに異なる組成の第1のコーティング膜と第2のコーティング膜を形成する場合、以下のような成膜方法により形成することができる。
まず、第1のコーティング膜は、成膜領域D1を用いて形成する。この場合、加熱領域H1、H2と、成膜領域D1を動作状態とし、加熱領域H3と成膜領域D2は停止状態とする。そして、搬送キャリア80を、加熱領域H1から加熱領域H2までの領域を含む範囲で往復移動させ、成膜領域D1を複数回通過させることで、第1のコーティング膜を形成する。
続いて、成膜領域D2を用いて、第1のコーティング膜上に第2のコーティング膜を形成する。この場合、加熱領域H2、H3と、成膜領域D2を動作状態とし、加熱領域H1と成膜領域D1は停止状態とする。そして、搬送キャリア80を、加熱領域H2から加熱領域H3までを含む範囲で往復移動させ、成膜領域D2を複数回通過させることで、第2のコーティング膜を形成する。
以上のようにして、1つの成膜室312を用いて、切削工具W上に複数の異なる種類のコーティング膜を積層することができる。本実施形態の場合、切削工具Wを大気中に取り出すことなく複数種のコーティング膜を積層することができるので、コーティング処理を効率よく行うことができるとともに、層間の密着性にも優れたコーティング膜を得ることができる。
なお、成膜領域D1、D2の温度を変える目的で、加熱領域H1、H2の設定温度、及び、加熱領域H2、H3の設定温度をそれぞれ設定してもよい。これにより、成膜領域D1における成膜温度と、成膜領域D2における成膜温度をそれぞれ最適条件に設定することができ、膜質に優れた積層構造のコーティング膜を得ることができる。
なお、成膜領域D1、D2の温度を変える目的で、加熱領域H1、H2の設定温度、及び、加熱領域H2、H3の設定温度をそれぞれ設定してもよい。これにより、成膜領域D1における成膜温度と、成膜領域D2における成膜温度をそれぞれ最適条件に設定することができ、膜質に優れた積層構造のコーティング膜を得ることができる。
また、成膜装置300において、成膜領域D1、D2で同一組成のコーティング膜を形成するようにしてもよい。
また、成膜領域D1、D2の一方を、切削工具Wに高速の金属イオンを衝突させ、表面の酸化物除去を行うボンバード領域として用いてもよい。通常、ボンバード処理とコーティング処理は、圧力、バイアスなどの条件が異なるため、別室で行われる。本実施形態の場合、加熱領域H1〜H3を設けたことで、成膜初期から最適な温度条件でコーティング膜を形成することができる。そのため、ボンバード処理をコーティング処理と同じ成膜室312内で行ったとしても、密着性や膜質を低下させることなく、コーティング膜を形成することができる。したがって、本実施形態によれば、ボンバード室を設ける場合と比較して成膜装置を短くすることができる。
また、成膜領域D1、D2の一方を、切削工具Wに高速の金属イオンを衝突させ、表面の酸化物除去を行うボンバード領域として用いてもよい。通常、ボンバード処理とコーティング処理は、圧力、バイアスなどの条件が異なるため、別室で行われる。本実施形態の場合、加熱領域H1〜H3を設けたことで、成膜初期から最適な温度条件でコーティング膜を形成することができる。そのため、ボンバード処理をコーティング処理と同じ成膜室312内で行ったとしても、密着性や膜質を低下させることなく、コーティング膜を形成することができる。したがって、本実施形態によれば、ボンバード室を設ける場合と比較して成膜装置を短くすることができる。
(第4実施形態)
次に、第4実施形態に係る成膜装置について説明する。
第4実施形態は、第3実施形態の変形例であり、第3実施形態と共通の構成については適宜説明を省略する。
次に、第4実施形態に係る成膜装置について説明する。
第4実施形態は、第3実施形態の変形例であり、第3実施形態と共通の構成については適宜説明を省略する。
図14は、第4実施形態に係る成膜装置の内部構造を示す側面図である。図15は、第4実施形態に係る成膜装置の内部構造を示す上面図である。
本実施形態の成膜装置400は、第3実施形態の成膜装置300から加熱領域H2を省略し、成膜領域D1、D2の間隔を狭めた形態である。
本実施形態の成膜装置400は、第3実施形態の成膜装置300から加熱領域H2を省略し、成膜領域D1、D2の間隔を狭めた形態である。
図14及び図15に示すように、成膜装置300は、前処理室11と、成膜室412と、後処理室13とを備える。前処理室11と成膜室312とは真空弁52を介して連結され、成膜室312と後処理室13とは真空弁53を介して連結されている。前処理室11及び後処理室13の構成は第1実施形態と共通である。
成膜室412には、真空ポンプ15と、ガス源26と、バイアス電源17とが接続されている。成膜室312の内部には、キャリア待機領域C1と、加熱領域H1と、成膜領域D1と、成膜領域D2と、加熱領域H3と、キャリア待機領域C2とが、キャリア搬送経路Tに沿ってこの順に配置されている。キャリア待機領域C1、C2、成膜領域D1、D2、加熱領域H1、H3の構成はいずれも第3実施形態と共通である。
本実施形態の成膜装置400においても、切削工具W上に異なる種類のコーティング膜を積層形成することができる。例えば、第1のコーティング膜と第2のコーティング膜からなる積層膜を形成する場合、第1のコーティング膜は加熱領域H1、H3と成膜領域D1を用いて形成し、第2のコーティング膜は加熱領域H1、H3と成膜領域D2を用いて形成する。また、第3実施形態と同様に、成膜領域D1、D2の一方をボンバード領域として用いてもよい。
本実施形態の成膜装置400では、加熱領域H2が省略されていることで、第3実施形態の成膜装置300と比較して、成膜室412の長さを短くすることができ、成膜装置の小型化を図ることができる。2つの加熱領域H1、H3の間に配置する成膜領域は、全体として搬送キャリア80の幅(Y方向長さ)と同等またはそれ以下の長さに抑えることが好ましい。これにより、最適な温度条件を維持した状態でコーティング膜を形成することが容易になる。
また本実施形態において、2つの加熱領域H1、H3の間には3つ以上の成膜領域を設けてもよい。ただし、加熱領域H1、H3の間に長大な成膜領域を配置した場合、加熱領域H1、H3で加熱されてから成膜されるまでの間に温度が低下したり、バイアスによって温度が上昇して最適な温度条件から外れやすくなる。したがって、2つの加熱領域の間に配置する成膜領域の数は3つ以下とすることが好ましく、2つ以下とすることがより好ましい。
また本実施形態において、2つの加熱領域H1、H3の間には3つ以上の成膜領域を設けてもよい。ただし、加熱領域H1、H3の間に長大な成膜領域を配置した場合、加熱領域H1、H3で加熱されてから成膜されるまでの間に温度が低下したり、バイアスによって温度が上昇して最適な温度条件から外れやすくなる。したがって、2つの加熱領域の間に配置する成膜領域の数は3つ以下とすることが好ましく、2つ以下とすることがより好ましい。
(変形例)
図16(a)は第1の変形例に係る成膜装置を示す概略図である。
図16(a)に示す成膜装置301は、第3実施形態の成膜装置300において、加熱領域と成膜領域の配置形態を変更した構成である。図16(a)では説明に不要な構成部品を適宜省略して示している。
成膜装置301では、加熱領域H2と加熱領域H3の間に、第4実施形態のように複数の成膜領域D2、D3が配置されている。この場合において、成膜領域D1〜D3のうちの1つをボンバード領域として用いてもよい。
図16(a)は第1の変形例に係る成膜装置を示す概略図である。
図16(a)に示す成膜装置301は、第3実施形態の成膜装置300において、加熱領域と成膜領域の配置形態を変更した構成である。図16(a)では説明に不要な構成部品を適宜省略して示している。
成膜装置301では、加熱領域H2と加熱領域H3の間に、第4実施形態のように複数の成膜領域D2、D3が配置されている。この場合において、成膜領域D1〜D3のうちの1つをボンバード領域として用いてもよい。
図16(b)は第2の変形例に係る成膜装置を示す概略図である。
図16(b)に示す成膜装置302は、第3実施形態の成膜装置300において、加熱領域と成膜領域の配置形態を変更した構成である。図16(b)においても説明に不要な構成部品を適宜省略して示している。
成膜装置302では、4つの加熱領域H1〜H4と、4つの成膜領域D1〜D4を有する。加熱領域H1と加熱領域H2の間に成膜領域D1が配置されている。加熱領域H2と加熱領域H3の間に成膜領域D2、D3が配置されている。加熱領域H3と加熱領域H4との間に成膜領域D4が配置されている。この場合においても、成膜領域D1〜D4のうちの1つをボンバード領域として用いてもよい。
図16(b)に示す成膜装置302は、第3実施形態の成膜装置300において、加熱領域と成膜領域の配置形態を変更した構成である。図16(b)においても説明に不要な構成部品を適宜省略して示している。
成膜装置302では、4つの加熱領域H1〜H4と、4つの成膜領域D1〜D4を有する。加熱領域H1と加熱領域H2の間に成膜領域D1が配置されている。加熱領域H2と加熱領域H3の間に成膜領域D2、D3が配置されている。加熱領域H3と加熱領域H4との間に成膜領域D4が配置されている。この場合においても、成膜領域D1〜D4のうちの1つをボンバード領域として用いてもよい。
第2の変形例において、2つの加熱領域に挟まれた成膜領域は、その成膜領域全体の長さを搬送キャリア80の幅(Y方向長さ)と同等又はそれ以下の長さとすることが好ましい。具体的には、図16(b)に示す2つの加熱領域H2、H3に挟まれた成膜領域D2、D3について、成膜領域D2、D3を合計した長さ(キャリア搬送方向における全体長さ)を、搬送キャリア80の幅と同等又はそれ以下の長さとすることが好ましい。
また第2の変形例において、近接する2つの加熱領域(例えば加熱領域H2、H3)の間に、3つ以上の成膜領域を配置してもよい。しかし、加熱領域同士の距離が長くなると切削工具Wの温度制御が難しくなるため、2つの加熱領域の間に配置する成膜領域の数は3つ以下とすることが好ましく、2つ以下とすることがより好ましい。
また第2の変形例において、近接する2つの加熱領域(例えば加熱領域H2、H3)の間に、3つ以上の成膜領域を配置してもよい。しかし、加熱領域同士の距離が長くなると切削工具Wの温度制御が難しくなるため、2つの加熱領域の間に配置する成膜領域の数は3つ以下とすることが好ましく、2つ以下とすることがより好ましい。
D,D1,D2…成膜領域、H,H1,H2,H3…加熱領域、W…切削工具、11…前処理室、12,212,312,412…成膜室、13…後処理室、22A,22B,25A,25B,35A,35B…ヒータ(加熱装置)、23A,23B,24A,33A,33B,34A…ターゲット、31〜33…ローラコンベア(搬送装置)、52,53…真空弁、80…搬送キャリア、100,200,300,400…成膜装置
本発明の第1の態様によれば、切削工具にコーティング膜を形成する成膜室と、前記成膜室に真空弁を介してそれぞれ連結された前処理室及び後処理室と、前記前処理室から前記成膜室を経由して前記後処理室へ前記切削工具を搬送する搬送経路とを備え、前記切削工具を支持する複数のロッドが搬送方向に沿って起立姿勢で配置された搬送キャリアを用いるインライン式の成膜装置であって、前記成膜室は、前記切削工具に前記コーティング膜を形成する成膜領域と、前記搬送キャリアを前記搬送経路に沿って搬送しつつ前記成膜領域を通過させる搬送装置と、前記成膜領域に対してキャリア搬送方向に隣り合って配置され前記切削工具を前記成膜領域に進入する前に加熱する加熱領域と、前記成膜領域と少なくとも一方の前記真空弁との間に前記搬送キャリアを収容するキャリア待機領域と、を備える、コーティング膜付き切削工具の成膜装置が提供される。
Claims (16)
- 切削工具にコーティング膜を形成する成膜室と、前記成膜室に真空弁を介してそれぞれ連結された前処理室及び後処理室と、前記前処理室から前記成膜室を経由して前記後処理室へ前記切削工具を搬送する搬送経路とを備え、前記切削工具を支持する複数のロッドが搬送方向に沿って起立姿勢で配置された搬送キャリアを用いるインライン式の成膜装置であって、
前記成膜室は、前記切削工具に前記コーティング膜を形成する成膜領域と、前記搬送キャリアを前記搬送経路に沿って搬送しつつ前記成膜領域を通過させる搬送装置と、前記成膜領域に対してキャリア搬送方向に隣り合って配置され前記切削工具を加熱する加熱領域と、前記成膜領域と少なくとも一方の前記真空弁との間に前記搬送キャリアを収容するキャリア待機領域と、を備える、コーティング膜付き切削工具の成膜装置。 - 前記成膜領域には前記搬送キャリアの搬送経路を挟むように複数のターゲットが設けられ、
前記加熱領域には前記搬送キャリアの搬送経路を挟むように複数の加熱装置が設けられている、請求項1に記載のコーティング膜付き切削工具の成膜装置。 - 前記キャリア搬送方向における前記成膜領域の両側に、それぞれ前記加熱領域が設けられている、請求項1又は2に記載のコーティング膜付き切削工具の成膜装置。
- 前記キャリア搬送方向に沿って、複数の前記成膜領域が設けられている、請求項1又は2に記載のコーティング膜付き切削工具の成膜装置。
- 前記複数の成膜領域の前記キャリア搬送方向の両側に、それぞれ前記加熱領域が設けられている、請求項4に記載のコーティング膜付き切削工具の成膜装置。
- 前記キャリア搬送方向に沿って、複数の前記加熱領域と複数の前記成膜領域とが交互に配置され、前記キャリア搬送方向における前記成膜領域の両側にそれぞれ前記加熱領域が設けられている、請求項4に記載のコーティング膜付き切削工具の成膜装置。
- 一又は複数の前記成膜領域の両側に設けられた2つの加熱領域間の長さが、前記搬送キャリアの前記搬送方向の長さよりも小さい、請求項3、請求項5又は6に記載のコーティング膜付き切削工具の成膜装置。
- 前記搬送キャリアに前記切削工具を回転させる回転機構が設けられている、請求項1から7のいずれか1項に記載のコーティング膜付き切削工具の成膜装置。
- 前記加熱領域と少なくとも一方の前記真空弁との間に前記搬送キャリアを収容するキャリア待機領域が設けられている、請求項1から8のいずれか1項に記載のコーティング膜付き切削工具の成膜装置。
- 前記加熱領域の前記搬送方向の幅は、前記搬送キャリアの前記搬送方向の長さよりも小さい、請求項1から9のいずれか1項に記載のコーティング膜付き切削工具の成膜装置。
- 切削工具にコーティング膜を形成する成膜室と、前記成膜室に真空弁を介してそれぞれ連結された前処理室及び後処理室と、前記前処理室から前記成膜室を経由して前記後処理室へ前記切削工具を搬送する搬送経路とを備え、前記切削工具を支持する複数のロッドが搬送方向に沿って起立姿勢で配置された搬送キャリアを用いるインライン式の成膜装置を用いて前記切削工具の表面にコーティング膜を形成する成膜方法であって、
前記切削工具を搬送キャリアに搭載することと、
前記成膜室に前記搬送キャリアを搬入することと、
前記成膜室内で前記搬送キャリアを前記搬送経路に沿って搬送しつつ、前記切削工具を加熱する加熱領域と、前記コーティング膜を形成する成膜領域と、を順次通過させることと、
を含む切削工具用コーティング膜の成膜方法。 - 前記加熱領域において前記搬送経路を挟んだ両側から前記切削工具を加熱し、前記成膜領域において前記搬送経路を挟んだ両側から前記コーティング膜を成膜する、請求項11に記載の切削工具用コーティング膜の成膜方法。
- 前記成膜領域に対して前記搬送キャリアの搬送方向の両側にそれぞれ前記加熱領域を配置し、複数の前記加熱領域と前記成膜領域とを含む領域に対して前記搬送キャリアを往復移動させることで前記切削工具上に複数層のコーティング膜を形成する、請求項11又は12に記載の切削工具用コーティング膜の成膜方法。
- 前記搬送キャリアの搬送方向に沿って複数の前記成膜領域を配置し、前記搬送キャリアを複数の前記成膜領域に順次通過させることで、前記切削工具上に複数層の前記コーティング膜を形成する、請求項11又は12に記載の切削工具用コーティング膜の成膜方法。
- 前記搬送キャリアの搬送方向に沿って複数の前記加熱領域と複数の前記成膜領域を交互に通過させる、請求項14に記載の切削工具用コーティング膜の成膜方法。
- 前記搬送キャリア上で前記切削工具を回転させながら前記コーティング膜を成膜する、請求項8から15のいずれか1項に記載の切削工具用コーティング膜の成膜方法。
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