JP2015534283A5

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Publication number: JP2015534283A5
Application number: JP2015539628A
Authority: JP
Filing date: 2013-10-08
Publication date: 2016-12-01
Anticipated expiration: 2033-10-08

Description

幾つかの実施形態において、基板を処理するための装置は、処理チャンバの中の所望の位置で基板の処理表面を支持するためにその中に配置された基板支持体を有する処理チャンバと、第一の方向に第一のプロセスガスを基板の処理表面上に供給するための第一の注入装置と、第一の方向とは異なる第二の方向に第二のプロセスガスを基板の処理表面上に供給するための第二の注入装置であって、第二のプロセスガスのガス流速度、ガス流形状及びガス流方向のうちの少なくとも一つを調節する一つ又は複数のノズルを含む第二のガス注入装置と、第一のプロセスガス及び第二のプロセスガスを処理チャンバから排気するために第一の注入装置の向かい側に配置された排気口とを含みうる。

図３Ｃに示されるように、幾つかの実施形態では、第一の注入装置１８０は、プレナム３０４、３０６、３０８の中の圧力を上昇させ、第二の組の噴出口３０４、３０６、３０８を通る均一なガスの流出を容易にする流れの絞りを有利に提供するリップ３２０を含みうる。狭く閉ざされたプレナムの使用により基板の表面を横切ってプロセスガスの加圧された層状ガス流を供給することにより、基板を横切る濃度勾配がなめらかにされ、チャンバの中の流れの均一性を高めるであろう。幾つかの実施形態では、第二の組の噴出口３１４、３１６、３１８を通るプロセスガスの流量は、吸入口１１４を経由してガスを供給する質量流量コントローラにより制御されうる。しかしながら、幾つかの実施形態では、第二の組の噴出口３０４、３０６、３０８のうちの一つ又は複数について、ガス流速度を増加させるであろう、より小さい出口面積を作るために、リップ３２０を増やすことができる。幾つかの実施形態では、噴出口３０４、３０６、３０８を出るプロセスガスからの体積流量は、１口当たり約１．０ｓｌｍ〜約３．０ｓｌｍでありうる。

５０８で、層６００（図６に示される）が、少なくとも部分的に第一のプロセスガスと第二のプロセスガスの流れの相互作用から、基板１２３の上に堆積される。いくつかの実施形態では、層６００が、約１から約１０，０００ナノメートルの間の厚さを有しうる。いくつかの実施形態では、層６００は、シリコンとゲルマニウムを含む。層６００の中のゲルマニウムの濃度は、約５から約１００原子百分率（すなわち、ゲルマニウムのみ）の間でありうる。一つの特定の実施形態において、層６００は、約２５から約４５原子百分率の間のゲルマニウム濃度を有するシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層である。

Claims

処理チャンバの中で使用するためのガス注入装置であって、
一つの平面状表面に対して一つの角度で第一のプロセスガスの角度の付いた注入を供給する噴出口の第一の組と、
前記噴出口の第一の組に近接し、第二のプロセスガスの加圧された層流を実質的に前記平面状表面に沿って供給する噴出口の第二の組とを備え、前記平面状表面は、前記噴出口の第二の組に対して垂直に広がる、ガス注入装置。
前記第一のプロセスガスと前記第二のプロセスガスが、同じガス種である、請求項１に記載のガス注入装置。
前記第一のプロセスガスと前記第二のプロセスガスが、異なるガス種である、請求項１に記載のガス注入装置。
前記噴出口の第一の組が、前記噴出口の第二の組とは異なる、前記ガス注入装置の垂直高さに配置される、請求項１に記載のガス注入装置。
前記噴出口の第一の組と前記噴出口の第二の組が、前記ガス注入装置の同じ同一平面上の高さに配置される、請求項１に記載のガス注入装置。
前記噴出口の第二の組の中の各噴出口が、プレナムゾーンを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のガス注入装置。
プレナムゾーンの各々の出口領域が、前記第二のプロセスガスの圧力と流れの均一性を増加させるリップによって部分的にふさがれる、請求項６に記載のガス注入装置。
前記噴出口の第一の組が、前記第一のプロセスガスを前記平面状表面の方に高い流速で供給する複数の孔からなる、請求項１から５のいずれか一項に記載のガス注入装置。
基板を処理するための装置であって、
処理チャンバの中で所望の位置に基板の処理表面を支持するためにその中に配置された基板支持体を有する処理チャンバと、
前記基板の前記処理表面上に第一の方向に第一のプロセスガスを供給するための第一の注入装置と、
前記第一の方向とは異なる第二の方向に前記基板の前記処理表面上に第二のプロセスガスを供給するための第二の注入装置であって、第二のプロセスガスのガス流速度、ガス流形状及びガス流方向のうちの少なくとも一つを調節する一つ又は複数のノズルを含む第二の注入装置と、
前記第一のプロセスガスと前記第二のプロセスガスを前記処理チャンバから排気するための、前記第一の注入装置の向かい側に配置された排気口とを備える、装置。
前記一つ又は複数のノズルは調節可能なノズルであり、前記装置は、前記一つ若しくは複数の調節可能なノズルの前記基板に対する角度又は前記一つ若しくは複数の調節可能なノズルの断面形状のうちの少なくとも一つを調節する、一つ又は複数の制御可能なノブを更に含む、請求項９に記載の装置。
前記一つ又は複数の調節可能なノズルの断面形状は、前記基板上の特定の半径ゾーンをターゲットに定めるように最適化される、請求項１０に記載の装置。
前記一つ又は複数の調節可能なノズルの角度は、前記基板上の特定の半径ゾーンをターゲットに定めるように最適化される、請求項１０又は１１に記載の装置。
前記第二の注入装置は、一つの調節可能なスロットノズルを含む、請求項１２に記載の装置。
前記一つの調節可能なスロットノズルは、前記基板支持体の中心軸に関して前記第一の方向と前記第二の方向の間で測定される、約１４５度までの方位角で、第二のガスを供給する、請求項１３に記載の装置。
前記第二の注入装置は、複数の調節可能なノズルを含み、前記複数の調節可能なノズルの中の第一の調節可能なノズルと第二の調節可能なノズルの各々が、前記一つ又は複数の制御可能なノブにより別々に制御可能であり、前記第一の調節可能なノズルは、前記第二の調節可能なノズルとは異なる角度で前記第二のプロセスガスを供給する、請求項１３に記載の装置。