CN104756231B - 具有可定制的流动注入的外延腔室 - Google Patents
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Abstract
提供用于在处理腔室中处理基板的设备。在一些实施方式中，用于处理腔室中的气体注射器包括第一组出口，该第一组出口以一角度提供第一工艺气体的有角注射至平面表面；和邻接该第一组出口的第二组出口，该第二组出口大致上沿着该平面表面提供第二工艺气体的加压层流，该平面表面正交于该第二组出口延伸。
Description
领域
本发明的实施方式一般涉及用以处理基板的方法和设备。
背景
在某些工艺中，例如在基板上的外延层沉积，可以使工艺气体以相同的方向横向流过基板表面。例如，可以使一或多种工艺气体在位于处理腔室的相对端上的入口和排气口之间流过基板表面，以在基板表面顶部上生长外延层。
在某些外延沉积腔室中，可以在与主气流路径垂直的方向上引入附加的侧流，以对工艺提供附加的控制。然而，本发明人已经观察到的是，对于附加侧流的调整能力是受到限制的，而且附加侧流在基板上的有效面积往往会被局部限制于注入喷嘴附近。
此外，发明人已经观察到，在主气流路径的注入喷嘴的流动扩张会导致一些气体向上扩展，并使所述气体一进入腔室即远离晶片。因此，目前的处理设备和方法可能无法产出具有适当材料品质的沉积膜，该适当材料品质例如低的缺陷密度、组成控制、高纯度、形态、晶片内均匀性和/或运转重现性。
因此，本发明人提供了用于处理基板的改良方法和设备。
概述
提供用于在处理腔室中处理基板的设备。在一些实施方式中，用于处理腔室中的气体注射器包括第一组出口，该第一组出口以一角度提供第一工艺气体的有角注射至平面表面；和邻接该第一组出口的第二组出口，该第二组出口大致上沿着该平面表面提供第二工艺气体的加压层流，该平面表面正交于该第二组出口延伸。
在一些实施方式中，一种用于处理基板并且其中配置气体注射器的处理腔室可以包括位在其中的基板支座，以在该处理腔室内在所需位置支撑基板，使得该基板的处理表面形成平面表面；用以在第二方向上在该基板的该处理表面上方提供第三工艺气体的第二气体注射器，该第二方向与该气体注射器提供的气流不同，其中该第二气体注射器包括一或多个喷嘴，该一或多个喷嘴调整该第三工艺气体的气流速度、气流形状和气流方向中的至少一者；和与该气体注射器相对的排气口，以从该处理腔室排出该第一、第二及第三工艺气体。
在一些实施方式中，一种用于处理基板的设备可以包括其中具有基板支座的处理腔室，以在该处理腔室内在所需位置支撑基板的处理表面；在第一方向上在该基板的该处理表面上方提供第一工艺气体的第一注射器；在第二方向上在该基板的该处理表面上方提供第二工艺气体的第二注射器，该第二方向与该第一方向不同，其中该第二注射器包括一或多个喷嘴，该一或多个喷嘴调整该第二工艺气体的气流速度、气流形状和气流方向中的至少一者；和与该第一注射器相对的排气口，以从该处理腔室排出该第一和第二工艺气体。
以下描述本发明的其他的及进一步的实施方式。
附图简要说明
可以参照本发明绘示于附图中的说明性实施方式来了解以上简单概述和以下更详细讨论的本发明实施方式。然而应注意的是，附图说明的只是本发明的典型实施方式，因此不应将附图视为是对本发明范围作限制，因本发明可认可其他同等有效的实施方式。
图1绘示依据本发明的一些实施方式的处理腔室的示意侧视图。
图2绘示依据本发明的一些实施方式的处理腔室的示意顶视图。
图3A绘示依据本发明的一些实施方式的注射器的等角视图。
图3B绘示依据本发明的一些实施方式的注射器的示意性截面顶视图。
图3C绘示依据本发明的一些实施方式的注射器的另一等角视图。
图3D绘示依据本发明的一些实施方式的注射器的示意性截面前视图。
图4A和图4B绘示依据本发明的一些实施方式在基板表面上方来自注射器的气体分布的示意性顶视图。
图5绘示依据本发明的一些实施方式用于在基板上沉积层的方法的流程图。
图6绘示依据图5中绘示的方法沉积在基板上的层。
为了便于理解，已在可能处使用相同的标号来指称对于附图为相同的元件。未依比例绘制附图，而且为了清楚的目的可以简化附图。构思的是，可以将一个实施方式的元件和特征有益地并入其他的实施方式中而无需进一步详述。
具体描述
本文中公开用于在基板上沉积层的方法和设备。本发明人已观察到，在传统工艺的过程中生长在基板表面上的外延层中存在不理想的厚度和/或组成不均匀性。本发明人进一步观察到的是，在厚度和组成中的这种不均匀性在较小临界尺寸和/或较高组成负载程度(即当在基板上生长种类繁多的外延层时)下甚至可能会变得更加不理想。本文所公开的发明方法和设备的实施方式可以通过在用于沉积的工艺气体之间产生流动相互作用而有利地克服在沉积层中的厚度和/或组成不均匀性。在一些实施方式中，边缘和整个基板表面的均匀性可以通过在与主气流路径垂直的方向上引入附加的气体侧流以及通过使用可调整的注射喷嘴来改变气体速度、气体分布区域和气流方向而改善。
另外，本发明人已经观察到的是，通过改变初始速度、质量流动速率和/或主气流喷流的质量，可以调整基板上的反应位置和沉积速率。例如，朝向基板表面有角注射第二工艺气体同时在基板的整个表面提供第一工艺气体有利地增加了第二气体物种向下的动量，从而改善第一和第二工艺气体物种之间的混合。此外，通过使用受限的气室在基板的整个表面提供第一工艺气体的加压气体层流将可使整个基板的浓度梯度平滑，从而提高腔室中的流动均匀性。
图1绘示依据本发明的一些实施方式的处理腔室100的示意性侧视图。处理腔室100可以修改自市售的处理腔室，例如可向美国加州圣克拉拉市的应用材料公司(AppliedMaterials,Inc.of Santa Clara,California)购得的RP
反应器，或是任何适用于进行外延硅沉积工艺的适当半导体处理腔室。处理腔室100可以如以上所讨论的适用于进行外延硅沉积工艺，并说明性地包含腔室主体110、供应一或多种气体到第一注射器180的第一入口114、第二注射器170、和位于基板支座124的第二侧129的排气口118。排气口118可以包括粘着减少衬垫117。第一注射器180和排气口118位在基板支座124的相对侧上。第二注射器170相对于第一注射器180配置，以提供与由第一注射器180提供的第一工艺气体成一角度的第二工艺气体。可以由多达约145度的方位角202将第二注射器170和第一注射器180分隔在腔室的任一侧上，以下关于图2描述，图2图示处理腔室100的顶视图。处理腔室100还包括支持系统130和控制器140，以下将更详细地讨论。
腔室主体110通常包括上部102、下部104和外壳120。上部102位在下部104上并且包括盖体106、衬垫116、一或多个可选的上灯136和上高温计156。在一个实施方式中，盖体106具有类似圆顶的形状因子，然而，也可以考虑具有其他形状因子的盖体(例如平的或反向曲线的盖体)。下部104被耦接到第一入口114、第一注射器180、第二注射器170和排气口118，并包括底板组件121、下腔室衬垫131、下圆顶132、基板支座124、预热环支座122、由预热环支座122支撑的预热环125、基板升降组件160、基板支撑组件164、包括一或多个下灯152和154的加热系统151和下高温计158。虽然用语“环”是用来描述处理腔室的某些部件，例如预热环支座122和预热环125，但构思的是这些部件的形状并不需要是圆形的，而且还可以包括任何的形状，包括但不限于矩形、多边形、椭圆形及类似者。
图2绘示腔室100的示意性顶视图。如图所示，第一注射器180、第二注射器170和排气口118位在基板支座124附近。排气口118可以位在基板支座124与第一注射器180的相对侧上(例如排气口118和第一注射器180通常是彼此对齐的)。第二注射器170可以位在基板支座124附近，而且在一些实施方式中(如图所示)，第二注射器170既不与排气口118相对也不与第一注射器180相对。然而，在图2中第一和第二注射器180、170的位置只是示例性的，而且其他在基板支座124附近的位置也是可能的。
第一注射器180配置为在第一方向208上在基板123的处理表面上方提供第一工艺气体。本文中使用的用语工艺气体指单一气体和多种气体的混合物两者。同样地，可以将本文中使用的用语“方向”了解为意指工艺气体离开注射器口的方向。在一些实施方式中，第一方向208通常指向相对的排气口118。
第一注射器180可以包含单一出口，其中第一工艺气体穿过该出口而被提供(未图示)，或者第一注射器180可以包含一或多组出口214，其中每一组出口214可以包括一或多个出口210。在一些实施方式中，每一组出口214可以包括约1至15个出口210，但也可以设置更多的出口(例如一个或更多个)。第一注射器180可以提供第一工艺气体，该第一工艺气体可以例如是几种工艺气体的混合物。或者，在第一注射器180中的第一组出口214可以提供与至少一其他组出口214不同的一或多种工艺气体。在一些实施方式中，工艺气体可以在第一注射器180的气室内大体上均匀地混合，以形成第一工艺气体。在一些实施方式中，在离开第一注射器180之后，工艺气体通常可以不混合在一起，使得第一工艺气体具有目的性的、非均匀的组成。可以在一或多组出口214中的每个出口210独立地控制流动速率、工艺气体组成及类似者。在一些实施方式中，在处理过程中一些出口210可以处在例如闲置或脉冲的状态，以实现所需的、与第二注射器170提供的第二工艺气体的流动相互作用，如下面所讨论的。另外，在第一注射器180包含单一出口的实施方式中，为了与以上所讨论的类似的论据，该单一出口可以是脉冲的。
图3A绘示依据本发明的一些实施方式的示例性第一注射器180的等角视图。第一注射器180可以包括第一组出口302和第二组出口304、306、308。如图3B中所示，图3B绘示注射器180的示意性截面顶视图，第二组出口304、306、308中的每个出口可以包括气室区314、316、318，用以在离开出口304、306、308之前混合工艺气体。可以由壁310分隔每个第二组出口304、306、308和气室区314、316、318，以保持气室区314、316、318之间的工艺气体不混合。每个气室区之间的壁310还提供控制由每个出口/气室提供多少工艺气体的能力，以便更精细地控制气体组成的均匀性，并因此更精细地控制基板均匀性(例如基板上的沉积膜均匀性)。在一些实施方式中，工艺气体可以经由气体入口312从入口114进入每个气室区314、316、318。第二组出口304、306、308大致上平行于基板表面并在整个基板表面上喷射工艺气体。
在一些实施方式中，如图3C所示，第一组出口302配置为提供第一工艺气体322的有角注射324，第一工艺气体322由管道350从入口114朝向基板表面提供。本发明人已经观察到，朝向基板表面有角注射第二工艺气体同时在整个基板表面上提供第一工艺气体(例如经由出口304、306、308)有利地增加了第二气体物种向下的动量，从而改善第一和第二工艺气体物种之间的混合。来自出口302的工艺气体的方向的角度336可以与垂直成约70度至约90度。在一些实施方式中，第一组出口302配置为提供高的工艺气体流动速度和/或质量流动速率。来自离开出口302的工艺气体的体积流动速率可以为每个口约0.2标准升每分钟(slm)至约1.0slm。
在一些实施方式中，如图3C所示，第一注射器180可以包括唇部320，唇部320有利地提供了提高气室区314、316、318中的压力的流动限制，并促进均匀的气体经由第二组出口304、306、308离开。通过使用受限制的气室而在整个基板表面提供工艺气体的加压气体层流将使整个基板的浓度梯度变得平滑，这将提高腔室中的流动均匀性。在一些实施方式中，通过第二组出口304、306、308的工艺气体的流动速率可以经由入口114提供气体由质量流量控制器来控制。然而，在一些实施方式中，可以增加唇部320来为一或多个第二组出口304、306、308产生较小的离开区域，这将增加气体的流动速度。在一些实施方式中，从出口304、306、308离开的工艺气体的体积流动速率可以为每个口约1.0slm至约3.0slm。
在一些实施方式中，流动通过第一组出口302的第一工艺气体322可以是与流动通过第二组出口304、306、308的第二工艺气体不同的气体物种。在一些实施方式中，第一工艺气体可以在第一载气中包括一或多个III族元素。示例性的第一工艺气体包括三甲基镓、三甲基铟或三甲基铝中的一或多者。也可以将掺杂剂和氯化氢(HCl)加入第一工艺气体中。在一些实施方式中，第二工艺气体可以在第二载气中包括一或多个III/V族元素。示例性的第二工艺气体包括二硼烷(B2H6)、胂(AsH3)、膦(PH3)、叔丁基胂、叔丁基膦或类似者中的一或多者。也可以将掺杂剂和氯化氢(HCl)加入第二工艺气体中。
虽然可以使用不同尺寸和几何形状的注射器180特征，但在下面就图3D来描述依据至少一些实施方式所使用的一些尺寸和截面几何形状的示例性范围，图3D绘示出注射器180的示意性截面前视图。在一些实施方式中，第一组出口302可以具有圆形的截面。出口302的直径330可以为约1mm至约5mm。在一些实施方式中，出口302可以与第二组出口304、306、308共面，然而，来自出口302和出口304、306、308的气体扩散和工艺气体混合可能是不够充分的。因此，在一些实施方式中，出口302通常位在比出口304、306、308更高的注射器180垂直水平，并以向下的角度朝向基板表面并朝向/通过来自出口304、306、308的气流注入工艺气体，以促进来自出口302和出口304、306、308的气体混合。在一些实施方式中，出口302可以位在出口304、306、308的顶部上方约1mm至约10mm的高度338。在一些实施方式中，出口302可以位在基板123上方约1mm至约10mm的高度334。
在一些实施方式中，第二组出口304、306、308可以具有矩形的截面，虽然在其他的实施方式中也可以使用不同的截面几何形状。出口304、306、308的大小和形状可以由唇部320和壁310的底部界定，壁310的底部接触预热环支座122以形成出口304、306、308的底部部分。在一些实施方式中，注射器180可被耦接到入口114并由入口114支撑。在一些实施方式中，注射器180也可以由预热环支座122支撑。在一些实施方式中，出口304、306、308的宽度332可以为约40mm至约80mm。在一些实施方式中，出口304、306、308的开口之高度340可以为约3mm至约10mm。在一些实施方式中，高度340可以基于唇部320向下延伸多远以阻挡出口304、306、308的开口。在一些实施方式中，出口304、306、308的底部可以位在基板123上方约1.5mm至约5mm的高度342。
参照回图2，在一些实施方式中，第二注射器170包括一或多个可调整的喷嘴，该喷嘴配置为改变工艺气体在整个基板123表面的引入气流速度、气流形状和气流方向。第二注射器170在与第一注射器180所提供的第一方向208不同的一或多个第二方向216上提供一或多种工艺气体。第二注射器170所提供的工艺气体可以是与第一注射器180所提供的相同的或不同的气体物种。在一些实施方式中，第二注射器170包括一或多个可控制的旋钮(未图示)，可以使用该旋钮来调整该一或多个可调整喷嘴相对于基板的角度或该一或多个可调整喷嘴的截面形状中的至少一者。可单独控制该一或多个可调整喷嘴，使得每个喷嘴可被调整而在不同的角度注射气体。在一些实施方式中，该一或多个可调整喷嘴可被单独控制，以通过调整该一或多个可调整喷嘴的截面形状来提供不同的流动速率和分布区域。此外，可以将该一或多个可调整喷嘴的截面形状和/或注射角度最适化，以锁定基板上特定半径的区域。第二注射器170可以在基板123上方约1mm至约10mm的高度注射该一或多种工艺气体。
在一些实施方式中，第二注射器170可以包含单一可调整喷嘴402，如图4A所图示。可调整喷嘴402可以提供工艺气体流过基板123的整个表面，该工艺气体可以例如是几种工艺气体的混合物。单一可调整喷嘴402可以是具有矩形截面的可调整狭缝喷嘴。该可调整狭缝喷嘴开口的高度可为约0.5mm至约10mm。该可调整狭缝喷嘴开口的宽度为约2mm至约25mm。也可以使用其他截面面积的可调整喷嘴，取决于气体在目标基板上方的分布区域414以及工艺条件，该工艺条件例如用于特定工艺的工艺气体压力和总流量。可以使用上面所讨论的可控制旋钮来调整狭缝喷嘴的注射角度和截面面积。在一些实施方式中，第一注射器180的第一方向208和第二注射器170的第二方向216之间的关系可以至少部分地由方位角202界定。方位角202在第一方向208和第二方向216之间相对于基板支座124的中心轴200测量。方位角202可以多达约145度或在约0至约145度之间。可以选择方位角202，以在来自第二注射器170的工艺气体和来自第一注射器180的工艺气体之间提供所需量的交叉流相互作用。
或者，第二入口170可以包含多个可调整喷嘴404、406，如图4B所示。该多个可调整喷嘴404、406中的每个可以提供一种工艺气体，该工艺气体可以例如是几种工艺气体的混合物。或者，该多个可调整喷嘴404、406中的一或多个可以提供与该多个可调整喷嘴404、406中的至少另一个不同的一或多种工艺气体。在一些实施方式中，在离开第二注射器170之后，工艺气体可以大致上均匀地混合，以形成第二工艺气体。在一些实施方式中，在离开第二注射器170之后，工艺气体通常可以不混合在一起，使得该第二工艺气体具有目的性的、非均匀的组成。该一或多个可调整喷嘴404、406是可单独控制的，使得每个喷嘴可被调整而在不同的角度注射气体。在一些实施方式中，可以单独控制该一或多个可调整喷嘴404、406，以通过调整该一或多个可调整喷嘴404、406的截面形状来提供不同的流动速率和分布区域。此外，可以将该一或多个可调整喷嘴404、406的截面形状和/或注射角度最适化，以锁定基板上特定半径的区域。可调整喷嘴404、406的截面形状可以是矩形、圆形或其他的截面面积，取决于气体在目标基板上方的分布区域416、418。在一些实施方式中，第二注射器170、或一些或全部的可调整喷嘴402、404、406在处理过程中可以处于例如闲置或脉冲化，以实现所需的与第一注射器180提供的工艺气体的流动相互作用。
回到图1，基板支撑组件164通常包括支撑托架134，支撑托架134具有耦接到基板支座124的多个支撑销166。基板升降组件160包含基板升降轴126和多个升降销模块161，升降销模块161选择性地静置于基板升降轴126的个别衬垫127上。在一个实施方式中，升降销模块161包含升降销128的选择性上部，该选择性上部可移动地设置在基板支座124的第一开口162中。在操作中，移动基板升降轴126来接合升降销128。当接合时，升降销128可以使基板123升高到基板支座124上方或使基板123降低到基板支座124上。
基板支座124还包括耦接到基板支座组件164的升降机构172和旋转机构174。可以使用升降机构172来沿着中心轴200移动基板支座124。可以使用旋转机构174来围绕中心轴200旋转基板支座124。
在处理过程中，基板123位在基板支座124上。灯136、152及154为红外线(IR)辐射(即热能)源，而且在操作中，灯136、152及154用以在整个基板123上产生预定的温度分布。盖体106及下圆顶132由石英所形成，然而，也可以使用其他红外线透明的和工艺相容的材料来形成这些部件。
支持系统130包括用以在处理腔室100中执行和监控预定工艺(例如生长外延硅膜)的部件。这样的部件通常包括处理腔室100的各个子系统(例如气体控制板、气体分配管道、真空排气子系统及类似者)和装置(例如电源、工艺控制仪器及类似者)。这些部件是本技术领域技术人员众所周知的，并且为了清楚起见在附图中省略这些部件。
控制器140通常包含中央处理单元(CPU)142、存储器144以及支持电路146，而且将控制器140直接地(如图1中所图示)或者经由与处理腔室和/或支持系统相关的计算机(或控制器)耦接至处理腔室100和支持系统130并且控制处理腔室100和支持系统130。
图5绘示在基板123上沉积层600的方法500的流程图。以下依据处理腔室100的实施方式来描述方法500。然而，方法500可被使用于任何能够提供方法500的要素的适当处理腔室，而且并不限于处理腔室100。
方法500通过提供基板开始于502，该基板例如基板123。基板123可以包含适当的材料，例如结晶硅(例如Si<100>或Si<111>)、氧化硅、应变硅、硅锗、掺杂或未掺杂的多晶硅、掺杂或未掺杂的硅晶片、图案化或未图案化的晶片、绝缘体上硅(SOI)、掺杂碳的氧化硅、氮化硅、掺杂的硅、锗、砷化镓、玻璃、蓝宝石或类似者。另外，基板123可以包含多个层或包括例如部分制造的装置，例如晶体管、闪速存储器装置及类似者。
在504，可以使第一工艺气体在第一方向(例如在第一方向208)上流过基板123的整个处理表面。可以使第一工艺气体在第一方向208上从第一注射器180或从一或多个加压层状出口304、306、308朝向排气口118流过整个处理表面。可以使第一工艺气体在第一方向208上从第一注射器180平行于基板123的处理表面流动。第一工艺气体可以包含一或多种工艺气体。例如，第一工艺气体可以包括三甲基镓。在一些实施方式中，使用加压层状出口304、306、308注射的气体可以是例如具有均匀生长率(即缓慢裂解率)的气体。
在506，可以使第二工艺气体以向下的角度向下流过高流速出口302朝向基板123的处理表面。如以上依据腔室100的实施方式所讨论的，向下的角度可为距离垂直约70度至约90度。第二工艺气体可以与第一工艺气体相同或不同。第二工艺气体可以包含一或多种工艺气体。例如，第二工艺气体可以包括叔丁基胂。在一些实施方式中，使用高流速出口302注射的气体可以是例如具有非均匀生长率(即快速裂解率)的气体。
在508，至少部分地从第一和第二工艺气体的流动相互作用在基板123的顶部上沉积层600(如图6所图示)。在一些实施方式中，层600可以具有在约1至约10,000纳米之间的厚度。在一些实施方式中，层600包含硅和锗。层600中的锗浓度可以在约5至约100原子百分比(即只有锗)之间。在一个具体的实施方式中，层600为锗浓度在约25至约45原子百分比之间的硅锗(SiGe)层。
可以通过一或多种处理方法来沉积层600。例如，可以改变第一和第二工艺气体的流动速率来订制层600的厚度和/或组成。此外，可以改变流动速率来调整该层的结晶度。例如，较高的流动速率可以提高该层的结晶度。其他的工艺变型可以包括在第一和第二工艺气体中的一者或两者流动的同时围绕中心轴200旋转基板123和/或沿着中心轴200移动基板123。例如，在一些实施方式中，在第一和第二工艺气体中的一者或两者流动的同时旋转基板123。例如，在一些实施方式中，在第一和第二工艺气体中的一者或两者流动的同时沿着中心轴200移动基板123，以调整每个工艺气体的流动速率。
沉积该层的其他变型也是可能的。例如，可以以交替的或周期的模式中的一者脉冲化第一和第二工艺气体。在一些实施方式中，可以通过交替地脉冲化来自第一和第二注射器180、170中的任一者或两者的沉积和蚀刻气体来进行该层的选择性外延生长。另外，该第一和第二工艺气体的脉冲化可以与其他的处理方法结合发生。例如，该第一和第二工艺气体中的一者或两者的第一脉冲可以沿着中心轴200发生在第一基板位置，然后该第一和第二工艺气体中的一者或两者的第二脉冲可以沿着中心轴200发生在第二基板位置。另外，脉冲化可以与基板围绕中心轴200旋转一起发生。
因此，本文中已经公开了在基板上沉积层的方法和设备。本发明的方法和设备通过在用于沉积的工艺气体之间产生流动相互作用而有利地克服了在沉积层中的厚度和/或组成不均匀性。本发明的方法和设备进一步减少沉积层中的缺陷/颗粒形成，并允许订制沉积层的厚度和/或组成和//或结晶度。
虽然前述内容是本发明的实施方式，但在不偏离本发明的基本范围下，可设计出本发明的其他与进一步的实施方式。
Claims (6)
1.一种用于处理基板的设备，包括：
处理腔室，所述处理腔室中具有基板支座，以在所述处理腔室内在所需位置支撑基板的处理表面；
第一注射器，所述第一注射器设置成邻接所述基板支座的第一侧，以在第一方向上在所述基板的所述处理表面上方提供第一工艺气体，所述第一注射器包括：
第一组出口，所述第一组出口以一角度提供第一工艺气体的有角注射至所述基板的所述处理表面；和
第二组出口，邻接所述第一组出口，所述第二组出口平行于所述基板的所述处理表面并在所述基板的整个处理表面上提供第二工艺气体的加压层流，其中来自所述第一组出口的所述第一工艺气体的方向的角度与垂直成约70度至约90度，和所述第二组出口中的每一出口包括气室区，并且其中每一气室区的离开区域被唇部部分阻挡，以提高所述第二工艺气体的压力和流动均匀性；
第二注射器，所述第二注射器设置成邻接所述基板支座的第三侧于距所述基板支座的所述第一侧多达约145度的方位角处，用以在第二方向上在所述基板的所述处理表面上方提供以交叉流与所述第一工艺气体相互作用的第三工艺气体，所述第二方向与所述第一方向不同，其中所述第二注射器包括一或多个喷嘴，所述一或多个喷嘴调整所述第三工艺气体的气流速度、气流形状和气流方向中的至少一者；以及
单一排气口，其中所述单一排气口与所述第一注射器相对设置，以从所述处理腔室排出由所述第一注射器提供的所述第一工艺气体和所述第二工艺气体、及由所述第二注射器提供的所述第三工艺气体。
2.如权利要求1所述的设备，其中所述一或多个喷嘴为可调整喷嘴，并且其中所述设备进一步包括一或多个可控制旋钮，所述一或多个可控制旋钮调整所述一或多个可调整喷嘴相对于所述基板的一角度或所述一或多个可调整喷嘴的截面形状中的至少一者。
3.如权利要求2所述的设备，其中最适化所述一或多个可调整喷嘴的所述截面形状，以在所述基板上锁定特定半径区域。
4.如权利要求2或3所述的设备，其中最适化所述一或多个可调整喷嘴的所述角度，以在所述基板上锁定特定半径区域。
5.如权利要求4所述的设备，其中所述第二注射器包括一个可调整狭缝喷嘴。
6.如权利要求5所述的设备，其中所述第二注射器包括多个可调整喷嘴，其中所述多个可调整喷嘴中的第一可调整喷嘴和第二可调整喷嘴中的每一者可由所述一或多个可控制旋钮单独控制，并且其中所述第一可调整喷嘴以与所述第二可调整喷嘴不同的一角度提供所述第三工艺气体。
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Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9512520B2 (en) * | 2011-04-25 | 2016-12-06 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate processing system |
| US9499905B2 (en) * | 2011-07-22 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for the deposition of materials on a substrate |
| US9840778B2 (en) | 2012-06-01 | 2017-12-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Plasma chamber having an upper electrode having controllable valves and a method of using the same |
| US10344380B2 (en) | 2013-02-11 | 2019-07-09 | Globalwafers Co., Ltd. | Liner assemblies for substrate processing systems |
| US11414759B2 (en) * | 2013-11-29 | 2022-08-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Mechanisms for supplying process gas into wafer process apparatus |
| KR102381816B1 (ko) * | 2014-02-14 | 2022-04-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 주입 어셈블리를 갖는 상부 돔 |
| WO2015195256A1 (en) * | 2014-06-18 | 2015-12-23 | Applied Materials, Inc. | One-piece injector assembly |
| WO2015195271A1 (en) * | 2014-06-20 | 2015-12-23 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for gas injection to epitaxial chamber |
| US10760161B2 (en) * | 2014-09-05 | 2020-09-01 | Applied Materials, Inc. | Inject insert for EPI chamber |
| US11060203B2 (en) * | 2014-09-05 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | Liner for epi chamber |
| JP6402058B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2018-10-10 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
| KR102696320B1 (ko) * | 2015-06-12 | 2024-08-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 반도체 에피택시 성장을 위한 주입기 |
| KR102350588B1 (ko) | 2015-07-07 | 2022-01-14 | 삼성전자 주식회사 | 인젝터를 갖는 박막 형성 장치 |
| US10260149B2 (en) * | 2016-04-28 | 2019-04-16 | Applied Materials, Inc. | Side inject nozzle design for processing chamber |
| CN107403717B (zh) * | 2016-04-28 | 2023-07-18 | 应用材料公司 | 一种用于处理腔室的改进侧注入喷嘴设计 |
| DE102016211614A1 (de) * | 2016-06-28 | 2017-12-28 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Halbleiterscheiben |
| WO2018022137A1 (en) * | 2016-07-28 | 2018-02-01 | Applied Materials, Inc. | Gas purge system and method for outgassing control |
| US10752991B2 (en) * | 2017-02-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Half-angle nozzle |
| WO2018154823A1 (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| US11469079B2 (en) * | 2017-03-14 | 2022-10-11 | Lam Research Corporation | Ultrahigh selective nitride etch to form FinFET devices |
| US11077410B2 (en) * | 2017-10-09 | 2021-08-03 | Applied Materials, Inc. | Gas injector with baffle |
| DE102018120580A1 (de) * | 2018-08-23 | 2020-02-27 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung und verfahren zum abscheiden einer schicht bei atmosphärendruck |
| CN214848503U (zh) * | 2018-08-29 | 2021-11-23 | 应用材料公司 | 注入器设备、基板处理设备及在机器可读介质中实现的结构 |
| JP6902060B2 (ja) | 2019-02-13 | 2021-07-14 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、およびプログラム |
| JP7159986B2 (ja) * | 2019-06-27 | 2022-10-25 | 株式会社Sumco | エピタキシャル成長装置およびエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US11032945B2 (en) * | 2019-07-12 | 2021-06-08 | Applied Materials, Inc. | Heat shield assembly for an epitaxy chamber |
| CN111455458B (zh) * | 2019-09-18 | 2021-11-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 外延装置及应用于外延装置的进气结构 |
| DE102020103946A1 (de) | 2020-02-14 | 2021-08-19 | AIXTRON Ltd. | Gaseinlasseinrichtung für einen CVD-Reaktor |
| TWI775073B (zh) * | 2020-05-07 | 2022-08-21 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 光固化的方法及其設備 |
| EP4074861A1 (de) | 2021-04-13 | 2022-10-19 | Siltronic AG | Verfahren zum herstellen von halbleiterscheiben mit aus der gasphase abgeschiedener epitaktischer schicht in einer abscheidekammer |
| US12091749B2 (en) | 2021-05-11 | 2024-09-17 | Applied Materials, Inc. | Method for epitaxially depositing a material on a substrate by flowing a process gas across the substrate from an upper gas inlet to an upper gas outlet and flowing a purge gas from a lower gas inlet to a lower gas outlet |
| US12018372B2 (en) | 2021-05-11 | 2024-06-25 | Applied Materials, Inc. | Gas injector for epitaxy and CVD chamber |
| US12060651B2 (en) * | 2021-05-11 | 2024-08-13 | Applied Materials, Inc. | Chamber architecture for epitaxial deposition and advanced epitaxial film applications |
| DE102023107111A1 (de) | 2022-12-09 | 2024-06-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden von SiC-Schichten auf einem Substrat mit einem verstellbaren Gasaustrittselement |
| WO2024121230A1 (de) | 2022-12-09 | 2024-06-13 | Aixtron Se | VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN VON SiC-SCHICHTEN AUF EINEM SUBSTRAT MIT EINEM VERSTELLBAREN GASAUSTRITTSELEMENT |
| US20240218562A1 (en) * | 2022-12-30 | 2024-07-04 | Globalwafers Co., Ltd. | Methods of processing epitaxial semiconductor wafers |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105761A (en) * | 1989-10-19 | 1992-04-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Diffusion plasma-assisted chemical treatment apparatus |
| US5551985A (en) * | 1995-08-18 | 1996-09-03 | Torrex Equipment Corporation | Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition |
| WO1997015698A1 (en) * | 1995-10-23 | 1997-05-01 | Watkins-Johnson Company | Gas injection system for semiconductor processing |
| JPH11238663A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| CN1648282A (zh) * | 2004-01-27 | 2005-08-03 | 三星电子株式会社 | 等离子体增强的半导体淀积设备 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3517808B2 (ja) * | 1996-07-17 | 2004-04-12 | 日本酸素株式会社 | 気相成長方法及び装置 |
| JP4381489B2 (ja) * | 1997-06-24 | 2009-12-09 | ソニー株式会社 | 化学気相成長装置 |
| US6291800B1 (en) * | 1998-02-20 | 2001-09-18 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus and substrate processing system |
| JP2000331939A (ja) * | 1999-05-17 | 2000-11-30 | Applied Materials Inc | 成膜装置 |
| US6656831B1 (en) * | 2000-01-26 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma-enhanced chemical vapor deposition of a metal nitride layer |
| ATE461263T1 (de) * | 2000-11-11 | 2010-04-15 | Haldor Topsoe As | Verbessertes hydroprocessing-verfahren und verfahren zur umrüstung bestehender hydroprocessing-reaktoren |
| US7098131B2 (en) * | 2001-07-19 | 2006-08-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods for forming atomic layers and thin films including tantalum nitride and devices including the same |
| US20070137794A1 (en) * | 2003-09-24 | 2007-06-21 | Aviza Technology, Inc. | Thermal processing system with across-flow liner |
| TW200729300A (en) * | 2005-11-30 | 2007-08-01 | Nuflare Technology Inc | Film-forming method and film-forming equipment |
| US20100059411A1 (en) * | 2007-04-24 | 2010-03-11 | Satchell Jr Donald Prentice | Flash processing of asphaltic residual oil |
| JP2010040541A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Sumco Corp | エピタキシャル装置 |
| US20100108263A1 (en) * | 2008-10-30 | 2010-05-06 | Applied Materials, Inc. | Extended chamber liner for improved mean time between cleanings of process chambers |
| JP5268766B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2013-08-21 | Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 | 成膜反応装置及び成膜基板製造方法 |
| JP2010263112A (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-18 | Sumco Corp | エピタキシャル成長装置及びシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| US9127360B2 (en) * | 2009-10-05 | 2015-09-08 | Applied Materials, Inc. | Epitaxial chamber with cross flow |
-
2013
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-
2018
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5105761A (en) * | 1989-10-19 | 1992-04-21 | Commissariat A L'energie Atomique | Diffusion plasma-assisted chemical treatment apparatus |
| US5551985A (en) * | 1995-08-18 | 1996-09-03 | Torrex Equipment Corporation | Method and apparatus for cold wall chemical vapor deposition |
| WO1997015698A1 (en) * | 1995-10-23 | 1997-05-01 | Watkins-Johnson Company | Gas injection system for semiconductor processing |
| JPH11238663A (ja) * | 1998-02-23 | 1999-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置 |
| CN1648282A (zh) * | 2004-01-27 | 2005-08-03 | 三星电子株式会社 | 等离子体增强的半导体淀积设备 |
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