JP2015527740A5 - - Google Patents

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Claims (74)

  1. ウェーハを検査する方法であって、
    ウェーハ上に印刷された複数ダイについての画像を取得し、前記複数ダイのそれぞれは、前記ウェーハ上にダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスを実行することにより印刷され、前記複数ダイは、前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスに向けた重ね合せの公称値で印刷された二つ以上のダイ、及び重ね合せの変動値で印刷された一つ又は複数のダイを含むこと、
    前記公称値で印刷された前記複数ダイについて取得した前記画像を、前記変動値で印刷された前記複数ダイについて取得した前記画像と比較すること、及び
    前記変動値で印刷された前記複数ダイにおける欠陥を、前記比較の結果に基づいて検出し、前記取得、前記比較、及び前記検出を、コンピューターシステムを使用して実行すること、
    を含む方法。
  2. 別のウェーハ上に印刷された複数ダイについての画像を取得し、その他のウェーハ上の前記複数ダイのそれぞれが、前記その他のウェーハ上に前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスを実行することにより印刷され、前記その他のウェーハ上の前記複数ダイが、前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスに向けた焦点及び露光の公称値で印刷された二つ以上のダイ、及び前記焦点及び露光の変動値で印刷された一つ又は複数のダイを含むこと、
    前記焦点及び露光の前記公称値で印刷された前記複数ダイについて取得した画像を、前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイについて取得した画像と比較すること;及び前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイにおける欠陥を、前記比較の結果に基づいて検出すること、
    をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  3. 前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイにおける実質的に同一のダイ内位置で検出された前記欠陥を比較すること、並びに、
    前記欠陥と前記欠陥に対応する前記焦点及び露光の前記変動値とを前記比較した結果に基づいて、前記焦点及び露光の変動に起因する欠陥に最も影響を受けやすい、前記複数ダイについてのデザイン内の場所を判定すること、
    をさらに含む、請求項2に記載の方法。
  4. 前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイに検出された前記欠陥の、デザイン・データ近接位置の部分を、デザイン・データ空間において比較し、前記部分における前記デザイン・データが少なくとも類似しているかどうかを、前記部分の前記比較の結果に基づいて判定すること、
    前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイに検出された前記欠陥をグループに区分けして、前記各グループにおける前記欠陥の、前記デザイン・データ近接位置の前記部分を少なくとも類似させること、及び
    前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイに検出されたどの欠陥が系統的欠陥であるかを、前記区分けの結果に基づいて判定すること、
    をさらに含む、請求項2に記載の方法。
  5. 前記複数ダイに印刷されるパターニングされた形状における問題を、前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイに検出された前記欠陥に基づいて特定することをさらに含む、請求項2に記載の方法。
  6. 前記複数ダイについてのデザインにおける問題を、前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイに検出された前記欠陥に基づいて特定することをさらに含む、請求項2に記載の方法。
  7. 前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスに向けたプロセスウィンドウを、前記欠陥に基づいて決定することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  8. 前記欠陥が、前記重ね合せの値の変動によって生じる系統的欠陥を含む、請求項1に記載の方法。
  9. 前記欠陥の、デザイン・データ近接位置の部分を、デザイン・データ空間において比較すること、
    前記部分における前記デザイン・データが少なくとも類似するかどうかを、前記部分の前記比較の結果に基づいて判定すること、
    前記欠陥をグループに区分けして、前記各グループにおける前記欠陥の、前記デザイン・データ近接位置の部分を少なくとも類似させること、及び
    前記欠陥のどれが系統的欠陥であるかを、前記区分けの結果に基づいて判定すること
    をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  10. 二つ以上の前記グループに区分けされた前記欠陥の数を例示するパレート図を生成することをさらに含む、請求項9に記載の方法。
  11. 前記重ね合せの前記変動値で印刷された前記複数ダイにおける実質的に同一のダイ内位置で検出された前記欠陥を比較すること、及び、
    前記欠陥と前記欠陥に対応する前記重ね合せの前記変動値との前記比較した結果に基づいて、前記重ね合せの変動に起因する欠陥に最も影響を受けやすい、前記複数ダイについてのデザイン内場所を判定すること
    をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  12. 前記欠陥に最も影響を受けやすい前記デザイン内場所に及ぼす、前記重ね合せの変動の影響を判定することをさらに含む、請求項11に記載の方法。
  13. 前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスに使用される一つ又は複数のレチクルの、一つ又は複数の特性を、前記欠陥に基づいて決定することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  14. 前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスの一つ又は複数のパラメーターを、前記欠陥に基づいて変更することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  15. 前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスに使用される制御プロセスの一つ又は複数のパラメーターを、前記欠陥に基づいて変更することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  16. 前記複数ダイについてのデザインの一つ又は複数のパラメーターを、前記欠陥に基づいて変更することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  17. 前記公称値で印刷された前記複数ダイについて取得した前記画像の二つ以上を互いに比較すること、及び、前記公称値で印刷された前記複数ダイにおける欠陥を、前記公称値で印刷された前記複数ダイについて取得した二つ以上の前記画像を互いに前記比較した結果に基づいて検出することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
  18. 一つ又は複数の前記複数ダイ上で計測を実行すること、
    前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスの重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せを、前記計測の結果に基づいて判定すること、及び
    一つ又は複数の前記複数ダイから形成されるデバイスの一つ又は複数の特性を、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せを一つ又は複数の前記複数ダイについてのデザイン・データに適用することによってシミュレートすること
    をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  19. 前記取得が、前記公称値で印刷された前記二つ以上のダイについての前記画像を、前記二つ以上のダイが前記ウェーハ上に前記公称値でどのように印刷されることになるかをシミュレートすることによって取得することを含む、請求項1に記載の方法。
  20. 前記公称値で印刷された前記二つ以上のダイについての前記画像が、コンピューターで読み取り可能なストレージ媒体から取得された、シミュレートされた画像を含む、請求項1に記載の方法。
  21. ウェーハ上に形成されるデバイスの一つ又は複数の特性を予測する方法であって、
    リソグラフィー・プロセスを使用してウェーハ上に形成された一つ又は複数のダイ上で計測を実行すること、
    前記一つ又は複数のダイにおける、前記リソグラフィー・プロセスの重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せを、前記計測の結果に基づいて判定すること、及び
    前記一つ又は複数のダイから形成されるデバイスの一つ又は複数の特性を、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せを前記一つ又は複数のダイについてのデザイン・データに適用することによってシミュレートすること
    を含み、決定すること、及び前記シミュレートすることを、コンピューターシステムを使用して実行する方法。
  22. 前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに対する、前記デバイスの一つ又は複数の特性の感度を判定することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
  23. 前記リソグラフィー・プロセスを使用することによりその他のウェーハ上に形成されることになる一つ又は複数の計測目標の一つ又は複数の位置を、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに対する、前記デバイスの一つ又は複数の特性の感度に基づいて判定することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
  24. 前記ウェーハを、前記デバイスの一つ又は複数の特性に基づいて処分することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
  25. 前記シミュレートすることが、前記デザイン・データ内の個々のポリゴンを、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらの組み合せに基づいてサイズ変更して、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに起因する一つ又は複数の故障メカニズムを有する可能性のある、前記デザイン・データ内の領域を判定することを含む、請求項21に記載の方法。
  26. 前記リソグラフィー・プロセスを含む作製プロセスの歩留りを、前記デバイスの一つ又は複数の特性に基づいて予測することをさらに含み、前記歩留りの予測をインラインで実行する、請求項21に記載の方法。
  27. 前記ウェーハについてのサンプリング・スキームを、前記デバイスの一つ又は複数の特性に基づいて決定することをさらに含み、前記サンプリング・スキームの決定をインラインで実行する、請求項21に記載の方法。
  28. 前記リソグラフィー・プロセスが実行される前記ウェーハ又はその他のウェーハ上で実行されることになる検査プロセスの一つ又は複数のパラメーターを、前記デバイスの一つ又は複数の特性に基づいて判定することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
  29. 前記リソグラフィー・プロセスが実行される前記ウェーハ又はその他のウェーハ上で実行されることになる計測プロセスの一つ又は複数のパラメーターを、前記デバイスの一つ又は複数の特性に基づいて判定することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
  30. 前記シミュレートすることには、前記デバイスの一つ又は複数の特性を、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せから、重ね合せ補正可能量、焦点補正可能量、露光量補正可能量、又はそれらのいくつかの組み合せを、それぞれ決定することによりシミュレートすること、及び前記重ね合せ補正可能量、焦点補正可能量、露光量補正可能量、又はそれらのいくつかの組み合せを、前記一つ又は複数のダイについての前記デザイン・データに適用することが含まれる、請求項21に記載の方法。
  31. 前記デザイン・データに向けたプロセスウィンドウを、前記一つ又は複数の特性、及び重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに基づいて決定することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
  32. 前記リソグラフィー・プロセスが実行される前記ウェーハ又はその他のウェーハについての再生戦略を、前記一つ又は複数の特性、及び重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに基づいて判定することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
  33. 前記デバイスの前記一つ又は複数の特性にとって、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せがより致命的となる、前記デザイン・データ内の一つ又は複数の領域を判定することさらに含む、請求項21に記載の方法。
  34. 一つ又は複数の領域の少なくとも一つに、重ね合せ、露光量、及び焦点の局所モデルを適用することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
  35. 前記局所モデルを前記適用した結果を、重ね合せ、露光量、及び焦点の大域モデルを前記デザイン・データに適用した結果と比較して、前記大域モデルの正確度を判定することをさらに含む、請求項34に記載の方法。
  36. 前記リソグラフィー・プロセスがダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスであり、前記計測を実行することが、前記リソグラフィー・プロセスの第1のパターニング工程の後に実行される方法であって、前記リソグラフィー・プロセスの第2のパターニング工程の一つ又は複数のパラメーターを、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに基づいて判定することをさらに含む、請求項21に記載の方法。
  37. 前記リソグラフィー・プロセスがダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスであり、前記一つ又は複数のダイが、重ね合せの公称値で印刷された二つ以上のダイ、及び前記重ね合せの変動値で印刷された一つ又は複数のダイを含む方法であって、
    前記重ね合せの前記公称値で印刷された前記二つ以上のダイの少なくとも一つ、及び前記重ね合せの前記変動値で印刷された前記一つ又は複数のダイの少なくとも一つ、の画像を取得すること、
    前記重ね合せの前記公称値で印刷された前記二つ以上のダイの少なくとも一つについての前記取得画像を、前記重ね合せの前記変動値で印刷された前記一つ又は複数のダイの少なくとも一つについての前記取得画像と比較すること、及び
    前記変動値で印刷された前記一つ又は複数のダイにおける欠陥を、前記比較の結果に基づいて検出すること
    をさらに含む、請求項21に記載の方法。
  38. ウェーハを検査するシステムであって、
    ウェーハ上に印刷された複数ダイについての画像を取得するように構成された光学サブシステムであって、前記複数ダイのそれぞれが、前記ウェーハ上にダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスを実行することにより印刷され、前記複数ダイが、前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスに向けた重ね合せの公称値で印刷された二つ以上のダイと、前記重ね合せの変動値で印刷された一つ又は複数のダイを含む、光学サブシステムと、
    前記光学サブシステムに接続された一つまたは複数のコンピュータサブシステムであって、
    前記公称値で印刷された前記複数ダイについて取得した前記画像を、前記変動値で印刷された前記複数ダイについて取得した前記画像と比較し、
    前記変動値で印刷された前記複数ダイにおける欠陥を、前記比較の結果に基づいて検出する、
    ように構成された一つまたは複数のコンピュータサブシステムと、
    を備えるウェーハ検査システム。
  39. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    別のウェーハ上に印刷された複数ダイについての画像を取得し
    前記別のウェーハ上の前記複数ダイのそれぞれが、前記別のウェーハ上に前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスを実行することにより印刷され、前記別のウェーハ上の前記複数ダイが、前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスに向けた焦点及び露光の公称値で印刷された二つ以上のダイと、前記焦点及び露光の変動値で印刷された一つ又は複数のダイとを含み、
    前記焦点及び露光の前記公称値で印刷された前記複数ダイについて取得した画像を、前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイについて取得した画像と比較し
    前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイにおける欠陥を、前記比較の結果に基づいて検出する
    ように構成された、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  40. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイにおける実質的に同一のダイ内位置で検出された前記欠陥を比較し、
    前記欠陥を比較した結果と前記欠陥に対応する前記焦点及び露光の前記変動値と(を前記比較した結果)に基づいて、前記焦点及び露光の変動に起因する欠陥に最も影響を受けやすい、前記複数ダイについてのデザイン内の場所を判定する、
    ように構成された、請求項39に記載のウェーハ検査システム。
  41. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイに検出された、前記欠陥の位置に近接するデザイン・データの部分を、デザイン・データ空間において比較し、前記部分における前記デザイン・データが少なくとも類似しているかどうかを、前記部分の前記比較の結果に基づいて判定し、
    前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイに検出された前記欠陥をグループに区分けして、前記グループの各々において、前記欠陥の前記位置に近接する前記デザイン・データの前記部分が少なくとも類似するようにし、
    前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイに検出されたどの欠陥が系統的欠陥であるかを、前記区分けの結果に基づいて判定する、
    ように構成された、請求項39に記載のウェーハ検査システム。
  42. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記複数ダイに印刷されているパターニングされた形状における問題を、前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイに検出された前記欠陥に基づいて特定する、
    ように構成された、請求項39に記載のウェーハ検査システム。
  43. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記複数ダイについてのデザインにおける問題を、前記焦点及び露光の前記変動値で印刷された前記複数ダイに検出された前記欠陥に基づいて特定する、
    ように構成された、請求項39に記載のウェーハ検査システム。
  44. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスに向けたプロセスウィンドウを、前記欠陥に基づいて決定する、
    ように構成された、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  45. 前記欠陥が、前記重ね合せの値の変動によって生じる系統的欠陥を含む、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  46. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記欠陥の位置に近接するデザイン・データの部分を、デザイン・データ空間において比較し、
    前記部分における前記デザイン・データが少なくとも類似するかどうかを、前記部分の前記比較の結果に基づいて判定し、
    前記欠陥をグループに区分けして、前記グループの各々における前記欠陥の前記位置に近接する前記デザイン・データの部分が少なくとも類似するようにし、
    前記欠陥のどれが系統的欠陥であるかを、前記区分けの結果に基づいて判定する、
    ように構成された、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  47. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    二つ以上の前記グループに区分けされた前記欠陥の数を示すパレート図を生成するように構成された、請求項46に記載のウェーハ検査システム。
  48. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記重ね合せの前記変動値で印刷された前記複数ダイにおける実質的に同一のダイ内位置で検出された前記欠陥を比較し、
    前記欠陥を前記比較した結果と前記欠陥に対応する前記重ね合せの前記変動値と(の前記比較した結果)に基づいて、前記重ね合せの変動に起因する欠陥に最も影響を受けやすい、前記複数ダイについてのデザイン内場所を判定する、
    ように構成された、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  49. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記欠陥に最も影響を受けやすい前記デザイン内の前記場所に及ぼす、前記重ね合せの変動の影響を判定するように構成された、請求項48に記載のウェーハ検査システム。
  50. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスに使用される一つ又は複数のレチクルの、一つ又は複数の特性を、前記欠陥に基づいて決定するように構成された、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  51. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスの一つ又は複数のパラメーターを、前記欠陥に基づいて変更するように構成された、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  52. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスに使用される制御プロセスの一つ又は複数のパラメーターを、前記欠陥に基づいて変更するように構成された、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  53. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記複数ダイについてのデザインの一つ又は複数のパラメーターを、前記欠陥に基づいて変更するように構成された、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  54. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記公称値で印刷された前記複数ダイについて取得した前記画像の二つ以上を互いに比較し、前記公称値で印刷された前記複数ダイにおける欠陥を、前記公称値で印刷された前記複数ダイについて取得した前記二つ以上の画像を互いに比較した結果に基づいて検出する、ように構成された、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  55. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに
    前記複数ダイ一つ又は複数のダイ上で計測を実行し、
    前記ダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスの重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せを、前記計測の結果に基づいて判定し、
    前記複数ダイの前記一つ又は複数から形成されるデバイスの一つ又は複数の特性を、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せを、前記複数ダイの前記一つ又は複数についてのデザイン・データに適用することによってシミュレートする、
    ように構成された、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  56. 前記取得が、前記公称値で印刷された前記二つ以上のダイについての前記画像を、前記二つ以上のダイが前記ウェーハ上に前記公称値でどのように印刷されることになるかをシミュレートすることによって取得することを含む、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  57. 前記公称値で印刷された前記二つ以上のダイについての前記画像が、コンピュータで読み取り可能なストレージ媒体から取得された、シミュレートされた画像を含む、請求項38に記載のウェーハ検査システム。
  58. ウェーハ上に形成されるデバイスの一つ又は複数の特性を予測するシステムであって、
    リソグラフィー・プロセスを使用してウェーハ上に形成された一つ又は複数のダイ上で計測を実行するように構成された計測サブシステムと、
    前記計測サブシステムに接続された一つまたは複数のコンピュータサブシステムであって、
    前記一つ又は複数のダイにおける、前記リソグラフィー・プロセスの重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せを、前記計測の結果に基づいて判定し、
    前記一つ又は複数のダイから形成されるデバイスの一つ又は複数の特性を、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せを前記一つ又は複数のダイについてのデザイン・データに適用することによってシミュレートする、
    ように構成された一つまたは複数のコンピュータサブシステムと、
    を備える、システム。
  59. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに対する、前記デバイスの一つ又は複数の特性の感度を判定するように構成された、請求項58に記載のシステム。
  60. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記リソグラフィー・プロセスを使用することにより、他のウェーハ上に形成されることになる一つ又は複数の計測目標の一つ又は複数の位置を、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに対する、前記デバイスの一つ又は複数の特性の感度に基づいて判定するように構成された、請求項58に記載のシステム。
  61. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記ウェーハを、前記デバイスの一つ又は複数の特性に基づいて処分するように構成された、請求項58に記載のシステム。
  62. 前記シミュレートすることが、前記デザイン・データ内の個々のポリゴンを、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらの組み合せに基づいてサイズ変更して、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに起因する一つ又は複数の故障メカニズムを有する可能性のある、前記デザイン・データ内の領域を判定するように構成された、請求項58に記載のシステム。
  63. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記リソグラフィー・プロセスを含む作製プロセスの歩留りを、前記デバイスの一つ又は複数の特性に基づいて予測するように構成され、前記歩留りの予測がインラインで実行される、請求項58に記載のシステム。
  64. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記ウェーハについてのサンプリング・スキームを、前記デバイスの一つ又は複数の特性に基づいて決定するように構成され、前記サンプリング・スキームの決定がインラインで実行される、請求項58に記載のシステム。
  65. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記リソグラフィー・プロセスが実行される前記ウェーハ又は他のウェーハ上で実行されることになる検査プロセスの一つ又は複数のパラメーターを、前記デバイスの前記一つ又は複数の特性に基づいて判定するように構成された、請求項58に記載のシステム。
  66. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記リソグラフィー・プロセスが実行される前記ウェーハ又はその他のウェーハ上で実行されることになる計測プロセスの一つ又は複数のパラメーターを、前記デバイスの前記一つ又は複数の特性に基づいて判定するように構成された、請求項58に記載のシステム。
  67. 前記シミュレートすることが、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せから、重ね合せ補正可能量、焦点補正可能量、露光量補正可能量、又はそれらのいくつかの組み合せを、それぞれ決定し、前記重ね合せ補正可能量、焦点補正可能量、露光量補正可能量、又はそれらのいくつかの組み合せを、前記一つ又は複数のダイについての前記デザイン・データに適用することにより、前記デバイスの前記一つ又は複数の特性をシミュレートすること、を含む請求項58に記載のシステム。
  68. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記デザイン・データに向けたプロセスウィンドウを、前記一つ又は複数の特性、及び重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに基づいて決定するように構成された、請求項58に記載のシステム。
  69. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記リソグラフィー・プロセスが実行される前記ウェーハ又はその他のウェーハについての再生戦略を、前記一つ又は複数の特性、及び重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに基づいて判定するように構成された、請求項58に記載のシステム。
  70. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記デバイスの前記一つ又は複数の特性にとって、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せがより致命的となる、前記デザイン・データ内の一つ又は複数の領域を判定するように構成された、請求項58に記載のシステム。
  71. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    一つ又は複数の領域の少なくとも一つに、重ね合せ、露光量、及び焦点の局所モデルを適用するように構成された、請求項58に記載のシステム。
  72. 前記一つまたは複数のコンピュータサブシステムが、さらに、
    前記局所モデルを前記適用した結果を、重ね合せ、露光量、及び焦点の大域モデルを前記デザイン・データに適用した結果と比較して、大域モデルの正確度を判定するように構成された、請求項71に記載のシステム。
  73. 前記リソグラフィー・プロセスがダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスであり、前記計測を実行することが、前記リソグラフィー・プロセスの第1のパターニング工程の後に実行されるシステムであって、さらに、前記リソグラフィー・プロセスの第2のパターニング工程の一つ又は複数のパラメーターを、前記重ね合せ誤差、焦点誤差、露光量誤差、又はそれらのいくつかの組み合せに基づいて判定することをさらに含む、請求項58に記載のシステム。
  74. 前記リソグラフィー・プロセスがダブルパターニング・リソグラフィー・プロセスであり、前記一つ又は複数のダイが、重ね合せの公称値で印刷された二つ以上のダイと前記重ね合せの変動値で印刷された一つ又は複数のダイを含むシステムであって、
    さらに、
    前記重ね合せの前記公称値で印刷された前記二つ以上のダイの少なくとも一つと前記重ね合せの前記変動値で印刷された前記一つ又は複数のダイの少なくとも一つの画像を取得することと、
    前記重ね合せの前記公称値で印刷された前記二つ以上のダイの前記少なくとも一つについての前記取得画像を、前記重ね合せの前記変動値で印刷された前記一つ又は複数のダイの前記少なくとも一つについての前記取得画像と比較することと、
    前記変動値で印刷された前記一つ又は複数のダイにおける欠陥を、前記比較の結果に基づいて検出することと、
    をさらに含む、請求項58に記載のシステム。
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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5960198B2 (ja) 2013-07-02 2016-08-02 キヤノン株式会社 パターン形成方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステムおよび物品製造方法
KR102359050B1 (ko) 2014-02-12 2022-02-08 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 프로세스 윈도우를 최적화하는 방법
US10576603B2 (en) * 2014-04-22 2020-03-03 Kla-Tencor Corporation Patterned wafer geometry measurements for semiconductor process controls
CN106575630B (zh) 2014-07-13 2021-05-25 科磊股份有限公司 使用叠加及成品率关键图案的度量
US10712289B2 (en) * 2014-07-29 2020-07-14 Kla-Tencor Corp. Inspection for multiple process steps in a single inspection process
WO2016096524A1 (en) * 2014-12-19 2016-06-23 Asml Netherlands B.V. Method of measuring asymmetry, inspection apparatus, lithographic system and device manufacturing method
US10036964B2 (en) * 2015-02-15 2018-07-31 Kla-Tencor Corporation Prediction based chucking and lithography control optimization
GB2546922B (en) * 2015-03-06 2019-04-10 Blatchford Products Ltd Lower limb prosthesis
US10012599B2 (en) * 2015-04-03 2018-07-03 Kla-Tencor Corp. Optical die to database inspection
CN109917622B (zh) * 2015-04-10 2021-08-06 Asml荷兰有限公司 用于检查和量测的方法和设备
US9767548B2 (en) * 2015-04-24 2017-09-19 Kla-Tencor Corp. Outlier detection on pattern of interest image populations
US9410902B1 (en) 2015-05-05 2016-08-09 United Microelectronics Corp. Overlay measurement method
US9940429B2 (en) 2015-06-29 2018-04-10 International Business Machines Corporation Early overlay prediction and overlay-aware mask design
KR20170016681A (ko) * 2015-08-04 2017-02-14 에스케이하이닉스 주식회사 레지스트레이션 제어된 포토마스크의 결함 검출 방법
US9679100B2 (en) 2015-08-21 2017-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Environmental-surrounding-aware OPC
US9916965B2 (en) * 2015-12-31 2018-03-13 Kla-Tencor Corp. Hybrid inspectors
US10181185B2 (en) 2016-01-11 2019-01-15 Kla-Tencor Corp. Image based specimen process control
JP6752593B2 (ja) * 2016-03-07 2020-09-09 東レエンジニアリング株式会社 欠陥検査装置
US10068323B2 (en) * 2016-04-10 2018-09-04 Kla-Tencor Corporation Aware system, method and computer program product for detecting overlay-related defects in multi-patterned fabricated devices
US10740888B2 (en) * 2016-04-22 2020-08-11 Kla-Tencor Corporation Computer assisted weak pattern detection and quantification system
WO2017194289A1 (en) * 2016-05-12 2017-11-16 Asml Netherlands B.V. Method of obtaining measurements, apparatus for performing a process step and metrology apparatus
US10902576B2 (en) * 2016-08-12 2021-01-26 Texas Instruments Incorporated System and method for electronic die inking after automatic visual defect inspection
US10679909B2 (en) * 2016-11-21 2020-06-09 Kla-Tencor Corporation System, method and non-transitory computer readable medium for tuning sensitivies of, and determining a process window for, a modulated wafer
US10761128B2 (en) * 2017-03-23 2020-09-01 Kla-Tencor Corporation Methods and systems for inline parts average testing and latent reliability defect detection
US10262408B2 (en) * 2017-04-12 2019-04-16 Kla-Tencor Corporation System, method and computer program product for systematic and stochastic characterization of pattern defects identified from a semiconductor wafer
JP6778666B2 (ja) * 2017-08-24 2020-11-04 株式会社日立製作所 探索装置及び探索方法
EP3451061A1 (en) * 2017-09-04 2019-03-06 ASML Netherlands B.V. Method for monitoring a manufacturing process
KR102454303B1 (ko) * 2018-01-24 2022-10-12 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 컴퓨테이션 계측법 기반 샘플링 스킴
US10867877B2 (en) * 2018-03-20 2020-12-15 Kla Corporation Targeted recall of semiconductor devices based on manufacturing data
CN111426701B (zh) * 2019-06-25 2024-01-30 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种晶圆缺陷检测方法及其装置
US11494895B2 (en) * 2020-02-14 2022-11-08 KLA Corp. Detecting defects in array regions on specimens
DE102020104167B4 (de) 2020-02-18 2023-01-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vermessung von Photomasken
WO2021223940A1 (en) * 2020-05-04 2021-11-11 Asml Netherlands B.V. System and method for generating level data for a surface of a substrate
CN111721779B (zh) * 2020-05-27 2023-02-28 联宝(合肥)电子科技有限公司 一种产品重工方法、装置及存储介质

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6215896B1 (en) * 1995-09-29 2001-04-10 Advanced Micro Devices System for enabling the real-time detection of focus-related defects
JPH09260446A (ja) * 1996-03-26 1997-10-03 Fujitsu Ltd 半導体装置の位置ずれ測定方法
JP3757482B2 (ja) * 1996-08-09 2006-03-22 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JPH11186132A (ja) * 1997-12-19 1999-07-09 Sony Corp 半導体装置の製造工程のフィードバック方法
JPH11274037A (ja) * 1998-03-23 1999-10-08 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法および装置
US6020957A (en) 1998-04-30 2000-02-01 Kla-Tencor Corporation System and method for inspecting semiconductor wafers
US6910203B2 (en) * 2001-12-10 2005-06-21 Toppan Photomasks, Inc. Photomask and method for qualifying the same with a prototype specification
US20040032581A1 (en) 2002-01-15 2004-02-19 Mehrdad Nikoonahad Systems and methods for inspection of specimen surfaces
JP2003257838A (ja) * 2002-03-06 2003-09-12 Hitachi Ltd 露光方法およびそのシステム
US6902855B2 (en) 2002-07-15 2005-06-07 Kla-Tencor Technologies Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns
US7418124B2 (en) 2002-07-15 2008-08-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Qualifying patterns, patterning processes, or patterning apparatus in the fabrication of microlithographic patterns
US8185230B2 (en) 2002-08-22 2012-05-22 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for predicting device electrical parameters during fabrication
US7003758B2 (en) * 2003-10-07 2006-02-21 Brion Technologies, Inc. System and method for lithography simulation
US7403264B2 (en) * 2004-07-08 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and a device manufacturing method using such lithographic projection apparatus
US7729529B2 (en) * 2004-12-07 2010-06-01 Kla-Tencor Technologies Corp. Computer-implemented methods for detecting and/or sorting defects in a design pattern of a reticle
US7769225B2 (en) * 2005-08-02 2010-08-03 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for detecting defects in a reticle design pattern
WO2007026351A2 (en) * 2005-08-30 2007-03-08 Camtek Ltd. An inspection system and a method for inspecting a diced wafer
JP2007081292A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Toshiba Corp 検査方法、検査システムおよびプログラム
US7570796B2 (en) 2005-11-18 2009-08-04 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data
JP4333770B2 (ja) * 2007-04-12 2009-09-16 ソニー株式会社 マスクパターン作成プログラム、半導体製造方法、マスクパターン作成方法および半導体設計プログラム
JP2008294352A (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Nuflare Technology Inc 露光方法及び露光用フォトマスク
US20080304025A1 (en) * 2007-06-08 2008-12-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
JP4973876B2 (ja) * 2007-08-22 2012-07-11 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びこれに用いるパターン表面コート材
JP5065943B2 (ja) 2008-02-29 2012-11-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 製造プロセスモニタリングシステム
DE102008017645A1 (de) 2008-04-04 2009-10-08 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur mikrolithographischen Projektionsbelichtung sowie Vorrichtung zur Inspektion einer Oberfläche eines Substrats
WO2009152046A1 (en) 2008-06-11 2009-12-17 Kla-Tencor Corporation Systems and methods for detecting design and process defects on a wafer, reviewing defects on a wafer, selecting one or more features within a design for use as process monitoring features, or some combination thereof
JP5268532B2 (ja) 2008-09-30 2013-08-21 株式会社日立ハイテクノロジーズ 試料計測方法、及び計測装置
US8041106B2 (en) 2008-12-05 2011-10-18 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for detecting defects on a reticle
JP5235719B2 (ja) * 2009-02-27 2013-07-10 株式会社日立ハイテクノロジーズ パターン測定装置
NL2004531A (nl) 2009-05-29 2010-11-30 Asml Netherlands Bv Apparatus and method for providing resist alignment marks in a double patterning lithographic process.
KR101732750B1 (ko) * 2009-07-17 2017-05-24 케이엘에이-텐코 코포레이션 설계 및 결함 데이터를 사용한 스캐너 성능 비교 및 매칭
JP5644290B2 (ja) * 2010-09-08 2014-12-24 凸版印刷株式会社 フォトマスクの製造方法
JP5661194B2 (ja) 2010-11-12 2015-01-28 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. メトロロジ方法及び装置、リソグラフィシステム並びにデバイス製造方法

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