JP2015524878A - 基板表面の金属化のための新規の付着促進剤 - Google Patents
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Abstract
Description
基板を金属化するための種々の方法が当業者に公知である。
従って、本発明の課題は、基板材料への堆積金属の高い付着を提供し、それによって耐久性のある結合を形成する、基板の金属化のための方法を提供することである。
これらの課題は、金属化する前にナノメートルサイズの粒子を含む溶液で金属化されるべき基板を処理することによって解決される。ナノメートルサイズの粒子は、基板を結合するために適した官能化学基を有する少なくとも1つの付着基(attachment group)を有する。従って、ナノメートルサイズの粒子の層は、基板表面の少なくとも一部上で形成される。
1. −Si(R1R2)− [式中、R1及びR2は、互いに独立して、炭素原子1〜12個を有するアルコキシ基、炭素原子1〜12個を有するアルキル基、ハロゲン原子、及びナノメートルサイズの粒子から生じる酸素原子への結合及び/又は他の付着基を示す]
2. −CH2−R3−、−CO−NH−、−CO−O−、非置換又は置換されたアリール [式中、R3は、−CHOH−CH2−O−、−CHOH−CH2−;直鎖の、非置換又は置換された、炭素原子1〜5個を有する炭化水素基を示す]
を示す。
ナノメートルサイズのシリカ粒子の製造は、当業者に公知の方法に従って実施されてよい。前記粒子は、Sigma−Aldrich社から市販されてもいる。少なくとも1つの付着基のナノメートルサイズのシリカ粒子への結合も、当業者に公知である。少なくとも1つの付着基のナノメートルサイズの粒子への結合は、粒子の官能化ともいう。
1. −Si(R1R2)− [式中、R1及びR2は、互いに独立して、炭素原子1〜12個を有するアルコキシ基、炭素原子1〜12個を有するアルキル基、ハロゲン原子、及びナノメートルサイズの粒子から生じる酸素原子への結合及び/又は他の付着基を示す]
2. −CH2R3−、−CO−NH−、−CO−O−、非置換の又は置換されたアリール [式中、R3は、−CHOH−CH2−O−、−CHOH−CH2−;直鎖の、非置換の又は置換された炭素原子1〜5個を有する炭化水素基を示す]
を示す。
から選択される。
である。炭化水素基は、非置換又は置換であってよく、かつ/又は分枝鎖又は非分枝鎖であってよい。
である。直鎖炭化水素基は、非置換又は置換されてよい。
である。1つ以上の酸素原子及び/又は窒素原子によって中断されている直鎖炭化水素基は、非置換又は置換であってよく、かつ/又は分枝鎖又は非分枝鎖であってよい。
である。
である。
から選択される。
である。
である。
である。ヒドロキシアルキル基は、分枝鎖又は非分枝鎖であってよい。
である。
を意味する。
である。
である。
である。
である。
である。
から選択される。R1及びR2は前記で定義されている。
i. 基板と、基板への結合に適した官能化学基を有する少なくとも1つの付着基を有するナノメートルサイズの粒子を含む溶液とを接触し、それによって、基板表面の少なくとも一部上で前記ナノメートルサイズの粒子の層を形成する工程、及びその後、
ii. 湿式化学メッキ法を適用して基板を金属メッキする工程
を含み、その際前記ナノメートルサイズの粒子の層は、基板表面とメッキした金属との間に残る。
A)最初に、エッチング溶液又は洗浄溶液でエッチング又は洗浄し、
B)そして、コロイドの溶液で、又は化合物、特に元素の周期表第VIIIB又はIB属の金属(貴金属)、特にパラジウム/スズコロイドの塩で処理し、そして
C)最終的に、金属化溶液を使用して電解的に金属化する
従来の方法と比較して、本発明の方法の範囲内で、プラスチック目的物又は基板は、さらに、有利には前記で定義した工程i.に対応する方法工程A)とB)との間で実施されるさらなる方法工程において処理される。代わりに、工程i.を、方法工程B)とC)との間で実施してよい。この処理は、基板と続いて適用される金属層との間の接着を大いに高める。本発明の利点は、方法工程i.を基板に適用することによって、しばしば工程A)における毒性のある溶液中での厳しいエッチング処理を避けることができ、かつさらに非常に良好な接着が得られることである。
ia. プラスチック目的物又は基板を高温に加熱する工程。
このさらなる方法工程を焼戻しともいう。方法工程ia.に従った高温は、基板材料に依存する。高温は、60〜400℃、好ましくは60〜200℃、より好ましくは100〜150℃、最も好ましくは120〜140℃の範囲である。ガラス又はセラミック基板、導電性基板又は電気半導性基板は400℃まで加熱してよいが、プラスチックからなる基板は、200℃まで加熱してよい。
ib. プラスチック目的物又は基板を洗浄する工程。
ii. 湿式化学メッキ法を適用して基板を金属メッキする工程
は、
iia. 基板と貴金属コロイド又は貴金属イオン含有溶液とを接触する工程
iib. 基板と無電解金属メッキ溶液とを接触する工程、及び
iic. 基板と電解金属メッキ溶液とを接触する工程
を含む。
ii1. 目的物又は基板を前浸漬溶液中で浸漬する工程、
iia1. 目的物又は基板を洗浄溶液中で洗浄する工程、
iia2. 目的物又は基板を促進溶液中で又は還元剤溶液中で処理する工程、
iib1. 目的物又は基板を洗浄溶液中で洗浄する工程、
iic1. 目的物又は基板を洗浄溶液中で洗浄する工程。
ii. 湿式化学メッキ法を適用して基板を金属メッキする工程
は、
iid. 基板と貴金属コロイドとを接触する工程
iie. 基板と、十分な電気伝導性層を直接電解金属化のための基板の表面上で形成する変換溶液とを接触する工程、及び
iif. 基板と電解金属メッキ溶液とを接触する工程
を含む。
(i)Cu(II)、Ag、AuもしくはNiの可溶性金属塩、又はそれらの混合物、
(ii)IA属の金属水酸化物の0.05〜5mol/l、及び
(iii)前記金属塩の金属のイオンのための錯化剤
を含んでよい。
ic. 基板を水溶性ポリマーと接触させる工程;
id. 基板を過マンガン酸塩溶液で処理する工程;
ie. 基板を、少なくとも1つのチオフェン化合物、並びにメタンスルホン酸、エタンスルホン酸及びエタンジスルホン酸を含む群から選択される少なくとも1つのアルカンスルホン酸を含む水性ベースの酸性水溶液又は酸性マイクロエマルションで処理する工程;
を、工程i.の前に実施し、かつ工程
ii. 湿式化学メッキ法を適用して基板を金属メッキする工程
は、
iig. 基板を、電解金属メッキ溶液と接触させる工程
を含む。
if. 基板を、少なくとも1つのオルガノシラン化合物を含む溶液で処理する工程。
ig. 基板表面上でナノメートルサイズの粒子中で、ナノメートルサイズの粒子をさらに化学的に改質する工程。
本発明を、次の制限されない実施例によってさらに詳述する。
シリカナノ粒子コロイドを、Journal of Colloid and Interface Science 26, 62 〜 69(1968)において記載されたStoeberプロセスに従って、エタノール及び水混合物中で反応させた前駆体としてTEOS(テトラエチルオルトシリケート)を使用することによって、製造した。NH4OH(25%)溶液を、加水分解及び縮合反応を促進するための触媒として使用した。44ml/lのTEOSを、2ml/lのH2O、10ml/lのNH4OH及び944ml/lのエタノールの溶液に添加した。その溶液を、15時間室温で撹拌して、高く分散したコロイド状シリカ粒子を得た。そのシリカ粒子をエタノールで洗浄した。その後、そのシリカ粒子を、エタノール中で又は乾燥条件で貯蔵し、又はそれらを官能化のためにすぐに使用した。比較的大きい容量の水酸化アンモニウム溶液を使用して、より大きい粒径を有するシリカコロイドを得た。
実施例1において製造したナノメートルサイズのシリカコロイドの表面を、次にアルキルアミノ基で官能化した。この官能化を実施するために、2mlの3−アミノプロピルトリエトキシシラン(APTS)を、50mlの製造したコロイド状シリカ溶液(50mlのエタノール中で2gのシリカ粒子)に添加した。アミノシランを添加する前に、57.2ml/lの酢酸を、コロイド状シリカ溶液中に添加して、3〜6の範囲のpHを維持した。シラノールに対応するAPTSの中間体加水分解生成物は、前記pH範囲で高い安定性を有する。この反応混合物を、2時間撹拌して、良好なシリカナノ粒子とAPTSとの混合物を得た。そして、その反応混合物を、3時間80℃で環流した。反応混合物の環流は、APTS加水分解生成物のシラノール基とシリカ粒子の表面ヒドロキシル基との縮合を開始するために必要である。その後、官能化したシリカ粒子を洗浄し、エタノール中で貯蔵した。
実施例2において合成した官能化シリカ粒子のサイズ分布をDLSによって測定した。
25℃でのエタノールの反射指数:1.36
25℃でのエタノールの粘度:1.1cP。
光検出角度:165°
波長:658nm
セル中心:z=6.3mm;x=7.55mm。
FTIR−ATR分光法によるシリカ粒子の表面官能性の特徴化
実施例2において生じたシリカナノ粒子の表面官能性を、FTIR−ATR分光法による表面官能化の前後に分析した。
1H−NMR分光法によるシリカ粒子の表面官能性の特徴化
さらに、実施例2において生じたシリカナノ粒子の表面官能性を、1H−NMR分光法による表面官能化の前後に分析した。
絶縁性基板上に適用した官能化シリカナノ粒子
厚さ0.6mmを有する絶縁性基板(ABF−GX92、ビスフェノールAエピクロロヒドリンを基礎とするエポキシ樹脂)を、4.7cm×7.7cmの寸法を有するクーポンの形で切断した。
官能化シリカ粒子の付着性能の分析
実施例6に従って既に銅でメッキした絶縁性基板クーポンを、幅1cm及び長さ7cmのストライプに切断した。通常、1つの試料クーポンは、その前と後ろで4つの測定のストライプを提供する。少量の銅層を、手によって基板から剥離し、そして剥離機械の移動クラム(moving clam)中に固定した。移動クラムは、20秒間で50mm/分の一定の剥離速度で測定ストライプを上へ向かってゆっくりと動く。剥離機械は、絶縁性基板表面から銅層を剥離するために必要とされる力を同時に測定した。
基板としてシリコンウェハ上で適用したアミン官能化シリカナノ粒子
実施例2の官能化シリカ粒子(試料2)を、コバルト−タングステン−亜リン酸(CoWP)合金層をシリコンウェハの表面に付着するための付着促進剤として使用した。厚さ0.6mmを有するシリコンウェハ試料を3cm×2cmのサイズで製造した。これらのシリコンウェハの第一の群を、付着促進剤の層で被覆し、その後、CoWP合金層を、表6において示したプロセス手順に従って堆積した。シリコンウェハ試料の第二の群を、CoWP合金層のみで被覆した。付着促進剤を、シリコンウェハ試料の第二の群に適用しなかった。
官能化シリカ粒子の付着性能の分析
CoWP合金層と実施例8のシリコンウェハとの間の付着促進剤としてのアミン官能化シリカナノ粒子の付着性能を、次の付着試験によって試験した。
種々の絶縁性基板上で適用したアミン官能化シリカナノ粒子
種々の基板材料(表8を参照)上での金属層へのアミン官能化シリカ粒子(試料2、実施例2)によって付与された付着強度を試験した。基板を概要として以下で試験した。
− 1. KMnO4前処理:60g/l;80℃;1分
− 2. 還元溶液(Atotech Securiganth P 500 Reduction Solution):50℃;1分
− 3. アルカリ性洗浄剤(Atotech Securiganth 902 Cleaner):60℃;5分
− 4. 付着促進剤(4g/lのアミノプロピルで改質したシリカナノ粒子):60℃;5分
− 5. アニーリング:130℃;10分
− 6. Pd活性剤前浸漬(Atotech Neoganth Pre Dip B):25℃;1分
− 7. Pd活性剤(Atotech Neoganth Activator 834):40℃;4分
− 8. Pd還元溶液(Atotech Neoganth WA Reducer):30℃;3分
− 9. E−less銅浴(eless Cu、Atotech Printoganth MV Plus):35℃;5分;約300nm
− 10. アニーリング:150℃;30分
− 11. 電解銅(Atotech Cupracid TLC):25℃;2A/dm2;90分;約40μm
− 12. アニーリング:180℃;60分
− 13. 実施例7において記載した剥離機械による90°付着。基板を4.4×7.7cmの寸法で切断した。
剥離速度45mm/分。
− 10. アニーリング180℃;60分。
− Pd活性剤(Atotech Cerabond M activator):35℃;2分
− Pd還元溶液(Atotech Cerabond M Ni Reducer):70℃;1分
− E−lessニッケル浴(Atotech Aurotech CNN Mod):86℃;1分;約150nm
− アニーリング:180℃;60分。
ウレイド基を有するナノメートルサイズのシリカ粒子の官能化
実施例1において製造したナノメートルサイズのシリカコロイドの表面をウレイドプロピル基で官能化した。実施例1からのコロイド状シリカ懸濁液100mをガラス反応器中に移した。シリカ懸濁液のpHを、1M酢酸を添加することによってpH4〜5に低下させた。3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン(メタノール中で50%)を、濃度が反応混合物中でシランの0.34Mであるまで、3ml/分の一定の流速でゆっくりと添加した。その反応混合物を、400rpmで撹拌し、そして20℃(室温)で維持した。1時間後に、その温度を、ΔT=5K/分の速度で20℃〜75℃までゆっくりと上昇させ、3時間環流した。ウレイドプロピルで官能化したシリカナノ粒子(ウレイドシリカナノ粒子とも言う)の懸濁溶液を、室温まで冷却後に採取した。
元素分析は、当業者によく知られている有機又は無機化合物中で含まれる元素を測定するための方法である。ウレイドシリカナノ粒子について、次の元素の組成:
炭素:22.9質量% 水素:5.34質量% 窒素:11.11質量%
を得て、残りの60.65質量%はケイ素及び酸素である。
ウレイドシリカ粒子のサイズの測定を、実施例3において記載したようにDLSによって測定した。結果を表9において示す。ウレイドシリカナノ粒子は、平均直径34.2nm±0.1nmを有する。
アリルエーテル基及びカルボン酸ナトリウム基を有するナノメートルサイズのシリカ粒子の官能化
実施例2において製造したアミノ官能化したナノメートルサイズのシリカコロイドの表面を、さらにアリルエーテル基及びカルボン酸ナトリウム基で官能化した。官能化後に、ナノメートルサイズのシリカ粒子は、双方の化学官能基を同時に有する。
絶縁性基板上で適用した種々の官能性を有するシリカナノ粒子
絶縁性基板上での種々の官能性(表10を参照)を有するシリカナノ粒子によって付与された付着強度を試験した。絶縁性基板を、Ajinomoto社製のABF−GX 92から製造した。基板を概要として以下で試験した。
− 1. KMnO4前処理:60g/l;80℃;1分
− 2. 還元溶液(Atotech Securiganth P 500 Reduction Solution):50℃;1分
− 3. アルカリ性洗浄剤(Atotech Securiganth 902 Cleaner):60℃;5分
− 4. 付着促進剤(4g/lの改質したシリカナノ粒子):60℃;5分
− 5. アニーリング:130℃;10分
− 6. Pd活性剤前浸漬(Atotech Neoganth Pre Dip B):25℃;1分
− 7. Pd活性剤(Atotech Neoganth Activator 834):40℃;4分
− 8. Pd還元溶液(Atotech Neoganth WA Reducer):30℃;3分
− 9. E−less銅浴(eless Cu、Atotech Printoganth MV Plus):35℃;15分;約1μm
− 10. アニーリング:150℃;30分
− 11. 電解銅(Atotech Cupracid TLC):25℃;2A/dm2;90分;約40μm
− 12. アニーリング:180℃;60分
− 13. 90°剥離:実施例7において記載した剥離機械による。剥離速度45mm/分。
基板としてシリコンウェハ上で適用した種々の官能性を有するシリカナノ粒子
シリコンウェハ上でのニッケル層に種々の官能性(表11を参照)を有するシリカナノ粒子によって付与された付着強度を試験した。シリコンウェハを概要として以下で試験した。
− 1. イソプロパノール:25℃;30秒
− 2. 硫酸(5%):25℃;1分
− 3. 付着促進剤(4g/lの改質したシリカナノ粒子):60℃;5分
− 4. アニーリング:130℃;10分
− 5. Pd活性剤(Atotech Cerabond M activator):35℃;3分
− 6. Pd還元溶液(Atotech Cerabond M Ni Reducer):70℃;2分
− 7. E−lessニッケル浴(Atotech Aurotech HP):75℃;2分;約100nm
− 8. アニーリング:130℃;10分
− 9. テープ試験:実施例9に従ってTesa Tapesを使用する付着試験。テープは4.5N/cmの剥離強度量を有した。
シランでの基板の追加の前処理
官能化シリカナノ粒子を基板に適用する前に、基板表面をさらにシランで処理した。シランは、(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシ−シランであった。基板はシリコンウェハであった。実施例11のウレイドシリカナノ粒子を付着促進剤として使用した。無電解で堆積したニッケル層は150nmの厚さを有した。シリコンウェハ基板を、実施例14において概要を述べたように処理し、試験手順は工程2及び3の間に以下の追加の工程を含んだ:
− シリコン基板のシラン化0.1%の(3−グリシドキシプロピル)トリメトキシシラン;25℃;3分。
基板上への活性剤の吸着に対する種々の官能性を有するシリカナノ粒子の影響
絶縁性基板を、パラジウムでの活性化が完了する(工程1〜8)まで実施例13において記載したように処理した。その後、パラジウムを、王水(王水:脱イオン水=1:1)中で5分間25℃で溶解した。パラジウムの濃度を、Inductively Coupled Plasma Optical Emission Spectrometry(ICP−OES)によって得られた溶液で測定した。種々の官能性を有するシリカナノ粒子(表13を参照)を、付着促進剤として使用した。基板は、Ajinomoto社製のABF−GX 92から製造した絶縁性基板であり、かつ10×10cmの寸法で切断した。
パラジウムについての波長:340nm、458nm及び360nm、955nm
測定の繰り返し:3
ネブライザーガス圧:200kPa
補助ガス流速:1.5 l/分
プラズマガス流速:16.5 l/分
RF−出力:1250ワット。
付着強度に対する種々のエッチング方法又は洗浄方法の影響
実施例17A
最初の実験において、絶縁性基板を、エッチングし、付着促進剤(実施例2の試料2のアミノ官能化シリカナノ粒子)で処理し、そして実施例13において記載したように金属化した。第二の実験において、エッチング工程:KMnO4前処理及び還元溶液(工程1及び2)を省略した。双方の試料基板上で堆積した銅層の付着強度を、実施例13において記載したように測定した。絶縁性基板を、Ajinomoto社製のABF−GX 92から製造した。
絶縁性基板の試料を、種々のエッチング法(以下を参照)でエッチングし、付着促進剤(実施例2の試料2のアミノ官能化シリカナノ粒子)で処理し、金属化し、そして堆積した銅層の付着強度を、実施例13において記載したように測定した。絶縁性基板を、Ajinomoto社製のABF−GX 92から製造した。次のエッチング方法を使用した:
過マンガン酸塩エッチング:
1. KMnO4:60g/l;1分
2. 還元溶液(Atotech Securiganth P 500 Reduction Solution):50℃;1分
NaOHエッチング:
400g/lのNaOH、80℃;15分
ピラニア洗浄:
98% H2SO4:32% H2O2=5/5;25℃;5分
実施例13とは対照的に、実験手順の工程4、9及び10を変更した:
− 4. 付着促進剤:0.8g/lのアミノプロピルで改質したシリカナノ粒子、60℃;5分
− 9. E−less銅浴(Atotech Printoganth MV Plus):35℃;5分
− 10. アニーリング:180℃;60分。
付着促進剤の種々の濃度についての金属化した表面の表面構造
実施例6及び7と同様に、種々の濃度(表16を参照)で絶縁性基板をアミノ官能化シリカナノ粒子(実施例2の試料2)で処理した。絶縁性基板を、Ajinomoto社製のABF−GX 92から製造した。基板を試料4について実施例10において概要したように処理した。
− 9. E−less銅浴(Atotech Printoganth MV Plus):35℃;5分アニーリング:35℃;15分;約1μm。
Claims (19)
- 基板上に金属をメッキするための方法であって、
i. 基板と、基板への結合に適した官能化学基を有する少なくとも1つの付着基を有するナノメートルサイズの粒子を含む溶液とを接触させ、それによって、基板表面の少なくとも一部上で前記ナノメートルサイズの粒子の層を形成する工程、及びその後、
ii. 湿式化学メッキ法を適用して基板を金属メッキする工程
を含み、その際前記ナノメートルサイズの粒子の層が、基板表面とメッキした金属との間に残る、前記方法。 - 前記少なくとも1つの付着基が、一般式(I)
- 前記結合基Bが、
1. −Si(R1R2)− [式中、R1及びR2は、互いに独立して、炭素原子1〜12個を有するアルコキシ基、炭素原子1〜12個を有するアルキル基、ハロゲン原子、及びナノメートルサイズの粒子から生じる酸素原子への結合及び/又は他の付着基を示す]又は
2. −CH2−R3−、−CO−NH−、−CO−O−、非置換の又は置換されたアリール [式中、R3は、−CHOH−CH2−O−、−CHOH−CH2−;直鎖の、非置換の又は置換された炭素原子1〜5個を有する炭化水素基を示す]
を示す、請求項1又は2に記載の方法。 - 前記連結基Lが、直鎖の、非置換又は置換された、炭素原子1〜20個を有する炭化水素基;環状の、非置換又は置換された、炭素原子3〜8個を有する炭化水素基;1つ以上の酸素原子及び/又はアミノ基で中断された直鎖又は環状の炭化水素基;1つ以上の二重結合又は三重結合を有する直鎖又は環状の炭化水素基;非置換又は置換されたアリール又はヘテロアリール、ホスホネート及びビピリジルを示す、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記官能化学基FGが、アミノ基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、エポキシ基、メルカプト基、ヒドロキシル基、アクリル基、メタクリル基、無水物基、酸ハロゲン化物基、ハロゲン基、アリル基、ビニル基、スチレン基、アリール基、アセチレン基、アジド基、ウレイド基、窒素原子1〜3個を有する5〜6員環複素環式炭化水素基、イソニコチンアミジル、ビピリジル、ニトリル、イソニトリル及びチオシアネートである、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記ナノメートルサイズの粒子が、1つの材料のみを含むか、又は1つ以上の材料を含む、請求項1から5までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記材料が、無機酸化物、有機ポリマー及び金属から選択される、請求項6に記載の方法。
- 前記無機酸化物が、1つ以上のシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化スズ、酸化亜鉛、シリカゲル、二酸化ケイ素を被覆したTiO2、Sb−SnO2、Fe2O3、マグネタイト、インジウムスズオキシド(ITO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)、酸化インジウム、酸化アンチモン、フッ素ドープ酸化スズ、リンドープ酸化スズ、アンチモン酸亜鉛及びインジウムドープ酸化亜鉛から選択される、請求項7に記載の方法。
- 前記ナノメートルサイズの粒子が、無機酸化物を含む外表面を有する、請求項6から8までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記工程i.における溶液との接触が、1〜20分の時間で、15〜80℃の温度である、請求項1から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記方法工程i.によるナノメートルサイズの粒子が、0.5g/l〜100.0g/lの範囲の濃度である、請求項1から10までのいずれか1項に記載の方法。
- さらなる方法工程:
ia. 1〜60分の時間、60〜400℃の範囲の温度まで基板を加熱する工程
を、方法工程i.の後に実施する、請求項1から11までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記ナノメートルサイズの粒子が0.5〜500nmの平均直径d50を有する、請求項1から12までのいずれか1項に記載の方法。
- 基板への結合に適している前記付着基を、ナノメートルサイズの粒子の外表面に付着させる、請求項1から13までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記メッキした金属が、前記ナノメートルサイズの粒子の層上に残る、請求項1から14までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記湿式化学メッキ法が、電気メッキ法、浸漬メッキ法、又は無電解メッキ法である、請求項1から15までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記基板が、非導電性又は半導性基板であり、かつ
ii. 湿式化学メッキ法を適用して基板を金属メッキする工程
は、
iia. 基板と貴金属コロイド又は貴金属イオン含有溶液とを接触させる工程
iib. 基板と無電解金属メッキ溶液とを接触させる工程、及び
iic. 基板と電解金属メッキ溶液とを接触させる工程
を含む、請求項1から16までのいずれか1項に記載の方法。 - 前記基板が、非導電性又は半導電性基板であり、かつ次のさらなる方法工程:
ic. 基板を水溶性ポリマーと接触させる工程;
id. 基板を過マンガン酸塩溶液で処理する工程;
ie. 基板を、少なくとも1つのチオフェン化合物、並びにメタンスルホン酸、エタンスルホン酸及びエタンジスルホン酸を含む群から選択される少なくとも1つのアルカンスルホン酸を含む水性ベースの酸性水溶液又は酸性マイクロエマルションで処理する工程;
を、工程i.の前に実施し、かつ工程
ii. 湿式化学メッキ法を適用して基板を金属メッキする工程
は、
iig. 基板を、電解金属メッキ溶液と接触させる工程
を含む、請求項1から17までのいずれか1項に記載の方法。 - 請求項1から18に記載のナノメートルサイズの粒子の層及び基板表面上で金属層を有する基板。
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