JP2015511258A - タンパク質を含有する化学機械研磨(cmp)組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
(A)無機粒子、有機粒子、またはこれらの混合物もしくは複合物と、
(B)タンパク質と
(C)水性媒体とを含むCMP組成物が見いだされた。
−一種の無機粒子からなるものであっても、
−異なる種類の無機粒子の混合物または複合物
−一種の有機粒子、
−異なる種類の有機粒子の混合物または複合物、
−一種以上の無機粒子と一種以上の有機粒子の混合物または複合物であってもよい。
−金属、金属酸化物または炭化物(半金属、半金属酸化物または炭化物を含む)の無機粒子であっても、
−ポリマー粒子などの有機粒子であっても、
−無機粒子と有機粒子の混合物または複合物であってもよい。
一般に、この水性媒体(C)はいずれの含水媒体であってもよい。好ましくは、水性媒体(C)は、水と水混和性有機溶媒(例えばアルコール、好ましくはC1〜C3アルコール、またはアルキレングリコール誘導体)の混合物である。より好ましくはこの水性媒体(C)が水である。最も好ましくはこの水性媒体(C)が脱イオン水である。
(A)セリア粒子と、
(B)真菌性タンパク質と
(C)水性媒体とを含む。
(A)セリア粒子と、
(B)アミノ酸単位としてシステインを含むタンパク質と
(C)水性媒体とを含む。
(A)セリア粒子と、
(B)100個を超えるアミノ酸単位を含むタンパク質と
(C)水性媒体とを含む。
(A)セリア粒子と、
(B)少なくとも一個のヒドロホビン単位を含むタンパク質と、
(C)水性媒体とを含む。
(A)セリア粒子と、
(B)ヒドロホビンと
(C)水性媒体とを含む。
(A)セリア粒子を、CMP組成物の総質量に対して0.01〜5質量%の濃度で、
(B)ヒドロホビンまたは少なくとも一個のヒドロホビン単位を含むタンパク質を、CMP組成物の総質量に対して0.001〜0.5質量%の濃度で、また
(C)水性媒体を含む。
一般的なCMP試験の方法を以下に述べる。
ストロースボーnスパイア(6EC型)、ViPRRフローティング保持リング支持体;
下向き圧力:2.0psi(138mbar);
裏側圧力:0.5psi(34.5mbar);
保持リング圧力:2.5psi(172mbar);
研磨面/支持体速度:95/86rpm;
スラリー流量:200ml/min;
研磨時間:60s;
パッド状態調節:原位置、4.0lbs(18N);
研磨パッド:スバ4積層パッド上のIC1000A2、xykまたはkみぞ付(R&H);
裏打ちフィルム:ストロースボー、DF200(136穴);
状態調節ディスク:3MのS60;
除去速度は、フィルムメトリクスF50を用いる光学的膜厚測定で決定した。CMPの前後で各ウエハーの49点の径(端部5mmを除く)の測定を行う。CMP前後の膜厚の差から、F50で測定したウエハー上の各点における膜厚の低下率を計算する。この49点径スキャンから得られたデータの平均から合計低下率が与えられ、その標準偏差から(不)均一性が与えられる。除去速度として、合計材料除去率と主研磨工程の時間の商を用いる。
SiO2フィルム:PE、TEOS;
Si3N4フィルム:PE、CVDまたはLPCVD
ポリSiフィルム:ドープ処理あり;
アンモニア水溶液(0.1%)またはHNO3(0.1%)をスラリーに添加してpHを調整する。pH値は、pH複合電極(ショット、ブルーライン22pH)で測定する。
平均一次粒子径(BET表面積測定で決定)が60nmで、平均二次粒子径(d50値、堀場製作所の装置を用いて動的光散乱法で測定)が99nmであるコロイダルセリア粒子(ローディアHC60)
ヒドロホビンはBASF社から提供されたものである。
なお、このCMPプロセスでの水性媒体(C)は脱イオン水である(質量%=質量換算のパーセント;ポリSi=ポリシリコン)。
Claims (15)
- (A)無機粒子、有機粒子、またはこれらの混合物もしくは複合物と、
(B)タンパク質と
(C)水性媒体と
を含む化学機械研磨(CMP)組成物。 - タンパク質(B)がアミノ酸単位としてシステインを含むタンパク質である請求項1に記載のCMP組成物。
- タンパク質(B)が真菌性のタンパク質である請求項1または2に記載のCMP組成物。
- タンパク質(B)が、100個を超えるアミノ酸単位を含むタンパク質である請求項1〜3のいずれか一項に記載のCMP組成物。
- タンパク質(B)がヒドロホビンであるか、少なくとも一個のヒドロホビン単位を含む請求項1〜4のいずれか一項に記載のCMP組成物。
- 粒子(A)がセリア粒子である請求項1〜5のいずれか一項に記載のCMP組成物。
- 動的光散乱法で求めた粒子(A)の平均粒径が50nm〜300nmである請求項1〜6のいずれか一項に記載のCMP組成物。
- さらに、
(H)糖化合物を含む請求項1〜7のいずれか一項に記載のCMP組成物。 - さらに、
(H)モノサッカライド、ジサッカライド、トリサッカライド、テトラサッカライド、ペンタ−サッカライド、オリゴサッカライド、ポリサッカライド、及び酸化されたモノサッカライドからなる群から選ばれる糖化合物を含む請求項1〜3のいずれか一項に記載のCMP組成物。 - さらに、
(H)グルコース、ガラクトース、サッカロース、スクラロース、及びこれらの立体異性体からなる群から選ばれる糖化合物を含む請求項1〜9のいずれか一項に記載のCMP組成物。 - 組成物のpH値が5〜9の範囲である請求項1〜8のいずれか一項に記載のCMP組成物。
- (A)がセリア粒子であり、
(B)がヒドロホビンである請求項1に記載のCMP組成物。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載のCMP組成物の存在下に基板を化学機械的に研磨する工程を含む半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のCMP組成物の、半導体工業で使用される基板の化学機械的研磨への利用。
- 上記基板が、
(I)二酸化ケイ素と、
(II)窒化ケイ素またはポリシリコンを含む請求項14記載の利用。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020117709A (ja) * | 2019-01-25 | 2020-08-06 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | 低研磨材濃度及び化学添加剤の組み合わせを有するシャロートレンチアイソレーション(sti)化学機械平坦化(cmp)研磨 |
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9701760B2 (en) * | 2012-02-13 | 2017-07-11 | National University Corporation Kyoto Institute Of Technology | Peptide having affinity for silicon nitride (Si3N4), and use therefor |
US9340706B2 (en) * | 2013-10-10 | 2016-05-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Mixed abrasive polishing compositions |
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KR102605140B1 (ko) * | 2015-12-17 | 2023-11-24 | 솔브레인 주식회사 | 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
KR20210076571A (ko) * | 2019-12-16 | 2021-06-24 | 주식회사 케이씨텍 | Sti 공정용 연마 슬러리 조성물 |
WO2021231090A1 (en) * | 2020-05-11 | 2021-11-18 | Versum Materials Us, Llc | Novel pad-1 n-a-bottle (pib) technology for advanced chemical-mechanical planarization (cmp) slurries and processes |
US20220059496A1 (en) * | 2020-08-18 | 2022-02-24 | Seoul National University R&Db Foundation | Electronic device and method of transferring electronic element using stamping and magnetic field alignment |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999043761A1 (fr) * | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Showa Denko K.K. | Composition abrasive de polissage d'un dispositif semiconducteur et procede de production d'un dispositif semiconducteur afferent |
JP2000114211A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-04-21 | Showa Denko Kk | Lsiデバイス研磨用研磨材組成物及び研磨方法 |
JP2002110596A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加工用研磨剤およびこれに用いる分散剤、並びに上記半導体加工用研磨剤を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2008187191A (ja) * | 2008-02-25 | 2008-08-14 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
US20100267096A1 (en) * | 2009-03-09 | 2010-10-21 | Basf Se | Use of a synergistic mixture of water-soluble polymers and hydrophobins for thickening aqueous phases |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100699735B1 (ko) | 1999-11-04 | 2007-03-27 | 세이미 케미칼 가부시끼가이샤 | 펩티드를 함유한 반도체용 연마제 |
TWI281493B (en) * | 2000-10-06 | 2007-05-21 | Mitsui Mining & Smelting Co | Polishing material |
US20040175942A1 (en) | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
US7241734B2 (en) * | 2004-08-18 | 2007-07-10 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thermophilic hydrophobin proteins and applications for surface modification |
JP4027929B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2007-12-26 | 花王株式会社 | 半導体基板用研磨液組成物 |
US20060216935A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-09-28 | Ferro Corporation | Composition for oxide CMP in CMOS device fabrication |
WO2007019342A2 (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | High throughput chemical mechanical polishing composition for metal film planarization |
KR101395542B1 (ko) * | 2006-05-02 | 2014-05-14 | 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 | 반도체 물질의 cmp를 위한 조성물 및 방법 |
CN101573420A (zh) * | 2006-12-04 | 2009-11-04 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于金属表面的包含水合氧化铝研磨剂的平整化组合物 |
EP2334749B1 (en) | 2008-10-03 | 2012-08-29 | Basf Se | Chemical mechanical polishing (cmp) polishing solution with enhanced performance |
JP2012028747A (ja) | 2010-06-24 | 2012-02-09 | Hitachi Chem Co Ltd | Cmp研磨液及び基板の研磨方法 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999043761A1 (fr) * | 1998-02-24 | 1999-09-02 | Showa Denko K.K. | Composition abrasive de polissage d'un dispositif semiconducteur et procede de production d'un dispositif semiconducteur afferent |
JP2000114211A (ja) * | 1998-08-05 | 2000-04-21 | Showa Denko Kk | Lsiデバイス研磨用研磨材組成物及び研磨方法 |
JP2002110596A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体加工用研磨剤およびこれに用いる分散剤、並びに上記半導体加工用研磨剤を用いた半導体装置の製造方法 |
JP2008187191A (ja) * | 2008-02-25 | 2008-08-14 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体 |
US20100267096A1 (en) * | 2009-03-09 | 2010-10-21 | Basf Se | Use of a synergistic mixture of water-soluble polymers and hydrophobins for thickening aqueous phases |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020117709A (ja) * | 2019-01-25 | 2020-08-06 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | 低研磨材濃度及び化学添加剤の組み合わせを有するシャロートレンチアイソレーション(sti)化学機械平坦化(cmp)研磨 |
JP6990261B2 (ja) | 2019-01-25 | 2022-01-12 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | 低研磨材濃度及び化学添加剤の組み合わせを有するシャロートレンチアイソレーション(sti)化学機械平坦化(cmp)研磨 |
JP2020122144A (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-13 | バーサム マテリアルズ ユーエス,リミティド ライアビリティ カンパニー | 調節可能な酸化ケイ素及び窒化ケイ素除去速度を有するシャロートレンチアイソレーション(sti)化学機械平坦化(cmp)研磨 |
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