RU2014136534A - Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок - Google Patents

Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок Download PDF

Info

Publication number
RU2014136534A
RU2014136534A RU2014136534A RU2014136534A RU2014136534A RU 2014136534 A RU2014136534 A RU 2014136534A RU 2014136534 A RU2014136534 A RU 2014136534A RU 2014136534 A RU2014136534 A RU 2014136534A RU 2014136534 A RU2014136534 A RU 2014136534A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
mechanical polishing
chemical
composition
protein
polishing according
Prior art date
Application number
RU2014136534A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2631875C2 (ru
Inventor
Южуо ЛИ
Бастиан Мартен НОЛЛЕР
Михаэль ЛАУТЕР
Роланд ЛАНГЕ
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2014136534A publication Critical patent/RU2014136534A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2631875C2 publication Critical patent/RU2631875C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/06—Other polishing compositions
    • C09G1/14—Other polishing compositions based on non-waxy substances
    • C09G1/18—Other polishing compositions based on non-waxy substances on other substances
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Abstract

1. Композиция для химико-механического полирования, содержащая(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или их композит,(B) белок и(C) водную среду.2. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы.3. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой грибной белок.4. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой белок, содержащий более чем 100 аминокислотных единиц.5. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой гидрофобии или содержит по меньшей мере одну единицу гидрофобина.6. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой частицы (A) представляют собой частицы оксида церия.7. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой средний размер частицы частиц (A) составляет от 50 нм до 300 нм, как определено посредством методов динамического светорассеяния.8. Композиция для химико-механического полирования по любому из пп. 1-7, дополнительно содержащая(H) сахарное соединение.9. Композиция для химико-механического полирования по любому одному из пп. 1-7, дополнительно содержащая(H) сахарное соединение, выбранное из группы, состоящей из моно-, ди-, три-, тетра-, пента-, олиго- и полисахаридов и окисленных моносахаридов.10. Композиция для химико-механического полирования по п. 8, дополнительно содержащая(H) сахарное соединение, выбранное из группы, состоящей из моно-, ди-, три-, тетра-, пента-, олиго- и полисахаридов и окисленных моносахаридов.11. Композиция для химико-механического полирования по любому из пп. 1-7, до

Claims (17)

1. Композиция для химико-механического полирования, содержащая
(A) неорганические частицы, органические частицы или их смесь или их композит,
(B) белок и
(C) водную среду.
2. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой белок, содержащий цистеин в качестве аминокислотной единицы.
3. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой грибной белок.
4. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой белок, содержащий более чем 100 аминокислотных единиц.
5. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой белок (B) представляет собой гидрофобии или содержит по меньшей мере одну единицу гидрофобина.
6. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой частицы (A) представляют собой частицы оксида церия.
7. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой средний размер частицы частиц (A) составляет от 50 нм до 300 нм, как определено посредством методов динамического светорассеяния.
8. Композиция для химико-механического полирования по любому из пп. 1-7, дополнительно содержащая
(H) сахарное соединение.
9. Композиция для химико-механического полирования по любому одному из пп. 1-7, дополнительно содержащая
(H) сахарное соединение, выбранное из группы, состоящей из моно-, ди-, три-, тетра-, пента-, олиго- и полисахаридов и окисленных моносахаридов.
10. Композиция для химико-механического полирования по п. 8, дополнительно содержащая
(H) сахарное соединение, выбранное из группы, состоящей из моно-, ди-, три-, тетра-, пента-, олиго- и полисахаридов и окисленных моносахаридов.
11. Композиция для химико-механического полирования по любому из пп. 1-7, дополнительно содержащая
(H) сахарное соединение, выбранное из группы, состоящей из глюкозы, галактозы, сахарозы, сукралозы и их стереоизомеров.
12. Композиция для химико-механического полирования по любому из пп. 1-7, в которой значение pH композиции находится в интервале от 5 до 9.
13. Композиция для химико-механического полирования по п. 8, в которой значение pH композиции находится в интервале от 5 до 9.
14. Композиция для химико-механического полирования по п. 1, в которой
(A) представляют собой частицы оксида церия,
(B) представляет собой гидрофобии.
15. Способ изготовления полупроводниковых устройств, включающий в себя химико-механическое полирование подложки в присутствии композиции для химико-механического полирования, как определена в любом из пп. 1-14.
16. Применение композиции для химико-механического полирования по любому из пп. 1-14 для химико-механического полирования подложки, используемой в полупроводниковой промышленности.
17. Применение по п. 16, где подложка содержит
(i) диоксид кремния и
(ii) нитрид кремния или полисиликон.
RU2014136534A 2012-02-10 2013-01-25 Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок RU2631875C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261597210P 2012-02-10 2012-02-10
US61/597,210 2012-02-10
PCT/IB2013/050647 WO2013118015A1 (en) 2012-02-10 2013-01-25 Chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a protein

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014136534A true RU2014136534A (ru) 2016-03-27
RU2631875C2 RU2631875C2 (ru) 2017-09-28

Family

ID=48946960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014136534A RU2631875C2 (ru) 2012-02-10 2013-01-25 Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9777192B2 (ru)
EP (1) EP2812911B1 (ru)
JP (1) JP6114312B2 (ru)
KR (1) KR20140122271A (ru)
CN (1) CN104081501B (ru)
IL (1) IL233797A0 (ru)
MY (1) MY171093A (ru)
RU (1) RU2631875C2 (ru)
SG (1) SG11201404747UA (ru)
TW (1) TWI606102B (ru)
WO (1) WO2013118015A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112980332A (zh) * 2019-12-16 2021-06-18 凯斯科技股份有限公司 用于sti工艺的抛光浆料组合物

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104169418B (zh) * 2012-02-13 2017-06-13 国立大学法人京都工艺纤维大学 具有对氮化硅(si3n4)的亲和性的肽及其用途
US9340706B2 (en) * 2013-10-10 2016-05-17 Cabot Microelectronics Corporation Mixed abrasive polishing compositions
US9551075B2 (en) 2014-08-04 2017-01-24 Sinmat, Inc. Chemical mechanical polishing of alumina
KR102605140B1 (ko) * 2015-12-17 2023-11-24 솔브레인 주식회사 화학 기계적 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
US11326076B2 (en) * 2019-01-25 2022-05-10 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with low abrasive concentration and a combination of chemical additives
US11608451B2 (en) * 2019-01-30 2023-03-21 Versum Materials Us, Llc Shallow trench isolation (STI) chemical mechanical planarization (CMP) polishing with tunable silicon oxide and silicon nitride removal rates
WO2021231090A1 (en) * 2020-05-11 2021-11-18 Versum Materials Us, Llc Novel pad-1 n-a-bottle (pib) technology for advanced chemical-mechanical planarization (cmp) slurries and processes
US20220059496A1 (en) * 2020-08-18 2022-02-24 Seoul National University R&Db Foundation Electronic device and method of transferring electronic element using stamping and magnetic field alignment

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2216490T3 (es) * 1998-02-24 2004-10-16 Showa Denko Kabushiki Kaisha Composicion abrasiva para pulir un dispositivo semiconductor y procedimiento para producir un dispositivo semiconductor con la misma.
JP3560484B2 (ja) * 1998-08-05 2004-09-02 昭和電工株式会社 Ｌｓｉデバイス研磨用研磨材組成物及び研磨方法
EP1235261A4 (en) 1999-11-04 2003-02-05 Seimi Chem Kk PEPTIDE-CONTAINING POLISH FOR SEMICONDUCTORS
JP2002110596A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体加工用研磨剤およびこれに用いる分散剤、並びに上記半導体加工用研磨剤を用いた半導体装置の製造方法
TWI281493B (en) * 2000-10-06 2007-05-21 Mitsui Mining & Smelting Co Polishing material
US20040175942A1 (en) 2003-01-03 2004-09-09 Chang Song Y. Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
US7241734B2 (en) * 2004-08-18 2007-07-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thermophilic hydrophobin proteins and applications for surface modification
JP4027929B2 (ja) * 2004-11-30 2007-12-26 花王株式会社 半導体基板用研磨液組成物
US20060216935A1 (en) * 2005-03-28 2006-09-28 Ferro Corporation Composition for oxide CMP in CMOS device fabrication
JP2009503910A (ja) 2005-08-05 2009-01-29 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 金属フィルム平坦化用高スループット化学機械研磨組成物
US20090156006A1 (en) * 2006-05-02 2009-06-18 Sriram Anjur Compositions and methods for cmp of semiconductor materials
CN101573420A (zh) 2006-12-04 2009-11-04 巴斯夫欧洲公司 用于金属表面的包含水合氧化铝研磨剂的平整化组合物
JP4784614B2 (ja) * 2008-02-25 2011-10-05 Ｊｓｒ株式会社 化学機械研磨用水系分散体
WO2010037730A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 Basf Se Chemical mechanical polishing (cmp) polishing solution with enhanced performance
WO2010102934A1 (de) * 2009-03-09 2010-09-16 Basf Se Verwendung einer mischung aus wasserloslichen polymeren und hydrophobinen zum verdicken wässriger phasen
JP2012028747A (ja) * 2010-06-24 2012-02-09 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨液及び基板の研磨方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112980332A (zh) * 2019-12-16 2021-06-18 凯斯科技股份有限公司 用于sti工艺的抛光浆料组合物

Also Published As

Publication number Publication date
SG11201404747UA (en) 2014-09-26
JP6114312B2 (ja) 2017-04-12
WO2013118015A1 (en) 2013-08-15
KR20140122271A (ko) 2014-10-17
IL233797A0 (en) 2014-09-30
US20150017454A1 (en) 2015-01-15
TW201339258A (zh) 2013-10-01
EP2812911B1 (en) 2017-06-28
MY171093A (en) 2019-09-25
TWI606102B (zh) 2017-11-21
RU2631875C2 (ru) 2017-09-28
US9777192B2 (en) 2017-10-03
CN104081501A (zh) 2014-10-01
EP2812911A4 (en) 2015-08-12
EP2812911A1 (en) 2014-12-17
JP2015511258A (ja) 2015-04-16
CN104081501B (zh) 2019-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014136534A (ru) Композиция для химико-механического полирования (смр), содержащая белок
EA200970096A1 (ru) Способы обработки поверхностей ионными кремнийорганическими композициями
CO6321219A2 (es) Composicion oral que contiene un abrasivo de silice que tiene un tamaño de particula promedio desde 5 hasta 20 micrones
WO2012021026A3 (ko) 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭 방법 (1)
EA201390559A1 (ru) Подавление иммунного ответа по типу гиперчувствительности неродственным антигеном, получаемым из материала-источника аллергенов
JP2009530690A5 (ru)
RU2015139742A (ru) Селенсодержащие композиции и их применение для лечения и предотвращения заболеваний или состояний, связанных с митохондриальной дисфункцией
JP2017508833A5 (ru)
EA201391493A1 (ru) Гидрофобные функционализированные частицы
RU2013103076A (ru) МАЛОРАЗДРАЖАЮЩИЕ ПРОЗРАЧНЫЕ ОЧИЩАЮЩИЕ КОМПОЗИЦИИ С ОТНОСИТЕЛЬНО НИЗКИМ pН
BR112015004464A2 (pt) método de produção de ímãs permanentes de terra rara
JP2013511144A5 (ru)
WO2019147749A3 (en) Stabilized rsv f proteins and uses thereof
AR096705A1 (es) Composición que comprende ácido glutámico-n,n-diacetato (glda), agua y enzima
MX2012001495A (es) Polipeptidos de porphyromonas gingivalis.
JP2014167106A5 (ru)
WO2014184709A3 (en) Chemical-mechanical polishing compositions comprising n,n,n',n'-tetrakis-(2-hydroxypropyl)-ethylenediamine or methanesulfonic acid
EA201500577A1 (ru) Жидкая композиция для очищения твердых поверхностей
CN1858136A (zh) 半导体锑化铟化学机械抛光液
EA201001567A1 (ru) Инкапсуляция биологически активных агентов
WO2008004243A3 (en) Ionic organosilicon compounds and compositions thereof
Katunina et al. Atmospheric precipitation (rain-water) as a source of contamination of the Sevastopol coastal waters by detergents and microalgae
AR086576A1 (es) Composiciones de cb-183,315 y metodos relacionados
WO2010108480A3 (de) VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINER Zn(S, O)-PUFFERSCHICHT AUF EIN HALBLEITERSUBSTRAT MITTELS CHEMISCHER BADABSCHEIDUNG
CN104445353B (zh) 一种纳米氧化钇粉体的合成方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20200126