CN112980332A - 用于sti工艺的抛光浆料组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于STI工艺的抛光浆料组合物，根据本发明一实施例的用于STI工艺的抛光浆料组合物包括：抛光粒子；非离子型聚合物；以及极性氨基酸。

Description

用于STI工艺的抛光浆料组合物
技术领域
本发明涉及一种用于STI工艺的抛光浆料组合物。
背景技术
随着半导体元件越来越多样且高度集成化，开始使用一种能够形成细微图案的技术，这使得半导体元件的表面结构越来越复杂，表面膜的阶梯差也越来越大。在制造半导体元件的过程中使用化学机械抛光(CMP，chemical mechanical polishing)的平坦化技术来去除形成在基板上的特定膜上的阶梯差。例如，CMP工艺多用于平坦化工艺以及形成布线、接触插塞、接触过孔等金属导电膜的工艺，其中，平坦化工艺是去除为层间绝缘而过量成膜的绝缘膜的工艺，对在层间绝缘膜(interlayer dielectric，ILD)与芯片(chip)之间进行绝缘的用于浅槽隔离(shallow trench isolation；STI)的绝缘膜实施的工艺。
在进行STI工艺时需要一种选择性的抛光特性，即提高绝缘膜层的抛光率以保护图案多晶硅膜质，并降低多晶硅膜层的抛光率。特别是对单元型(Cell Type)图案进行过度抛光时，也要减少多晶硅膜质的损失。
并且，当STI工艺中的抛光选择比过高时，由于埋在所述沟槽中的绝缘膜层过度抛光，可能导致凹陷(dishing)现象并恶化元件性能。尤其，此类凹陷问题可能导致在超细元件中的活性区域和场区域之间出现阶梯差，对元件的性能及可靠性造成不利影响。
发明内容
要解决的技术问题
本发明的目的在于解决上述问题，为此提供一种用于STI工艺的抛光浆料组合物，其对多晶硅膜具有优异的抛光停止功能，同时对多晶硅膜(停止层)具有高选择比，在过度抛光时可以停止对多晶硅膜的抛光并调整凹陷等缺陷，且通过在图案化晶片暴露抛光停止膜并调整抛光量来去除残余氧化膜，实现晶片中表面缺陷抑制功能并减少划痕。
然而，本发明要解决的问题并非受限于上述言及的问题，未言及的其他问题能够通过以下记载由本领域普通技术人员所明确理解。
解决问题的技术方法
根据本发明一实施例的用于STI工艺的抛光浆料组合物，包括：抛光粒子；非离子型聚合物；以及极性氨基酸。
根据本发明一实施例，所述抛光粒子可以包括从由金属氧化物、经有机物或无机物涂覆的金属氧化物及胶体状态的所述金属氧化物组成的群组中选择的至少任一种，所述金属氧化物可以包括从由二氧化铈、二氧化硅、氧化锆、氧化铝、二氧化钛、钡二氧化钛、氧化锗、氧化锰及氧化镁组成的群组中选择的至少任一种。
根据本发明一实施例，可以通过液相法制备所述抛光粒子，并进行分散使得抛光粒子的表面具有正电荷。
根据本发明一实施例，所述抛光粒子的粒径可以包括5nm至150nm的1次粒子及30nm至300nm的2次粒子。
根据本发明一实施例，所述抛光粒子可以是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.1重量％至10重量％。
根据本发明一实施例，所述非离子型聚合物可以由包含羟基的聚醚骨架组成。
根据本发明一实施例，所述非离子型聚合物可以包括从由甘油、二酰基甘油、三酰基甘油、聚甘油、聚甘油脂肪酸酯、聚氧化烯二甘油醚、聚氧化烯聚甘油醚、聚氧乙烯聚甘油醚、聚氧丙烯聚甘油醚及甘油聚甘油醚组成的群组中选择的至少任一种。
根据本发明一实施例，所述非离子型聚合物的重均分子量可以是300至2000。
根据本发明一实施例，所述非离子型聚合物可以是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.1重量％至1.0重量％。
根据本发明一实施例，所述极性氨基酸可以包括具有不带电荷的R基团的氨基酸。
根据本发明一实施例，所述极性氨基酸可以包括从由谷氨酰胺、苏氨酸、丝氨酸、天冬酰胺、半胱氨酸及酪氨酸组成的群组中选择的至少任一种。
根据本发明一实施例，所述极性氨基酸可以是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.1重量％至1.0重量％。
根据本发明一实施例，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物还可以包括分散助剂，其中，所述分散助剂是从由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基酯、聚氧乙烯甲基醚、聚乙二醇磺酸、聚乙烯醇、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚烷基环氧、聚氧乙烯环氧、聚环氧乙烷-环氧丙烷共聚物、纤维素、甲基纤维素、甲基羟乙基纤维素、甲基羟丙基纤维素、羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素、磺乙基纤维素及羧甲基磺乙基纤维素组成的群组中选择的至少任一种。
根据本发明一实施例，所述分散助剂可以是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.001重量％至1.0重量％。
根据本发明一实施例，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的pH范围可以是3至6。
根据本发明一实施例，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的ζ电位范围可以是+5mV至+70mV。
根据本发明一实施例，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物在半导体元件的浅槽隔离工艺中，氧化硅膜：多晶硅膜的抛光选择比可以是30:1至60:1。
根据本发明一实施例，在抛光所述多晶硅膜后，氧化硅膜区域中的凹陷量可以是
Figure BDA0002820855330000031
以下。
发明的效果
根据本发明一实施例的用于STI工艺的抛光浆料组合物，对多晶硅膜具有优异的抛光停止功能，因此即使对单元型(Cell Type)图案进行过度抛光时，也可以减少多晶硅膜质的损失。同时，所述抛光浆料组合物具有优异的防止绝缘膜凹陷的效果，并能够调节有效的凹陷程度。此外，可以保持相对较高的绝缘膜去除率，可在抛光后具有优异的平坦度改善效果，并可以在半导体元件的浅沟槽隔离(shallow trench isolation，STI)抛光后无残留物(residue)，从而减少氧化硅膜的凹陷(dishing)发生量，并减少划痕。
具体实施方式
下面对本发明的实施例进行详细说明。在对本发明进行说明的过程中，当判断对于相关公知功能或构成的具体说明会不必要地混淆实施例时，省略其详细说明。并且，本发明中使用的术语用于恰当地说明本发明的优选实施例，能够基于使用者、采用者的意图或本发明所属领域的惯例有所不同。因此，对本发明中术语进行定义时应基于说明书的整体内容。
在整体说明书中，当记载某个部件位于其他部件“上”时，不仅表示某一部件接触其他部件的情况，也包括两个部件之间存在其他部件的情况。
在整体说明书中，当说明某一部分“包括”某一构成要素时，不表示排除其他构成要素，还能够包括其他构成要素。
以下，参照实施例对本发明的用于STI工艺的抛光浆料组合物进行具体说明。然而，本发明并非受限于实施例。
根据本发明一实施例的用于STI工艺的抛光浆料组合物，包括：抛光粒子；非离子型聚合物；以及极性氨基酸。
根据本发明一实施例的用于STI工艺的抛光浆料组合物对多晶硅膜质具有优异的抛光停止功能，即使对单元型(Cell Type)图案进行过度抛光时，也可以减少多晶硅膜质的损失。同时，具有良好的防止绝缘膜凹陷的效果，并且能够有效地调节凹陷程度。此外，可以保持相对较高的绝缘膜去除率，抛光后具有优异的平坦度改善效果，可在半导体元件的STI抛光后无残留物(residue)，可以减少氧化硅膜的凹陷(dishing)量，并可以减少划痕。
根据本发明一实施例，所述抛光粒子可以包括从由金属氧化物、经有机物或无机物涂覆的金属氧化物及胶体状态的所述金属氧化物组成的群组中选择的至少任一种，所述金属氧化物可以包括从由二氧化铈、二氧化硅、氧化锆、氧化铝、二氧化钛、钡二氧化钛、氧化锗、氧化锰及氧化镁组成的群组中选择的至少任一种。
根据本发明一实施例，所述抛光粒子可以是分散为正电荷的胶体二氧化铈。通过将分散为所述正电荷的胶体二氧化铈与活化为正电荷的添加液进行混合，可以实现更高的阶梯差去除功能及自动抛光停止功能。
根据本发明一实施例，可以通过液相法制备所述抛光粒子，并进行分散使得抛光粒子的表面具有正电荷。所述抛光粒子可以包括通过液相法制备的抛光粒子，但并不限于此。液相法是通过使抛光粒子前驱体在水溶液中发生化学反应，并使结晶生长从而获得微粒子的溶胶-凝胶(sol-gel)法，或者是将抛光粒子离子在水溶液中进行沉淀的共沉法，以及在高温高压中形成抛光粒子的水热合成法等进行制备的方法。通过液相法制备的抛光粒子被进行分散使得抛光粒子的表面具有正电荷。
根据本发明一实施例，所述抛光粒子的形状可以包括从由球形、方形、针状及板状组成的群组中选择的至少任一种，优选地，可以是球形。
根据本发明一实施例，所述抛光粒子可以为单晶。当使用单晶抛光粒子时，与多晶抛光粒子相比可以达到减少划痕的效果，可以改善凹陷现象，并可以提高抛光后的洗涤能力。
根据本发明一实施例，所述抛光粒子的粒径可以包括5nm至150nm的1次粒子及30nm至300nm的2次粒子。所述抛光粒子的平均粒径是能够通过扫描电子显微镜分析或动态光散射检测的视野范围内的多个粒子粒径的平均值。为确保粒子均匀性，一次粒子的大小应为150nm以下，并且当不到5nm时会降低抛光率。对于所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的二次粒子，当二次粒子大小不到30nm时，会由于研磨产生过多的小粒子，降低洗涤性，并且在晶片表面产生过多缺陷，当超过300nm时，会因过度抛光导致难以调节选择比，具有发生凹陷、腐蚀及表面缺陷的可能性。作为以正电荷分散的用于STI工艺的浆料组合物，其抛光粒子大小为100nm，因此在划痕缺陷方面具有优势。
根据本发明一实施例，所述抛光粒子除了单一大小的粒子外，还可以使用包括多分散(multi dispersion)形态的粒子分布的混合粒子，例如混合两种具有不同平均粒度的抛光粒子，从而形成双峰(bimodal)模式的粒子分布，或者混合三种具有不同平均粒度的抛光粒子，从而形成三个峰值的粒度分布。或者混合四种以上的具有不同平均粒度的抛光粒子形成多分散形态的粒子分布。通过混合相对较大的抛光粒子和相对较小的抛光粒子能够实现更优秀的分散性，期待减少晶片表面的划痕的效果。
根据本发明一实施例，所述抛光粒子可以是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.1重量％至10重量％。当所述抛光粒子在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中的含量不到0.1重量％时，会降低抛光速度；当超过10重量％时，由于抛光速度过高以抛光粒子数量的增加，可能会因为残留于表面的粒子吸附性引发表面缺陷。
根据本发明一实施例，所述非离子型聚合物可以由包含羟基的聚醚骨架组成。
根据本发明一实施例，所述非离子型聚合物可以包括从由甘油、二酰基甘油、三酰基甘油、聚甘油、聚甘油脂肪酸酯、聚氧化烯二甘油醚、聚氧化烯聚甘油醚、聚氧乙烯聚甘油醚、聚氧丙烯聚甘油醚及甘油聚甘油醚组成的群组中选择的至少任一种。
根据本发明一实施例，所述非离子型聚合物的重均分子量可以是300至2000。当所述非离子型聚合物的重均分子量小于300时，由于聚膜保护膜的性能会下降，导致抛光选择比会降低；当所述重均分子量超过300时，并且会出现凝结现象，粘度会增加，最终可能会降低抛光浆料组合物的保存稳定性。
根据本发明一实施例，所述非离子型聚合物可以是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.1重量％至1.0重量％。当所述非离子型聚合物在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中的含量不到0.1重量％时，难以改善多晶硅膜的抛光率；当超过1.0重量％时，由于高分子网络难以充分抛光并且会残留杂质。
根据本发明一实施例，所述极性氨基酸可以是在氨基酸的化学结构中具有极性侧链的氨基酸，优选为在中性pH下具有不带电荷侧链的氨基酸。
根据本发明一实施例，所述极性氨基酸可以包括从由谷氨酰胺、苏氨酸、丝氨酸、天冬酰胺、半胱氨酸及酪氨酸组成的群组中选择的至少任一种。
根据本发明一实施例，所述极性氨基酸可以是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.1重量％至1.0重量％。当所述极性氨基酸在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中的含量不到0.1重量％时，由于未能呈现对氧化硅膜、多晶硅膜的选择性抛光性能，因此可能无法获得期望的抛光选择比；当超过1.0重量％时，可能会降低抛光浆料组合物的时间的稳定性(Stability over time)。
根据本发明一实施例，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物还可以包括分散助剂，其中，所述分散助剂是从由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基酯、聚氧乙烯甲基醚、聚乙二醇磺酸、聚乙烯醇、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚烷基环氧、聚氧乙烯环氧、聚环氧乙烷-环氧丙烷共聚物、纤维素、甲基纤维素、甲基羟乙基纤维素、甲基羟丙基纤维素、羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素、磺乙基纤维素及羧甲基磺乙基纤维素组成的群组中选择的至少任一种。
根据本发明一实施例，所述分散助剂可以是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.001重量％至1.0重量％。当所述分散助剂在所述用于STI工艺的抛光浆料组合物中的含量不到0.001重量％时，会降低对多晶硅膜的自动抛光停止功能；当超过1重量％时，会发生凝结现象，并且会导致划痕等问题。
根据本发明一实施例，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的pH范围可以是3至6。当所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的pH超过上述范围时，会迅速恶化分散稳定性并导致发生凝结现象。
根据本发明一实施例，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的制备工艺可以采用浓缩制备或稀释(Dilution)工艺。
根据本发明一实施例，可以提供为在分别准备抛光液与添加液之后，在抛光前混合使用的二液型，也可以是抛光液与添加液混合在一起的一液型。当使用二液型时，多晶硅膜的STI图案中没有残留物(residue)，可以提高防凹陷性能，并且由于可具有较高的选择比，因此具有优异的去除图案化晶片阶梯差的能力。
根据本发明一实施例，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物可以是具有正(positive)电荷的正浆料组合物。所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的ζ电位范围可以是+5mV至+70mV。由于带有正电荷的抛光粒子，所述用于STI工艺的抛光浆料组合物可以是具有正(positive)电荷的正浆料组合物，并且，可以保持高分散稳定性，使得抛光粒子不发生凝结，由此减少微小的划痕。
根据本发明一实施例，所述抛光浆料组合物在半导体元件的浅槽隔离(shallowtrench isolation，STI)工艺中，氧化硅膜：多晶硅膜的抛光选择比可以是30:1至60:1。
根据本发明一实施例，所述多晶硅膜可以包括未掺杂的多晶硅膜、掺杂磷(P)的多晶硅膜或两者。
根据本发明一实施例，在抛光所述多晶硅膜后，氧化硅膜区域中的凹陷量可以是
Figure BDA0002820855330000073
以下。当所述用于STI工艺的抛光浆料组合物表现出过高的抛光选择比时，由于氧化硅区域的过度抛光，可能会增加凹陷量，但通过包括由含有羟基的聚醚骨架组成的非离子型聚合物，可以减少凹陷量。
根据本发明的用于STI工艺的抛光浆料组合物，包括由含有羟基的聚醚骨架组成的非离子型聚合物及极性氨基酸，对多晶硅膜和氧化硅膜具有高抛光率，与此同时，还可以提供对多晶硅膜具有高抛光率的浆料。并且，可以提供一种浆料组合物，其可以对多晶硅具有优异的抛光停止功能及呈现良好的凹陷程度，还可以控制凹陷。并且，可以提供具有优异划痕的浆料组合物。
下面，参照实施例及比较例对本发明进行更详细的说明。
但下面的实施例仅作为本发明的示例，本发明的技术思想并非受限于此。
图案化晶片(Pattern wafer)的抛光性能
[实施例1]
添加粒径为60nm的胶体二氧化铈抛光粒子2.5重量％、作为非离子型聚合物的重均分子量为750的聚甘油0.5重量％及作为抛光调节剂的L-丝氨酸0.25重量％后，制备了pH为4.5的用于STI工艺的抛光浆料组合物。
[比较例1]
添加粒径为60nm的胶体二氧化铈抛光粒子2.5重量％、聚甘油0.2重量％、吡啶甲酸0.1重量％、PMAC0.002重量％后，制备了pH为3.5的抛光浆料组合物。
[抛光条件]
1.抛光装置：AP-300(300mm，CTS公司)
2.垫：IC 1000(DOW公司)
3.抛光时间：60秒
4.压板RPM(Platen RPM)：130rpm
5.主轴RPM(Spindle RPM)：123rpm
6.压力：4.5psi
7.流量(Flow rate)：250ml/min
8.使用的晶片：TEOS 2μm无图案晶片(Blanket Wafer)、STI聚图案化晶片
Figure BDA0002820855330000071
Figure BDA0002820855330000072
表1示出了当使用实施例1的用于STI工艺的抛光浆料组合物及比较例1额抛光浆料组合物来根据上述抛光条件分别抛光氧化硅膜无图案晶片及图案化晶片时，氧化硅膜的每秒抛光率(△氧化物)、图案化晶片中多晶硅膜质的抛光量(△poly)及凹陷量。
[表1]
Figure BDA0002820855330000081
参照表1，可以确认，使用根据实施例1的用于STI工艺的抛光浆料组合物来进行抛光时，与根据比较例1的抛光浆料组合物相比，可以保持较高的氧化膜的抛光率，还对多晶硅膜具有优异的抛光停止功能，同时又能呈现优异的凹陷程度。
检测划痕
使用实施例2至4的用于STI工艺的抛光浆料组合物及比较例2的抛光浆料组合物来检测了抛光后的基板的缺陷。
对于基板的洗涤工艺，使用作为氨水、过氧化氢及水的混合洗涤液的标准洗涤-1(SC-1，Standard Cleaning1)来洗涤5秒后，使用HF来额外洗涤了30秒。采用了ATI-XP作为缺陷检测设备。
表2示出了当将实施例1的用于STI工艺的抛光浆料组合物及比较例1额抛光浆料组合物与添加剂进行混合来根据上述抛光条件分别抛光氧化硅膜无图案晶片及图案化晶片时，氧化硅膜的每秒抛光率(△氧化物)、图案化晶片中多晶硅膜质的抛光量(△poly)、凹陷量及划痕。在本实施例中使用的添加剂组合物包括非离子型聚合物、组氨酸及乳酸。
[表2]
Figure BDA0002820855330000082
Figure BDA0002820855330000091
◎：不到3个
△：不到10个
参照表2，可以确认，用于STI工艺的抛光浆料组合物，包括胶体二氧化铈抛光粒子、作为包括羟基的非离子型聚合物的聚甘油及作为极性氨基酸的L-丝氨酸，具有对多晶硅膜的高抛光速率，不存在氧化硅膜残留物(residue)，并也减少了划痕。
综上，通过有限的实施例进行了说明，本领域普通技术人员能够基于所述记载进行多种更改与变形。例如，所说明的技术按照与说明的方法不同的顺序执行，和/或所说明的构成要素按照与说明的方法不同的形态进行结合或组合，或者由其他构成要素或者等同物置换或代替，也能得到适当的结果。由此，其他体现，其他实施例以及权利要求范围的等同物，均属于本发明的权利要求范围。

Claims (18)

1.一种用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
包括：
抛光粒子；
非离子型聚合物；以及
极性氨基酸。
2.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述抛光粒子包括从由金属氧化物、经有机物或无机物涂覆的金属氧化物及胶体状态的所述金属氧化物组成的群组中选择的至少任一种，
所述金属氧化物包括从由二氧化铈、二氧化硅、氧化锆、氧化铝、二氧化钛、钡二氧化钛、氧化锗、氧化锰及氧化镁组成的群组中选择的至少任一种。
3.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
通过液相法制备所述抛光粒子，并进行分散使得抛光粒子的表面具有正电荷。
4.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述抛光粒子的粒径包括5nm至150nm的1次粒子及30nm至300nm的2次粒子。
5.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述抛光粒子是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.1重量％至10重量％。
6.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述非离子型聚合物由包含羟基的聚醚骨架组成。
7.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述非离子型聚合物包括从由甘油、二酰基甘油、三酰基甘油、聚甘油、聚甘油脂肪酸酯、聚氧化烯二甘油醚、聚氧化烯聚甘油醚、聚氧乙烯聚甘油醚、聚氧丙烯聚甘油醚及甘油聚甘油醚组成的群组中选择的至少任一种。
8.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述非离子型聚合物的重均分子量是300至2000。
9.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述非离子型聚合物是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.1重量％至1.0重量％。
10.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述极性氨基酸包括具有不带电荷的R基团的氨基酸。
11.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述极性氨基酸包括从由谷氨酰胺、苏氨酸、丝氨酸、天冬酰胺、半胱氨酸及酪氨酸组成的群组中选择的至少任一种。
12.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述极性氨基酸是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.1重量％至1.0重量％。
13.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述用于STI工艺的抛光浆料组合物还包括分散助剂，其中，所述分散助剂是从由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基酯、聚氧乙烯甲基醚、聚乙二醇磺酸、聚乙烯醇、聚环氧乙烷、聚环氧丙烷、聚烷基环氧、聚氧乙烯环氧、聚环氧乙烷-环氧丙烷共聚物、纤维素、甲基纤维素、甲基羟乙基纤维素、甲基羟丙基纤维素、羟乙基纤维素、羧甲基纤维素、羧甲基羟乙基纤维素、磺乙基纤维素及羧甲基磺乙基纤维素组成的群组中选择的至少任一种。
14.根据权利要求13所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述分散助剂是所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的0.001重量％至1.0重量％。
15.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的pH范围是3至6。
16.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述用于STI工艺的抛光浆料组合物的ζ电位范围是+5mV至+70mV。
17.根据权利要求1所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
所述用于STI工艺的抛光浆料组合物在半导体元件的浅槽隔离工艺中，
氧化硅膜：多晶硅膜的抛光选择比是30:1至60:1。
18.根据权利要求17所述的用于STI工艺的抛光浆料组合物，其特征在于，
在抛光所述多晶硅膜后，氧化硅膜区域中的凹陷量为
Figure FDA0002820855320000021
以下。
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