TWI729488B - 拋光料漿組合物 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種拋光料漿組合物，根據本發明的一實施例的拋光料漿組合物，包括：包括拋光粒子的拋光液；及包括非離子高分子聚合物及選擇比調節劑的添加液。

Description

拋光料漿組合物
本發明涉及拋光料漿組合物。
隨著半導體元件越來越多樣且高度集成化，開始使用一種能夠形成細微圖案的技術，由此使得半導體元件的表面結構越來越複雜，表面膜的階梯差也越來越大。在製造半導體元件的程式中使用化學機械拋光(CMP，chemical mechanical polishing)的平坦化技術來去除形成在基板的特定膜上的階梯差。多作為去除為了層間絕緣而過量成膜的絕緣膜的製程、在層間絕緣膜(interlayer dielectric，ILD)與晶片(chip)之間進行絕緣的淺槽隔離(shallow trench isolation；STI)用絕緣膜的平坦化製程、以及形成佈線、接觸插塞、接觸過孔等金屬導電膜的製程使用。
STI製程中需要一種選擇性拋光特性，提高絕緣膜層的拋光率，降低多晶矽膜層的拋光率，從而保護圖案多晶矽膜質。特別是過度拋光單元型(Cell Type)圖案時，也要減少作為圖案膜的多晶矽膜質的損失。
一方面，在STI製程中拋光選擇比過高時，埋設在所述溝槽的絕緣膜層由於過度拋光會發生凹陷(dishing)，並且還會降低元件特性。特別是對於溝槽微小的元件，上述凹陷會導致活性區域與場區域間的階梯差，對元件的性能及可靠性帶來極大的負面影響。
[發明要解決的問題]
本發明的目的在於解決上述問題，為此提供一種拋光料漿組合物，對氧化矽膜具有高拋光率的同時對氮化矽膜與多晶矽膜也具有高拋光率，拋光後在多晶矽膜上不存在雜質，並具有抑制凹陷的功能。
然而，本發明要解決的問題並非受限於上述言及的問題，未言及的其他問題將通過下面的記載由本領域一般技藝人士所明確理解。 [解決問題的技術手段]
根據本發明的一側面，提供一種拋光料漿組合物，包括：包括拋光粒子的拋光液；及包括非離子高分子聚合物及選擇比調節劑的添加液。
根據一實施例，所述非離子高分子聚合物是由包括羥基的聚醚骨架構成。
根據一實施例，所述非離子高分子聚合物包括從由甘油、二醯甘油、三醯甘油、聚甘油、聚甘油脂肪酸酯、聚氧化烯二甘油醚、聚氧化烯聚甘油醚及甘油聚甘油醚組成的組中選擇的至少一種。
根據一實施例，所述非離子高分子聚合物的重均分子量是300至2000。
根據一實施例，所述非離子高分子聚合物是所述拋光料漿組合物的0.001重量%至1重量%。
根據一實施例，所述選擇比調節劑包括有機酸，所述有機酸包括6至20個碳的芳香族環及一個以上的羧基(-COOH)。
根據一實施例，所述選擇比調節劑包括從由苯甲酸(Benzoic acid)、苯乙酸(Phenylacetic acid)、萘甲酸(Naphthoic acid)、扁桃酸(Mandelic acid)、吡啶甲酸(Picolinic acid)、吡啶二甲酸(Dipicolinic acid)、煙鹼酸(Nicotinic acid)、煙鹼二酸(Dinicotinic acid)、異煙酸(Isonicotinic acid)、喹啉酸(Quinolinic acid)、鄰氨基苯甲酸(anthranilic acid)、鐮刀菌酸(Fusaric acid)、鄰苯二甲酸(Phthalic acid)、間苯二甲酸(Isophthalic acid)、對苯二甲酸(Terephthalicacid)、甲基苯甲酸(Toluic acid)、水楊酸(Salicylic acid)、硝基苯甲酸(nitrobenzoic acid)及吡啶二羧酸(Pyridinedicarboxylic Acid)組成的組中選擇的至少任一種。
根據一實施例，所述選擇比調節劑是所述拋光料漿組合物的0.01重量%至5重量%。
根據一實施例，所述添加液，包括：包括非離子聚合物的分散助劑；包括陽離子聚合物的拋光調節劑；或兩者全部。
根據一實施例，所述分散助劑包括從由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚氧化烯烷基醚、聚氧化烯烷基酯、聚氧乙烯甲醚、聚乙二醇磺酸、聚乙烯醇、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、聚烷基氧化物、聚氧乙烯氧化物、聚環氧乙烷-環氧丙烷共聚物、纖維素、甲基纖維素、甲基羥乙基纖維素、甲基羥丙基纖維素、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素、羧甲基羥乙基纖維素、磺乙基纖維素及羧甲基磺乙基纖維素組成的組中選擇的至少任一種。
根據一實施例，所述分散助劑是所述拋光料漿組合物的0.001重量%至1重量%。
根據一實施例，所述拋光調節劑包括從由聚(2-甲基丙烯醯氧乙基)三甲基氯化銨[Poly(2-methacryloxyethyltrimethylammonium chloride)；PMAC]、聚(二烯丙基二甲基氯化銨)[poly(diallyldimethyl ammonium chloride)]、聚[雙(2-氯乙基)醚-alt-1,3-雙[3-(二甲基氨基)丙基]脲](Poly[bis(2-chloroethyl) ether-alt-1,3-bis[3-(dimethylamino)propyl]urea])、具有1,4-二氯-2-丁烯和N,N,N’,N’-四甲基-2-丁烯-1,4-二胺的2,2’,2」-次氮基三乙醇聚合物(Ethanol,2,2',2 ' ' -nitrilotris-,polymer with 1,4-dichloro-2-butene and N,N,N',N'-tetramethyl-2-butene-1,4-diamine)、羥乙基纖維素二甲基二烯丙基氯化銨共聚物(Hydroxyethyl cellulose dimethyl diallylammonium chloride copolymer)、丙烯醯胺/二烯丙基二甲基氯化銨共聚物(Copolymer of acrylamide and diallyldimethylammonium chloride)、丙烯醯胺/季銨化二甲基銨乙基甲基丙烯酸酯的共聚物(Copolymer of acrylamide and quaternized dimethylammoniumethyl methacrylate)、丙烯酸/二烯丙基二甲基氯化銨的共聚物(Copolymer of acrylic acid and diallyldimethylammonium Chloride)、丙烯醯胺/二甲基氨基乙基甲基丙烯酸甲酯氯化物的共聚物(Acrylamide-dimethylaminoethyl methacrylate methyl chloride copolymer)、季銨化羥乙基纖維素(Quaternized hydroxyethyl cellulose)、乙烯基吡咯烷酮/季銨化二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯共聚物(Copolymer of vinylpyrrolidone and quaternized dimethylaminoethyl methacrylate)、乙烯基吡咯烷酮/季銨化乙烯基咪唑的共聚物(Copolymer of vinylpyrrolidone and quaternized vinylimidazole)、乙烯基吡咯烷酮/甲基丙烯醯胺丙基三甲基銨共聚物(Copolymer of vinylpyrrolidone and methacrylamidopropyl trimethylammonium)、聚(丙烯醯胺2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨(Poly(acrylamide 2-methacryloxyethyltrimethyl ammonium chloride))、聚[2-(二甲基氨基)乙基甲基丙烯酸甲酯氯化物](poly[2-(dimethylaminoethyl methacrylate methyl chloride)]、聚[3-丙烯醯胺丙基三甲基氯化銨](poly[3-acrylamidopropyl trimethylammonium chloride])、聚[3-甲基丙烯醯胺丙基三甲基氯化銨](poly[3-methacrylamidopropyl trimethylammonium chloride])、聚[氧乙烯(二甲基亞氨基)乙烯(二甲基亞氨基)二氯乙烯](Poly[oxyethylene(dimethylimino)ethylene (dimethylimino)ethylene dichloride])、丙烯酸/丙烯醯胺/二烯丙基二甲基氯化銨的三元共聚物(Terpolymer of acrylic acid,acrylamide and diallyldimethylammonium Chloride)、丙烯酸/甲基丙烯醯胺丙基三甲基氯化銨/丙烯酸甲酯的三元共聚物(Terpolymer of acrylic acid, methacrylamidopropyl trimethylammonium chloride, and methyl acrylate)及乙烯基己內醯胺/乙烯基吡咯烷酮/季銨化乙烯基咪唑的三元共聚物(Terpolymer of vinylcaprolactam, vinylpyrrolidone, and quaternized vinylimidazole)、聚(2-甲基丙烯醯氧乙基)磷酸膽鹼-co-甲基丙烯酸正丁酯(Poly(2-methacryloxyethyl phosphorylcholine-co-n-butyl methacrylate))、聚[(二甲基氨基)丙烯酸乙酯氯化苄季銨鹽](PDMAEA BCQ)及聚[(二甲基氨基)丙烯酸乙酯甲基氯化物季銨鹽](PDMAEA MCQ)組成的組中選擇的至少任一種。
根據一實施例，所述拋光調節劑是所述拋光料漿組合物的0.001重量%至1重量%。
根據一實施例，所述拋光粒子包括從由金屬氧化物、經有機物或無機物塗覆的金屬氧化物，及膠體狀態的所述金屬氧化物組成的組中選擇的至少任一種，所述金屬氧化物包括從由二氧化矽、二氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁、二氧化鈦、鋇二氧化鈦、氧化鍺、氧化錳及氧化鎂組成的組中選擇的至少任一種。
根據一實施例，所述拋光粒子通過液相法製備，並進行分散使得拋光粒子表面具有正電荷。
根據一實施例，所述拋光粒子的大小包括5nm至150nm的一次粒子，30nm至300nm的二次粒子。
根據一實施例，所述拋光粒子是所述拋光料漿組合物的0.1重量%至10 重量%。
根據一實施例，所述拋光料漿組合物的pH範圍是3至6。
根據一實施例，還包括水；所述拋光液：水：添加液的比例是1：3至10：1至10。
根據一實施例，所述拋光料漿組合物的ζ電位範圍是+5mV至+70mV。
根據一實施例，所述拋光用料漿組合物在半導體元件的淺槽隔離(shallow trench isolation；STI)工藝中，
氧化矽膜：氮化矽膜的拋光選擇比是2至6：1，氧化矽膜：多晶矽膜的拋光選擇比是1至4：1。
根據一實施例，在對所述氮化矽膜或多晶矽膜進行拋光後，在氧化矽膜區域的凹陷發生量是300Å。 [發明的效果]
根據本發明的拋光料漿組合物，對氧化矽膜與多晶矽膜具有高的拋光率，在半導體元件的淺槽隔離(shallow trench isolation；STI)拋光後，不存在雜質(residue)，並能夠減少氧化矽膜的凹陷(dishing)，還能夠減少刮痕。
下面，參考附圖對本發明的實施例進行詳細說明。能夠對下面說明的實施例進行多種變更，因此，實施例並非用於限制或限定本發明的範圍。對於實施例的變更、均等物及其替代物均屬於本發明要求的範圍。
實施例中使用的術語僅用於說明特定實施例，並非用於限定。在內容中沒有特別說明的情況下，單數表達包括複數含義。在本說明書中，「包括」或者「具有」等術語用於表達存在說明書中所記載的特徵、數值、步驟、操作、構成要素、配件或其組合，並不排除還具有一個或以上的其他特徵、數值、步驟、操作、構成要素、配件或其組合，或者這種可能性。
在沒有其他定義的情況下，包括技術或者科學術語在內的在此使用的全部術語，都具有本領域一般技藝人士所理解的通常的含義。通常使用的與詞典定義相同的術語，應理解為與相關技術的通常的內容相一致的含義，在本案中沒有明確言及的情況下，不能過度理想化或解釋為形式上的含義。
並且，在參照附圖進行說明的程式中，與元件符號無關，相同的構成要素賦予相同的元件符號，並省略對此的重複的說明。在說明實施例的程式中，當判斷對於相關公知技術的具體說明會不必要地混淆實施例時，省略對其詳細說明。
下面，參照實施例對本發明的拋光料漿組合物進行具體說明。然而，本發明並非受限於實施例。
根據本發明的一側面，提供一種拋光料漿組合物，包括：包括拋光粒子的拋光液；及包括非離子高分子聚合物及選擇比調節劑的添加液。
根據本發明的拋光料漿組合物，對氧化矽膜與多晶矽膜具有高的拋光率，在半導體元件的淺槽隔離(shallow trench isolation；STI)拋光後，不存在雜質(residue)，並能夠減少氧化矽膜的凹陷(dishing)，還能夠減少刮痕。
根據一實施例，所述非離子高分子聚合物能夠是由包括羥基(-OH)的聚醚骨架構成。
根據一實施例，所述非離子高分子聚合物包括從由甘油、二醯甘油、三醯甘油、聚甘油、聚甘油脂肪酸酯、聚氧化烯二甘油醚、聚氧化烯聚甘油醚及甘油聚甘油醚組成的組中選擇的至少一種。
根據一實施例，所述非離子高分子聚合物的重均分子量能夠是300至2000。當所述重均分子量不到300時，因為聚合膜保護膜的性能下降而降低拋光選擇比，當所述重均分子量超過2000時，會發生凝結現象，提高粘度並降低拋光料漿組合物的保存穩定性。
根據一實施例，所述非離子高分子聚合物能夠是所述拋光料漿組合物的0.001重量%至1重量%。當所述非離子高分子聚合物在所述拋光料漿組合物中不到0.001重量%時，會出現晶矽膜的拋光率不能得到提高的問題，當為1重量%以上時，會由於高分子網路而無法實現充分拋光，導致殘留雜質的問題。
根據一實施例，所述選擇比調節劑是對酸性物質起到堿的作用，對鹼性物質起到酸的作用的化合物。
根據一實施例，所述選擇比調節劑能夠是包括6至20個碳的芳香族環及一個以上的羧基(-COOH)的有機酸。例如，所述有機酸的所述芳香族環內的碳原子能夠置換為氮原子，還能夠包括硝基、胺基、碸基、磷酸基、烷基、羥基等。更具體地，包括從由苯甲酸(Benzoic acid)、苯乙酸(Phenylacetic acid)、萘甲酸(Naphthoic acid)、扁桃酸(Mandelic acid)、吡啶甲酸(Picolinic acid)、吡啶二甲酸(Dipicolinic acid)、煙鹼酸(Nicotinic acid)、煙鹼二酸(Dinicotinic acid)、異煙酸(Isonicotinic acid)、喹啉酸(Quinolinic acid)、鄰氨基苯甲酸(anthranilic acid)、鐮刀菌酸(Fusaric acid)、鄰苯二甲酸(Phthalic acid)、間苯二甲酸(Isophthalic acid)、對苯二甲酸(Terephthalicacid)、甲基苯甲酸(Toluic acid)、水楊酸(Salicylic acid)、硝基苯甲酸(nitrobenzoic acid)及吡啶二羧酸(Pyridinedicarboxylic Acid)組成的組中選擇的至少任一種。
根據一實施例，所述選擇比調節劑能夠通過調節氮化矽膜的拋光率體現所期待的選擇比，並起到改善凹陷的作用。並且還能夠用於調節所述拋光料漿組合物的pH。
根據一實施例，所述選擇比調節劑是所述拋光料漿組合物的0.01重量%至5重量%，從而將所述拋光料漿組合物的pH調節到3至6。當所述選擇比調節劑在所述拋光料漿組合物中不到0.01重量%時，無法實現氧化矽膜、氮化矽膜及多晶矽膜的選擇性拋光性能，從而無法獲得所期待的拋光選擇比，當超過5重量%時，會降低拋光料漿組合物的隨著時間的穩定性。
根據一實施例，所述添加液還包括：包括非離子聚合物的分散助劑；包括陽離子聚合物的拋光調節劑；或兩者全部。
根據一實施例，所述分散助劑包括從由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚氧化烯烷基醚、聚氧化烯烷基酯、聚氧乙烯甲醚、聚乙二醇磺酸、聚乙烯醇、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、聚烷基氧化物、聚氧乙烯氧化物、聚環氧乙烷-環氧丙烷共聚物、纖維素、甲基纖維素、甲基羥乙基纖維素、甲基羥丙基纖維素、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素、羧甲基羥乙基纖維素、磺乙基纖維素及羧甲基磺乙基纖維素組成的組中選擇的至少任一種。
根據一實施例，所述分散助劑用於維持所述拋光料漿組合物的分散穩定性，在所述拋光料漿組合物中是0.001重量%至1重量%。當所述分散助劑不到0.001重量%時，會降低對於多晶矽膜的自動拋光停止功能，當超過1重量%時，會在拋光料漿組合物內發生反應從而引起凝結現象，並導致出現刮痕的問題。
根據一實施例，能夠是分子式內具有兩個以上離子化的陽離子的拋光調節劑，也能夠是包括兩個以上活化為陽離子的氮的拋光調節劑。由此，能夠調節陽離子性聚合物的粘度。所述陽離子性聚合物能夠具有20cp至40cp的粘度。通過調節所述粘度，能夠提高氮化矽膜拋光率，控制氧化矽膜拋光率從而控制氧化矽膜/氮化矽膜的選擇比。
根據一實施例，所述陽離子性聚合物能夠是季銨的形式。
根據一實施例，所述拋光調節劑包括從由聚(2-甲基丙烯醯氧乙基)三甲基氯化銨[Poly(2-methacryloxyethyltrimethylammonium chloride)、 PMAC]、聚(二烯丙基二甲基氯化銨)[poly(diallyldimethyl ammonium chloride)]、聚[雙(2-氯乙基)醚-alt-1,3-雙[3-(二甲基氨基)丙基]脲](Poly[bis(2-chloroethyl) ether-alt-1,3-bis[3-(dimethylamino)propyl]urea])、具有1,4-二氯-2-丁烯和N,N,N’,N’-四甲基-2-丁烯-1,4-二胺的2,2’,2」-次氮基三乙醇聚合物(Ethanol,2,2',2 ' ' -nitrilotris-,polymer with 1,4-dichloro-2-butene and N,N,N',N'-tetramethyl-2-butene-1,4-diamine)、羥乙基纖維素二甲基二烯丙基氯化銨共聚物(Hydroxyethyl cellulose dimethyl diallylammonium chloride copolymer)、丙烯醯胺/二烯丙基二甲基氯化銨共聚物(Copolymer of acrylamide and diallyldimethylammonium chloride)、丙烯醯胺/季銨化二甲基銨乙基甲基丙烯酸酯的共聚物(Copolymer of acrylamide and quaternized dimethylammoniumethyl methacrylate)、丙烯酸/二烯丙基二甲基氯化銨的共聚物(Copolymer of acrylic acid and diallyldimethylammonium Chloride)、丙烯醯胺/二甲基氨基乙基甲基丙烯酸甲酯氯化物的共聚物(Acrylamide-dimethylaminoethyl methacrylate methyl chloride copolymer)、季銨化羥乙基纖維素(Quaternized hydroxyethyl cellulose)、乙烯基吡咯烷酮/季銨化二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯共聚物(Copolymer of vinylpyrrolidone and quaternized dimethylaminoethyl methacrylate)、乙烯基吡咯烷酮/季銨化乙烯基咪唑的共聚物(Copolymer of vinylpyrrolidone and quaternized vinylimidazole)、乙烯基吡咯烷酮/甲基丙烯醯胺丙基三甲基銨共聚物(Copolymer of vinylpyrrolidone and methacrylamidopropyl trimethylammonium)、聚(丙烯醯胺2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨(Poly(acrylamide 2-methacryloxyethyltrimethyl ammonium chloride))、聚[2-(二甲基氨基)乙基甲基丙烯酸甲酯氯化物](poly[2-(dimethylaminoethyl methacrylate methyl chloride])、聚[3-丙烯醯胺丙基三甲基氯化銨](poly[3-acrylamidopropyl trimethylammonium chloride])、聚[3-甲基丙烯醯胺丙基三甲基氯化銨](poly[3-methacrylamidopropyl trimethylammonium chloride])、聚[氧乙烯(二甲基亞氨基)乙烯(二甲基亞氨基)二氯乙烯](Poly[oxyethylene(dimethylimino)ethylene (dimethylimino)ethylene dichloride])、丙烯酸/丙烯醯胺/二烯丙基二甲基氯化銨的三元共聚物(Terpolymer of acrylic acid, acrylamide and diallyldimethylammonium Chloride)、丙烯酸/甲基丙烯醯胺丙基三甲基氯化銨/丙烯酸甲酯的三元共聚物(Terpolymer of acrylic acid, methacrylamidopropyl trimethylammonium chloride, and methyl acrylate)及乙烯基己內醯胺/乙烯基吡咯烷酮/季銨化乙烯基咪唑的三元共聚物(Terpolymer of vinylcaprolactam, vinylpyrrolidone, and quaternized vinylimidazole)、聚(2-甲基丙烯醯氧乙基)磷酸膽鹼-co-甲基丙烯酸正丁酯(Poly(2-methacryloxyethyl phosphorylcholine-co-n-butyl methacrylate))、聚[(二甲基氨基)丙烯酸乙酯氯化苄季銨鹽](PDMAEA BCQ)及聚[(二甲基氨基)丙烯酸乙酯甲基氯化物季銨鹽](PDMAEA MCQ)組成的組中選擇的至少任一種。
根據一實施例，所述拋光調節劑是所述拋光料漿組合物的0.001重量%至1重量%。當所述拋光調節劑在所述拋光料漿組合物中不到0.001重量%時，無法實現期待的拋光選擇比，當超過1重量%時，由於對拋光膜質的選擇性吸附性能，會出現過度的拋光抑制現象。
根據一實施例，所述拋光粒子包括從由金屬氧化物、經有機物或無機物塗覆的金屬氧化物，及膠體狀態的所述金屬氧化物組成的組中選擇的至少任一種，所述金屬氧化物包括從由二氧化矽、二氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁、二氧化鈦、鋇二氧化鈦、氧化鍺、氧化錳及氧化鎂組成的組中選擇的至少任一種。
根據一實施例，所述拋光粒子能夠是分散為正電荷的二氧化鈰。所述分散為正電荷的二氧化鈰與活化為正電荷的添加液混合，能夠體現更高階梯差去除功能及自動拋光停止功能。
根據一實施例，所述拋光粒子能夠通過液相法製備，並且能夠分散從而使得拋光粒子表面具有正電荷。能夠通過液相法製備所述拋光粒子，但並非限定於此。液相法是通過使拋光粒子前驅體在水溶液中發生化學反應，使結晶生長從而獲得微粒子的溶膠-凝膠(sol-gel)法，或者是將拋光粒子離子在水溶液中進行沉澱的共沉法，以及在高溫高壓中形成拋光粒子的水熱合成法等進行製備。利用液相法製備的拋光粒子得到分散使得拋光粒子的表面帶有正電荷。
所述拋光粒子的形狀能夠是從由球形、角形、針形、以及板形組成的組中選擇的至少一種，優選為球形。
根據一實施例，所述拋光粒子能夠是單晶性的，但並非限定於此。當使用單晶性拋光粒子時，相比多晶性拋光粒子能夠減少刮痕，改善凹陷(dishing)以及拋光後的洗滌性。
根據一實施例， 所述拋光粒子的一次粒子大小是5nm至150nm，二次粒子大小是30nm至300nm。所述拋光粒子的平均粒徑是能夠通過掃瞄電子顯微鏡分析或動態光散射測量的視野範圍內的多個粒子粒徑的平均值。為確保粒子均勻性，所述一次粒子大小應為150nm以下，並且，當不到5nm時會降低拋光率。當所述二次粒子大小不到30nm時，會由於研磨產生過多的小粒子，降低洗滌性，並且，會在用於拋光製程的基板、晶片等的表面產生過多缺陷，當超過300nm時，會因為過度拋光而難以調節選擇比，並且存在發生凹陷、侵蝕及表面缺陷的可能性。
根據一實施例，所述拋光粒子除了單一大小的粒子外，還可以使用包括多分散(multi dispersion)形態的粒子分佈的混合粒子，例如混合兩種具有不同平均細微性的拋光粒子而形成雙峰(bimodal)模式的粒子分佈，或者混合三種具有不同平均細微性的拋光粒子而形成具有三個峰值的細微性分佈。或者混合四種以上的具有不同平均細微性的拋光粒子而形成多分散形態的粒子分佈。通過混合相對較大的拋光粒子和相對較小的拋光粒子能夠實現更優秀的分散性，能夠期待減少晶片表面的刮痕的效果。
根據一實施例，所述拋光粒子是所述拋光料漿組合物中的0.1 重量%至10重量%。當所述拋光粒子在所述拋光料漿組合物中不到1重量%時，會出現降低拋光速度的問題，當超過10重量%時，拋光速度過高，拋光粒子數量增加，由於殘留在表面的粒子吸附性，導致發生表面缺陷。
根據一實施例，所述拋光料漿組合物的pH範圍是3至6。當所述拋光料漿組合物的pH超過上述範圍時，會導致分散穩定性急劇下降，引起凝結的問題。
根據一實施例，所述拋光料漿組合物的製備製程包括濃縮製備及稀釋(Dilution)製程。
根據一實施例，所述拋光料漿組合物還包括水，所述拋光液：水：添加液的比例是1：3至10：1至10。水能夠包括例如去離子水、離子交換水及超純水。當所述添加液的比例在1至4的範圍時，添加液的比例越小越適合拋光大塊(bulk)的高階梯差。
根據本發明的一實施例，能夠是在分別準備拋光液與添加液之後，在拋光前混合使用的二液型，也能夠是拋光液與添加液混合在一起的一液型。當使用二液型時，在多晶矽膜的STI圖案上不存在雜質(residue)，提高防止凹陷的性能，具有高的選擇比。
根據一實施例，所述拋光料漿組合物能夠是具有正(positive)電荷的正料漿組合物。所述拋光料漿組合物的ζ電位範圍是+5 mV至+70 mV。由於正電荷的拋光粒子，所述拋光料漿組合物能夠是具有正(positive)電荷的正料漿組合物，保持高分散穩定性，因拋光粒子不發生凝結而減少刮痕。
根據一實施例，所述拋光用料漿組合物在半導體元件的淺槽隔離(shallow trench isolation；STI)工藝中，氧化矽膜：氮化矽膜的拋光選擇比是2至6：1，氧化矽膜：多晶矽膜的拋光選擇比是1至4：1。
根據一實施例，所述多晶矽膜能夠是未塗覆的多晶矽膜、塗覆磷(P)的多晶矽膜或兩者全部。
根據一實施例，在對所述氮化矽膜或多晶矽膜進行拋光後，在氧化矽膜區域出現的凹陷量為300Å以下。當所述拋光料漿組合物顯示出過高的拋光選擇比時，會由於氧化矽膜區域的過度拋光而增加凹陷的發生量，但通過包括由包括羥基的聚醚骨架構成的非離子高分子聚合物，能夠降低凹陷發生量。
本發明的用於STI製程的拋光料漿組合物，包括由包括羥基的聚醚骨架構成的非離子高分子聚合物，對塗覆磷(P)的多晶矽膜質具有高拋光率，提供不僅對氧化矽膜具有高的拋光率，對氮化矽膜與多晶矽膜質也具有高拋光率的料漿。
下面，參照實施例及比較例對本發明進行詳細說明。但本發明的技術思想並非限定於或受限於此。 毯 覆式晶片 (Blanket wafer) 拋光性能 [ 實施例 ]
製備拋光料漿組合物，粒子大小為60nm的膠體二氧化鈰拋光粒子為5重量%、作為非離子高分子聚合物的重均分子量為750的聚甘油為0.5重量%、作為選擇比調節劑的吡啶甲酸為0.25重量%，pH為4。[ 比較例 ]
在通過固相法製備的粒子大小為60nm的膠體二氧化鈰拋光粒子中添加聚丙烯酸作為分散劑對拋光粒子進行分散後，添加氨製備pH為8的陰離子性料漿組合物。 [拋光條件] 1. 拋光裝置：AP-300(300mm，KCTECH公司) 2. 墊：IC 1000 (DOW公司) 3. 拋光時間：60秒 4. 壓板RPM (Platen RPM)：93rpm 5. 主軸RPM (Spindle RPM)：87rpm 6. 壓力：3.5psi 7. 流量 (Flow rate)：250 ml/min 8. 使用的晶片：PE TEOS 20K Å 氮化物(Nitride) 2.5K Å 摻雜P的聚合物(P-doped poly) 3K Å
表1為使用實施例、比較例的拋光料漿組合物按照上述拋光條件對晶片進行拋光時的氧化矽膜、氮化矽膜、塗覆有磷(P)的多晶矽膜的拋光率(Removal Rate，RR)。 表 1
區分 拋光粒子大小(nm) 非離子高分子聚合物 選擇比 調節劑 300 mm CMP
種類 Mw 含量 (重量%) PA含量 (重量%) 氧化矽膜 R.R 氮化矽膜 R.R P-塗覆的多晶矽膜 R.R
實施例 60 聚甘油 750 0.5 0.25 5000 1429 2776
比較例 60   陰離子性料漿組合物 3738 594 1849
圖1為顯示本發明的使用比較例及實施例的拋光料漿組合物對晶片進行拋光後的拋光率的圖表。參照表1及圖1，使用根據實施例的拋光料漿組合物進行拋光，相比利用比較例的拋光料漿組合物，對氧化矽膜具有高拋光率的同時，對於氮化矽膜以及塗覆磷(P)的多晶矽膜的同樣具有高拋光率。 測量缺陷
對利用實施例，比較例的拋光料漿組合物拋光的基板的缺陷進行測量。
在對基板實施洗滌製程時，先利用氨水、過氧化氫及水的混合洗滌液SC-1(Standard Cleaning 1)進行5秒洗滌製程後，利用HF繼續進行30秒洗滌製程。缺陷測量裝置是ATI-XP。
圖2為顯示本發明的利用比較例及實施例的拋光料漿組合物對晶片進行拋光後晶片表面的缺陷照片。比較例有145個，實施例有89個缺陷。
本發明的用於STI製程的拋光料漿組合物包括膠體二氧化鈰拋光粒子，包括聚甘油作為包括羥基的非離子高分子聚合物，由此，對塗覆磷(P)的多晶矽膜質具有高拋光率，並且不存在氧化矽膜雜質(residue)，能夠減少刮痕的發生。
綜上，通過有限的附圖對實施例進行了說明，本領域一般技藝人士能夠基於所述記載進行多種更改與變形。例如，所說明的技術按照與說明的方法不同的循序執行，及/或所說明的構成要素按照與說明的方法不同的形態進行結合或組合，或者由其他構成要素或者均等物置換或代替，也能得到適當的結果。
由此，其他體現，其他實施例以及請求項範圍的均等物，均屬於本發明的
無
圖1為顯示本發明的比較例及實施例的使用拋光料漿組合物對晶片進行拋光後的拋光率的圖表。
圖2為顯示本發明的比較例及實施例的使用拋光料漿組合物對晶片進行拋光後的晶片表面缺陷的照片。
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Claims (20)

  1. 一種拋光料漿組合物，包括：包括拋光粒子的拋光液；及包括非離子高分子聚合物及選擇比調節劑的添加液，其中所述非離子高分子聚合物包括選自由甘油、二醯甘油、三醯甘油、聚甘油、聚甘油脂肪酸酯、聚氧化烯二甘油醚、聚氧化烯聚甘油醚及甘油聚甘油醚組成的群組中之至少一者，所述拋光用料漿組合物在半導體元件的淺槽隔離製程中，氧化矽膜：氮化矽膜的拋光選擇比是2至6：1，氧化矽膜：多晶矽膜的拋光選擇比是1至4：1。
  2. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述非離子高分子聚合物是由包括羥基的聚醚骨架構成。
  3. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述非離子高分子聚合物的重均分子量是300至2000。
  4. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述非離子高分子聚合物是所述拋光料漿組合物的0.001重量%至1重量%。
  5. 根據請求項1之拋光料漿組合物， 所述選擇比調節劑包括有機酸，所述有機酸包括6至20個碳的芳香族環及一個以上的羧基。
  6. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述選擇比調節劑包括從由苯甲酸、苯乙酸、萘甲酸、扁桃酸、吡啶甲酸、吡啶二甲酸、煙鹼酸、煙鹼二酸、異煙酸、喹啉酸、鄰氨基苯甲酸、鐮刀菌酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、甲基苯甲酸、水楊酸、硝基苯甲酸及吡啶二羧酸組成的組中選擇的至少任一種。
  7. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述選擇比調節劑是所述拋光料漿組合物的0.01重量%至5重量%。
  8. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述添加液，包括：包括非離子聚合物的分散助劑；包括陽離子聚合物的拋光調節劑；或兩者全部。
  9. 根據請求項8之拋光料漿組合物，所述分散助劑包括從由聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚氧化烯烷基醚、聚氧化烯烷基酯、聚氧乙烯甲醚、聚乙二醇磺酸、聚乙烯醇、聚環氧乙烷、聚環氧丙烷、聚烷基氧化物、聚氧乙烯氧化物、 聚環氧乙烷-環氧丙烷共聚物、纖維素、甲基纖維素、甲基羥乙基纖維素、甲基羥丙基纖維素、羥乙基纖維素、羧甲基纖維素、羧甲基羥乙基纖維素、磺乙基纖維素及羧甲基磺乙基纖維素組成的組中選擇的至少任一種。
  10. 根據請求項8之拋光料漿組合物，所述分散助劑是所述拋光料漿組合物的0.001重量%至1重量%。
  11. 根據請求項8之拋光料漿組合物，所述拋光調節劑包括從由聚(2-甲基丙烯醯氧乙基)三甲基氯化銨、聚(二烯丙基二甲基氯化銨)、聚[雙(2-氯乙基)醚-alt-1,3-雙[3-(二甲基氨基)丙基]脲]、具有1,4-二氯-2-丁烯和N,N,N’,N’-四甲基-2-丁烯-1,4-二胺的2,2’,2」-次氮基三乙醇聚合物、羥乙基纖維素二甲基二烯丙基氯化銨共聚物、丙烯醯胺/二烯丙基二甲基氯化銨共聚物、丙烯醯胺/季銨化二甲基銨乙基甲基丙烯酸酯的共聚物、丙烯酸/二烯丙基二甲基氯化銨的共聚物、丙烯醯胺/二甲基氨基乙基甲基丙烯酸甲酯氯化物的共聚物、季銨化羥乙基纖維素、乙烯基吡咯烷酮/季銨化二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯共聚物、乙烯基吡咯烷酮/季銨化乙烯基咪唑的共聚物、乙烯基吡咯烷酮/甲基丙烯醯胺丙基三甲基銨共 聚物、聚(丙烯醯胺2-甲基丙烯醯氧乙基三甲基氯化銨、聚[2-(二甲基氨基)乙基甲基丙烯酸甲酯氯化物]、聚[3-丙烯醯胺丙基三甲基氯化銨]、聚[3-甲基丙烯醯胺丙基三甲基氯化銨]、聚[氧乙烯(二甲基亞氨基)乙烯(二甲基亞氨基)二氯乙烯]、丙烯酸/丙烯醯胺/二烯丙基二甲基氯化銨的三元共聚物、丙烯酸/甲基丙烯醯胺丙基三甲基氯化銨/丙烯酸甲酯的三元共聚物及乙烯基己內醯胺/乙烯基吡咯烷酮/季銨化乙烯基咪唑的三元共聚物、聚(2-甲基丙烯醯氧乙基)磷酸膽鹼-co-甲基丙烯酸正丁酯、聚[(二甲基氨基)丙烯酸乙酯氯化苄季銨鹽]及聚[(二甲基氨基)丙烯酸乙酯甲基氯化物季銨鹽]組成的組中選擇的至少任一種。
  12. 根據請求項8之拋光料漿組合物，所述拋光調節劑是所述拋光料漿組合物的0.001重量%至1重量%。
  13. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述拋光粒子包括從由金屬氧化物、經有機物或無機物塗覆的金屬氧化物，及膠體狀態的所述金屬氧化物組成的組中選擇的至少任一種，所述金屬氧化物包括從由二氧化矽、二氧化鈰、氧化鋯、氧化鋁、二氧化鈦、鋇二氧化鈦、氧化鍺、氧化錳及氧化鎂組成的組中選擇的至少任一種。
  14. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述拋光粒子通過液相法製備，並進行分散使得拋光粒子表面具有正電荷。
  15. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述拋光粒子的大小包括5nm至150nm的一次粒子，30nm至300nm的二次粒子。
  16. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述拋光粒子是所述拋光料漿組合物的0.1重量%至10重量%。
  17. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述拋光料漿組合物的pH範圍是3至6。
  18. 根據請求項1之拋光料漿組合物，還包括水；所述拋光液：水：添加液的比例是1：3至10：1至10。
  19. 根據請求項1之拋光料漿組合物，所述拋光料漿組合物的ζ電位範圍是+5mV至+70mV。
  20. 根據請求項1之拋光料漿組合物，在對所述氮化矽膜或多晶矽膜進行拋光後，在氧化矽膜區域的凹陷發生量是300Å。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022159055A (ja) * 2021-03-31 2022-10-17 株式会社フジミインコーポレーテッド 第四級アンモニウム系表面修飾シリカ、その組成物、作製方法、および使用方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101737938B1 (ko) * 2015-12-15 2017-05-19 주식회사 케이씨텍 다기능성 연마 슬러리 조성물
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Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003113370A (ja) * 2001-07-30 2003-04-18 Toshiba Corp 化学的機械的研磨用スラリー、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び化学的機械的研磨用スラリーの取り扱い方法
KR101472858B1 (ko) * 2012-11-07 2014-12-17 한양대학교 산학협력단 친환경 sti 공정용 슬러리 및 첨가제 조성물
KR101761789B1 (ko) * 2015-12-24 2017-07-26 주식회사 케이씨텍 첨가제 조성물 및 이를 포함하는 포지티브 연마 슬러리 조성물
KR20170076191A (ko) * 2015-12-24 2017-07-04 주식회사 케이씨텍 연마입자-분산층 복합체 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101737938B1 (ko) * 2015-12-15 2017-05-19 주식회사 케이씨텍 다기능성 연마 슬러리 조성물
TW201816060A (zh) * 2016-09-13 2018-05-01 日商旭硝子股份有限公司 研磨劑及研磨方法、與研磨用添加液

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