TWI606102B - 包含蛋白質之化學機械拋光組合物 - Google Patents

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Description

包含蛋白質之化學機械拋光組合物
本發明基本上係關於化學機械拋光(CMP)組合物及其在拋光半導體工業之基板中之用途。該本發明CMP組合物包含蛋白質且顯示經改良拋光性能。
在半導體工業中，化學機械拋光(縮寫為CMP)係應用於高級光子、微機電及微電子材料及器件(例如半導體晶圓)製作中之熟知技術。
在用於半導體工業中之材料及器件之製作期間，採用CMP將金屬及/或氧化物表面平坦化。CMP利用化學作用與機械作用之相互作用來達成欲拋光表面之平坦度。化學作用係由亦稱作CMP組合物或CMP漿液之化學組合物提供。機械作用通常係由通常壓製至該欲拋光表面上且安裝於移動台板上之拋光墊來實施。台板通常以線性、旋轉或軌道式移動。
在典型CMP製程步驟中，旋轉式晶圓座使欲拋光晶圓與拋光墊接觸。通常將CMP組合物施加於欲拋光晶圓與拋光墊之間。
在目前最佳技術狀態下，例如，在以下參考文獻中已知且闡述包含多肽之CMP組合物。
EP 1 235 261 A1揭示用於拋光形成於半導體基板上之金屬層及/或障壁層之拋光化合物，該拋光化合物係在半導體器件之產生製程中用於化學機械拋光之拋光化合物，且其包含拋光研磨粒及多肽。多肽 係(例如)選自由以下組成之群之成員：甘胺醯甘胺酸(Gly-Gly)、丙胺醯丙胺酸(Ala-Ala)、甘胺醯丙胺酸(Gly-Ala)、丙胺醯甘胺酸(Ala-Gly)、甘胺醯甘胺醯甘胺酸(Gly-Gly-Gly)及其二聚物至七聚物。
本發明之一個目標係提供CMP組合物，其適於對介電基板之表面實施CMP及/或顯示經改良拋光性能，尤其係二氧化矽之高材料移除速率(MRR)與氮化矽或多晶矽之低MRR之組合。另外，本發明尋求可產生高臺階高度減小(SHR)且可即用之CMP組合物。
另外，本發明提供各別CMP製程。
因此，本發明發現包含以下之CMP組合物：(A)無機粒子、有機粒子或其混合物或複合物；(B)蛋白質；及(C)水性介質。
此外，本發明之上述目標係藉由包含在該CMP組合物存在下拋光基板之製造半導體器件之製程來達成。
另外，已發現本發明CMP組合物可用於拋光半導體工業中所使用之基板，此實現本發明之目標。
在申請專利範圍及說明書中闡釋較佳實施例。應瞭解，較佳實施例之組合係在本發明之範圍內。
可藉由包含在本發明CMP組合物存在下對基板實施CMP之製程來製造半導體器件。較佳地，該製程包含對介電基板實施CMP，該介電基板係介電常數小於6之基板。該製程更佳包含對包含二氧化矽之基板實施CMP，最佳對包含二氧化矽及氮化矽或多晶矽之基板實施CMP，尤其對為淺溝槽隔離(STI)器件或其一部分之基板之二氧化矽層實施CMP，例如對包含二氧化矽及氮化矽或多晶矽之基板之二氧化矽層實施CMP。
若該製程包含對包含二氧化矽及氮化矽之基板實施CMP，則二氧化矽相對於氮化矽之材料移除速率之選擇度較佳高於20：1，更佳高於35：1，最佳高於50：1，尤其高於70：1，例如高於90：1。此選擇度可由蛋白質(B)之類型及濃度及藉由設定其他參數(例如pH值)來調節。
若該製程包含對包含二氧化矽及多晶矽之基板實施CMP，則二氧化矽相對於多晶矽之材料移除速率之選擇度較佳高於20：1，更佳高於35：1，最佳高於12：1，尤其高於70：1，例如高於90：1。此選擇度可由蛋白質(B)之類型及濃度及藉由設定其他參數(例如pH值)來調節。
本發明CMP組合物用於拋光任何用於半導體工業中之基板。該CMP組合物較佳用於拋光為介電常數小於6之基板之介電基板，更佳用於拋光包含二氧化矽之基板，最佳用於拋光包含二氧化矽及氮化矽或多晶矽之基板，尤其用於拋光為淺溝槽隔離(STI)器件或其一部分之基板之二氧化矽層，且用於(例如)拋光包含二氧化矽及氮化矽或多晶矽之基板之二氧化矽層。
若本發明CMP組合物用於拋光包含二氧化矽及氮化矽之基板，則二氧化矽相對於氮化矽之材料移除速率之選擇度較佳高於20：1，更佳高於35：1，最佳高於50：1，尤其高於70：1，例如高於90：1。
若本發明CMP組合物用於拋光包含二氧化矽及多晶矽之基板，則二氧化矽相對於多晶矽之材料移除速率之選擇度較佳高於20：1，更佳高於35：1，最佳高於50：1，尤其高於70：1，例如高於90：1。
根據本發明，CMP組合物含有無機粒子、有機粒子或其混合物或複合物(A)。(A)可為- 一種類型之無機粒子，- 不同類型之無機粒子之混合物或複合物， - 一種類型之有機粒子，- 不同類型之有機粒子之混合物或複合物，或- 一或多種類型之無機粒子與一或多種類型之有機粒子之混合物或複合物。
複合物係包含兩種或更多種類型之粒子之複合粒子，該等粒子係以機械方式、化學方式或以另一方式彼此結合。複合物之實例係在外球體(殼)中包含一種類型之粒子且在內球體(核)中包含另一種類型之粒子之核-殼粒子。若使用核-殼粒子作為粒子(A)，則包含SiO2核及CeO2殼之核-殼粒子較佳，且尤其地，包含平均核大小為20 nm至200 nm之SiO2核之經塗覆之覆盆子型粒子較佳，其中該核係經平均粒徑小於10 nm之CeO2粒子塗覆。粒徑係使用雷射繞射技術及動態光散射技術來測定。
通常，可含有不同量之粒子(A)。較佳地，基於相應組合物之總重量，(A)之量不超過10 wt.%(wt.%代表「重量%」)，更佳不超過5 wt.%，最佳不超過2 wt.%，例如不超過0.75 wt.%。較佳地，基於相應組合物之總重量，(A)之量為至少0.005 wt.%，更佳至少0.01 wt.%，最佳至少0.05 wt.%，例如至少0.1 wt.%。
通常，可含有不同粒徑分佈之粒子(A)。粒子(A)之粒徑分佈可為單峰或多峰。在多峰粒徑分佈之情形下，雙峰通常較佳。為在本發明之CMP製程期間得到可容易再現之性質型態及可容易再現之條件，(A)較佳為單峰粒徑分佈。(A)最佳具有單峰粒徑分佈。
粒子(A)之平均粒徑可在寬範圍內變化。平均粒徑係(A)於水性介質(C)中之粒徑分佈之d50值，且可使用動態光散射技術來測定。則d50值係假設粒子基本上為球形來計算。平均粒徑分佈之寬度係兩個交叉點之間之距離(表示為x軸之單位)，其中粒徑分佈曲線在相對粒子計數之50%高度處交叉，其中將最大粒子計數之高度標準化為 100%高度。
較佳地，粒子(A)之平均粒徑係在5 nm至500 nm範圍內，更佳係在5 nm至400 nm範圍內，最佳係在50 nm至300 nm範圍內，尤佳係在50 nm至200 nm範圍內，且具體而言係在80 nm至130 nm範圍內，如用動態光散射技術使用諸如高效能粒徑分析儀(High Performance Particle Sizer，HPPS，來自Malvern Instruments有限公司)或Horiba LB550等儀器所量測。
粒子(A)可具有各種形狀。因此，粒子(A)可具有一種或基本上僅一種類型之形狀。然而，粒子(A)亦可具有不同形狀。例如，可存在兩種類型之呈不同形狀之粒子(A)。例如，(A)可具有立方體、具有倒角邊緣之立方體、八面體、二十面體、小結或有或沒有突出或壓痕之球體之形狀。較佳地，其為沒有突出或壓痕或僅具有極少突出或壓痕之球形。
粒子(A)之化學性質不受特別限制。(A)可具有相同化學性質，或可為具有不同化學性質之粒子之混合物或複合物。一般而言，具有相同化學性質之粒子(A)較佳。通常，(A)可為- 無機粒子，例如金屬、金屬氧化物或碳化物，包括類金屬、類金屬氧化物或碳化物；或- 有機粒子，例如聚合物粒子；- 無機粒子與有機粒子之混合物或複合物。
粒子(A)較佳為無機粒子。其中金屬或類金屬之氧化物及碳化物較佳。更佳地，粒子(A)為氧化鋁、氧化鈰、氧化銅、氧化鐵、氧化鎳、氧化錳、二氧化矽、氮化矽、碳化矽、氧化錫、二氧化鈦、碳化鈦、氧化鎢、氧化釔、氧化鋯或其混合物或複合物。最佳地，粒子(A)為氧化鋁、氧化鈰、二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋯或其混合物或複合物。具體而言，(A)為氧化鈰。例如，(A)為膠體氧化鈰。通常，膠體 氧化鈰係藉由濕式沈澱法來產生。
在(A)為有機粒子或無機粒子與有機粒子之混合物或複合物之另一實施例中，聚合物粒子較佳。聚合物粒子可為均聚物或共聚物。後者可為(例如)嵌段共聚物或統計共聚物。均聚物或共聚物可具有各種結構，例如直鏈結構、具支鏈結構、梳狀結構、樹枝狀結構、纏結結構或交聯結構。聚合物粒子可根據陰離子、陽離子、受控自由基、自由基機制且藉由懸浮液或乳液聚合法獲得。較佳地，聚合物粒子為以下中之至少一者：聚苯乙烯；聚酯；醇酸樹脂；聚胺基甲酸酯；聚內酯；聚碳酸酯；聚丙烯酸酯；聚甲基丙烯酸酯；聚醚；聚(N-烷基丙烯醯胺)；聚(甲基乙烯基醚)；或包含以下中之至少一者作為單體單元之共聚物：乙烯基芳香族化合物、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、馬來酸酐丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺、丙烯酸或甲基丙烯酸；或其混合物或複合物。其中具有交聯結構之聚合物粒子較佳。
根據本發明，CMP組合物包含(B)蛋白質。
通常，蛋白質係包含胺基酸單元之藉由蛋白質生物合成獲得且具有其天然三級結構及(若可能)四級結構之生物化學大分子。本文中，蛋白質之定義不包括所謂的「合成蛋白」，即非係藉由蛋白質生物合成獲得且無天然三級結構之蛋白質。
一般而言，可含有不同量之蛋白質(B)。較佳地，基於相應組合物之總重量，(B)之量不超過5 wt.%，更佳不超過1 wt.%，最佳不超過0.5 wt.%，尤其不超過0.15 wt.%，例如不超過0.08 wt.%。較佳地，基於相應組合物之總重量，(B)之量為至少0.0001 wt.%，更佳至少0.001 wt.%，最佳至少0.005 wt.%，尤其至少0.01 wt.%，例如至少0.02 wt.%。
蛋白質(B)較佳係真菌蛋白，即在真菌中表現之蛋白質，更佳地，(B)係在絲狀真菌中表現之蛋白質，最佳地，(B)係疏水蛋白或包 含至少一種疏水蛋白單元之蛋白質，例如，(B)係疏水蛋白。
在另一實施例中，蛋白質(B)較佳係包含半胱胺酸作為胺基酸單元之蛋白質，更佳係所有胺基酸單元中4%以上為半胱胺酸單元之蛋白質，最佳係所有胺基酸單元中10%以上為半胱胺酸單元之蛋白質，尤其係所有胺基酸單元中20%以上為半胱胺酸單元之蛋白質，例如所有胺基酸單元中35%以上為半胱胺酸單元之蛋白質。
蛋白質(B)中所包含之胺基酸單元數較佳不超過350，更佳不超過260，最佳不超過210，尤佳不超過180，尤其不超過160，例如不超過140，且較佳至少40，更佳至少70，最佳至少90，尤佳至少100，尤其至少110，例如至少125。
根據本發明，CMP組合物含有水性介質(C)。(C)可為一種類型之水性介質或不同類型之水性介質之混合物。
一般而言，水性介質(C)可為任一含水之介質。較佳地，水性介質(C)係水與可與水混溶之有機溶劑(例如醇，較佳C1至C3醇，或伸烷基二醇衍生物)之混合物。更佳地，水性介質(C)係水。最佳地，水性介質(C)係去離子水。
若除(C)以外之組份之量總計為CMP組合物之重量之x%，則(C)之量為CMP組合物之重量之(100-x)%。
本發明CMP組合物可進一步視情況含有至少一種腐蝕抑制劑(D)，例如兩種腐蝕抑制劑。較佳腐蝕抑制劑係二唑、三唑、四唑及其衍生物，例如苯并三唑或甲苯基三唑。較佳腐蝕抑制劑之其他實例係乙炔醇，或胺與羧酸之包含醯胺部分之鹽或加合物。
若存在，則可以不同量含有腐蝕抑制劑(D)。較佳地，基於相應組合物之總重量，(D)之量不超過10 wt.%，更佳不超過5 wt.%，最佳不超過2.5 wt.%，例如不超過1.5 wt.%。較佳地，基於相應組合物之總重量，(D)之量為至少0.01 wt.%，更佳至少0.1 wt.%，最佳至少 0.3 wt.%，例如至少0.8 wt.%。
本發明CMP組合物可進一步視情況含有至少一種氧化劑(E)，例如一種氧化劑。一般而言，氧化劑係能夠氧化欲拋光基板或其諸多層中之一者之化合物。較佳地，(E)係過型(per-type)氧化劑。更佳地，(E)係過氧化物、過硫酸鹽、過氯酸鹽、過溴酸鹽、過碘酸鹽、過錳酸鹽或其衍生物。最佳地，(E)係過氧化物或過硫酸鹽。尤其地，(E)係過氧化物。例如，(E)係過氧化氫。
若存在，則可以不同量含有氧化劑(E)。較佳地，基於相應組合物之總重量，(E)之量不超過20 wt.%，更佳不超過10 wt.%，最佳不超過5 wt.%，例如不超過2 wt.%。較佳地，基於相應組合物之總重量，(E)之量為至少0.05 wt.%，更佳至少0.1 wt.%，最佳至少0.5 wt.%，例如至少1 wt.%。
本發明CMP組合物可進一步視情況含有至少一種錯合劑(F)，例如一種錯合劑。一般而言，錯合劑係能夠錯合欲拋光基板或其諸多層中之一者之離子之化合物。較佳地，(F)係具有至少兩個COOH基團之羧酸、含N羧酸、含N磺酸、含N硫酸、含N膦酸、含N磷酸或其鹽。更佳地，(F)係具有至少兩個COOH基團之羧酸、含N羧酸或其鹽。最佳地，(F)係胺基酸或其鹽。例如，(F)係甘胺酸、絲胺酸、丙胺酸、組胺酸或其鹽。
若存在，則可以不同量含有錯合劑(F)。較佳地，基於相應組合物之總重量，(F)之量不超過20 wt.%，更佳不超過10 wt.%，最佳不超過5 wt.%，例如不超過2 wt.%。較佳地，基於相應組合物之總重量，(F)之量為至少0.05 wt.%，更佳至少0.1 wt.%，最佳至少0.5 wt.%，例如至少1 wt.%。
本發明CMP組合物可進一步視情況含有至少一種除生物劑(G)，例如一種除生物劑。一般而言，除生物劑係藉由化學或生物學方式製 止任何有害有機體、使其變得無害或針對其施加控制效應之化合物。較佳地，(G)係四級銨化合物、基於異噻唑啉酮之化合物、N-取代之二氧化二氮烯鎓或氧化N'-羥基-二氮烯鎓鹽。更佳地，(G)係N-取代之二氧化二氮烯鎓或氧化N'-羥基-二氮烯鎓鹽。
若存在，則可以不同量含有除生物劑(G)。若存在，則基於相應組合物之總重量，(G)之量較佳不超過0.5 wt.%，更佳不超過0.1 wt.%，最佳不超過0.05 wt.%，尤其不超過0.02 wt.%，例如不超過0.008 wt.%。若存在，則基於相應組合物之總重量，(G)之量較佳為至少0.0001 wt.%，更佳至少0.0005 wt.%，最佳至少0.001 wt.%，尤其至少0.003 wt.%，例如至少0.006 wt.%。
本發明CMP組合物可進一步視情況含有至少一種糖化合物(H)，例如一種糖化合物。較佳地，糖化合物係選自由以下組成之群：單醣、雙醣、參醣、肆醣、伍醣、寡醣、多醣及經氧化單醣，更佳地，糖化合物係選自由以下組成之群：葡萄糖、半乳糖、蔗糖、蔗糖素及其立體異構物。寡醣係含有六個至十個單醣單元之糖聚合物。多醣係含有十個以上單醣單元之糖聚合物。寡醣之較佳實例係α-環糊精。多醣之較佳實例係澱粉。經氧化單醣之較佳實例係葡萄糖酸-δ-內酯。
若存在，則可以不同量含有糖化合物(H)。較佳地，基於相應組合物之總重量，(H)之量不超過4 wt.%，更佳不超過1 wt.%，最佳不超過0.5 wt.%，例如不超過0.2 wt.%。較佳地，基於相應組合物之總重量，(H)之量為至少0.005 wt.%，更佳至少0.01 wt.%，最佳至少0.05 wt.%，例如至少0.08 wt.%。
所使用或本發明之CMP組合物之性質(例如穩定性及拋光性能)分別可取決於相應組合物之pH。較佳地，所使用或本發明之組合物之pH值分別係在3至11、更佳4至10、最佳5至9、尤佳6至8、 例如6.5至7.5範圍內。
本發明CMP組合物亦可含有(若需要)各種其他添加劑，包括(但不限於)pH調節劑、穩定劑、表面活性劑等。該等其他添加劑係(例如)彼等常用於CMP組合物中者且因此為熟習此項技術者已知。該添加可(例如)使分散液穩定或可改良拋光性能或不同層之間之選擇度。
若存在，則可以不同量含有該添加劑。較佳地，基於相應組合物之總重量，該添加劑之量不超過10 wt.%，更佳不超過1 wt.%，最佳不超過0.1 wt.%，例如不超過0.01 wt.%。較佳地，基於相應組合物之總重量，該添加劑之量為至少0.0001 wt.%，更佳至少0.001 wt.%，最佳至少0.01 wt.%，例如至少0.1 wt.%。
根據一個實施例，本發明CMP組合物包含：(A)氧化鈰粒子，(B)真菌蛋白，及(C)水性介質。
根據另一實施例，本發明CMP組合物包含：(A)氧化鈰粒子，(B)包含半胱胺酸作為胺基酸單元之蛋白質，及(C)水性介質。
根據另一實施例，本發明CMP組合物包含：(A)氧化鈰粒子，(B)包含100個以上胺基酸單元之蛋白質，及(C)水性介質。
根據另一實施例，本發明CMP組合物包含：(A)氧化鈰粒子，(B)包含至少一種疏水蛋白單元之蛋白質，及(C)水性介質。
根據另一實施例，本發明CMP組合物包含：(A)氧化鈰粒子，(B)疏水蛋白，及(C)水性介質。
根據另一實施例，本發明CMP組合物包含：(A)氧化鈰粒子，基於相應CMP組合物之總重量，其濃度為0.01 wt.%至5 wt.%；(B)疏水蛋白或包含至少一種疏水蛋白單元之蛋白質，基於相應CMP組合物之總重量，其濃度為0.001 wt.%至0.5 wt.%；及(C)水性介質。
製備CMP組合物之製程眾所周知。可應用該等製程來製備本發明CMP組合物。此可藉由如下方式來實施：將上述組份(A)及(B)分散或溶解於水性介質(C)、較佳水中，且視情況藉助添加酸、鹼或pH調節劑來調節pH值。出於此目的，可使用常用且標準之混合製程及混合裝置，例如攪拌容器、高剪切葉輪、超音波混合器、均質機噴嘴或逆流混合器。
本發明CMP組合物較佳係藉由將粒子(A)分散、將蛋白質(B)及視情況其他添加劑分散及/或溶解於水性介質(C)中來製備。
拋光製程眾所周知，且可在通常用於在製作具有積體電路之晶圓中實施CMP之條件下利用上述製程及設備來實施。對可實施拋光製程之設備並無限制。
如業內所知，用於CMP製程之典型設備係由經拋光墊覆蓋之旋轉台板組成。亦使用軌道拋光機。將晶圓安裝於載體或夾頭上。晶圓之所處理側面向拋光墊(單側拋光製程)。護環將晶圓固定於水平位置上。
在載體下方，較大直徑之台板亦通常水平定位且呈現平行於晶 圓之欲拋光表面之表面。在平坦化製程期間，台板上之拋光墊接觸晶圓表面。
為產生材料損失，將晶圓壓製至拋光墊上。通常使載體及台板二者圍繞其自載體及台板垂直延伸之各別軸旋轉。旋轉載體軸可相對於旋轉台板保持固定於適當位置處或可相對於台板水平振動。載體之旋轉方向通常但未必與台板之旋轉方向相同。通常但未必將載體及台板之旋轉速度設定為不同值。在本發明之CMP製程期間，通常以連續流之形式或以逐滴方式將本發明CMP組合物施加至拋光墊上。通常，將台板之溫度設定為10℃至70℃之溫度。
可用由(例如)鋼製成之平板來施加晶圓上之負載，該平板經通常稱為背襯膜(backing film)之軟墊覆蓋。若正使用更先進之設備，則負載空氣或氮氣壓力之撓性薄膜將晶圓壓製至墊上。當使用硬拋光墊時，此一薄膜載體對於低下壓力製程較佳，此乃因晶圓上之下壓力分佈比具有硬台板設計之載體更均勻。亦可根據本發明使用帶有控制晶圓上之壓力分佈之選項之載體。通常將該等載體設計成具有許多不同的可彼此獨立地以某一程度負載之室。
關於其他細節，結合圖2參考WO 2004/063301 A1，具體而言第16頁第[0036]段至第18頁第[0040]段。
藉助本發明CMP製程及/或使用本發明CMP組合物，可獲得包含介電層之具有積體電路之晶圓，該等晶圓具有極佳功能性。
本發明CMP組合物可作為即用型漿液用於CMP製程中，其具有長儲架壽命且在長時間內顯示穩定粒徑分佈。因此，其易於處置且易於儲存。其顯示極佳拋光性能，尤其在於二氧化矽之高材料移除速率(MRR)及氮化矽或多晶矽之低MRR之組合。由於將其組份之量降低至最低，故可以成本有效之方式分別使用本發明CMP組合物。
實例及比較實例
下文闡述CMP實驗之一般程序。
用於200 mm SiO2晶圓之標準CMP製程：Strasbaugh nSpire(模型6EC)，ViPRR浮動護環載體；下壓力：2.0 psi(138毫巴)；背側壓力：0.5 psi(34.5毫巴)；護環壓力：2.5 psi(172毫巴)；拋光台/載體速度：95/86 rpm；漿液流速：200 ml/min；拋光時間：60 s；墊調理：原位，4.0磅(18 N)；拋光墊：IC1000 A2/Suba 4堆疊墊，xy k或k開槽(R&H)；背襯膜：Strasbaugh，DF200(136個孔)；調理碟：3M S60；藉由三次掃掠來調理墊，之後將新型漿液用於CMP。
在局部供應站中攪拌漿液。
用於(半)透明空白晶圓之標準分析程序：藉由使用Filmmetrics F50量測光學膜厚度來測定移除。對於每一晶圓而言，在CMP之前及之後進行49點直徑掃描量測(排除5 mm邊緣)。對於利用F50量測之晶圓上之每一點而言，根據CMP之前及之後之膜厚度差來計算膜厚度損失。自49點直徑掃描所得數據之平均值給出總移除，標準偏差給出(非)均勻度。
對於移除速率而言，使用總材料移除與主要拋光步驟之時間之商。
用於CMP實驗之標準膜：SiO2膜：PE TEOS； Si3N4膜：PE CVD或LPCVD多Si膜：摻雜；用於漿液製備之標準程序：藉由向漿液中添加氨水溶液(0.1%)或HNO3(0.1%)來調節pH。利用pH組合電極(Schott，藍線22 pH)量測pH值。
用於實例中之無機粒子(A)
使用平均一次粒徑為60 nm(如使用BET表面積量測所測定)且平均二次粒徑(d50值)為99 nm(如使用動態光散射技術經由Horiba儀器所測定)之膠體氧化鈰粒子(Rhodia HC60)。
疏水蛋白係由BASF SE提供。
本發明CMP組合物之該等實例改良了拋光性能。

Claims (13)

  1. 一種化學機械拋光(CMP)組合物，其包含：(A)氧化鈰粒子；(B)包含半胱胺酸作為胺基酸單元之蛋白質；及(C)水。
  2. 如請求項1之CMP組合物，其中該蛋白質(B)係真菌蛋白。
  3. 如請求項1或2之CMP組合物，其中該蛋白質(B)係包含100個以上胺基酸單元之蛋白質。
  4. 如請求項1或2之CMP組合物，其中該蛋白質(B)係疏水蛋白或包含至少一個疏水蛋白單元。
  5. 如請求項1或2之CMP組合物，其中該等粒子(A)之平均粒徑為50nm至300nm，藉由動態光散射技術測定。
  6. 如請求項1或2之CMP組合物，其進一步包含(H)糖化合物。
  7. 如請求項1或2之CMP組合物，其進一步包含(H)選自由以下組成之群之糖化合物：單醣、雙醣、參醣、肆醣、伍醣、寡醣及多醣以及經氧化單醣。
  8. 如請求項1或2之CMP組合物，其進一步包含(H)選自由以下組成之群之糖化合物：葡萄糖、半乳糖、蔗糖、蔗糖素及其立體異構物。
  9. 如請求項1或2之CMP組合物，其中該組合物之pH值係在5至9範圍內。
  10. 如請求項1之CMP組合物，其中(B)係疏水蛋白。
  11. 一種製造半導體器件之方法，其包含在如請求項1至10中任一 項之CMP組合物存在下對基板進行化學機械拋光。
  12. 一種如請求項1至10中任一項之CMP組合物之用途，其用以化學機械拋光用於半導體工業中之基板。
  13. 如請求項12之用途，其中該基板包含：(i)二氧化矽，及(ii)氮化矽或多晶矽。
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