JP2015510581A - パターン化されたx線光学素子の製造方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 110
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 15
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 12
- 230000009021 linear effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 abstract description 9
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 9
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910000939 field's metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract
Description
Claims (27)
- X線光学素子の製造方法であって、
材料破壊を引き起こす規定された束密度閾値を有する基板材料からなる基板を提供する工程と、
前記束密度閾値を局所的に超えるパルスレーザビームを生成するように構成されたレーザを提供する工程と、
溝のパターンによって規定された位置で前記パルスレーザビームに基板を露出することによって前記基板に溝のパターンを彫る工程と、
前記基板の材料とは異なる充填材料で前記溝を充填することによって、光学密度及び光学インデックスの少なくとも一方で対照をなすパターンを形成する工程と
を含む方法。 - 前記束密度閾値は特定の波長での線形吸収について規定され、前記レーザは前記特定の波長のパルスレーザビームを生成する請求項1に記載の方法。
- 前記レーザビームは、最大で1μsのパルス長を有する請求項2に記載の方法。
- 前記束密度閾値は、非線形吸収について規定された請求項1に記載の方法。
- 前記レーザビームは、最大で1psのパルス長を有する請求項4に記載の方法。
- 前記レーザビームは500nmから1.5μmの範囲内の基本波長を有する請求項1に記載の方法。
- 前記レーザビームは、10nJから1μJの範囲内の個別のパルスエネルギーを有するパルスからなる請求項1に記載の方法。
- 前記パルスレーザビームは、前記レーザビームよりも小さい径を有するサブエリア内で前記束密度閾値に達する径及び束分布を有する請求項1に記載の方法。
- 焦点距離を有する光学集束配置を介して前記レーザビームを通過させる工程を含む請求項1に記載の方法。
- 前記焦点距離に実質的に等しい前記基板からの距離に前記集束配置を設置する工程と、
その後、意図する溝深さを生成するように計算された距離だけ前記基板に向けて前記集束配置を移動させる工程と
をさらに含む請求項9に記載の方法。 - 前記基板は、前記レーザ光源に近い第1の表面を有し、前記レーザ光源から遠い反対側の第2の表面を有するプレートであって、前記方法は、
前記焦点距離に実質的に等しい前記基板の前記第2の表面からの距離に前記集束配置を設置する工程と、
その後、意図する溝深さを生成するように計算された距離だけ前記第2の表面から集束配置を退避させる工程と
を含む請求項9に記載の方法。 - 前記レーザビームが前記溝を彫っている間、液体に前記プレートを部分的に浸漬する工程をさらに含む請求項11に記載の方法。
- 前記液体は、水を含む請求項12に記載の方法。
- 前記液体は、界面活性剤を添加した水である請求項13に記載の方法。
- 前記液体は、アルコールを含む請求項12に記載の方法。
- 前記プレートは、前記レーザビームによって放出された光の波長において部分的に透明な材料からなる請求項11に記載の方法。
- 前記溝は、
チャンバ内の真空下で液体又は変形可能な状態で前記溝パターンに充填材料を塗布する工程と、
前記充填材料が溝に浸透するようにさせる値に前記チャンバ内の空気圧を増加させる工程と、
前記充填材料の余剰量を除去し、高及び低電子密度の材料の交互の周期的パターンを露出する工程と
を含む一連の工程により充填される請求項1に記載の方法。 - 前記高及び低電子密度の材料の間に適切なコントラストを生成する厚さまで前記基板を薄くする工程をさらに含む請求項17に記載の方法。
- 前記充填材料は、錫を含む請求項1に記載の方法。
- 前記充填材料は、ビスマスをさらに含む請求項19に記載の方法。
- 前記充填材料は、インジウムをさらに含む請求項19に記載の方法。
- 前記溝は、
前記溝内に高い電子密度を有する材料のナノ粒子を注入する工程と、
前記ナノ粒子が溶融する温度まで前記溝パターンを加熱する工程と、
前記ナノ粒子が固化する温度まで前記溝パターンを冷却する工程と
を含む一連の行程により充填される請求項1に記載の方法。 - 前記溝は、
前記溝にナノ粒子を注入する工程と、
前記充填された溝上に前記溝内に前記ナノ粒子を固定する保護膜を塗布する工程と
を含む一連の行程により充填される請求項1に記載の方法。 - 前記パターンは、平行線を含む請求項1に記載の方法。
- 前記パターンは、同心円を含む請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、前記充填材料より低い電子密度を有する材料から構成される請求項1に記載の方法。
- 前記基板は、前記充填材料より高い電子密度を有する材料から構成される請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/337,654 | 2011-12-27 | ||
US13/337,654 US20130164457A1 (en) | 2011-12-27 | 2011-12-27 | Method of manufacturing patterned x-ray optical elements |
PCT/US2012/070450 WO2013101571A1 (en) | 2011-12-27 | 2012-12-19 | A method of manufacturing patterned x - ray optical elements |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015510581A true JP2015510581A (ja) | 2015-04-09 |
Family
ID=47628424
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014550341A Pending JP2015510581A (ja) | 2011-12-27 | 2012-12-19 | パターン化されたx線光学素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130164457A1 (ja) |
EP (1) | EP2798646A1 (ja) |
JP (1) | JP2015510581A (ja) |
CA (1) | CA2861582A1 (ja) |
WO (1) | WO2013101571A1 (ja) |
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-
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- 2012-12-19 JP JP2014550341A patent/JP2015510581A/ja active Pending
- 2012-12-19 EP EP12819158.2A patent/EP2798646A1/en not_active Ceased
- 2012-12-19 CA CA2861582A patent/CA2861582A1/en not_active Abandoned
- 2012-12-19 WO PCT/US2012/070450 patent/WO2013101571A1/en active Application Filing
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160301 |
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A02 | Decision of refusal |
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