JP2015509640A5 - - Google Patents
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- 第1のメモリセルと、
前記第1のメモリセルにアクセスするように構成された第1のアクセスラインと、
第2のメモリセルと、
前記第2のメモリセルにアクセスするように構成された第2のアクセスラインと、
データを前記第1のメモリセルの第1のメモリ部分に記憶させ、さらなるデータを前記第2のメモリセルの第1の部分に格納させ、前記さらなるデータに関連付けられた誤り訂正符号の少なくとも一部を前記第2のメモリセルの第2のメモリ部分に格納させ、前記データと関連付けられた誤り訂正符号の第1の部分を前記第1のメモリセルの第2のメモリ部分に記憶させ、かつ前記データに関連付けられた前記誤り訂正符号の第2の部分を前記第2のメモリセルの第3のメモリ部分に記憶させるために用いられ、前記第2のデータに関連付けられた前記誤り訂正符号の前記少なくとも一部を、前記第2のメモリセルの前記第3のメモリ部分内の前記データに関連付けられた前記誤り訂正符号の前記第2の部分の格納と同時に、前記第2のメモリセルの前記第2のメモリ部分に格納させるコントローラと、
を備える、装置。 - 前記第1のアクセスラインが、前記第2のアクセスラインのすぐ隣に位置する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1のメモリセルが前記装置のデバイスの第1のレベル上に位置し、前記第2のメモリセルが前記装置の前記デバイスの第2のレベル上に位置する、請求項1に記載の装置。
- 前記コントローラが、前記誤り訂正符号の前記第1および第2の部分を生成するように構成された誤り訂正符号生成器を含み、前記誤り訂正符号生成器が前記装置の第1のデバイス上に位置し、前記第1および第2のメモリセルが前記装置の第2のデバイス上に位置する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1のデバイスがメモリコントローラを含み、前記第2のデバイスがメモリデバイスを含む、請求項4に記載の装置。
- 前記コントローラが、前記誤り訂正符号の前記第1および第2の部分を生成するように構成された誤り訂正符号生成器を含み、前記誤り訂正符号生成器が前記装置の第1の半導体ダイ上に位置し、前記第1および第2のメモリセルが前記装置の第2の半導体ダイ上に位置する、請求項1に記載の装置。
- 前記第1のメモリ部分が前記第1のメモリセル中の第1の数のメモリセルを含み、前記第2のメモリ部分が前記第1のメモリセル中の第2の数のメモリセルを含み、前記第1および第2のメモリセルの数が不均等である、請求項1に記載の装置。
- 第1のメモリセルと、
前記第1のメモリセルにアクセスするように構成された第1のアクセスラインと、
第2のメモリセルと、
前記第2のメモリセルにアクセスするように構成された第2のアクセスラインと、
第1のデータを前記第1のメモリセルに記憶させ、第2のデータおよび第3のデータを前記第2のメモリセルの第1のメモリ部分に記憶させ、前記第2のデータと関連付けられた誤り訂正符号および前記第3のデータと関連付けられた誤り訂正符号の第1の部分を前記第2のメモリセルの第2のメモリ部分に記憶させ、かつ前記第1のデータと関連付けられた誤り訂正符号の一部分および前記第3のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の第2の部分を前記第2のメモリセルの第3のメモリ部分に記憶させるように構成されたコントローラと、
を備える、装置。 - 前記第1、第2、および第3のデータが、同じ数のビットを含む、請求項8に記載の装置。
- 前記第3のメモリ部分の中のメモリセルの数が、前記第2のメモリ部分の中のメモリセルの数未満である、請求項8に記載の装置。
- 前記第3のメモリ部分の中のメモリセルの数が、前記第2のメモリ部分の中のメモリセルの数の三分の一に等しい、請求項8に記載の装置。
- 前記第1、第2、および第3のメモリ部分が、前記装置の同じデバイスの中に含まれる、請求項8に記載の装置。
- 前記第1のメモリセルが、前記第2のメモリセルのすぐ隣に位置する、請求項8に記載の装置。
- 前記コントローラが、
前記第1のデータおよび第4のデータを前記第1のメモリセルの第1のメモリ部分に記憶させ、
前記第4のデータと関連付けられた誤り訂正符号の少なくとも一部分および前記第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の第1のさらなる部分を前記第1のメモリセルの第2のメモリ部分に記憶させ、かつ
前記第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の第2のさらなる部分を前記第1のメモリセルの第3のメモリ部分に記憶させるようにさらに構成される、請求項8に記載の装置。 - 前記コントローラが、第5のデータと関連付けられた誤り訂正符号の少なくとも一部分を前記第1のメモリセルの前記第3のメモリ部分に記憶させるようにさらに構成される、請求項14に記載の装置。
- 前記第1のデータが第1のページの情報に含まれ、前記第2のデータ、前記第2のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号、および前記第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の前記部分が、第2のページの情報に含まれる、請求項8に記載の装置。
- 前記第2のデータと関連付けられた前記ECCのサイズが、前記第3のデータと関連付けられた前記ECCのサイズとは異なる、請求項8に記載の装置。
- 第1のデータと関連付けられた誤り訂正符号を行列の層の数に基づいて生成するように構成された生成器と、
前記第1のデータおよび前記誤り訂正符号を含む情報を転送するように構成されたインターフェースと、
前記誤り訂正符号の第1の部分を前記インターフェースに転送するように構成されたユニットと、
前記誤り訂正符号の前記第1の部分が前記インターフェースに転送される間に前記誤り訂正符号の第2の部分を記憶するように構成された記憶ユニットと、
を備える、装置。 - 前記生成器が、第2のデータと関連付けられた誤り訂正符号を前記生成行列の層の前記数よりも少ない層に基づいて生成するようにさらに構成され、前記第1のデータおよび前記第2のデータが同じサイズを有する、請求項18に記載の装置。
- 前記誤り訂正符号の前記第1の部分が、前記誤り訂正符号の前記第2の部分よりも大きいサイズを有する、請求項18に記載の装置。
- 前記誤り訂正符号の前記第1の部分が、前記誤り訂正符号の前記第2の部分のサイズより3倍大きいサイズを有する、請求項18に記載の装置。
- 前記生成器が、準巡回低密度パリティ検査符号器を備える、請求項18に記載の装置。
- 準巡回低密度パリティ検査復号器をさらに備える、請求項18に記載の装置。
- 前記第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号全体を記憶するさらなる記憶ユニットを備える、請求項18に記載の装置。
- 前記さらなる記憶ユニットがキャッシュメモリを含む、請求項24に記載の装置。
- 第1のデータを第1のアクセスラインと関連付けられた第1のメモリセルに記憶することと、
第2のデータを第2のアクセスラインと関連付けられた第2のメモリセルの第1のメモリ部分に記憶することと、
前記第2のデータと関連付けられた誤り訂正符号の少なくとも一部分を前記第2のメモリセルの第2のメモリ部分に記憶することと、
前記第3のデータと関連付けられた誤り訂正符号の少なくとも一部分を前記第2のメモリセルの前記第2のメモリ部分に記憶することと、
前記第3のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号のさらなる部分を前記第2のメモリセルの第3のメモリ部分に記憶することと、
前記第1のデータと関連付けられた誤り訂正符号の一部分を前記第2のメモリセルの前記第3のメモリ部分に記憶することと、
を含み、
前記第2のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の前記少なくとも一部分が、前記第2のメモリセルの前記第3のメモリ部分に記憶された前記第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の前記一部分と同時に、前記第2のメモリセルの前記第2のメモリ部分に記憶される、方法。 - 第1のデータを第1のアクセスラインと関連付けられた第1のメモリセルに記憶することと、
第2のデータを第2のアクセスラインと関連付けられた第2のメモリセルの第1のメモリ部分に記憶することと、
前記第2のデータと関連付けられた誤り訂正符号の少なくとも一部分を前記第2のメモリセルの第2のメモリ部分に記憶することと、
前記第3のデータと関連付けられた誤り訂正符号の少なくとも一部分を前記第2のメモリセルの前記第2のメモリ部分に記憶することと、
前記第3のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号のさらなる部分を前記第2のメモリセルの第3のメモリ部分に記憶することと、
前記第1のデータと関連付けられた誤り訂正符号の一部分を前記第2のメモリセルの前記第3のメモリ部分に記憶することと、
を含み、
前記第3のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の前記さらなる部分が前記第2のメモリセルの前記第3のメモリ部分に記憶される前に、前記第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の前記一部分が前記第2のメモリセルの前記第3のメモリ部分に記憶される、方法。 - 第1のデータと関連付けられた誤り訂正符号を第1のデバイスで生成することと、
前記第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の第1の部分を第2のデバイスに転送することと、
前記第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の第2の部分を前記第1のデバイスの記憶ユニットに記憶することと、
第2のデータと関連付けられた誤り訂正符号を生成することと、
前記第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の前記第2の部分および前記第2のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の少なくとも一部分を前記第2のデバイスに転送することと、
を含む、方法。 - 前記第3のデータと関連付けられた誤り訂正符号を生成することと、
前記第3のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の第1の部分を前記第2のデバイスに転送することと、
前記第3のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の第2の部分を前記記憶ユニットに記憶することと、
をさらに含む、請求項28に記載の方法。 - 第4のデータと関連付けられた誤り訂正符号を生成することと、
前記第3のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の前記第2の部分および前記第4のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号の少なくとも一部分を前記第2のデバイスに転送することと、
をさらに含む、請求項29に記載の方法。 - 前記第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号を生成することが、前記誤り訂正符号を生成行列の全ての層に基づいて生成することを含む、請求項28に記載の方法。
- 前記第2のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号を生成することが、前記第2のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号を前記生成行列の全ての層よりも少ない層に基づいて生成することを含む、請求項31に記載の方法。
- 前記第1のデバイスがコントローラであり、前記第2のデバイスがメモリアレイである、請求項28に記載の方法。
- 前記コントローラおよびメモリアレイが同じ半導体ダイ上にある、請求項33に記載の方法。
- 前記コントローラが第1の半導体ダイ上にあり、およびメモリアレイが第2の半導体ダイ上にある、請求項33に記載の方法。
- 第1のデータと関連付けられた前記誤り訂正符号を生成する前に、前記第2のデバイスから記憶されたデータを取り出すことであって、前記第1のデータが前記記憶されたデータを含む、取り出すことをさらに含む、請求項31に記載の方法。
- 第1のメモリセルから情報を取り出すことと、
前記データと関連する誤り訂正符号の第1の部分を用いて前記情報からデータを生成することであって、前記データと関連付けられた誤り訂正符号の前記第1の部分が前記情報に含まれる、生成することと、
前記データが前記データと関連付けられた誤り訂正符号の前記第1の部分を用いて前記情報からうまく生成されなかった場合、前記データと関連付けられた前記誤り訂正符号の第2の部分を第2のメモリセルから取り出すことと、
前記データと関連付けられた誤り訂正符号の前記第1の部分および前記データと関連付けられた誤り訂正符号の前記第2の部分を用いてデータを生成することと、
を含む、方法。 - 前記データと関連付けられた前記誤り訂正符号の前記第1の部分および前記データと関連付けられた前記誤り訂正符号の前記第2の部分が、不均等なサイズを有する、請求項37に記載の方法。
- 前記情報を取り出すことが、前記第1のメモリセルに連結された第1のアクセスラインにアクセスして前記情報を取り出すことを含み、前記データと関連付けられた前記誤り訂正符号の前記第2の部分を取り出すことが、前記第2のメモリセルに連結された第2のアクセスラインにアクセスして前記第2の誤り訂正符号を取り出すことを含む、請求項37に記載の方法。
- 前記情報からデータを生成することが、検査ユニットを用いて前記情報から前記データを生成することを含む、請求項39に記載の方法。
- 前記データと関連付けられた誤り訂正符号の前記第1の部分および前記データと関連付けられた誤り訂正符号の前記第2の部分を用いてデータを生成することが、前記検査ユニットを用いて、前記データと関連付けられた誤り訂正符号の前記第1の部分および前記データと関連付けられた誤り訂正符号の前記第2の部分を用いて前記データを生成することを含む、請求項40に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/413,363 US8954825B2 (en) | 2012-03-06 | 2012-03-06 | Apparatuses and methods including error correction code organization |
US13/413,363 | 2012-03-06 | ||
PCT/US2013/028644 WO2013134066A1 (en) | 2012-03-06 | 2013-03-01 | Apparatuses and methods including error correction code organization |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016159911A Division JP6181257B2 (ja) | 2012-03-06 | 2016-08-17 | 誤り訂正符号の編成を含む装置および方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015509640A JP2015509640A (ja) | 2015-03-30 |
JP2015509640A5 true JP2015509640A5 (ja) | 2016-03-10 |
JP6195854B2 JP6195854B2 (ja) | 2017-09-13 |
Family
ID=49115168
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014560980A Active JP6195854B2 (ja) | 2012-03-06 | 2013-03-01 | 誤り訂正符号の編成を含む装置および方法 |
JP2016159911A Active JP6181257B2 (ja) | 2012-03-06 | 2016-08-17 | 誤り訂正符号の編成を含む装置および方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016159911A Active JP6181257B2 (ja) | 2012-03-06 | 2016-08-17 | 誤り訂正符号の編成を含む装置および方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8954825B2 (ja) |
EP (1) | EP2823487B1 (ja) |
JP (2) | JP6195854B2 (ja) |
KR (3) | KR20220075448A (ja) |
CN (1) | CN104272396B (ja) |
TW (1) | TWI646419B (ja) |
WO (1) | WO2013134066A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8954825B2 (en) * | 2012-03-06 | 2015-02-10 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods including error correction code organization |
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-
2012
- 2012-03-06 US US13/413,363 patent/US8954825B2/en active Active
-
2013
- 2013-03-01 JP JP2014560980A patent/JP6195854B2/ja active Active
- 2013-03-01 KR KR1020227017513A patent/KR20220075448A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-03-01 KR KR1020217007840A patent/KR102403171B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-01 KR KR1020147027762A patent/KR102230584B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-01 EP EP13757577.5A patent/EP2823487B1/en active Active
- 2013-03-01 WO PCT/US2013/028644 patent/WO2013134066A1/en active Application Filing
- 2013-03-01 CN CN201380023047.3A patent/CN104272396B/zh active Active
- 2013-03-06 TW TW102107947A patent/TWI646419B/zh active
-
2015
- 2015-01-20 US US14/600,800 patent/US9336086B2/en active Active
-
2016
- 2016-05-06 US US15/148,321 patent/US9983928B2/en active Active
- 2016-08-17 JP JP2016159911A patent/JP6181257B2/ja active Active
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