JP2015504157A5 - - Google Patents
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Description
一実施形態では、装置100は、アブレーションチャンバ102とアブレーションビーム源104の間に配置されたシールド122をさらに含んでいる。シールド122は、放射パルス114を少なくとも部分的に透過する物質によって形成されていてもよい。図示された実施形態では、シールド122は、アブレーションチャンバ本体108に当接し、対象物110のアブレーション中にデブリ(例えば、塵、水蒸気、空気のような大気ガスなど)が収容域108aに入ってしまうのを防止するように透過窓112を覆っている。アブレーションチャンバ本体108の外部のデブリによって引き起こされる収容域108aへの放射パルスの伝搬に対する悪影響を減少し、あるいはこれをなくすために、アブレーションビーム源104は、概して、(図示したように)シールド122に近接して配置されており、シールド122に当接していてもよい。一実施形態では、シールド122は、アブレーションビーム源104とアブレーションチャンバ本体108の一方又は双方に連結されてもよい。
また、ビームクロッピングシステム206は、上述した第2のクロップスポットサイズ範囲にわたってクロップスポットサイズを調整するように構成された第2のビームクロッパ216を含んでいる。一実施形態では、第2のビームクロッパ216は、ビーム204a(あるいは、ビーム拡大器204が省略された場合にはビーム202a)内のそれぞれの中間クロップ放射パルスの一部をクロップして、中間クロップ放射パルスのクロップされなかった部分を、第2のクロップスポットサイズの第2のクロップスポットを有する第2のクロップ放射パルスとして通過させるように構成される。したがって、第2のビームクロッパ216は、第2のクロップ放射パルスの第2のクロップビーム216aを生成するように構成され、それぞれの第2のクロップ放射パルスは、上述した第2のクロップスポットサイズ範囲にわたって調整可能な第2のクロップスポットサイズの第2のクロップスポットを有する。例示的に図示されるように、第2のビームクロッパ216の「下流側」には追加のビームクロッパが配置されていない。したがって、ビームクロッピングシステムにより第2のクロップ放射パルスをクロップ放射パルスとして出力することができる。しかしながら、ビームクロッピングシステムが、第1のビームクロッパ214又は第2のビームクロッパ216と同一のビームクロッパ又はこれと異なるビームクロッパをさらに含んでいてもよいことは理解できよう。
図3を参照すると、一実施形態において、図2に示される第1のビームクロッパ214は、互いに重なり合って周方向に配置されて第1のアパーチャ306を規定する羽根304のような複数の要素から構成される第1のダイアフラム302を含んでいる。羽根304はハウジング308により周方向に支持されている。このハウジング308は、放射パルスが伝搬可能な範囲又は領域の最も外側の境界を規定している。図示はされていないが、それぞれの羽根304の半径方向外側の部分は、ハウジング308内に移動可能な作動要素(例えばアクチュエータリング)に連結されている。作動要素が移動すると、羽根304が互いに移動してアパーチャ306のサイズ及び/又は形状が(例えば、例示的に図示されたアパーチャ306のサイズ及び/又は形状から破線310により例示的に示されるサイズ及び/又は形状まで)変化する。これにより、アパーチャ306のサイズが中間クロップスポットサイズに対応する。
図4を参照すると、一実施形態において、図2に示される第2のビームクロッパ216は、複数の第2のアパーチャ406が形成されたプレート404のような単一のプレートから構成される第2のダイアフラム402を含んでいる。第2のアパーチャ406は、十字線408の中心として示されているプレート404上の点を中心として周方向に配置されている。プレート404は、中間クロップ放射パルスの一部が第2のダイアフラムに対して複数の第2のアパーチャのうちの1つを選択的に透過できるように、中間クロップ放射パルスの少なくとも一部の伝搬を阻止又は阻害するように、ビーム伝搬経路の内外に選択的に移動可能な任意の材料で構成されていてもよい。任意の好適なプロセス(例えば、機械的ドリル加工、ウォータジェットドリル加工、レーザドリル加工など又はこれらの組み合わせ)により第2のアパーチャ406をプレート404に形成することができる。第2のダイアフラム402は、上述したように構成されており、プレート404上の上述した点を通る回転軸を中心として回転可能となっている。複数の第2のアパーチャ406がアブレーションビーム源104内に(例えば、プレート404上の点が図2に示される軸412を中心として回転可能となるように)搭載されている場合、複数の第2のアパーチャ406のそれぞれは選択的にビーム伝搬経路内に配置可能となっている。このため、ビーム伝搬経路に選択的に配置された第2のアパーチャ406のサイズは第2のクロップスポットサイズに対応する。
(約1.5mmのスポット径に対応する)約1.7mm2から(約1μmのスポット径に対応する)約0.78μm2の間の上述した第2のクロップスポットサイズ範囲にわたってビーム伝搬経路に配置されたアパーチャ406のサイズが調整可能となるように、プレート404を連続的又は増分的に移動可能にして第2のビームクロッパ216を作動させることができる。図4に例示的に図示された複数の第2のアパーチャ406の1つのアパーチャ(すなわち、第2のアパーチャ406a)のサイズは、上述した第2のクロップスポットサイズ範囲の最小値(すなわち、約1μmのスポット径に対応する約0.78μm2)に対応するサイズを概念的に表し得る。同様に、図4に例示的に図示された複数の第2のアパーチャ406の別のアパーチャ(すなわち、第2のアパーチャ406b)のサイズは、上述した第2のクロップスポットサイズ範囲の最大値(すなわち、約1.5mmのスポット径に対応する約1.7mm2)に対応するサイズを概念的に表し得る。一実施形態では、第2のアパーチャ406のサイズは、プレート404上の上述した点を中心として周方向に沿って増分的に変化し、第2のアパーチャ406のうち周方向に隣接するアパーチャの間のサイズの違いは、(約1μmのスポット径における増分的変化に対応する)約0.78μm2から(約5μmのスポット径における増分変化に対応する)約19.6μm2の間の範囲となっている。
さらに図4を参照すると、第2のビームクロッパ216は、プレート404に形成された第3のアパーチャ410を含んでいてもよい。第3のアパーチャ410のサイズ及び/又は形状は、図3に示された破線310によって例示的に図示されたサイズ及び/又は形状と同一又は実質的に同一である。一実施形態では、第3のアパーチャ410のサイズは、上述した第1のクロップスポットサイズ範囲の最大値(すなわち、約9mmのスポット径に対応する約63.5mm2)に対応するサイズと同一又は実質的に同一である。第3のアパーチャ406がアブレーションビーム源104内に搭載される場合、第3のアパーチャ410を選択的にビーム伝搬経路内に配置可能としてもよい。このように第3のアパーチャ410をビーム伝搬経路に配置する場合には、中間クロップ放射パルスのすべて又は中間クロップ放射パルスの実質的にすべてを第2のビームクロッパ216により通過させることができ、クロップ放射パルスのビーム206a内のクロップ放射パルスとしてビームクロッピングシステムにより出力することができる。
コントローラ220は、様々な制御、管理、及び/又は、調整機能を規定する動作ロジック(図示せず)を含んでいてもよい。また、この動作ロジックは、ハードウェアによって組み込まれた装置、プログラミング命令を実行するプロセッサのような専用ハードウェアの形式、及び/又は、当業者が考え得るその他の形式をとってもよい。動作ロジックは、デジタル回路、アナログ回路、又はこれらを組み合わせた回路を含んでいてもよい。一実施形態では、コントローラ220は、動作ロジックに従ってメモリ(図示せず)に格納された指令を実行するように構成された1以上の処理ユニットを含み得るプログラム可能なマイクロコントローラ又は他のプロセッサを含んでいる。メモリは、半導体、磁気的、及び/又は光学的な種類のうち、1以上の種類であってもよく、及び/又は、揮発性及び/又は不揮発性のものであってもよい。一実施形態において、メモリは動作ロジックによって実行可能な指令を格納する。これに代えて、あるいはこれに追加して、メモリは動作ロジックによって操作されるデータを格納してもよい。ある構成では、動作ロジックとメモリは、ビームクロッピングシステム206の動作面を管理及び制御する動作ロジックであるコントローラ/プロセッサの形態に含まれるが、別の構成では、上記コントローラとプロセッサが分離されてもよい。
Claims (18)
- ビーム伝搬経路に沿って伝搬される放射パルスのビームをクロップするための装置であって、
前記ビーム伝搬経路に配置される第1のアパーチャを規定する第1のダイアフラムを有する第1のビームクロッパを備え、前記第1のビームクロッパは、放射パルスの一部を選択的に前記第1のアパーチャを通して前記第1のダイアフラムに対して透過可能として、第1のクロップ放射パルスを通過させるように構成され、前記第1のダイアフラムは、前記第1のアパーチャを規定する複数の要素を含み、前記複数の要素のうちの少なくとも1つの要素は、第1の中間サイズから該第1の中間サイズよりも小さい第2の中間サイズまでの間の第1のサイズ範囲にわたって前記第1のアパーチャのサイズを調整するように、前記複数の要素の他の要素に対して動作可能であり、
複数の第2のアパーチャを規定する第2のダイアフラムを有する第2のビームクロッパを備え、前記第2のビームクロッパは、前記複数の第2のアパーチャのそれぞれが選択的に前記ビーム伝搬経路内に配置可能となるように構成され、前記複数の第2のアパーチャのそれぞれは、前記ビーム伝搬経路に前記第2のアパーチャが配置された場合に、前記第1のクロップ放射パルスの一部を選択的に通して前記第2のダイアフラムに対して透過可能として、第2のクロップ放射パルスを通過させるように構成され、前記複数の第2のアパーチャのうちの少なくとも1つは、前記第2の中間サイズよりも小さいサイズを有する、
装置。 - 前記複数の要素の少なくとも1つの要素は、前記第1のアパーチャの前記サイズ及び前記第1のアパーチャの形状の少なくとも一方を調整するように、前記複数の要素の他の要素に対して動作可能である、請求項1の装置。
- 前記複数の要素の前記少なくとも1つの要素は、前記第1のアパーチャのサイズ及び形状の少なくとも一方を調整するように、前記複数の要素の前記他の要素に対して移動可能である、請求項2の装置。
- 前記第1の中間サイズは約1.7mm2よりも大きい、請求項1の装置。
- 前記第2の中間サイズは約63.5mm2よりも小さい、請求項1の装置。
- 前記第1の中間サイズが、50個よりも多くの数のサイズに調整可能となるように、前記第1のアパーチャのサイズ及び形状の少なくとも一方が調整可能である、請求項1の装置。
- 前記複数の第2のアパーチャの1つは、前記第2の中間サイズに実質的に等しいサイズを有する、請求項1の装置。
- 前記第2のダイアフラムは、少なくとも30個の第2のアパーチャを有する、請求項1の装置。
- 前記第2のダイアフラムは、回転軸を中心として回転可能であり、前記複数の第2のアパーチャは、前記第2のダイアフラム内で前記回転軸を中心として周方向に配置されている、請求項1の装置。
- 前記第2のダイアフラムは、さらに前記第1の中間サイズに少なくとも実質的に等しいサイズを有する第3のアパーチャを規定する、請求項1の装置。
- 前記放射パルスのビームを生成するように構成されたアブレーションビーム源をさらに備えた、請求項1の装置。
- 前記アブレーションビーム源は、前記放射パルスとしてレーザ放射のパルスを生成するように構成されたレーザである、請求項11の装置。
- 前記レーザと前記第1のビームクロッパとの間に配置されたビーム拡大器をさらに備えた、請求項12の装置。
- 前記ビーム伝搬経路に配置された対物レンズであって、前記第2のクロップ放射パルスを集束して、対象物の一部をアブレートするのに十分なフルエンスを有する集束放射パルスを生成し、前記対象物からアブレートされた材料を含むエアロゾルを生成するように構成された対物レンズと、
前記エアロゾルを分析システムに移送するように構成されたエアロゾル移送管と、
をさらに備えた、請求項13の装置。 - 前記第2のビームクロッパに連結された第1のアクチュエータであって、前記複数の第2のアパーチャの1つが前記ビーム伝搬経路内に配置されるように前記第2のダイアフラムを作動可能な第1のアクチュエータと、
前記第1のアクチュエータに連結されたコントローラと、
を備え、前記コントローラは、
メモリと、
前記メモリに格納された指令を実行して前記第1のアクチュエータの動作を制御するように構成されたプロセッサと、
を含む、
請求項1の装置。 - 前記第1のダイアフラムは、前記第1のアパーチャを規定する複数の要素を備え、前記複数の要素の少なくとも1つの要素は、前記第1のアパーチャのサイズ及び形状の少なくとも一方を調整するように、前記複数の要素の他の要素に対して動作可能であり、前記装置は、前記第1のビームクロッパ及び前記コントローラに連結された第2のアクチュエータをさらに備え、
前記第2のアクチュエータは、前記複数の要素の前記少なくとも1つの要素を動作させることができ、
前記プロセッサは、さらに、前記メモリに格納された指令を実行して前記第2のアクチュエータの動作を制御するように構成される
請求項15の装置。 - 前記プロセッサは、さらに、前記メモリに格納された指令を実行して前記第2のアクチュエータの動作に基づいて前記第1のアクチュエータの動作を制御するように構成される、請求項16の装置。
- 前記複数の第2のアパーチャの形状は円形である、請求項1の装置。
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