JP2015503098A

JP2015503098A - 感知ポイントなしでプラグインカードのインターフェイスを用いて伝達される信号を感知するシステムおよび方法

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Publication number: JP2015503098A
Application number: JP2014544981A
Authority: JP
Inventors: バッシン，エウゲニ
Original assignee: サンディスクテクノロジィースインコーポレイテッド
Priority date: 2011-12-02
Filing date: 2012-12-03
Publication date: 2015-01-29
Anticipated expiration: 2032-12-03
Also published as: WO2013082607A1; KR20140097549A; CN103959076A; TW201329474A; CN103959076B; KR101873088B1; US20130141134A1; JP6363951B2; TWI575244B; US9121900B2

Abstract

チップを試験するための回路システムが提供される。この回路システムは、複数の接地通信媒体と結合される第１の層を備える。各接地通信媒体は、接地信号の伝達を容易にする。この回路システムは、第１の集積回路チップと結合される第２の層をも備える。この第２の層は、複数の無線周波数（ＲＦ）通信媒体と結合される。ＲＦ通信媒体は、ＲＦ信号の伝達を容易にする。第１の集積回路チップは、ＲＦ信号のうちの１つおよび接地信号を介して第２の集積回路チップと通信する。第１の層および第２の層は、ＲＦ信号および接地信号を調べるために使用される。

Description

本発明は、感知ポイントへのアクセスがないときにホストデバイスでまたはプラグインカードのインターフェイス上で伝達される信号を感知するシステムおよび方法に関する。

私的目的およびビジネス目的にセルラー電話機、デジタルカメラ、およびタブレットなどの様々な電子デバイスが使われている。電子デバイスの使用を楽しむ人たちもいるし、仕事関連の目的で電子デバイスを使う人たちもいる。電子デバイスには集積回路が使用される。そのような集積回路は、メモリチップから受け取られメモリチップ内に格納される情報を処理する。メモリチップは、イメージ、ビデオ、アニメーション、およびテキストなどの様々な情報を格納するために使用される。

コントローラは、集積回路とメモリチップとの間でインターフェイスとして動作する。例えば、コントローラは、集積回路から受け取られた信号をメモリチップが解釈するように設計された形に移し、メモリチップから受け取られた信号を集積回路が解釈するように設計された形に移す。コントローラが意図されたとおりに動作するとともに集積回路およびメモリチップもそのようにすることが重要である。
本発明の種々の実施形態が生じるのは、この背景の中である。

本発明の実施形態は、感知ポイントへのアクセスがないときにホストデバイスでまたはプラグインカードのインターフェイス上で伝達される信号を感知するシステムおよび方法を提供する。

一実施形態では、感知回路は、あたかもホストデバイスの内側へのアクセスが存在するかのように測定を可能にするように、プラグインカードと統合される。測定値を得るために、信号を感知するための特別の層がプラグインカードに付け加えられ、延長部もプラグインカードに付け加えられる。延長部は、１つ以上のＲＦコネクタの配置のために付け加えられる。特別の層および延長部を用いることにより、ホストデバイスを開く必要もなく、複雑な測定を実行する必要もなく、ホストデバイスの内側の信号が観察され得る。

一実施形態において、チップを試験するための回路システムが提供される。この回路システムは、複数の接地通信媒体と結合される第１の層を備える。各接地通信媒体は、接地信号の伝達を容易にする。この回路システムは、第１の集積回路チップと結合される第２の層を備える。この第２の層は、複数の無線周波数（ＲＦ）通信媒体と結合される。ＲＦ通信媒体は、ＲＦ信号の伝達を容易にする。第１の集積回路チップは、ＲＦ信号のうちの１つおよび接地信号を介して第２の集積回路チップと通信する。第１の層および第２の層は、ＲＦ信号および接地信号を調べるために使用される。

別の実施形態では、チップを試験するための回路システムが提供される。この回路システムは、第１の層と、複数の接地通信媒体と結合される第２の層とを備える。この第２の層は、第１の層に関して配置される。さらに、各接地通信媒体は、接地信号の伝達を容易にする。この回路システムは、チップと結合された第３の層をも備える。この第３の層は、複数の無線周波数（ＲＦ）通信媒体と結合される。ＲＦ通信媒体は、ＲＦ信号の伝達を容易にする。第２の層および第３の層は、ＲＦ信号および接地信号を調べるために使用される。

さらに別の実施形態では、チップを試験するための回路システムが提供される。この回路システムは、第１の層と、第１の層の上の第２の層と、複数の接地通信媒体と結合される第３の層とを備える。各接地通信媒体は、接地信号を伝達するために使用される。回路システムはチップと結合される第４の層を備え、この第４の層は複数のＲＦ通信媒体と結合される。ＲＦ通信媒体は、ＲＦ信号の伝達を容易にする。第３の層は第２の層の上にあり、第４の層は第３の層の上にある。さらに、第３の層および第４の層は、ＲＦ信号および接地信号を調べるために使用される。

いくつかの実施形態において、システムおよび方法は２つ以上の追加の層を層構造に提供する。一実施形態では、層構造は１つまたは２つの層を含み、追加の層はパッケージを収容する。パッケージは、コントローラおよびメモリチップなどの被制御チップを含む。２つの追加の層は、結合ＲＦコネクタを介してオシロスコープと結合される１つ以上の無線周波数（ＲＦ）コネクタを結合させるためのスペースを提供する。ＲＦコネクタは、通信媒体を介してコントローラと結合され、通信媒体の一部分は最上部の追加の層の中に埋め込まれる。さらに、最下部の追加の層は、接地信号を転送する１つ以上の接地通信媒体を提供する。

コントローラとＲＦコネクタとの間のしっかりした結合は、層構造および２つの追加の層をデジタルカメラ、タブレット、またはセルラー電話機などのホストデバイスとともに含む回路サブシステムの、ホストデバイスが動作している間の、使用を容易にする。回路サブシステムの一部分がデバイスのスロットに挿入されているとき、回路サブシステムはオシロスコープで調べられ得る。コントローラ、被制御チップ、およびホストデバイス内のチップの間の通信信号は、ホストデバイスが動作しているときに回路サブシステムで調べることができ、通信信号を表す波形をオシロスコープで可視化することができる。

本発明の他の態様は、例を挙げて本発明の種々の実施形態の原理を示す添付図面と関連して考慮される次の詳細な説明から明らかとなる。
本発明の種々の実施形態は、添付図面と関連して考慮される次の説明を参照することにより最も良く理解され得る。

本発明の一実施形態に従って、ホストデバイス内の集積回路とチップパッケージとの間で伝達されるとともにチップパッケージ内のチップ間で伝達される信号を試験するためのシステムの実施形態のブロック図である。本発明の一実施形態に従う、１つ以上のチップを試験するための試験システムのブロック図である。本発明の一実施形態に従う、１つ以上のチップを試験するための回路サブシステムの等角図である。本発明の一実施形態に従う、図３Ａの回路サブシステムの一部分の等角図である。本発明の一実施形態に従う、回路サブシステムの第１の層の実施形態の下面図である。本発明の一実施形態に従う、回路サブシステムの第２の層の実施形態の平面図である。本発明の一実施形態に従う、回路サブシステムの第３の層の平面図である。本発明の一実施形態に従う、回路サブシステムの第４の層の実施形態の平面図である。本発明の一実施形態に従う、無線周波数（ＲＦ）コネクタ、ＲＦ結合コネクタ、およびＲＦケーブルの実施形態の等角図である。

本発明の種々の実施形態は、これらの具体的な詳細の一部または全部がなくても実施され得るということに留意するべきである。他の場合には、本発明の種々の実施形態を不必要に不明瞭にしないために、良く知られているプロセス操作を詳しく記述していない。

図１は、回路サブシステム１８７を介してホストデバイス３９９内の集積回路から受け取る信号を試験するためのシステム７００の実施形態のブロック図である。ホストデバイスの例は、デジタルカメラ、タブレット、およびスマートフォンを含む。回路サブシステム１８７の一部分１２４は、ホストデバイス３９９のスロットに挿入される。ホストデバイス３９９を試験するためにホストデバイス３９９を開く必要はない。回路サブシステム１８７の延長部１２２は、ホストデバイス３９９の外側に延びる。ホストデバイス３９９は、部分１２４がスロットに挿入されているとき、ホストデバイスの意図されている目的のために動作可能である。例えば、ホストデバイス３９９は、部分１２４がホストデバイス３９９のスロットに挿入されているときに、ゲームをしたり、電子メールを送ったり、ウェブを閲覧したり、あるいは電話を掛けたりするために動作することができる。

ホストデバイス３９９が動作可能であるとき、ホストデバイス３９９内のチップ７９２（図２に示されている）とメモリコントローラチップ１１２（図２に示されている）との間で伝達されるＲＦ信号が試験される。例えば、ＲＦ信号１１６Ｂが、ホストデバイス３９９のチップ７９２からオシロスコープ１９０のチャネルコネクタ１９２Ａにより受け取られる。この例では、ＲＦ信号１１６Ｂは、通信媒体３８４と、バイアおよび通信媒体３８４と結合された通信媒体の組み合わせ７１４と、接続媒体７１４と結合された抵抗器１３８Ｂと、抵抗器１３８Ｂと結合されたマイクロストリップ伝送線７１６と、マイクロストリップ伝送線７１６と結合されたＲＦコネクタ１７２Ｆと、ＲＦコネクタ１７２Ｆと結合されたＲＦケーブル１８４ＦのＲＦ結合コネクタ１８６Ｆ（図５に示されている）とを介して受け取られる。この例では、接地信号１０８は、チャネルコネクタ１９２Ａにより、ホストデバイス３９９内のチップ７９２から、通信媒体３８６と、バイアおよび通信媒体の組み合わせ７５２と、マイクロストリップ伝送線７１６の接地通信媒体と、ＲＦコネクタ１７２Ｆと、ＲＦケーブル１８４Ｆとを介して、受け取られる。

ある実施形態では、ＲＦ信号はデータ信号、制御信号、または電力信号である。制御信号の例は、コマンド信号、イネーブル信号、クロック信号、およびアドレス信号を含む。データ信号は、データを転送するために使用される。電力信号は、電力を転送するために使用される。接地信号は、電力信号、データ信号、あるいは制御信号などの別の信号に対して基準電圧を提供するために使用される。一実施形態では、接地信号は、ゼロ電圧あるいは負電圧など別の低電圧を有する。

オシロスコープ１９０は、ディスプレイスクリーン３５４上に、ＲＦ信号１１６Ｂの電圧と接地信号１０８との差を表す差動信号を表す波形３５２を表示する。波形３５２は、ホストデバイス３９９内のチップが意図されたとおりに機能しているかどうかを判断するためにユーザにより調べられる。同様に、図２に関して後述するように、回路サブシステム１８７で伝達される他の信号がオシロスコープ１９０上に表される。

図２は、メモリチップ１３２とメモリコントローラチップ１１２との間、ならびにメモリコントローラチップ１１２とコントローラ１０４との間で伝達されるＲＦ信号を試験するための試験システム１００の実施形態のブロック図である。ある実施形態では、メモリコントローラチップ１１２およびメモリチップ１３２は、セキュアデジタル（ＳＤ）カードまたはマイクロＳＤ（ｍｉｃｒｏＳＤ）パッケージとして実装される。ＳＤカードまたはマイクロＳＤパッケージは回路サブシステム１８７（図１）の一部である。一例として、メモリコントローラチップ１１２は、コントローラ１０４のプロセッサから受け取られたコマンド信号を読み出し信号および書き込み信号に移すために用いられるメモリコントローラ３２０を含む。読み出し信号は、メモリアレイである集積回路２９８に格納されているデータを読み出すためにメモリチップ１３２に送られ、書き込み信号はデータをメモリアレイに書き込むために集積回路２９８に送られる。メモリアレイの例は、不揮発性メモリ、揮発性メモリ、フラッシュメモリ、ＮＡＮＤ形メモリ、ＮＯＲ形メモリ、ランダムアクセスメモリ、読み出し専用メモリ、および電気的に消去可能でプログラム可能な読み出し専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を含む。

一実施形態では、メモリコントローラ３２０は、コマンド信号を受け取ると、クロック信号、読み出しイネーブル信号、メモリアドレス信号、および書き込みイネーブル信号などの他の信号をもメモリアレイに送る。読み出しイネーブル信号はメモリアレイからのデータの読み出しを可能にするために読み出し信号を送る前に送られ、書き込みイネーブル信号はメモリアレイへのデータの書き込みを可能にするために書き込み信号を送る前に送られる。メモリアドレス信号は、データが読み出されるかあるいは書き込まれるメモリアレイの記憶場所の、行アドレスおよび列アドレスなどのアドレスを含む。

ホストデバイス３９９は、電力パッド２８６および接地パッド２８８を介してチップ１３２および１１２に電力を供給する電源２８４を含む。例えば、電力を集積回路２９８に提供するために、電源２８４は、メモリチップ１３２の電力パッド２９０およびＩ／Ｏ３００を介して無線周波数（ＲＦ）信号１１６Ｂを供給する。さらに、この例では、集積回路２９８に電力を提供するために、電源２８４は、チップ１３２の接地パッド２９２およびＩ／Ｏ３００を介して接地信号１０８を供給する。チップ１３２の集積回路２９８または入出力（Ｉ／Ｏ）回路３００などの各回路コンポーネントは、電力パッド２９０を介してＲＦ信号１１６Ｂを受け取り、接地パッド２９２を介して接地信号１０８を受け取る。別の例として、メモリコントローラチップ１１２に電力を提供するために、電源２８４は、電力パッド２９４およびＩ／Ｏ１４０を介してＲＦ信号１１６Ｂをメモリコントローラ３２０に供給し、メモリコントローラチップ１１２の接地パッド２９６およびＩ／Ｏ１４０を介して接地信号１０８をコントローラ３２０に供給する。メモリコントローラチップ１１２のコントローラ３２０またはＩ／Ｏ回路１４０などの各回路コンポーネントは、電力パッド２９４を介してＲＦ信号１１６Ｂを受け取り、接地パッド２９６を介して接地信号１０８を受け取る。

ある実施形態では、メモリチップ１３２は、メモリチップ１３２を含むチップパッケージの中に置かれる自身の電源を有する。他の実施形態では、メモリコントローラチップ１１２は、メモリコントローラチップ１１２を含むチップパッケージの中に置かれる自身の電源を有する。一実施形態では、メモリコントローラチップ１１２およびメモリチップ１３２を含むチップパッケージは、チップパッケージの中に置かれる自身の電源を有する。

Ｉ／Ｏ回路は、チップと、チップの外に置かれている回路コンポーネントとの間のインターフェイシングを可能にする。例えば、Ｉ／Ｏ回路３００は、通信線３０４を介しての集積回路２９８およびメモリチップ１３２の間の通信を容易にする。ある実施形態では、Ｉ／Ｏ回路はトライステートバッファを含む。

一実施形態では、Ｉ／Ｏ回路３００は、パッド３９６Ｂ、回路エレメント３０８およびパッド３１０を介して回路エレメント３０２と結合される。パッド３９６Ｂはメモリチップ１３２に取り付けられる。回路エレメントは、本願明細書において使用されるとき、１つ以上の抵抗器、１つ以上のインダクタ、および／または１つ以上のキャパシタを指す。ある実施形態では、回路エレメント同士は互いに直列に、互いに並列に、あるいはその組み合わせで、結合される。

同様に、Ｉ／Ｏ回路１４０は、パッド３１２、パッド１５２Ａおよび回路エレメント３１４を介して回路エレメント３０２と結合される。Ｉ／Ｏ回路１４０はメモリコントローラ３２０に結合される。メモリチップ１３２上にあるパッド３９６Ｂ上のポイント３９４Ｂは、メモリチップ１３２と、メモリコントローラチップ１１２などの別のチップとの間でのＲＦ信号の通信を容易にする。

オシロスコープ１９０は、パッド１５２Ａ上のポイント２９２Ｂおよびパッド１５２Ｂ上のポイント２９２Ｃと結合される。同様に、オシロスコープ１９０は、ポイント３９４Ｂおよびパッド３９６Ｃ上の別のポイント３９４Ｃと結合される。さらに、オシロスコープ１９０は、メモリコントローラチップ１１２の接続ポイント４１０および接続ポイント４２２と結合される。オシロスコープ１９０の、ポイント２９２Ｂおよび２９２Ｃとの接続は、ＲＦ信号１１６Ａおよび接地信号１０８のケルビンプローブ（調べ） (Kelvin probing) を容易にする。一実施形態では、ＲＦ信号１１６Ａは、メモリチップ１３２などの別のチップに伝達される。同様に、オシロスコープ１９０のポイント３９４Ｂおよび３９４Ｃとの接続は、ＲＦ信号７９６および接地信号１０８のケルビンプローブ（調べ）を容易にする。ＲＦ信号７９６は、メモリチップ１３２と、メモリコントローラチップ１１２などの別のチップとの間で伝達される。さらに、オシロスコープ１９０の接続ポイント４１０および４２２との接続は、ＲＦ信号１１６Ｃおよび接地信号１０８のケルビンプローブ（調べ）を容易にする。

このようなケルビンプローブ（調べ）は、回路エレメント３０８、３０２、および／または３１４による信号破壊を回避する。例えば、通信線３０４上の信号がオシロスコープ１９０で調べられるならば、Ｉ／Ｏ３００から出力された信号は回路エレメント３０８により破壊され得る。従って、そのような場合、オシロスコープ１９０は破壊された信号を表す波形を表示し、これは望ましくない。ある実施形態では調べ、感知、および測定は、本願明細書においては交換可能に用いられることに留意するべきである。

オシロスコープ１９０は、いろいろな信号を調べるためにいろいろなパッドと結合される複数のチャネルコネクタ１９２を受け入れる。例えば、チャネルコネクタ１９２ＣはＩ／Ｏ３００にまたはＩ／Ｏ３００から伝達されるＲＦ信号７９６および接地信号１０８を調べるためにパッド３９６Ｂおよび３９６Ｃと結合され、チャネルコネクタ１９２ＢはＩ／Ｏ１４０にまたはＩ／Ｏ１４０から伝達されるＲＦ信号１１６Ａおよび接地信号１０８を調べるためにポイント２９２Ｂおよび２９２Ｃと結合される。別の例として、チャネルコネクタ１９２ＡはＩ／Ｏ７９０にまたはＩ／Ｏ７９０から伝達されるＲＦ信号１１６Ｃを調べるために接続ポイント４１０と結合され、チャネルコネクタ１９２ＡはＩ／Ｏ７９０にまたはＩ／Ｏ７９０から伝達される接地信号１０８を調べるためにポイント４１０と結合される。ＲＦ信号１１６Ｃ、１１６Ｂ、またはＲＦ信号１１６Ａなどの調べられる信号を表す波形３５２は、オシロスコープ１９０のディスプレイスクリーン３５４上に提示される。

ある実施形態では、ＲＦ信号は接地信号１０８と関連して調べられるということに留意するべきである。例えば、後述するＲＦケーブルを介してオシロスコープ１９０に結合される同様に後述するＲＦコネクタは、ＲＦ信号と接地信号１０８とを同時に、ＲＦ信号を調べるために、受け取る。

図３Ａは、ＲＦ信号７９６、ＲＦ信号１１６Ａ、ＲＦ信号１１６Ｂ、およびＲＦ信号１１６Ｃを試験するための回路サブシステム１８７の実施形態の等角図である。回路サブシステム１８７の層１０２は可撓性の層の硬い層であり、これをさらに後述する。

複数の通信媒体３８２、３８４、および３８６が層１０２の下に置かれている。各通信媒体３８２、３８４、および３８６は、コントローラ１０４のプロセッサ（図１）とのＲＦ信号の通信を容易にする。層の通信媒体は、銅、銀、または金などの導電性金属から作られる導電体を含む。ある実施形態では、通信媒体はワイヤ、金属フィンガー、または金属導体トレースである。層の金属導体トレースの少なくとも一部分は層の中に埋め込まれる。種々の実施形態において、通信媒体は、ボールアレイまたはパッドアレイである。一実施形態では、通信媒体は、化学蒸着または原子層堆積などの堆積プロセスで層の上に置かれる。ある実施形態では、層の一部分はエッチング除去されて、そのエッチングされた部分の中に通信媒体を堆積させる。

種々の実施形態において、通信媒体は、ＲＦ信号の伝達を容易にするマイクロストリップ伝送線の一部分である。マイクロストリップ伝送線は、接地信号１０８を転送する接地通信媒体をも含む。伝送線は、高周波信号に対して例えば４５オームから５５オームに及ぶ一定のインピーダンスを有する。例えば、伝送線は５０オームのインピーダンスを有する。

通信媒体３８２はＲＦ信号１１６Ｂを伝導し、通信媒体３８４はＲＦ信号１１６Ｃを伝導し、通信媒体３８６は接地信号１０８を伝導する。種々の実施形態において、任意の数の通信媒体が層１０２の下に置かれる。

層１２０は、層１０２と層１０６との間に位置するように層１０２上に置かれる。一例として、層１２０は硬い層である。他の一例として、層１２０は可撓性である。一例として、層１０６は硬い層または可撓性である。一実施形態において、１つ以上のメモリ、１つ以上のメモリコントローラ、１つ以上のプロセッサ、１つ以上のＩ／Ｏ、および／または１つ以上のＲＦオシレータなどの種々の回路コンポーネントが層１２０上に置かれ、層１２０の１つ以上の通信媒体を介して互いに電気的に接続される。ある実施形態では、層１２０は回路コンポーネントを排除する。

層１０６は接地信号１０８と結合される。一実施形態では、層１０６は接地信号１０８を転送する複数の接地接続媒体１４２（以下で図４Ｃに示される）を含み、層１０６は接地信号１０８以外の他の信号を転送しない。種々の実施形態において、各接地通信媒体１４２Ａ、１４２Ｂ、１４２Ｃ、１４２Ｄ、１４２Ｅ、１４２Ｆ、１４２Ｇ、および１４２Ｈは、接地信号１０８を伝導する金属の層である。接地通信媒体１４２の各々は、接地通信媒体１４２の各々の少なくとも一部分が層１０６に埋め込まれるように層１０６の上に置かれる。ある実施形態では、接地通信媒体１４２の各々は堆積プロセスで置かれる。

層１１０は、層１０６の上に置かれ、メモリコントローラチップ１１２と結合される。層１１０は硬い層または可撓性である。硬い層の例は、基板あるいはプリント回路基板（ＰＣＢ）の基板を含む。可撓性の層の例は可撓性ケーブルを含む。メモリチップ１３２は層１１０の上に置かれ、層１１０に取り付けられる。ある実施形態では、チップはボールグリッドアレイまたは別の導体アレイを通して層に取り付けられる。他の実施形態では、チップは、層内に埋め込まれたパッドを介して、層に取り付けられる。

メモリコントローラチップ１１２はメモリチップ１３２の上に置かれてメモリチップ１３２に取り付けられる。ある実施形態では、メモリチップ１３２の上に置かれる代わりに、メモリコントローラチップ１１２はメモリチップ１３２の近くで層１１０の上に置かれる。これらの実施形態では、メモリコントローラチップ１１２は層１１０に取り付けられる。一実施形態では、コントローラで制御されるチップがメモリチップ１３２の代わりに使用される。

パッド１５２Ａ上のポイント２９２Ａは、メモリコントローラチップ１１２と別のチップとの間でのＲＦ信号１１６Ａの伝達を容易にする。パッド１５２Ａはメモリコントローラチップ１１２に取り付けられる。ある実施形態では、チップまたは層の表面へのパッドの取り付けは、パッドの材料を表面に堆積させる堆積プロセスにより行われる。ワイヤ１５４Ａがポイント２９２Ａと結合される。ワイヤ１５４Ａはさらにパッド２８３Ａと結合され、パッドは層１１０に取り付けられる。パッド２８３Ａは、通信媒体２９０Ａ、接続ポイント１４６、およびバイア１４４Ａを通して層１２０に結合される。ある実施形態では、接続ポイントはパッドである。

バイア１４４ＡはＲＦ信号１１６Ａを層１２０上の接続ポイントに伝達するために層１１０および１０６を通って延びる。ある実施形態では、バイア１４４Ａは層１２０内の１つ以上の通信媒体と結合され、１つ以上の通信媒体は、ＲＦ信号１１６Ａを伝達するために層１２０上に置かれている１つ以上の回路コンポーネントと結合される。

一実施形態では、バイア１４４Ａは層１２０内の１つ以上の通信媒体と結合され、１つ以上の通信媒体は１つ以上のバイアを通して通信媒体３８２、３８４、および３８６と結合される。
種々の実施形態において、バイア１４４Ａは、メモリコントローラチップ１１２が層１２０上に置かれたときにメモリコントローラチップ１１２に接続された通信媒体と結合される。バイア１４４Ａは、ＲＦ信号１１６Ａを伝導するために通信媒体と結合される。メモリコントローラチップ１１２が層１２０上に置かれたとき、メモリコントローラチップ１１２は層１２０および１０６の間に置かれる。

さらに、パッド１５２Ａ上のポイント２９２Ｂは、メモリコントローラチップ１１２とオシロスコープ１９０（図１）との間でのＲＦ信号の伝達を容易にする。ワイヤ１５４Ｂはポイント２９２Ｂと結合される。ワイヤ１５４Ｂはさらにパッド２８３Ｂと結合され、パッドは層１１０に取り付けられる。パッド２８３Ｂは通信媒体２９０Ｂを介して抵抗器１３８Ａと結合され、抵抗器はさらに通信媒体１３６Ａを介してＲＦコネクタ１７２Ｄと結合され、コネクタの少なくとも一部分は層１１０に埋め込まれる。一実施形態では、ＲＦコネクタの少なくとも一部分は、層の一部分をエッチングして部分の中にＲＦコネクタを置くことによって、層の中に埋め込まれる。同様に、ＲＦコネクタ１７２Ａ、１７２Ｂ、１７２Ｃ、１７２Ｅ、１７２Ｆ、１７２Ｇ、および１７２Ｈの各々の少なくとも一部分が層１１０内に埋め込まれる。

図４Ｄに示されている結合ＲＦコネクタ１８６Ｄは、ＲＦコネクタ１７２Ｄと結合される。図５に示されているＲＦコネクタ１７２Ｄのエッジ２９９Ｄは接地通信媒体１４２Ｃと結合される。さらに、結合ＲＦコネクタ１８６Ｄのエッジ２９５Ｄは、接地信号１０８をチャネルコネクタ１９２Ｂ（図１）に伝達するためにエッジ２９９Ｄと結合される。

同様に、ＲＦ結合コネクタ１８６Ａ、１８６Ｂ、１８６Ｃ、１８６Ｅ、１８６Ｆ、１８６Ｇ、および１８６Ｈの各々は、ＲＦコネクタ１７２Ａ、１７２Ｂ、１７２Ｃ、１７２Ｅ、１７２Ｆ、１７２Ｇ、および１７２Ｈのうちの対応する１つと結合される。任意の数のコネクタ１７２および任意の数のＲＦ結合コネクタ１７２が使用され得ることに留意するべきである。

結合ＲＦコネクタ１８６Ｄは、下で図５に示されているケーブル１８４Ｄを介してチャネルコネクタ１９２Ｂ（図１）と結合される。同様に、残りの結合ＲＦコネクタ１８６Ａ、１８６Ｂ、１８６Ｃ、１８６Ｅ、１８６Ｆ、１８６Ｇ、および１８６Ｈの各々は、それぞれのケーブル１８４Ａ、１８４Ｂ、１８４Ｃ、１８４Ｅ、１８４Ｆ、１８４Ｇ、および１８４Ｈを介してオシロスコープ１９０のそれぞれのチャネルコネクタに結合される。

ある実施形態では、ＲＦコネクタ１７２の各々の一部分を埋め込む代わりに、ＲＦコネクタ１７２は延長部のエッジ４０１と結合されるとともに対応する通信媒体１３６と結合され、ＲＦコネクタ１７２のエッジは対応する接地通信媒体１４２と結合される。

回路サブシステム１８７の延長部１２２は、層１０２の一部分、層１２０の一部分、層１０６の一部分、および層１１０の一部分を含む。回路サブシステム１８７の残りの部分１２４は、層１０２の残りの部分、層１２０の残りの部分、層１０６の残りの部分、および層１１０の残りの部分を含む。

一実施形態では、層１０６および１１０の部分１２４、メモリチップ１３２、およびメモリコントローラチップ１１２は、ＳＤカードまたはマイクロＳＤカードなどのメモリチップカードとして実装される。この実施形態では、延長部１２２および層１０６および１１０の部分１２４は層１０６および１１０の部分１２４に加えられる。例えば、層１０２および１２０の延長部１２２は層１０２および１２０の部分１２４にはんだ付けされる。

図３Ｂは、図３Ａの回路サブシステム１８７の部分６０２の実施形態の等角図である。ワイヤ６０２Ａはパッド１５２Ｂ上のポイント２９２Ｃと結合される。パッド１５２Ｂはメモリコントローラチップ１１２（図２Ａ）に取り付けられる。ワイヤ６０２Ａはさらにパッド６０４Ａと結合され、パッドは層１１０（図２Ａ）に取り付けられる。パッド６０４Ａは通信媒体６０６Ａと結合され、通信媒体は接続ポイント６０８Ａを介してバイア６１０Ａと結合される。バイア６１０Ａは層１１０（図２Ａ）を通って延びて接地通信媒体１４２Ｃ（図４Ｃ）と結合する。

さらに、ワイヤ６０２Ｂはパッド１５２Ｂ上のポイント２９２Ｄと結合される。ワイヤ６０２Ｂはさらにパッド６０４Ｂと結合され、パッドは層１１０（図２Ａ）に取り付けられる。パッド６０４Ｂは通信媒体６０６Ｂと結合され、通信媒体は接続ポイント６０８Ｂを通してバイア６１０Ｂと結合される。バイア６０１Ａは、層１１０および１０６を通って層１２０まで延びて、電源２８４（図１）からの接地信号１０８を受け取る通信媒体と結合する。

メモリコントローラチップ１１２が層１２０上に置かれる実施形態において、チップは、層１２０内に埋め込まれている通信媒体を介して電源２８４から接地信号１０８を受け取る。バイア６０１Ａは、層１２０内に埋め込まれている通信媒体と結合される。

ＲＦ信号１１６Ａおよび接地信号１０８を調べることによって差動信号が提供される。接地信号１０８は、接地パッド２９６（図１）からバイア６１０Ｂ、接続ポイント６０８Ｂ、通信媒体６０６Ｂ、パッド６０４Ｂ、ワイヤ６０２Ｂ、パッド１５２Ｂ、ワイヤ６０２Ａ、パッド６０４Ａ、通信媒体６０６Ａ、接続ポイント６０８Ａ、バイア６１０Ａ、接地通信媒体１４２Ｃ、ＲＦコネクタ１７２Ｄのエッジ２９９Ｄ、結合ＲＦコネクタ１８６Ｄのエッジ２９５Ｄ、およびケーブル１８４Ｄを通してチャネルコネクタ１９２Ｂ（図１）に伝達される。さらに、図３Ａを参照すると、ＲＦ信号１１６Ａは、層１２０からバイア１４４Ａ、接続ポイント１４６、通信媒体２９０Ａ、パッド２８３Ａ、ワイヤ１５４Ａ、パッド１５２Ａ、ワイヤ１５４Ｂ、パッド２８３Ｂ、通信媒体２９０Ｂ、抵抗器１３８Ａ、通信媒体１３６Ａ、ＲＦコネクタ１７２Ｄ、結合ＲＦコネクタ１８６Ｄ、およびケーブル１８４Ｄを通してチャネルコネクタ１９２Ｂ（図１）に伝達される。

バイア１５８は、層１０２、１２０、１０６、および１１０を通って延びて、層１１０の上にある接続ポイント１５６と結合する。接続ポイント１０２は、通信媒体４０４を介して、層１１０の上に位置する抵抗器１３８Ｂと結合される。抵抗器１３８Ｂは通信媒体１３６Ｂを介してＲＦコネクタ１７２Ｆと結合される。図４Ｄに示されている結合ＲＦコネクタ１８６ＦはＲＦコネクタ１７２Ｆと結合される。結合ＲＦコネクタ１８６Ｆは、ケーブル１８４Ｆを介してチャネルコネクタ１９２Ｄ（図１）と結合される。

別のバイア１６６は、層１０２、１２０、１０６、および１１０を通って延びて、層１１０の上にある接続ポイント４２２と結合する。接続ポイント４２２は、通信媒体４２０を介して、層１１０の上に位置する接続ポイント１６２と結合される。接続ポイント１６２は、バイア１６０を通して接地通信媒体１４２Ｆに結合される。図４Ｄに示されているＲＦコネクタ１７２ＦはＲＦコネクタ１７２Ｆのエッジ２９９Ｆ（図５）を介して接地通信媒体１４２Ｅと結合され、結合ＲＦコネクタ１８６Ｆはエッジ２９５Ｆを介してエッジ２９９Ｆと結合される。結合ＲＦコネクタ１８６Ｆは、ケーブル１８４Ｆを介してチャネルコネクタ１９２Ｄ（図１）と結合される。

さらに、バイア４０８は層１０２、１２０、１０６、および１１０を通って延びて接続ポイント４１０と結合する。接続ポイント４１０は通信媒体４１２と結合され、通信媒体は抵抗器１３８Ｃを介して別の通信媒体１３６Ｃに結合される。通信媒体１３６ＣはＲＦコネクタ１７２Ｅに結合され、ＲＦコネクタは、図５に示されている結合ＲＦコネクタ１８６Ｅと結合される。結合ＲＦコネクタ１８６Ｅは、ケーブル１８４Ｅを介して、図１に示されているチャネルコネクタ１９２Ａに結合される。さらに、ＲＦコネクタ１７２Ｅのエッジ２９９Ｅは層１１０を介して接地プレーン１４２Ｆに結合され、結合ＲＦコネクタ１８６Ｅのエッジ２９５Ｅはエッジ２９９Ｅと結合される。

一実施形態では、接続ポイント１５６、４１０、および４２２の数は通信媒体３８２、３８４、および３８６の数に等しい。ある実施形態では、通信媒体３８２、３８４、および３８６などの追加の通信媒体が層１０２の下に置かれ、接続ポイント１５６、４１０、および４２２などの数個の接続ポイントは層１０２の下の通信媒体に合わせられる。

ＲＦ信号１１６Ｃおよび接地信号１０８を受け取って調べることにより差動信号が提供される。接地信号１０８は、バイア１６６から接続ポイント４２２、通信媒体４２０、接続ポイント１６２、バイア１６０、接地通信媒体１４２Ｆ、ＲＦコネクタ１７２Ｅのエッジ２９９Ｅ、結合ＲＦコネクタ１８６Ｅのエッジ２９５Ｅ、およびケーブル１８４Ｅを通してチャネルコネクタ１９２Ａ（図１）に伝達される。同様に、ＲＦ信号１１６Ｃは、バイア４０８（図２Ａ）、接続ポイント４１０、通信媒体４１２、抵抗器１３８Ｃ、通信媒体１３６Ｃ、ＲＦコネクタ１７２Ｅ、ＲＦ結合コネクタ１８６Ｅ、ケーブル１８４Ｅからチャネルコネクタ１９２Ａ（図１）に伝達される。

さらに、ＲＦ信号１１６Ｂは、バイア１５８から接続ポイント１５６、通信媒体４０４、抵抗器１３８Ｂ、通信媒体１３６Ｂ、ＲＦコネクタ１７２Ｆ、結合ＲＦコネクタ１８６Ｆ、およびケーブル１８４Ｆを通してチャネルコネクタ１９２Ｄ（図１）に伝達される。

種々の実施形態において、ＲＦ信号１１６ＣはＲＦ信号１１６Ｂとは異なる。例えば、ＲＦ信号１１６Ｂが電力信号であるならば、ＲＦ信号１１６Ｃは制御信号またはデータ信号である。
ある実施形態では、どの２つの隣接する層の間にも誘電体層が置かれる。例えば、層１０２および１２０の間に誘電体が置かれ、別の誘電体層が層１２０および１０６の間に置かれ、さらに別の誘電体層が層１０６および１１０の間に置かれる。

一実施形態では、各抵抗器１３８Ａ、１３８Ｂ、１３８Ｃ、および１３８Ｄは、抵抗器を介してオシロスコープ１９０に伝達されるＲＦ信号の電圧を下げるための抵抗を有することに留意するべきである。例えば、どの抵抗器１３８も、３キロオームから７キロオームに及ぶ抵抗を有する。別の一例として、どの抵抗器１３８もキロオームの抵抗を有する。ポイント２９２Ｂ（図３Ａ）、接続ポイント１５６および接続ポイント４１０などの感知ポイントに負荷をかけすぎることを避けるために、複数の抵抗器１３８が各通信媒体１３６Ａ、１３６Ｂ、および１３６Ｃの端部に取り付けられる。抵抗器１３８の使用は、高インピーダンス接続を容易にし、同時にＲＦ信号１１６などの測定信号を減衰させる。

さらに、各通信媒体２９０Ａ（図３Ａ）、６０６Ａ、６０６Ｂ、および４２０（図３Ａ）は、対応する信号１１６Ａ、１０８、および１１６Ｃの高周波数部分を減衰させ得る寄生インダクタンスを有するトレースとして作用し、通常はその長さが短いということに留意するべきである。例えば、通信媒体２９０Ａ、６０６Ａ、および６０６Ｂの長さは通信媒体１３６Ａより短い。さらに、通信媒体４２０の長さは、通信媒体１３６Ｂおよび４０４（図２Ａ）の組み合わせより短く、かつ、通信媒体１３６Ｃおよび４１２（図２Ａ）の組み合わせより短い。

さらに、他の実施形態では、メモリコントローラチップ１１２を調べるのと同様の仕方で他のどんなチップも調べられ得るということに留意するべきである。例えば、メモリチップ１３２は、メモリコントローラチップ１１２のものと同様の仕方で調べられる。

さらに、前述した実施形態では層１０２、１２０、１０６、および１１０はある順序で配置されていると記述したけれども、ある実施形態では層１０２、１２０、１０６、および１１０は図３Ａに示されているのとは異なる順序で配置される。例えば、層１１０は層１０６より下に置かれる。さらに、層１０６は、層１０２の上に置かれる層１２０の上に置かれる。これらの実施形態では、バイア１５８、４０８、および１６６は層１１０、１２０、および１０２を通って延びる。さらに、バイア１４４Ａは層１１０を通って延びて層１２０と結合する。さらに、バイア６１０Ａおよび１６０は、前述した仕方で層１０６を通って延びて対応する接地通信媒体１４２と結合する。バイア６１０Ｂは、層１１０を通って延びて層１２０の通信媒体に結合する。

別の実施形態では、回路サブシステム１８７は層１０２および１２０を排除する。この実施形態では、メモリコントローラチップ１１２は、バイア１４４Ａおよび１つ以上の通信媒体を通して層１０６の回路コンポーネントと結合される。この実施形態では、層１０６は、接地信号１０８と、１つ以上の通信媒体を介して伝達されるＲＦ信号１１６Ａなどの他のＲＦ信号とを伝達する。

さらに別の実施形態では、層１０２および１２０が排除されること、ならびに、メモリコントローラチップ１１２と層１０６の回路コンポーネントとが結合されることに加えて、通信媒体３８２、３８４、および３８６は層１０６の下に置かれ、バイア１５８、４０８、および１６６は層１０６へ延びる。さらに、この実施形態では、前述したのと同様の仕方で信号を伝達するために通信媒体３８２、３８４、および３９６が使用される。

別の実施形態では、回路サブシステム１８７は層１０２および１２０を排除する。さらに、メモリコントローラチップ１１２および／またはメモリチップ１３２は層１１０と結合されない。さらに、通信媒体３８２、３８４、および３８６は層１０６の下に置かれ、バイア１５８、４０８、および１６６は層１０６へ延びる。

回路サブシステム１８７が層１０２および１２０を排除する実施形態では、延長部１２２は層１１０および１０６の部分を含み、部分１２４は層１１０および１０６の残りの部分を含む。
さらに別の実施形態では、回路サブシステム１８７は層１０２ならびにバイア１５８、４０８および１６６を排除する。
別の実施形態では、回路サブシステム１８７は層１０２を排除し、通信媒体３８２、３８４、および３８６は層１２０の下に置かれる。さらに、この実施形態では、バイア１５８、４０８、および１６６は層１２０へ延びる。
回路サブシステム１８７が層１０２を排除する実施形態では、延長部１２２は層１２０、１０６、および１１０の部分を含み、部分１２４は層１２０、１０６、および１１０の残りの部分を含む。

図４Ａは、層１０２の実施形態の下面図である。通信媒体３８２、３８４、および３８６が下面図に見られる。
図４Ｂは、層１２０の実施形態の平面図である。
図４Ｃは、層１０６の実施形態の平面図である。接地通信媒体１４２は、接地信号１０８を伝達するために層１０６の上に置かれている。
図４Ｄは、層１１０の実施形態の平面図である。図に示されているように、層１１０は、ＲＦ結合コネクタ１８６を受け入れるＲＦコネクタ１７２を収容している。

図５は、ＲＦコネクタ１７２、ＲＦ結合コネクタ１８６、およびケーブル１８４の実施形態の等角図である。各ＲＦコネクタは、接地信号１０８と結合されるエッジを含む。例えば、ＲＦコネクタ１７２Ａはエッジ２９９Ａを含み、ＲＦコネクタ１７２Ｂはエッジ２９９Ｂを含み、ＲＦコネクタ１７２Ｃはエッジ２９９Ｃを含み、ＲＦコネクタ１７２Ｄはエッジ２９９Ｄを含み、ＲＦコネクタ１７２Ｅはエッジ２９９Ｅを含み、ＲＦコネクタ１７２Ｆはエッジ２９９Ｆを含み、ＲＦコネクタ１７２Ｇはエッジ２９９Ｇを含み、ＲＦコネクタ１７２Ｈはエッジ２９９Ｈを含む。

各ＲＦ結合コネクタは、対応するＲＦコネクタのエッジと結合されているエッジを含む。例えば、ＲＦ結合コネクタ１８６Ａはエッジ２９９Ａと結合されているエッジ２９５Ａを含み、ＲＦ結合コネクタ１８６Ｂはエッジ２９９Ｂと結合されているエッジ２９５Ｂを含み、ＲＦ結合コネクタ１８６Ｃはエッジ２９９Ｃと結合されているエッジ２９５Ｃを含み、ＲＦ結合コネクタ１８６Ｄはエッジ２９９Ｄと結合されているエッジ２９５Ｄを含み、ＲＦ結合コネクタ１８６Ｅはエッジ２９９Ｅと結合されているエッジ２９５Ｅを含み、ＲＦ結合コネクタ１８６Ｆはエッジ２９９Ｆと結合されているエッジ２９５Ｆを含み、ＲＦ結合コネクタ１８６Ｇはエッジ２９９Ｇと結合されているエッジ２９５Ｇを含み、ＲＦ結合コネクタ１８６Ｈはエッジ２９９Ｈと結合されているエッジ２９５Ｈを含む。

前述した実施形態は、信号の測定のためのＩ／Ｏインターフェイスを有するどんなＳＩＭカード（加入者識別モジュールカード）にも適用され得ることに留意するべきである。

前述した発明は明確な理解を目的としてある程度詳しく記述されているけれども、添付されている特許請求の範囲内で一定の変更および改変を実施し得ることは明らかである。したがって、本願明細書に記載された実施形態は説明をするためのものであって限定をするためのものではないと見なされるべきであり、これら実施形態は、本願明細書に示されている詳細な事項に限定されるべきではなく、添付されている特許請求の範囲および同等物の中で改変され得る。

図３Ａは、ＲＦ信号７９６、ＲＦ信号１１６Ａ、ＲＦ信号１１６Ｂ、およびＲＦ信号１１６Ｃを試験するための回路サブシステム１８７の実施形態の等角図である。回路サブシステム１８７の層１０２は硬い層または可撓性の層であり、これをさらに後述する。

複数の通信媒体３８２、３８４、および３８６が層１０２の下に置かれている。各通信媒体３８２、３８４、および３８６は、コントローラ１０４のプロセッサ（図２）とのＲＦ信号の通信を容易にする。層の通信媒体は、銅、銀、または金などの導電性金属から作られる導電体を含む。ある実施形態では、通信媒体はワイヤ、金属フィンガー、または金属導体トレースである。層の金属導体トレースの少なくとも一部分は層の中に埋め込まれる。種々の実施形態において、通信媒体は、ボールアレイまたはパッドアレイである。一実施形態では、通信媒体は、化学蒸着または原子層堆積などの堆積プロセスで層の上に置かれる。ある実施形態では、層の一部分はエッチング除去されて、そのエッチングされた部分の中に通信媒体を堆積させる。

同様に、ＲＦ結合コネクタ１８６Ａ、１８６Ｂ、１８６Ｃ、１８６Ｅ、１８６Ｆ、１８６Ｇ、および１８６Ｈの各々は、ＲＦコネクタ１７２Ａ、１７２Ｂ、１７２Ｃ、１７２Ｅ、１７２Ｆ、１７２Ｇ、および１７２Ｈのうちの対応する１つと結合される。任意の数のコネクタ１７２および任意の数のＲＦ結合コネクタ１８６が使用され得ることに留意するべきである。

一実施形態では、層１０６および１１０の部分１２４、メモリチップ１３２、およびメモリコントローラチップ１１２は、ＳＤカードまたはマイクロＳＤカードなどのメモリチップカードとして実装される。この実施形態では、層１０６および１１０の延長部１２２は層１０６および１１０の部分１２４に加えられる。例えば、層１０６および１１０の延長部１２２は層１０６および１１０の部分１２４にはんだ付けされる。

ＲＦ信号１１６Ａおよび接地信号１０８を調べることによって差動信号が提供される。接地信号１０８は、接地パッド２９６（図２）からバイア６１０Ｂ、接続ポイント６０８Ｂ、通信媒体６０６Ｂ、パッド６０４Ｂ、ワイヤ６０２Ｂ、パッド１５２Ｂ、ワイヤ６０２Ａ、パッド６０４Ａ、通信媒体６０６Ａ、接続ポイント６０８Ａ、バイア６１０Ａ、接地通信媒体１４２Ｃ、ＲＦコネクタ１７２Ｄのエッジ２９９Ｄ、結合ＲＦコネクタ１８６Ｄのエッジ２９５Ｄ、およびケーブル１８４Ｄを通してチャネルコネクタ１９２Ｂ（図１）に伝達される。さらに、図３Ａを参照すると、ＲＦ信号１１６Ａは、層１２０からバイア１４４Ａ、接続ポイント１４６、通信媒体２９０Ａ、パッド２８３Ａ、ワイヤ１５４Ａ、パッド１５２Ａ、ワイヤ１５４Ｂ、パッド２８３Ｂ、通信媒体２９０Ｂ、抵抗器１３８Ａ、通信媒体１３６Ａ、ＲＦコネクタ１７２Ｄ、結合ＲＦコネクタ１８６Ｄ、およびケーブル１８４Ｄを通してチャネルコネクタ１９２Ｂ（図１）に伝達される。

バイア１５８は、層１０２、１２０、１０６、および１１０を通って延びて、層１１０の上にある接続ポイント１５６と結合する。接続ポイント１５６は、通信媒体４０４を介して、層１１０の上に位置する抵抗器１３８Ｂと結合される。抵抗器１３８Ｂは通信媒体１３６Ｂを介してＲＦコネクタ１７２Ｆと結合される。図４Ｄに示されている結合ＲＦコネクタ１８６ＦはＲＦコネクタ１７２Ｆと結合される。結合ＲＦコネクタ１８６Ｆは、ケーブル１８４Ｆを介してチャネルコネクタ１９２Ｄ（図１）と結合される。

ＲＦ信号１１６Ｃおよび接地信号１０８を受け取って調べることにより差動信号が提供される。接地信号１０８は、バイア１６６から接続ポイント４２２、通信媒体４２０、接続ポイント１６２、バイア１６０、接地通信媒体１４２Ｆ、ＲＦコネクタ１７２Ｅのエッジ２９９Ｅ、結合ＲＦコネクタ１８６Ｅのエッジ２９５Ｅ、およびケーブル１８４Ｅを通してチャネルコネクタ１９２Ａ（図１）に伝達される。同様に、ＲＦ信号１１６Ｃは、バイア４０８（図３Ａ）、接続ポイント４１０、通信媒体４１２、抵抗器１３８Ｃ、通信媒体１３６Ｃ、ＲＦコネクタ１７２Ｅ、ＲＦ結合コネクタ１８６Ｅ、ケーブル１８４Ｅからチャネルコネクタ１９２Ａ（図１）に伝達される。

Claims

チップを試験するための回路システムであって、
接地信号をそれぞれ伝達する複数の接地通信媒体と結合された第１の層と、
第１の集積回路チップと結合された第２の層と、を備え、
前記第２の層は複数の無線周波数（ＲＦ）通信媒体と結合され、前記ＲＦ通信媒体はＲＦ信号の伝達を容易にするためのものであり、前記第１の集積回路チップは前記ＲＦ信号のうちの１つおよび前記接地信号を介して第２の集積回路チップと通信し、第１の層および第２の層は前記ＲＦ信号および前記接地信号を調べるために使用される回路システム。
請求項１記載の回路システムにおいて、
前記第１の層は、前記第２の層の下にある回路システム。
請求項２記載の回路システムにおいて、
延長部は、前記第１の層の部分および前記第２の層の部分を含み、また複数のプリント回路基板、複数の基板、または複数の可撓性ケーブルを含む回路システム。
請求項１記載の回路システムにおいて、
前記第１の層は、前記第２の集積回路チップと結合される回路システム。
請求項１記載の回路システムにおいて、
前記第１の層は、ＲＦ信号を伝達するために使用される回路システム。
請求項１記載の回路システムにおいて、
前記第１の集積回路チップはメモリコントローラを含み、前記メモリコントローラはメモリチップの上に置かれ、前記メモリチップは前記第２の層の上に置かれる回路システム。
請求項１記載の回路システムにおいて、
前記ＲＦ通信媒体のうちの１つは抵抗器を介して前記第１の集積回路チップ上のパッドに結合され、前記パッドは前記第１の集積回路チップの入出力（Ｉ／Ｏ）インターフェイスと結合される回路システム。
請求項７記載の回路システムにおいて、
前記接地通信媒体のうちの１つはバイアを通して前記第２の層上の接続ポイントと結合され、前記接続ポイントは通信媒体、前記第２の層上のパッド、およびワイヤを通して前記チップ上のパッドに結合される回路システム。
請求項１記載の回路システムにおいて、
前記ＲＦ通信媒体のうちの１つは抵抗器を通して前記第２の層上のパッドに結合され、前記パッドは前記第２の層および前記第１の層の間のバイアを通して第３の集積回路チップに結合される回路システム。
請求項１記載の回路システムにおいて、
前記接地通信媒体のうちの１つは第１のバイアを通して前記第２の層上の接続ポイントに結合され、前記接続ポイントは前記第２の層上にある通信媒体と結合され、前記通信媒体は第２のバイアと結合され、前記第２のバイアは前記第２の層および前記第１の層の間に位置し、前記第２のバイアは第３の集積回路チップの接地接続と結合される回路システム。
請求項１記載の回路システムにおいて、
前記第２の層は複数のコネクタを含み、前記複数のコネクタは複数のケーブルを介してオシロスコープに結合される複数の結合コネクタを受け入れるように構成される回路システム。
請求項１記載の回路システムにおいて、
前記ＲＦ信号および接地信号は、オシロスコープで調べられる回路システム。
チップを試験するための回路システムであって、
第１の層と、
前記第１の層に関して配置された、複数の接地通信媒体と結合される第２の層と、
前記第２の層に関して配置された、チップと結合される第３の層と、を備え、
各接地通信媒体は、接地信号を伝達するためのものであり、
前記第３の層は複数の無線周波数（ＲＦ）通信媒体と結合され、前記ＲＦ通信媒体はＲＦ信号の伝達を容易にするためのものであり、前記第２の層および前記第３の層は前記ＲＦ信号および前記接地信号を調べるために使用される回路システム。
請求項１３記載の回路システムにおいて、
前記第２の層は、前記第１の層および前記第３の層の間にある回路システム。
請求項１４記載の回路システムにおいて、
延長部は、前記第１の層の部分、前記第２の層の部分、および前記第３の層の部分を含み、また複数のプリント回路基板、複数の基板、または複数の可撓性ケーブルを含む回路システム。
請求項１３記載の回路システムにおいて、
前記第１の層は、第２のチップと結合される回路システム。
請求項１３記載の回路システムにおいて、
前記第２の層は、接地信号だけを伝達するために使用される回路システム。
請求項１３記載の回路システムにおいて、
前記チップはメモリコントローラを含み、前記メモリコントローラはメモリチップの上に置かれ、前記メモリチップは前記第３の層の上に置かれる回路システム。
請求項１３記載の回路システムにおいて、
前記ＲＦ通信媒体のうちの１つは抵抗器を介して前記チップ上のパッドに結合され、前記パッドは前記チップの入出力（Ｉ／Ｏ）インターフェイスと結合される回路システム。
チップを試験するための回路システムであって、
第１の層と、
前記第１の層上の第２の層と、
接地信号をそれぞれ伝達するための複数の接地通信媒体と結合される第３の層と、
チップと結合される第４の層と、を備え、
前記第４の層は複数の無線周波数（ＲＦ）通信媒体と結合され、前記ＲＦ通信媒体はＲＦ信号の伝達を容易にするためのものであり、前記第３の層は前記第２の層の上にあり、前記第４の層は前記第３の層の上にあり、前記第３の層および前記第４の層は前記ＲＦ信号および前記接地信号を調べるために使用される回路システム。