JP2015501542A5 - - Google Patents

Claims (11)

1. 測定箇所（４０）において温度を検出するための熱電素子（１０）であって、第１の端部（２１）及び第１の接続端部（２２）を有する第１の導体（２０）と、第２の端部（３１）及び第２の接続端部（３２）を有する第２の導体（３０）とを備え、前記第１の導体（２０）の第１の端部（２１）と前記第２の導体（３０）の第２の端部（３１）とが前記測定箇所（４０）において電気的に互いに接触し、前記第１の導体（２０）の第１の接続端部（２２）と前記第２の導体（３０）の第２の接続端部（３２）とがそれぞれ接続ケーブル（２３、３３）と接続可能である、熱電素子（１０）において、
   前記第１の導体（２０）と前記第２の導体（３０）とが厚膜技術により基材（６０）上に配設され、前記第１の導体（２０）の第１の端部（２１）と前記第２の導体（３０）の第２の端部（３１）とが前記測定箇所（４０）において少なくとも部分的に重なり合い、前記第１の導体（２０）がプラスの接点を形成し、８０〜９５％のＮｉ、３〜２０％のＣｒ、０〜１％のＦｅ及び０〜１％のＳｉで構成されている合金で作られており、前記第２の導体（３０）がマイナスの接点を形成し、４０〜５８％のＣｕ、４０〜５０％のＮｉ、１〜５％のＭｎ及び１〜５％のＦｅで構成されている合金で作られており、前記基材（６０）上にヒータ（１１）が厚膜技術によって配設されることを特徴とする、熱電素子（１０）。
2. 前記基材（６０）と前記導体（２０、３０）との間に電気絶縁層（７０）が配置されることを特徴とする、請求項１に記載の熱電素子（１０）。
3. 前記導体（２０、３０）と前記絶縁層（７０）の上方に少なくとも部分的に被覆層（８０）が配設されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の熱電素子（１０）。
4. 前記基材（６０）が熱伝導性材料で作られていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱電素子（１０）。
5. 前記基材（６０）が支持要素であるか又は支持要素を形成することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の熱電素子（１０）。
6. 前記基材（６０）がホットランナノズル（９０）の一部であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の熱電素子（１０）。
7. 前記熱電素子（１０）の導体（２０、３０）及び抵抗回路（１３）が、機械的スロット（１４）又は溝（１５）によって互いに分離されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の熱電素子（１０）。
8. ヒータ及び請求項１〜７のいずれか一項に記載される熱電素子（１０）を備えたホットランナノズル（９０）。
9. 前記ヒータが抵抗回路（１３）を備えた厚膜ヒータ（１２）であり、前記熱電素子（１０）が前記抵抗回路（１３）の上方、前記抵抗回路（１３）の下方、又は前記抵抗回路（１３）と同じ平面上に配置されることを特徴とする、請求項８に記載のホットランナノズル。
10. 前記ヒータの抵抗回路（１３）と前記熱電素子（１０）との間に絶縁層（７０）が設けられることを特徴とする、請求項９に記載のホットランナノズル。
11. 前記ヒータの上方に被覆層（８０）が設けられることを特徴とする、請求項８〜１０のいずれか一項に記載のホットランナノズル。