JP2015233026A - 固体電解コンデンサ - Google Patents
固体電解コンデンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015233026A JP2015233026A JP2012229754A JP2012229754A JP2015233026A JP 2015233026 A JP2015233026 A JP 2015233026A JP 2012229754 A JP2012229754 A JP 2012229754A JP 2012229754 A JP2012229754 A JP 2012229754A JP 2015233026 A JP2015233026 A JP 2015233026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor element
- solid electrolytic
- circuit pattern
- electrolytic capacitor
- anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 189
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 71
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 71
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 21
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 8
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 9,10-dioxoanthracene-1-sulfonic acid Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=CC=C2S(=O)(=O)O JAJIPIAHCFBEPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003319 Araldite® Polymers 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 1
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N nickel silver Chemical compound [Ni].[Ag] MOFOBJHOKRNACT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010956 nickel silver Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/06—Mounting in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/008—Terminals
- H01G9/012—Terminals specially adapted for solid capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/08—Housing; Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/08—Housing; Encapsulation
- H01G9/10—Sealing, e.g. of lead-in wires
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
【課題】上蓋の熱変形および漏れ電流特性の悪化を防止できる固体電解コンデンサを提供する。【解決手段】本発明は、底壁31の外周縁部に周側壁32〜34が立設されたケース本体3と、そのケース本体3の上端開口部に取り付けられた上蓋4とを有する箱型ケース2の内部に、コンデンサ素子1が内蔵されている固体電解コンデンサを対象とする。底壁31の外面に、コンデンサ素子1の陽極リード11に導通している外部陽極回路パターン21bと、コンデンサ素子1の陰極部15に導通している外部陰極回路パターン25bとがそれぞれ形成されている。コンデンサ素子1の上面と上蓋4との間に充填された絶縁性接着剤5によって、コンデンサ素子1の上面の少なくとも一部が上蓋4に接続されている。【選択図】図3A
Description
この発明は、コンデンサ素子が箱型ケースによって封止されている固体電解コンデンサに関する。
従来、固体電解コンデンサとして、コンデンサ素子が合成樹脂のモールド成形により封止された樹脂モールド封止型の固体電解コンデンサや、コンデンサ素子が箱型ケースによって封止された箱封止型の固体電解コンデンサが周知である。
このうち、樹脂モールド成形ではない箱封止型の固体電解コンデンサは下記特許文献1,2に示すように、その箱型ケースが、底壁の周囲四辺に側壁(周側壁)が設けられたケース本体と、そのケース本体の上端開口部を閉塞する上蓋とを備え、ケース本体の内部にコンデンサ素子が内蔵されて上蓋で封口されている。また箱型ケースの底壁外面には、コンデンサ素子の陽極および陰極にそれぞれ電気接続された陽極回路パターンおよび陰極回路パターンが形成されている。
そして、この固体電解コンデンサは、パーソナルコンピュータ等の電子機器における電子回路基板に実装されて、電子回路部品として使用される。
しかしながら、上記従来の箱封止型の固体電解コンデンサにおいては、実装時に発生する高熱によって、上蓋が熱変形して凹んだり膨れ上がったりしてしまうという問題があった。さらにコンデンサ素子が高温になると熱応力によって誘電体が劣化して誘電体を通過する漏れ電流(LC:Leak Current)が増大し、極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)が生じるという問題があった。
この発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、上蓋の熱変形および極端な漏れ電流特性の悪化を少なくすることができる固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明は以下の構成を要旨とするものである。
[1]底壁の外周縁部に周側壁が立設されたケース本体と、そのケース本体の上端開口部に取り付けられた上蓋とを有する箱型ケースの内部に、コンデンサ素子が内蔵されている固体電解コンデンサにおいて、
前記底壁の外面に、前記コンデンサ素子の陽極に導通している外部陽極回路パターンと、前記コンデンサ素子の陰極部に導通している外部陰極回路パターンとがそれぞれ形成され、
前記コンデンサ素子の上面と前記上蓋との間に充填された絶縁性接着剤によって、前記コンデンサ素子の上面の少なくとも一部が前記上蓋に接続されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。
前記底壁の外面に、前記コンデンサ素子の陽極に導通している外部陽極回路パターンと、前記コンデンサ素子の陰極部に導通している外部陰極回路パターンとがそれぞれ形成され、
前記コンデンサ素子の上面と前記上蓋との間に充填された絶縁性接着剤によって、前記コンデンサ素子の上面の少なくとも一部が前記上蓋に接続されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。
[2]前記コンデンサ素子の上面の90%以上が前記絶縁性接着剤によって前記上蓋に接続されている前項1に記載の固体電解コンデンサ。
[3]前記絶縁性接着剤に、ジルコニア粉およびシリカ粉のうち少なくともいずれか一方の粉が配合されている前項1または2のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
[4]前記絶縁性接着剤に、前記粉が5〜20質量%配合されている前項3に記載の固体電解コンデンサ。
[5]前記コンデンサ素子は、タングステンを主成分とする陽極体とし、その陽極体に誘電体層、半導体層および電極層が順次積層されることによって形成されている前項1〜4のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
[6]前記絶縁性接着剤として、アクリル樹脂系接着剤またはエポキシ樹脂系接着剤が用いられている前項1〜5のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
[7]前記底壁の内面に、前記コンデンサ素子の陰極部に電気的かつ機械的に接続される内部陰極回路パターンが形成されるとともに、
前記底壁に、内部陰極回路パターンおよび外部陰極回路パターンを導通するためのスルーホールが形成され、
そのスルーホールにおける前記外部陰極回路パターン面内の総開口面積が、外部陰極回路パターンの面積に対し7%以下に設定されている前項1〜6のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
前記底壁に、内部陰極回路パターンおよび外部陰極回路パターンを導通するためのスルーホールが形成され、
そのスルーホールにおける前記外部陰極回路パターン面内の総開口面積が、外部陰極回路パターンの面積に対し7%以下に設定されている前項1〜6のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
[8]前記ケース本体の周側壁上端と、前記コンデンサ素子の上面との間に、コンデンサ素子の上面が低くなるように高低差が設けられ、
前記高低差が20μm〜200μmに設定されている前項1〜7のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
前記高低差が20μm〜200μmに設定されている前項1〜7のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
発明[1]の固体電解コンデンサによれば、コンデンサ素子の上面を絶縁性接着剤によって上蓋に接続固定しているため、上蓋が、コンデンサ素子およびケース本体に安定状態に支持される。このため、このコンデンサを電子回路基板に実装した際に、発生する高熱によっても、上蓋が凹んだり、膨れ上がったりするのを防止することができる。さらに本発明においては、コンデンサ素子および上蓋間に充填されている接着剤として絶縁性のものが用いられ、コンデンサ素子の漏れ電流特性が極端に悪化するのを有効に防止することができる。
発明[2]の固体電解コンデンサによれば、上記の効果をより確実に得ることができる。
発明[3][4]の固体電解コンデンサによれば、コンデンサ素子の漏れ電流特性の悪化をより確実に防止することができる。
発明[5]の固体電解コンデンサによれば、小さい容積でも容量を大きく確保できるため、高性能を維持しつつ小型化を図ることができる。
発明[6]の固体電解コンデンサによれば、コンデンサ素子の上面を上蓋に絶縁性接着剤によって、より一層確実に接続することができる。
発明[7]の固体電解コンデンサによれば、コンデンサの漏れ電流特性の悪化をより一層確実に防止することができる。
発明[8]の固体電解コンデンサによれば、コンデンサ素子の上面を上蓋に絶縁性接着剤によって、なお一層確実に接続することができる。
図1はこの発明の実施形態である固体電解コンデンサをその上蓋を外した状態で示す斜視図、図2は上蓋を取り除いた状態で示す平面図、図3Aは側面断面図、図3Bは上蓋を取り除いた状態で示す側面断面図である。
なお発明の理解を容易にするため、以下の説明においては、図3Aの紙面に向かって左側(左方)を「前側(前方)」とし、右側(右方)を「後側(後方)」とし、上側(上方)を「上側(上方)」とし、下側(下方)を「下側(下方)」として説明する。
これらの図に示すように、この固体電解コンデンサは、直方形の箱型ケース2と、このケース2内に収容された2つのコンデンサ素子1,1とを基本的な構成要素として備えている。
本実施形態において、コンデンサ素子1は、陽極として、金属粉を焼結した焼結体の内部における細孔表層を主として電荷保存場所としたものが用いられている。すなわち本実施形態のコンデンサ素子1は、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、タングステンのうち、少ないとも1つを主成分とする金属材料を陽極体として、誘電体層、半導体層、電極層が順次積層されることによって形成されている。これらの焼結体、誘電体層、半導体層、電極層は、例えば、従来公知の方法で形成することができる。
このコンデンサ素子1は、前端面から陽極としての線状または箔状の陽極リード11が引き出されている。この陽極リード11は、コンデンサ1を製造する際の焼結時に植立しておいたり、あるいは事後的に、溶接によって陽極体に接続するようにしている。陽極リード11は、一般に焼結体の厚みよりも薄くなっている。前端面と陽極リード11の焼結体に近い部分とには、誘電体層を挟んで半導体層が形成されている。さらに陽極リード11は、電極層に接触することがないように取り付けられている。
また本実施形態において、コンデンサ素子1における最外側に積層される電極層、つまり前端面を除く5つの面(上下面、両側面および後端面)が、陰極部15として機能するものである。
本実施形態において、陽極体としての金属材料は、単体に限られず、合金や他の元素との組成物であっても良い。さらに当該金属材料には、コンデンサとしての特性に影響しない範囲内おいて、合金や組成物を1種以上含んでいても良い。金属材料に含まれる合金としては、単体の一部が単体表層で合金化したものも含まれる。
本発明においては、陽極体としての焼結体の中でも、タングステンを主成分とする焼結体は、小さい容積であっても容量を大きく確保できるため、固体電解コンデンサ素子用の陽極体として用いるのが好ましい。
なお本実施形態においては、固体電解コンデンサ素子の陽極体として、金属粉を焼結した焼結体を用いるが、それだけに限られず、本発明においては、金属板や金属箔の表面をエッチングし、エッチング細孔表層を主として電荷保持場所とした陽極体を有するコンデンサ素子を用いることもできる。このコンデンサ素子は、金属板や金属箔の一部が陽極となり、該陽極に誘電体層を形成し、その誘電体層上に半導体層と電極層とが順次積層される。このタイプのコンデンサ素子は、一般に陽極体を複数枚積層して使用されるのが通例である。なお、これらの陽極体、誘電体層、半導体層、電極層も、上記と同様、従来公知の方法で形成することができる。
図4は実施形態の固体電解コンデンサにおける箱型ケース2のケース本体3を示す図、図5は箱型ケース2の上蓋4を示す図である。
図1〜図5に示すように、本実施形態の固体電解コンデンサにおける箱型ケース2は、凹状断面を有するケース本体3と、そのケース本体3の上端開口部に設けられる上蓋4とを備えている。
ケース本体3は、凹状の断面を有するものであって、平面視長方形状の底壁31と、底壁31の周囲四辺に立ち上がり状に設けられる前壁32、後壁33および両側壁34,34とを備えている。なお本実施形態においては、ケース本体3の底壁31を除く壁部32〜34を、周側壁と称する。
また周側壁32〜34の内側コーナー部は、必ずしも90°に調整する必要はなく、図1,2に示すように適当なアールが付いた丸みのあるコーナー部としても良い。
本発明において、ケース本体3の作製方法は限定されるものではないが、例えば底壁31を構成する平板状の底壁部材に、周側壁32〜34を構成する矩形枠状の周側壁部材を絶縁性接着剤で熱加圧して接続することによって作製することができる。この作製時において、底壁部材と周側壁部材との接続部分にガラスクロス等の耐熱性材料を挟み込んでおき、その耐熱性材料に接着剤を保持させることによって、接着剤のはみ出しを防止するようにしても良い。
また底壁部材および周側壁部材は、その素材として、エポキシ樹脂等を好適に採用することができ、例えばエポキシ部材を適宜加工することによって作製することができる。
さらに平板状の底壁部材における周囲四側面と、枠状の周側壁部材における内周四側面および外周四側面とには、毛羽立たないように加工を施しておくのが良い。
一方、上蓋4は、ケース本体3における上端の外周形状に対応して長方形の平板状に形成されており、ケース本体3の上端開口部を閉塞できるようになっている。
この上蓋4は、上記ケース本体3と同様、素材として、エポキシ樹脂等を好適に採用することができ、エポキシ部材を適宜加工することによって作製することができる。
さらに上蓋4においても、上記ケース本体3と同様、毛羽立たないように周囲四側面に加工を施しておくのが良い。
ケース本体3における底壁31の上面側(内面側)には、内部陽極回路パターン21aおよび内部陰極回路パターン25aが形成されている。
内部陽極回路パターン21aは、ケース本体3内に収容されるコンデンサ素子1,1の陽極リード11,11に対応する位置に、コンデンサ素子1,1の併設方向(巾方向)に連続して形成されている。さらに内部陰極回路パターン25aは、収容されるコンデンサ素子1,1の下面全域にほぼ対応する位置に形成されている。
またケース本体3における底壁31の下面(外面)には、外部陽極回路パターン21bおよび外部陰極回路パターン25bが形成されている。
外部陽極回路パターン21bは、底壁31の下面における前端部に巾方向に連続して形成されている。さらに外部陰極回路パターン25bは、底壁31の下面における後端部に巾方向に連続して形成されている。
各回路パターン21a,21b,25a,25bは、銅箔等の金属箔によって構成されており、その金属箔の表面にニッケル下地の錫メッキ等のメッキが施されている。
また内部陽極回路パターン21aと、外部陽極回路パターン21bとは、内周面に導電層が形成されたスルーホール(図示省略)を介して導通されている。さらに内部陰極回路パターン25aと、外部陰極回路パターン25bとは、同様なスルーホール(図示省略)を介して導通されている。スルーホールは陰陽極の内外部回路パターンの間にそれぞれ最低1つあればよいが、複数あってもよい。
各スルーホールは、エポキシ樹脂等のケース本体3を構成する樹脂等が充填されることによって閉塞されている。さらにその閉塞部分には、必要に応じてメッキが施されている。
本実施形態においては、陰極回路パターン25a,25bに形成されるスルーホールにおける外部陰極回路パターン25b面内の総開口面積を、外部陰極回路パターン25bの面積に対し、7%以下、好ましくは5%以下、より好ましくは3%以下に設定しておくのが好ましい。同様に陽極回路パターン21a,21bに形成されるスルーホールにおける外部陽極回路パターン21b面内の総開口面積を、外部陽極回路パターン21bの面積に対し、7%以下、好ましくは5%以下、より好ましくは3%以下に設定しておくのが好ましい。すなわちこの構成を採用する場合には、高熱伝導の経路を小さくしておくことにより実装時にコンデンサ素子1に加わる熱応力を緩和させることができる。
なお実施形態において、スルーホールの閉塞部分にメッキを施す場合、そのメッキと、上記回路パターン21a,21b,25a,25bに施されるメッキとは、導電性の点から金属種を同様に調整するとともに、外観検査の観点から色を同様に調整しておくのが好ましい。
さらに本実施形態においては、外部陽極回路パターン21bと、外部陰極回路パターン25bとは、同一形状かつ同一面積に形成するのが好ましい。
本実施形態においては、ケース本体3内に2個のコンデンサ素子1,1が並列配置に収容される。この際、コンデンサ素子1,1の下面側に配置される陰極部15,15が、ケース本体3における底壁31の内部陰極回路パターン25aに導電性接着剤26(図3A,3B参照)を介して電気的および機械的に接続される。
さらに各コンデンサ素子1,1の陽極リード11,11が、ケース本体3における底壁31の内部陽極回路パターン21aに抵抗溶接処理によって電気的および機械的に接続される。
この場合、陽極リード11,11と、内部陽極回路パターン21aとの隙間には、金属材22が介在されている。この金属材22としては、導電性を備える必要があり、好ましくは抵抗溶接が容易な銅合金、例えば洋白(ニッケルシルバー)を用いるのが良い。金属材22の内部陽極回路パターン21aへの電気的および機械的接続には銀ペーストなどの導電性接着剤を用いてもよい。
なお、陽極リード11と内部陽極回路パターン21aとの間に隙間がない場合、あるいはその隙間が非常に小さい場合には、陽極リード11を内部陽極回路パターン21aに抵抗溶接等によって直接接続するようにしても良い。
ここで図3Bに示すように、本実施形態においては、ケース本体3に固定されたコンデンサ素子1の上面と、ケース本体3における周側壁32〜34の上端面との間に、コンデンサ素子1の上面側が僅かに低くなるように高低差Sが設けられ、周側壁32〜34の内側におけるコンデンサ素子1の上面と、装着予定の上蓋4の下面(閉塞面)との間に、接着剤充填用隙間30が形成されている。
この接着剤充填用隙間30を形成するには、例えばコンデンサ素子1の厚さ(コンデンサ素子1をケース本体3に固定した状態においてコンデンサ素子1の垂直方向の寸法)を、ケース本体3の周側壁32〜34の高さ(底壁31の上面から周側壁32〜34の上端面までの寸法)に対し、小さくなるように形成しておく。すなわち、コンデンサ素子1における誘電体の厚さ、半導体層の厚さ、電極層の厚さ、内部陰極回路パターン25aに塗布する導電性接着剤の硬化後の厚さ等を考慮しつつ各厚さを適宜調整することによって、コンデンサ素子1の上面が、ケース本体3における周側壁32〜34の上端面に対し低くなるように調整する。
本実施形態においては、周側壁32〜34の上端面とコンデンサ素子1の上面との高低差Sを20μm〜200μmに、好ましくは25μm〜180μmに、より好ましくは30μm〜150μmに調整するのが好ましい。箱型ケース内に封止されるコンデンサ素子を大きくすることができる点から高低差Sは小さい方が好ましい。ただし、コンデンサ素子や箱型ケースの寸法精度に幅があるため、高低差Sが生じる余地を持たせておくことが好ましい。すなわち前記範囲内に調整することによって、後述するように、コンデンサ素子1の上面を上蓋4に接着剤5によって確実に接続固定することができる。
なおコンデンサ素子1として、上記したように陽極体が金属板や金属箔によって構成されるものを用いる場合には、各層の個別の厚さ、各積層体の厚さを考慮して、上記の高低差Sを形成し、接着剤充填用隙間30を形成するようにすれば良い。
こうしてケース本体3内にコンデンサ素子1を固定した後、ケース本体3の上端開口部を閉塞するように上蓋4が取り付けられる。この場合、上蓋4の下面側(内面側)における周縁部と、ケース本体3における周側壁32〜34の上端面とが接着剤で接着されることに加えて、コンデンサ素子1,1の陰極部15の上面と上蓋4の内面(裏面)との間にも接着剤5が充填されて、コンデンサ素子1,1の上面と上蓋4の内面とが接着剤5を介して接着固定されている。
この接着剤5の付着方法としては、例えば上蓋4をケース本体3に取り付ける前に、予め上蓋4の裏面側の所要領域に接着剤5を塗布しておき、その接着剤付きの上蓋4をケース本体3の上端開口部に取り付けるようにしたり、あるいは、ケース本体3に収容されたコンデンサ素子1の上面と、ケース本体3の周側壁32〜34の上端面とに接着剤5を塗布しておいて、そのケース本体3の上端開口部に上蓋4を取り付けるようにしたりしても良い。言うまでもなく、本発明において、接着剤5の付着方法は限定されるものではなく、どのような方法で接着剤5を付着するようにしても良い。要は、コンデンサ素子1の上面と上蓋4との間に接着剤5が充填されるようにすれば良い。
本実施形態においては、接着剤5の熱伝導性が特に高いものでなければコンデンサ素子に対する熱応力を抑えることができ、好ましいと考えられる。コンデンサ製造では銀などの金属粉を導電性が得られる量以上に配合させた金属粉ペーストなどの導電性接着剤が一般的に用いられているが、このような導電性接着剤は熱伝導性が高すぎることがある。本実施形態において接着剤5としては、前記導電性接着剤は避け、絶縁性接着剤、特に、アクリル樹脂系の接着剤またはエポキシ樹脂系の接着剤を好適に使用することができる。一般には106Ω/m以上のものが絶縁体と分類される。
さらに本実施形態において、接着剤5は、接着成分(接着用樹脂)以外に必要に応じて溶媒が混合されてもよい。また本実施形態においては、さらに、熱伝導性の高くないフィラー、例えば、ジルコニアやシリカを代表とする酸化物微粉を配合すると好ましいと考えられる。より好ましくは、前記フィラーの熱伝導性は25℃において10W/(m・K)以下である。
本実施形態において、接着剤5は、コンデンサ素子1の上面の少なくとも一部に塗布されていれば良いが、好ましくは、コンデンサ素子1の上面全域に塗布し、その上面全域を上蓋4に接着するのが良い。具体的には、コンデンサ素子1の上面における90%以上の領域を接着剤5によって上蓋4に接続するのが好ましい。すなわち、コンデンサ素子1の上蓋4に対する接着面積が多くなる程、上蓋4を安定状態に取り付けることができ、後述する上蓋4の熱変形をより確実に防止することができる。
さらに、接着剤5は、箱型ケース2内に収まる限り、コンデンサ素子1の上面をはみ出してもよい。ただし、陽極リードへの応力を避けるため、陽極リード(特に、陽極体への付け根部分)の周りに空隙が残るようにすることが好ましい。
なおコンデンサ素子1として、陽極体が金属板や金属箔によって構成されたものを用いる場合には、コンデンサ素子1の上面における陰極部の一部、あるいは陰極部の全域を接着剤5によって上蓋4に接着するようにしても良い。
こうしてコンデンサ素子1を内蔵した本実施形態の箱封止型(チップ状)の固体電解コンデンサが作製される。
本実施形態の箱封止型の固体電解コンデンサによれば、コンデンサ素子1の上面に対し、上蓋4を接着剤5を介して接着固定してるため、上蓋4のほぼ全域が、コンデンサ素子1およびケース本体3に安定状態に支持される。このため、この固体電解コンデンサを電子回路基板に実装した際に、上蓋4に対し高熱が作用したとしても、上蓋4が凹んだり、膨れ上がったりするような不具合を確実に防止することができる。
さらに本実施形態においては、接着剤5として前述の絶縁性のものを用い、実装時にコンデンサ素子にかかる熱応力の影響を抑えることができるため、コンデンサ素子1の漏れ電流が極端に増大するようなことがなく、漏れ電流特性の悪化を防止でき、コンデンサとして高い性能を得ることできると考えられる。
なお上記実施形態においては、箱型ケース2内に、コンデンサ素子1が2個並列に内蔵された固体電解コンデンサを例に挙げて説明したが、それだけに限られず、本発明は、箱型ケース2内にコンデンサ素子が1個だけ、または3個以上内蔵された固体電解コンデンサにも適用することができる。また本発明において、陽極体が焼結体によって構成されるコンデンサ素子を複数個内蔵させる場合には、上記実施形態のように並列に配置しておくのが好ましい。
また本発明においては、既述したように陽極体が金属板や金属箔によって構成されたコンデンサ素子を用いることができるとともに、このコンデンサ素子と、陽極体が焼結体によって構成された上記実施形態のようなコンデンサ素子1とを併用することも可能である。
以下、本発明に関連した実施例、および本発明の要旨を逸脱する比較例について詳細に説明する。
<実施例1>
図1〜図5に示す実施形態の箱封止型の固体電解コンデンサと同様に箱封止型の固体電解コンデンサを作製した。すなわちケース本体3の底壁31を作製するための底壁部材として、長さ7.3mm、幅4.3mm、厚さ0.3mmのガラスエポキシ基板を準備した。そのガラスエポキシ基板の上面には図4(a)に示すように、3.5mm×4.7mmの内部陰極回路パターン25aを形成した。なおこの3.5mmは巾方向(コンデンサ素子1の並列方向)の寸法に相当し、4.7mmは前後方向の寸法に相当する。
図1〜図5に示す実施形態の箱封止型の固体電解コンデンサと同様に箱封止型の固体電解コンデンサを作製した。すなわちケース本体3の底壁31を作製するための底壁部材として、長さ7.3mm、幅4.3mm、厚さ0.3mmのガラスエポキシ基板を準備した。そのガラスエポキシ基板の上面には図4(a)に示すように、3.5mm×4.7mmの内部陰極回路パターン25aを形成した。なおこの3.5mmは巾方向(コンデンサ素子1の並列方向)の寸法に相当し、4.7mmは前後方向の寸法に相当する。
さらにガラスエポキシ基板の上面に、上記内部陰極回路パターン25aに対し前方へ1.0mmの間隔を空けて3.5mm×0.6mmの内部陽極回路パターン21aを形成した。なおこの3.5mmは巾方向(コンデンサ素子1の並列方向)の寸法に相当し、0.6mmは前後方向の寸法に相当する。
さらに底壁部材としての基板の下面には、図4(c)に示すように、底壁部材の下面の前部に、3.4mm×1.3mmの外部陽極回路パターン21bを形成するとともに、後部に同じ大きさの外部陰極回路パターン25bを形成した。なおこの3.4mmは巾方向(コンデンサ素子1の並列方向)の寸法に相当し、1.3mmは前後方向の寸法にそれぞれ相当する。
各回路パターン21a,21b,25a,25bは、底壁部材としてのガラスエポキシ基板に貼られた銅箔からなり表面にニッケル下地の錫メッキが施されている。また底壁部材としての基板上下の陽極回路パターン21a,21b同士と、陰極回路パターン25a,25b同士は、基板上下の回路パターンの重なり合う範囲の中心のそれぞれ1か所に形成されたφ0.4mmのスルーホールで導通している。このスルーホールは、エポキシ樹脂によって底壁部材としての基板と表面が同一になるように塞がれている。また、スルーホールの両端面には、各回路パターン21a,21b,25a,25bと同様なメッキが施されている。
なお、この実施例1において、外部陰極回路パターン25bの面積に対し、スルーホールにおける外部陰極回路パターン25b面内の総開口面積の比率(%)は、2.8%となっている。
またケース本体3の周側壁32〜34を作製するための周側壁部材として、長さ7.3mm、幅4.3mm、厚さ1.2mmのガラスエポキシ部材を、その四方(幅方向0.5mm、長手方向0.4mm)を残して内部を切削削除した矩形枠状ないし矩形環状の部材を準備した。この周側壁部材としての枠状部材を、上記底壁部材としての基板の上面に方向を揃えて配置し、絶縁性接着剤を用いて熱加圧して接合し、断面凹状の箱(ケース本体3)を作製した(図4(b)参照)。このケース本体3における底壁31の上面から周側壁32〜34の上端面までの距離(周壁高さ)Hは、接着剤の厚みを加味して1.58〜1.65mmであった。
一方、体積平均粒径0.6μm(0.1μm〜15μm)の市販のタングステン粉に体積平均粒径1μm(0.3μm〜3.4μm)の市販の珪素粉を0.3質量%混合した粉を10−2Paの真空下1420℃で30分処理した。さらにこの粉を室温に戻し塊状物を解砕して体積平均粒径96μm(26μm〜180μm)の造粒粉を作製した。この造粒粉を0.29mmφのタンタル線(陽極リード11)を植立させて成形した後、10−2Paの真空下1530℃で20分間焼結して、大きさが1.0mm×1.5mm×4.45mmの直方形状の焼結体を2000個準備した。なおこの焼結体は、1.0mm×1.5mm面中央に前記タンタル線が内部に0.37mm埋設され、外部に0.6mm引き出されるように植立されて陽極リード11として構成されている。
次いで、この焼結体を陽極体として、3質量%の過硫酸カリウム水溶液中で45℃、10V、6時間化成した後にアルコール洗浄して速やかに空気中190℃で30分高温処理した後、室温に戻すことにより陽極体とリード線の一部に誘電体層を形成して、誘電体を作製した。
さらにこの誘電体の誘電体層上に従来公知の方法でポリエチレンジオキシチオフェンにアントラキノンスルホン酸をドープした導電性高分子の半導体層、カーボン層、銀層を順次積層してタングステン固体電解コンデンサ素子1を作製した。なお、陽極リード線11が稙立している焼結体の1.0mm×1.5mmの面(前面)と、陽極リード線11とにはカーボン層と銀層は形成していない。
こうして作製したコンデンサ素子1の陽極リード11における先端の一部を切断除去して所定寸法にしたものを2個用意し、焼結体寸法で1.5mm×4.45mmの面(下面)を、上記したケース本体3の内部における内部陰極回路パターン25a上に該素子2個水平並列に配置し銀ペースト(導電性接着剤26)で接続硬化させると共に、各陽極リード11を内部陽極回路パターン21a上に、陽極リード線11に対し水平面内で直交して配置した0.45mmφの洋箔白線(金属材22)を介して抵抗溶接で接続固定した。同様にしてケース本体3の内部に、コンデンサ素子1が2個並列に回路パターン21a,25aに接続された状態の上蓋未装着のコンデンサを計100個作製した。なお、内部陰極回路パターン25a上に接続したコンデンサ素子1の高さ(底壁内面からコンデンサ素子1の上面までの高さ寸法)は、1.21mm〜1.25mmであった。
最後に、上蓋4として、大きさが7.3mm×4.3mm、厚さが0.3mmのガラスエポキシ部材を準備し、その上蓋4の下面(裏面)全域に接着剤5を付着させ、上蓋4をケース本体3の上部に重ねて接着すると同時に、上蓋4をコンデンサ素子1の上面で構成される陰極部15に接続させて、接着剤5を養生硬化した。この接着剤5としては、ジルコニア粉(関東化学製)を10質量%配合したアクリル樹脂系接着剤(Aldrich製Poly(methyl methacrylate)粉(M.W.60,000)を6質量%酢酸ブチルに溶解させた)を使用した。
こうして作製したチップ状(箱封止型)の固体電解コンデンサを105℃で2時間エージングし、LCを安定化させた後に、別途用意した試験用実装基板に半田クリームで仮接続し、最高温度260℃で時間5秒の温度パターンのリフロー炉を通過させて実装した。
そして実装後のチップ状の固体電解コンデンサを目視で観察したところ、コンデンサの上面(上蓋4)のへこみや膨れは認められなかった。また、実装による極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)も無かった。
<実施例2>
コンデンサ素子1を内蔵したケース本体3に上蓋4を接続するための接着剤5として、ジルコニア粉の代わりにシリカ粉(関東化学製NanoTek<登録商標>)を15質量%配合し、アクリル樹脂系接着剤の代わりにエポキシ樹脂系接着剤アラルダイト(昭和高分子製)を使用した以外は、上記実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを作製した。
コンデンサ素子1を内蔵したケース本体3に上蓋4を接続するための接着剤5として、ジルコニア粉の代わりにシリカ粉(関東化学製NanoTek<登録商標>)を15質量%配合し、アクリル樹脂系接着剤の代わりにエポキシ樹脂系接着剤アラルダイト(昭和高分子製)を使用した以外は、上記実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを作製した。
そして、このコンデンサに対し、上記実施例1と同様にリフロー炉を通過させて実装した。さらに実装後のコンデンサを目視で観察したところ、上面(上蓋4)のへこみや膨れは認められなかった。また、実装による極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)は無かった。
<実施例3>
スルーホールの大きさを0.6mmφにした以外は実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを100個作製し、実装試験を行った。その結果、100個のコンデンサ全てで上面のへこみや膨れが観察されなかったが、実装による極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)が6個測定された。
スルーホールの大きさを0.6mmφにした以外は実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを100個作製し、実装試験を行った。その結果、100個のコンデンサ全てで上面のへこみや膨れが観察されなかったが、実装による極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)が6個測定された。
なお、この実施例3において、外部陰極回路パターン25bの面積に対し、スルーホールにおける外部陰極回路パターン25b面内の総開口面積の比率(%)は、6.4%となっている。
<実施例4>
コンデンサ素子1を内蔵したケース本体3に上蓋4を接続するための接着剤として、ジルコニア粉を配合しなかったアクリル樹脂系接着剤を用いた以外は、上記実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを100個作製し、上記と同様に実装試験を行った。その結果、100個のコンデンサ全てにおいて上面(上蓋4)のへこみや膨れが観察されなかったが、実装による極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)が1個測定された。
コンデンサ素子1を内蔵したケース本体3に上蓋4を接続するための接着剤として、ジルコニア粉を配合しなかったアクリル樹脂系接着剤を用いた以外は、上記実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを100個作製し、上記と同様に実装試験を行った。その結果、100個のコンデンサ全てにおいて上面(上蓋4)のへこみや膨れが観察されなかったが、実装による極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)が1個測定された。
<比較例1>
コンデンサ素子1を内蔵したケース本体3に上蓋4を接続するときに、コンデンサ素子1の上面に対応する位置に接着剤5を付着させなかった以外は、上記実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを100個作製し、上記と同様に実装試験を行った。その結果、100個中74個のコンデンサで上面(上蓋4)のへこみや膨れが観察された。また、実装による極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)は無かった。
コンデンサ素子1を内蔵したケース本体3に上蓋4を接続するときに、コンデンサ素子1の上面に対応する位置に接着剤5を付着させなかった以外は、上記実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを100個作製し、上記と同様に実装試験を行った。その結果、100個中74個のコンデンサで上面(上蓋4)のへこみや膨れが観察された。また、実装による極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)は無かった。
<比較例2>
コンデンサ素子1を内蔵したケース本体3に上蓋4を接続するための接着剤として、ジルコニア粉の代わりに体積平均粒径1.5μmの銀粉を70質量%配合した導電性アクリル樹脂系接着剤を用いた以外は、上記実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを100個作製し、上記と同様に実装試験を行った。その結果、100個のコンデンサ全てにおいて上面(上蓋4)のへこみや膨れが観察されなかったが、実装による極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)が24個測定された。
コンデンサ素子1を内蔵したケース本体3に上蓋4を接続するための接着剤として、ジルコニア粉の代わりに体積平均粒径1.5μmの銀粉を70質量%配合した導電性アクリル樹脂系接着剤を用いた以外は、上記実施例1と同様にしてチップ状固体電解コンデンサを100個作製し、上記と同様に実装試験を行った。その結果、100個のコンデンサ全てにおいて上面(上蓋4)のへこみや膨れが観察されなかったが、実装による極端なLC特性の悪化(ショート品の発生)が24個測定された。
<評価>
以上の結果から明らかなように、本発明に関連した実施例1〜4のコンデンサは、良好な評価が得られた。特に外部陰極回路パターン25bの面積に対して、外部陰極回路パターン25b面内のスルーホールの総開口面積が7%以下の実施例1,2のコンデンサは、上蓋4の熱変形や、極端なLC特性の悪化が一切認められず、コンデンサとして最適な評価が得られた。なお、実施例3,4のコンデンサは、LC特性の悪化が僅かに認められたものの、まずまずの評価が得られた。
以上の結果から明らかなように、本発明に関連した実施例1〜4のコンデンサは、良好な評価が得られた。特に外部陰極回路パターン25bの面積に対して、外部陰極回路パターン25b面内のスルーホールの総開口面積が7%以下の実施例1,2のコンデンサは、上蓋4の熱変形や、極端なLC特性の悪化が一切認められず、コンデンサとして最適な評価が得られた。なお、実施例3,4のコンデンサは、LC特性の悪化が僅かに認められたものの、まずまずの評価が得られた。
これに対し、本発明の要旨を逸脱する比較例1,2のコンデンサは、上蓋4の熱変形、またはLC特性の悪化が多く認められ、高評価を得ることはできなかった。
この発明の固体電解コンデンサは、パーソナルコンピュータ等の電子機器における電子回路基板に実装される電子部品として利用可能である。
1:コンデンサ素子
11:陽極リード(陽極)
15:陰極部
2:箱型ケース
21a:内部陽極回路パターン
21b:外部陽極回路パターン
25a:内部陰極回路パターン
25b:外部陰極回路パターン
3:ケース本体
31:底壁
32:前壁(周側壁)
33:後壁(周側壁)
34:側壁(周側壁)
4:上蓋
5:接着剤
S:高低差
H:底壁31の上面から周側壁32〜34の上端面までの寸法
11:陽極リード(陽極)
15:陰極部
2:箱型ケース
21a:内部陽極回路パターン
21b:外部陽極回路パターン
25a:内部陰極回路パターン
25b:外部陰極回路パターン
3:ケース本体
31:底壁
32:前壁(周側壁)
33:後壁(周側壁)
34:側壁(周側壁)
4:上蓋
5:接着剤
S:高低差
H:底壁31の上面から周側壁32〜34の上端面までの寸法
Claims (8)
- 底壁の外周縁部に周側壁が立設されたケース本体と、そのケース本体の上端開口部に取り付けられた上蓋とを有する箱型ケースの内部に、コンデンサ素子が内蔵されている固体電解コンデンサにおいて、
前記底壁の外面に、前記コンデンサ素子の陽極に導通している外部陽極回路パターンと、前記コンデンサ素子の陰極部に導通している外部陰極回路パターンとがそれぞれ形成され、
前記コンデンサ素子の上面と前記上蓋との間に充填された絶縁性接着剤によって、前記コンデンサ素子の上面の少なくとも一部が前記上蓋に接続されていることを特徴とする固体電解コンデンサ。 - 前記コンデンサ素子の上面の90%以上が前記絶縁性接着剤によって前記上蓋に接続されている請求項1に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記絶縁性接着剤に、ジルコニア粉およびシリカ粉のうち少なくともいずれか一方の粉が配合されている請求項1または2のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記絶縁性接着剤に、前記粉が5〜20質量%配合されている請求項3に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記コンデンサ素子は、タングステンを主成分とする陽極体とし、その陽極体に誘電体層、半導体層および電極層が順次積層されることによって形成されている請求項1〜4のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記絶縁性接着剤として、アクリル樹脂系接着剤またはエポキシ樹脂系接着剤が用いられている請求項1〜5のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
- 前記底壁の内面に、前記コンデンサ素子の陰極部に電気的かつ機械的に接続される内部陰極回路パターンが形成されるとともに、
前記底壁に、内部陰極回路パターンおよび外部陰極回路パターンを導通するためのスルーホールが形成され、
そのスルーホールにおける前記外部陰極回路パターン面内の総開口面積が、外部陰極回路パターンの面積に対し7%以下に設定されている請求項1〜6のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。 - 前記ケース本体の周側壁上端と、前記コンデンサ素子の上面との間に、コンデンサ素子の上面が低くなるように高低差が設けられ、
前記高低差が20μm〜200μmに設定されている請求項1〜7のいずれか1項に記載の固体電解コンデンサ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012229754A JP2015233026A (ja) | 2012-10-17 | 2012-10-17 | 固体電解コンデンサ |
PCT/JP2013/077957 WO2014061658A1 (ja) | 2012-10-17 | 2013-10-15 | 固体電解コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012229754A JP2015233026A (ja) | 2012-10-17 | 2012-10-17 | 固体電解コンデンサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015233026A true JP2015233026A (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=50488219
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012229754A Pending JP2015233026A (ja) | 2012-10-17 | 2012-10-17 | 固体電解コンデンサ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015233026A (ja) |
WO (1) | WO2014061658A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019079981A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 株式会社トーキン | 固体電解コンデンサ、アダプタ、及び固体電解コンデンサの製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4274857B2 (ja) * | 2002-07-26 | 2009-06-10 | 三洋電機株式会社 | 電解コンデンサの製造方法 |
JP4879845B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-02-22 | Necトーキン株式会社 | 表面実装型コンデンサ及びその製造方法 |
JP5587076B2 (ja) * | 2010-07-20 | 2014-09-10 | Necトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ |
US9767964B2 (en) * | 2011-04-07 | 2017-09-19 | Avx Corporation | Multi-anode solid electrolytic capacitor assembly |
-
2012
- 2012-10-17 JP JP2012229754A patent/JP2015233026A/ja active Pending
-
2013
- 2013-10-15 WO PCT/JP2013/077957 patent/WO2014061658A1/ja active Application Filing
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019079981A (ja) * | 2017-10-26 | 2019-05-23 | 株式会社トーキン | 固体電解コンデンサ、アダプタ、及び固体電解コンデンサの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2014061658A1 (ja) | 2014-04-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6722479B2 (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
US8896984B2 (en) | Solid electrolytic capacitor | |
KR20070064680A (ko) | 고체 전해 컨덴서 및 그 제조 방법 | |
JPH0997753A (ja) | 安全ヒューズ付き面実装型固体電解コンデンサの構造 | |
JP5671663B1 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP6705641B2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP2006190929A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP5671664B1 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその陽極リード接続方法並びに固体電解コンデンサの製造方法 | |
WO2014061658A1 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
US20140043730A1 (en) | Tantalum capacitor and method of preparing the same | |
US9330852B2 (en) | Tantalum capacitor and method of manufacturing the same | |
JP2007013043A (ja) | 電子素子搭載用電極アセンブリ及びこれを用いた電子部品、並びに固体電解コンデンサ | |
JP5941080B2 (ja) | タンタルキャパシタ及びその製造方法 | |
JP4879845B2 (ja) | 表面実装型コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2006190925A (ja) | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 | |
JP2005210024A (ja) | コンデンサ | |
JP5201684B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
KR20150049920A (ko) | 탄탈륨 캐패시터 및 그 제조 방법 | |
KR102319603B1 (ko) | 전자 부품 | |
JP5898927B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサ | |
JP2012124240A (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP4735251B2 (ja) | 固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
JP2011159659A (ja) | 固体電解コンデンサ | |
JP5326032B1 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
CN110447085A (zh) | 固体电解电容器及其制造方法 |