JP2015220390A - 回路基板の製造方法、回路基板および電子部品実装基板 - Google Patents

Abstract

【課題】大電流の通電が可能でかつ小型化された回路基板を生産性良く製造することが可能な回路基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、第１の端子と、前記第１の端子よりも大きな電流が流れる第２の端子と、絶縁部とを備えた回路層を有する回路基板を製造する方法であって、前記絶縁部の一部としての第１の部位と、前記第１の端子とを有し、孔部が設けられたプリント基板を用意する工程と、前記プリント基板の前記孔部に、前記第２の端子となるべき金属片を挿入する工程と、前記孔部内の前記金属片の周りに第１の高絶縁性組成物を付与する工程と、前記第１の高絶縁性組成物を硬化させ、前記絶縁部の一部としての第２の部位を形成し、回路層を得る工程とを有し、前記第２の部位は、前記第１の部位よりも絶縁性の高い領域であることを特徴とする。
【選択図】なし

Description

本発明は、回路基板の製造方法、回路基板および電子部品実装基板に関するものである。

プリント基板の回路厚さを厚くすることにより、大電流への対応を可能とした基板（いわゆる、大電流基板）が知られている。

このような大電流基板では、大電流（例えば、２０Ａ以上の電流）を通電することを想定しているため、リークを確実に防止するために、従来においては、大電流の通電部（端子）間の間隔を十分に大きくする必要があった（例えば、１０ｍｍ以上の間隔）。

また、上記のような大電流を通電するプリント基板においても、一般に、マイコン等の耐電圧性の低い電子部品が接続され、小さな電流しか通電しない通電部（端子）も有している。

このようなことから、従来においては、大電流基板では小型画が困難であるという問題があった。

また、このような大電流基板を製造する方法としては、例えば、特許文献１に示された方法が挙げられる。

しかしながら、このような方法では、ノンフロー樹脂板、硬化済みの樹脂板、プリプレグ等を多数積層し、所定の隙間に金属片を配置した上で加熱加圧して製造する必要があったため、操作が煩雑で、大電流基板（回路基板）の生産性が低いという問題があった。

特開２０１０−２１８７９７号公報

本発明の目的は、大電流の通電が可能でかつ小型化された回路基板を生産性良く製造することが可能な回路基板の製造方法を提供すること、また、大電流の通電が可能でかつ小型化された回路基板・電子部品実装基板を提供することにある。

このような目的は、下記（１）〜（１６）の本発明により達成される。
（１） 第１の端子と、前記第１の端子よりも大きな電流が流れる第２の端子と、絶縁部とを備えた回路層を有する回路基板を製造する方法であって、
前記絶縁部の一部としての第１の部位と、前記第１の端子とを有し、孔部が設けられた基板を用意する基板用意工程と、
前記基板の前記孔部に、前記第２の端子となるべき金属片を挿入する金属片挿入工程と、
前記孔部内の前記金属片の周りに第１の高絶縁性組成物を付与する第１の高絶縁性組成物付与工程と、
前記第１の高絶縁性組成物を硬化させ、前記絶縁部の一部としての第２の部位を形成し、回路層を得る第１の硬化工程とを有し、
前記第２の部位は、前記第１の部位よりも絶縁性の高い領域であることを特徴とする回路基板の製造方法。

（２） 前記第１の硬化工程の後に、
第２の高絶縁性組成物を介して、支持基板と前記回路層とを接触させる第２の高絶縁性組成物付与工程と、
前記第２の高絶縁性組成物を硬化させ、高絶縁性材料層を形成する第２の硬化工程とを有する上記（１）に記載の回路基板の製造方法。

（３） 前記支持基板は、金属材料で構成されたものである上記（１）または（２）に記載の回路基板の製造方法。

（４） 前記金属片挿入工程は、仮固定部材に仮固定された状態の前記金属片を前記孔部に挿入し、前記仮固定部材と前記基板とを接触させることにより行う上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。

（５） 前記金属片挿入工程において、前記基板の一方の面の全体を、前記仮固定部材と密着させる上記（４）に記載の回路基板の製造方法。

（６） 前記仮固定部材は、前記金属片と接触する側の表面が粘着性を有する材料で構成されたものである上記（４）または（５）に記載の回路基板の製造方法。

（７） 前記粘着性を有する材料は、硬化反応により、被着体との接合強度が低下する材料である上記（６）に記載の回路基板の製造方法。

（８） 前記仮固定部材は、シート状をなすものである上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。

（９） 前記金属片挿入工程は、前記金属片が前記第１の部位に接触しないように、前記金属片を固定することにより行う上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。

（１０） 前記第１の端子は、マイコンが接続されるものである上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。

（１１） 前記第２の端子は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよび／または電界効果トランジスタが接続されるものである上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。

（１２） 前記第１の高絶縁性組成物は、フェノール樹脂と、
エポキシ樹脂と、
平均粒子径が２μｍ以上３００μｍ以下の無機充填剤と、
平均粒子径が０．１μｍ以上９．０μｍ以下の無機充填剤とを含むものである上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。

（１３） 隣り合う前記第１の端子と前記第２の端子との間隔が、０．０５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下でである上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。

（１４） 前記回路基板を平面視した際の前記第２の部位の幅は、１０μｍ以上５ｍｍ未満である上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の回路基板の製造方法。

（１５） 上記（１）ないし（１４）のいずれかに記載の方法を用いて製造されたことを特徴とする回路基板。

（１６） 上記（１５）に記載の回路基板が有する前記第１の端子および前記第２の端子に、それぞれ、電子部品が実装されたことを特徴とする電子部品実装基板。

本発明によれば、大電流の通電が可能でかつ小型化された回路基板を生産性良く製造することが可能な回路基板の製造方法を提供することができる。また、大電流の通電が可能でかつ小型化された回路基板・電子部品実装基板を提供することができる。

本発明の回路基板の製造方法の好適な実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の回路基板の製造方法の好適な実施形態を模式的に示す断面図である。 本発明の電子部品実装基板の好適な実施形態を模式的に示す断面図である。

以下、本発明の回路基板の製造方法、回路基板および電子部品実装基板を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。

≪回路基板の製造方法≫
まず、本発明の回路基板の製造方法について説明する。

図１、図２は、本発明の回路基板の製造方法の好適な実施形態を模式的に示す断面図である。

なお、本明細書で参照する図面は、構成の一部を誇張して示したものであり、実際の寸法比率等を正確に反映したものではない。

図１、図２に示すように、本実施形態の製造方法は、絶縁部としての第１の部位２３１と第１の端子２１とを有し、孔部５が設けられた基板（プリント基板）１０’を用意する基板用意工程（プリント基板用意工程）（１ａ）と、プリント基板１０’の孔部５に金属片２２’を挿入する金属片挿入工程（１ｂ）と、孔部５内の金属片２２’の周囲に高絶縁性組成物（第１の高絶縁性組成物）２３２’を付与する第１の高絶縁性組成物付与工程（１ｃ）と、高絶縁性組成物２３２’を硬化させ、第２の部位２３２を形成し、回路層２を得る第１の硬化工程（１ｄ）と、高絶縁性組成物（第２の高絶縁性組成物）３’を介して、支持基板１と回路層２とを接触させる第２の高絶縁性組成物付与工程（１ｅ）と、高絶縁性組成物（第２の高絶縁性組成物）３’を硬化させ、高絶縁性材料層３を形成する第２の硬化工程（１ｆ）とを有している。

これにより、第１の端子２１と、第１の端子２１よりも大きな電流が流れる第２の端子２２と、絶縁部としての第１の部位と、第２の端子２２の周りに設けられ、第１の部位２３１よりも絶縁性の高い第２の部位２３２とを有している回路基板１０を効率よく得ることができる。このような構成の回路基板１０は、大電流が通電する端子を備えながらも、端子間の距離を短くした場合であっても、リーク等の問題の発生を確実に防止することができる。このため、大電流の通電が可能でかつ小型化された回路基板を提供することができる。また、回路基板に通常用いられている絶縁材料よりも高い絶縁性を有する特殊な絶縁性材料を用いて絶縁部を形成した場合、一般に、回路基板の製造コストが上昇するが、本発明では、第２の端子の周りに選択的に高絶縁性領域（第２の部位）を設け、他の部位（第１の部位）を当該高絶縁性領域よりも絶縁性の低い材料で構成されたものとするため、回路基板全体の製造コストの上昇を抑制しつつ、前記のような効果を得ることができる。

＜基板用意工程（プリント基板用意工程）＞
まず、絶縁部としての第１の部位２３１と第１の端子２１とを有し、孔部５が設けられたプリント基板１０’を用意する（１ａ）。

プリント基板１０’は、いかなる方法で製造されたものであってもよく、例えば、公知の方法で製造されたものを用いることができる。

第１の部位２３１は、絶縁部であり、少なくともプリント基板１０’の内部に存在する第１の端子２１の外周を取り囲むように設けられている。

そして、第１の部位２３１は、後に詳述する第２の部位２３２よりも絶縁性の低い部位である。

このような第１の部位２３１を有することにより、リーク等の問題の発生を確実に防止しつつ、回路基板１０の製造コストの上昇を効果的に抑制することができる。

第１の部位２３１の２５℃における体積抵抗率は、１×１０^６Ω・ｃｍ以上１×１０^１４Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０^７Ω・ｃｍ以上１×１０^１２Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。

これにより、リーク等の問題の発生を十分に防止しつつ、回路基板１０の製造コストのさらなる低減を図ることができる。また、端子間の距離をさらに短くすることができ、回路基板１０のさらなる小型化を図る上で有利である。

なお、体積抵抗率は、二重リング電極法（ＪＩＳ Ｋ６９１１）に準じた測定により求めることができる。

第１の部位２３１は、第２の部位２３２との間で、特定の絶縁性の大小関係を満足するものであればよく、その構成材料は、特に限定されないが、例えば、ＦＲ４やＦＲ５などのガラス繊維を含む硬化物が挙げられる。ＵＬ／ＡＮＳＩタイプＦＲ４は、主となる樹脂としてエポキシ樹脂を使用し、ガラス繊維、無機フィラーを含む硬化物である。無機フィラーを除き、エポキシ樹脂は硬化物全体の５０質量％以上含有し、無機フィラーを使用する場合は、無機フィラーの層含有量は硬化物全体の４５質量％となっている。また、ＦＲ４以外に、エポキシ樹脂を主成分として、フェノール樹脂、酸無水物、アミン系硬化物のいずれかを含む樹脂成分と、ガラスクロスと、平均粒子径が２μｍ以上３００μｍ以下の無機充填剤と、平均粒子径が０．１μｍ以上９．０μｍ以下の無機充填剤とを含む材料で構成されたものであるのが好ましい。
これにより、回路基板全体の機械的強度を高くすることができる。

第１の端子２１は、半田等のろう材によって第１の電子部品４Ａが接続（ろう接）される端子である。

第１の端子２１は、第２の端子２２よりも小さな電流が流れるものである。
電子部品実装基板１００とした状態における、第１の端子２１を流れる電流の最大値は、例えば、１ｍＡ以上１０Ａ以下である。

このように、第１の端子２１は比較的小さい電流が流れるものであり、多層化等の観点から、第１の端子２１の厚さは、比較的薄いものであるのが好ましい。

より具体的には、第１の端子２１の厚さは、特に限定されないが、１０μｍ以上１００μｍ以下であるのが好ましく、１８μｍ以上８０μｍ以下であるのがより好ましい。
これにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。

第１の端子２１の構成材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌやこれらから選択される少なくとも１種を含む合金等が挙げられる。

孔部５は、後の工程で、金属片２２’が挿入され、高絶縁性組成物（第１の高絶縁性組成物）２３２’が付与され、第２の端子２２、第２の部位２３２が形成されるべき部位である。

プリント基板１０’の厚さは、特に限定されないが、０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であるのが好ましく、１ｍｍ以上３ｍｍ以下であるのがより好ましい。

＜金属片挿入工程＞
次に、プリント基板１０’の孔部５に、第２の端子２２となるべき金属片２２’を挿入する（１ｂ）。

金属片２２’の構成材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｌやこれらから選択される少なくとも１種を含む合金等が挙げられる。

金属片２２’は、単独で、孔部５に挿入してもよいが、図示の構成では、仮固定部材６に仮固定された状態の金属片２２’を孔部５に挿入し、仮固定部材６とプリント基板１０’とが接触するようにしている。

これにより、金属片２２’の位置合わせが容易となり、回路基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。特に、複数個の金属片２２’を用いる場合に、このような効果は、より顕著に発揮される。

特に、図示の構成では、プリント基板１０’の一方の面の全体が、仮固定部材６と密着するように仮固定している。

これにより、不本意な位置ずれが発生することをより効果的に防止することができ、回路基板１０の歩留まり向上、製造される回路基板１０の信頼性向上の観点等から有利である。

仮固定部材６としては、例えば、金属片２２’と接触する側の表面が粘着性を有する材料で構成されたものを好適に用いることができる。

これにより、本工程においては、金属片２２’の挿入、位置合わせを好適に行うことができるとともに、後の工程で容易に仮固定部材６を除去することができる。

前記粘着性を有する材料としては、各種粘着剤を用いることができるが、硬化反応により、被着体との接合強度が低下する材料（例えば、粘着性を失う材料）を好適に用いることができる。
これにより、回路基板１０の生産性をさらに優れたものとすることができる。

また、仮固定部材６としては、後に詳述する高絶縁性組成物３’と同様の組成物を用いることができる。

これにより、前述したような仮固定部材６としての機能を十分に発揮することができるとともに、仮固定部材６を除去する工程を省略することができる。したがって、回路基板・電子部品実装基板の生産性を特に優れたものとすることができる。

また、図示の構成では、仮固定部材６は、シート状をなすものである。
これにより、仮固定部材６の取り扱い性（取扱いのし易さ）が向上し、回路基板１０の生産性をさらに優れたものとすることができる。

図示の構成では、金属片２２’が第１の部位２３１に接触しないように、孔部５に金属片２２’を固定することにより、本工程を行っている。

これにより、第２の端子２２の外周（全周）を取り囲むように設けられたものとして、第２の部位２３２を好適に形成することができる。その結果、リーク等の問題の発生をより確実に防止することができる。また、端子間の距離をさらに短くすることができるため、回路基板１０のさらなる小型化を図る上で有利である。また、第２の端子２２に通電する電流のさらなる大電流化を図ることができる。

＜第１の高絶縁性組成物付与工程＞
次に、孔部５内の金属片２２’の周囲に、第１の高絶縁性組成物２３２’を付与する（１ｃ）。

第１の高絶縁性組成物２３２’の付与方法は、特に限定されず、例えば、スクリーン印刷法やインクジェット法等の各種印刷方法を用いることができる。

第１の高絶縁性組成物２３２’としては、例えば、硬化性樹脂を含むものを用いることができる。

硬化性樹脂としては、いかなるものを用いてもよいが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等を好適に用いることができる。

第１の高絶縁性組成物２３２’がエポキシ樹脂を含むものである場合、当該エポキシ樹脂は、芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有するものであることが好ましい。

このようなエポキシ樹脂を使用することで、第２の部位２３２の耐熱性、信頼性を特に優れたものとすることができる。

芳香環あるいは脂肪環構造を有するエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。

また、耐熱性のさらなる向上、絶縁破壊電圧の向上等の観点から、エポキシ樹脂としては、ナフタレン型エポキシ樹脂が特に好ましい。ここで、ナフタレン型エポキシ樹脂とは、ナフタレン環骨格を有し、かつ、グリシジル基を２つ以上有するものをいう。

ナフタレン型エポキシ樹脂としては、例えば、以下の下記式（５）で表されるもの、下記式（６）で表されるもの、下記式（７）で表されるもの、下記式（８）で表されるもの等を用いることができる。なお、下記式（６）において、ｍ、ｎはナフタレン環上の置換基の個数を示し、それぞれ独立して１以上７以下の整数を示している。また、下記式（７）においては、Ｍｅはメチル基を示し、ｌ、ｍ、ｎは１以上の整数である。ただし、ｌ、ｍ、ｎは１０以下であることが好ましい。

なお、上記式（６）の化合物の中でも、特に、下記式（６−１）、下記式（６−２）、下記式（６−３）で表されるものが好ましい。

また、ナフタレン型エポキシ樹脂としては、以下の下記式（８）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂も使用できる。

（上記式（８）式において、ｎは１以上２０以下の整数であり、ｌは１以上２以下の整数であり、Ｒ_１はそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基または下記式（９）で表される構造であり、Ｒ_２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基である。）

（上記式（９）式において、Ａｒはそれぞれ独立にフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ_２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基であり、ｍは１または２の整数である。）

上記式（８）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂の中でも特に好ましいものとしては、例えば、下記式（１０）で表されるものが挙げられる。

（上記式（１０）式において、ｎは１以上２０以下の整数であり、好ましくは１以上１０以下の整数であり、より好ましくは１以上３以下の整数である。Ｒはそれぞれ独立に水素原子または下記式（１１）で表される構造であり、好ましくは水素原子である。）

（上記式（１１）式において、ｍは１または２の整数である。）

上記式（１０）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂の中でも特に好ましいものとしては、例えば、下記式（１２）、下記式（１３）、下記式（１４）、下記式（１５）、下記式（１６）で表されるものが挙げられる。

第１の高絶縁性組成物２３２’中におけるエポキシ樹脂のエポキシ数に対する、フェノール樹脂、酸無水物またはアミン系硬化剤の官能基数の当量比は、特に限定されないが、０．３以上１．５以下であるのが好ましく、０．５以上１．２以下であるのがより好ましい。

これにより、得られる高絶縁材料がより緻密な架橋構造を有するものとなり、高絶縁材料の耐熱性、耐湿性が特に優れたものとなる。

また、フェノール樹脂としては、ノボラック型、レゾール型のもの等を用いることができるが、ノボラック樹脂が好ましい。

これにより、得られる高絶縁材料の耐熱性が特に優れたものとなり、硬化時の体積収縮率がより小さく、製造安定性が特に優れたものとなる。

また、フェノール樹脂の融点は、８０℃以上１００℃以下であるのが好ましく、８５℃以上９５℃以下であるのがより好ましい。

また、第１の高絶縁性組成物２３２’は、硬化剤を含むものであってもよい。
これにより、後に詳述する硬化工程（第１の硬化工程）において、硬化反応をより速やかに進行させることができ、回路基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。また、硬化反応を好適に進行させることができるため、回路基板１０の耐熱性、機械的強度等をより確実に優れたものとすることができる。

硬化剤（硬化触媒）としては、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等の有機金属塩；ジシアンジアミド、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシリレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジエチルジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソフォロンジアミン、ノルボルネンジアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等のアミン系硬化剤；２−フェニル−イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール系硬化剤；トリフェニルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）エタン等の有機リン化合物；フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物；酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸や、これらの誘導体等（酸無水物等）が挙げられる。硬化剤として、これらの中のから選択される１種類を単独で用いることもできるし、これらの中から２種類以上を併用したりすることもできる。

これらの中でも、接着性に優れ、かつ比較的低温で反応し、耐熱性が優れた硬化物が得られる点で、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤が好ましい。

第１の高絶縁性組成物２３２’中における硬化触媒の含有量は、特に限定されないが、第１の高絶縁性組成物２３２’の全固形分１００質量部に対し、例えば、０．０５質量部以上３．０質量部以下であるのが好ましい。

また、第１の高絶縁性組成物２３２’は、前述したようなフェノール樹脂、エポキシ樹脂に加え、平均粒子径が２μｍ以上３００μｍ以下の無機充填剤（第１の無機充填剤）と、平均粒子径が０．１μｍ以上９．０μｍ以下の無機充填剤（第２の無機充填剤）とを含むものであるのが好ましい。

これにより、回路基板１０の生産コストの上昇をより効果的に抑制しつつ、第２の部位２３２の絶縁性を特に高いものとすることができる。

ここで無機充填剤としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、シリカ、溶融シリカ等の酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等の無機充填剤等が挙げられる。第２の電子部品４Ｂから発生した熱が他の電子部品に悪影響を及ぼすことをより確実に防止するため、シリカのような熱伝導率が低い無機充填剤を好適に用いることができる。

本発明において、平均粒子径とは、特に断りのない限り、体積基準の平均粒子径のことを指す。

また、粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−７０００を用いて、水中にアルミナを１分間超音波処理することにより分散させ、測定することができる。

第１の無機充填剤の平均粒子径は、２μｍ以上３００μｍ以下であるのが好ましいが、３μｍ以上１００μｍ以下であるのがより好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であるのがさらに好ましい。
これにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。

第２の無機充填剤の平均粒子径は、０．１μｍ以上９．０μｍ以下であるのが好ましいが、１μｍ以上８．０μｍ以下であるのがより好ましく、３．０μｍ以上５μｍ以下であるのがさらに好ましい。
これにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。

第１の高絶縁性組成物２３２’中における第１の無機充填剤の含有率は、特に限定されないが、１０質量％以上９０質量％以下であるのが好ましく、３０質量％以上８５質量％以下であるのがより好ましい。

これにより、第１の部位２３１を低線膨張化することができ、第２の部位２３２の線膨張率の差異により発生する応力をより効果的に緩和することができる。

第１の高絶縁性組成物２３２’中における第２の無機充填剤の含有率は、特に限定されないが、５質量％以上９０質量％以下であるのが好ましく、３０質量％以上８５質量％以下であるのがより好ましい。

これにより、第１の部位２３１を低線膨張化することができ、第２の部位２３２の線膨張率の差異により発生する応力をより効果的に緩和することができる。また、回路基板の製造における、孔部５へ付与が容易となる。

さらに、第１の高絶縁性組成物２３２’は、カップリング剤を含んでもよい。
カップリング剤を含むことより、例えば、第１の高絶縁性組成物２３２’がエポキシ樹脂とシリカ（第１のシリカおよび第２のシリカ）とを含むものである場合にシリカに対するエポキシ樹脂の濡れ性を向上させることができ、第１の高絶縁性組成物２３２’を用いて形成される第２の部位２３２の機械的強度等を特に優れたものとすることができる。

カップリング剤としては、例えば、カップリング剤として知られている各種材料を用いることができるが、具体的には、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、シリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。

カップリング剤の添加量は、特に限定されないが、シリカ：１００質量部に対して、０．０５質量部以上３質量部以下であるのが好ましく、０．１質量部以上２質量部以下であるのがより好ましい。これにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。

また、第１の高絶縁性組成物２３２’は、酸化防止剤、レベリング剤等の各種添加剤を含むものであってもよい。

また、第１の高絶縁性組成物２３２’は、揮発成分（溶媒成分）を含むものであってもよいが、揮発成分を含むものである場合、第１の高絶縁性組成物２３２’中における揮発成分の含有率は、１．０質量％以下であるのが好ましく、０．５質量％以下であるのがより好ましい。

これにより、後の工程で、揮発成分を除去する処理を省略または簡略化することができ、回路基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。

第１の高絶縁性組成物２３２’は、２５℃における粘度（動的粘弾性測定装置を用いた測定により求められる粘度）が、０．１Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下であるのが好ましく、１０Ｐａ・ｓ以上５００Ｐａ・ｓ以下であるのがより好ましい。

これにより、第１の高絶縁性組成物２３２’の取り扱い性（取扱いのし易さ）を特に優れたものとし、回路基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。また、第２の部位２３２（第１の高絶縁性組成物２３２’）中や、第２の端子２２と第２の部位２３２との界面付近、第１の部位２３１と第２の部位２３２との界面付近等に、不本意な気泡が混入することを効果的に防止することができ、回路基板１０の信頼性を特に優れたものとすることができる。

＜第１の硬化工程＞
次に、高絶縁性組成物２３２’を硬化させ、第２の部位（高絶縁性領域）２３２を形成する（１ｄ）。

これにより、第１の端子２１と、金属片２２’による第２の端子２２と、第１の部位２３１および第２の部位２３２を有する絶縁部２３とを備えた回路層２が得られる。

本工程で形成される第２の部位２３２は、第１の部位２３１よりも絶縁性の高いものである。

第２の部位２３２の２５℃における体積抵抗率は、１×１０^７Ω・ｃｍ以上１×１０^１６であるのが好ましく、１×１０^８Ω・ｃｍ以上１×１０^１５であるのがより好ましい。

これにより、回路基板１０の製造コストの上昇をより効果的に抑制しつつ、リーク等の問題の発生をより確実に防止することができる。また、第２の部位２３２の体積が小さい場合であっても、十分な絶縁性を確保することができるため、端子間の距離をさらに短くすることができ、回路基板１０のさらなる小型化を図る上で有利である。また、第２の端子２２に通電する電流のさらなる大電流化を図ることができる。

第２の部位２３２の幅（回路基板１０を平面視した際の幅）は、１０μｍ以上５ｍｍμｍ以下であるのが好ましく、１００μｍ以上５００μｍ以下であるのがより好ましい。

これにより、回路基板１０の製造コストの上昇をより効果的に抑制しつつ、リーク等の問題の発生をより確実に防止することができる。また、回路基板１０のさらなる小型化を図る上で有利である。また、第２の端子２２に通電する電流のさらなる大電流化を図ることができる。

また、２５℃における第２の部位２３２の構成材料の線膨張係数（線膨張率）は、３０ｐｐｍ以下であるのが好ましく、２０ｐｐｍ以下であるのがより好ましい。

第２の部位２３２は、大電流が通電する第２の端子２２の周りに設けられるものであるため、高温になりやすく、温度変化も大きい部位であるが、このように、第２の部位２３２の構成材料の線膨張係数（線膨張率）が十分に小さいものであると、回路基板１０（例えば、第２の端子２２と第２の部位２３２との界面等）における剥離、クラック等の発生や、電子部品実装基板１００（例えば、電子部品と端子との接合部）における剥離、クラック等の発生をより効果的に防止することができ、回路基板１０、電子部品実装基板１００の耐久性、信頼性を特に優れたものとすることができる。

また、第２の部位２３２を構成する樹脂材料のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１２０℃以上であるのが好ましく、１４０℃以上であるのがより好ましい。

これにより、回路基板１０、電子部品実装基板１００の耐熱性を特に優れたものとすることができる。

本発明において、回路基板は、第２の部位を少なくとも１か所有するものであればよいが、図示の構成では、回路基板１０は、複数の第２の部位２３２を有している。

このような場合、これら複数の第２の部位２３２は、同一の条件のものであってもよいし、互いに条件の異なるものであってもよい。

本工程における硬化方法は、第１の高絶縁性組成物２３２’の構成材料により異なるが、第１の高絶縁性組成物２３２’が熱硬化性樹脂を含むものである場合、通常、加熱により行う。

本工程における加熱温度は、第１の高絶縁性組成物２３２’の組成等により異なるが、６０℃以上２００℃以下であるのが好ましく、８０℃以上１８０℃以下であるのがより好ましい。

これにより、第１の高絶縁性組成物２３２’の硬化反応をより速やかに進行させることができ、回路基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。また、硬化反応を好適に進行させることができるため、回路基板１０の耐熱性、機械的強度等をより確実に優れたものとすることができる。

本工程における加熱時間は、第１の高絶縁性組成物２３２’の組成等により異なるが、３秒以上３時間以下であるのが好ましく、１０秒以上１時間以下であるのがより好ましい。

これにより、回路基板１０の生産性を十分に優れたものとしつつ、硬化反応をより好適に進行させることができ、回路基板１０の耐熱性、機械的強度等をより確実に優れたものとすることができる。

第２の端子２２は、半田等のろう材によって第２の電子部品４Ｂが接続（ろう接）される端子である。

第２の端子２２は、第１の端子２１よりも大きな電流が流れるものである。
電子部品実装基板１００とした状態における、第２の端子２２を流れる電流の最大値は、例えば、２０Ａ以上１５０Ａ以下である。

回路層２において、隣り合う第１の端子２１と第２の端子との間隔（図中、Ｘで示す間隔）は、０．０５ｍｍ以上５ｍｍ以下であるのが好ましく、０．１ｍｍ以上２．５ｍｍ以下であるのがより好ましい。

これにより、リーク等の問題の発生を確実に防止しつつ、回路基板のさらなる小型化を図ることができる。

＜第２の高絶縁性組成物付与工程＞
次に、仮固定部材６を除去した状態で、高絶縁性組成物（第２の高絶縁性組成物）３’を介して、支持基板１と回路層２とを接触させる（１ｅ）。

支持基板１は、回路層２を支持する機能を有している。
このような支持基板１を用いることにより、回路基板１０の形状の安定性、機械的強度を優れたものとすることができる。

支持基板１としては、例えば、金属基板を好適に用いることができる。
これにより、前述したような回路層２を支持する機能をより効果的に発揮することができるだけでなく、回路基板１０全体としての放熱性を特に優れたものとすることができ、耐熱性、信頼性を特に優れたものとすることができる。

支持基板（金属基板）１の構成材料としては、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌや、これらを含む合金等が挙げられる。

支持基板１の厚さは、特に限定されないが、０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下であるのが好ましく、１ｍｍ以上３ｍｍ以下であるのがより好ましい。

これにより、回路基板１０の厚みが大きくなりすぎるのを効果的に防止しつつ、前述したような効果がより顕著に発揮される。

本工程においては、支持基板１、回路層２のうち一方の表面に第２の高絶縁性組成物３’を付与した後、これらを接近させ、第２の高絶縁性組成物３’を介して支持基板１と回路層２とを接触させてもよいし、支持基板１および回路層２の表面（対向する表面）に、それぞれ、第２の高絶縁性組成物３’を付与した後、これらを接近させ、第２の高絶縁性組成物３’を介して支持基板１と回路層２とを接触させてもよい。

また、支持基板１および回路層２の所定の距離の間隙を設けた状態で、当該間隙に第２の高絶縁性組成物３’を注入することにより、第２の高絶縁性組成物３’を介して支持基板１と回路層２とを接触させてもよい。

第２の高絶縁性組成物３’の付与方法は、特に限定されず、例えば、各種印刷方法を用いることができる。

第２の高絶縁性組成物３’としては、例えば、第１の高絶縁性組成物２３２’として説明したものと同様のものを用いることができる。これにより、前述したのと同様の効果が得られる。

＜第２の硬化工程＞
次に、高絶縁性組成物３’を硬化させる（１ｆ）。

これにより、高絶縁性材料層３が形成されるとともに、高絶縁性材料層３を介して、支持基板１と回路層２とが接合され、回路基板１０が得られる。

支持基板１と回路層２との間に高絶縁性材料層３を設けることにより、第１の端子および第２の端子の表面から電流のリーク等の問題の発生をより確実に防止することができる。

高絶縁性材料層３の２５℃における体積抵抗率は、１×１０^６Ω・ｃｍ以上１×１０^１５Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、１×１０^８Ω・ｃｍ以上１×１０^１４Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。

これにより、回路基板１０の製造コストの上昇をより効果的に抑制しつつ、リーク等の問題の発生をより確実に防止することができる。また、高絶縁性材料層３の厚さが小さい場合であっても、十分な絶縁性を確保することができるため、回路基板１０の薄型化を図る上で有利である。

高絶縁性材料層３の厚さは、特に限定されないが、４０μｍ以上３００μｍ以下であるのが好ましく、８０μｍ以上２００μｍ以下であるのがより好ましい。

これにより、支持基板１が金属基板である場合に、短絡等の問題の発生を確実に防止しつつ、回路基板１０全体としての放熱性を優れたものとすることができる。

図示の構成では、高絶縁性材料層３は、支持基板１の全面に設けられているが、支持基板１の一部のみに設けられたものとしてもよい。例えば、高絶縁性材料層３は、回路層２の下面側（図中の下側の面）に導電部が設けられた部位に選択的に設けてもよい。このような構成とするためには、例えば、前記工程において、支持基板１として、高絶縁性材料層３を形成すべき部位に対応する部位に凹部を有するものを用い、支持基板１の当該凹部以外の部位が前記回路層２と密着するようにして、前述した第２の高絶縁性組成物付与工程を行えばよい。

本工程における硬化方法は、高絶縁性組成物３’の構成材料により異なるが、高絶縁性組成物３’が熱硬化性樹脂を含むものである場合、通常、加熱により行う。

本工程における加熱温度は、第２の高絶縁性組成物３’の組成等により異なるが、６０℃以上２００℃以下であるのが好ましく、８０℃以上１８０℃以下であるのがより好ましい。

これにより、第２の高絶縁性組成物３’の硬化反応をより速やかに進行させることができ、回路基板１０の生産性を特に優れたものとすることができる。また、硬化反応を好適に進行させることができるため、回路基板１０の耐熱性、機械的強度等をより確実に優れたものとすることができる。

本工程における加熱時間は、第２の高絶縁性組成物３’の組成等により異なるが、３秒以上３時間以下であるのが好ましく、１０秒以上１時間以下であるのがより好ましい。

これにより、回路基板１０の生産性を十分に優れたものとしつつ、硬化反応をより好適に進行させることができ、回路基板１０の耐熱性、機械的強度等をより確実に優れたものとすることができる。

前述したような方法を用いることにより、生産性良く、大電流の通電が可能でかつ小型化された回路基板を製造することができる。

≪回路基板≫
次に、本発明の回路基板について説明する。

本発明の回路基板は、前述したような方法を用いて製造されたものである。
このような回路基板は、大電流が通電する端子を備えながらも、端子間の距離を短くした場合であっても、リーク等の問題の発生を確実に防止することができる。このため、大電流の通電が可能でかつ小型化された回路基板を提供することができる。また、回路基板に通常用いられている絶縁材料よりも高い絶縁性を有する特殊な絶縁性材料を用いて絶縁部を形成した場合、一般に、回路基板の製造コストが上昇するが、本発明では、第２の端子の周りに選択的に高絶縁性領域（第２の部位）を設け、他の部位を当該高絶縁性領域よりも絶縁性の低い材料で構成されたもの（第１の部位）とするため、回路基板全体の製造コストの上昇を抑制しつつ、前記のような効果を得ることができる。

これに対し、前記の条件を満足しない場合には、前記のような優れた効果は得られない。

例えば、第２の部位（高絶縁性領域）を有さず、絶縁部全体が第１の部位で構成されたものである場合、リーク等の問題の発生を確実に防止することが困難となる。また、端子間の距離を大きくすることにより、リーク等の問題の発生を防止することも考えられるが、このような場合、回路基板の大型化を招く。

また、第１の部位を有さず、絶縁部全体が第２の部位（高絶縁性領域）で構成されたものである場合、回路基板の製造コストが著しく上昇する。

また、第１の部位と第２の部位との位置関係が逆である場合、すなわち、第１の端子の周りに設けられた部位が、絶縁部の他の部位よりも絶縁性が低い場合には、リーク等の問題の発生を確実に防止することが困難となる。また、端子間の距離を大きくすることにより、リーク等の問題の発生を防止することも考えられるが、このような場合、回路基板の大型化を招く。

≪電子部品実装基板≫
次に、本発明の電子部品実装基板について説明する。

図３は、本発明の電子部品実装基板の好適な実施形態を模式的に示す断面図である。
図３に示すように、電子部品実装基板１００は、前述したような回路基板１０に、電子部品４（第１の電子部品４Ａ、第２の電子部品４Ｂ）が実装されてなるものである。
すなわち、電子部品実装基板１００において、第１の電子部品４Ａは、第１の端子２１に接続されており、第２の電子部品４Ｂは、第２の端子２２に接続されている。

これにより、大電流の通電が可能でかつ小型化された電子部品実装基板１００を提供することができる。

電子部品４の接合は、例えば、ろう材を用いたろう接により行われている。
ろう材としては、例えば、半田、鉛フリー半田等を用いることができる。なお、鉛フリー半田とは、実質的に鉛を含まないか、または、鉛を含む場合でも、その含有量が極めて少ない半田（例えば、鉛の含有率が０．１質量％以下）のことを言う。

＜第１の電子部品＞
第１の電子部品４Ａは、第１の端子２１に接続されるものである。

第１の電子部品４Ａは、第２の電子部品４Ｂに比べて小さい電流が流れる電子部品である。

第１の電子部品４Ａの具体例としては、例えば、マイコン等のＩＣチップ、セラミックコンデンサ、チップ抵抗器等が挙げられるが、電子部品実装基板１００は、第１の電子部品４Ａとして、マイコンを備えるものであるのが好ましい。

これにより、小さい電流が流れる第１の電子部品４Ａと大きな電流が流れる第２の電子部品４Ｂとを同一基板内に実装することが可能となるので、配線の長さが短くすることができ、さらに小型化することができる。また、配線の長さが短くなることにより、電気信号の応答性の向上およびノイズを低減することが可能となる。

図示の構成では、電子部品実装基板１００は、複数個の第１の電子部品４Ａを備えているが、これらは同一の種類のものであってもよいし、異なる種類のものであってもよい。

＜第２の電子部品＞
第２の電子部品４Ｂは、第２の端子２２に接続されるものである。

第２の電子部品４Ｂは、第１の電子部品４Ａに比べて大きな電流が流れる電子部品である。

第２の電子部品４Ｂの具体例としては、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、トランス等のいわゆる発熱部品（第１の電子部品４Ａよりも発熱量の大きい電子部品）が挙げられるが、電子部品実装基板１００は、第２の電子部品４Ｂとして、絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよび／または電界効果トランジスタを備えるものであるのが好ましい。

これにより、発熱部品から発生した熱を基板下の方向（厚み方向）へ効率良く伝熱することができる。

図示の構成では、電子部品実装基板１００は、複数個の第２の電子部品４Ｂを備えているが、これらは同一の種類のものであってもよいし、異なる種類のものであってもよい。

電子部品実装基板１００の用途は、いかなるものであってもよいが、例えば、パワー半導体装置、ＬＥＤ照明、インバーター装置等の電子装置に適用されるもの等が挙げられる。

ここでインバーター装置とは、直流電力から交流電力を電気的に生成する（逆変換する機能を持つ）ものである。またパワー半導体装置とは、通常の半導体素子に比べて高耐圧化、大電流化、高速・高周波化されている特徴を有し、一般的にはパワーデバイスと呼ばれ、整流ダイオード、パワートランジスタ、パワーＭＯＳＦＥＴ、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、サイリスタ、ゲートターンオフサイリスタ（ＧＴＯ）、トライアック等が挙げられる。

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。

例えば、前述した実施形態では、回路基板が、第１の端子、第２の端子を、それぞれ複数個有するものとして説明したが、本発明では、第１の端子および第２の端子を、それぞれ少なくとも１つ有していればよく、複数個有していなくてもよい。

また、前述した実施形態では、第１の部位と第２の部位との間に明確な境界が存在している場合について代表的に説明したが、本発明において、第１の部位と第２の部位との境界は不明確なものであってもよい。また、第１の部位の構成材料と第２の部位の構成材料とが一部混合した領域（混合領域）を有していていもよい。

また、前述した実施形態では、仮固定部材６がシート状をなすものである場合について説明したが、仮固定部材の形状は、これに限定されず、いかなる形状であってもよい。

また、本発明の回路基板の製造方法は、基板用意工程と、金属片挿入工程と、第１の高絶縁性組成物付与工程と、第１の硬化工程とを有していればよく、前述したような第２の高絶縁性組成物付与工程、第２の硬化工程を有していなくてもよい。例えば、第１の高絶縁性組成物付与工程において、基板（プリント基板）の孔部内の金属片の周りだけでなく、プリント基板と予め用意した支持基板との間にも、第１の高絶縁性組成物を付与し、第１の硬化工程において、金属片の周りに第２の部位を形成するとともに、支持基板とプリント基板との間に高絶縁性材料層を形成するものであってもよい。

また、本発明の製造方法は、前述した工程に加えて、他の工程（前処理工程、後処理工程、中間処理工程等）を有していてもよい。

また、本発明に係る回路基板は、支持基板、高絶縁性材料層を有していないものであってもよい。

１００ ：電子部品実装基板
１０ ：回路基板
１０’ ：プリント基板（基板）
１ ：支持基板
２ ：回路層
２１ ：第１の端子
２２ ：第２の端子
２２’ ：金属片
２３ ：絶縁部
２３１ ：第１の部位
２３２ ：高絶縁性領域（第２の部位）
２３２’ ：高絶縁性組成物（第１の高絶縁性組成物）
３ ：高絶縁性材料層
３’ ：高絶縁性組成物（第２の高絶縁性組成物）
４ ：電子部品
４Ａ ：第１の電子部品
４Ｂ ：第２の電子部品
５ ：孔部
６ ：仮固定部材

Claims (16)

1. 第１の端子と、前記第１の端子よりも大きな電流が流れる第２の端子と、絶縁部とを備えた回路層を有する回路基板を製造する方法であって、
   前記絶縁部の一部としての第１の部位と、前記第１の端子とを有し、孔部が設けられた基板を用意する基板用意工程と、
   前記基板の前記孔部に、前記第２の端子となるべき金属片を挿入する金属片挿入工程と、
   前記孔部内の前記金属片の周りに第１の高絶縁性組成物を付与する第１の高絶縁性組成物付与工程と、
   前記第１の高絶縁性組成物を硬化させ、前記絶縁部の一部としての第２の部位を形成し、回路層を得る第１の硬化工程とを有し、
   前記第２の部位は、前記第１の部位よりも絶縁性の高い領域であることを特徴とする回路基板の製造方法。
2. 前記第１の硬化工程の後に、
   第２の高絶縁性組成物を介して、支持基板と前記回路層とを接触させる第２の高絶縁性組成物付与工程と、
   前記第２の高絶縁性組成物を硬化させ、高絶縁性材料層を形成する第２の硬化工程とを有する請求項１に記載の回路基板の製造方法。
3. 前記支持基板は、金属材料で構成されたものである請求項１または２に記載の回路基板の製造方法。
4. 前記金属片挿入工程は、仮固定部材に仮固定された状態の前記金属片を前記孔部に挿入し、前記仮固定部材と前記基板とを接触させることにより行う請求項１ないし３のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
5. 前記金属片挿入工程において、前記基板の一方の面の全体を、前記仮固定部材と密着させる請求項４に記載の回路基板の製造方法。
6. 前記仮固定部材は、前記金属片と接触する側の表面が粘着性を有する材料で構成されたものである請求項４または５に記載の回路基板の製造方法。
7. 前記粘着性を有する材料は、硬化反応により、被着体との接合強度が低下する材料である請求項６に記載の回路基板の製造方法。
8. 前記仮固定部材は、シート状をなすものである請求項１ないし７のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
9. 前記金属片挿入工程は、前記金属片が前記第１の部位に接触しないように、前記金属片を固定することにより行う請求項１ないし８のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
10. 前記第１の端子は、マイコンが接続されるものである請求項１ないし９のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
11. 前記第２の端子は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタおよび／または電界効果トランジスタが接続されるものである請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
12. 前記第１の高絶縁性組成物は、フェノール樹脂と、
    エポキシ樹脂と、
    平均粒子径が２μｍ以上３００μｍ以下の無機充填剤と、
    平均粒子径が０．１μｍ以上９．０μｍ以下の無機充填剤とを含むものである請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
13. 隣り合う前記第１の端子と前記第２の端子との間隔が、０．０５ｍｍ以上５．０ｍｍ以下である請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
14. 前記回路基板を平面視した際の前記第２の部位の幅は、１０μｍ以上５ｍｍ未満である請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の回路基板の製造方法。
15. 請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の方法を用いて製造されたことを特徴とする回路基板。
16. 請求項１５に記載の回路基板が有する前記第１の端子および前記第２の端子に、それぞれ、電子部品が実装されたことを特徴とする電子部品実装基板。

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