JP2015216339A - 積層セラミック電子部品及びその実装基板 - Google Patents
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Abstract
【課題】外部電極の緻密度を向上させた積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供する。
【解決手段】誘電体層１１１を含むセラミック本体１１０と、第１及び第２内部電極１２１，１２２と、第１、第２内部電極１２１，１２２と電気的に連結された第１及び第２外部電極１３１，１３２とを含む。第１、第２外部電極１３１、１３２は、第１、第２ベース電極１３１ａ〜１３１ｃ、１３２ａ〜１３２ｃ、及び第１、第２ベース電極上に配置された第１及び第２端子電極１３１ｄ、１３２ｄを含む。第１及び第２ベース電極は、第１ガラスを含有する第１電極層１３１ａ、１３２ａ、及び第１、第２電極層上に形成され、第２ガラスを含有する第２電極層１３１ｃ、１３２ｃを含む。第１電極層１３１ａ，１３２ａと第２電極層１３１ｃ、１３２ｃとの界面には、第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相１３１ｂ，１３２ｂが配置される。
【選択図】図２
【解決手段】誘電体層１１１を含むセラミック本体１１０と、第１及び第２内部電極１２１，１２２と、第１、第２内部電極１２１，１２２と電気的に連結された第１及び第２外部電極１３１，１３２とを含む。第１、第２外部電極１３１、１３２は、第１、第２ベース電極１３１ａ〜１３１ｃ、１３２ａ〜１３２ｃ、及び第１、第２ベース電極上に配置された第１及び第２端子電極１３１ｄ、１３２ｄを含む。第１及び第２ベース電極は、第１ガラスを含有する第１電極層１３１ａ、１３２ａ、及び第１、第２電極層上に形成され、第２ガラスを含有する第２電極層１３１ｃ、１３２ｃを含む。第１電極層１３１ａ，１３２ａと第２電極層１３１ｃ、１３２ｃとの界面には、第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相１３１ｂ，１３２ｂが配置される。
【選択図】図２
Description
本発明は、信頼性が改善された積層セラミック電子部品及びその実装基板に関する。
近年、電子製品の小型化の傾向に伴い、積層セラミック電子部品においても小型化及び大容量化が要求されている。
積層セラミック電子部品の小型化及び大容量化の要求に応じて、積層セラミック電子部品の外部電極も薄層化している。
外部電極ペーストは、銅（Ｃｕ）などの伝導性金属を主材料として含有して、チップ密閉性及びチップとの電気的連結性を保障し、ガラスを補助材料として含有して、上記金属の焼結収縮時に空き空間を満たすとともに、外部電極とチップとの結合力を付与する役割をする。
緻密な外部電極を形成するためには、微粒の銅粉を用いる方法、微粒のガラス粉を用いる方法、及び電極の焼成温度を上昇させる方法などを利用することができる。
しかし、微粒の銅粉を用いる場合、チップと外部電極との接触性及び外部電極の緻密度は向上するが、焼成開始及び完了温度が低くて、焼成後に高温で発生したガス（ｇａｓ）が放出されないことによるブリスター（ｂｌｉｓｔｅｒ）不良が発生するという問題がある。
一方、低容量の積層セラミック電子部品の場合、内部誘電体層の厚さが厚いため、研磨後にニッケル内部電極の表面露出状態が不良となる恐れがあり、これにより、外部電極の形成時に生成されるべき銅‐ニッケル合金層の生成が困難となり得る。
そのため、セラミック本体と外部電極との間の接触性を実現することが困難であって、この問題を解決するためには、高温の焼成温度が要求される。
したがって、チップと外部電極との接触性を向上させるとともに、めっき液の浸透を防止するために、外部電極の緻密度を向上させることができる方法が依然として要求されている。
本発明は、信頼性が改善された積層セラミック電子部品及びその実装基板を提供することをその目的とする。
本発明の一形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置された第１及び第２内部電極と、上記セラミック本体の外側に形成され、上記第１及び第２内部電極と電気的に連結された第１及び第２外部電極と、を含み、上記第１外部電極は、第１ベース電極及び上記第１ベース電極上に配置された第１端子電極を含み、上記第２外部電極は、第２ベース電極及び上記第２ベース電極上に配置された第２端子電極を含み、上記第１及び第２ベース電極は、第１ガラスを含有する第１電極層及び上記第１電極層上に形成され、第２ガラスを含有する第２電極層を含み、上記第１電極層と第２電極層との界面には、上記第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相（ｓｅｃｏｎｄ ｐｈａｓｅ）が配置された、積層セラミック電子部品が提供される。
上記二次相は、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、及びカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択される一つ以上を含有する酸化物であることができる。
上記二次相は、針状、板状、球状、楕円状、及び無定形の何れか一つ以上の形態を有することができる。
上記二次相は、結晶形であることができる。
上記第１ガラスは、第２ガラスよりケイ素（Ｓｉ）の含量が高いことができる。
上記第２ガラスは、第１ガラスよりバリウム（Ｂａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の含量が高いことができる。
本発明の他の形態によると、上部に複数個の電極パッドを有する印刷回路基板と、上記印刷回路基板上に設けられた積層セラミック電子部品と、を含み、上記積層セラミック電子部品は、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置された第１及び第２内部電極と、上記セラミック本体の外側に形成され、上記第１及び第２内部電極と電気的に連結された第１及び第２外部電極と、を含み、上記第１外部電極は、第１ベース電極及び上記第１ベース電極上に配置された第１端子電極を含み、上記第２外部電極は、第２ベース電極及び上記第２ベース電極上に配置された第２端子電極を含み、上記第１及び第２ベース電極は、第１ガラスを含有する第１電極層及び上記第１電極層上に形成され、第２ガラスを含有する第２電極層を含み、上記第１電極層と第２電極層との界面には、上記第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相（ｓｅｃｏｎｄ ｐｈａｓｅ）が配置された、積層セラミック電子部品の実装基板が提供される。
上記二次相は、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、及びカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択される一つ以上を含有する酸化物であることができる。
上記二次相は、針状、板状、球状、楕円状、及び無定形の何れか一つ以上の形態を有することができる。
上記二次相は、結晶形であることができる。
上記第１ガラスは、第２ガラスよりケイ素（Ｓｉ）の含量が高いことができる。
上記第２ガラスは、第１ガラスよりバリウム（Ｂａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の含量が高いことができる。
本発明によると、めっき液の浸透を防止することができて、信頼性が改善された積層セラミック電子部品の実現が可能である。
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
[積層セラミック電子部品]
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシターを概略的に示した斜視図である。
図２は図１のＡ‐Ａ’の断面図である。
図３は図２のＳ領域の拡大図である。
図１から図３を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層１１１を含むセラミック本体１１０と、上記セラミック本体１１０内で上記誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置された第１及び第２内部電極１２１、１２２と、上記セラミック本体１１０の外側に形成され、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２と電気的に連結された第１及び第２外部電極１３１、１３２と、を含み、上記第１外部電極１３１は、第１ベース電極１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ及び上記第１ベース電極１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ上に配置された第１端子電極１３１ｄを含み、上記第２外部電極１３２は、第２ベース電極１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ及び上記第２ベース電極１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ上に配置された第２端子電極１３２ｄを含み、上記第１及び第２ベース電極は、第１ガラスを含有する第１電極層１３１ａ、１３２ａ及び上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に形成され、第２ガラスを含有する第２電極層１３１ｃ、１３２ｃを含み、上記第１電極層１３１ａ、１３２ａと第２電極層１３１ｃ、１３２ｃとの界面には、上記第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相（ｓｅｃｏｎｄ ｐｈａｓｅ）１３１ｂ、１３２ｂが配置されることができる。
以下、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を説明するにあたり、特に積層セラミックキャパシターを例として説明するが、これに制限されるものではない。
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシターでは、図１を参照して、「長さ方向」は「Ｌ」方向、「幅方向」は「Ｗ」方向、「厚さ方向」は「Ｔ」方向と定義する。ここで、「厚さ方向」は、誘電体層を積み上げる方向、すなわち、「積層方向」と同一の概念で用いることができる。
本発明の一実施形態によると、上記誘電体層１１１を形成するための原料は、十分な静電容量が得られるものであれば特に制限されず、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末であることができる。
上記誘電体層１１１を形成するための材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末に、本発明の目的に応じて、多様なセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤などが添加されたものであることができる。
上記第１及び第２内部電極１２１、１２２を形成するための材料は、特に制限されず、例えば、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、及び銅（Ｃｕ）の一つ以上の物質を含有する導電性ペーストを用いることができる。
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシターは、上記第１内部電極１２１と電気的に連結された第１外部電極１３１と、上記第２内部電極１２２と電気的に連結された第２外部電極１３２と、を含むことができる。
上記第１及び第２外部電極１３１、１３２は、静電容量の形成のために上記第１及び第２内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる。この際、上記第２外部電極１３２と上記第１外部電極１３１とは、互いに異なる電位に連結されることができる。
本発明の一実施形態によると、上記第１外部電極１３１は、第１ベース電極１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃと、上記第１ベース電極１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ上に配置された第１端子電極１３１ｄと、を含み、上記第２外部電極１３２は、第２ベース電極１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃと、上記第２ベース電極１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ上に配置された第２端子電極１３２ｄと、を含むことができる。
また、上記第１及び第２ベース電極は、第１ガラスを含有する第１電極層１３１ａ、１３２ａと、上記第１電極層１３１ａ、１３２ａ上に形成され、第２ガラスを含有する第２電極層１３１ｃ、１３２ｃと、を含み、上記第１電極層１３１ａ、１３２ａと第２電極層１３１ｃ、１３２ｃとの界面には、上記第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相１３１ｂ、１３２ｂが配置されることができる。
以下、上記第１及び第２外部電極１３１、１３２の構造についてより詳細に説明する。
上記第１及び第２ベース電極のうち、第１電極層１３１ａ、１３２ａは、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、及び銀‐パラジウム（Ａｇ‐Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上の導電性金属及び第１ガラスを含有することができる。
静電容量の形成のために、上記第１及び第２外部電極１３１、１３２が上記セラミック本体１１０の両端面に形成され、上記第１及び第２外部電極１３１、１３２に含まれる上記第１及び第２ベース電極のうち第１電極層１３１ａ、１３２ａが、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２と電気的に連結されることができる。
上記第１電極層１３１ａ、１３２ａは、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２と同一の材質の導電性物質を含有することができ、これに制限されないが、例えば、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、及び銀‐パラジウム（Ａｇ‐Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上の導電性金属を含有することができる。
上記第１電極層１３１ａ、１３２ａは、上記導電性金属粉末に第１ガラスを添加して製造された導電性ペーストを塗布した後、焼成することで形成されることができる。
上記第１及び第２ベース電極のうち、第２電極層１３１ｃ、１３２ｃは、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、及び銀‐パラジウム（Ａｇ‐Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上の導電性金属及び第２ガラスを含有することができる。
上記第２電極層１３１ｃ、１３２ｃは、上記導電性金属粉末に第２ガラスを添加して製造された導電性ペーストを塗布した後、焼成することで形成されることができる。
上記第１及び第２ガラスは、後述する特徴を除き、一般的に用いられるものであれば特に制限されず、例えば、ケイ素系またはホウ素系酸化物を含有するものであることができる。
上記第１ガラスは、第２ガラスよりケイ素（Ｓｉ）の含量が高くてもよい。
上記のように、第２ガラスよりケイ素（Ｓｉ）の含量が高くなるように第１ガラスを調節して適用することで、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２との接触性を向上させることができる。
但し、上記第１ガラスはケイ素（Ｓｉ）の含量が高いため、緻密度の低い特性を有する。
上記第２ガラスは、第１ガラスよりバリウム（Ｂａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の含量が高くてもよい。
上記のように、第１ガラスよりバリウム（Ｂａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の含量が高くなるように第２ガラスを調節して適用することで、緻密度を向上させることができる。
但し、上記第２ガラスはバリウム（Ｂａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の含量が高いため、ニッケル（Ｎｉ）めっき液に対する耐酸性が劣る特性を有する。
すなわち、上記のように、内部電極との接触性を向上し、且つめっき液の浸透を防止するために、第１電極層及び第２電極層の二重層の形態を有するベース電極を適用したが、さらに優れためっき液浸透防止性を実現するために、本発明の一実施形態によると、上記第１電極層１３１ａ、１３２ａと第２電極層１３１ｃ、１３２ｃとの界面に、上記第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相１３１ｂ、１３２ｂが配置されることができる。
上記第１電極層１３１ａ、１３２ａと第２電極層１３１ｃ、１３２ｃとの界面に上記第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相１３１ｂ、１３２ｂが配置されることで、より優れためっき液浸透抑制効果が得られる。
上記二次相１３１ｂ、１３２ｂは、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、及びカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択される一つ以上を含有する酸化物であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
例えば、上記二次相１３１ｂ、１３２ｂは、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、及び亜鉛（Ｚｎ）酸化物（Ｂａ‐Ｚｎ‐Ｓｉ‐Ｏ）であることができる。
上記二次相１３１ｂ、１３２ｂの形成は、次のメカニズムにより行われることができる。
上述のように、ケイ素（Ｓｉ）の含量が高い第１ガラスが含有された第１電極層１３１ａ、１３２ａから、過濃度のケイ素（Ｓｉ）が第２電極層１３１ｃ、１３２ｃの方向に移動することができる。
一方、バリウム（Ｂａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の含量が高い第２ガラスが含有された第２電極層１３１ｃ、１３２ｃから、過濃度のバリウム（Ｂａ）及び亜鉛（Ｚｎ）が第１電極層１３１ａ、１３２ａの方向に移動することができる。
これにより、上記第１電極層１３１ａ、１３２ａと第２電極層１３１ｃ、１３２ｃとの界面に、上記第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相１３１ｂ、１３２ｂが配置されることができる。
上記二次相１３１ｂ、１３２ｂは、針状、板状、球状、楕円状、及び無定形の何れか一つ以上の形態を有することができる。
本発明の一実施形態によると、上記二次相１３１ｂ、１３２ｂは結晶形であることができる。
上記二次相１３１ｂ、１３２ｂが結晶形であるため、一般的な非晶質ガラスに比べ、ニッケル（Ｎｉ）めっき液による侵食程度が少ない。
これにより、さらに優れためっき液浸透抑制効果が得られる。
本発明の一実施形態によると、上記積層セラミックキャパシターの焼成過程で温度プロファイル（Ｐｒｏｆｉｌｅ）を制御することで、上記二次相１３１ｂ、１３２ｂが、ニッケル（Ｎｉ）めっき液による侵食程度がより少ない結晶形となるようにすることができる。
具体的には、上記焼成過程で、加熱によりバリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、及び亜鉛（Ｚｎ）酸化物（Ｂａ‐Ｚｎ‐Ｓｉ‐Ｏ）形態の二次相１３１ｂ、１３２ｂを形成した後、冷却速度を減少させることで、上記二次相１３１ｂ、１３２ｂが結晶形となるようにすることができる。
一方、上記第１外部電極１３１は、上記第１ベース電極１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ上に形成された第１端子電極１３１ｄを含み、上記第２外部電極１３２は、上記第２ベース電極１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ上に形成された第２端子電極１３２ｄを含むことができる。
上記第１及び第２端子電極１３１ｄ、１３２ｄは、めっきにより形成されてもよく、特にニッケル／スズめっき層であることができるが、必ずしもこれに制限されるものではない。
図４は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシターの外部電極の断面ＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真である。
図４を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシターの外部電極の断面から、上記第１電極層１３１ａ、１３２ａと第２電極層１３１ｃ、１３２ｃとの界面に上記第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相１３１ｂ、１３２ｂが配置されていることが分かる。
上記のように、ニッケルめっき液による侵食程度が少ない結晶形の二次相１３１ｂ、１３２ｂが第１電極層１３１ａ、１３２ａと第２電極層１３１ｃ、１３２ｃとの界面に配置されることで、めっき液の浸透を防いで、信頼性に優れた積層セラミックキャパシターを実現することができる。
以下、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法を詳細に説明するにあたり、特に積層セラミックキャパシターを例に挙げて説明するが、これに制限されるものではない。
先ず、誘電体層１１１と、上記誘電体層１１１を挟んで互いに対向するように配置された第１及び第２内部電極１２１、１２２と、を含むセラミック本体１１０を形成することができる。
上記誘電体層１１１は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末にセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤を配合し、バスケットミル（Ｂａｓｋｅｔ Ｍｉｌｌ）を用いて製造したスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥することで、数μｍの厚さに製造されたセラミックグリーンシートで形成することができる。
次に、セラミックグリーンシート上に導電性ペーストをディスペンス（ｄｉｓｐｅｎｓｅ）し、スキージー（ｓｑｕｅｅｇｅｅ）を一側方向に進行させながら、導電性ペーストで内部電極層を形成することができる。
この際、導電性ペーストは、銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、白金（Ｐｔ）などの貴金属材料、及びニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）の一つの物質で形成するか、少なくとも２つの物質を混合して形成することができる。
このように内部電極層が形成されると、セラミックグリーンシートをキャリアフィルムから分離した後、複数のセラミックグリーンシートを互いに重なるように積層することで、積層体を形成することができる。
次に、セラミックグリーンシート積層体を高温、高圧で圧着した後、圧着されたシート積層体を切断工程により所定のサイズに切断することで、セラミック本体を製造することができる。
次に、平均粒径が０．３μｍ以下の導電性金属粒子を１０〜９０重量部で含有する導電性金属、及び第１ガラスを含有する外部電極ペーストを製造することができる。この際、第１ガラスは、上記導電性金属に対して０．３〜２．０の含量比で含有されることができる。
上記導電性金属は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、及び銀‐パラジウム（Ａｇ‐Ｐｄ）からなる群から選択される一つ以上であることができる。
上記第１ガラスは、ケイ素（Ｓｉ）の含量が過量であるガラスであることができる。
次に、上記第１及び第２内部電極１２１、１２２と電気的に連結されるように、外部電極ペーストを上記セラミック本体１１０上に塗布して第１電極層を形成することができる。
次に、上記第１電極層上に、バリウム（Ｂａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の含量が過量である第２ガラスを含有する外部電極ペーストを塗布して第２電極層を形成することができる。
最後に、上記セラミック本体１１０を焼成して第１及び第２外部電極１３１、１３２を形成することができる。
上記セラミック本体１１０を焼成する段階は、７５０℃以下で行うことができる。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれにより制限されるものではない。
本実施例による積層セラミックキャパシターは、下記の段階により製作された。
先ず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末を含有して形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥することで複数個のセラミックグリーンシートを製造し、これにより誘電体層を形成した。
次に、ニッケル粒子の平均サイズが０．０５〜０．２μｍである内部電極用導電性ペーストを製造した。
上記セラミックグリーンシート上に上記内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷法で塗布して内部電極を形成した後、それを５０層に積層することで、積層体を製作した。
その後、圧着、切断して２０１２規格のサイズ（Ｓｉｚｅ）のチップを製作し、上記チップをＨ２０．１％以下の還元雰囲気の温度１０５０〜１２００℃で焼成した。
次に、外部電極内で結晶形の二次相が第１電極層と第２電極層との界面に配置されるように第１及び第２外部電極を形成し、めっきなどの工程を経て積層セラミックキャパシターを製作した。
比較例としては、外部電極内における二次相が非晶質形態である第１及び第２外部電極を製作したことを除き、上記実施例と同一の条件で積層セラミックキャパシターを製作した。
[積層セラミック電子部品の実装基板]
図５は図１の積層セラミック電子部品が印刷回路基板に実装された状態を図示した斜視図である。
図５は図１の積層セラミック電子部品が印刷回路基板に実装された状態を図示した斜視図である。
図５を参照すると、本実施形態による積層セラミック電子部品の実装基板２００は、積層セラミック電子部品が水平に実装される印刷回路基板２１０と、印刷回路基板２１０の上面に互いに離隔するように形成された複数個の電極パッド２２１、２２２と、を含む。
この際、積層セラミック電子部品は、第１及び第２外部電極１３１、１３２が、それぞれ電極パッド２２１、２２２上に接触するように配置された状態で、半田２３０により印刷回路基板２１０と電気的に連結されることができる。
上記の説明を除き、上述の本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の特徴と重複される説明は、ここでは省略する。
図６は本発明の一実施形態による実施例及び比較例のめっき液に対する耐酸性特性を示したグラフである。
図６を参照すると、非晶質形態の二次相を含む比較例１の場合、ニッケルめっき液による侵食程度がより激しいことが分かる。
一方、結晶形の二次相を含む実施例１の場合、ニッケルめっき液による侵食程度が少なくて、優れた信頼性を有することが分かる。
以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様な修正及び変形が可能であるということは、当技術分野の通常の知識を有する者には明らかである。
１００ 積層セラミック電子部品
１１０ セラミック本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３１、１３２ 第１及び第２外部電極
１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ 第１及び第２ベース電極
１３１ｄ、１３２ｄ 第１及び第２端子電極
１３１ａ、１３２ａ 第１電極層
１３１ｂ、１３２ｂ 二次相
１３１ｃ、１３２ｃ 第２電極層
２００ 積層セラミック電子部品の実装基板
２１０ 印刷回路基板
２２１、２２２ 電極パッド
２３０ 半田
１１０ セラミック本体
１１１ 誘電体層
１２１、１２２ 第１及び第２内部電極
１３１、１３２ 第１及び第２外部電極
１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３２ａ、１３２ｂ、１３２ｃ 第１及び第２ベース電極
１３１ｄ、１３２ｄ 第１及び第２端子電極
１３１ａ、１３２ａ 第１電極層
１３１ｂ、１３２ｂ 二次相
１３１ｃ、１３２ｃ 第２電極層
２００ 積層セラミック電子部品の実装基板
２１０ 印刷回路基板
２２１、２２２ 電極パッド
２３０ 半田
Claims (12)
- 誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置された第１及び第２内部電極と、
前記セラミック本体の外側に形成され、前記第１及び第２内部電極と電気的に連結された第１及び第２外部電極と、を含み、
前記第１外部電極は、第１ベース電極及び前記第１ベース電極上に配置された第１端子電極を含み、前記第２外部電極は、第２ベース電極及び前記第２ベース電極上に配置された第２端子電極を含み、前記第１及び第２ベース電極は、第１ガラスを含有する第１電極層及び前記第１電極層上に形成され、第２ガラスを含有する第２電極層を含み、前記第１電極層と第２電極層との界面には、前記第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相（ｓｅｃｏｎｄ ｐｈａｓｅ）が配置された、積層セラミック電子部品。 - 前記二次相は、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、及びカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択される一つ以上を含有する酸化物である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記二次相は、針状、板状、球状、楕円状、及び無定形の何れか一つ以上の形態を有する、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記二次相は、結晶形である、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第１ガラスは、第２ガラスよりケイ素（Ｓｉ）の含量が高い、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
- 前記第２ガラスは、第１ガラスよりバリウム（Ｂａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の含量が高い、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
- 上部に複数個の電極パッドを有する印刷回路基板と、
前記印刷回路基板上に設けられた積層セラミック電子部品と、を含み、
前記積層セラミック電子部品は、誘電体層を含むセラミック本体と、前記セラミック本体内で前記誘電体層を挟んで互いに対向するように配置された第１及び第２内部電極と、前記セラミック本体の外側に形成され、前記第１及び第２内部電極と電気的に連結された第１及び第２外部電極と、を含み、前記第１外部電極は、第１ベース電極及び前記第１ベース電極上に配置された第１端子電極を含み、前記第２外部電極は、第２ベース電極及び前記第２ベース電極上に配置された第２端子電極を含み、前記第１及び第２ベース電極は、第１ガラスを含有する第１電極層及び前記第１電極層上に形成され、第２ガラスを含有する第２電極層を含み、前記第１電極層と第２電極層との界面には、前記第１ガラスと第２ガラスとの反応による二次相（ｓｅｃｏｎｄ ｐｈａｓｅ）が配置された、積層セラミック電子部品の実装基板。 - 前記二次相は、バリウム（Ｂａ）、ケイ素（Ｓｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、及びカルシウム（Ｃａ）からなる群から選択される一つ以上を含有する酸化物である、請求項７に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
- 前記二次相は、針状、板状、球状、楕円状、及び無定形の何れか一つ以上の形態を有する、請求項７に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
- 前記二次相は、結晶形である、請求項７に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
- 前記第１ガラスは、第２ガラスよりケイ素（Ｓｉ）の含量が高い、請求項７に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
- 前記第２ガラスは、第１ガラスよりバリウム（Ｂａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の含量が高い、請求項７に記載の積層セラミック電子部品の実装基板。
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