JP2015214738A - 耐食性金属部材、パワーデバイス用ヒートシンク、発電機用回転翼及び耐食性金属部材の製造方法 - Google Patents
耐食性金属部材、パワーデバイス用ヒートシンク、発電機用回転翼及び耐食性金属部材の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015214738A JP2015214738A JP2014099631A JP2014099631A JP2015214738A JP 2015214738 A JP2015214738 A JP 2015214738A JP 2014099631 A JP2014099631 A JP 2014099631A JP 2014099631 A JP2014099631 A JP 2014099631A JP 2015214738 A JP2015214738 A JP 2015214738A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal member
- corrosion
- resistant metal
- corrosion resistant
- uneven shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Abstract
Description
図1は、実施形態に係る耐食性金属部材1を概略的に示す断面図である。耐食性金属部材1は、表面にサブミクロンオーダーの表面粗さ(Ra)の凹凸形状2を有している。なお、本明細書において、表面粗さ(Ra)は、算術平均粗さを示す。
次に、第1の実施形態の耐食性金属部材1の適用例について説明する。
図3は、耐食性金属部材1の第1の適用例であるパワーモジュール10を概略的に示す断面図である。パワーモジュール10は、第1の実施形態の耐食性金属部材1を用いたヒートシンク20を備えている。
次に、耐食性金属部材1の第2の適用例である水力発電機30について図4を参照して説明する。図4は、水力発電機30の内部概略的に示す断面図である。本実施形態に係る水力発電機30は、筒体31の内部に第1の実施形態に係る耐食性金属部材1で構成された回転翼32を備えている。
(例1)
また、断面形状を表面粗さ計で観察し、表面粗さ(Ra)を測定した。粗化後のアルミニウム基材の走査型電子顕微鏡(SEM)写真を図5に、表面粗さの断面形状を図6に示す。
これに対し、図9、10、11に示すように、表面の粗化処理を行っていないアルミニウム基材では、流水試験後に孔食が発生していることが分かる。
表面に粗化処理を施し、表面粗さ(Ra)を0.001〜10μmの範囲内の所定の値に調節して凹凸形状を形成した場合について、流水試験を行った。流水試験は、純水の流速を9m/sとした他は例1と同様の条件で行った。それぞれについて、流水試験前後のアルミニウム基材の表面状態を走査型電子顕微鏡(SEM)によって観察し、孔食の発生の有無を確認した。また、孔食が発生した場合にはその深さを測定した。結果を、粗化後のアルミニウム基材の表面粗さ(Ra)を横軸、最大孔食深さを縦軸として図12に示す
Claims (8)
- 流体と接触される領域を有する耐食性金属部材であって、
前記耐食性金属部材の表面の少なくとも前記流体と接触される領域に、サブミクロンオーダーの表面粗さ(Ra)の凹凸形状を備えることを特徴する耐食性金属部材。 - 熱伝導率が20〜400W・m-1・K-1の金属からなることを特徴とする請求項1記載の耐食性金属部材。
- アルミニウム、銅、タングステン、鉄又はこれらの少なくとも1種を含有する合金からなることを特徴とする請求項1又は2記載の耐食性金属部材。
- 前記耐食性金属部材の、前記凹凸形状を備える領域における表面粗さ(Ra)は、0.1〜1.0μmであることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載の耐食性金属部材。
- 流体と接触される領域を有する耐食性金属部材の製造方法であって、
金属からなる基材に、粒子衝突、エッチング又はフォトリソグラフィを施すことによって、前記耐食性金属部材の表面の少なくとも前記流体と接触される領域に、サブミクロンオーダーの表面粗さ(Ra)の凹凸形状を形成する凹凸形成工程を有することを特徴する耐食性金属部材の製造方法。 - 前記凹凸形成工程の後に、
前記凹凸形状の形成された表面を硬化させる、表面硬化工程を有することを特徴とする請求項5記載の耐食性金属部材の製造方法。 - 前記凹凸形成工程の前に、
前記凹凸形状を形成する表面に、粗化前処理を行う粗化前処理工程を有することを特徴とする請求項5又は6に記載の耐食性金属部材の製造方法。 - 請求項1乃至4のいずれか1項記載の耐食性金属部材から構成されることを特徴とするパワーモジュール用ヒートシンク又は発電機用回転翼。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099631A JP2015214738A (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 耐食性金属部材、パワーデバイス用ヒートシンク、発電機用回転翼及び耐食性金属部材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014099631A JP2015214738A (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 耐食性金属部材、パワーデバイス用ヒートシンク、発電機用回転翼及び耐食性金属部材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015214738A true JP2015214738A (ja) | 2015-12-03 |
Family
ID=54751885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014099631A Pending JP2015214738A (ja) | 2014-05-13 | 2014-05-13 | 耐食性金属部材、パワーデバイス用ヒートシンク、発電機用回転翼及び耐食性金属部材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015214738A (ja) |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08222672A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Nec Corp | 半導体モジュールの冷却構造 |
JPH11269588A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 熱交換器用高耐食アルミニウム複合材とそれを用いた熱交換器用チューブ材 |
JP2005243821A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体装置用の放熱板およびその製造法 |
JP2007081217A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Hitachi Metals Ltd | 回路基板の製造方法及び回路基板、半導体モジュール |
JP2010525588A (ja) * | 2007-04-27 | 2010-07-22 | ヴィーラント ウェルケ アクチーエン ゲゼルシャフト | 冷却体 |
JP2011058761A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Toyota Central R&D Labs Inc | 被処理物を加熱または冷却する装置、被処理物収容手段およびリフローはんだ付け方法 |
JP2011106332A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Fuji Electric Systems Co Ltd | タービンブレードおよびその加工方法 |
JP2011173236A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-09-08 | General Electric Co <Ge> | 部品の表面仕上りを改善するピーニング処理 |
JP2011247310A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Riken Corp | 圧力リング及びその製造方法 |
JP2012252790A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-20 | Nhk Spring Co Ltd | シャフト付きヒータユニットおよびシャフト付きヒータユニットの製造方法 |
JP2014063870A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体冷却装置 |
-
2014
- 2014-05-13 JP JP2014099631A patent/JP2015214738A/ja active Pending
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08222672A (ja) * | 1995-02-14 | 1996-08-30 | Nec Corp | 半導体モジュールの冷却構造 |
JPH11269588A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 熱交換器用高耐食アルミニウム複合材とそれを用いた熱交換器用チューブ材 |
JP2005243821A (ja) * | 2004-02-25 | 2005-09-08 | Dowa Mining Co Ltd | 半導体装置用の放熱板およびその製造法 |
JP2007081217A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-03-29 | Hitachi Metals Ltd | 回路基板の製造方法及び回路基板、半導体モジュール |
JP2010525588A (ja) * | 2007-04-27 | 2010-07-22 | ヴィーラント ウェルケ アクチーエン ゲゼルシャフト | 冷却体 |
JP2011058761A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Toyota Central R&D Labs Inc | 被処理物を加熱または冷却する装置、被処理物収容手段およびリフローはんだ付け方法 |
JP2011106332A (ja) * | 2009-11-17 | 2011-06-02 | Fuji Electric Systems Co Ltd | タービンブレードおよびその加工方法 |
JP2011173236A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-09-08 | General Electric Co <Ge> | 部品の表面仕上りを改善するピーニング処理 |
JP2011247310A (ja) * | 2010-05-25 | 2011-12-08 | Riken Corp | 圧力リング及びその製造方法 |
JP2012252790A (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-20 | Nhk Spring Co Ltd | シャフト付きヒータユニットおよびシャフト付きヒータユニットの製造方法 |
JP2014063870A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体冷却装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5686606B2 (ja) | フィン一体型基板の製造方法およびフィン一体型基板 | |
US8643173B1 (en) | Cooling apparatuses and power electronics modules with single-phase and two-phase surface enhancement features | |
EP3187273B1 (en) | Equipment cleaning system and method | |
JP5359644B2 (ja) | パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法 | |
JP6582783B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2014187088A (ja) | パワー半導体装置の製造方法、パワー半導体装置 | |
EP3539156A1 (en) | Method and device for spreading high heat fluxes in thermal ground planes | |
JP2008235852A (ja) | セラミックス基板及びこれを用いた半導体モジュール | |
JP2016152324A (ja) | 金属−セラミックス回路基板の製造方法 | |
JPWO2017169857A1 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
CN109280882B (zh) | 一种金刚石单晶散热片的制备方法 | |
JP2015214738A (ja) | 耐食性金属部材、パワーデバイス用ヒートシンク、発電機用回転翼及び耐食性金属部材の製造方法 | |
JP2010232626A (ja) | 放熱装置及び該放熱装置の製作方法 | |
JP6330976B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP5976577B2 (ja) | パワーデバイス用ヒートシンクおよびその製造方法 | |
KR101923292B1 (ko) | 방식성의 금속과 Mo 또는 Mo 합금을 확산 접합한 백킹 플레이트, 및 그 백킹 플레이트를 구비한 스퍼터링 타깃-백킹 플레이트 조립체 | |
Uhlemann et al. | Directly cooled HybridPACK power modules with ribbon bonded cooling structures | |
JP2009112946A (ja) | 防食コーティング層の補修方法、部材、回転機械 | |
JP2019033131A (ja) | セラミックス回路基板 | |
TWI807635B (zh) | 浸沒式液冷散熱結構 | |
JP2013102013A (ja) | 半導体装置の製造方法と半導体装置 | |
JP2012016935A (ja) | 異方性伝熱体およびその製造法 | |
Unno et al. | Subcooled boiling with nano-coating heating surface | |
TWI784746B (zh) | 具巨觀鰭片結構之浸沒式多孔散熱結構 | |
RU102713U1 (ru) | Рабочее колесо центробежного насоса |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171030 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20171201 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20171201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180612 |