JP2015197319A - ガラス基板の製造方法及び欠陥検査装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ガラス基板の搬送中ガラス基板の欠陥検査を行うとき、検出した欠陥候補が欠陥か否かを精度よく判定し、さらに、欠陥のレベルを精度よく評価する。【解決手段】ガラス基板を搬送する途中、ガラス基板の欠陥検査のために、撮像デバイスで合焦位置を固定してガラス基板を撮像する。さらに、搬送中のガラス基板の撮像の前あるいは後において、ガラス基板の撓み変形あるいは振動により変化するガラス基板の主表面の、撮像デバイスの撮像奥行き方向の位置を距離センサで計測する。この後、前記主表面の位置の計測結果を、前記欠陥検査に用いる。【選択図】 図２

Description

本発明は、ガラス基板の製造方法及びガラス基板の欠陥検査装置に関する。

ガラス基板は、一般的に、ガラス原料から熔融ガラスを生成させた後、清澄工程、均質化工程を得た後、熔融ガラスをガラス基板へと成形する工程を経て製造される。高温の熔融ガラスから品位の高いガラス基板を、上記工程を経て量産するためには、上記工程においてガラス基板における欠陥の発生を抑制することが望まれる。また、ガラス基板内の欠陥を正確に検出することができることが望まれる。特に、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置等のフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板の欠陥は表示画面の表示欠陥の原因となるので、ガラス基板には欠陥が全くないことが強く望まれる。

従来より、生産直後のガラス基板の欠陥を検査することは行なわれている。例えば、大型サイズのガラス板のような透明板状体であっても、安定しかつ正確に、気泡や異物等の欠陥を検出する欠陥検出装置が知られている（特許文献１）。
この欠陥検出装置は、透明板状体の内部を照明する照明光源ユニットと、透明板状体の対向する上面及び下面の少なくとも一方の面の側に設けられ、透明板状体を撮影する、直列状に配列した複数の撮影カメラを有する撮影カメラユニットと、撮影カメラから出力された受光信号を用いて透明板状体の欠陥を検出する検出器と、を有する。直列状に配列した複数の撮影カメラの、少なくとも両側に位置する撮影カメラには、光強度を減らす減光フィルタが設けられている。透明板状体と撮影カメラとを相対的に移動させて透明板状体を撮影する。
この欠陥検出装置では、切断されたままもしくは面取りされたガラス基板を、駆動ローラを備えたコンベアによって一定速度で搬送する途中で、ガラス基板の内部または内表面に存在する気泡や異物等の欠陥を検出する装置である。

特開２００９−２１６６２８号公報

上述のガラス基板の搬送は、駆動ローラによってガラス基板の主表面、具体的にはガラス基板の下方を向いた主表面が支持されて搬送されるため、ガラス基板の主表面に傷をつけ易い。欠陥は、欠陥検査終了後の駆動ローラとの接触によっても形成される。このため、ガラス基板の縁部のみを駆動ローラで支持することも考えられる。しかし、近年、フラットパネルディスプレイ等に望まれるガラス基板は、大面積でかつその厚さはますます薄くなり、例えば厚さ０．７ｍｍ以下となっているため、ガラス基板は非常に撓み易くなっている。このため、駆動ローラでガラス基板の縁のみを保持した場合、ガラス基板の撓みが生じ易く、その撓みもわずかな気流を受けて変動するため、欠陥検査を行なう位置において、撮影カメラに対するガラス基板の撮影奥行き方向の位置がずれる。この結果、ガラス基板の欠陥の位置も合焦位置からずれる等して、鮮明な画像が得られない他、撮影カメラの合焦位置から大きくずれて欠陥の適切な像が得られない場合がある。

このような問題は、ガラス基板の主表面が駆動ローラと接触しないように、ガラス基板の一方の縁部のみを把持してガラス基板を吊り下げて搬送する場合においても発生する。すなわち、ガラス基板を吊り下げて搬送する場合、ガラス基板の表面に気流がぶつかってガラス基板が撓み変形をし、あるいは、駆動装置の振動に起因してガラス基板が振動して、ガラス基板の表面の位置（撮影カメラの撮影奥行き方向の位置）が変化する場合もある。

本発明の目的は、ガラス基板の搬送中ガラス基板の欠陥検査を行うとき、検出した欠陥候補が欠陥か否かを精度よく判定し、さらに、欠陥のレベルを精度よく評価する欠陥検査装置、及びこの欠陥検査を含んだガラス基板の製造方法を提供する。

本発明の一態様は、ガラス基板の欠陥検査工程を含むガラス基板の製造方法である。当該製造方法の前記欠陥検査工程は、
ガラス基板の主表面に平行な方向にガラス基板を搬送する途中、ガラス基板の欠陥検査のために、撮像デバイスで合焦位置を固定してガラス基板を撮像する処理と、
搬送中のガラス基板の撮像の前あるいは後において、搬送中のガラス基板の撓み変形あるいは振動により変化するガラス基板の主表面の、撮像デバイスの撮像奥行き方向の位置を距離センサで計測する処理と、を有し、
前記主表面の位置の計測結果を欠陥の判定に用いる。

さらに、前記欠陥検査工程における前記欠陥検査では、
撮像して得られたガラス基板の像から欠陥候補を検出するとともに、前記主表面の位置の計測結果から、前記欠陥候補の像の、前記撮像デバイスの撮像奥行き方向における撮像位置が、前記撮像デバイスの欠陥検出許容範囲に含まれるか否かを、欠陥検査装置の判定部が判定することにより、検出した欠陥候補が欠陥か否かを判定する処理と、
欠陥と判定した前記欠陥候補の欠陥レベルを評価する処理と、有することが好ましい。

前記判定部は、前記欠陥の判定において、
前記欠陥候補の像の前記撮像位置が前記撮像デバイスの欠陥検出許容範囲にある場合、前記欠陥候補を欠陥と判定し、
前記欠陥候補の像の前記撮像位置が前記撮像デバイスの欠陥検出許容範囲にない場合、欠陥と判定するには情報が足りない予備欠陥候補であると判定することが好ましい。

前記欠陥検査装置は、前記撮像デバイスの撮像奥行き方向における撮像位置と前記撮像デバイスの合焦位置との離間距離に応じて変化するガラス基板の欠陥の複数の像を、データベースに予め記憶しておき、
前記欠陥候補の像の前記撮像位置が前記撮像デバイスの欠陥検出許容範囲にある場合、
前記欠陥候補の像の前記撮像位置と前記撮像デバイスの合焦位置との離間距離に対応した、前記データベース内の欠陥の像を用いて、前記欠陥候補の像を、前記欠陥候補の像の撮像位置が前記撮像デバイスの合焦位置にあるときの像に補正する処理をさらに含むことが好ましい。

前記データベースは、欠陥の輪郭形状及び欠陥の像の画像階調値の少なくとも１つの特徴情報に応じて複数の欠陥の種類を定め、各種類に対応して、前記撮像デバイスの撮像奥行き方向における欠陥の撮像位置の前記撮像デバイスの合焦位置からのずれ量に応じて変化する欠陥の複数の像を記憶し、
前記判定部は、検出した前記欠陥候補の像から欠陥候補の輪郭形状及び欠陥候補の像の
画像階調値の少なくとも１つを特徴情報として取り出し、取り出した特徴情報と前記欠陥候補における前記離間距離を用いて、前記データベースに記憶されている欠陥の像の特徴情報と比較照合することにより、前記欠陥候補の、欠陥としての種類を特定することが好ましい。

前記補正は、前記欠陥候補の像の大きさを変更する処理を含むことが好ましい。
また、前記補正は、前記欠陥候補の像のコントラストを変更する処理を含むことが好ましい。

前記ガラス基板は、溶融ガラスからダウンドロー法で成形したシートガラスの両側の縁部を切断した一枚の板であることが好ましい。

前記ガラス基板の板厚は、０．７ｍｍ以下であり、前記ガラス基板の上方の縁部を保持しながら前記ガラス基板を搬送することができる。

前記欠陥検査工程では、前記ガラス基板の製造工程の少なくとも徐冷工程より前の工程で発生した欠陥を検査対象とすることが好ましい。

本発明の他の一態様は、ガラス基板の欠陥検査を行う欠陥検査装置である。当該欠陥検査装置は、
ガラス基板の主表面に対して平行な方向にガラス基板を搬送する途中、ガラス基板の欠陥検査のために、ガラス基板を撮像する撮像デバイスと、
ガラス基板の搬送経路の前記撮像デバイスの上流側あるいは下流側に設けられ、搬送中のガラス基板の撓み変形あるいは振動により変化するガラス基板の主表面の位置を計測する距離センサと、
前記主表面の位置の計測結果を前記欠陥検査に用いて欠陥の判定を行なう判定部と、含む。

前記判定部は、撮像して得られたガラス基板の像から欠陥候補を検出するとともに、前記主表面の位置の計測結果から、検出した前記欠陥候補の、前記撮像デバイスの撮像奥行き方向における撮像位置が、前記撮像デバイスの欠陥検出許容範囲に含まれるか否かを、判定することにより、検出した欠陥候補が欠陥か否かを判定し、
さらに、前記判定部で判定した前記欠陥候補の欠陥レベルを評価する評価部と、を含むことが好ましい。

前記欠陥検査装置は、前記ガラス基板の製造工程の少なくとも徐冷工程より前の工程で発生した欠陥を検査対象とすることが好ましい。

上記ガラス基板の製造方法及び欠陥検査装置によれば、ガラス基板の搬送中ガラス基板の欠陥検査を行うとき、検出した欠陥候補が欠陥か否かを精度よく判定し、さらに、欠陥のレベルを精度よく評価することができる。

本実施形態のガラス基板製造方法の欠陥検査工程の一例を説明する図である。 本実施形態の欠陥検査工程で用いられる欠陥検査装置のセンサ部を説明する図である。 （ａ）は、本実施形態において検出された欠陥候補の像の一例を示す図であり、（ｂ）は、本実施形態の欠陥検査装置のデータベースに記憶された複数の欠陥の像の一例を示す図であり、（ｃ）は、本実施形態における補正後の欠陥候補の像の一例を示す図である。 本実施形態における欠陥検査のフローの一例を示す図である。 本実施形態のオーバーダウンドロー法を用いたガラス基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。 本実施形態で用いるガラス基板製造装置の構成の一例を示す模式図である。

本発明に係るガラス基板の製造方法及び欠陥検査装置の実施形態について、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施形態のガラス基板の製造方法におけるガラス基板の欠陥検査工程の一例を説明する図である。欠陥検査工程は、後述する図５に示す熔解工程Ｓ１〜切断工程Ｓ７の後に行われる。図２は、欠陥検査工程で用いられる欠陥検査装置のセンサ部を説明する図である。

図１に示す欠陥検査工程は、予め定められた大きさのガラス基板Ｇを一定の搬送速度で図中のＹ方向に搬送する途中、欠陥検査装置１０を用いてガラス基板Ｇの欠陥検査を行なう。ガラス基板Ｇの搬送を行なう搬送機構３０は、搬送レール３２に設けられたガラス基板Ｇを把持するクリップ部３４，３６と、クリップ３４，３６を搬送レール３２に沿って移動させる図示されない駆動装置と、を備える。クリップ３４，３６は、ガラス基板Ｇの上方の縁部を機械的に挟んで把持する。すなわち、搬送機構は、クリップ３４，３６によりガラス基板Ｇを把持して下方に吊り下げた状態でガラス基板Ｇを搬送する。クリップ３４，３６が把持するガラス基板Ｇの縁部は、後工程の裁断工程で、目標とするガラス基板のサイズに裁断することにより除去される部分である。したがって、クリップ３４，３６において縁部が把持されてガラス基板Ｇの表面に傷がついても支障はない。

（欠陥検査装置）
欠陥検査装置１０は、図１に示すように、センサ部１２と、検査本体部１４と、を有する。
センサ部１２は、図２に示すように、ガラス基板Ｇの搬送経路を挟んで互いに対向するように設けられた細長い検出部１２ａと、ガラス基板Ｇの欠陥検査のために光を照射する細長い照明部１２ｂとを有する。照明部１２ｂは、ガラス基板Ｇの幅寸法（図１中の方向Ｙと直交する幅方向Ｘの寸法）より長い寸法の細長い照明光源を備え、センサ部１２を通過するガラス基板Ｇの部分を幅方向の領域全体にわたって照明する。一方、検出部１２ａは、照明されたガラス基板Ｇを撮像する細長い撮像デバイス１２ｃと、ガラス基板Ｇの主表面の位置を計測する複数の距離センサ１２ｄと、を備える。

撮像デバイス１２ｃは、ガラス基板Ｇの主表面に対して平行な方向（方向Ｙ）にガラス基板Ｇを搬送する途中、ガラス基板Ｇの欠陥検査のために、ガラス基板を合焦位置を固定して撮像する。なお、合焦位置は、像のピントが最も合う位置（ベストフォーカス位置）であり、ガラス基板Ｇが搬送中、撓まず振動しない安定した状態のときの、ガラス基板Ｇの厚さ方向の任意の位置に設定することができるが、例えば、ガラス基板Ｇの厚さ方向で散らばって発生する欠陥候補を検出する場合には、ガラス基板Ｇの厚さ方向の中心位置に定めることが好ましい。本実施形態では、ガラス基板Ｇが撓まず振動しない安定した状態のときの、ガラス基板Ｇの厚さ方向の中心位置を合焦位置としている。撮像デバイス１２ｃは、例えばガラス基板の幅方向Ｘに沿って一列に撮像素子が配置されたＣＣＤリニアイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサが用いられる。本実施形態では、撮像デバイス１２ｃがガラス基板Ｇの透過光を受光することでガラス基板Ｇの像を撮像する透過型撮像方式であるが、ガラス基板Ｇの搬送経路からみて、撮像デバイス１２ｃと同じ側に照明光源を配置してガラス基板Ｇで反射した光を受光することでガラス基板Ｇを撮像する反射型撮像方式であってもよい。

距離センサ１２ｄは、ガラス基板Ｇの搬送経路の撮像デバイス１２ｃの極近傍の下流側に設けられ、搬送中のガラス基板Ｇの撓み変形あるいは振動により変化するガラス基板の主表面の位置を計測する。距離センサ１２ｄは、撮像デバイス１２ｃの極近傍の上流側に設けられてもよい。距離センサ１２ｄは、ガラス基板Ｇの幅方向Ｘに沿って複数個設けられている。複数の距離センサ１２ｄは、ガラス基板Ｇの変形や振動による変形を再現できる程度の間隔をあけて設けられている。距離センサ１２ｄには、例えばレーザ変位計や超音波測定機を用いることができる。ガラス基板Ｇの搬送中、ガラス基板Ｇに当たる気流等によりガラス基板Ｇは撓んで変形することにより、あるいは搬送機構の振動が伝わってガラス基板Ｇが振動することにより、ガラス基板Ｇの主表面の位置も変化する。このため、撮像デバイス１２ｃで撮像しようとするガラス基板Ｇの主表面の、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向の位置も変化する。このため、撮像した部分のガラス基板Ｇの撮像奥行き方向の位置が、後述するように、撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲内に位置するか否かを判定するために距離センサ１２ｄはガラス基板Ｇの主表面の撮像奥行き方向の位置を計測する。なお、ガラス基板Ｇの撓み変形や振動は時間によって変化することから、ガラス基板Ｇの撮像のタイミングと距離センサ１２ｄの計測のタイミングを近づけるために、距離センサ１２ｄは、撮像センサ１２ｃの極近傍に位置する。
撮像された像のデータ及び計測された主表面の位置のデータは、検査本体部１４に送られる。

検査本体部１４は、コンピュータで構成された装置であり、判定部１４ａと、補正部１４ｂと、評価部１４ｃと、データベース１４ｄと、を備える。

検査本体部１４は、ガラス基板Ｇの主表面の位置の計測結果（データ）を、後述する欠陥検査に用いる。具体的には、検査本体部１４は、撮像デバイス１２ｃにより撮像して得られたガラス基板Ｇの像から欠陥候補を検出するとともに、距離センサ１２ｄにより計測されたガラス基板Ｇの主表面の撮像奥行き方向の位置の計測結果から、欠陥候補の像の、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向における撮像位置が、撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲に含まれるか否かを、判定することにより、検出した欠陥候補が欠陥か否かを判定する。さらに、評価部１４ｃは、欠陥と判定した欠陥候補の欠陥レベルを評価する。以下、各部分を詳細に説明する。

判定部１４ａは、撮像デバイス１２ｃにより撮像して得られたガラス基板Ｇの像から欠陥候補を検出する。さらに、判定部１４ａは、ガラス基板Ｇの主表面の位置の計測結果から、検出した欠陥候補の像の、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向における撮像位置が、撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲に含まれるか否かを、判定することにより、検出した欠陥候補が欠陥か否かを判定する。
判定部１４ａによる欠陥候補の検出は、透過型撮像方式で背景が明るく欠陥の像が暗い明視野の場合、ガラス基板Ｇにおいて欠陥となる部分の像の画像階調値（画像階調値は暗い像ほど低いとする）はその周りに比べて低い。したがって、ガラス基板Ｇの像の画像階調値を所定のレベルを閾値として２値化して、２値化したときの画像階調値の低い部分を欠陥候補として検出する。透過型撮像方式で背景が暗く欠陥の像が明るい暗視野の場合、上記閾値と異なる閾値を用いて、２値化したときの画像階調値の高い部分を欠陥候補として検出する。

ガラス基板Ｇの主表面の位置の計測は、上述したように方向Ｙにおいて、撮像デバイス１２ｃと異なる位置に設けられた距離センサ１２ｄにより行なわれるので、ガラス基板Ｇの主表面の距離計測をした計測点とガラス基板Ｇの像の撮像した位置との方向Ｙにおける位置あわせのために、データをＹ方向に関して補正したのち、ガラス基板Ｇの主表面の奥行き方向の位置の計測結果から、欠陥候補の像の、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向における撮像位置が撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲に含まれるか否かを、判定する。なお、撮像デバイス１２ｃの合焦位置（ベストフォーカス位置）は、この位置からのずれの影響で像が大きくぼやけ易い欠陥、例えば泡の欠陥の像が、ガラス基板が変形あるいは振動をしても可能な限り合焦するように、被写界深度の前端位置と後端位置は調整されている。本実施形態で用いる変形や振動をしているガラス基板は、変形や振動をしていないガラス基板に比べて合焦位置から大きく位置ずれし、その位置ずれ量は、撮像デバイス１２ｃの被写界深度の前端位置と後端位置との間の距離よりも極めて大きい。すなわち、被写界深度の前端位置と後端位置との間の距離は上記位置ずれ量に対して無視できる程度に小さい。このため、欠陥候補の像の、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向における撮像位置は、ガラス基板Ｇの主表面の距離計測をした計測位置に近似することができる。このため、ガラス基板Ｇの主表面の距離計測をした計測位置を、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向における撮像位置と定めてもよいが、本実施形態では、計測したガラス基板Ｇの主表面の計測位置からガラス基板Ｇの厚さの半分だけ、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向に移動した位置（ガラス基板Ｇの厚さ方向の中心位置）を、欠陥候補の像の、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向における撮像位置として定めている。このため、本実施形態では、ガラス基板Ｇの主表面の距離計測をした計測位置からガラス基板Ｇの厚さの半分だけ、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向に移動した位置（ガラス基板Ｇの厚さ方向の中心の位置）を、欠陥候補の像の、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向における撮像位置として定める。

なお、欠陥検査をしようとするガラス基板Ｇの厚さ方向の位置が定まっている場合、その位置が上記前端位置と後端位置の範囲内に含まれるように撮像デバイス１２ｃを調整する一方、距離センサ１２ｄで計測したガラス基板Ｇの主表面の位置から、欠陥検査をしようとするガラス基板Ｇの厚さ方向における位置に変換されるように、距離センサ１２ｄで計測した位置を撮像奥行き方向に修正し、修正した位置を、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向における撮像位置と定めてもよい。

撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲は、撮像デバイス１２ｃのレンズ特性で定まる。この欠陥検出許容範囲内で欠陥候補の像が見出される場合、欠陥であることは略確実であるので、検出した欠陥候補が欠陥であるか否かの判定のために、欠陥候補の像の、撮像奥行き方向の撮像位置が、欠陥検出許容範囲に含まれるか否かを、欠陥候補のガラス基板Ｇの主表面上の撮影奥行き方向の位置の計測結果から判定する。
したがって、本実施形態では、判定部１４ａは、欠陥候補の像の、撮像奥行き方向の撮像位置が撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲内にある場合、欠陥候補を欠陥と判定し、欠陥候補の像の、撮像奥行き方向の撮像位置が撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲にない場合、欠陥と判定するには情報が足りない予備欠陥候補である、と判定することができる。欠陥検出許容範囲は、レンズ特性によって異なるが、例えば合焦位置を中心とした±２ｍｍの範囲である。

さらに、判定部１４ａは、検出した欠陥候補の像から欠陥候補の大きさと、欠陥候補の形状及び欠陥候補の像の画像階調値の少なくとも１つと、を特徴情報として取り出す。判定部１４ａは、取り出した特徴情報と、検出した欠陥候補の像の撮影奥行き方向の撮像位置と合焦位置との離間距離（以降、合焦位置からのずれ量という）とを用いて、データベース１４ｄに記憶されている欠陥の像の特徴情報と比較照合することにより、欠陥候補の、欠陥としての種類を特定する。
図３（ａ）は、検出された欠陥候補の像の一例が示されている。図３（ｂ）は、データベース１４ｄに記憶された欠陥の像の中から取り出した、ある種類の欠陥のデータであり、検出した欠陥候補における欠陥の種類と同じ種類の複数の欠陥の像の例を示す図である。例えば、図３（ａ）に示す欠陥候補の像Ｄ１の合焦位置からのずれ量が１．５ｍｍであれば、この合焦位置からのずれ量が１．５ｍｍである、種類の異なる複数の欠陥の像を、データベース１４ｄから取り出し、検出した欠陥候補の像の特徴情報と、取り出した合焦位置からのずれ量が１．５ｍｍの欠陥の像の特徴情報とを比較照合することにより、最も近い欠陥の像を見つけ出す。例えば、図３（ｂ）の欠陥の像Ｄ２を見つけ出す（像の大きさは見出す上では考慮しない）。これにより、欠陥候補の欠陥としての種類を特定することができる。

なお、データベース１４ｄは、上記合焦位置からのずれ量に応じて変化するガラス基板の欠陥の複数の像を、データベース１４ｄに欠陥の種類毎に予め記憶している。本実施形態では、欠陥の輪郭形状及び欠陥の像の画像階調値の少なくとも１つの特徴情報に応じて複数の欠陥の種類を定め、各種類に対応して、合焦位置からのずれ量に応じて変化する欠陥の複数の像（図３（ｂ）参照）を記憶している。欠陥の種類とは、例えば球状の気泡、薄板状、球状、多角形状、あるいは線状の白金凝集物、あるいは耐火物レンガ起因のジルコニア、成形装置内の可動部等から発生する異物、等が挙げられる。これらの欠陥の像は、大きさは異なるが、同じ種類であれば輪郭形状や画像階調値の分布が略同程度であるので、典型的な欠陥の像をデータベース１４ｄに予め記憶しておくとよい。

補正部１４ｃは、欠陥候補の像の撮像奥行き方向の撮像位置が欠陥検出許容範囲にある場合、欠陥候補の像の合焦位置からのずれ量に対応した、データベース１４ｄに記憶される欠陥の像を用いて、検出した欠陥候補の像を、この欠陥候補の像の撮像奥行き方向の撮像位置が撮像デバイス１２ｃの合焦位置にあるときの像に補正する。
図３（ａ）に示す欠陥候補の像Ｄ１を検出し、データベース１４ｄから、図３（ｂ）に示す欠陥の像Ｄ２を見出したとする。欠陥の像Ｄ２は、合焦位置からのずれ量により欠陥の像Ｄ０からぼけた像である。したがって、欠陥の像Ｄ２の大きさ（長さ寸法ｌ２及び幅寸法ｔ２）に対する欠陥の像Ｄ０の大きさの比率（長さ寸法の比率及び幅寸法の比率）を用いて、検出した欠陥候補の像Ｄ１の大きさ（長さ寸法ｌ１及び幅寸法ｔ１）を縮小する大きさの補正を行なう。図３（ｃ）は、補正後の欠陥候補の像Ｄ３の例を示す図である。
また、上記大きさの補正をすることなく、欠陥候補の像のコントラストを変更することもできる。具体的には、欠陥候補の像Ｄ１のコントラストを欠陥の像Ｄ２と欠陥の像Ｄ１を用いて変更する。この場合、欠陥の像Ｄ２，Ｄ０の最も暗い位置を中心としてこの中心からの距離が同じ位置における欠陥の像Ｄ０と像Ｄ２の画像階調値を、各位置毎に取り出し、画像階調値の像Ｄ２から像Ｄ０への変換比率を求める。欠陥候補の像Ｄ１の各位置の画像階調値に、欠陥候補の像Ｄ１の最も暗い位置から各位置までの距離に応じて定まる上記変換比率の値を掛け算することにより、欠陥候補の像Ｄ１のコントラストを変更する。すなわち、欠陥の像Ｄ２の最も暗い位置から離れるにつれ徐々に像が明るくなる画像階調値の分布から欠陥の像Ｄ０の最も暗い位置から離れるにつれ急激に明るくなる画像階調値の分布に変換するための変換比率、すなわち、像Ｄ２，Ｄ０の最も暗い位置からの距離に応じて定まる画像階調値の変換比率を求め、この変換比率を、欠陥候補の像Ｄ１の各位置の画像階調値に掛け算する。このように欠陥候補の像Ｄ１のコントラストを変更する補正により、上記大きさの補正をすることなく、欠陥候補の像Ｄ１から合焦位置における像Ｄ３を推定することができる。なお、欠陥候補の像Ｄ１の輪郭形状が、例えば一方向に長い等の異方性を有する場合、欠陥候補の像Ｄ１と欠陥の像Ｄ２の向きを揃えることを、上記コントラストの補正の前に行なうことが好ましい。

評価部１４ｃは、判定部１４ｄで判定した欠陥候補の欠陥レベルを評価する。具体的には、補正部１４ｃで補正された欠陥候補の像を用いて像の大きさ、画像階調値、及び形状の少なくとも１つを用いて、ガラス基板Ｇの要求品質に適合するレベルにあるか否かを評価する。使用用途によって品質要求は異なるため、ガラス基板Ｇの適合レベルは異なる。
なお、欠陥検査装置１０は、ガラス基板Ｇの製造工程の少なくとも徐冷工程より前の工程、例えば、熔解工程、清澄工程、均質化工程、供給工程、成形工程、及び徐冷工程のいずれかの工程で発生した欠陥を検査対象とすることが好ましい。さらに、徐冷工程より前の工程に加えて、徐冷工程後欠陥検査工程前の工程、例えば切断工程において発生した欠陥を検査対象としてもよい。例えば、切断工程においてガラス基板の表面に傷が発生し、あるいは付着物が付着してできる欠陥も検査対象とすることができる。

（欠陥検査方法）
このような欠陥検査装置１０では、以下の方法で欠陥検査が行なわれる。図４は、本実施形態における欠陥検査のフローの例を示す図である。
まず、ガラス基板Ｇが搬送される途中、撮像デバイス１２ｃによる撮像が行なわれる（ステップＳ１０）。具体的には、撮像デバイス１２ｃは、ガラス基板Ｇの主表面に平行な方向にガラス基板Ｇを搬送する途中、合焦位置を固定してガラス基板Ｇを撮像する。すなわち、本実施形態では、オートフォーカスはしない。ここでは、撮像デバイス１２ｃによる撮像視野内のガラス基板Ｇが方向Ｙに沿って一度に撮像される。この１回の撮像では、撮像デバイス１２ｃの視野内の方向Ｙに沿ったガラス基板の一部分を撮像するが、複数回の撮像によって搬送中のガラス基板Ｇの全体が撮像されるように、すなわち、撮像漏れがないように、撮像デバイス１２ｃの方向Ｙの撮像視野の範囲とガラス基板Ｇの搬送速度とに応じた一定の時間間隔毎の撮像が行なわれる。
ガラス基板Ｇの撮像とともに、ガラス基板Ｇの主表面の撮像奥行き方向の位置の計測が距離センサ１２ｄを用いて行なわれる（ステップＳ１２）。具体的には、搬送中のガラス基板Ｇの撮像の前あるいは後において、距離センサ１２ｄは、搬送中のガラス基板Ｇの撓み変形あるいは振動により変化するガラス基板Ｇの主表面の、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向の位置を計測する。上記撮像及び計測により得られたデータは、オンラインで順次検査本体部１４に送られる。

検査本体部１４の判定部１４ａは、欠陥候補の像の検出とこの像の特徴情報を抽出する（ステップＳ１４）。具体的には、判定部１４ａは、撮像したガラス基板Ｇの像から、ガラス基板Ｇの像の画像階調値を所定のレベルを閾値として２値化して、明視野方式の場合、２値化したときの画像階調値の低い部分を欠陥候補として検出する。暗視野方式の場合、上記閾値と異なる閾値を用いて２値化したときの画像階調値の高い部分を欠陥候補として検出する。さらに、検出した欠陥候補の像から、この像の特徴情報を抽出する。特徴情報は、欠陥候補の像の大きさ（サイズ、面積）の他に、欠陥候補の輪郭形状、欠陥候補の像の画像階調値の少なくとも１つ、を含む。

次に、判定部１４ａは、欠陥候補は欠陥か否かを、ガラス基板Ｇの主表面の、撮像奥行き方向の位置の計測結果を用いて判定する（ステップＳ１６）。具体的には、欠陥候補の像の撮像奥行き方向の撮像位置を、ガラス基板Ｇの主表面の、撮像奥行き方向の位置の計測結果から求め、この撮像位置が撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲にある場合、欠陥候補を欠陥と判定する。一方、欠陥候補の撮像奥行き方向の位置が上記欠陥検出許容範囲にない場合、欠陥と判定するには情報が足りない予備欠陥候補であると判定する。なお、本実施形態では、実測により得られたガラス基板Ｇの主表面の、撮像奥行き方向の位置を、ガラス基板Ｇの厚さの半分だけ、撮像奥行き方向に進めた位置を撮像位置として定める。予備欠陥候補は、欠陥検査終了後、オフラインで更なるガラス基板Ｇの欠陥検査を行なうために、予備欠陥候補の位置を判定部１４ａは記憶する。その後、欠陥候補が欠陥である場合、判定部１２ａは、さらに、欠陥候補の欠陥としての種類の特定を行なう（ステップＳ１８）。欠陥の種類の特定は、データベース１４ｄに記憶されている欠陥の像の特徴情報と比較照合することにより行なわれる。データベース１４ｄは、欠陥の輪郭形状及び欠陥の像の画像階調値の少なくとも１つの特徴情報に応じて複数の欠陥の種類を定め、各種類に対応して、撮像奥行き方向における欠陥の像の撮像位置の、撮像デバイス１２ｃの合焦位置からのずれ量に応じて変化する欠陥の複数の像を記憶している。したがって、特徴情報と、欠陥候補の像の合焦位置からのずれ量（上記撮像位置と合焦位置との間の離間距離）を用いて、データベース１４ｄに記憶されている欠陥の像の特徴情報と比較照合することにより、容易に欠陥候補の、欠陥としての種類を特定することができる。なお、欠陥の種類は、気泡、薄板状の白金凝集物等を含む。

次に、補正部１４ｂは、欠陥候補の像をデータベース１４ｄの中の欠陥の像を用いて補正する（ステップＳ２０）。具体的には、補正部１４ｂは、欠陥候補の像の合焦位置からのずれ量に対応した、データベース１４ｄ内の欠陥の像を用いて、欠陥候補の像を、欠陥候補の像の、撮像奥行き方向の撮像位置が撮像デバイスの合焦位置にあるときの欠陥の像に補正する。この補正では、欠陥候補の像は、合焦位置からのずれによりぼけた像となっている。このため、ぼけた像を予めデータベース１４ｄに記憶していた合焦位置の像となるように補正する。具体的には、少なくとも欠陥候補のぼけた像の大きさを、ぼけていない場合の大きさにする。より具体的には、検出した欠陥候補の像の大きさ（長さ寸法及び幅寸法）を、データベース１４ｄ中の、合焦位置からのずれ量が同じぼけた欠陥の像の大きさ（長さ寸法及び幅寸法）に対する合焦位置にあるシャープな欠陥の像の大きさの比率（長さ寸法の比率及び幅寸法の比率）を用いて、欠陥候補の像を縮小する補正を行なう。
あるいは、上記補正に代えて、さらには、上記補正に加えて、欠陥候補の像Ｄ１のコントラストを欠陥の像Ｄ２と欠陥の像Ｄ１を用いて変更する補正を行なうこともできる。この場合、例えば、欠陥の像Ｄ２の最も暗い位置から離れるにつれ徐々に像が明るくなる画像階調値の分布から欠陥の像Ｄ０の最も暗い位置から離れるにつれ急激に明るくなる画像階調値の分布に変換するための変換比率、すなわち、像Ｄ２，Ｄ０の最も暗い位置からの距離に応じて定まる画像階調値の変換比率を求め、この変換比率を、欠陥候補の像Ｄ１の各位置の画像階調値に掛け算することにより、欠陥候補の像Ｄ１のコントラストを変更する補正を行なう。

次に、評価部１４ｃは、判定部１４ｄで判定した欠陥候補の欠陥レベルを評価する（ステップＳ２２）。具体的には、補正部１４ｃで補正された欠陥候補の像を用いて像の大きさ、画像階調値、及び形状の少なくとも１つを用いて、ガラス基板Ｇの要求品質に適合するレベルにあるか否かを評価する。使用用途によって品質要求は異なるため、ガラス基板Ｇの適合レベルは異なり、ある品質要求では不合格レベルであっても、別の品質要求では合格レベルとなる場合もある。このように、欠陥レベルを複数に分けて評価することが好ましい。

最後に、評価部１４ｃは、ガラス基板Ｇの全領域の検査が終了したか否かを判定する（ステップＳ２４）。検査本体部１４は、ガラス基板Ｇの欠陥検査装置１０の通過開始から時間をカウントすることにより、このカウント結果と、ガラス基板Ｇの搬送速度からガラス基板Ｇの欠陥検査装置１０を通過するガラス基板Ｇ上の位置情報がわかるので、この位置情報からガラス基板Ｇの全領域を検査したか否かを判定することができる。ガラス基板Ｇの全領域の検査が終了していない場合、さらに、撮像デバイス１２ｃ及び距離センサ１２ｄから逐次送られてくるデータを用いてステップＳ１０〜Ｓ２２を繰り返す。

以上のように、本実施形態では、搬送中のガラス基板の撮像の前あるいは後において、搬送中のガラス基板の撓み変形あるいは振動により変化するガラス基板の主表面の、撮像デバイスの撮像奥行き方向の位置を距離センサで計測し、この主表面の位置の計測結果を、欠陥検査に用いるので、検出した欠陥候補が欠陥か否かを精度よく判定することができる。
さらに、本実施形態では、撮像して得られたガラス基板Ｇの像から欠陥候補を検出するとともに、ガラス基板Ｇの主表面の位置の計測結果から、欠陥候補の像の、撮像デバイス１２ｃの撮像奥行き方向における撮像位置が、撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲に含まれるか否かを、判定することにより、検出した欠陥候補が欠陥か否かを判定し、さらに、欠陥と判定した欠陥候補の欠陥レベルを評価する。このため、検出した欠陥候補が欠陥か否かを精度よく判定し、さらに、欠陥のレベルを精度よく評価することができる。さらに、欠陥と判定された欠陥候補でも、欠陥候補の像の、撮像奥行き方向における撮像位置と合焦位置との間の離間距離（撮像位置の合焦位置からのずれ量）によって、欠陥の信頼性の高低の程度を提供することができる。

また、本実施形態では、検出した欠陥候補の像の撮像奥行き方向の撮像位置が撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲にある場合、欠陥候補を欠陥と判定し、欠陥候補の像の撮像奥行き方向の撮像位置が撮像デバイス１２ｃの欠陥検出許容範囲にない場合、欠陥と判定するには情報が足りない予備欠陥候補であると判定する。このため、欠陥として判定されない欠陥候補を、欠陥評価の対象から確実に除去することができる。

また、本実施形態では、検出した欠陥候補の像の、撮像奥行き方向の撮像位置が撮像デバイスの欠陥検出許容範囲にある場合、欠陥候補の像の撮像奥行き方向の撮像位置と撮像デバイス１２ｃの合焦位置との離間距離（合焦位置からのずれ量）に対応した、データベース１２ｄ内の欠陥の像を用いて、欠陥候補の像を、欠陥候補の像の撮像奥行き方向の撮像位置が撮像デバイス１２ｃの合焦位置にあるときの像に補正する。このため、シャープな欠陥の像を用いて欠陥レベルを効率よく評価することができる。
また、上記補正は、欠陥候補の像の大きさを変更する処理を含むので、また、欠陥候補の像のコントラストを変更する処理を含むので、欠陥のレベルを正確に評価することができる。

さらに、本実施形態の判定部１４ａは、検出した欠陥候補の像から欠陥候補の輪郭形状及び欠陥候補の像の画像階調値の少なくとも１つを特徴情報として取り出し、取り出した特徴情報と欠陥候補における合焦位置からのずれ量である離間距離を用いて、データベース１４ｄに記憶されている欠陥の像の特徴情報と比較照合することにより、欠陥候補の、欠陥としての種類を特定する。このため、欠陥候補の像から、欠陥の種類を効率よく特定することができる。

また、ガラス基板Ｇは、後述するように、溶融ガラスからダウンドロー法で成形したシートガラスの両側の縁部を切断した一枚の板である。シートガラスの両側の縁部は、板厚が厚くなった部分を有する一方、上記縁部の内側の部分の板厚は一定である。このため、板厚の変化を考慮することなく、正確に欠陥検査を行なうことができる。

（ガラス基板の製造方法）
上述した欠陥検査の対象となるガラス基板Ｇの製造方法は、特に制限されず、オーバーフローダウンドロー法、フロート法等を用いることができる。以下に説明するガラス基板の製造方法は、オーバーフローダウンドロー法である。フロート法では溶融錫の液面に熔融ガラスを一様に広げてシートガラスをつくるので、錫に起因する付着物がガラス基板の主表面に欠陥として形成され易いが、オーバーフローダウンドロー法では、溶融錫を用いないので欠陥数が少なくなる点で有利である。

図５は、本実施形態のオーバーダウンドロー法を用いたガラス基板の製造方法の一例を示すフローチャートである。ガラス基板の製造方法は、図５に示されるように、主として、熔解工程Ｓ１と、清澄工程Ｓ２と、攪拌工程Ｓ３と、成形工程Ｓ４と、徐冷工程Ｓ５と、切断工程Ｓ６と、欠陥検査工程Ｓ８と、裁断工程Ｓ９と、を備える。

図６は、本実施形態で用いるガラス基板製造装置の構成の一例を示す模式図である。ガラス基板製造装置は、熔解装置１００と、成形装置２００と、切断装置３００と、欠陥検査装置１０と、裁断装置４００と、を有する。熔解装置１００は、熔解槽１０１と、清澄槽１０２と、攪拌槽１０３と、ガラス供給管１０４，１０５，１０６と、を備える。ガラス供給管１０４は、熔解槽１０１と清澄槽１０２を接続する。ガラス供給管１０５は、清澄槽１０２と攪拌槽１０３を接続する。ガラス供給管１０６は、攪拌槽１０３と成形装置２００を接続する。 図６に示す熔解槽１０１では、ガラス原料の投入がバケット１０１ｄを用いて行われる。清澄槽１０２では、熔融ガラスＭＧの温度を調整して、清澄剤の酸化還元反応を利用して熔融ガラスＭＧの清澄が行われる。さらに、攪拌槽１０３では、スターラ１０３ａによって熔融ガラスＭＧが攪拌されて均質化される。成形装置２００では、成形体２１０を用いたオーバーフローダウンドロー法により、熔融ガラスＭＧからシートガラスＳＧが成形される。

熔解工程（Ｓ１）は熔解槽４０で行われる。熔解槽４０では、ガラ ス原料を、熔解槽４０に蓄えられた熔融ガラスの液面に投入し、加熱することにより熔融ガラスＭＧを作る。さらに、熔解槽の内側側壁の１つの底部に設けられた流出口から下流工程に向けて熔融ガラスを流す。
熔解槽の熔融ガラスの加熱は、熔融ガラス自身に電気が流れて自ら発熱し加熱する方法に加えて、バーナーによる火焔を補助的に与えてガラス原料を熔解することもできる。なお、ガラス原料には清澄剤が添加される。清澄剤として、ＳｎＯ₂，Ａｓ₂Ｏ₃，Ｓｂ₂Ｏ₃等が知られているが、特に制限されない。しかし、環境負荷低減の点から、清澄剤としてＳｎＯ₂（酸化錫）を用いることができる。

清澄工程（Ｓ２）は、少なくとも清澄槽１０２において行われる。清澄工程では、清澄槽内の熔融ガラスが昇温されることにより、熔融ガラス中に含まれるＯ₂、ＣＯ₂あるいはＳＯ₂を含んだ泡が、清澄剤の還元反応により生じたＯ₂を吸収して成長し、熔融ガラスの液面に泡は浮上して放出される。さらに、清澄工程では、熔融ガラスの温度を低下させることにより、清澄剤の還元反応により得られた還元物質が酸化反応をする。これにより、熔融ガラスに残存する泡中のＯ₂等のガス成分が熔融ガラス中に再吸収されて、泡が消滅する。清澄剤による酸化反応及び還元反応は、熔融ガラスの温度を制御することにより行われる。なお、清澄工程は、減圧雰囲気の空間を清澄槽につくり、熔融ガラスに存在する泡を減圧雰囲気で成長させて脱泡させる減圧脱泡方式を用いることもできる。この場合、清澄剤を用いない点で有効である。なお、清澄工程では、酸化錫を清澄剤として用いた清澄方法を用いる。

均質化工程（Ｓ３）では、清澄槽１０２から延びるガラス供給管１０５を通って供給された攪拌槽１０３内の熔融ガラスＭＧを、スターラ１０３ａを用いて攪拌することにより、ガラス成分の均質化を行う。これにより、脈理等の原因であるガラスの組成ムラを低減することができる。
供給工程（Ｓ４）では、攪拌槽１０３から延びるガラス供給管１０６を通して熔融ガラスＭＧが成形装置２００に供給される。

成形装置２００では、成形工程（Ｓ５）及び徐冷工程（Ｓ６）が行われる。
成形工程（Ｓ５）では、熔融ガラスＭＧをシートガラスＳＧに成形し、シートガラスＳＧの連続した流れを作る。
徐冷工程（Ｓ６）では、成形されて流れるシートガラスＳＧが所望の厚さになり、内部歪が生じないように、さらに、反りが生じないように冷却される。
切断工程（Ｓ７）では、切断装置３００において、成形装置２００から供給されたシートガラスＳＧを所定の長さに切断することで、板状のガラス基板Ｇを得る。切断されたガラス板Ｇは、上述したように図１に示す搬送機構３０を用いて欠陥検査装置１０を通過する。このとき、ガラス基板Ｇに対して欠陥検査工程（Ｓ８）が行なわれる。欠陥検査は、上述した通りなのでその説明は省略する。なお、欠陥検査工程において、欠陥レベルがいずれのガラス基板の品質要求を満足しない不合格の評価レベルが付されたガラス基板Ｇは、生産ラインから除去される。また、欠陥検査工程で、予備欠陥候補であると判定されたガラス基板Ｇも生産ラインから除去されて、オフラインで欠陥検査の再検査が行なわれる。これにより、オフラインにまわされたガラス基板Ｇは、廃棄対象とするか、評価レベルを付して裁断工程（Ｓ９）に流すかが選択される。
最後に、裁断装置４００によりガラス基板Ｇの裁断工程が行われる（Ｓ９）。裁断工程では、ガラス基板Ｇが要求されたサイズに正確に裁断される。

なお、ガラス基板Ｇの欠陥の種類は、気泡や白金凝集物を含む。ガラス基板Ｇ中の気泡は、例えば清澄工程（Ｓ２）において気泡が十分に除去できないことにより、ガラス基板Ｇに残留したものである。
一方、ガラス供給管１０４、清澄槽１０２、ガラス供給管１０５、攪拌槽１０３、及びガラス供給菅１０６は、その内部を流れる溶融ガラスＭＧの高温に対して耐熱性を持たせるために、白金あるいは白金合金を用いた管状構造物である。白金あるいは白金合金は、耐熱性があるものの、清澄槽１０２あるいは攪拌槽１０３の気相空間中の酸素と触れることにより揮発し易い。この揮発物が清澄槽１０２あるいは攪拌槽１０３内の気相空間の壁面において、温度の低い領域に触れて凝集物を作り、この凝集物の塊の一部が壁面から離脱して熔融ガラスＭＧに落下する場合がある。上記欠陥の１つとして特定される白金凝集物は、上記清澄槽１０２あるいは攪拌槽１０３内の気相空間の壁面で凝集した凝集物の塊の一部が溶融ガラスＭＧに落下したものである。白金凝集物の形状は、平坦な板状を成し、一方、気泡の形状は球体状あるいは楕円球体形状を成している。このため、欠陥の種類を欠陥候補の像の輪郭形状から容易に特定することができる。

（ガラス基板の組成）
本実施形態で用いられるガラス基板は、例えば以下の組成を含む。
ＳｉＯ_２：５０〜７０％、
Ａｌ_２Ｏ_３：０〜２５％、
Ｂ_２Ｏ_３：1〜１５％、
ＭｇＯ：０〜１０％、
ＣａＯ：０〜２０％、
ＳｒＯ：０〜２０％、
ＢａＯ：０〜１０％、
ＲＯ：５〜３０％（ただし、ＲはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａの合量)、を含有する無アルカリガラス。
なお、ガラス基板Ｇはアルカリ金属を微量含んだアルカリ微量含有ガラスであってもよい。アルカリ金属を含有させる場合、Ｒ’_２Ｏの合計が０．１０％以上０．５％以下、好ましくは０．２０％以上０．５％以下(ただし、Ｒ’はＬｉ、Ｎａ及びＫから選ばれる少なくとも１種であり、ガラス基板が含有するものである)含むことが好ましい。勿論、Ｒ’_２Ｏの合計が０．１０％未満でもよい。

以上、本発明のガラス基板の製造方法及び欠陥検査装置について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。

１０ 欠陥検査装置
１２ センサ部
１２ａ 検出部
１２ｂ 照明部
１２ｃ 撮像デバイス
１２ｄ 距離センサ
１４ 検査本体部
１４ａ 判定部
１４ｂ 補正部
１４ｃ 評価部
１４ｄ データベース
３０ 搬送機構
３２ 搬送レール
３４，３６ クリップ
１００ 熔解装置
１０１ 熔解槽
１０１ｄ バケット
１０２ 清澄槽
１０３ 攪拌槽
１０３ａ スターラ
１０４，１０５，１０６ ガラス供給管
２００ 成形装置
２１０ 成形体
３００ 切断装置
４００ 裁断装置

Claims (13)

1. ガラス基板の欠陥検査工程を含むガラス基板の製造方法であって、
   前記欠陥検査工程は、
   ガラス基板の主表面に平行な方向にガラス基板を搬送する途中、ガラス基板の欠陥検査のために、撮像デバイスで合焦位置を固定してガラス基板を撮像する処理と、
   搬送中のガラス基板の撮像の前あるいは後において、搬送中のガラス基板の撓み変形あるいは振動により変化するガラス基板の主表面の、撮像デバイスの撮像奥行き方向の位置を距離センサで計測する処理と、を有し、
   前記主表面の位置の計測結果を、前記欠陥検査に用いる、ことを特徴とするガラス基板の製造方法。
2. さらに、前記欠陥検査工程における欠陥検査では、
   撮像して得られたガラス基板の像から欠陥候補を検出するとともに、前記主表面の位置の計測結果から、前記欠陥候補の像の、前記撮像デバイスの撮像奥行き方向における撮像位置が、前記撮像デバイスの欠陥検出許容範囲に含まれるか否かを、欠陥検査装置の判定部が判定することにより、検出した欠陥候補が欠陥か否かを判定する処理と、
   欠陥と判定した前記欠陥候補の欠陥レベルを評価する処理と、有する請求項１に記載のガラス基板の製造方法。
3. 前記判定部は、
   前記欠陥の判定において、
   前記欠陥候補の像の前記撮像位置が前記撮像デバイスの欠陥検出許容範囲にある場合、前記欠陥候補を欠陥と判定し、
   前記欠陥候補の像の前記撮像位置が前記撮像デバイスの欠陥検出許容範囲にない場合、欠陥と判定するには情報が足りない予備欠陥候補であると判定する、請求項２に記載のガラス基板の製造方法。
4. 前記欠陥検査装置は、前記撮像デバイスの撮像奥行き方向における撮像位置と前記撮像 デバイスの合焦位置との離間距離に応じて変化するガラス基板の欠陥の複数の像を、データベースに予め記憶しておき、
   前記欠陥候補の像の前記撮像位置が前記撮像デバイスの欠陥検出許容範囲にある場合、 前記欠陥候補の像の前記撮像位置と前記撮像デバイスの合焦位置との離間距離に対応した、前記データベース内の欠陥の像を用いて、前記欠陥候補の像を、前記欠陥候補の像の撮像位置が前記撮像デバイスの合焦位置にあるときの像に補正する処理をさらに含む、請求項３に記載のガラス基板の製造方法。
5. 前記データベースは、欠陥の輪郭形状及び欠陥の像の画像階調値の少なくとも１つの特徴情報に応じて複数の欠陥の種類を定め、各種類に対応して、前記撮像デバイスの撮像奥行き方向における欠陥の撮像位置の前記撮像デバイスの合焦位置からのずれ量に応じて変化する欠陥の複数の像を記憶し、
   前記判定部は、検出した前記欠陥候補の像から欠陥候補の輪郭形状及び欠陥候補の像の画像階調値の少なくとも１つを特徴情報として取り出し、取り出した特徴情報と前記欠陥候補における前記離間距離を用いて、前記データベースに記憶されている欠陥の像の特徴情報と比較照合することにより、前記欠陥候補の、欠陥としての種類を特定する、請求項４に記載のガラス基板の製造方法。
6. 前記補正は、前記欠陥候補の像の大きさを変更する処理を含む、請求項４または５に記載のガラス基板の製造方法。
7. 前記補正は、前記欠陥候補の像のコントラストを変更する処理を含む、請求項４〜６のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
8. 前記ガラス基板は、溶融ガラスからダウンドロー法で成形したシートガラスの両側の縁部を切断した一枚の板である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
9. 前記ガラス基板の板厚は、０．７ｍｍ以下であり、前記ガラス基板の上方の縁部を保持しながら前記ガラス基板を搬送する、請求項１〜８のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
10. 前記欠陥検査工程では、前記ガラス基板の製造工程の少なくとも徐冷工程より前の工程で発生した欠陥を検査対象とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載のガラス基板の製造方法。
11. ガラス基板の欠陥検査を行う欠陥検査装置であって、
    ガラス基板の主表面に対して平行な方向にガラス基板を搬送する途中、ガラス基板の欠陥検査のために、ガラス基板を撮像する撮像デバイスと、
    ガラス基板の搬送経路の前記撮像デバイスの上流側あるいは下流側に設けられ、搬送中のガラス基板の撓み変形あるいは振動により変化するガラス基板の主表面の位置を計測する距離センサと、
    前記主表面の位置の計測結果を前記欠陥検査に用いて欠陥の判定を行なう判定部と、含むことを特徴とする欠陥検査装置。
12. 前記判定部は、撮像して得られたガラス基板の像から欠陥候補を検出するとともに、前記主表面の位置の計測結果から、検出した前記欠陥候補の、前記撮像デバイスの撮像奥行き方向における撮像位置が、前記撮像デバイスの欠陥検出許容範囲に含まれるか否かを、判定することにより、検出した欠陥候補が欠陥か否かを判定し、
    さらに、前記判定部で判定した前記欠陥候補の欠陥レベルを評価する評価部と、を含む請求項１１に記載の欠陥検査装置。
13. 前記ガラス基板の製造工程の少なくとも徐冷工程より前の工程で発生した欠陥を検査対象とする、請求項１１または１２に記載の欠陥検査装置。
    

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