JP2015196694A - ポリカーボネート樹脂組成物、及び成形体 - Google Patents

Abstract

【課題】流動性と色調が改善され、高温での成形安定性に優れるポリカーボネート樹脂組成物、及びその成形体を提供する。【解決手段】（１）レゾルシノール誘導体１質量％以下及び／又はフェノール誘導体２．５質量％以下を含有し、該レゾルシノール誘導体と該フェノール誘導体との合計含有量が２．５質量％以下であり、かつ純度が９７．５質量％以上の３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を原料として用い、３５０℃で成形した３ｍｍ厚の成形体における３８０ｎｍ光線透過率が８５．０％以上であるポリカーボネート樹脂（Ａ−１）１０〜１００質量％、及び前記（Ａ−１）以外のポリカーボネート樹脂（Ａ−２）９０〜０質量％からなるポリカーボネート樹脂（Ａ）１００質量部に対して、リン系酸化防止剤（Ｂ）０．００５〜０．５質量部を含有するポリカーボネート樹脂組成物、及び（２）前記ポリカーボネート樹脂組成物を成形してなる成形体である。【選択図】なし

Description

本発明は、ポリカーボネート樹脂組成物、及び成形体に関し、より詳細には、流動性と色調が改善され、高温成形安定性に優れるポリカーボネート樹脂組成物であって、光学成形品、特に、導光板として有用なポリカーボネート樹脂組成物及びそれを用いた成形体に関する

芳香族ポリカーボネート樹脂は、透明性、機械的性質、熱的性質、電気的性質及び耐候性等に優れ、その特性を活かして導光板、レンズ、光ファイバー等の光学成形品に使用されている。光学成形品用の材料には、高い導光性能が要求されることから、共重合ポリカーボネート樹脂の開発や、各種添加剤による性能改良が行われてきた。近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等、従来製品と比べて大画面かつ薄型の表示商品が普及しだしたことから、さらにその材料には流動性の向上が必要となっている。

芳香族ポリカーボネート樹脂の流動性を上げるために、例えば、芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量を下げる方法、あるいは、特許文献１及び２に開示されるように、ポリテトラメチレングリコール等のポリエーテルジオールを共重合した高流動の共重合ポリカーボネート樹脂と組み合わせてポリカーボネート樹脂組成物とする方法が提案されている。しかしながら、このような方法によって流動性を上げると成形体の耐湿性能が低下するという問題があった。更には、高温成形に対応するためにホスファイト（亜リン酸エステル）系の酸化防止剤を芳香族ポリカーボネート樹脂に添加すると、ホスファイト系の酸化防止剤は加水分解し易く、導光板に加工した後も、一定以上の温度、湿度条件で行う耐湿熱試験で加水分解して、導光板の導光性能が低下してしまうという問題があった。また、流動性を上げた低分子量のポリカーボネート樹脂を用いた導光板は、耐湿熱試験後に、導光板内部にクラックが発生し易く、内部欠陥を作り易いという問題もあった。
また、特許文献３には、ｍ−ペンタデシルフェノキシ末端基を有するポリカーボネートを用いた光学記録媒体が記載されているが、色調が十分満足できるものではなかった。

特開２００９−２９８９９４号公報 特開２００９−４０８４３号公報 特開２００３−４１０１１号公報

本発明は、流動性と色調が改善され、高温での成形安定性に優れるポリカーボネート樹脂組成物、及びその成形体を提供することを目的とする。

本発明は、下記１〜１５に関する。
１． 下記一般式（Ｉ）で表わされるレゾルシノール誘導体１質量％以下及び／又は下記一般式（II）で表わされるフェノール誘導体２．５質量％以下を含有し、該レゾルシノール誘導体と該フェノール誘導体との合計含有量が２．５質量％以下であり、かつ純度が９７．５質量％以上の３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を原料として用い、３５０℃で成形した３ｍｍ厚の成形体における３８０ｎｍ光線透過率が８５．０％以上であるポリカーボネート樹脂（Ａ−１）１０〜１００質量％、及び前記（Ａ−１）以外のポリカーボネート樹脂（Ａ−２）９０〜０質量％からなるポリカーボネート樹脂（Ａ）１００質量部に対して、リン系酸化防止剤（Ｂ）０．００５〜０．５質量部を含有するポリカーボネート樹脂組成物。

［式中Ｒ¹、Ｒ²は、水素原子、又は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である。Ｒ³は、水素原子、又は飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は同一であっても異なっていてもよい。但し、上記一般式（II）において、Ｒ¹＝Ｈ、Ｒ³＝Ｃ₁₅Ｈ₃₁で表される３−ペンタデシルフェノールは除く。］
２．前記（Ａ）成分１００質量部に対して、さらに脂肪族環状エポキシ化合物を（Ｃ）０．００１〜０．５質量部含有する、前記１に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
３．前記３−ペンタデシルフェノールの純度が９９．０質量％以上である、前記１又は２に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
４．前記３−ペンタデシルフェノールが蒸留の後、晶析を行うことで得られる、前記１〜３のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
５．前記（Ａ）成分中の３−ペンタデシルフェノキシ基の含有量が０．１〜１０質量％である、前記１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
６．前記（Ｂ）成分がペンタエリスリトール構造を有する、前記１〜５のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
７．前記（Ｂ）成分が下記一般式で表される、ビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトである、前記１〜６のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。

８．前記（Ｃ）成分が、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物、及びこれらの混合物である、前記１〜７のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
９．前記（Ａ）成分１００質量部に対して、さらに官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）０．０２〜０．１５質量部を含有する、前記１〜８のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
１０．前記官能基が、アルコキシ基、アリールオキシ基、ポリオキシアルキレン基、カルボキシル基、シラノール基、アミノ基、メルカプト基、エポキシ基及びビニル基の群から選ばれる少なくとも１種である、前記９に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
１１．前記官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）の屈折率と前記ポリカーボネート樹脂（Ａ）との屈折率との差が０．１３以下である、前記９又は１０に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
１２．前記ポリカーボネート樹脂（Ａ）の粘度平均分子量が８，０００〜１９，０００である、前記１〜１１のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
１３．前記１〜１２のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を成形してなる成形体。
１４．成形体が導光部材である、前記１３に記載の成形体。
１５．導光部材が導光板である、前記１４に記載の成形体。

本発明によれば、流動性と色調が改善され、高温での成形安定性に優れるポリカーボネート樹脂組成物、及び成形体を提供することができる。

［ポリカーボネート樹脂組成物］
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）１０〜１００質量％、及び前記（Ａ−１）以外のポリカーボネート樹脂（Ａ−２）９０〜０質量％からなるポリカーボネート樹脂（Ａ）１００質量部に対して、リン系酸化防止剤（Ｂ）０．００５〜０．５質量部を含有する。以下、本発明のポリカーボネート樹脂組成物について説明する。

〔ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）〕
ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）は、下記一般式（Ｉ）で表わされるレゾルシノール誘導体１質量％以下及び／又は下記一般式（II）で表わされるフェノール誘導体２．５質量％以下を含有し、該レゾルシノール誘導体と該フェノール誘導体との合計含有量が２．５質量％以下であり、かつ純度が９７．５質量％以上の３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を原料として用いて得られるものである。
ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の末端停止剤として用いられる純度が９７．５質量％以上の３−ペンタデシルフェノールは天然物から得られることが好ましい。
なお、本明細書において、純度が９７．５質量％以上の３−ペンタデシルフェノールを「高純度３−ペンタデシルフェノール」ということがある。

＜高純度３−ペンタデシルフェノール＞
本発明に使用される高純度３−ペンタデシルフェノールは、その純度が９７．５質量％以上であることを要する。その純度が９７．５質量％未満であると、ポリカーボネート樹脂等の高分子材料の原料として用いた際に、黄色度が高く、透明性や外観を悪化させる恐れがある。以上の観点から、高純度３−ペンタデシルフェノールの純度は、９９．０質量％以上であることが好ましい。
このような高純度３−ペンタデシルフェノールを得るためには、カシューナッツの殻液の天然物に由来する抽出物が用いられる。特に、カシューナッツの殻液に１０質量％程度含まれるカルダノールを製造原料として用いることが効率的である。カシューナッツ殻液に含まれるカルダノールは、主に、下記一般式（III）で表される、３−ペンタデシルフェノール、３−ペンタデシルフェノールモノエン、３−ペンタデシルフェノールジエン、および３−ペンタデシルフェノールトリエンの混合物である。

上記式（III）中、Ｒ⁴が−（ＣＨ₂）₁₄ＣＨ₃である場合は、３−ペンタデシルフェノールであり、Ｒ⁴が−（ＣＨ₂）₇ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）₅ＣＨ₃である場合は、３−ペンタデシルフェノールモノエンであり、Ｒ⁴が−（ＣＨ₂）₇ＣＨ＝ＣＨＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）ＣＨ₃である場合は、３−ペンタデシルフェノールジエンであり、Ｒ⁴が−（ＣＨ₂）₇ＣＨ＝ＣＨＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨＣＨ₂ＣＨ＝ＣＨ₂である場合は、３−ペンタデシルフェノールトリエンである。

上述したとおり、カシューナッツ殻液に含まれるカルダノールの主成分は、飽和結合及び１〜３個の不飽和二重結合を有する、炭素数が１５の炭化水素基を３位（メタ位）に有するフェノール誘導体からなる。
本発明に使用する純度が９７．５質量％以上の高純度３−ペンタデシルフェノールを効率的に得るためには、カシューナッツ殻液に含まれるカルダノールを用いることが好ましく、このカルダノールを水素添加反応処理することにより得られる粗ペンタデシルフェノール（低純度ペンタデシルフェノール）を用いて高純度化する方法が望ましい。また、カシューナッツ殻液を直接、水素添加処理し、得られた水素添加処理液を蒸留することによって得られる粗ペンタデシルフェノールを用いて高純度化する方法を用いることもできる。なお、市販のペンタデシルフェノールは、カシューナッツ殻液に含まれるカルダノールを水素添加処理して得ているが、その純度は通常９７．５質量％未満であるので、市販のペンタデシルフェノールを用いる場合は、高純度化することが必要である。

＜水素添加処理方法＞
３−ペンタデシルフェノールを得るためには、上述の通りカルダノールの直鎖状炭化水素部分の不飽和結合（二重結合）が水素添加され、飽和結合に変換されることが望ましい。直鎖状炭化水素部分に不飽和結合が多く含まれた状態で３−ペンタデシルフェノール純度を上げるためには、蒸留もしくは晶析を繰り返し行わなければならない場合があり、生産性が低下する。そのため水素添加による不飽和結合の変換率（水添率）は、９０モル％以上が好ましく、９５モル％以上がより好ましい。水素添加後のカルダノール中の不飽和結合の残存率（カルダノールの１分子当たりの不飽和結合の数）は、０．２個／分子以下が好ましく、０．１個／分子以下がより好ましい。
水素添加する方法としては、特に限定されるものではなく、通常の方法を用いることができる。触媒としては、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、白金などの貴金属またはニッケル、或いはこれらから選ばれる金属を活性炭素、活性アルミナ、珪藻土などの担体上に担持したものが挙げられる。反応方式としては、粉末状の触媒を懸濁攪拌しながら反応を行うバッチ方式や、成形した触媒を充填した反応塔を用いた連続方式を採用することができる。水素添加の際の溶媒は、水素添加の方式によっては用いなくてもよいが、溶媒を使用する場合は、通常、アルコール類、エーテル類、エステル類、飽和炭化水素類が挙げられる。水素添加の際の反応温度は、特に限定されないが、通常２０〜２５０℃、好ましくは５０〜２００℃に設定できる。反応温度が低すぎると水素化速度が遅くなり、逆に高すぎると分解生成物が多くなる傾向がある。水素添加の際の水素圧は、通常、常圧〜８０ｋｇｆ／ｃｍ²（常圧〜７８．４×１０⁵Ｐａ）、好ましくは３〜５０ｋｇｆ／ｃｍ²（２．９×１０⁵〜４９．０×１０⁵Ｐａ）に設定できる。

＜高純度化方法＞
上記の水素添加処理方法によって得られる粗ペンタデシルフェノール（低純度ペンタデシルフェノール）の純度は、通常、９０〜９３質量％であり、不純物として種々のレゾルシノール誘導体や３−ペンタデシルフェノール以外のフェノール誘導体を含有している。
なお、本明細書において、レゾルシノール誘導体とは、ＯＲ基（Ｒ＝水素原子、又は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基を示す。）をベンゼン環のメタ位に２個有する構造を持つ化合物であり、フェノール誘導体とは、該ＯＲ基をベンゼン環に１個有する構造を持つ化合物である。

本発明に使用される純度が９７．５質量％以上の高純度３−ペンタデシルフェノールを得る方法としては、前述した水素添加処理方法によって得られる粗ペンタデシルフェノールを、蒸留によって高純度化する方法、晶析によって高純度化する方法、蒸留した後に晶析によって高純度化する方法等を挙げることができる。これらの中では、粗ペンタデシルフェノールを蒸留した後に晶析を行う方法が好ましい。また、純度が９７．５質量％以上に高純度化した３−ペンタデシルフェノールを使用して、更に蒸留や晶析を繰り返すことにより、より高純度の３−ペンタデシルフェノールを得ることができる。
蒸留によって高純度化する方法としては、例えば常圧蒸留や減圧蒸留によって高純度化することができ、中でも減圧蒸留によって高純度化することが好ましい。減圧蒸留で高純度化するに当たっては、主分画を２００〜２６０℃の温度及び１〜１０ｍｍＨｇの圧力とし、減圧蒸留塔内に充填剤を用いて処理することが好ましく、このとき還流比（還流量/留出量）を０．５〜１０とするのが好ましい。減圧蒸留塔内に用いられる充填剤としては、マクマホンパッキング、ディクソンパッキング、ラシヒリング、ボールリング、コイルパック、ヘリパック等の充填剤を用いることができるが、マクマホンパッキングを用いることが好ましい。

晶析によって３−ペンタデシルフェノールを高純度化する方法としては、晶析槽中で粗ペンタデシルフェノールを晶析溶媒に溶解した溶液の温度を低下させ、高純度化を目的とする３−ペンタデシルフェノール溶液の過飽和状態と、該化合物の飽和濃度との差を利用して、３−ペンタデシルフェノールを析出させて３−ペンタデシルフェノールの結晶を生成させ、次いで結晶状態の３−ペンタデシルフェノールを溶液から固液分離することにより、高純度の３−ペンタデシルフェノールを得ることができる。晶析操作は、用いる晶析溶媒の沸点から融点までの幅広い温度域で行なうことができる。また、晶析溶媒は３−ペンタデシルフェノールを溶解することのできる溶媒であれば、特に限定されず、アセトン、酢酸エチル、炭化水素系溶媒、アセトニトリル、メタノール、エタノールなどを用いることができる。これらの中でも、炭化水素系溶媒好ましく、ヘキサン、へプタンがより好ましい。晶析溶媒の使用量は適宜設定することが出来るが、好ましくは３−ペンタデシルフェノール１質量部に対し２〜２０質量部、より好ましくは４〜１０質量部の晶析溶媒を用いることで所望の純度を確保しつつ効率よく生産できる。また、種晶を添加しなくても晶析は可能であるが、種晶を投入することで効率よく晶析が可能となる。
また、晶析槽中で粗ペンタデシルフェノールを晶析溶媒に溶解した溶液の温度を低下させるに当たって、制御冷却法、直線冷却法、自然冷却法などが知られているが、冷却法は特に限定されず、また冷却速度は適宜設定することが出来る。その中でも、制御冷却法は結晶量が少ない初期には温度変化を小さく（冷却速度を遅く）し、結晶量が多くなる終期には温度変化を大きく（冷却速度を速く）することにより、飽和溶液の過飽和度が終始低く一定に保たれるので、二次核の発生が抑制されて、単分散粒子のみが得られるため好ましい。冷却速度として初期段階では好ましくは０℃（温度一定）〜−１０℃／ｈ、より好ましくは０℃（温度一定）〜−５℃／ｈに設定することが好ましく、終期ではによって高純度化する−５℃／ｈ〜−３０℃／ｈ、より好ましくは−１０℃〜−２０℃／ｈで降温させることが好ましい。

上記に記載した高純度化方法により、粗ペンタデシルフェノールから、純度が９７．５質量％以上である３−ペンタデシルフェノールを得ることができる。
本発明に使用される高純度３−ペンタデシルフェノール中には、下記一般式（Ｉ）で表わされるレゾルシノール誘導体を１質量％以下及び／又は下記一般式（II）で表わされるフェノール誘導体を２．５質量％以下含有し、かつ該レゾルシノール誘導体と該フェノール誘導体との合計量が２．５質量％以下であることを要する。該レゾルシノール誘導体及び該フェノール誘導体の含有量が、上記範囲内であると、ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の透明性や外観を向上させることができる。また、高純度３−ペンタデシルフェノールの純度が９９．０質量％以上の場合、該レゾルシノール誘導体の含有量が０．８質量％以下及び／又は該フェノール誘導体の含有量が０．８質量％以下であり、かつ該レゾルシノール誘導体と該フェノール誘導体との合計量が０．８質量％以下であることが望ましい。

［上記一般式（Ｉ）及び一般式（II）中、Ｒ¹、Ｒ²は、水素原子、又は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である。Ｒ³は、水素原子、又は飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は同一であっても異なっていてもよい。但し、上記一般式（II）において、Ｒ¹＝Ｈ、Ｒ³＝Ｃ₁₅Ｈ₃₁で表される３−ペンタデシルフェノールは除く。］

Ｒ¹、Ｒ²が、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基等のアルキル基を例示することができる。Ｒ³が、飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、上記Ｒ¹、Ｒ²で例示したアルキル基の他に、前記アルキル基中に炭素−炭素の不飽和二重結合を１個、もしくは複数個有するモノエン、ジエン、トリエンである不飽和脂肪族炭化水素基を例示することができる。
上記一般式（Ｉ）に含まれる化合物としては、Ｒ¹、Ｒ²が共に水素原子である化合物としては、５−ペンタデシルレゾルシノール、５−メチルレゾルシノール、５−エチルレゾルシノール、５−プロピルレゾルシノール、５−ブチルレゾルシノール、５−ヘキシルレゾルシノール、５−オクチルレゾルシノール、５−デシルレゾルシノール、５−ドデシルレゾルシノール、５−テトラデシルレゾルシノール、５−オクタデシルレゾルシノール、５−ノニルデシルレゾルシノール等のＲ³が炭素数１〜２０のアルキル基である化合物を例示することができ、また前記アルキル基中に、炭素−炭素の不飽和二重結合を１個、もしくは複数個有するモノエン、ジエン、トリエン等の不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。

また、上記一般式（Ｉ）において、Ｒ¹が炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒ²が水素原子であり、Ｒ³が炭素数１〜２０の飽和もしくは不飽和の脂肪族炭化水素基である化合物として、例えば、３−メトキシ−５−ペンタデシルフェノール、３−エトキシ−５−ペンタデシルフェノール、３−プロポキシ−５−ペンタデシルフェノール、３−ブトキシ−５−ペンタデシルフェノール、３−メトキシ−５−ヘキシルフェノール、３−メトキシ−５−オクチルフェノール、３−メトキシ−５−デシルフェノール、３−メトキシ−５−ドデシルフェノール、３−メトキシ−５−テトラデシルフェノール、３−メトキシ−５−ヘプタデシルフェノール、３−メトキシ−５−オクタデシルフェノール、３−メトキシ−５−ノニルデシルフェノール、３−エトキシ−５−ヘキシルフェノール、３−エトキシ−５−オクチルフェノール、３−エトキシ−５−デシルフェノール、３−エトキシ−５−ドデシルフェノール、３−エトキシ−５−テトラデシルフェノール、３−エトキシ−５−ヘプタデシルフェノール、３−エトキシ−５−オクタデシルフェノール、３−エトキシ−５−ノニルデシルフェノール等の化合物を例示することができ、また前記５位のアルキル基中に、炭素−炭素の不飽和二重結合を１個、もしくは複数個有するモノエン、ジエン、トリエン等の不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。

上記一般式（II）に含まれる化合物としては、Ｒ¹が水素原子であり、Ｒ³が飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である化合物としては、３−ヘキシルフェノール、３−オクチルフェノール、３−デシルフェノール、３−ドデシルフェノール、３−トリデシルフェノール、３−テトラデシルフェノール、３−ヘキサデシルフェノール、３−オクタデシルフェノール、３−ノニルデシルフェノール等のアルキル基を３位に有する化合物や前記アルキル基中に炭素−炭素の不飽和二重結合を１個、もしくは複数個有するモノエン、ジエン、トリエン等の不飽和脂肪族炭化水素基であってもよい。
また、Ｒ¹が炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である化合物としては、例えば、３位がヘキシル基である場合、１−メトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−エトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−プロポキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−ブトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−ペントキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−ヘキトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−オクトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−デトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−ドデトキシ−３−ヘキシルベンゼン、１−ブチロデトキシ−３−ヘキシルベンゼン等の化合物を挙げることができる。３位がペンタデシル基である場合、１−メトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−エトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−プロポキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−ブトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−ペントキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−ヘキトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−オクトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−デトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−ドデトキシ−３−ペンタデシルベンゼン、１−ブチロデトキシ−３−ペンタデシルベンゼン等の化合物を挙げることができる。

なお、前記一般式（Ｉ）及び一般式（II）中において、例示したアルキル基は、直鎖状アルキル基であってもよいし、分岐鎖状アルキル基であってもよい。

＜ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）＞
ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）は、好ましくは芳香族ポリカーボネート樹脂であり、主鎖が下記一般式（ＩＶ）で表される繰り返し単位を含む。
ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）は、１種を単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

〔式中、Ｒ⁵及びＲ⁶は、それぞれ独立にハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。Ｘは、単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基、フルオレンジイル基、炭素数７〜１５のアリールアルキレン基、炭素数７〜１５のアリールアルキリデン基、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−Ｏ−又は−ＣＯ−を示す。ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。〕

Ｒ⁵及びＲ⁶がそれぞれ独立して示すハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
Ｒ⁵及びＲ⁶がそれぞれ独立して示すアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、各種ブチル基（「各種」とは、直鎖状及びあらゆる分岐鎖状のものを含むことを示し、以下、同様である。）、各種ペンチル基、各種ヘキシル基が挙げられる。Ｒ⁵及びＲ⁶がそれぞれ独立して示すアルコキシ基としては、アルキル基部位が前記アルキル基である場合が挙げられる。
Ｒ⁵及びＲ⁶としては、いずれも、好ましくは炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のアルコキシ基である。
Ｘが表すアルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ヘキサメチレン基等が挙げられ、炭素数１〜５のアルキレン基が好ましい。Ｘが表すアルキリデン基としては、エチリデン基、イソプロピリデン基等が挙げられる。Ｘが表すシクロアルキレン基としては、シクロペンタンジイル基やシクロヘキサンジイル基、シクロオクタンジイル基等が挙げられ、炭素数５〜１０のシクロアルキレン基が好ましい。Ｘが表すシクロアルキリデン基としては、例えば、シクロヘキシリデン基、３，５，５−トリメチルシクロヘキシリデン基、２−アダマンチリデン基等が挙げられ、炭素数５〜１０のシクロアルキリデン基が好ましく、炭素数５〜８のシクロアルキリデン基がより好ましい。
Ｘが表すアリールアルキレン基のアリール部位、及びＸが表すアリールアルキリデン基のアリール部位としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントリル基などの環形成炭素数６〜１４のアリール基が挙げられる。
ａ及びｂは、それぞれ独立に０〜４の整数を示し、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。

＜ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の製造方法＞
次に、ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の製造方法について説明する。ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）を製造するためには、末端基となる前記高純度３−ペンタデシルフェノールを末端停止剤として用いることが必要である。
末端停止剤としては、高純度３−ペンタデシルフェノール以外の末端停止剤（他の末端停止剤）を高純度３−ペンタデシルフェノールと併用して用いてもよい。他の末端停止剤としては、従来から使用されているポリカーボネート樹脂を製造するための末端停止剤を用いることができ、例えば、フェノール，ｐ−クレゾール，ｐ−ｔ−ブチルフェノール，ｐ−クミルフェノール，トリブロモフェノール，ノニルフェノール，ｐ−ｔ−オクチルフェノールなどが挙げられる。これらの中では、ｐ−ｔ−ブチルフェノールとｐ−クミルフェノールが好ましい。高純度３−ペンタデシルフェノールと他の末端停止剤とを併用して用いる場合、その使用比率は、（３−ペンタデシルフェノール）：（他の末端停止剤）のモル比は、好ましくは９９：１〜２０：８０、より好ましくは９０：１０〜３０：７０である。

ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）を製造するためには、主鎖を構成するための二価フェノールを用いる必要がある。二価フェノールとしては、各種の公知の二価フェノールを用いることができるが、下記一般式（１）で表される二価フェノールを用いることが好ましい。

ここで、上記一般式（１）中、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｘ、ａ及びｂは前記と同じである。
上記一般式（１）で表される二価フェノールとしては、特に限定されないが、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〔通称：ビスフェノールＡ〕が好適である。
ビスフェノールＡ以外の二価フェノールとしては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ナフチルメタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニル）プロパン等のビス（ヒドロキシアリール）アルカン類、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，５，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ノルボルナン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロドデカン等のビス（ヒドロキシアリール）シクロアルカン類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルフェニルエーテル等のジヒドロキシアリールエーテル類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルフィド等のジヒドロキシジアリールスルフィド類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルホキシド等のジヒドロキシジアリールスルホキシド類、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシ−３，３’−ジメチルジフェニルスルホン等のジヒドロキシジアリールスルホン類、４，４’−ジヒドロキシジフェニル等のジヒドロキシジフェニル類、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン等のジヒドロキシジアリールフルオレン類、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）アダマンタン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン等のジヒドロキシジアリールアダマンタン類、４，４’−［１，３−フェニレンビス（１−メチルエチリデン）］ビスフェノール、１０，１０−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−９−アントロン、１，５−ビス（４−ヒドロキシフェニルチオ）−２，３−ジオキサペンタン等が挙げられる。
これらの二価フェノールは、単独で又は二種以上を混合して用いてもよい。

さらに、上記一般式（１）で表される二価フェノールに含まれない二価フェノールとして、下記一般式（２）で表される構成単位を含む二価フェノールを上記一般式（１）で表される二価フェノールと併用して用いることができる。このような構成単位を有する共重合体とすることにより、得られるポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の難燃性および耐衝撃性を向上させることができる。下記一般式（２）で表される構成単位を含む二価フェノールは、下記一般式（２−１）で表されるポリオルガノシロキサンで表わされる。

上記一般式（２）又は一般式（２−１）中、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を示す。Ｚは、アリル基を有するフェノール化合物から誘導される、トリメチレン基を有するフェノール残基を示す。ｎは７０〜１０００を示す。
上記一般式（２−１）で表されるポリオルガノシロキサンは、末端が水素のポリオルガノシロキサンの末端を、例えば、２−アリルフェノール及びオイゲノール等の末端にアリル基を有するフェノール化合物で変性したものである。末端にアリル基を有するフェノール化合物で変性されたポリオルガノシロキサンは、特許第２６６２３１０号公報に記載の方法により合成することができる。
上記ポリオルガノシロキサンとしては、ポリジメチルシロキサンが好適である。

更に、上記の二価フェノールに対して、分岐化剤を用いて、該ポリカーボネート樹脂の主鎖中に分岐構造を有することもできる。この分岐化剤の添加量は、上記の二価フェノールに対して、好ましくは０．０１〜３モル％、より好ましくは０．１〜１．０モル％である。
分岐化剤としては、例えば、１，１，１−トリス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール、α，α’，α”−トリス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、１−［α−メチル−α−（４’−ヒドロキシフェニル）エチル］−４−［α’，α’−ビス（４”−ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、フロログルシン、トリメリット酸、イサチンビス（ｏ−クレゾール）等の官能基を３つ以上有する化合物が挙げられる。

ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）は、カーボネート原料と二価フェノールとを反応させることによって製造される。カーボネート原料とは、縮合反応や交換反応などの重合体生成反応によってポリカーボネート主鎖中にカーボネート結合を生成し得る化合物のことである。このような化合物としては、界面重縮合法によりポリカーボネートを製造する場合には、ホスゲンをはじめ、トリホスゲン、ブロモホスゲン、ビス（２，４，６−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、クロロギ酸トリクロロメチル等のホスゲン誘導体が挙げられる。
また、エステル交換反応法（溶融法）によるポリカーボネートの製造においては、カーボネート原料としては炭酸ジエステルが使用され、炭酸ジエステルとしては、炭酸ジアリール化合物、炭素ジアルキル化合物、炭酸アルキルアリール化合物等が挙げられる。
ここで、炭酸ジアリール化合物の具体例としては、ジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ビスフェノールＡビスフェニルカーボネート等が挙げられる。炭酸ジアルキル化合物の具体例としては、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジシクロヘキシルカーボネート、ビスフェノールＡビスメチルカーボネート等が挙げられる。炭酸アルキルアリール化合物の具体例としては、メチルフェニルカーボネート、エチルフェニルカーボネート、ブチルフェニルカーボネート、シクロヘキシルフェニルカーボネート、ビスフェノールＡメチルフェニルカーボネート等が挙げられる。

ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）は、通常のポリカーボネート樹脂の製造において慣用されている方法、例えば、ホスゲンまたはホスゲン誘導体を使用する界面重縮合法、およびエステル交換法（溶融法）などを用いて製造することができるが、これらの中で界面重縮合法が好ましい。
ホスゲンまたはホスゲン誘導体を用いる界面重縮合法としては、例えば、予め前記二価フェノールのポリカーボネートオリゴマーを前記二価フェノールとホスゲンまたはホスゲン誘導体とから合成しておき、このオリゴマーの不活性有機溶剤溶液に、前記二価フェノールを含有するアルカリ水溶液及び前記高純度３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を加えて反応させる方法、または、前記二価フェノールのアルカリ水溶液、前記高純度３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤及び不活性有機溶剤との混合液にホスゲンまたはホスゲン誘導体を加えて反応させる方法などが挙げられるが、これらの中で前者のオリゴマー法が好適である。

次に、オリゴマー法によりポリカーボネート樹脂（Ａ−１）を製造する方法について説明すると、先ず、アルカリ金属水酸化物の水溶液に前記二価フェノールを溶解させ、二価フェノールのアルカリ水溶液（水酸化ナトリウム等の水溶液）を調整する。次いで、このアルカリ水溶液と不活性有機溶剤（塩化メチレン等の有機溶剤）との混合液にホスゲンまたはホスゲン誘導体を導入して、前記二価フェノールのポリカーボネートオリゴマーを合成する。この際、該アルカリ水溶液のアルカリ濃度は１〜１５質量％の範囲が好ましく、また有機相と水相との容積比は通常５：１〜１：７、好ましくは２：１〜１：４の範囲にあるのが望ましい。反応温度は水浴冷却し、通常０〜５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲で選ばれ、反応時間は通常１５分〜４時間、好ましくは３０分〜２時間程度である。このようにして得られたポリカーボネートオリゴマーの重合度は、通常２０以下、好ましくは２〜１０程度である。

次いで、このようにして得られたポリカーボネートオリゴマーを含む有機相に、前記二価フェノールのアルカリ水溶液、前記高純度３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤、所望により不活性有機溶剤を加えて攪拌等を行うことにより接触させて、通常０〜５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲の温度において、通常１０分〜６時間程度界面重縮合させる。この際、該アルカリ水溶液のアルカリ濃度は１〜１５質量％が好ましく、また有機相と水相との容積比は通常７：１〜１：２、好ましくは４：１〜１：１の範囲にあるのが望ましい。そして、前記二価フェノールとポリカーボネートオリゴマーとの割合は、（二価フェノール）／（ポリカーボネートオリゴマーのクロロホーメート基）のモル比が、通常０.４〜０．５５、好ましくは０．４５〜０．５になるように選ばれる。また、アルカリ金属水酸化物とポリカーボネートオリゴマーとの割合は、（アルカリ金属水酸化物）／（ポリカーボネートオリゴマーのクロロホーメート基）のモル比が、通常１．０〜２．０、好ましくは１．２〜１．７になるように選ばれる。また、末端停止剤の使用量は、（末端停止剤）／（ポリカーボネートオリゴマーのクロロホーメート基）のモル比が、通常０．０２〜０．２０、好ましくは０．０４〜０．１７になるように選ばれる。さらに、この反応において、所望に応じて触媒を用いることができる。触媒の使用量は、（触媒）／（ポリカーボネートオリゴマーのクロロホーメート基）のモル比が、通常１．０×１０^-3〜１０．０×１０^-3、好ましくは１．０×１０^-3〜５．０×１０^-3になるように選ばれる。

ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の製造において用いられるアルカリ金属の水酸化物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、及び水酸化セシウムなどが挙げられる。これらの中では、水酸化ナトリウムと水酸化カリウムが好適である。また、不活性有機溶剤としては、各種のものがある。例えば、ジクロロメタン（塩化メチレン）；クロロホルム；１，１−ジクロロエタン；１，２−ジクロロエタン；１，１，１−トリクロロエタン；１，１，２−トリクロロエタン；１，１，１，２−テトラクロロエタン；１，１，２，２−テトラクロロエタン；ペンタクロロエタン，クロロベンゼンなどの塩素化炭化水素や、アセトフェノンなどが挙げられる。これらの有機溶剤はそれぞれ単独で用いてもよいし、二種以上を組み合わせて用いてもよい。これらの中では、クロロホルムや塩化メチレンが好ましく、特に塩化メチレンが好適である。

前記触媒としては、各種のものを用いることができる。具体的には四級アンモニウム塩，四級ホスホニウム塩あるいは三級アミンなどが挙げられる。四級アンモニウム塩としては、例えば、トリメチルベンジルアンモニウムクロライド，トリエチルベンジルアンモニウムクロライド，トリブチルベンジルアンモニウムクロライド，トリオクチルメチルアンモニウムクロライド，テトラブチルアンモニウムクロライド，テトラブチルアンモニウムブロマイドなどが挙げられる。また、四級ホスホニウム塩としては、例えば、テトラブチルホスホニウムクロライド，テトラブチルホスホニウムブロマイドなどが、そして、三級アミンとしては、例えば、トリエチルアミン，トリブチルアミン，Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミン，ピリジン，ジメチルアニリンなどが挙げられる。
前記触媒の中では、三級アミンが好ましく、特にトリエチルアミンが好適である。このようにして得られたポリカーボネート樹脂を含む有機溶媒溶液から、通常の方法に従って回収操作を行うことにより、ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）を得ることができる。

エステル交換反応法（溶融法）によるポリカーボネート樹脂の製造においては、二価フェノール、炭酸ジエステル、及び前記高純度３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤と、必要に応じ分岐化剤等とを用いて、溶融状態でエステル交換反応させ、副生するフェノールを減圧条件等で系外に除去することで、ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）を得ることができる。エステル交換反応法では、反応促進のためエステル交換触媒を使用することもできる。エステル交換触媒としては、ナトリウム、カルシウム及びセシウム等の塩やアンモニウム塩、ホスホニウム塩が好ましい。

ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）は、高純度３−ペンタデシルフェノールを末端停止剤として用いて得られるものであり、３−ペンタデシルフェノールに由来する末端基を有する。
ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）は、３５０℃で成形した３ｍｍ厚の成形体における３８０ｎｍ光線透過率が８５．０％以上である。前記３８０ｎｍ光線透過率が８５．０％以上であると、透明性が要求される液晶用導光部材、更には薄肉かつ大画面の液晶用導光部材に好適に使用することができる。以上の観点から、前記３８０ｎｍ光線透過率は、８６％以上であることが好ましく、８７％以上であることがより好ましい。
ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の粘度平均分子量は、特に限定されるものではないが、薄肉の成形品を成形する際の流動性と強度を保つ観点から、好ましくは８,０００〜１９,０００、より好ましくは９,０００〜１７,０００、更に好ましくは１０,０００〜１５,０００とすることが望ましい。
ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）のイエローインデックス（ＹＩ）は、好ましくは１．５以下である。ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）のＹＩが１．５以下であると色調に優れ、透明性が要求される液晶用部材に好適に使用することができる。以上の観点から、ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）のＹＩは、１．３以下であることがより好ましく、１．１以下であることが更に好ましい。

〔ポリカーボネート樹脂（Ａ−２）〕
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）以外のポリカーボネート樹脂（Ａ−２）を含有していてもよい。
前記ポリカーボネート樹脂（Ａ−２）としては、特に制限はなく種々の公知のポリカーボネート樹脂を使用できるが、芳香族ポリカーボネート樹脂が好ましい。
該（Ａ−２）成分のポリカーボネート系樹脂の粘度平均分子量は、物性面の観点から、好ましくは１０，０００〜４０，０００、より好ましくは１１，０００〜１７，０００である。

上記芳香族ポリカーボネート樹脂は、主鎖が下記一般式（Ｖ）で表される繰り返し単位からなるものであることが好ましい。

［式中、Ｒ⁹及びＲ¹⁰は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。Ｘ’は単結合、炭素数１〜８のアルキレン基、炭素数２〜８のアルキリデン基、炭素数５〜１５のシクロアルキレン基、炭素数５〜１５のシクロアルキリデン基、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−Ｏ−又は−ＣＯ−を示す。ｄ及びｅは、それぞれ独立に０〜４の整数を示す。］
Ｒ⁹及びＲ¹⁰の具体例としては、前記Ｒ⁵及びＲ⁶と同じものが挙げられる。Ｒ⁹及びＲ¹⁰としては、好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数１〜６のアルコキシ基である。Ｘ’の具体例としては、前記Ｘと同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。ｄ及びｅは、それぞれ独立に、好ましくは０〜２、より好ましくは０又は１である。

上記芳香族ポリカーボネート樹脂は、具体的には、反応に不活性な有機溶媒、アルカリ水溶液の存在下、芳香族二価フェノール系化合物及びホスゲンと反応させた後、第三級アミンもしくは第四級アンモニウム塩等の重合触媒を添加して重合させる界面重合法や、芳香族二価フェノール系化合物をピリジン又はピリジンと不活性溶媒の混合溶液に溶解し、ホスゲンを導入し直接製造するピリジン法等、従来の芳香族ポリカーボネートの製造法により得られるものを使用できる。
上記の反応に際し、必要に応じて、分子量調節剤（末端停止剤）、分岐化剤等が使用される。
なお、上記芳香族二価フェノール系化合物としては、下記一般式（３）で表されるものが挙げられる。

［式中、Ｒ⁹、Ｒ¹⁰、Ｘ’、ｄ及びｅは前記定義の通りであり、好ましいものも同じである。］
該芳香族二価フェノール系化合物の具体例としては、上記一般式（１）で表される二価フェノールと同じものが挙げられ、好ましいものも同じである。また、上記一般式（３）で表される二価フェノールに含まれない二価フェノールとして、上記一般式（２）で表される構成単位を含む二価フェノールである、上記一般式（２−１）で表されるポリオルガノシロキサンを一般式（３）で表される二価フェノールと併用して用いることができる。
上記二価フェノールは１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。

分岐化剤としては、前記で例示したものが同様に挙げられる。
末端停止剤としては、従来から使用されているポリカーボネート樹脂を製造するための末端停止剤を用いることができ、例えば、フェノール，ｐ−クレゾール，ｐ−ｔ−ブチルフェノール，ｐ−クミルフェノール，トリブロモフェノール，ノニルフェノール，ｐ−ｔ−オクチルフェノールなどが挙げられる。これらの中では、ｐ−ｔ−ブチルフェノールとｐ−クミルフェノールが好ましい。

〔ポリカーボネート樹脂（Ａ）〕
ポリカーボネート樹脂（Ａ）は、前記ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）１０〜１００質量％、及び前記ポリカーボネート樹脂（Ａ−２）９０〜０質量％からなる。
前記ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の含有量は、（Ａ）成分中、１０〜１００質量％、好ましくは３０〜１００質量％、より好ましくは５０〜１００質量％、更に好ましくは７０〜１００質量％である。
本発明のポリカーボネート樹脂組成物に上記（Ａ−１）成分以外のポリカーボネート系樹脂（Ａ−２）を含有させる場合、その含有量は、（Ａ）成分中、９０質量％以下、好ましくは７０質量％以下、より好ましくは５０質量％以下、更に好ましくは３０質量％以下である。
前記（Ａ）成分中の３−ペンタデシルフェノキシ基の含有量は、好ましくは０．１〜１０質量％、より好ましくは０．５〜８質量％、更に好ましくは０．８〜７質量％である。（Ａ）成分中の３−ペンタデシルフェノキシの含有量が前記の範囲であれば、流動性が向上し、色調が改善するとともに、耐久性が向上する。
ポリカーボネート樹脂（Ａ）の粘度平均分子量は、特に限定されるものではないが、薄肉の成形品を成形する際の流動性と強度を保つ観点から、好ましくは８,０００〜１９,０００、より好ましくは９,０００〜１７,０００、更に好ましくは１０,０００〜１５,０００とすることが望ましい。

〔リン系酸化防止剤（Ｂ）〕
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、リン系酸化防止剤（Ｂ）を含む。リン系酸化防止剤（Ｂ）を含むことで、ポリカーボネート樹脂組成物のＹＩ値の上昇を抑え、さらに成形加工時に樹脂組成物を高温で滞留しても、良好な色調を保持することができ、優れた加工安定性をポリカーボネート樹脂組成物に付与することができる。

リン系酸化防止剤としては、亜リン酸、亜ホスホン酸、ホスホン酸及びこれらのエステル並びに第３級ホスフィンなどを用いることができる。中でも、ペンタエリスリトール構造を有するものが好ましく、下記一般式（４）で表されるペンタエリスリトール構造を有する亜リン酸エステルがより好ましい。

一般式（４）中、Ｒ⁷及びＲ⁸は、それぞれ水素、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を示す。なお、シクロアルキル基及びアリール基は、アルキル基で置換されていてもよい。
Ｒ⁷及びＲ⁸がアリール基である場合、Ｒ⁷及びＲ⁸は下記一般式（ａ）、（ｂ）または（ｃ）で表されるアリール基が好ましい。

［式（ａ）中、Ｒ⁹は炭素数１〜１０のアルキル基を表す。］

［式（ｂ）中、Ｒ¹⁰は炭素数１〜１０のアルキル基を表す。］

前記一般式（４）で表されるペンタエリスリトール構造を有する亜リン酸エステルとしては、具体的には、下記一般式（５）のビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、下記一般式（６）のビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトの他、下記一般式（７）〜（１０）の化合物を例示することができる。

これらの中で、リン系酸化防止剤（Ｂ）としては、前記一般式（５）のビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト［例えば、アデカスタブＰＥＰ−３６：（株）ＡＤＥＫＡ（株）製］、前記一般式（６）のビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト［例えば、Doverphos S-9228PC：Dover Chemical Corporation製］が好ましく、前記一般式（６）のビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトがより好ましい。

本発明のポリカーボネート樹脂組成物における、リン系酸化防止剤（Ｂ）の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、０．００５〜０．５質量部であり、好ましくは０．０１〜０．２質量部、より好ましくは０．０２〜０．１質量部である。０．００５質量部未満であると、ＹＩ値の上昇を抑えることができないとともに、成形加工時に樹脂組成物を高温で滞留すると、良好な色調を保持することができない。一方、０．５質量部を超えると、分解物によるポリカーボネートの加水分解が促進され、所望の性能を発現できなくなる。

〔脂肪族環状エポキシ化合物（Ｃ）〕
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、必要に応じて脂肪族環状エポキシ化合物（Ｃ）を含有することができる。
脂肪族環状エポキシ樹脂（Ｃ）としては、構造の一部がエポキシ化された化合物が挙げられる。本発明のポリカーボネート樹脂組成物に脂肪族環状エポキシ化合物（Ｃ）を含有させることにより、成形体の耐久性を向上させることができる。
そのような脂肪族環状エポキシ化合物（Ｃ）の中でも、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（ダイセル化学工業社製の商品名「セロキサイド２０２１Ｐ」等）、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物（ダイセル化学工業社製の商品名「ＥＨＰＥ３１５０」等）、これら２種の混合物（ダイセル化学工業社製の商品名ＥＨＰＥ３１５０ＣＥ）が好ましい。

本発明のポリカーボネート樹脂組成物における、脂肪族環状エポキシ化合物（Ｃ）の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して、好ましくは０．００１〜０．５質量部である。前記含有量が０．００１質量部以上であると、耐久性が十分に向上し、０．５質量部以下であると、白濁が抑えられ、色調が良好となる。以上の観点から、脂肪族環状エポキシ化合物（Ｃ）の含有量は、より好ましくは０．００５〜０．３質量部であり、更に好ましくは０．０１〜０．１質量部である。

〔官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）〕
本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、必要に応じて官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）を含有することができる。
上記官能基を有するポリオルガノシロキサンは、アルコキシ基、アリールオキシ基、ポリオキシアルキレン基、カルボキシル基、シラノール基、アミノ基、メルカプト基、エポキシ基及びビニル基の群から選択される少なくとも１種の官能基を有することが好ましい。

上記官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）の粘度は、滑性効果の観点から、２５℃において、好ましくは１０ｍｍ²／秒以上であり、ポリカーボネート樹脂（Ａ）への分散性の観点から、より好ましくは２００ｍｍ²／秒以下である。上記観点から、上記官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）の粘度範囲は、さらに好ましくは２０〜１５０ｍｍ²／秒、特に好ましくは４０〜１２０ｍｍ²／秒である。

上記官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）の屈折率は、本発明のポリカーボネート樹脂組成物の透明性を低下させないために、ポリカーボネート樹脂（Ａ）との屈折率の差をできるだけ小さくすることが好ましい。以上の観点から、上記官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）の屈折率と前記ポリカーボネート樹脂（Ａ）との屈折率との差は、好ましくは、０．１３以下、より好ましくは０．０８以下、更に好ましくは０．０５以下である。また、ポリカーボネート樹脂の屈折率は約１．５８であることから、上記官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）の屈折率は、好ましくは１．４５以上、より好ましくは１．５０以上、更に好ましくは１．５１以上である。

本発明のポリカーボネート樹脂組成物における、官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）の含有量は、ポリカーボネート樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは０．０２〜０．１５質量部、より好ましくは０．０３〜０．１２質量部である。（Ｄ）成分の含有量が上記の範囲で配合すれば、他の成分と共に、離型性を向上させることができる。さらに３００℃を大きく超えるような高温成形条件下、特に連続成形条件下であっても、シルバーの発生や、金型付着物を大幅に低減することができる。

［ポリカーボネート樹脂組成物／成形体］
本発明のポリカーボネート樹脂組成物には、上述の（Ａ）成分、及び（Ｂ）成分、及び必要に応じて添加される上述の（Ｃ）成分、及び（Ｄ）成分の他、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、従来、ポリカーボネート樹脂組成物に添加される公知の種々の添加剤の配合が可能である。
これらの添加剤としては、リン系酸化防止剤以外の酸化防止剤、紫外線吸収剤、難燃剤、離型剤、無機充填材（ガラス繊維、タルク、酸化チタン、マイカ等）、着色剤、光拡散剤等が挙げられる。

本発明のポリカーボネート系樹脂組成物からなる成形体は、上述の各成分を配合し、混練したものを成形することで得られる。
混練方法としては、特に制限されず、例えば、リボンブレンダー、ヘンシェルミキサー、バンバリーミキサー、ドラムタンブラー、単軸スクリュー押出機、二軸スクリュー押出機、コニーダ、多軸スクリュー押出機等を用いる方法が挙げられる。また、混練の際の加熱温度は、通常２４０〜３３０℃、好ましくは２５０〜３２０℃の範囲で選択される。
成形方法としては、従来公知の各種成形方法を用いることができ、例えば、射出成形法、射出圧縮成形法、押出成形法、ブロー成形法、プレス成形法、真空成形法及び発泡成形法等が挙げられる。

なお、ポリカーボネート樹脂以外の含有成分は、あらかじめ、ポリカーボネート樹脂又は他の熱可塑性樹脂と溶融混練、即ち、マスターバッチとして添加することもできる。
また、ペレット化させ、射出成形することが好ましく、一般的な射出成形法又は射出圧縮成形法、そしてガスアシスト成形法等の特殊成形法を用いることができ、各種成形品を製造することができる。
本発明のポリカーボネート樹脂組成物を成形してなる成形体は、導光部材や光拡散板用の樹脂として好適に用いることができる。導光部材としては、携帯電話、液晶テレビ、パソコン、電子辞書、電子書籍、スマートフォンやタブレットＰＣ等に用いられる液晶表示装置の導光板等の液晶機器用導光部材、ヘッドランプに付随するデイタイムランニングライトやＬＥＤ照明等に用いられる導光部材が挙げられる。本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、流動性に優れるため、特に、厚みの薄い成形体を製造する場合は、射出成形により成形することが望ましく、液晶表示装置の導光板や光拡散板用の樹脂として好適に用いることができる。

以下に実施例を挙げ、本発明をさらに詳しく説明する。なお、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。なお、実施例及び比較例中の測定評価は以下に示す方法でおこなった。

＜３−ペンタデシルフェノールの純度及び不純物量の測定方法＞
３−ペンタデシルフェノール、及びレゾルシノール誘導体は、アジレント・テクノロジー製；「ＡＧＩＬＥＮＴ１２００」にて、カラムに「Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ ＯＤＳ」（４．６ｍｍＩＤ×１５０ｍｍ，粒径３μｍ）、移動相にアセトニトリル／ギ酸バッファー＝９５／５（ｖｏｌ／ｖｏｌ）を用いて測定した。
フェノール誘導体は、日本電子株式会社製；「ＪＭＳ−Ｑ１０００ＧＣ」にて、長さ３０ｍ×内径２５０μｍ×膜厚０．２５μｍのカラム「ＶＦ-１」を用いて測定した。

＜粘度数（ＶＮ）の測定＞
ポリカーボネート樹脂の粘度数（ＶＮ）は、ＩＳＯ１６２８−４（１９９９）に準拠して測定した。
＜粘度平均分子量（Ｍｖ）の測定＞
ポリカーボネート樹脂の粘度平均分子量（Ｍｖ）は、ウベローデ型粘度計を用いて、２０℃における塩化メチレン溶液の粘度を測定し、これより極限粘度［η］を求め、次式にて算出するものである。
［η］＝１．２３×１０^-5Ｍｖ^0.83

＜光線透過率の測定＞
得られたポリカーボネート樹脂１００質量部に、アデカスタブＰＥＰ３６〔株式会社ＡＤＥＫＡ製、ビス（２，６−ジーｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト〕を５００質量ｐｐｍ添加し、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機によって樹脂温２８０℃、スクリュー回転数１００ｒｐｍで溶融混練押出し、ペレットを得、得られたペレットを用い、シリンダー温度３５０℃で射出成形した３ｍｍ厚の成形体の３８０ｎｍ光線透過率を日立ハイテクノロジーズ社製のＵ−４１００分光光度計で測定した。合格基準は、３８０ｎｍの透過率が８５％以上である。

＜末端基組成量の測定＞
日本電子株式会社製；「ＪＮＭ−ＬＡ５００」を用い、¹Ｈ−ＮＭＲを測定して、ポリカーボネート樹脂の末端基組成量を算出した。また、末端基組成量からポリカーボネート樹脂中の３−ペンタデシルフェノキシ基の含有量（質量％）を算出した。

調製例１
内径３０ｍｍ、容量５００ｍＬのカラムにマクマホンパッキング（Ｍｃ．ＭＡＨＯＮ Ｐａｃｋｉｎｇ、規格サイズ：６ｍｍ）を充填して精留塔とし、内温測定装置の付いた２Ｌフラスコに取り付け、充填塔頂には還流比（還流量/留出量）を調整する器具と塔頂温度を測定する装置、更には減圧度調整装置を取り付けた。３−ペンタデシルフェノール（東京化成工業株式会社製、純度９２．１０質量％、レゾルシノール誘導体：２．１５質量％、フェノール誘導体５．１１質量％）１００６．９６ｇをフラスコに供給し、窒素置換後、加熱減圧を開始した。減圧度２ｍｍＨｇ、還流量/留出量＝１に設定し、塔頂温度２０５〜２１０℃の留分を分取した。この時、フラスコ温度は２３０〜２４５℃であった。分取量は８２５．７１ｇ（仕込みの８２質量％）、３−ペンタデシルフェノールの純度は９３．６１質量％であった。
次に、得られた粗３−ペンタデシルフェノールを６０℃の湯浴にて融解させ規格瓶に７０ｇ秤量した後、４２０ｇのｎ−ヘキサンを加え溶解させた。室温にて１２時間静置し、析出した固体を減圧濾過した後、室温にて８時間減圧乾燥することにより対応する３−ペンタデシルフェノール４８ｇを得た。得られた３−ペンタデシルフェノール中の３−ペンタデシルフェノール含有率は９７．７５質量％であった。得られた純度９７．７５質量％の３−ペンタデシルフェノール７０ｇを６０℃の湯浴にて融解させ、規格瓶に７０ｇ秤量した後、４２０ｇのｎ−ヘキサンを加え溶解させた。室温にて１２時間静置し、析出した固体を減圧濾過した後、室温にて８時間減圧乾燥することにより、純度９９．３３質量％の３−ペンタデシルフェノール５４ｇを得た。得られた３−ペンタデシルフェノール中のレゾルシノー誘導体含有率は０．２３質量％、フェノール誘導体は０．０２質量％であった。

製造例１
〔ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の製造〕
（１）ポリカーボネートオリゴマーの製造
濃度５．６質量％水酸化ナトリウム水溶液に、後に溶解するビスフェノールＡ（ＢＰＡ）に対して０．２質量％の亜二チオン酸ナトリウムを加え、ここにＢＰＡ濃度が１３．５質量％になるようにＢＰＡを溶解し、ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液を調製した。内径６ｍｍ、管長３０ｍの管型反応器に、上記ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液を４０Ｌ／ｈｒ及び塩化メチレンを１５Ｌ／ｈｒの流量で連続的に通すと共に、ホスゲンを４．０ｋｇ／ｈｒの流量で連続的に通した。管型反応器はジャケット部分を有しており、ジャケットに冷却水を通して反応液の温度を４０℃以下に保った。
管型反応器から送出された反応液は、後退翼を備えた内容積４０Ｌのバッフル付き槽型反応器へ連続的に導入され、ここにさらにＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液を２．８Ｌ／ｈｒ、２５質量％水酸化ナトリウム水溶液を０．０７Ｌ／ｈｒ、水を１７Ｌ／ｈｒ、１質量％トリエチルアミン水溶液を０．６４Ｌ／ｈｒ、２０質量％ｐ−ｔ−ブチルフェノール（ＰＴＢＰ）の塩化メチレン溶液を１４９．２ｋｇ/ｈｒの流量で供給し、２９〜３２℃で反応を行った。槽型反応器から反応液を連続的に抜き出し、静置することで水相を分離除去し、塩化メチレン相を採取した。このようにして得られたポリカーボネートオリゴマー溶液は、オリゴマー濃度３２１ｇ／Ｌ、クロロホーメート基濃度０．７５ｍｏｌ／Ｌであった。

（２）ポリカーボネート樹脂の製造
邪魔板、パドル型攪拌翼を備えた内容積５０Ｌの槽型反応器に上記オリゴマー溶液１９Ｌ、塩化メチレン１１Ｌを仕込み、調製例１で得られた純度９９．３３質量％の３−ペンタデシルフェノール（ｍ−ＰＤＰ）３６１ｇ、及びＰＴＢＰ６４ｇを溶解後、トリエチルアミン５．６ｍＬを加え、ここに６．４質量％水酸化ナトリウム水溶液１８１４ｇを攪拌下で添加し、１０分間反応を行った。ＢＰＡの水酸化ナトリウム水溶液（ＮａＯＨ７０１ｇと亜二チオン酸ナトリウム２．９ｇを水１０．８Ｌに溶解した水溶液に、ＢＰＡ１４６２ｇを溶解したもの）を添加し、５０分間重合反応を行った。
希釈のため塩化メチレン４Ｌを加え１０分間攪拌した後、ポリカーボネートを含む有機相と過剰のビスフェノールＡ及びＮａＯＨを含む水相に分離し、有機相を単離した。得られたポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を、その溶液に対し順次１５容量％の０．０３ｍｏｌ／Ｌ水酸化ナトリウム水溶液と０．２ｍｏｌ／Ｌ塩酸で洗浄し、次いで洗浄後の水相中の電気伝導度が０．５ｍＳ／ｍ以下になるまで純水で洗浄を繰り返した。洗浄により得られたポリカーボネート樹脂の塩化メチレン溶液を濃縮・粉砕し、得られたフレークを減圧下、１００℃で乾燥し、ポリカーボネート樹脂を得た。¹Ｈ−ＮＭＲにより求めたｍ−ＰＤＰの組成比は４．０７ｍｏｌ％であり、ＰＴＢＰの組成比は４．２４ｍｏｌ％であった。ポリカーボネート樹脂の３８０ｎｍ光線透過率は８７．９５％であった。

製造例２
〔ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の製造〕
製造例１の（２）ポリカーボネート樹脂の製造において、ＰＴＢＰ６４ｇを使用しなかったこと以外は、製造例１と同様の方法により、ポリカーボネート樹脂を得た。¹Ｈ−ＮＭＲにより求めたｍ−ＰＤＰの組成比は４．０８ｍｏｌ％であり、ＰＴＢＰの組成比は２．８９ｍｏｌ％であった。ポリカーボネート樹脂の３８０ｎｍ光線透過率は８７．９０％であった。

製造例３
〔ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の製造〕
製造例１の（２）ポリカーボネート樹脂の製造において、ｍ−ＰＤＰの使用量を３６１ｇから７２ｇに変更し、かつＰＴＢＰの使用量を６４ｇから１７１ｇに変更したこと以外は、製造例１と同様の方法により、ポリカーボネート樹脂を得た。¹Ｈ−ＮＭＲにより求めたｍ−ＰＤＰの組成比は０．８０ｍｏｌ％であり、ＰＴＢＰの組成比は６．７４ｍｏｌ％であった。ポリカーボネート樹脂の３８０ｎｍ光線透過率は８６．９２％であった。

製造例４
〔ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の製造〕
製造例１の（２）ポリカーボネート樹脂の製造において、ｍ−ＰＤＰの使用量を３６１ｇから２１７ｇに変更し、かつＰＴＢＰの使用量を６４ｇから１００ｇに変更したこと以外は、製造例１と同様の方法により、ポリカーボネート樹脂を得た。¹Ｈ−ＮＭＲにより求めたｍ−ＰＤＰの組成比は２．４１ｍｏｌ％であり、ＰＴＢＰの組成比は５．１４ｍｏｌ％であった。ポリカーボネート樹脂の３８０ｎｍ光線透過率は８７．６０％であった。

製造例５
〔ポリカーボネート樹脂（Ａ−１）の製造〕
製造例１の（２）ポリカーボネート樹脂の製造において、ＰＴＢＰの使用量を６４ｇから２９ｇに変更したこと以外は、製造例１と同様の方法により、ポリカーボネート樹脂を得た。¹Ｈ−ＮＭＲにより求めたｍ−ＰＤＰの組成比は４．０６ｍｏｌ％であり、ＰＴＢＰの組成比は３．２７ｍｏｌ％あった。ポリカーボネート樹脂の３８０ｎｍ光線透過率は８７．８６％であった。

実施例１〜１４、比較例１〜４
〔ポリカーボネート樹脂組成物の製造〕
表１に記載のポリカーボネート樹脂（Ａ）１００質量部に、表１に記載のリン系酸化防止剤（Ｂ）０．０５質量部を配合し、さらに表１に記載の脂肪族環状エポキシ化合物（Ｃ）及び官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）を表１に記載の割合で配合し、ベント付き４０ｍｍφの単軸押出機を用いて樹脂温度２８０℃、スクリュー回転数１０００ｐｐｍで溶融混練押出し、造粒し、ポリカーボネート樹脂組成物のペレットを得た。
用いた成形材料及び成形体の性能評価方法を次に示す。結果を表１に示す。

（Ａ−１）成分
「ＰＤＰ１１００−５」製造例１で得られたポリカーボネート樹脂
「ＰＤＰ１３００−５」製造例２で得られたポリカーボネート樹脂
「ＰＤＰ１２００−１」製造例３で得られたポリカーボネート樹脂
「ＰＤＰ１２００−３」製造例４で得られたポリカーボネート樹脂
「ＰＤＰ１２００−５」製造例５で得られたポリカーボネート樹脂
（Ａ−２）成分
「タフロン ＦＮ１２００」（出光興産（株）製、ビスフェノールＡポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量（Ｍｖ）＝１１５００）
「タフロン ＦＮ１５００」（出光興産（株）製、ビスフェノールＡポリカーボネート樹脂、粘度平均分子量（Ｍｖ）＝１４５００）
（Ｂ）成分
「アデカスタブＰＥＰ−３６」（（株）ＡＤＥＫＡ製、ビス（２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト）
「Ｄｏｖｅｒｐｈｏｓ Ｓ−９２２８ＰＣ」（Ｄｏｖｅｒ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、ビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト）
（Ｃ）成分
「セロキサイド２０２１Ｐ」（ダイセル化学工業（株）製、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート）
（Ｄ）成分
「ＫＲ５１１」（信越シリコーン（株）製、メトキシ基、フェニル基及びビニル基を有するオルガノポリシロキサン、屈折率＝１．５１８）

［性能評価］
（１）ＭＶＲ
上記方法で得られたペレットを、安田精機株式会社製、機器名ＭＦＲ計 Ｅ号機を用い、３００℃、荷重１．２ｋｇで、溶融流動性ＭＶＲ（ｃｍ³／１０分）を測定した。

（２）ＹＩ値
上記で得られたペレットを用い、３２０℃のシリンダー温度設定で、金型温度８０℃、サイクル時間５０秒にて５０ｍｍ×９０ｍｍ×厚さ５ｍｍの平板状成形体を成形した。得られた成形体について、分光光度計を用い、Ｃ光源、２度視野の条件でＹＩ値を測定した。

（３）ＹＩ値（３５０℃、３分）及びＹＩ値（３５０℃、１０分）
上記方法で得られたペレットについて、射出成形により以下のように滞留熱安定性試験を行い、滞留時間３分及び１０分の成形品のＹＩ値を測定した。
〈射出成形〉
射出成形機：東芝機械（株）製 ＥＣ４０Ｎ（商品名）
成形品形状：８０ｍｍ×４０ｍｍ×３．２ｍｍ
成形機シリンダー温度：３５０℃
シリンダー内滞留時間：３分又は１０分
金型温度：８０℃
（４）曲げ強度
３５０℃のシリンダー温度設定で、金型温度１１０℃、サイクル時間５０秒にて５０ｍｍ×９０ｍｍ×厚さ０．５ｍｍの平板状成形体を成形した。得られた成形体を支点間３０ｍｍに設定した５０ｍｍ幅の治具の上に、上記サンプルを載せて、試験速度０．５ｍｍ/ｍで試験を実施し、成形体の曲げ強度を測定した。

上記実施例１〜１４と比較例１〜４との対比から、本発明に属する、末端停止剤として高純度３−ペンタデシルフェノールを用いて製造されたポリカーボネート樹脂を含む樹脂組成物は、従来のポリカーボネート樹脂を含む樹脂組成物と比較して、流動性に優れ、ＹＩ値が低く、色調及び透明性に優れ、高温での成形安定性に優れていることがわかる。

本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、流動性に優れ、光線透過率及び輝度に優れ、高温での成形安定性に優れ、光透過性に優れた成形体を得ることができ、成形体が高温高湿環境下に長時間あっても、変色や劣化が起きない。そのため、本発明のポリカーボネート樹脂組成物は、特に、光学成形品、特に、導光板として有用であり、さらに薄肉大画面の液晶表示装置用の導光板として有用である。

Claims (15)

1. 下記一般式（Ｉ）で表わされるレゾルシノール誘導体１質量％以下及び／又は下記一般式（II）で表わされるフェノール誘導体２．５質量％以下を含有し、該レゾルシノール誘導体と該フェノール誘導体との合計含有量が２．５質量％以下であり、かつ純度が９７．５質量％以上の３−ペンタデシルフェノールを含む末端停止剤を原料として用い、３５０℃で成形した３ｍｍ厚の成形体における３８０ｎｍ光線透過率が８５．０％以上であるポリカーボネート樹脂（Ａ−１）１０〜１００質量％、及び前記（Ａ−１）以外のポリカーボネート樹脂（Ａ−２）９０〜０質量％からなるポリカーボネート樹脂（Ａ）１００質量部に対して、リン系酸化防止剤（Ｂ）０．００５〜０．５質量部を含有するポリカーボネート樹脂組成物。
   

   

   ［式中Ｒ¹、Ｒ²は、水素原子、又は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である。Ｒ³は、水素原子、又は飽和もしくは不飽和の炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基である。Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³は同一であっても異なっていてもよい。但し、上記一般式（II）において、Ｒ¹＝Ｈ、Ｒ³＝Ｃ₁₅Ｈ₃₁で表される３−ペンタデシルフェノールは除く。］
2. 前記（Ａ）成分１００質量部に対して、さらに脂肪族環状エポキシ化合物を（Ｃ）０．００１〜０．５質量部含有する、請求項１に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
3. 前記３−ペンタデシルフェノールの純度が９９．０質量％以上である、請求項１又は２に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
4. 前記３−ペンタデシルフェノールが蒸留の後、晶析を行うことで得られる、請求項１〜３のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
5. 前記（Ａ）成分中の３−ペンタデシルフェノキシ基の含有量が０．１〜１０質量％である、請求項１〜４のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
6. 前記（Ｂ）成分がペンタエリスリトール構造を有する、請求項１〜５のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
7. 前記（Ｂ）成分が下記一般式で表される、ビス（２，４−ジクミルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイトである、請求項１〜６のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
   

   
8. 前記（Ｃ）成分が、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１−ブタノールの１，２−エポキシ−４−（２−オキシラニル）シクロヘキサン付加物、及びこれらの混合物である、請求項２〜７のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
9. 前記（Ａ）成分１００質量部に対して、さらに官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）０．０２〜０．１５質量部を含有する、請求項１〜８のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
10. 前記官能基が、アルコキシ基、アリールオキシ基、ポリオキシアルキレン基、カルボキシル基、シラノール基、アミノ基、メルカプト基、エポキシ基及びビニル基の群から選ばれる少なくとも１種である、請求項９に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
11. 前記官能基を有するポリオルガノシロキサン（Ｄ）の屈折率と前記ポリカーボネート樹脂（Ａ）との屈折率との差が０．１３以下である、請求項９又は１０に記載のポリカーボネート樹脂組成物。
12. 前記ポリカーボネート樹脂（Ａ）の粘度平均分子量が８，０００〜１９，０００である、請求項１〜１１のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物。
13. 請求項１〜１２のいずれかに記載のポリカーボネート樹脂組成物を成形してなる成形体。
14. 成形体が導光部材である、請求項１３に記載の成形体。
15. 導光部材が導光板である、請求項１４に記載の成形体。