JP2015195363A - 薄膜トランジスタ素子基板、及び、その製造方法、並びに、薄膜トランジスタ素子基板を用いた有機el表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ素子基板、及び、その製造方法、並びに、薄膜トランジスタ素子基板を用いた有機el表示装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】TFT基板1は、ゲート絶縁層4及びゲート電極5を覆うように設けられるとともに、酸化物半導体層3のコンタクト領域3a1、3a2上でかつ、コンタクト領域3a1とソース電極8との接合部分、及びコンタクト領域3a2とドレイン電極9との接合部分を除いた領域と、基板2上で且つ酸化物半導体層3が存在しない領域とを覆うように設けられた第1の水分バリア層6を備える。第1の水分バリア層6は金属酸化物を含み、原子層堆積法によって形成されている。
【選択図】図1
Description
そこで、本開示は、酸化物半導体を用いたトップゲート構造のTFT基板において、コンタクト領域の低抵抗化を実現するとともに、水分のバリア性をさらに高めたTFT基板を提供する。
従って、本開示の一態様に係る薄膜トランジスタ素子基板によれば、コンタクト領域の低抵抗化を実現するとともに、水分のバリア性を高めた薄膜トランジスタ素子基板を提供することができる。
まず、本発明者が本開示に係る各態様の発明を想到するに到った経緯を説明する。上述した特許文献2に記載されたTFT基板901は、酸化アルミニウム層906を有しているため、ある程度の水分バリア性は有している。しかし、酸化アルミニウム層906が酸化される前のアルミニウム層は、スパッタ法で形成された層である。このため、酸化アルミニウム層906は、膜質が緻密ではなく、水蒸気透過率が比較的高い。TFT基板901上に液晶表示層や有機EL表示層等を形成して各種ディスプレイを製造した場合、ガラス基板902の内外から侵入してくる水分や、酸化アルミニウム層906を伝って侵入してくる水分が問題となる。上記のようにして侵入してきた水分が、液晶表示層や有機EL表示層等まで達すると、不具合が生じる。例えば、有機EL表示層には、水分によって劣化する陰極や電子注入層等が存在する。水分が、陰極や電子注入層等に達すると、有機EL表示層に非発光部(ダークスポット)が発生したり、輝度低下を招くことがある。つまり、酸化アルミニウム層906は、水分バリア性が不十分であり、さらなる水分バリア性の向上が望まれている。そこで、本発明者は、上記知見に基づき、以下に説明する本開示に係る各態様の発明を想到するに到った。
また、本開示の別の態様では、前記第1の水分バリア層は、原子レベルでの層構造を有していてもよい。これにより、第1の水分バリア層の膜状態が緻密になり、水分バリア性が高くなる。
また、本開示の別の態様では、前記基板は、樹脂材料を主成分とする樹脂基板と、前記樹脂基板上に形成された第2の水分バリア層とを有し、前記第2の水分バリア層は、前記酸化物半導体層及び前記第1の水分バリア層と接していてもよい。このように、第1の水分バリア層と第2の水分バリア層とが直接接している領域を設けることで、水分バリア性をさらに高めることが可能となる。
また、本開示の別の態様では、前記第1の水分バリア層と前記第2の水分バリア層とは、構成される酸化物が異なっていてもよい。これにより、例えば、樹脂基板と第2の水分バリア層との間に異物が混入した場合、第1の水分バリア層は、異物で盛り上がった部分を反映せずに、第2の水分バリア層の盛り上がりをキャンセルするように堆積される。その結果、第1の水分バリア層の形成後は、表面が平坦な形状で成膜される。
また、本開示の一態様に係る薄膜トランジスタ素子基板の製造方法は、前記基板の一部の上に酸化物半導体層を形成し、前記基板上に形成された前記酸化物半導体層のチャネル領域上にゲート絶縁層を形成し、前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、前記酸化物半導体層が形成されていない前記基板の表面と、前記酸化物半導体層に配置されかつ前記チャネル領域を挟む一対のコンタクト領域と、前記ゲート絶縁層と、前記ゲート電極との各々を覆うように、金属酸化物を含む第1の水分バリア層を原子層堆積法により形成し、前記一対のコンタクト領域上の前記第1の水分バリア層に前記一対のコンタクト領域にまで貫通する一対のコンタクトホールを形成し、前記第1の水分バリア層上に、前記一対のコンタクトホールの一方を介して、前記一対のコンタクト領域の一方と接合するソース電極を形成し、前記第1の水分バリア層上に、前記一対のコンタクトホールの他方を介して、前記一対のコンタクト領域の他方と接合するドレイン電極を形成し、前記第1の水分バリア層と接する前記一対のコンタクト領域は、前記第1の水分バリア層と接しない前記チャネル領域より抵抗が低い。
また、本開示の別の態様では、前記基板は、樹脂材料を主成分とする樹脂基板と、前記樹脂基板上に形成された第2の水分バリア層とを有してもよい。
また、本開示の別の態様では、前記第1の水分バリア層と前記第2の水分バリア層とは、構成される酸化物が異なっていてもよい。これにより、例えば、樹脂基板と第2の水分バリア層との間に異物が混入した場合、第1の水分バリア層は、異物で盛り上がった部分を反映せずに、第2の水分バリア層の盛り上がりをキャンセルするように堆積される。その結果、第1の水分バリア層の形成後は、表面が平坦な形状で成膜される。
また、本開示の一態様に係る有機EL表示装置は、上記した本開示の一態様に係る薄膜トランジスタ素子基板と、前記薄膜トランジスタ素子基板上に形成され、陽極と、発光層と、陰極とを少なくとも有する有機EL表示層と、を備える。これにより、コンタクト領域の低抵抗化を実現するとともに、水分のバリア性を高めた薄膜トランジスタ素子基板を備えた有機EL表示装置を提供できる。
<実施の形態1>
(TFT基板1の構成)
実施の形態1に係るTFT基板1について、図1を用いて説明する。TFT基板1は、基板2と、基板2上の一部に設けられた酸化物半導体層3と、酸化物半導体層3の中央部分であるチャネル領域3b上に設けられたゲート絶縁層4及びゲート電極5を有する。TFT基板1は、さらに、基板2上であって、酸化物半導体層3が設けられていない領域と、酸化物半導体層3上であってゲート絶縁層4が設けられていないコンタクト領域3a1及び3a2と、ゲート絶縁層4及びゲート電極5とを覆っている第1の水分バリア層6を有する。TFT基板1は、さらに、第1の水分バリア層6上にソース電極8とドレイン電極9を有する。第1の水分バリア層6には、酸化物半導体層3のコンタクト領域3a1及び3a2に至るようにそれぞれコンタクトホールCH1及びCH2が貫通している。コンタクトホールCH1では、ソース電極8とコンタクト領域3a1とが接合している。コンタクトホールCH2では、ドレイン電極9とコンタクト領域3a2とが接合している。TFT1は所謂トップゲート型(スタガー構造;staggered structure)のTFTである。
ゲート電極5は、ゲート絶縁層4上に設けられている。ゲート電極5の材料としては、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、MoW、銅(Cu)、チタン(Ti)、クロム(Cr)等を用いることができる。ゲート電極5は、これらの金属材料を用いて、単層構造または多層構造にて形成される。ゲート絶縁層4とゲート電極5の側面は揃っていて、ソース電極8及びドレイン電極9と離間している。よって、ゲート電極5とソース電極8、及びゲート電極5とドレイン電極9との間の寄生容量を低減することができる。
ここで、第1の水分バリア層6は、酸化物半導体層3に至るようにコンタクトホールCH1及びCH2を形成する前は、酸化物半導体層3のコンタクト領域3a1及び3a2上の全面に形成されていた。第1の水分バリア層6は、例えば、AlOxである。第1の水分バリア層6の形成時に、Alが第1の水分バリア層6から当該第1の水分バリア層6と接する酸化物半導体層3のコンタクト領域3a1及び3a2にドープされる、もしくは酸化物半導体層3から酸素が引き抜かれると考えられる。Alがドープされた、もしくは酸素が引き抜かれたコンタクト領域3a1及び3a2は、チャネル領域3bよりも低抵抗化する。この事実は、実験によっても裏付けされている。また、金属がコンタクト領域にドープされる、もしくは酸化物半導体層から酸素が引き抜かれるという現象は、AlOxに限らず、他の金属酸化物でも起こると考えられる。この結果、コンタクト領域3a1及び3a2は、チャネル領域3bよりもキャリア濃度が上昇し、TFTの適切なON/OFF特性が得られる。
実施の形態1に係るTFT基板1の製造プロセスについて、図3(a)〜(h)を用いて説明する。
まず、図3(a)に示すように、ガラス基板100を用意する。ガラス基板100の材料は、例えば、石英ガラス、無アルカリガラス、高耐熱性ガラス等である。尚、ガラス基板中に含まれるナトリウムやリン等の不純物が、第2の水分バリア層22に混入すると好ましくない。そこで、ガラス基板100の最表面(第2の水分バリア層22と接する側の表面)に、SiNx、SiOy、SiOyNx等からなるアンダーコート層を形成してもよい。アンダーコート層の膜厚は、例えば、100nm〜2000nm程度としてもよい。そして、ガラス基板100上に、ポリイミドをスピンコート法で塗布した。そして、加熱温度400℃にて8時間加熱し、膜厚18μmの樹脂基板21を得た。樹脂基板の膜厚としては、1μm〜1000μm程度の範囲としてもよい。1μmよりも薄いと、機械的な強度が得られない。1000μmよりも厚いと曲げることが困難となり、フレキシブルな基板を得ることができない。樹脂基板21の形成方法は、スピンコート法のように原液を塗布してもよいし、既に樹脂基板として存在するものを圧着してもよい。圧着する場合は、接着層をガラス基板100と樹脂基板21との間に形成してから圧着してもよい。接着層は、シリコーン系、アクリル系等、所望の粘着力が得られるものであれば、特に限定されない。
次に、図3(c)に示すように、酸化物半導体層3としてIn−Ga−Zn−Oをスパッタ法により60nm程度、形成した。その後、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行った。酸化物半導体層3の形成法としては、スパッタ法の他に、レーザーアブレーション法やCVD法を用いてもよい。酸化物半導体層3の膜厚は、10nm〜300nm程度の範囲としてもよい。
次に、図3(g)に示すように、MoW、Al、MoWから成る3層を積層して、ソース電極膜及びドレイン電極膜を形成した。ソース電極膜及びドレイン電極膜の膜厚は、500nm程度であった。その後、燐硝酢酸液によるウェットエッチングプロセスにて、ソース電極8とドレイン電極9のパターニングを行った。
<実施の形態2>
(有機EL表示装置101の構成)
図4は、実施の形態1のTFT基板1を用いて作製した有機EL表示装置101の平面図を示す。有機EL表示装置101は、サブピクセル102がマトリクス状に配列された表示領域と、当該表示領域の周囲を囲む周辺領域とからなる。また、周辺領域の外周部には、封止部材103が配置され、外部からの水分やガス等の侵入を防ぐ役割を果たしている。封止部材103は、緻密な樹脂材料(例えばシリコーン系樹脂、アクリル系樹脂等)、または、ガラス等からなる。図5は、1つのサブピクセル102の拡大図S1におけるA1−A2線の断面を矢印方向に見た断面図である。サブピクセル102同士の間は、井桁状の隔壁107で区画されている。また、周辺領域に隣接する1つのサブピクセル102と当該サブピクセル102に隣接する周辺領域の拡大図S2の断面図を図7に示す。なお、図7は、拡大図S2におけるB1−B2断面を矢印方向に見た断面図である。
平坦化層104は、TFT1、TFT2、及び、各種信号線と陽極105とを絶縁するとともに、TFT等による段差を平坦化するために形成される。平坦化層104は、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂等からなる。平坦化層104の膜厚は、数μm程度である。
封止樹脂114は、有機EL表示層200等が形成されたTFT基板1と、当該TFT基板1と対向する樹脂基板21とを接着するものである。
また、隔壁107は、絶縁性の有機材料(例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等)からなる。そして、発光層109が設けられた領域に隣接した位置に形成されている。実施の形態2に係る隔壁107は井桁構造のピクセルバンクであるが、ストライプ状のラインバンクであってもよい。
また、陰極112のみが水分に対して劣化しやすい場合は、有機EL表示装置101を平面視した場合に、陰極112は、第2の水分バリア層22と第1の水分バリア層6が接している領域の外周B2よりも内側(第1の水分バリア層6と第2の水分バリア層22とが接する領域内)に設けられることが好ましい。
<その他の事項>
(1)実施の形態2では、トップエミッション型の有機EL表示装置について説明したが、これに限られるものではない。ボトムエミッション型の有機EL表示装置についても適用可能である。
(2)実施の形態2における有機EL表示装置の製造方法の一例としては、次の通りである。実施の形態1で説明したように、まず、ガラス基板100上にTFT基板1を形成する。その後、TFT基板1をガラス基板100から剥離せずに、TFT基板1上に一般的な製造プロセスで、平坦化層104、有機EL表示層200、封止層113、封止部材103を形成する。そして、以上の各層や封止部材が形成されたTFT基板1に、封止樹脂114を介して、ガラス基板100とは反対側から樹脂基板21を貼り付ける。そして、最後に、ガラス基板100を剥離して、フレキシブルな有機EL表示装置を完成させる。
(3)本開示に係る薄膜トランジスタ素子基板、及びその製造方法、並びに、薄膜トランジスタ素子基板を用いた有機EL表示装置は、実施の形態の部分的な構成を、適宜組み合わせてなる構成であってもよい。また、実施の形態に記載した材料、数値等は好ましいものを例示しているだけであり、それに限定されることはない。さらに、本開示の技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、構成に適宜変更を加えることは可能である。本開示は、薄膜トランジスタ素子基板、及びその製造方法、並びに、薄膜トランジスタ素子基板を用いた有機EL表示装置全般に広く利用可能である。
2 基板
21 樹脂基板
22 第2の水分バリア層
3 酸化物半導体層
3a1、3a2 コンタクト領域
3b チャネル領域
4 ゲート絶縁層
5 ゲート電極
6 第1の水分バリア層
8 ソース電極
9、10 ドレイン電極
101 有機EL表示装置
105 陽極
109 発光層
111 電子注入層
112 陰極
200 有機EL表示層
R1 第1領域
R2 第2領域
CH1、CH2、CH3 コンタクトホール
Claims (15)
- 基板と、
前記基板上の一部に設けられ、前記基板表面に沿って、チャネル領域と前記チャネル領域を挟む一対のコンタクト領域とを有する酸化物半導体層と、
前記チャネル領域にゲート絶縁層を介して設けられたゲート電極と、
前記一対のコンタクト領域の一方に接合されたソース電極と、
前記一対のコンタクト領域の他方に接合されたドレイン電極と、
前記ゲート絶縁層及び前記ゲート電極を覆うように設けられるとともに、前記酸化物半導体層の前記一対のコンタクト領域上でかつ、前記コンタクト領域と前記ソース電極との接合部分及び前記コンタクト領域と前記ドレイン電極との接合部分を除いた領域と、前記基板上でかつ前記酸化物半導体層が設けられていない領域とを覆うように設けられた第1の水分バリア層と、を備え、
前記第1の水分バリア層は金属酸化物を含みかつ原子層堆積法によって形成され、前記原子層堆積法によって形成された第1の水分バリア層は前記一対のコンタクト領域と接している薄膜トランジスタ素子基板。 - 前記第1の水分バリア層は、原子レベルでの層構造を有している請求項1に記載の薄膜トランジスタ素子基板。
- 前記第1の水分バリア層と接する前記一対のコンタクト領域は、前記第1の水分バリア層と接しない前記チャネル領域より抵抗が低い、請求項2に記載の薄膜トランジスタ素子基板。
- 前記基板は、樹脂材料を主成分とする樹脂基板と、前記樹脂基板上に形成された第2の水分バリア層とを有し、
前記第2の水分バリア層は、前記酸化物半導体層及び前記第1の水分バリア層と接している請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ素子基板。 - 前記第2の水分バリア層は、化学気相成長法、または、原子層堆積法によって形成されている請求項4に記載の薄膜トランジスタ素子基板。
- 前記第1の水分バリア層と前記第2の水分バリア層とは、構成される酸化物が異なる請求項4に記載の薄膜トランジスタ素子基板。
- 前記第1の水分バリア層は、アルミニウム(Al)の酸化物を有し、前記第2の水分バリア層は、ジルコニウム(Zr)の酸化物を有する請求項4に記載の薄膜トランジスタ素子基板。
- 前記基板の一部の上に酸化物半導体層を形成し、
前記基板上に形成された前記酸化物半導体層のチャネル領域上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、
前記酸化物半導体層が形成されていない前記基板の表面と、前記酸化物半導体層に配置されかつ前記チャネル領域を挟む一対のコンタクト領域と、前記ゲート絶縁層と、前記ゲート電極との各々を覆うように、金属酸化物を含む第1の水分バリア層を原子層堆積法により形成し、
前記一対のコンタクト領域上の前記第1の水分バリア層に前記一対のコンタクト領域にまで貫通する一対のコンタクトホールを形成し、
前記第1の水分バリア層上に、前記一対のコンタクトホールの一方を介して、前記一対のコンタクト領域の一方と接合するソース電極を形成し、
前記第1の水分バリア層上に、前記一対のコンタクトホールの他方を介して、前記一対のコンタクト領域の他方と接合するドレイン電極を形成し、
前記第1の水分バリア層と接する前記一対のコンタクト領域は、前記第1の水分バリア層と接しない前記チャネル領域より抵抗が低い
薄膜トランジスタ素子基板の製造方法。 - 前記基板は、樹脂材料を主成分とする樹脂基板と、前記樹脂基板上に形成された第2の水分バリア層とを有する請求項8に記載の薄膜トランジスタ素子基板の製造方法。
- 前記第2の水分バリア層は、化学気相成長法、または、原子層堆積法により形成される請求項9に記載の薄膜トランジスタ素子基板の製造方法。
- 前記第1の水分バリア層と前記第2の水分バリア層とは、構成される酸化物が異なる請求項9または10に記載の薄膜トランジスタ素子基板の製造方法。
- 前記第1の水分バリア層は、アルミニウム(Al)の酸化物を有し、前記第2の水分バリア層は、ジルコニウム(Zr)の酸化物を有する請求項9から11のいずれかに記載の薄膜トランジスタ素子基板の製造方法。
- 請求項3から6のいずれかに記載の薄膜トランジスタ素子基板と、
前記薄膜トランジスタ素子基板上に形成され、陽極と、発光層と、陰極とを少なくとも有する有機EL表示層と、
を備える有機EL表示装置。 - 前記陰極は、前記第1の水分バリア層と前記第2の水分バリア層とが接する領域の外周よりも内側に位置する請求項13に記載の有機EL表示装置。
- 前記有機EL表示層は、さらに、電子注入層を有し、
前記電子注入層は、前記第1の水分バリア層と前記第2の水分バリア層とが接する領域の外周よりも内側に位置する請求項13または14に記載の有機EL表示装置。
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