CN108008586B - 阵列基板、阵列基板制备方法及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板、阵列基板制备方法及显示装置。所述阵列基板包括基板，以及设置在所述基板同一侧的多条间隔排布的扫描线及多条间隔排布的数据线，且所述数据线与所述扫描线交叉绝缘设置，第n行扫描线、第n+2行扫描线以及第m列数据线、第m+1列数据线之间形成第一像素区域、第二像素区域以及TFT区域，所述TFT区域位于所述第一像素区域及所述第二像素区域之间，且所述TFT区域用于设置TFT器件，所述阵列基板上所有的TFT区域覆盖有保护层，所有的TFT区域对应的保护层的材料相同，其中，n为大于或等于1的正整数，m为大于或等于1的正整数。本发明有助于改善TFT器件的电性一致性问题。

Description

阵列基板、阵列基板制备方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、阵列基板制备方法及显示装置。
背景技术
液晶显示装置由于体积小、质量轻、显示效果佳等优点而被广泛应用。液晶显示装置通常包括阵列基板、彩膜基板以及液晶层。阵列基板和彩膜基板相对间隔设置，以形成收容空间，所述收容空间用于收容液晶层。阵列基板通常包括呈矩阵分布的多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)。然而，由于液晶显示装置密封不严等原因，TFT容易受到水和氧气的侵蚀，从而导致TFT器件的性能出现恶化，进而影响到液晶显示装置的显示效果。
发明内容
本发明提供一种阵列基板包括基板，以及设置在所述基板同一侧的多条间隔排布的扫描线及多条间隔排布的数据线，且所述数据线与所述扫描线交叉绝缘设置，第n行扫描线、第n+2行扫描线以及第m列数据线、第m+1列数据线之间形成第一像素区域、第二像素区域以及TFT区域，所述TFT区域位于所述第一像素区域及所述第二像素区域之间，且所述TFT区域用于设置TFT器件，所述阵列基板上所有的TFT区域覆盖有保护层，所有的TFT区域对应的保护层的材料相同，其中，n为大于或等于1的正整数，m为大于或等于1的正整数。
本发明的阵列基板包括多条间隔排布的扫描线及多条间隔排布的数据线，且所述数据线与所述扫描线交叉绝缘设置，第n行扫描线、第n+2行扫描线以及第m列数据线、第m+1列数据线之间形成第一像素区域、第二像素区域以及TFT区域，所述TFT区域位于所述第一像素区域及所述第二像素区域之间，且所述TFT区域用于设置TFT器件，所述阵列基板上所有的TFT区域覆盖有保护层，保护层可以起到阻隔水和氧气的作用，对液晶显示装置形成密封，更进一步的，所有的TFT区域对应的保护层的材料相同，即采用相同的材料同时覆盖在TFT器件的表面，从而保证相同材料的保护层对TFT器件的电学特性产生相同的影响，进而改善TFT器件的电性一致性问题，提高液晶显示面板的显示品质。
本发明还提供一种阵列基板制备方法，所述阵列基板制备方法包括：
提供基板；
在所述基板的同一侧形成TFT器件、多条间隔设置的扫描线、多条间隔设置且与扫描线交叉绝缘设置的数据线；
形成覆盖所述TFT器件的保护层，所有的TFT器件对应的保护层的材料相同。
本发明还提供一种显示装置。所述显示装置包括如上所述的阵列基板。
附图说明
为了更清楚地阐述本发明的构造特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对其进行详细说明，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的阵列基板的俯视图的结构示意图。
图2是本发明实施例提供的阵列基板的AA剖视图的结构示意图。
图3是本发明实施例一中第一像素区域或者第二像素区域覆盖红色色阻的结构示意图。
图4是本发明实施例一中第一像素区域或者第二像素区域覆盖绿色色阻的结构示意图。
图5是本发明实施例一中第一像素区域或者第二像素区域覆盖蓝色色阻的结构示意图。
图6～图9是本发明其他实施例提供的第一像素区域或者第二像素区域覆盖保护层的结构示意图。
图10是本发明实施例二中包括多个子保护层的结构示意图。
图11是本发明实施例提供的阵列基板制备方法的流程图。
图12是本发明实施例提供的阵列基板制备方法的局部流程图。
图13是本发明实施例提供的阵列基板制备方法步骤S310对应的结构示意图。
图14是本发明实施例提供的阵列基板制备方法步骤S320对应的结构示意图。
图15是本发明实施例提供的阵列基板制备方法的局部流程图。
图16是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。
具体实施例
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应属于本发明保护的范围。
在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
为了使本发明实施例提供的技术方案更加清楚，下面结合附图对上述方案进行详细描述。
请一并参见图1和图2，图1是本发明实施例提供的阵列基板的俯视图的结构示意图，图2是本发明实施例提供的阵列基板的AA剖视图的结构示意图，所述阵列基板10包括基板600，以及设置在所述基板600同一侧的多条间隔排布的扫描线100及多条间隔排布的数据线200，且所述数据线200与所述扫描线100交叉绝缘设置。第n行扫描线100、第n+2行扫描线100以及第m列数据线200、第m+1列数据线200之间形成第一像素区域300、第二像素区域400以及TFT区域500。所述TFT区域500位于所述第一像素区域300及所述第二像素区域400之间，且所述TFT区域500用于设置TFT器件510，所述阵列基板10上所有的TFT区域500覆盖有保护层700，所有的TFT区域500对应的保护层700的材料相同。其中，n为大于或等于1的正整数，m为大于或等于1的正整数。
举例而言，所述扫描线100沿第一方向延伸且多条扫描线100沿第二方向间隔排布，所述数据线200沿所述第二方向延伸且多条数据线200沿第一方向间隔排布，且所述数据线200与所述扫描线100绝缘设置。其中，第一方向可以为X方向或者Y方向，第二方向也可以为X方向或者Y方向。当第一方向为X方向时，第二方向为Y方向；当第一方向为Y方向时，第二方向为X方向。本发明实施例以第一方向为X方向，第二方向为Y方向为例进行说明。
其中，基板600为透明基板，比如为玻璃基板、塑料基板等，也可以为柔性基板。
其中，第一像素区域300和第二像素区域400为发光区域，所述第一像素区域300可以为红色子像素(R)、绿色子像素(G)、蓝色子像素(B)和白色子像素(W)中的任意一种，相应地，所述第一像素区域300覆盖相应颜色的色阻层。举例而言，当所述第一像素区域300为红色子像素时，所述第一像素区域300覆盖红色色阻。所述第二像素区域400可以为红色子像素(R)、绿色子像素(G)、蓝色子像素(B)和白色子像素(W)中的任意一种，相应地，所述第二区域300覆盖相应颜色的色阻。举例而言，当所述第二像素区域400为绿色子像素时，所述第二区域400覆盖绿色色阻。
其中，所述TFT区域500用于设置TFT器件510，TFT器件510包括栅极1000、栅极绝缘层2000、有源层513、漏极511和源极512。其中栅极1000和扫描线100电连接，所述栅极绝缘层2000覆盖所述栅极1000和所述扫描线100，所述有源层513设置在所述栅极绝缘层2000远离所述栅极1000和所述扫描线100的表面，在本实施方式中，有源层513采用硅岛结构。漏极511与数据线200电连接。所述源极512和所述漏极511设置在所述有源层513远离所述栅极绝缘层2000的表面，且所述源极512和漏极511间隔设置。在本实施方式中，所述漏极511呈弯曲状，形成收容空间，所述源极512设置在所述收容空间内。在所述栅极1000的控制下，所述512和所述漏极511之间可以形成更大的沟道电流，从而提升了所述TFT器件的反应速度。
其中，所述第一像素区域300位于第n行扫描线100及第n+1行扫描线100之间，所述第二像素区域400位于第n+1行扫描线100及所述第n+2行扫描线100之间，所述第n+1行扫描线100穿过所述TFT区域500。
可选的，所述阵列基板10上所有的TFT区域500覆盖的保护层700为红色色阻710，且所述保护层700与第一像素区域300或者所述第二像素区域400覆盖的红色色阻710为一体结构，参见图3。
也就是说，在形成覆盖第一像素区域300或者第二像素区域400的红色色阻710时，同时一并形成覆盖阵列基板10上所有的TFT区域500的红色色阻710，即红色色阻710充当所有的TFT区域500的保护层700。红色色阻710和保护层700在同一制程中形成，可以节省工序。
或者，所述阵列基板10上所有的TFT区域500覆盖的保护层700为绿色色阻720，且所述保护层700与第一像素区域300或者所述第二像素区域400覆盖的绿色色阻720为一体结构，参见图4。
也就是说，在形成覆盖第一像素区域300或者第二像素区域400的绿色色阻720时，同时一并形成覆盖阵列基板10上所有的TFT区域500的绿色色阻720，即绿色色阻720充当所有的TFT区域500的保护层700。绿色色阻720和保护层700在同一制程中形成，可以节省工序。
或者，所述阵列基板10上所有的TFT区域500覆盖的保护层700为蓝色色阻730，且所述保护层700与第一像素区域300或者所述第二像素区域400覆盖的蓝色色阻730为一体结构，参见图5。
也就是说，在形成覆盖第一像素区域300或者第二像素区域400的蓝色色阻730时，同时一并形成覆盖阵列基板10上所有的TFT区域500的蓝色色阻730，即蓝色色阻730充当所有的TFT区域500的保护层700。蓝色色阻730和保护层700在同一制程中形成，可以节省工序。
在另一种实施方式中，所述阵列基板10上所有的TFT区域500覆盖的保护层700可以为白色材料、黑色材料或者光阻材料。
可选的，所述阵列基板10上所有的TFT区域500覆盖的保护层700可以为透明的光阻材料，PFA是一种透明的光刻胶，通常用于覆盖在RGB色阻上，取代PV2保护层，优选的，在本发明中用PFA覆盖TFT区域，做保护层。
请一并参见图6至图9，为了便于理解本发明的意图，图6至图9是分别是在其他一些实施例中，其中TFT区域用标号500表示，像素区用标号1111表示，图6是TFT区域500仅覆盖一个色阻层，且色阻层为红色色阻(R色阻)的结构示意图，图7是TFT区域500仅覆盖一个色阻层，且色阻层为绿色色阻(G色阻)的结构示意图，图8是TFT区域500仅覆盖一个色阻层，且色阻层为蓝色色阻(B色阻)的结构示意图，图9是TFT区域500仅覆盖一个色阻层，且色阻层为PFA材料，或者W材料，PS材料，或者BM材料等的结构示意图。
本技术方案提供的阵列基板包括多条间隔排布的扫描线及多条间隔排布的数据线，且所述数据线与所述扫描线交叉绝缘设置，第n行扫描线、第n+2行扫描线以及第m列数据线、第m+1列数据线之间形成第一像素区域、第二像素区域以及TFT区域，所述TFT区域位于所述第一像素区域及所述第二像素区域之间，且所述TFT区域用于设置TFT器件，所述阵列基板上所有的TFT区域覆盖有保护层，保护层可以起到阻隔水和氧气的作用，对液晶显示装置形成密封，更进一步的，所有的TFT区域对应的保护层的材料相同，即采用相同的材料同时覆盖在TFT器件的表面，从而保证相同材料的保护层对TFT器件的电学特性产生相同的影响，进而改善TFT器件的电性一致性问题，提高液晶显示面板的显示品质。
在另一种实施方式中，所述保护层700包括多个层叠设置的子保护层，所述多个子保护层的材料不同。参见图10，以所述保护层700包括三个子保护层为例进行说明，所述保护层700包括第一子保护层710、第二子保护层720和第三子保护层730。举例而言，第一子保护层710为红色色阻层，第二子保护层720为绿色色阻层，第三子保护层730为蓝色色阻层，针对整个TFT器件而言，覆盖的是相同的色阻材料，都是依次层叠设置的红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。由于TFT器件上覆盖的是相同的色阻材料，对于水氧的阻隔能力相同，因此，对于TFT器件的电学性能具有相同的影响，能够使得TFT器件的电学性能一致性问题得到改善。
本技术方案提供的阵列基板上所有的TFT区域覆盖有保护层，并且所述保护层包括多个层叠设置的子保护层，所述多个子保护层的材料不同。针对整个TFT器件而言，覆盖的是相同的色阻材料，所有的TFT区域对应的保护层的材料相同，即采用相同的材料同时覆盖在TFT器件的表面，由于TFT器件上覆盖的是相同的色阻材料，对于水氧的阻隔能力相同，从而保证相同材料的保护层对TFT器件的电学特性产生相同的影响，进而改善TFT器件的电性一致性问题，提高液晶显示面板的显示品质。
参见图11，本发明实施例还提供一种阵列基板制备方法，所述阵列基板10制备方法包括但不限于步骤S100、S200和S300，对于上述步骤S100、S200和S300的详细描述如下。
S100：提供基板600。
其中，基板600为透明基板，比如为玻璃基板、塑料基板等，也可以为柔性基板。
S200：在所述基板600的同一侧形成TFT器件510、多条间隔设置的扫描线100、多条间隔设置且与扫描线100交叉绝缘设置的数据线200。
其中，所述TFT区域500用于设置TFT器件510，TFT器件510包括栅极1000、栅极绝缘层2000、有源层513、漏极511和源极512。其中栅极1000和扫描线100电连接，所述栅极绝缘层2000覆盖所述栅极1000和所述扫描线100，所述有源层513设置在所述栅极绝缘层2000远离所述栅极1000和所述扫描线100的表面，在本实施方式中，有源层513采用硅岛结构。漏极511与数据线200电连接。所述源极512和所述漏极511设置在所述有源层513远离所述栅极绝缘层2000的表面，且所述源极512和漏极511间隔设置。在本实施方式中，所述漏极511呈弯曲状，形成收容空间，所述源极512设置在所述收容空间内。在所述栅极1000的控制下，所述512和所述漏极511之间可以形成更大的沟道电流，从而提升了所述TFT器件的反应速度。
S300：形成覆盖所述TFT器件510的保护层700，所有的TFT器件510对应的保护层700的材料相同。
参见图12，所述步骤“S300：形成覆盖所述TFT器件的保护层，所述有的TFT器件对应的保护层的材料相同”包括但不限于步骤S310和S320，关于步骤S310和S320详细描述如下。
S310：形成覆盖所述TFT器件510的第一子保护层710。参见图13。
可选的，所述阵列基板10上所有的TFT器件510覆盖的第一子保护层710可以为红色色阻，也可以为绿色色阻，还可以为蓝色色阻。所述阵列基板10上所有的TFT器件510覆盖的保护层700还可以为透明材料、白色材料、黑色材料或者是光阻材料。
可选的，所述阵列基板10上所有的TFT器件510覆盖的第一子保护层710可以为PFA材料，PFA是一种透明的光刻胶，通常用于覆盖在RGB色阻上，取代PV2保护层，优选的，在本发明中用PFA覆盖TFT区域，做保护层。
S320：在所述第一子保护层710远离所述TFT器件510的表面形成第二子保护层720，所述第二子保护层720的材料与所述第一子保护层710的材料不同。参见图14。
可选的，在所述第一子保护层710远离所述TFT器件510的表面形成第二子保护层720，第二子保护层720可以为红色色阻，也可以为绿色色阻，还可以为蓝色色阻。所述阵列基板10上所有的TFT器件510覆盖的保护层700还可以为PFA材料、白色材料、黑色材料或者是光阻材料。所述第二子保护层720的材料与所述第一子保护层710的材料不同。
在另一种实施方式中，所述阵列基板10包括基板600，以及设置在所述基板600同一侧的多条间隔排布的扫描线100及多条间隔排布的数据线200，且所述数据线200与所述扫描线100交叉绝缘设置，第n行扫描线100、第n+2行扫描线100以及第m列数据线200、第m+1列数据线200之间形成第一像素区域300、第二像素区域400以及TFT区域500，所述TFT区域500位于所述第一像素区域300及所述第二像素区域400之间，且所述TFT区域500用于设置TFT器件510，所述阵列基板10上所有的TFT区域500覆盖有保护层700，所有的TFT区域500对应的保护层700的材料相同，其中，n为大于或等于1的正整数，m为大于或等于1的正整数。参见图15，所述阵列基板10制备方法还包括但不限于步骤S400，关于步骤S400的详细描述如下。
S400：形成覆盖所述第一像素区域300或者所述第二像素区域400的色阻层。
可选的，所述保护层700的材料与所述色阻层的材料相同，且所述保护层700与所述色阻层在同一工序中形成。当所述保护层700与所述色阻层在同一工序中一并形成时，可以节省不必要的工序，从而降低成本。
可选的，所述色阻层可以为红色色阻，也可以为绿色色阻，还可以为蓝色色阻。所述色阻层用于隔绝水氧对TFT器件产生的不良影响，起到保护TFT器件的作用。
参见图16，图16是本发明实施例提供的显示装置的结构示意图。所述显示装置1包括阵列基板10，所述阵列基板10可以为前面任意一实施例提供的阵列基板10，在此不再赘述。所述显示装置1可以为但不仅限于为电子书、智能手机(如Android手机、iOS手机、Windows Phone手机等)、平板电脑、掌上电脑、笔记本电脑、移动互联网设备(MID，MobileInternet Devices)或穿戴式设备等。
以上对本发明实施例进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (7)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括基板，以及设置在所述基板同一侧的多条间隔排布的扫描线及多条间隔排布的数据线，且所述数据线与所述扫描线交叉绝缘设置，第n行扫描线、第n+2行扫描线以及第m列数据线、第m+1列数据线之间形成第一像素区域、第二像素区域以及TFT区域，所述TFT区域位于所述第一像素区域及所述第二像素区域之间，且所述TFT区域用于设置TFT器件，所述阵列基板上所有的TFT区域覆盖有保护层，所有的TFT区域对应的保护层的材料相同，所述保护层包括多个层叠设置的子保护层，所述多个子保护层的材料不同，所述保护层包括层叠设置的第一子保护层、第二子保护层和第三子保护层，所述第一子保护层为红色色阻层，所述第二子保护层为绿色色阻层，所述第三子保护层为蓝色色阻层，对于每个所述TFT器件而言，覆盖的是相同的色阻材料，对于水氧的阻隔能力相同，其中，n为大于或等于1的正整数，m为大于或等于1的正整数。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素区域位于第n行扫描线及第n+1行扫描线之间，所述第二像素区域位于第n+1行扫描线及所述第n+2行扫描线之间，所述第n+1行扫描线穿过所述TFT区域。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素区域或者所述第二像素区域覆盖有红色色阻，且所述保护层的红色色阻与第一像素区域或者所述第二像素区域覆盖的红色色阻为一体结构。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素区域或者所述第二像素区域覆盖有绿色色阻，且所述保护层的绿色色阻与第一像素区域或者所述第二像素区域覆盖的绿色色阻为一体结构。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一像素区域或者所述第二像素区域覆盖有蓝色色阻，且所述保护层的蓝色色阻与第一像素区域或者所述第二像素区域覆盖的蓝色色阻为一体结构。
6.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述阵列基板制备方法包括：
提供基板；
在所述基板的同一侧形成TFT器件、多条间隔设置的扫描线、多条间隔设置且与扫描线交叉绝缘设置的数据线；
形成覆盖所述TFT器件的保护层，所有的TFT器件对应的保护层的材料相同，所述保护层包括多个层叠设置的子保护层，所述多个子保护层的材料不同，所述保护层包括层叠设置的第一子保护层、第二子保护层和第三子保护层，所述第一子保护层为红色色阻层，所述第二子保护层为绿色色阻层，所述第三子保护层为蓝色色阻层，对于每个所述TFT器件而言，覆盖的是相同的色阻材料，对于水氧的阻隔能力相同。
7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1～5任一项所述的阵列基板。
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