CN107275288A - Tft基板的制作方法及tft基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。该TFT基板的制作方法在制作色阻层时，使多个色阻单元暴露出TFT层中的栅极线及TFT，且在相邻的第一色阻单元之间设置第一色阻块，在相邻的第二色阻单元之间设置尺寸小于第一色阻块的第二色阻块，在相邻两行色阻单元之间设置覆盖第一色阻块及第二色阻块并覆盖栅极线及TFT的第三色阻条，由于第一色阻块与第二色阻块尺寸的差异，使第三色阻条位于第一色阻块上的部分的高度大于位于第二色阻块上的部分的高度，从而利用一单色调光罩即可形成包括覆盖栅极线及TFT的第一遮光区、分别位于第一、第二色阻块上高度不同的主、辅助隔垫物的BPS遮光层，降低制作BPS遮光层的材料的开发难度，增强色阻层的抗剥落性。

Description

TFT基板的制作方法及TFT基板
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及TFT基板。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。
通常液晶显示面板由彩膜(Color Filter，CF)基板、薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成，其成型工艺一般包括：前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的运动；中段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶；后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合，进而驱动液晶分子转动，显示图像。
目前，现有技术通常将光阻隔垫物(Photo Spacer，PS)制作在CF基板上用于支撑液晶盒厚，如图1所示，现有的一种液晶显示装置，包括相对设置的TFT基板100’及CF基板200’，其中，TFT基板100’包括：第一衬底110’、设于第一衬底110’上的TFT层120’、设于TFT层120’上的平坦化层130’、设于平坦化层130’上的色阻层140’、设于色阻层140’上的像素电极(未图示)、及设于色阻层140’上的间隔的主隔垫物161’、及辅助隔垫物162’，CF基板200’包括：第二衬底210’、设于第二衬底210’上的黑色矩阵220’、及设于第二衬底210’及黑色矩阵220’上的公共电极230’，现有技术一般通过一道灰阶光罩(Gray Tone Mask，GTM)或者一道半色调光罩(Half Tone Mask，HTM)同时制作出具有不同高度的主隔垫物161’和辅助隔垫物162’，一共需要两道单独的制程完成黑色矩阵220’和主隔垫物161’、及辅助隔垫物162’的制作。
现有的另一种技术利用黑色光阻隔垫物(Black Photo Spacer，BPS)材料通过一道制程将黑色矩阵和主、辅助隔垫物同时制作在TFT基板上，然而黑色矩阵、主隔垫物、辅助隔垫物的高度均不相同，一般需要采用具有多色调的光罩才能形成黑色矩阵、主隔垫物、及辅助隔垫物之间的段差，然而，多色调光罩制作工艺复杂、成本昂贵，且采用多色调光罩制作形成的黑色矩阵和主、辅助隔垫物的工艺较难调节(需要兼顾三个高度)，BPS材料的开发难度增加。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，采用一单色调光罩即可制得包括黑色矩阵、主隔垫物、辅助隔垫物的BPS遮光层，降低制作BPS遮光层的材料的开发难度，增强色阻层的抗剥落性。
本发明的另一目的在于提供一种TFT基板，具有包括黑色矩阵、主隔垫物、辅助隔垫物的BPS遮光层，色阻层抗剥落性强。
为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT层；
所述TFT层包括平行间隔排列的多行栅极线、平行间隔排列的多列数据线、及阵列排布的多个TFT；
步骤S2、在所述TFT层上形成平坦化层；
步骤S3、在所述平坦化层上形成色阻层；
所述色阻层包括：交替排列的多列第一色阻单元、多列第二色阻单元及多列第三色阻单元、位于相邻的第一色阻单元之间的第一色阻块、位于相邻的第二色阻单元之间的第二色阻块、以及于第一色阻块及第二色阻块上覆盖相邻两行色阻单元之间区域的第三色阻条，多个色阻单元暴露出栅极线及TFT所在区域，第一色阻块的尺寸大于第二色阻块的尺寸；
步骤S4、在色阻层上形成钝化层，在钝化层上形成像素电极；
步骤S5、在钝化层及像素电极上涂布BPS遮光材料，采用一道单色调光罩对所述BPS遮光材料进行图案化形成BPS遮光层；
所述BPS遮光层包括：覆盖栅极线及TFT所在区域的第一遮光区、对应位于第一色阻块上方的主隔垫物、及对应位于第二色阻块上方的辅助隔垫物。
所述第一色阻单元及第一色阻块的材料为红色色阻材料，所述第二色阻单元及第二色阻块的材料为绿色色阻材料，所述第三色阻单元及第三色阻条的材料为蓝色色阻材料。
所述步骤S3具体为：首先，在平坦化层上涂布红色色阻材料并对其进行图案化，形成多个第一色阻单元及第一色阻块，接着，在平坦化层上涂布绿色色阻材料并对其进行图案化，形成多个第二色阻单元及第二色阻块，最后，在平坦化层、第一色阻块、及第二色阻块上涂布蓝色色阻材料并对其进行图案化，形成多个第三色阻单元及第三色阻条，从而形成色阻层。
所述步骤S4中在形成像素电极之前还对应TFT形成贯穿钝化层、色阻层及平坦化层的过孔，所述像素电极经过孔与TFT接触。
所述TFT包括：设于衬底基板上的栅极、覆盖栅极的栅极绝缘层、设于栅极上方的栅极绝缘层上的有源层、及分别与有源层两端接触的源极及漏极，所述过孔暴露所述漏极，所述像素电极经过孔与漏极接触。
所述BPS遮光层还包括覆盖数据线的第二遮光区。
本发明还提供一种TFT基板，包括：衬底基板、设于所述衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的平坦化层、设于所述平坦化层上的色阻层、设于所述色阻层上的钝化层、设于钝化层上的像素电极、及设于钝化层及像素电极上的BPS遮光层；
所述TFT层包括平行间隔排列的多行栅极线、平行间隔排列的多列数据线、及阵列排布的多个TFT；
所述色阻层包括：交替设置的多列第一色阻单元、第二色阻单元及第三色阻单元、位于相邻的第一色阻单元之间的第一色阻块、位于相邻的第二色阻单元之间的第二色阻块、以及于第一色阻块及第二色阻块上覆盖相邻两行色阻单元之间区域的第三色阻条，多个色阻单元暴露出栅极线及TFT所在区域，第一色阻块的尺寸大于第二色阻块的尺寸；
所述BPS遮光层包括：覆盖栅极线及TFT所在区域的第一遮光区、对应位于第一色阻块上方的主隔垫物、及对应位于第二色阻块上方的辅助隔垫物。
所述第一色阻单元及第一色阻块的材料为红色色阻材料，所述第二色阻单元及第二色阻块的材料为绿色色阻材料，所述第三色阻单元及第三色阻条的材料为蓝色色阻材料。
所述钝化层、色阻层及平坦化层对应TFT形成有过孔，所述像素电极经过孔与TFT接触。
所述TFT包括：设于衬底基板上的栅极、覆盖栅极的栅极绝缘层、覆盖栅极的栅极绝缘层、设于栅极上的栅极绝缘层上的有源层、及分别与有源层两端接触的源极及漏极，所述过孔暴露所述漏极，所述像素电极经过孔与漏极接触。
本发明的有益效果：本发明提供的一种TFT基板的制作方法，在制作色阻层时，使多个色阻单元暴露出TFT层中的栅极线及TFT，且在相邻的第一色阻单元之间设置第一色阻块，在相邻的第二色阻单元之间设置尺寸小于第一色阻块的第二色阻块，在相邻两行色阻单元之间设置覆盖第一色阻块及第二色阻块并覆盖栅极线及TFT的第三色阻条，由于第一色阻块与第二色阻块尺寸的差异，使第三色阻条位于第一色阻块上的部分的高度大于位于第二色阻块上的部分的高度，从而利用一单色调光罩即可形成包括覆盖栅极线及TFT的第一遮光区、分别位于第一、第二色阻块上高度不同的主、辅助隔垫物的BPS遮光层，降低制作BPS遮光层的材料的开发难度，增强色阻层的抗剥落性。本发明提供的一种TFT基板，具有包括黑色矩阵、主隔垫物、辅助隔垫物的BPS遮光层，色阻层抗剥落性强。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的液晶显示装置的结构示意图；
图2为本发明的TFT基板的制作方法的流程图；
图3及图4为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S1的示意图；
图5为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S2的示意图；
图6至图9为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S3的示意图；
图10至图12为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S4的示意图；
图13及图14为本发明的TFT基板的制作方法的步骤S5的示意图暨本发明的TFT基板的结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤S1、请参阅图3及图4，提供衬底基板100，在所述衬底基板100上形成TFT层200；
所述TFT层200包括平行间隔排列的多行栅极线220、平行间隔排列的多列数据线230、及阵列排布的多个TFT210。
具体地，同一行TFT210连接同一栅极线220，同一列TFT210连接同一数据线。
具体地，所述TFT210包括：设于衬底基板100上的栅极211、覆盖栅极211的栅极绝缘层212、设于栅极211上方的栅极绝缘层212上的有源层213、及分别与有源层213两端接触的源极214及漏极215。
具体地，所述栅极211、栅极线220位于同一金属层，所述源极214、漏极215、数据线230位于同一金属层。
步骤S2、请参阅图5，在所述TFT层200上形成平坦化层300。
步骤S3、请参阅图6至图9，在所述平坦化层300上形成色阻层400；
其中，所述色阻层400包括：交替排列的多列第一色阻单元410、多列第二色阻单元420及多列第三色阻单元430、位于相邻的第一色阻单元410之间的第一色阻块411、位于相邻的第二色阻单元420之间的第二色阻块421、以及于第一色阻块411及第二色阻块421上覆盖相邻两行色阻单元之间区域的第三色阻条431，多个色阻单元暴露出栅极线220及TFT210所在区域，也即第一色阻块411及第二色阻块421均位于栅极线220及TFT210所在区域上方，而第三色阻条431覆盖栅极线220及TFT210所在区域；需要特别注意的是，第一色阻块411的尺寸大于第二色阻块421的尺寸。
具体地，在本发明的一实施例中，所述第一色阻单元410及第一色阻块411的材料为红色色阻材料，所述第二色阻单元420及第二色阻块421的材料为绿色色阻材料，所述第三色阻单元430及第三色阻条431的材料为蓝色色阻材料。
进一步地，所述步骤S3具体为：首先，在平坦化层300上涂布红色色阻材料并对其进行图案化，形成多个第一色阻单元410及第一色阻块411，接着，在平坦化层300上涂布绿色色阻材料并对其进行图案化，形成多个第二色阻单元420及第二色阻块421，最后，在平坦化层300、第一色阻块411、及第二色阻块421上涂布蓝色色阻材料并对其进行图案化，形成多个第三色阻单元430及第三色阻条431，从而形成色阻层400。
步骤S4、请参阅图10至图12，在色阻层400上形成钝化层500，对应TFT210的漏极215形成贯穿钝化层500、色阻层400及平坦化层300的过孔510，所述过孔510将所述TFT210的漏极215暴露出来，在钝化层500上形成像素电极600，所述像素电极600经过孔510与TFT210的漏极215接触。
步骤S5、请参阅图13及图14，在钝化层500及像素电极600上涂布BPS遮光材料，采用一道单色调光罩对所述BPS遮光材料进行图案化形成BPS遮光层700；
所述BPS遮光层700包括：覆盖栅极线220及TFT210所在区域的第一遮光区710、对应位于第一色阻块411上方的主隔垫物720、及对应位于第二色阻块421上方的辅助隔垫物730。
进一步地，所述BPS遮光层700还包括覆盖数据线230的第二遮光区740；所述第一遮光区710的高度与第二遮光区740的高度相同。
需要说明的是，上述TFT基板的制作方法，在制作色阻层400时，使多个色阻单元暴露出TFT层200中的栅极线220及TFT210，且在相邻的第一色阻单元410之间的栅极线200及TFT210所在区域上方设置第一色阻块411，在相邻的第二色阻单元420之间的栅极线200及TFT210所在区域上方设置尺寸小于第一色阻块411的第二色阻块422，并在相邻两行色阻单元之间设置覆盖第一色阻块411及第二色阻块422并覆盖栅极线220及TFT210所在区域的第三色阻条431，由于第一色阻块411的尺寸大于与第二色阻块421的尺寸，第三色阻条431在对第一色阻块411及第二色阻块421进行覆盖时，其位于第一色阻块411上的部分的高度会大于位于第二色阻块421上的部分的高度，从而在色阻层400上形成钝化层500后涂布BPS光阻材料时，BPS光阻材料位于第一色阻块411上方的部分与位于第二色阻块421上方的部分之间形成段差，同时也分别与BPS光阻材料位于第一色阻块411、及第二色阻块421以外区域上方的部分形成段差，之后利用一单色调光罩对BPS光阻材料进行图案化，形成BPS遮光层700，此时栅极线220及TFT210所在区域上方的BPS光阻材料形成覆盖栅极线220及TFT210的第一遮光区710，同时BPS光阻材料位于第一色阻块411、及第二色阻块421上方的部分分别形成主隔垫物720及辅助隔垫物730，实现BPS遮光层700具有三个段差的效果，相比于现有技术，无需使用昂贵的具有多个色调的光罩，生产成本降低，制作BPS遮光层700的材料的开发难度降低，同时由于第三色阻条431将第一色阻块411及第二色阻块421覆盖，避免第一色阻块411及第二色阻块421处产生剥落，增强色阻层400整体的抗剥落性。
请参阅图13及图14，并结合图3至图12，基于同一发明构思，本发明还提供一种由上述TFT基板的制作方法制得的TFT基板，包括：衬底基板100、设于所述衬底基板100上的TFT层200、设于所述TFT层200上的平坦化层300、设于所述平坦化层300上的色阻层400、设于所述色阻层400上的钝化层500、设于钝化层500上的像素电极600、及设于钝化层500及像素电极600上的BPS遮光层700；
所述TFT层200包括平行间隔排列的多行栅极线220、平行间隔排列的多列数据线230、及阵列排布的多个TFT210，同一行TFT210连接同一条栅极线220，同一列TFT210连接同一条数据线220；
所述色阻层400包括：交替设置的多列第一色阻单元410、第二色阻单元420及第三色阻单元430、位于相邻的第一色阻单元410之间的第一色阻块411、位于相邻的第二色阻单元420之间的第二色阻块421、以及于第一色阻块411及第二色阻块421上覆盖相邻两行色阻单元之间区域的第三色阻条431，多个色阻单元暴露出栅极线220及TFT210所在区域，第一色阻块411的尺寸大于第二色阻块421的尺寸；
所述BPS遮光层700包括：覆盖栅极线220及TFT210所在区域的第一遮光区710、对应位于第一色阻块411上方的主隔垫物720、及对应位于第二色阻块421上方的辅助隔垫物730。
进一步地，所述BPS遮光层700还包括覆盖数据线230的第二遮光区740；所述第一遮光区710的高度与第二遮光区740的高度相同。
具体地，所述第一色阻单元410及第一色阻块411的材料为红色色阻材料，所述第二色阻单元420及第二色阻块421的材料为绿色色阻材料，所述第三色阻单元430及第三色阻条431的材料为蓝色色阻材料。
具体地，所述TFT210包括：设于衬底基板100上的栅极211、覆盖栅极211的栅极绝缘层212、覆盖栅极211的栅极绝缘层212、设于栅极211上的栅极绝缘层212上的有源层213、及分别与有源层213两端接触的源极214及漏极215。
具体地，所述钝化层500、色阻层400及平坦化层300对应TFT210形成有过孔510，所述过孔510暴露所述漏极215，所述像素电极600经过孔510与TFT210的漏极215接触。
上述TFT基板，通过在色阻层400中设置第一色阻块411及尺寸小于第一色阻块411的第二色阻块421，使设置在第一色阻块411及第二色阻块421上覆盖相邻两行色阻单元之间区域的第三色阻条431在第一色阻块411上的部分的高度大于在第二色阻块421上的部分的高度，进而使设于色阻层400上的钝化层500上的BPS光阻层700在对应第一色阻块411的部分与对应第二色阻块421的部分之间形成段差，且分别与BPS光阻层700的剩余部分之间形成段差，形成覆盖栅极线220及TFT210的第一遮光区710、位于第一色阻块411上方的主隔垫物720、及位于第二色阻块421上方的辅助隔垫物730，也即该BPS光阻层700具有三个段差，同时由于第三色阻条431将第一色阻块411及第二色阻块421覆盖，避免第一色阻块411及第二色阻块421处产生剥落，增强色阻层400整体的抗剥落性。
综上所述，本发明的TFT基板的制作方法，在制作色阻层时，使多个色阻单元暴露出TFT层中的栅极线及TFT，且在相邻的第一色阻单元之间设置第一色阻块，在相邻的第二色阻单元之间设置尺寸小于第一色阻块的第二色阻块，在相邻两行色阻单元之间设置覆盖第一色阻块及第二色阻块并覆盖栅极线及TFT的第三色阻条，由于第一色阻块与第二色阻块尺寸的差异，使第三色阻条位于第一色阻块上的部分的高度大于位于第二色阻块上的部分的高度，从而利用一单色调光罩即可形成包括覆盖栅极线及TFT的遮光区、分别位于第一、第二色阻块上高度不同的主、辅助隔垫物的BPS遮光层，降低制作BPS遮光层的材料的开发难度，增强色阻层的抗剥落性。本发明提供的TFT基板，具有包括黑色矩阵、主隔垫物、辅助隔垫物的BPS遮光层，色阻层抗剥落性强。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供衬底基板(100)，在所述衬底基板(100)上形成TFT层(200)；
所述TFT层(200)包括平行间隔排列的多行栅极线(220)、平行间隔排列的多列数据线(230)、及阵列排布的多个TFT(210)；
步骤S2、在所述TFT层(200)上形成平坦化层(300)；
步骤S3、在所述平坦化层(300)上形成色阻层(400)；
所述色阻层(400)包括：交替排列的多列第一色阻单元(410)、多列第二色阻单元(420)及多列第三色阻单元(430)、位于相邻的第一色阻单元(410)之间的第一色阻块(411)、位于相邻的第二色阻单元(420)之间的第二色阻块(421)、以及于第一色阻块(411)及第二色阻块(421)上覆盖相邻两行色阻单元之间区域的第三色阻条(431)，多个色阻单元暴露出栅极线(220)及TFT(210)所在区域，第一色阻块(411)的尺寸大于第二色阻块(421)的尺寸；
步骤S4、在色阻层(400)上形成钝化层(500)，在钝化层(500)上形成像素电极(600)；
步骤S5、在钝化层(500)及像素电极(600)上涂布BPS遮光材料，采用一道单色调光罩对所述BPS遮光材料进行图案化形成BPS遮光层(700)；
所述BPS遮光层(700)包括：覆盖栅极线(220)及TFT(210)所在区域的第一遮光区(710)、对应位于第一色阻块(411)上方的主隔垫物(720)、及对应位于第二色阻块(421)上方的辅助隔垫物(730)。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述第一色阻单元(410)及第一色阻块(411)的材料为红色色阻材料，所述第二色阻单元(420)及第二色阻块(421)的材料为绿色色阻材料，所述第三色阻单元(430)及第三色阻条(431)的材料为蓝色色阻材料。
3.如权利要求2所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：首先，在平坦化层(300)上涂布红色色阻材料并对其进行图案化，形成多个第一色阻单元(410)及第一色阻块(411)，接着，在平坦化层(300)上涂布绿色色阻材料并对其进行图案化，形成多个第二色阻单元(420)及第二色阻块(421)，最后，在平坦化层(300)、第一色阻块(411)、及第二色阻块(421)上涂布蓝色色阻材料并对其进行图案化，形成多个第三色阻单元(430)及第三色阻条(431)，从而形成色阻层(400)。
4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中，在形成像素电极(600)之前还对应TFT(210)形成贯穿钝化层(500)、色阻层(400)及平坦化层(300)的过孔(510)，所述像素电极(600)经过孔(510)与TFT(210)接触。
5.如权利要求4所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述TFT(210)包括：设于衬底基板(100)上的栅极(211)、覆盖栅极(211)的栅极绝缘层(212)、设于栅极(211)上方的栅极绝缘层(212)上的有源层(213)、及分别与有源层(213)两端接触的源极(214)及漏极(215)，所述过孔(510)暴露所述漏极(215)，所述像素电极(600)经过孔(510)与漏极(215)接触。
6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述BPS遮光层(700)还包括覆盖数据线(230)的第二遮光区(740)。
7.一种TFT基板，其特征在于，包括：衬底基板(100)、设于所述衬底基板(100)上的TFT层(200)、设于所述TFT层(200)上的平坦化层(300)、设于所述平坦化层(300)上的色阻层(400)、设于所述色阻层(400)上的钝化层(500)、设于钝化层(500)上的像素电极(600)、及设于钝化层(500)及像素电极(600)上的BPS遮光层(700)；
所述TFT层(200)包括平行间隔排列的多行栅极线(220)、平行间隔排列的多列数据线(230)、及阵列排布的多个TFT(210)；
所述色阻层(400)包括：交替设置的多列第一色阻单元(410)、第二色阻单元(420)及第三色阻单元(430)、位于相邻的第一色阻单元(410)之间的第一色阻块(411)、位于相邻的第二色阻单元(420)之间的第二色阻块(421)、以及于第一色阻块(411)及第二色阻块(421)上覆盖相邻两行色阻单元之间区域的第三色阻条(431)，多个色阻单元暴露出栅极线(220)及TFT(210)所在区域，第一色阻块(411)的尺寸大于第二色阻块(421)的尺寸；
所述BPS遮光层(700)包括：覆盖栅极线(220)及TFT(210)所在区域的第一遮光区(710)、对应位于第一色阻块(411)上方的主隔垫物(720)、及对应位于第二色阻块(421)上方的辅助隔垫物(730)。
8.如权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述第一色阻单元(410)及第一色阻块(411)的材料为红色色阻材料，所述第二色阻单元(420)及第二色阻块(421)的材料为绿色色阻材料，所述第三色阻单元(430)及第三色阻条(431)的材料为蓝色色阻材料。
9.如权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，所述钝化层(500)、色阻层(400)及平坦化层(300)对应TFT(210)形成有过孔(510)，所述像素电极(600)经过孔(510)与TFT(210)接触。
10.如权利要求9所述的TFT基板，其特征在于，所述TFT(210)包括：设于衬底基板(100)上的栅极(211)、覆盖栅极(211)的栅极绝缘层(212)、覆盖栅极(211)的栅极绝缘层(212)、设于栅极(211)上的栅极绝缘层(212)上的有源层(213)、及分别与有源层(213)两端接触的源极(214)及漏极(215)，所述过孔(510)暴露所述漏极(215)，所述像素电极(600)经过孔(510)与漏极(215)接触。
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