JP2015177022A - 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
次に、図2および図3を参照して本発明の第1の実施形態による処理ユニット(基板液処理装置)の構成について説明する。図2および図3は本実施形態による処理ユニット(基板液処理装置)を示す図である。
まず、ウエハWが基板保持部20により保持され、回転駆動部28によりウエハWが回転する。次に、駆動機構78により、気流阻害部材70を移動させ、遮蔽位置に保持する(図3の実線参照)。次に、回転するウエハWには、処理液として、酸性薬液ノズル36から酸性薬液例えばDHFが供給され、ウエハWに酸性薬液洗浄処理が施される。酸性薬液は遠心力によりウエハWから振り切られ、カップ体30に受け止められる。このとき、酸性薬液はカップ体30から排気・排液部31を介して処理ユニット16の外部へ排出される。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、上記酸性薬液ノズル36からの酸性薬液の吐出を停止し、代わりに、リンス液ノズル38から、処理液として、リンス液例えばDIWをウエハWに供給する。これによりウエハW上に残留する酸性薬液及び残渣が洗い流される。この間、駆動機構78により、気流阻害部材70は退避位置に移動される(図3の仮想線参照)。このリンス処理は、上記の点のみが酸性薬液洗浄処理と異なり、その他の点は酸性薬液洗浄処理と略同じである。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、リンス液ノズル38からのリンス液の吐出を停止する。なお、FFU50からは引き続き清浄エアが供給される。また、この間、気流阻害部材70は退避位置に保持される。
以下、本実施形態の各種変形例について説明する。
次に、図6および図7を参照して本発明の第2の実施形態による処理ユニット(基板液処理装置)の構成について説明する。図6および図7に示す第2の実施形態は、気流阻害部材70に代えて気流誘導部材80を設けた点が異なるものであり、他の構成は上述した第1の実施形態と略同一である。図6および図7において、第1の実施形態と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
まず、駆動機構83により、気流誘導部材80を移動させ、誘導位置に保持する(図7の実線参照)。次に、回転するウエハWに、処理液として、酸性薬液ノズル36から酸性薬液例えばDHFが供給され、ウエハWに酸性薬液洗浄処理が施される。このとき、FFU50から清浄エアが下方のウエハWに向かって流れている。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、上記酸性薬液ノズル36からの酸性薬液の吐出を停止し、代わりに、リンス液ノズル38から、処理液として、リンス液例えばDIWをウエハWに供給する。この間、気流誘導部材80は誘導位置に保持される(図7の実線参照)。このリンス処理は、上記の点のみが酸性薬液洗浄処理と異なり、その他の点は酸性薬液洗浄処理と略同じである。
次に、ウエハWの回転を継続したまま、リンス液ノズル38からのリンス液の吐出を停止する。続いて、駆動機構83により、気流誘導部材80を誘導位置から退避位置に移動する(図7の仮想線参照)。なお、FFU50からは引き続き清浄エアが供給される。次いで、処理液として、乾燥促進液ノズル39から乾燥促進液がウエハWに供給され、その後乾燥促進液の供給が停止され、ウエハWの回転を所定時間継続することにより、ウエハWの乾燥が行われる。
20 基板保持部
22 ベース
28 回転駆動部
30 カップ体
31 排気・排液部
36 酸性薬液ノズル
37 アルカリ性薬液ノズル
38 リンス液ノズル
39 乾燥促進液ノズル
40 処理液供給機構
50 FFU
60 ハウジング
61 ハウジング排気口
62 ハウジング排気路
70 気流阻害部材
71 上面板
72 壁面板
75 回動アーム
76 回動軸
77 ブロック板
78 駆動機構
80 気流誘導部材
81 上面板
82 軸部材
83 駆動機構
Claims (13)
- 基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を軸線周りに回転させる回転駆動部と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の上方に配置され、ガスを上方から下方へ向けて供給するガス供給装置と、
前記基板保持部と前記ガス供給装置との間に配置された気流阻害部材とを備え、
前記気流阻害部材は、前記基板保持部に保持された前記基板の周縁の一部を覆うことにより、前記ガス供給装置からのガスの気流を遮ることを特徴とする基板液処理装置。 - 前記気流阻害部材は、上面板と、前記上面板から下方に延びる壁面板とを有することを特徴とする請求項1記載の基板液処理装置。
- 前記壁面板は、前記上面板のうち径方向外側の位置に設けられていることを特徴とする請求項2記載の基板液処理装置。
- 前記上面板のうち前記基板の回転方向下流側の位置に、前記上面板から下方に延びるブロック板が設けられていることを特徴とする請求項2又は3記載の基板液処理装置。
- 前記気流阻害部材を、前記基板の周縁の一部を覆う遮蔽位置と、前記基板から離れた退避位置との間で移動させる駆動機構を更に備えたことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項記載の基板液処理装置。
- 処理液供給時には前記気流阻害部材を遮蔽位置に移動させ、処理液供給した後であって前記基板を乾燥させる乾燥時には前記気流阻害部材を退避位置に移動させるように前記駆動機構を制御する制御装置を更に備えたことを特徴とする請求項5記載の基板液処理装置。
- 前記ハウジングの内部空間の雰囲気を排気するためのハウジング排気口が設けられ、前記ハウジングの内部空間において前記基板保持部の外部に配置された気流誘導部材が設けられ、前記気流誘導部材は、前記ガス供給装置からのガスの気流を前記ハウジング排気口に向けて誘導することを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項記載の基板液処理装置。
- 基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を軸線周りに回転させる回転駆動部と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の上方に配置され、ガスを上方から下方へ向けて供給するガス供給装置と、
前記基板保持部および前記処理液供給部を収容するハウジングと、
前記ハウジングの内部空間の雰囲気を排気するためのハウジング排気口と、
前記ハウジングの内部空間において前記基板保持部の外部に配置された気流誘導部材とを備え、
前記気流誘導部材は、前記基板の上方空間の雰囲気を前記ハウジング排気口に向けて誘導することを特徴とする基板液処理装置。 - 前記気流誘導部材は、平面から見て前記ハウジング排気口に対して前記基板の回転方向下流側の位置に設けられていることを特徴とする請求項8記載の基板液処理装置。
- 前記気流誘導部材を、前記ガス供給装置からのガスの気流を前記ハウジング排気路に向けて誘導する誘導位置と、前記基板の上方空間から離れた退避位置との間で移動させる駆動機構を更に備えたことを特徴とする請求項8又は9記載の基板液処理装置。
- 基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部を軸線周りに回転させる回転駆動部と
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の上方に配置され、ガスを上方から下方へ向けて供給するガス供給装置と、
前記基板保持部と前記ガス供給装置との間に配置された気流阻害部材とを備えた基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法において、
前記ガス供給装置からのガスを、前記基板側に供給する工程と、
前記気流阻害部材が前記基板保持部に保持された前記基板の周縁の一部を覆うことにより、前記ガス供給装置からのガスの気流を遮る工程とを備えたことを特徴とする基板液処理方法。 - 基板を保持する基板保持部と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の上方に配置され、ガスを上方から下方へ向けて供給するガス供給装置と、
前記基板保持部および前記処理液供給部を収容するハウジングと、
前記ハウジングの内部空間の雰囲気を排気するためのハウジング排気口と、
前記ハウジングの内部空間において前記基板保持部の外部に配置された気流誘導部材とを備えた基板処理装置を用いて基板を処理する基板処理方法において、
前記ガス供給装置からのガスを、前記基板側に供給する工程と、
前記気流誘導部材により、前記基板の上方空間の雰囲気を前記ハウジング排気口に向けて誘導する工程とを備えたことを特徴とする基板液処理方法。 - 基板液処理装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該記憶媒体に記憶されたプログラムをコンピュータからなる前記基板液処理装置の制御装置で実行することにより、前記制御装置が前記基板液処理装置を制御して請求項11又は12記載の基板液処理方法を実行することを特徴とする記憶媒体。
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JP2009246163A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2014022664A (ja) * | 2012-07-20 | 2014-02-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置および基板洗浄方法 |
JP2014036613A (ja) * | 2012-08-16 | 2014-02-27 | Toyama Univ | 胆汁うっ滞性障害のモデル動物およびその作製方法 |
JP2015162557A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
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