JP2015175958A - 半導体レーザモジュール、半導体レーザ光源及び半導体レーザシステム - Google Patents
半導体レーザモジュール、半導体レーザ光源及び半導体レーザシステム Download PDFInfo
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Abstract
【課題】半導体レーザに到達する戻り光の量を低減することができる半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザモジュール1は、レーザ光Lを出射する半導体レーザ21と、半導体レーザ21に光学的に結合され、レーザ光Lを導波して出射する光ファイバ3と、を備え、光ファイバ3は、一方の端面4aが半導体レーザ21に光学的に結合された第1光ファイバ4と、一方の端面5aが第1光ファイバ4の他方の端面4bに融着され、他方の端面5bからレーザ光Lを出射する第2光ファイバ5と、を有する。第2光ファイバ5は、屈曲部7を含み、コアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積よりも大きく且つ開口数が前記第1光ファイバの開口数以上である、又は、コアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積以上であり且つ開口数が第1光ファイバ4の開口数よりも大きい。
【選択図】図1
【解決手段】半導体レーザモジュール1は、レーザ光Lを出射する半導体レーザ21と、半導体レーザ21に光学的に結合され、レーザ光Lを導波して出射する光ファイバ3と、を備え、光ファイバ3は、一方の端面4aが半導体レーザ21に光学的に結合された第1光ファイバ4と、一方の端面5aが第1光ファイバ4の他方の端面4bに融着され、他方の端面5bからレーザ光Lを出射する第2光ファイバ5と、を有する。第2光ファイバ5は、屈曲部7を含み、コアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積よりも大きく且つ開口数が前記第1光ファイバの開口数以上である、又は、コアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積以上であり且つ開口数が第1光ファイバ4の開口数よりも大きい。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体レーザモジュール並びに半導体レーザモジュールを使用した半導体レーザ光源及び半導体レーザシステムに関する。
レーザ光を出射する半導体レーザと、半導体レーザから出射されたレーザ光を導波して出射する光ファイバと、光ファイバの出射端面からの半導体レーザへ向う反射光(戻り光)を阻止する光アイソレータと、を備える半導体レーザモジュールが知られている(例えば、特許文献1〜5)。特許文献1〜5に記載の半導体レーザモジュールでは、光アイソレータで戻り光を阻止することによって、戻り光が半導体レーザに到達し、当該半導体レーザの出射端面に損傷を発生させることを抑制する。
しかしながら、特許文献1〜5に記載の半導体レーザモジュールにおいては、光アイソレータを用いるため、高コストとなる。そこで、本技術分野では、半導体レーザに到達する戻り光の量を低減する新規な手法が望まれている。
本発明の一側面に係る半導体レーザモジュールは、レーザ光を出射する半導体レーザと、半導体レーザに光学的に結合され、レーザ光を導波して出射する光ファイバと、を備え、光ファイバは、一方の端面が半導体レーザに光学的に結合された第1光ファイバと、一方の端面が第1光ファイバの他方の端面に融着され、他方の端面からレーザ光を出射する第2光ファイバと、を有し、第2光ファイバは、屈曲部を含み、コアの断面積が第1光ファイバのコアの断面積よりも大きく且つ開口数が第1光ファイバの開口数以上である、又は、コアの断面積が第1光ファイバのコアの断面積以上であり且つ開口数が第1光ファイバの開口数よりも大きい。
この半導体レーザモジュールでは、光ファイバが、端面同士で融着された第1光ファイバ及び第2光ファイバを有し、第1光ファイバ及び第2光ファイバのコアの断面積及び開口数が所定の関係となっているので、第1光ファイバ及び第2光ファイバの融着部において光ファイバの出射端面からの戻り光をコアの外部へと漏れ出させて、半導体レーザに到達する戻り光の量を低減することができる。また、融着部よりも出射端面側に位置する第2光ファイバが屈曲部を含むので、モードスクランブルが発生し、第2光ファイバのコア内全体に戻り光が拡がり易くなるため、融着部において戻り光をコアの外部へ効率良く出力することができる。よって、半導体レーザに到達する戻り光の量を適切に低減することが可能となる。
第2光ファイバは、一方の端面におけるコアの断面が第1光ファイバの他方の端面におけるコアの断面全体と光ファイバの中心軸方向から見て重なるように第1光ファイバに融着されてもよい。この場合、半導体レーザから出射されたレーザ光が第1光ファイバと第2光ファイバとの融着部を経由する際の光損失を抑制することが可能となる。
第1光ファイバ及び第2光ファイバのそれぞれは、コアの断面が円形であってもよい。この場合、第1光ファイバ及び第2光ファイバのそれぞれは、コアの断面が回転対称であるため、融着する際の位置合わせが行い易くなる。
屈曲部は、第2光ファイバがリング状に巻かれた部分であってもよい。この場合、モードスクランブルがより発生し易くなる。
屈曲部は、第2光ファイバが8の字状に巻かれた部分であってもよい。この場合、モードスクランブルがより一層発生し易くなる。
本発明の一側面に係る半導体レーザ光源は、上記半導体レーザモジュールを備える。
この半導体レーザ光源は、上記半導体レーザモジュールを備えるので、半導体レーザに到達する戻り光の量を適切に低減することができる。
本発明の一側面に係る半導体レーザシステムは、上記半導体レーザモジュールを備える。
この半導体レーザシステムは、上記半導体レーザモジュールを備えるので、半導体レーザに到達する戻り光の量を適切に低減することができる。
本発明の一側面によれば、半導体レーザに到達する戻り光の量を低減することができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
(第1実施形態)
図1は、第1実施形態の半導体レーザモジュールの構成図である。図1に示すように、半導体レーザモジュール1は、半導体レーザ装置2と、光ファイバ3とを備える。半導体レーザ装置2は、半導体レーザ21と、半導体レーザ21から出射されたレーザ光Lを光ファイバ3の入射端面3aに集光する光学系(図示せず)と、を有している。光ファイバ3は、一方の端部に入射端面3aを有し、他方の端部に出射端面3bを有する。光ファイバ3は、半導体レーザ21に入射端面3a側が光学的に結合され、入射端面3aから入射させられたレーザ光Lを導波して出射端面3bから出射する。光学的に結合とは、光を導波可能に接続されていることを意味する。例えば、光ファイバ3は、接続損失を低減するために半導体レーザ21に直接接続されてもよいし、光学部材又は空気等を介して接続されてもよい。光学部材は、レンズ又は光ファイバ等であってもよい。光ファイバ3は、マルチモードコアのファイバである。光ファイバ3の出射端面3b側の端部には、コネクタ9が取り付けられている。出射端面3bは、コネクタ9のフェルールに光ファイバ3を挿入し、コネクタ9を垂直研磨して端面出しすることにより形成される垂直研磨面である。
図1は、第1実施形態の半導体レーザモジュールの構成図である。図1に示すように、半導体レーザモジュール1は、半導体レーザ装置2と、光ファイバ3とを備える。半導体レーザ装置2は、半導体レーザ21と、半導体レーザ21から出射されたレーザ光Lを光ファイバ3の入射端面3aに集光する光学系(図示せず)と、を有している。光ファイバ3は、一方の端部に入射端面3aを有し、他方の端部に出射端面3bを有する。光ファイバ3は、半導体レーザ21に入射端面3a側が光学的に結合され、入射端面3aから入射させられたレーザ光Lを導波して出射端面3bから出射する。光学的に結合とは、光を導波可能に接続されていることを意味する。例えば、光ファイバ3は、接続損失を低減するために半導体レーザ21に直接接続されてもよいし、光学部材又は空気等を介して接続されてもよい。光学部材は、レンズ又は光ファイバ等であってもよい。光ファイバ3は、マルチモードコアのファイバである。光ファイバ3の出射端面3b側の端部には、コネクタ9が取り付けられている。出射端面3bは、コネクタ9のフェルールに光ファイバ3を挿入し、コネクタ9を垂直研磨して端面出しすることにより形成される垂直研磨面である。
光ファイバ3は、入射端面3aを含む部分をなす第1光ファイバ4と、出射端面3bを含む部分をなす第2光ファイバ5と、を有している。第1光ファイバ4は、一方の端面4aが半導体レーザ装置2に光学的に結合されている。即ち、第1光ファイバ4の端面4aは、光ファイバ3の入射端面3aである。第2光ファイバ5は、一方の端面5aが第1光ファイバ4の他方の端面4bに融着されている。融着とは、例えば、加熱により第1光ファイバ4の端面4a側の部分及び第2光ファイバ5の端面5a側の部分を溶融させ、溶融状態で接着する方法である。端面4bと端面5aとの間には融着部6が形成されている。また、第2光ファイバ5は、他方の端面5bからレーザ光Lを出射する。即ち、第2光ファイバ5の端面5bは、光ファイバ3の出射端面3bである。
第2光ファイバ5は、屈曲部7を含んでいる。屈曲部7は、第2光ファイバ5が所定の曲率で屈曲させられた部分である。具体的には、屈曲部7は、第2光ファイバ5が所定の曲率でリング状に巻かれた部分である。より具体的には、屈曲部7は、第2光ファイバ5が一平面内で8の字状に巻かれた部分である。なお、8の字状もリング状の1種である。
図2は、図1の屈曲部を示す構成図である。図2に示すように、屈曲部7は、第2光ファイバ5が一平面内で8の字状に巻かれた部分である。屈曲部7は、第2光ファイバ5の一部で構成されてもよいし、全部で構成されてもよい。なお、屈曲部7は、ある視線方向で上述のように屈曲していればよく、視線方向によっては屈曲していないものも含む。例えば、一平面内で8の字状とは、図2に示すように、少なくとも当該一平面の平面視で8の字状であればよい。
図3は、(A)が図1の融着部の中心軸方向における断面を拡大して示す拡大断面図、(B)が図1の第1光ファイバの径方向における屈折率分布を示す図、(C)が図1の第2光ファイバの径方向における屈折率分布を示す図である。図3(A)に示すように、第1光ファイバ4は、断面が円形で中心軸M方向に延びるコア41と、コア41の外周面を取り囲むクラッド42とを含んでいる。第2光ファイバ5は、同じく断面が円形で中心軸M方向に延びるコア51と、コア51の外周面を取り囲むクラッド52とを含んでいる。第2光ファイバ5のコア径a2は、第1光ファイバ4のコア径a1よりも大きい。即ち、第2光ファイバ5のコアの断面積は、第1光ファイバ4のコアの断面積よりも大きい。第1光ファイバ4の開口数NA1は、第2光ファイバ5の開口数NA2と等しい。
クラッド42及びクラッド52の径方向の厚さは等しく、第2光ファイバ5のクラッド径b2は、第1光ファイバ4のクラッド径b1よりも大きい。なお、クラッド42及びクラッド52の径方向の厚さ、第2光ファイバ5のクラッド径b2及び第1光ファイバ4のクラッド径b1の関係はこれに限られない。第2光ファイバ5のコアの断面積は第1光ファイバ4のコアの断面積よりも大きく、第1光ファイバ4の開口数NA1は第2光ファイバ5の開口数NA2と等しいという関係を満たしていれば、第1光ファイバ4のクラッド径b1は、第2光ファイバ5のクラッド径b2と等しくてもよい。
融着部6は、第1光ファイバ4の端面4b側から第2光ファイバ5の端面5a側にかけて、コア径及びクラッド径が漸次増大して、コア径の異なる第1光ファイバ4と第2光ファイバ5とを滑らかに接続する形状を有する。これにより、融着部6の機械的強度が増大する。なお、融着部6は、このようにコア径及びクラッド径が漸次増大するような形状を有する場合に限られず、コア径及びクラッド径が急激に増大するような形状を有してもよく、中心軸M方向における断面がクランク状となる形状を有してもよい。融着による光損失の抑制及び機械的強度の確保を考慮して、最適となる形状を選択することとなる。通常、光ファイバ同士の接続は、放電又はヒータ加熱等を使用した融着接続である。融着接続には、例えば、光ファイバ融着接続専用の融着接続機(フジクラ製FSM-40PM)を使用することができる。これによれば、溶融領域の調整、溶融時間の最適化を行うことで、融着による光損失を低減させることができる。加えて、図3に示すように、第1光ファイバ4と第2光ファイバ5との界面部分である融着部6の外周面を滑らかにして、融着部6の機械的強度を向上させることができる。
第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5は、第1光ファイバ4の中心軸M1及び第2光ファイバ5の中心軸M2が一致するように融着されている。即ち、光ファイバ3の中心軸Mは、第1光ファイバ4の中心軸M1及び第2光ファイバ5の中心軸M2とそれぞれ一致している。言い換えると、第2光ファイバ5は、端面5aにおけるコアの断面が第1光ファイバ4の端面4bにおけるコアの断面全体と光ファイバ3の中心軸M方向から見て重なるように第1光ファイバ4に融着されている。なお、融着後の第1光ファイバ4の端面4b及び第2光ファイバ5の端面5aの位置は、それぞれ融着部6に隣接する位置である。即ち、融着後の第1光ファイバ4の端面4b及び第2光ファイバ5の端面5aは、融着部6を介して配置されている状態である。
図3(B)及び図3(C)に示すように、第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5は、コア41及びコア51の屈折率がそれぞれ等しく、クラッド42及びクラッド52の屈折率がそれぞれ等しい。また、コア41及びコア51の屈折率は、それぞれクラッド42及びクラッド52の屈折率よりも高く、第1光ファイバ4におけるコア41及びクラッド42の屈折率差δ1は、第2光ファイバ5におけるコア51及びクラッド52の屈折率差δ2に等しい。
以上のように構成された半導体レーザモジュール1においては、半導体レーザ21から出射されたレーザ光Lは、入射端面3aから光ファイバ3に入射させられ、光ファイバ3によって導波された後、出射端面3bから出射される。光ファイバ3は、第1光ファイバ4と、第2光ファイバ5とが融着されてなる。このため、より具体的には、半導体レーザ21から出射されたレーザ光Lは、端面4aから第1光ファイバ4に入射させられ、第1光ファイバ4によって導波される。続いて、レーザ光Lは、融着部6を経由して第2光ファイバ5に入射させられる。この際の光損失は、第2光ファイバ5の端面5aにおけるコアの断面が第1光ファイバ4の端面4bにおけるコアの断面全体と光ファイバ3の中心軸M方向から見て重なり、且つ第1光ファイバ4の開口数NA1が第2光ファイバ5の開口数NA2と等しいために少ない。そして、第2光ファイバ5に入射させられたレーザ光Lは、第2光ファイバ5によって導波された後、端面5bから出射される。
ここで、第2光ファイバ5の端面5bでは、第2光ファイバ5の材質である石英と大気との屈折率の不整合により、約3%のフレネル反射が発生する。戻り光が半導体レーザへ入力されることを防ぐために、光アイソレータを用いる場合もある。しかし、光アイソレータを用いる手法では、光アイソレータのファラデー回転子としてガーネット単結晶膜を用いた場合、例えば、0.8〜0.9μmの波長帯域ではガーネット単結晶膜中に含まれる鉄の成分が光吸収を起こす。これにより、この波長帯域では光損失が更に増大し、光出力が半分以下となってしまうおそれがある。加えて、発熱するため冷却設備が必要となり、実用化が困難である。ガーネット単結晶膜以外の材料として、TGG(Terbium Gallium Garnet)、TAG(Terbium Aluminum Garnet)等が挙げられるが、いずれも磁気光学効果が不十分であり、半導体レーザに到達する戻り光を阻止することが困難である。仮に、これらの材料で光アイソレータを構成した場合、半導体レーザに到達する戻り光を阻止するためには非常に大きな構造とする必要があり、やはり実用化が難しいという問題がある。
また、従来、半導体レーザに到達する戻り光の量を低減する方法として、コネクタを斜めに研磨し、光ファイバの出射端面を斜め研磨面とする方法が知られている。例えば、コア径105μm、開口数0.22の光ファイバを使用した場合、垂直研磨面では反射減衰量が14.8dB(約3.3%)であるのに対して、斜め研磨面では反射減衰量が21.9dB(約0.6%)まで減少する。しかし、出射端面が斜め研磨面であると、出射端面から出射されるレーザ光もスネルの法則に基づき、約2度の角度を持って出射される。したがって、例えば、コネクタの先に加工ヘッドを接続し、レーザ光を加工対象物に照射して用いるような場合、光ファイバと加工ヘッドとが非同軸となることから、実用的でないおそれがある。また、コネクタ端面(即ち、光ファイバの出射端面)が斜めであっても、加工対象物等から光が同一軌道を通って戻ってくる際には、その光が光ファイバに戻って半導体レーザに到達し、半導体レーザに損傷を与えてしまう可能性がある。なお、反射減衰量とは、半導体レーザの出射光量と半導体レーザへの戻り光量との相対比のことであり、半導体レーザへの戻り光量/光ファイバの出射光量(%)、又は−10log(半導体レーザへの戻り光量/光ファイバの出射光量)(dB)で定義される。
これに対し、半導体レーザモジュール1では、第2光ファイバ5のコアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積よりも大きく、且つ第1光ファイバ4の開口数NA1が第2光ファイバ5の開口数NA2と等しい。したがって、第2光ファイバ5の端面5bで生じた戻り光Lrは、第2光ファイバ5によって導波された後、図1に示すように、融着部6においてコアの外部へと漏れ出る。これにより、半導体レーザ21に到達する戻り光Lrの量を低減することができる。また、屈曲部7でモードスクランブルが発生し、戻り光Lrが第2光ファイバ5のコア51内全体に均一に拡がり易くなる。即ち、第2光ファイバ5のコア51内を高次モードで伝搬する光のパワーの割合が増える。これにより、融着部6において戻り光Lrがコアの外部へと漏れ出易くなり、戻り光Lrによる半導体レーザ21の損傷を効果的に抑制することができる。なお、モードスクランブルとは、光ファイバ内の複数のモード間で光パワーの相互伝達を引き起こし、実効的にモードをスクランブルする現象をいう。
以上説明したように、実施形態の半導体レーザモジュール1は、レーザ光Lを出射する半導体レーザ21と、半導体レーザ21に光学的に結合され、レーザ光Lを導波して出射する光ファイバ3と、を備え、光ファイバ3は、一方の端面4aが半導体レーザ21に光学的に結合された第1光ファイバ4と、一方の端面5aが第1光ファイバ4の他方の端面4bに融着され、他方の端面4bからレーザ光Lを出射する第2光ファイバ5と、を有し、第2光ファイバ5は、屈曲部7を含み、第2光ファイバ5のコアの断面積は第1光ファイバ4のコアの断面積よりも大きく、第1光ファイバ4の開口数NA1は第2光ファイバ5の開口数NA2と等しい。
この半導体レーザモジュール1では、光ファイバ3が第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5を有し、第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5は端面4b,5a同士で融着接続されている。また、第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5のコアの断面積及び開口数NA1,NA2が所定の関係となっているので、融着部6において光ファイバ3の出射端面3bからの戻り光Lrをコアの外部へと漏れ出させることにより、戻り光Lrが半導体レーザ21に到達し、半導体レーザ21の特に出射端面に損傷を発生させることを抑制する。また、融着部6よりも出射端面3b側に位置する第2光ファイバ5が屈曲部7を含むので、モードスクランブルが発生し、第2光ファイバ5のコア内全体に戻り光Lrが拡がり易くなる。これにより、融着部6において戻り光Lrがコアの外部へと漏れ出易くなり、半導体レーザ21に到達する戻り光Lrの量を低減するのに有利である。
また、第2光ファイバ5は、端面5aにおけるコアの断面が第1光ファイバ4の端面4bにおけるコアの断面全体と光ファイバ3の中心軸M方向から見て重なるように第1光ファイバ4に融着される。これにより、半導体レーザ21から出射されたレーザ光Lが融着部6を経由する際の光損失を抑制することができる。また、第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5のそれぞれは、コアの断面が円形である。つまり、コアの断面が回転対称であえるため、第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5を融着する際に、位置合わせが行い易い。第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5のそれぞれの中心軸M1、M2を合わせさえすれば、必ず第1光ファイバ4の端面4bにおけるコアの断面全体と第2光ファイバ5の端面5aにおけるコアの断面とが、光ファイバ3の中心軸M方向から見て重なるようになる。また、屈曲部7は、第2光ファイバ5が一平面上で8の字状に巻かれた部分であるため、モードスクランブルを効果的に発生させることができる。
半導体レーザのようなシングルエミッタ素子は、高負荷状態、つまり高駆動電流領域で使用される。したがって、半導体レーザを光ファイバに接続してファイバモジュール化する場合、光ファイバの出射端面からのフレネル反射により、素子端面がより損傷し易いおそれがある。半導体レーザモジュール1では、上記の構成を備えることにより、光ファイバ3の出射端面3bで生じた戻り光Lrを半導体レーザ21へ戻らないようする戻り光防止効果を有するので、素子を損傷させることなく高い駆動電流まで使用することができる。
また、この半導体レーザモジュール1では、光アイソレータのような光損失を増大させるおそれのある光学部材を用いず、光ファイバ3によって半導体レーザ21に到達する戻り光Lrの量を低減するため、光損失を効果的に抑制することができる。また一般に、光アイソレータは高価であるため、光アイソレータを用いないことにより、製造コストを削減することが可能となる。また、光アイソレータを用いないことにより、部品点数を減らして構成の小型化及び簡素化を図ることが可能となる。
この半導体レーザモジュール1は、例えば、樹脂又ははんだの溶接等に用いられる半導体レーザ光源又は様々な半導体レーザシステムに適用することができる。
(第2実施形態)
図4は、(A)が第2実施形態の融着部の中心軸方向における断面図を拡大して示す拡大断面図、(B)が第2実施形態の第1光ファイバの径方向における屈折率分布を示す図、(C)が第2実施形態の第2光ファイバの径方向における屈折率分布を示す図である。図4に示すように、第2実施形態は、用いる光ファイバ3が異なる点で第1実施形態と相違する。特に、第2光ファイバ5が第1実施形態とは異なる。第2光ファイバ5のコア径a2が第1光ファイバ4のコア径a1と等しく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きい。即ち、第2光ファイバ5のコアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積と等しく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きい。
図4は、(A)が第2実施形態の融着部の中心軸方向における断面図を拡大して示す拡大断面図、(B)が第2実施形態の第1光ファイバの径方向における屈折率分布を示す図、(C)が第2実施形態の第2光ファイバの径方向における屈折率分布を示す図である。図4に示すように、第2実施形態は、用いる光ファイバ3が異なる点で第1実施形態と相違する。特に、第2光ファイバ5が第1実施形態とは異なる。第2光ファイバ5のコア径a2が第1光ファイバ4のコア径a1と等しく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きい。即ち、第2光ファイバ5のコアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積と等しく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きい。
クラッド42及びクラッド52の径方向の厚さは等しく、第1光ファイバ4のクラッド径b1及び第1光ファイバ4のクラッド径b2は等しい。このようにコア径a1及びコア径a2が等しく、クラッド径b1及びクラッド径b2が等しいため、融着部6は、コア径及びクラッド径が均一であり、第1光ファイバ4と第2光ファイバ5とを滑らかに接続する形状を有する。これにより、融着部6の機械的強度が増大する。なお、クラッド42及びクラッド52の径方向の厚さ、第1光ファイバ4のクラッド径b1及び第2光ファイバ5のクラッド径b2の関係はこれに限られない。第2光ファイバ5のコアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積と等しく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きいという関係を満たしていれば、第1光ファイバ4のクラッド径b1は、第2光ファイバ5のクラッド径b2よりも大きくてもよいし、小さくてもよい。
また、第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5は、コア41及びコア51の屈折率がそれぞれ等しく、クラッド42の屈折率はクラッド52の屈折率よりも大きい。また、コア41及びコア51の屈折率は、それぞれクラッド42及びクラッド52の屈折率よりも高く、第1光ファイバ4におけるコア41及びクラッド42の屈折率差δ1は、第2光ファイバ5におけるコア51及びクラッド52の屈折率差δ2よりも小さい。
以上のように構成された半導体レーザモジュール1においては、第2光ファイバ5のコアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積と等しく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きい。これにより、第1実施形態と同様に、戻り光Lrは、融着部6においてコアの外部へと漏れ出るため、半導体レーザ21に到達する戻り光Lrの量を低減することができる。また、第1実施形態と同様に、第2光ファイバ5の端面5aにおけるコアの断面が第1光ファイバ4の端面4bにおけるコアの断面全体と光ファイバ3の中心軸M方向から見て重なっているため、レーザ光Lが融着部6を経由して第2光ファイバ5に入射させられるときの光損失が少ない。
また、この半導体レーザモジュール1では、このようにコア径a1及びコア径a2が等しく、クラッド径b1及びクラッド径b2が等しいため、融着接続するのが容易である。また、接続による光損失を低減させ易い。
(第3実施形態)
図5は、(A)が第3実施形態の融着部の中心軸方向における断面図を拡大して示す拡大断面図、(B)が第3実施形態の第1光ファイバの径方向における屈折率分布を示す図、(C)が第3実施形態の第1光ファイバの径方向における屈折率分布を示す図である。図5に示すように、第3実施形態は、用いる光ファイバ3が異なる点で第1実施形態と相違する。特に、第2光ファイバ5が第1実施形態とは異なる。第2光ファイバ5のコア径a2が第1光ファイバ4のコア径a1よりも大きく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きい。即ち、第2光ファイバ5のコアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積よりも大きく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きい。
図5は、(A)が第3実施形態の融着部の中心軸方向における断面図を拡大して示す拡大断面図、(B)が第3実施形態の第1光ファイバの径方向における屈折率分布を示す図、(C)が第3実施形態の第1光ファイバの径方向における屈折率分布を示す図である。図5に示すように、第3実施形態は、用いる光ファイバ3が異なる点で第1実施形態と相違する。特に、第2光ファイバ5が第1実施形態とは異なる。第2光ファイバ5のコア径a2が第1光ファイバ4のコア径a1よりも大きく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きい。即ち、第2光ファイバ5のコアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積よりも大きく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きい。
クラッド42及びクラッド52の径方向の厚さは等しく、第2光ファイバ5のクラッド径b2は、第1光ファイバ4のクラッド径b1よりも大きい。なお、クラッド42及びクラッド52の径方向の厚さ、第2光ファイバ5のクラッド径b2及び第1光ファイバ4のクラッド径b1の関係はこれに限られない。第2光ファイバ5のコア径a2が第1光ファイバ4のコア径a1よりも大きく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きいという関係を満たしていれば、第1光ファイバ4のクラッド径b1は、第2光ファイバ5のクラッド径b2と等しくてもよい。
融着部6は、第1光ファイバ4の端面4b側から第2光ファイバ5の端面5a側にかけて、コア径及びクラッド径が漸次増大して、コア径の異なる第1光ファイバ4と第2光ファイバ5とを滑らかに接続する形状を有する。これにより、融着部6の機械的強度が増大する。なお、融着部6は、このようにコア径及びクラッド径が漸次増大するような形状を有する場合に限られず、コア径及びクラッド径が急激に増大するような形状を有してもよく、中心軸M方向における断面がクランク状となる形状を有してもよい。融着による光損失の抑制及び機械的強度の確保を考慮して、最適となる形状を選択することとなる。
また、第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5は、コア41及びコア51の屈折率がそれぞれ等しく、クラッド42の屈折率はクラッド52の屈折率よりも大きい。また、コア41及びコア51の屈折率は、それぞれクラッド42及びクラッド52の屈折率よりも高く、第1光ファイバ4におけるコア41及びクラッド42の屈折率差δ1は、第2光ファイバ5におけるコア51及びクラッド52の屈折率差δ2よりも小さい。
以上のように構成された半導体レーザモジュール1においては、第2光ファイバ5のコアの断面積が第1光ファイバ4のコアの断面積よりも大きく、且つ第2光ファイバ5の開口数NA2が第1光ファイバ4の開口数NA1よりも大きいので、戻り光Lrは、融着部6においてコアの外部へと漏れ出るため、半導体レーザ21に到達する戻り光Lrの量を低減することができる。また、第1実施形態と同様に、第2光ファイバ5の端面5aにおけるコアの断面が第1光ファイバ4の端面4bにおけるコアの断面全体と光ファイバ3の中心軸M方向から見て重なっているため、レーザ光Lが融着部6を経由して第2光ファイバ5に入射させられるときの光損失が少ない。
以上、実施形態について説明したが、本発明は、上記各実施形態に限定されるものではない。例えば、屈曲部7の形状は、第2光ファイバ5が一平面内で8の字状に屈曲する形状として説明したが、これに限られず様々な形状を取り得る。
図6は、屈曲部の変形例を示す構成図である。例えば、図6(A)に示すように、第2光ファイバ5が一方向に一回屈曲する形状としてもよい。また、図6(B)に示すように、第2光ファイバ5が一平面内で対向する二方向にそれぞれ一回ずつ屈曲する形状としてもよい。また、図示しないが、2重以上に巻かれたリング状であってもよく、モードスクランブルを適切に生じるような形状であれば何でもよい。
また、第2光ファイバ5は、端面5aにおけるコアの断面が第1光ファイバ4の端面4bにおけるコアの断面全体と光ファイバ3の中心軸M方向から見て重なるように第1光ファイバ4に融着されるとして説明したが、これに限られない。少なくとも第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5のコアの断面積及び開口数NA1,NA2が所定の関係となっていれば、第2光ファイバ5の端面5aにおけるコアの断面が第1光ファイバ4の端面4bにおけるコアの断面全体と光ファイバ3の中心軸M方向から見て重ならない場合であっても、半導体レーザ21に到達する戻り光Lrの量を低減することができる。
また、少なくとも第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5のコアの断面積及び開口数NA1,NA2が所定の関係となっていれば、第1光ファイバ4のコアの断面及び第2光ファイバ5のコアの断面は、それぞれ円形に限定されることなく、例えば、方形等であってもよい。第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5のコアの断面がそれぞれ方形のとき、第2光ファイバ5のコアの断面における一辺の長さは、第1光ファイバ4のコアの断面における一辺の長さ以上である。
また、光ファイバ3は、第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5の2つの光ファイバからなるとして説明したが、光ファイバ3は、3つ以上の光ファイバからなってもよい。光ファイバ3が、第1光ファイバ4、第2光ファイバ5、・・・第n光ファイバ(nは3以上の整数)からなる場合、第n光ファイバは、半導体レーザ21と第1光ファイバ4との間に光学的に結合されてもよいし、第2光ファイバ5の端面5bに光学的に結合されてもよい。即ち、第1光ファイバ4の端面4a及び第2光ファイバ5の端面5bは、それぞれ光ファイバ3の入射端面3a及び出射端面3bであるとは限らない。このように光ファイバ3が3つ以上の光ファイバから構成される場合も、少なくとも第1光ファイバ4及び第2光ファイバ5のコアの断面積及び開口数NA1,NA2が所定の関係となっていればよい。
光ファイバ3が3つ以上の光ファイバから構成される場合に、半導体レーザ21側から順に、コア径又は開口数が徐々に大きくなるような順番で各光ファイバを融着すると、光損失を抑制することができる。更に、第1光ファイバ4と第2光ファイバ5との融着部6だけでなく、これ以外の融着部においても戻り光Lrがコアの外部へと漏れ出るので、半導体レーザ21に到達する戻り光Lrの量を低減することができる。また、第n光ファイバが第2光ファイバ5の端面5b側に融着接続される場合は、第n光ファイバは第2光ファイバ5と同様に屈曲部を有してもよい。これによれば、半導体レーザ21に到達する戻り光Lrの量を効果的に低減することができる。
また、出射端面3bを斜め研磨面としてもよい。これによれば、半導体レーザ21に到達する戻り光Lrの量をより効果的に低減することができる。
以下に実施例を説明する。ただし、本発明はこれらの例によって何ら限定されるものはない。
(実施例1)
第1光ファイバとして、コア径が105μm、開口数が0.15である光ファイバを用意した。また、第2光ファイバとして、コア径が105μm、開口数が0.22である光ファイバを用意した。続いて、用意した第1光ファイバ及び第2光ファイバを各中心軸が一致するように融着接続した光ファイバを用いて、上記の第2実施形態の半導体レーザモジュールに対応する実施例1の半導体レーザモジュールを構成した。
第1光ファイバとして、コア径が105μm、開口数が0.15である光ファイバを用意した。また、第2光ファイバとして、コア径が105μm、開口数が0.22である光ファイバを用意した。続いて、用意した第1光ファイバ及び第2光ファイバを各中心軸が一致するように融着接続した光ファイバを用いて、上記の第2実施形態の半導体レーザモジュールに対応する実施例1の半導体レーザモジュールを構成した。
更に、この半導体レーザモジュールの屈曲部の形状を図6(A)に示されるような一回屈曲する形状としたものを、実施例1−1とし、図6(B)に示されるような二回屈曲する形状としたものを、実施例1−2とし、図2に示されるような8の字状としたものを、実施例1−3とした。
(実施例2)
第1光ファイバとして、コア径が105μm、開口数が0.15である光ファイバを用意した。また、第2光ファイバとして、コア径が200μm、開口数が0.15である光ファイバを用意した。続いて、用意した第1光ファイバ及び第2光ファイバを各中心軸が一致するように融着接続した光ファイバを用いて、上記の第1実施形態の半導体レーザモジュールに対応する実施例2の半導体レーザモジュールを構成した。
第1光ファイバとして、コア径が105μm、開口数が0.15である光ファイバを用意した。また、第2光ファイバとして、コア径が200μm、開口数が0.15である光ファイバを用意した。続いて、用意した第1光ファイバ及び第2光ファイバを各中心軸が一致するように融着接続した光ファイバを用いて、上記の第1実施形態の半導体レーザモジュールに対応する実施例2の半導体レーザモジュールを構成した。
更に、この半導体レーザモジュールの屈曲部の形状を図6(A)に示されるような一回屈曲する形状としたものを、実施例2−1とし、図6(B)に示されるような二回屈曲する形状としたものを、実施例2−2とし、図2に示されるような8の字状としたものを、実施例2−3とした。
(実施例3)
第1光ファイバとして、コア径が105μm、開口数が0.15である光ファイバを用意した。また、第2光ファイバとして、コア径が200μm、開口数が0.22である光ファイバを用意した。続いて、用意した第1光ファイバ及び第2光ファイバを各中心軸が一致するように融着接続した光ファイバを用いて、上記の第3実施形態の半導体レーザモジュールに対応する実施例3の半導体レーザモジュールを構成した。
第1光ファイバとして、コア径が105μm、開口数が0.15である光ファイバを用意した。また、第2光ファイバとして、コア径が200μm、開口数が0.22である光ファイバを用意した。続いて、用意した第1光ファイバ及び第2光ファイバを各中心軸が一致するように融着接続した光ファイバを用いて、上記の第3実施形態の半導体レーザモジュールに対応する実施例3の半導体レーザモジュールを構成した。
更に、この半導体レーザモジュールの屈曲部の形状を図6(A)に示されるような一回屈曲する形状としたものを、実施例3−1とし、図6(B)に示されるような二回屈曲する形状としたものを、実施例3−2とし、図2に示されるような8の字状としたものを、実施例3−3とした。
(比較例)
コア径が105μm、開口数が0.15である光ファイバを1種類のみ用意し、これを用いて比較例の半導体レーザモジュールを構成した。
コア径が105μm、開口数が0.15である光ファイバを1種類のみ用意し、これを用いて比較例の半導体レーザモジュールを構成した。
(頓死電流及びファイバ出力の測定)
上記実施例1〜3及び比較例の半導体レーザモジュールを用いて、頓死電流及びファイバ出力を測定した。この測定結果を表1に示す。また、屈曲により完全にモードスクランブルが行われたと想定して計算した各光ファイバの反射減衰率も表1にあわせて示す。なお、半導体レーザモジュールの頓死電流とは、半導体レーザが戻り光により損傷し、半導体レーザモジュールとして動作不能となる電流値である。ファイバ出力とは、半導体レーザモジュールが動作不能となるときの出力、即ち、半導体レーザモジュールの許容最大出力である。
上記実施例1〜3及び比較例の半導体レーザモジュールを用いて、頓死電流及びファイバ出力を測定した。この測定結果を表1に示す。また、屈曲により完全にモードスクランブルが行われたと想定して計算した各光ファイバの反射減衰率も表1にあわせて示す。なお、半導体レーザモジュールの頓死電流とは、半導体レーザが戻り光により損傷し、半導体レーザモジュールとして動作不能となる電流値である。ファイバ出力とは、半導体レーザモジュールが動作不能となるときの出力、即ち、半導体レーザモジュールの許容最大出力である。
表1に示すように、比較例では15A(ファイバ出力13.5W)の駆動電流で、半導体レーザの出射端面が損傷した。これに対して、実施例1〜3では、いずれも半導体レーザモジュールの頓死電流及びファイバ出力が向上した。最も特性が向上したのは、第2光ファイバとして、コア径及び開口数がいずれも第1光ファイバのコア径及び開口数よりも大きい光ファイバを用いた実施例3の場合であった。この結果から、第1光ファイバ及び第2光ファイバのコアの断面積及び開口数を所定の関係とすることにより、戻り光が半導体レーザに到達する光の量を低減し、半導体レーザの損傷が抑制されることが確認できた。また、第2光ファイバのコアの断面積及び開口数の両方を第1光ファイバのコアの断面積及び開口数よりも大きくすることにで、最もその効果が得られることが分った。
また、実施例1〜3のいずれにおいても、屈曲部の形状が、8の字状のときに最も頓死電流及びファイバ出力が向上した。屈曲部の形状が二回屈曲の方が、一回屈曲より、頓死電流及びファイバ出力が向上した。この結果から、8の字状のときに最もモードスクランブルが生じ易くなることが確認できた。
1…半導体レーザモジュール、3…光ファイバ、4…第1光ファイバ、4a…第1光ファイバの端面(一方の端面)、4b…第1光ファイバの端面(他方の端面)、5…第2光ファイバ、5a…第2光ファイバの端面(一方の端面)、5b…第2光ファイバの端面(他方の端面)、7…屈曲部、21…半導体レーザ、a1,a2…コア径、L…レーザ光、M,M1,M2…中心軸。
Claims (7)
- レーザ光を出射する半導体レーザと、
前記半導体レーザに光学的に結合され、前記レーザ光を導波して出射する光ファイバと、を備え、
前記光ファイバは、
一方の端面が前記半導体レーザに光学的に結合された第1光ファイバと、
一方の端面が前記第1光ファイバの他方の端面に融着され、他方の端面から前記レーザ光を出射する第2光ファイバと、を有し
前記第2光ファイバは、
屈曲部を含み、
コアの断面積が前記第1光ファイバのコアの断面積よりも大きく且つ開口数が前記第1光ファイバの開口数以上である、又は、コアの断面積が前記第1光ファイバのコアの断面積以上であり且つ開口数が前記第1光ファイバの開口数よりも大きい、半導体レーザモジュール。 - 前記第2光ファイバは、前記一方の端面における前記コアの断面が前記第1光ファイバの前記他方の端面におけるコアの断面全体と前記光ファイバの中心軸方向から見て重なるように前記第1光ファイバに融着される、請求項1記載の半導体レーザモジュール。
- 前記第1光ファイバ及び前記第2光ファイバのそれぞれは、コアの断面が円形である、請求項1又は2記載の半導体レーザモジュール。
- 前記屈曲部は、前記第2光ファイバがリング状に巻かれた部分である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
- 前記屈曲部は、前記第2光ファイバが8の字状に巻かれた部分である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュール。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュールを備える半導体レーザ光源。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュールを備える半導体レーザシステム。
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CN114740565A (zh) | 瞄准光束的自由空间耦合 |
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