JP2015170987A - 電子回路、電子回路の制御方法、および、電子装置 - Google Patents

電子回路、電子回路の制御方法、および、電子装置 Download PDF

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Takeshi Matsubara
岳志 松原
田村 昌久
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    • G04HOROLOGY
    • G04FTIME-INTERVAL MEASURING
    • G04F10/00Apparatus for measuring unknown time intervals by electric means
    • G04F10/005Time-to-digital converters [TDC]

Abstract

【課題】遅延素子の遅延時間を所定値に制御する。
【解決手段】電子回路は、複数の遅延素子と、遅延時間取得部と、電圧制御部とを具備する。複数の遅延素子は、電源電圧が高いほど短い遅延時間によりクロック信号を遅延させて遅延信号として供給する。また、遅延時間取得部は、遅延信号のそれぞれの値から遅延時間を取得する。電圧制御部は、取得された遅延時間が所定の目標値より長い場合には電源電圧を高く制御し、遅延時間が所定の目標値より短い場合には電源電圧を低く制御する電圧制御処理を実行する。
【選択図】図1

Description

本技術は、電子回路、電子回路の制御方法、および、電子装置に関する。詳しくは、時間デジタル変換器が設けられた電子回路、電子回路の制御方法、および、電子装置に関する。
従来より、電子回路においては、クロック信号の位相を検出するために、時間デジタル変換器が用いられることがある。この時間デジタル変換器は、一般に、複数段の遅延素子と、複数のフリップフロップとを備える。これらの遅延素子によりクロック信号を遅延させた複数の遅延信号が生成され、それらの遅延信号の値からなるデータが、TDC(Time-to-Digital Converter)コードとしてフリップフロップに保持される。遅延素子のそれぞれの遅延時間が所定の設計値と同一であれば、このTDCコードから、クロック信号の位相が正確に検出される。ところが、時間デジタル変換器内の遅延素子の遅延時間は、プロセス、電源電圧および温度などの条件により変動する。この遅延時間の変動により、遅延時間が設計値からずれて、TDCコードの示す位相に誤差が生じるおそれがある。
この誤差を補正するために、それぞれの電源端子との間に電流源としてトランジスタが挿入された複数段の遅延素子と、フリップフロップと、キャリブレーション制御回路とを備える時間デジタル変換器が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。この時間デジタル変換器において、キャリブレーション制御回路は、TDCデータをフリップフロップから読み出し、そのTDCデータの誤差を求める。そして、キャリブレーション制御回路は、誤差が低減する値に、電流源から遅延素子への電流量を補正する。この電流量の補正により、遅延素子の遅延時間は、所定の設計値に近い値となる。
特開2012−114716号公報
しかしながら、上述の従来技術では、電流源のインピーダンスに応じた電圧降下が遅延素子の電源側で発生するため、電流源を設けない場合と比較して遅延素子の遅延時間が長くなる。そして、遅延時間が長くなった分、時間デジタル変換器の時間分解能は低下してしまう。また、遅延時間が長くなると、遅延時間が設計値からずれて、TDCコードに誤差が残存するおそれがある。
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、遅延素子の遅延時間を所定値に制御することを目的とする。
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第1の側面は、電源電圧が高いほど短い遅延時間によりクロック信号を遅延させて遅延信号として供給する複数の遅延素子と、上記遅延信号のそれぞれの値から上記遅延時間を取得する遅延時間取得部と、上記取得された遅延時間が所定の目標値より長い場合には上記電源電圧を高く制御し、上記遅延時間が上記所定の目標値より短い場合には上記電源電圧を低く制御する電圧制御処理を実行する電圧制御部とを具備する電子回路、および、その制御方法である。これにより、遅延時間が所定の目標値より長い場合には電源電圧が高く制御され、遅延時間が所定の目標値より短い場合には電源電圧が低く制御されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記電圧制御部は、上記複数の遅延素子に上記電源電圧が供給されると上記電圧制御処理を実行してもよい。これにより、複数の遅延素子に電源電圧が供給されると電圧制御処理が実行されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記電子回路において温度を測定する温度測定部をさらに具備し、上記電圧制御部は、上記測定された温度が所定の範囲外の温度である場合には上記電圧制御処理を実行してもよい。これにより、測定された温度が所定の範囲外の温度である場合に電圧制御処理が実行されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記電圧制御部は、一定時間が経過するたびに上記電圧制御処理を実行してもよい。これにより、一定時間が経過するたびに電圧制御処理が実行されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、第1の電圧を前記電源電圧として供給する第1の電源回路と、前記第1の電圧と異なる第2の電圧を供給する第2の電源回路とをさらに具備し、前記電圧制御部は、前記電源電圧の制御量に基づいて前記第2の電圧をさらに制御してもよい。これにより、電源電圧の制御量に基づいて第2の電圧が制御されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、第1の電圧を上記電源電圧として供給する第1の電源回路と、上記第1の電圧と異なる第2の電圧を供給する第2の電源回路と、上記電圧制御部による上記電源電圧の制御量に基づいて上記第2の電圧を制御する電源管理部とをさらに具備してもよい。これにより、電源電圧の制御量に基づいて第2の電圧が制御されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記電圧制御部は、上記遅延時間と上記所定の目標値との間の差が最小となる探索対象電圧を異なる複数の電圧の中から探索して当該探索した探索対象電圧に制御してもよい。これにより、遅延時間と所定の目標値との間の差が最小となる探索対象電圧に制御されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記電圧制御部は、線形探索アルゴリズムを使用して上記探索対象電圧を探索してもよい。これにより、線形探索アルゴリズムにより探索対象電圧が探索されるという作用をもたらす。
また、この第1の側面において、上記電圧制御部は、二分探索アルゴリズムを使用して上記探索対象電圧を探索してもよい。これにより、二分探索アルゴリズムにより探索対象電圧が探索されるという作用をもたらす。
また、本技術の第2の側面は、電源電圧が高いほど短い遅延時間によりクロック信号を遅延させて遅延信号として供給する複数の遅延素子と、上記遅延信号のそれぞれの値から上記遅延時間を取得する遅延時間取得部と、上記取得された遅延時間が所定の目標値より長い場合には上記電源電圧を高く制御し、上記遅延時間が上記所定の目標値より短い場合には上記電源電圧を低く制御する電圧制御処理を実行する電圧制御部と、上記クロック信号に同期して所定の処理を行う処理回路とを具備する電子装置である。これにより、遅延時間が所定の目標値より長い場合には電源電圧が高く制御され、遅延時間が所定の目標値より短い場合には電源電圧が低く制御されるという作用をもたらす。
本技術によれば、遅延素子の遅延時間を所定値に制御することができるという優れた効果を奏し得る。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
第1の実施の形態における半導体集積回路の一構成例を示すブロック図である。 第1の実施の形態におけるデジタル位相同期回路の一構成例を示すブロック図である。 第1の実施の形態における時間デジタル変換器の一構成例を示す回路図である。 第1の実施の形態における時間デジタル変換器の動作の一例を示すタイミングチャートである。 第1の実施の形態における遅延素子の遅延時間と電源電圧との関係を示すグラフの一例である。 第1の実施の形態における電圧制御部の動作の一例を示すフローチャートである。 第1の実施の形態における周期データの補正結果の一例を示す図である。 第1の実施の形態の変形例における電圧制御部の動作の一例を示すフローチャートである。 第2の実施の形態における半導体集積回路の一構成例を示すブロック図である。 第3の実施の形態における半導体集積回路の一構成例を示すブロック図である。 第4の実施の形態における半導体集積回路の一構成例を示すブロック図である。 第5の実施の形態における電子回路の一構成例を示すブロック図である。
以下、本技術を実施するための形態(以下、実施の形態と称する)について説明する。説明は以下の順序により行う。
1.第1の実施の形態(電源電圧を制御する例)
2.第2の実施の形態(温度が変化すると電源電圧を制御する例)
3.第3の実施の形態(一定時間ごとに電源電圧を制御する例)
4.第4の実施の形態(複数の電源電圧を制御する例)
5.第5の実施の形態(電源管理部を設けて複数の電源電圧を制御する例)
<1.第1の実施の形態>
[半導体集積回路の構成例]
図1は、第1の実施の形態における半導体集積回路100の一構成例を示すブロック図である。この半導体集積回路100は、集積回路制御部110、電源回路120、電圧制御部130、デコーダ部140、デジタル位相同期回路200およびコア回路150を備える。半導体集積回路100は、音声処理、画像処理または通信処理などの処理を行う電子装置に設けられる。なお、半導体集積回路100は、特許請求の範囲に記載の電子回路の一例である。
集積回路制御部110は、半導体集積回路100全体を制御するものである。この集積回路制御部110は、半導体集積回路100に電源が投入されると、信号線118を介して開始信号を供給することにより電源回路120に電源電圧の供給を開始させ、また、電圧制御部130に電源電圧の制御を開始させる。また、集積回路制御部110は、高速クロック信号の出力動作を制御する出力イネーブル信号をデジタル位相同期回路200に信号線119を介して供給する。集積回路制御部110は、電源電圧の補正が開始されてから一定期間が経過するまでの間、出力イネーブル信号をオフにしてデジタル位相同期回路200にクロック信号の出力を停止させる。そして、一定期間が経過すると、集積回路制御部110は、出力イネーブル信号をオンにしてデジタル位相同期回路200にクロック信号の出力を開始させる。電源投入時から出力イネーブル信号をオンにするまでの期間として、後述する電源電圧VDD_Aの制御が完了するのに十分な時間が設定される。
電源回路120は、デジタル位相同期回路200やコア回路150などに電源電圧VDD_Aを供給するものである。この電源回路120は、集積回路制御部110からの開始信号に従って、電源電圧VDD_Aの供給を開始する。また、電源回路120は、電圧制御部130の制御に従って、電源電圧VDD_Aの値を一定の制御範囲内で変更する。例えば、電源回路120は、可変抵抗を含む定電圧回路(レギュレータなど)を備え、その可変抵抗の抵抗値を変化させることにより電源電圧VDD_Aを変化させる。なお、電源回路120は、特許請求の範囲に記載の第1の電源回路の一例である。
デジタル位相同期回路200は、低速クロック信号を逓倍して高速クロック信号として供給するものである。このデジタル位相同期回路200は、TDCコードを生成する時間デジタル変換器を備え、そのTDCコードを使用して低速クロック信号から高速クロック信号を生成する。また、デジタル位相同期回路200は、TDCコードをデコーダ部140に信号線208を介して供給し、出力イネーブル信号に従って高速クロック信号をコア回路150に信号線209を介して供給する。
コア回路150は、高速クロック信号に同期して、音声処理、画像処理または通信処理などの所定の処理を行うものである。例えば、コア回路150において、音声処理、画像処理または通信処理などが行われる。なお、コア回路150は、特許請求の範囲に記載の処理回路の一例である。
デコーダ部140は、TDCコードから高速クロック信号の周期を求めて、その周期を示す周期データCYCを生成するものである。デコーダ部140は、生成した周期データCYCを電圧制御部130に信号線149を介して供給する。この周期データCYCの示す周期は、時間デジタル変換器内の遅延素子の遅延時間が長いほど長い期間となる。なお、デコーダ部140は、特許請求の範囲に記載の遅延時間取得部の一例である。
電圧制御部130は、制御データVCTRL_Aを電源回路120に信号線129を介して供給することにより、遅延素子の遅延時間が目標値Tgになるように電源電圧VDD_Aを制御するものである。一般に、遅延素子の遅延時間は、電源電圧VDD_Aが高いほど短くなる。この遅延素子の特性に基づいて、電圧制御部130は、周期データCYCの示す周期が所定の基準値Tnより長い場合には、一定の制御範囲内で電源電圧を高くする。一方、周期データCYCの示す周期が所定の基準値Tnより短い場合には、電圧制御部130は、一定の制御範囲内で電源電圧VDD_Aを低くする。
ここで、電源回路120が複数段階の電圧に電源電圧VDD_Aを制御することができる場合には、電圧制御部130は、それらの電圧の中から、周期が基準値Tnに最も近くなる電圧を探索して、その電圧に制御することが望ましい。例えば、電圧制御部130は、一定の制御範囲内で少しずつ電圧を増減して、周期が基準値Tnに最も近くなる電圧を探索する。
前述したように周期データCYCの示す周期は、時間デジタル変換器内の遅延素子の遅延時間が長いほど長い値である。このため、その周期が基準値Tnになるように電源電圧VDD_Aを制御することにより、遅延素子の遅延時間は、基準値Tnに対応する目標値Tgに制御される。
[デジタル位相同期回路の構成例]
図2は、第1の実施の形態におけるデジタル位相同期回路200の一構成例を示すブロック図である。このデジタル位相同期回路200は、基準位相生成部210、位相比較器220、ループフィルタ230、利得調整部240、時間デジタル変換器250、可変位相生成部260、デジタル制御発振器270、フリップフロップ280およびスイッチ290を備える。
基準位相生成部210は、所定の分周比DIVに基づいて基準位相を示す基準位相コードをクロック信号rCLKに同期して生成するものである。クロック信号rCLKについては後述する。基準位相生成部210は、例えば、分周比DIVにより、高速クロック信号を分周したクロック信号の位相を基準位相として生成する。基準位相生成部210は、生成した基準位相を示すデータを位相比較器220に供給する。
時間デジタル変換器250は、低速クロック信号の位相に対する高速クロック信号の相対的な位相を検出するものである。時間デジタル変換器250は、検出した位相を示すTDCデータをデコーダ部140および可変位相生成部260に供給する。
可変位相生成部260は、TDCコードの示す位相を、基準位相コードと同じデータ形式により示す可変位相コードを高速クロック信号に同期して生成するものである。可変位相生成部260は、可変位相コードを位相比較器220に供給する。
位相比較器220は、基準位相コードの示す基準位相と可変位相コードの示す可変位相とを比較して位相差を検出するものである。位相比較器220は、検出した位相差を示す位相差データをループフィルタ230に供給する。
ループフィルタ230は、位相差データに対し、所定の遮断周波数より高い高周波数帯域のノイズ成分を抑制する処理をクロック信号rCLKに同期して行うものである。このループフィルタ230として、例えば、IIR(Infinite Impulse Response)フィルタや、FIR(Finite Impulse Response)フィルタが用いられる。ループフィルタ230は、高周波数成分を抑制した位相差データを利得調整部240に供給する。
利得調整部240は、位相差データに対して、デジタル制御発振器270のゲインを調整するための処理を行ってデジタル制御発振器270へ供給するものである。
デジタル制御発振器270は、位相差データに基づいて、クロック信号rCLKに同期して高速クロック信号を生成するものである。例えば、数値制御発振器が、デジタル制御発振器270として用いられる。このデジタル制御発振器270は、高速クロック信号を、時間デジタル変換器250、可変位相生成部260、フリップフロップ280およびスイッチ290に供給する。
フリップフロップ280は、低速クロック信号を保持し、高速クロック信号に同期してクロック信号rCLKとして出力するものである。これにより、低速クロック信号は、高速クロック信号によりリタイミングされる。このクロック信号rCLKは、基準位相生成部210、ループフィルタ230およびデジタル制御発振器270に供給される。
スイッチ290は、出力イネーブル信号に従って、デジタル制御発振器270とコア回路150との間の経路を開閉するものである。例えば、出力イネーブル信号がオンに制御されると、スイッチ290は閉状態に移行し、オフに制御されると開状態に移行する。
なお、時間デジタル変換器250の外部に電圧制御部130およびデコーダ部140を設ける構成としているが、この構成に限定されない。例えば、電圧制御部130およびデコーダ部140の一方または両方を時間デジタル変換器250の内部に設けてもよい。
[時間デジタル変換器の構成例]
図3は、第1の実施の形態における時間デジタル変換器250の一構成例を示す回路図である。この時間デジタル変換器250は、N(Nは、2以上の整数)段の遅延素子251と、N個のフリップフロップ252とを備える。また、これらの遅延素子251は電源回路120に共通に接続され、遅延素子251のそれぞれには電源電圧VDD_Aが供給される。また、遅延素子251のそれぞれには、互いに異なる1つのフリップフロップ252が接続される。ここで、遅延素子251の段数Nは、遅延素子251の遅延時間の合計が、高速クロック信号の1周期分の時間をカバーすることができるような値であることが望ましい。
遅延素子251は、入力されたクロック信号を遅延させるものである。この遅延素子251として、例えば、インバータが用いられる。初段の遅延素子251は、高速クロック信号を遅延させて、遅延信号として2段目の遅延素子251と対応するフリップフロップ252とに供給する。2段目以降の遅延素子251のそれぞれは、前段からの遅延信号を遅延させて、後段の遅延素子251と対応するフリップフロップ252とに供給する。
フリップフロップ252は、遅延信号の値を保持するものである。これらの遅延素子251は、低速クロック信号に同期して、対応する遅延素子251からの遅延信号の値を保持し、デコーダ部140および可変位相生成部260に供給する。ただし、偶数段目の遅延素子251に対応するフリップフロップ252は、遅延信号の値を反転させて供給する。これらの値からなるNビットのデータは、TDCコードとしてデコーダ部140等に供給される。
図3に例示したように、時間デジタル変換器250においては、遅延素子251と電源回路120との間には、特許文献1に記載された構成のように電流源が挿入されない。このため、電流源による電圧降下により時間デジタル変換器250の時間分解能が低下するおそれがない。
図4は、第1の実施の形態における時間デジタル変換器250の動作の一例を示すタイミングチャートである。初段の遅延素子251は、デジタル制御発振器270からの高速クロック信号を遅延させて、遅延信号D1として後段に出力する。また、2段目から8段目までの遅延素子251のそれぞれは、前段からのクロック信号を遅延させて、遅延信号D2乃至D8として後段に出力する。また、これらの遅延信号D1乃至D8の値は、対応するフリップフロップ252に保持される。なお、同図においては、説明の便宜上、奇数段については、遅延信号D1、D3、D5およびD7の代わりに、それらを反転した遅延クロック信号D1'、D3'、D5'およびD7'の波形を記載している。
保持された遅延クロック信号の値からなるコードは、低速クロック信号に同期してTDCコードとして出力される。
例えば、低速クロック信号の立上りエッジのタイミングにおいて、遅延信号D1'、D2、D3'、および、D8がハイレベルであり、残りの遅延信号がローレベルであった場合、8ビットの「10000111」のTDCコードが生成される。
このTDCコードは、低速クロック信号のエッジに対する、高速クロック信号のエッジの相対的な位相を示す。例えば、TDCコードにおいて「0」から「1」へ、または、「1」から「0」へ遷移したタイミングが、高速クロック信号の立上りまたは立下りのエッジのタイミングを示す。
このTDCデータから、デコーダ部140により周期データが生成される。例えば、ある立上りエッジから次の立上りエッジまでのビット数(すなわち、遅延素子の段数)Bnを示すデータが周期データとして生成される。高精度なデータを得るために、デコーダ部140は、ビット数Bnを複数回求めて、それらの平均値を示すデータを周期データとして算出してもよい。遅延素子251の個々の遅延時間をTdとし、高速クロック信号の実際の周期をTcとすると、周期Tcをビット数Bnにより除した商が遅延時間Tdを示す。このビット数Bnが所定の基準値になるように、電圧制御部130が電源電圧VDD_Aを制御することにより、遅延時間Tdは、周期Tcを基準値Tnにより除した商に等しい目標値Tgに制御される。
図5は、第1の実施の形態における遅延素子の遅延時間と電源電圧との関係を示すグラフの一例である。同図の縦軸は、遅延素子251のそれぞれの遅延時間を示し、横軸は、遅延素子251の電源電圧を示す。また、点線、実線および一定鎖線の曲線は、温度やプロセスが互いに異なる条件下で測定された遅延素子の特性を示す。同図に示すように、遅延素子の遅延時間は、電源電圧が低くなるほど長くなる。また、電源電圧の他、プロセスや温度などの条件により、遅延時間が変動する。
[電圧制御部130の動作例]
図6は、第1の実施の形態における電圧制御部130の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、例えば、半導体集積回路100に電源が投入されたときに実行される。
電圧制御部130は、周期データCYCの示すビット数Bnと基準値Tnとの差を誤差として検出する。例えば、ビット数Bnから基準値Tnを引いた値が誤差として検出される(ステップS901)。電圧制御部130は、誤差の検出が初回の検出であるか否かを判断する(ステップS902)。
2回目以降の検出であれば(ステップS902:No)、電圧制御部130は、誤差の今回値の極性が誤差の前回値の極性と異なるか否かを判断する(ステップS903)。以下、誤差の今回値および前回値をそれぞれ、「誤差今回値」および「誤差前回値」と称する。
誤差今回値の極性が誤差前回値と異なる場合には(ステップS903:Yes)、電圧制御部130は、誤差前回値の絶対値が誤差今回値の絶対値よりも小さいか否かを判断する(ステップS904)。誤差前回値の絶対値が誤差今回値の絶対値よりも小さいのであれば(ステップS904:Yes)、電圧制御部130は、前回の制御データVCTRL_Aを供給する。
初回の検出である場合(ステップS902:Yes)、電圧制御部130は、誤差今回値の極性に基づいて周期データの示す値(例えば、ビット数Bn)が基準値Tnより大きいか否かを判断する(ステップS906)。また、誤差今回値の極性が誤差前回値と同一である場合(ステップS903:No)にも、電圧制御部130は、ステップS906を実行する。
周期データの示す値が基準値Tnより大きいのであれば(ステップS906:Yes)、電圧制御部130は、現在の電源電圧VDD_Aが、上限値未満であるか否かを判断する(ステップS907)。上限値未満であるならば(ステップS907:Yes)、電圧制御部130は、前回より一定電圧dVだけ高い電圧に電源電圧VDD_Aを制御する制御データを生成して供給する。これにより、電源電圧VDD_Aが一定電圧dVの分、高くなる(ステップS908)。ステップS908の後、電圧制御部130は、ステップS901に戻る。
また、周期データの示す値が基準値Tn以下である場合(ステップS906:No)、電圧制御部130は、周期データの示す値が基準値Tnより小さいか否かを判断する(ステップS909)。
周期データの示す値が基準値Tnより小さいのであれば(ステップS909:Yes)、電圧制御部130は、現在の電源電圧VDD_Aが、下限値より高いか否かを判断する(ステップS910)。現在の電源電圧VDD_Aが下限値より高ければ(ステップS910:Yes)、電圧制御部130は、前回より一定電圧dVだけ低い電圧に電源電圧VDD_Aを制御する制御データを生成して供給する。これにより、電源電圧VDD_Aが一定電圧dVの分、低くなる(ステップS911)。ステップS911の後、電圧制御部130は、ステップS901に戻る。
現在の電源電圧が上限値以上(ステップS907:No)または下限値以下である場合(ステップS910:No)、あるいは、周期データが基準値Tnである場合(ステップS909:No)、電圧制御部130は、電圧を制御する動作を終了する。また、誤差前回値の絶対値が誤差今回値以上である場合(ステップS904:No)、または、ステップS905の後も、電圧制御部130は、電圧を制御する動作を終了する。動作終了後は、最後に出力された制御データが保持され、そのデータの示す電圧に電源電圧VDD_Aが維持される。
なお、電圧制御部130は、誤差が最小になる電圧に電源電圧VDD_Aを制御しているが、誤差が低減する制御であれば、この構成に限定されない。例えば、電圧を増減させるステップS908またはS911を一定回数行った場合、または、誤差が最小となった場合に、制御を終了する構成であってもよい。
図7は、第1の実施の形態における周期データの補正結果の一例を示す図である。同図において縦軸が周期データCYCの示す周期を示し、横軸が時間を示す。
時刻T0において電源が投入され、電源電圧VDD_Aの制御が開始されたものとする。時刻T0の時点では、周期データの示す値が基準値Tnより小さいものとする。この場合、電圧制御部130は、電源電圧VDD_Aを一定電圧dVだけ低くする。この結果、遅延素子251の遅延時間が長くなり、高速クロック信号の周期が長くなる。したがって、その後の時刻T1においては、T0の時点よりも誤差が小さくなる。
時刻T1においても、周期データの示す値が基準値Tnより小さいため、電圧制御部130は、電源電圧VDD_Aをさらに上昇させる。そして、時刻T2、T3においても、電圧制御部130は、電源電圧を上昇させる。この結果、時刻T4において、周期データの示す値が基準値より大きくなる。この時刻T4における誤差が、時刻T3のときより大きい場合、電圧制御部130は、誤差が小さかった時刻T4の電圧に電源電圧を制御する。一方、時刻T4における誤差が時刻T3のときより低い場合や、同一である場合には、時刻T4の時点の電源電圧が維持される。
図7に例示したように、電圧制御部130は、制御範囲内で電源電圧を一定電圧ずつ増減しながら、誤差が最小になる電圧を探索している。このように、対象のデータ(例えば、誤差が最小になる電圧)を先頭から順番に探索する探索アルゴリズムは、線形探索アルゴリズムと呼ばれる。
このように、本技術の第1の実施の形態によれば、電圧制御部130は、遅延素子の遅延時間が目標値より長い場合には電源電圧を高くし、目標値より短い場合には電源電圧を低く制御するため、遅延時間を目標値に制御することができる。
[変形例]
第1の実施の形態において電圧制御部130は、誤差が最小になる電圧を線形探索アルゴリズムにより探索していたが、線形探索アルゴリズム以外のアルゴリズムにより、その電圧を探索してもよい。例えば、電圧制御部130は、二分探索アルゴリズムにより電源電圧を探索することもできる。第1の実施の形態の変形例の電圧制御部130は、二分探索アルゴリズムにより電源電圧を探索する点において第1の実施の形態と異なる。
図8は、第1の実施の形態の変形例における電圧制御部130の動作の一例を示すフローチャートである。変形例の電圧制御部130の動作は、ステップS907、S908、S910およびS911の代わりにステップS915乃至S918を実行する点において第1の実施の形態と異なる。
電圧制御部130は、変数Lに制御範囲内の電圧の上限値を設定し、変数Rに電圧の下限値を設定する(ステップS915)。そして、電圧制御部130は、(L+R)/2の電圧に制御する制御データを生成して供給する(ステップS916)。電圧制御部130は、周期データCYCの基準値に対する誤差を検出し(ステップS901)、誤差の検出が初回の検出であるか否かを判断する(ステップS902)。
2回目以降の検出であれば(ステップS902:No)、電圧制御部130は、ステップS904およびS905を実行する。
初回の検出である場合(ステップS902:Yes)、または、誤差今回値の極性が誤差前回値と同一である場合(ステップS903:No)、電圧制御部130は、周期データの示す値が基準値より大きいか否かを判断する(ステップS906)。
周期データの示す値が基準値より大きいのであれば(ステップS906:Yes)、電圧制御部130は、変数Lに(L+R)/2を設定し(ステップS917)、ステップS916に戻る。
また、周期データの示す値が基準値以下である場合(ステップS906:No)、電圧制御部130は、周期データの示す値が基準値より小さいか否かを判断する(ステップS909)。
周期データの示す値が基準値より小さいのであれば(ステップS909:Yes)、電圧制御部130は、変数Rに(L+R)/2を設定し(ステップS918)、ステップS916に戻る。周期データが基準値である場合(ステップS909:No)、電圧制御部130は、電圧を制御する動作を終了する。
このように第1の実施の形態における変形例によれば、電圧制御部130は、二分探索アルゴリズムを使用して探索を行うため、線形探索アルゴリズムを使用する場合よりも高速に電圧を探索することができる。
<2.第2の実施の形態>
第1の実施の形態において半導体集積回路100は、電源が投入されたときに電源電圧の制御を行っていたが、電源が投入されたとき以外のタイミングにおいて電源電圧の制御を行ってもよい。遅延素子の遅延時間は、温度変化によっても変動するため、例えば、温度が所定の温度範囲外の値になったときにも電源電圧を制御することが望ましい。第2の実施の形態の半導体集積回路100は、温度が所定の温度範囲外の値になったときにも電源電圧の制御を行う点において第1の実施の形態と異なる。
図9は、第2の実施の形態における半導体集積回路100の一構成例を示すブロック図である。第2の実施の形態の半導体集積回路100は、温度センサ160をさらに備える点において第1の実施の形態と異なる。
温度センサ160は、半導体集積回路100の温度を測定するものである。この温度センサ160は、温度の測定値を集積回路制御部110に供給する。なお、温度センサ160は、特許請求の範囲に記載の温度測定部の一例である。
第2の実施の形態の集積回路制御部110は、電源が投入された場合、または、温度センサ160により測定された温度が所定の温度範囲外の値である場合に、電圧制御部130に電源電圧の制御を開始させる。なお、集積回路制御部110は、温度が所定の温度範囲外の値であるときにのみ電源電圧の制御を開始させてもよい。
このように、本技術の第2の実施の形態によれば、電圧制御部130は、温度が所定範囲外の値であるときに電源電圧を制御するため、温度が所定範囲外の値に変化した際にも、遅延素子の遅延時間を目標値にすることができる。
<3.第3の実施の形態>
第1の実施の形態において半導体集積回路100は、電源が投入されたときに電源電圧の制御を行っていたが、一定時間ごとに電源電圧の制御を行ってもよい。第3の実施の形態の半導体集積回路100は、一定時間ごとに電源電圧の制御を行う点において第1の実施の形態と異なる。
図10は、第3の実施の形態における半導体集積回路100の一構成例を示すブロック図である。第3の実施の形態の半導体集積回路100は、インターバルタイマ170をさらに備える点において第1の実施の形態と異なる。
インターバルタイマ170は、時間を計時し、一定時間が経過するたびに、一定時間の経過を通知するイベント信号を生成して集積回路制御部110に供給するものである。
第3の集積回路制御部110は、電源が投入された場合、または、イベント信号が供給された場合に、電圧制御部130に電源電圧の制御を開始させる。なお、集積回路制御部110は、イベント信号が供給された場合にのみ、電源電圧の制御を開始させてもよい。
このように、本技術の第3の実施の形態によれば、電圧制御部130は、一定時間ごとに電源電圧の制御を行うため、時間の経過に伴って遅延時間が変化した場合であっても、その遅延時間を目標値に制御することができる。
<4.第4の実施の形態>
第1の実施の形態において半導体集積回路100は、1つの電源電圧のみを制御していたが、複数の電源電圧を制御してもよい。第4の実施の形態の半導体集積回路100は、複数の電源電圧を制御する点において第1の実施の形態と異なる。
図11は、第4の実施の形態における半導体集積回路100の一構成例を示すブロック図である。この第4の実施の形態の半導体集積回路100には、電源ドメインAおよび電源ドメインBが設けられる。電源ドメインAは、電源電圧VDD_Aが供給される領域であり、電源回路120、電圧制御部130、デコーダ部140、コア回路150およびデジタル位相同期回路200が配置される。
一方、電源ドメインBは、電源電圧VDD_Aと異なる電源電圧VDD_Bが供給される領域であり、電源回路180およびコア回路190が配置される。
電源回路180は、電源電圧VDD_Bをコア回路190等に供給するものである。コア回路190は、高速クロック信号に同期して、音声処理、画像処理または通信処理などの所定の処理を行うものである。なお、電源回路180は、特許請求の範囲に記載の第2の電源回路の一例である。
第4の実施の形態の電源制御部130は、電源電圧VDD_Aを制御する他、その制御量に基づいて電源電圧VDD_Bも制御する。電源制御部130は、制御データVCTRL_Bにより、電源電圧VDD_Aの制御量と同一の制御量だけ、電源電圧VDD_Bを制御する。ここで、制御量の単位は、ボルト(V)であってもよいし、百分率であってもよい。例えば、電源電圧VDD_Aが+0.01Vまたは+1%制御された際には、電源制御部130により、電源電圧VDD_Bも+0.01Vまたは+1%制御される。
このように、本技術の第4の実施の形態によれば、電源制御部130が電源電圧VDD_Aの制御量に基づいて電源電圧VDD_Bを制御するため、複数の電源ドメインにおいて電源電圧を制御することができる。
<5.第5の実施の形態>
第1の実施の形態において半導体集積回路100は、1つの電源電圧のみを制御していたが、複数の電源電圧を制御してもよい。第5の実施の形態の半導体集積回路100は、電源管理部をさらに設けて、複数の電源電圧を制御する点において第1の実施の形態と異なる。
図12は、第5の実施の形態における電子回路の一構成例を示すブロック図である。この電子回路は、半導体集積回路100に加えて、電源管理部300をさらに備える点において第1の実施の形態と異なる。
また、第5の実施の形態の半導体集積回路100には、電源ドメインAおよび電源ドメインBが設けられる。電源ドメインAは、電源電圧VDD_Aが供給される領域であり、電源回路120、電圧制御部130、デコーダ部140、コア回路150およびデジタル位相同期回路200が配置される。
一方、電源ドメインBは、電源電圧VDD_Aと異なる電源電圧VDD_Bが供給される領域であり、電源回路180およびコア回路190が配置される。
第5の実施の形態の電圧制御部130は、制御データVCTRL_Aを電源回路120の他、電源管理部300にも供給する。
電源回路180は、電源電圧VDD_Bをコア回路190等に供給するものである。コア回路190は、高速クロック信号に同期して、音声処理、画像処理または通信処理などの所定の処理を行うものである。なお、電源回路180は、特許請求の範囲に記載の第2の電源回路の一例である。
電源管理部300は、電源電圧VDD_Aの制御量に基づいて電源電圧VDD_Bを制御するものである。この電源管理部300は、制御データVCTRL_Bにより、電源電圧VDD_Aの制御量と同一の制御量だけ、電源電圧VDD_Bを制御する。ここで、制御量の単位は、ボルト(V)であってもよいし、百分率であってもよい。例えば、電源電圧VDD_Aが+0.01Vまたは+1%制御された際には、電源管理部300により、電源電圧VDD_Bも+0.01Vまたは+1%制御される。
このように、本技術の第5の実施の形態によれば、電源管理部300が電源電圧VDD_Aの制御量に基づいて電源電圧VDD_Bを制御するため、複数の電源ドメインにおいて電源電圧を制御することができる。
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
また、上述の実施の形態において説明した処理手順は、これら一連の手順を有する方法として捉えてもよく、また、これら一連の手順をコンピュータに実行させるためのプログラム乃至そのプログラムを記憶する記録媒体として捉えてもよい。この記録媒体として、例えば、CD(Compact Disc)、MD(MiniDisc)、DVD(Digital Versatile Disc)、メモリカード、ブルーレイディスク(Blu-ray(登録商標)Disc)等を用いることができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
(1)電源電圧が高いほど短い遅延時間によりクロック信号を遅延させて遅延信号として供給する複数の遅延素子と、
前記遅延信号のそれぞれの値から前記遅延時間を取得する遅延時間取得部と、
前記取得された遅延時間が所定の目標値より長い場合には前記電源電圧を高く制御し、前記遅延時間が前記所定の目標値より短い場合には前記電源電圧を低く制御する電圧制御処理を実行する電圧制御部と
を具備する電子回路。
(2)前記電圧制御部は、前記複数の遅延素子に前記電源電圧が供給されると前記電圧制御処理を実行する
前記(1)記載の電子回路。
(3)前記電子回路において温度を測定する温度測定部をさらに具備し、
前記電圧制御部は、前記測定された温度が所定の範囲外の温度である場合には前記電圧制御処理を実行する
前記(1)または(2)記載の電子回路。
(4)前記電圧制御部は、一定時間が経過するたびに前記電圧制御処理を実行する
前記(1)から(3)のいずれかに記載の電子回路。
(5)第1の電圧を前記電源電圧として供給する第1の電源回路と、
前記第1の電圧と異なる第2の電圧を供給する第2の電源回路とをさらに具備し、
前記電圧制御部は、前記電源電圧の制御量に基づいて前記第2の電圧をさらに制御する前記(1)から(4)のいずれかに記載の電子回路。
(6)第1の電圧を前記電源電圧として供給する第1の電源回路と、
前記第1の電圧と異なる第2の電圧を供給する第2の電源回路と、
前記電圧制御部による前記電源電圧の制御量に基づいて前記第2の電圧を制御する電源管理部とをさらに具備する前記(1)から(4)のいずれかに記載の電子回路。
(7)前記電圧制御部は、前記遅延時間と前記所定の目標値との間の差が最小となる探索対象電圧を異なる複数の電圧の中から探索して当該探索した探索対象電圧に制御する
前記(1)から(6)のいずれかに記載の電子回路。
(8)前記電圧制御部は、線形探索アルゴリズムを使用して前記探索対象電圧を探索する
前記(7)記載の電子回路。
(9)前記電圧制御部は、二分探索アルゴリズムを使用して前記探索対象電圧を探索する
前記(7)記載の電子回路。
(10)電源電圧が高いほど短い遅延時間によりクロック信号を遅延させて遅延信号として供給する複数の遅延素子により供給された前記遅延信号のそれぞれの値から前記遅延時間を取得する遅延時間取得手順と、
前記取得された遅延時間が所定の目標値より長い場合には前記電源電圧を高く制御し、前記遅延時間が前記所定の目標値より短い場合には前記電源電圧を低く制御する電圧制御処理を実行する電圧制御手順と
を具備する電子回路の制御方法。
(11)電源電圧が高いほど短い遅延時間によりクロック信号を遅延させて遅延信号として供給する複数の遅延素子と、
前記遅延信号のそれぞれの値から前記遅延時間を取得する遅延時間取得部と、
前記取得された遅延時間が所定の目標値より長い場合には前記電源電圧を高く制御し、前記遅延時間が前記所定の目標値より短い場合には前記電源電圧を低く制御する電圧制御処理を実行する電圧制御部と、
前記クロック信号に同期して所定の処理を行う処理回路と
を具備する電子装置。
100 半導体集積回路
110 集積回路制御部
120、180 電源回路
130 電圧制御部
140 デコーダ部
150、190 コア回路
160 温度センサ
170 インターバルタイマ
200 デジタル位相同期回路
210 基準位相生成部
220 位相比較器
230 ループフィルタ
240 利得調整部
250 時間デジタル変換器
251 遅延素子
252 フリップフロップ
260 可変位相生成部
270 デジタル制御発振器
280 フリップフロップ
290 スイッチ
300 電源管理部

Claims (11)

  1. 電源電圧が高いほど短い遅延時間によりクロック信号を遅延させて遅延信号として供給する複数の遅延素子と、
    前記遅延信号のそれぞれの値から前記遅延時間を取得する遅延時間取得部と、
    前記取得された遅延時間が所定の目標値より長い場合には前記電源電圧を高く制御し、前記遅延時間が前記所定の目標値より短い場合には前記電源電圧を低く制御する電圧制御処理を実行する電圧制御部と
    を具備する電子回路。
  2. 前記電圧制御部は、前記複数の遅延素子に前記電源電圧が供給されると前記電圧制御処理を実行する
    請求項1記載の電子回路。
  3. 前記電子回路において温度を測定する温度測定部をさらに具備し、
    前記電圧制御部は、前記測定された温度が所定の範囲外の温度である場合には前記電圧制御処理を実行する
    請求項1記載の電子回路。
  4. 前記電圧制御部は、一定時間が経過するたびに前記電圧制御処理を実行する
    請求項1記載の電子回路。
  5. 第1の電圧を前記電源電圧として供給する第1の電源回路と、
    前記第1の電圧と異なる第2の電圧を供給する第2の電源回路とをさらに具備し、
    前記電圧制御部は、前記電源電圧の制御量に基づいて前記第2の電圧をさらに制御する請求項1記載の電子回路。
  6. 第1の電圧を前記電源電圧として供給する第1の電源回路と、
    前記第1の電圧と異なる第2の電圧を供給する第2の電源回路と、
    前記電圧制御部による前記電源電圧の制御量に基づいて前記第2の電圧を制御する電源管理部とをさらに具備する請求項1記載の電子回路。
  7. 前記電圧制御部は、前記遅延時間と前記所定の目標値との間の差が最小となる探索対象電圧を異なる複数の電圧の中から探索して当該探索した探索対象電圧に制御する
    請求項1記載の電子回路。
  8. 前記電圧制御部は、線形探索アルゴリズムを使用して前記探索対象電圧を探索する
    請求項6記載の電子回路。
  9. 前記電圧制御部は、二分探索アルゴリズムを使用して前記探索対象電圧を探索する
    請求項6記載の電子回路。
  10. 電源電圧が高いほど短い遅延時間によりクロック信号を遅延させて遅延信号として供給する複数の遅延素子により供給された前記遅延信号のそれぞれの値から前記遅延時間を取得する遅延時間取得手順と、
    前記取得された遅延時間が所定の目標値より長い場合には前記電源電圧を高く制御し、前記遅延時間が前記所定の目標値より短い場合には前記電源電圧を低く制御する電圧制御処理を実行する電圧制御手順と
    を具備する電子回路の制御方法。
  11. 電源電圧が高いほど短い遅延時間によりクロック信号を遅延させて遅延信号として供給する複数の遅延素子と、
    前記遅延信号のそれぞれの値から前記遅延時間を取得する遅延時間取得部と、
    前記取得された遅延時間が所定の目標値より長い場合には前記電源電圧を高く制御し、前記遅延時間が前記所定の目標値より短い場合には前記電源電圧を低く制御する電圧制御処理を実行する電圧制御部と、
    前記クロック信号に同期して所定の処理を行う処理回路と
    を具備する電子装置。
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