JP2015170858A - 発光素子 - Google Patents

発光素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2015170858A
JP2015170858A JP2015044863A JP2015044863A JP2015170858A JP 2015170858 A JP2015170858 A JP 2015170858A JP 2015044863 A JP2015044863 A JP 2015044863A JP 2015044863 A JP2015044863 A JP 2015044863A JP 2015170858 A JP2015170858 A JP 2015170858A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
connection
carrier
emitting device
connection pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015044863A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015170858A5 (ja
Inventor
シエ,ミン−シュン
Mn-Shun Shie
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Epistar Corp
Original Assignee
Epistar Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epistar Corp filed Critical Epistar Corp
Publication of JP2015170858A publication Critical patent/JP2015170858A/ja
Publication of JP2015170858A5 publication Critical patent/JP2015170858A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/60Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
    • F21K9/66Details of globes or covers forming part of the light source
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21VFUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V23/00Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
    • F21V23/06Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being coupling devices, e.g. connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/13Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2103/00Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
    • F21Y2103/10Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes comprising a linear array of point-like light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2107/00Light sources with three-dimensionally disposed light-generating elements
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21YINDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10Light-emitting diodes [LED]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81001Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • H01L2224/81805Soldering or alloying involving forming a eutectic alloy at the bonding interface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12042LASER

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

【課題】伸縮可能な接続部を有する発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子100は、外部回路と電気的に接続するように構成され、第1発光構造物、第2発光構造物、第1導電性構造物及び第2導電性構造物を含む。第1導電性構造物は、第1発光構造物に接続される上面及び側面を有する第1接続パッド211Aと、側面から延在し、かつ、外部回路に接続される第1接続部とを有する。第2導電性構造物は、第1発光構造物を第2発光構造物と電気的に接続する。
【選択図】図1F

Description

本開示は、発光素子に関し、特に伸縮可能な接続部を有する発光素子に関する。
(関連出願)
本願は、2014年3月6日に出願した、米国仮出願第61/948,917号明細書に優先権を主張し、その全体を本願の参照として取り入れる。
固体照明素子の発光ダイオード(LED:Light−Emitting Diode)は、低消費電力、低発熱性、長寿命、耐衝撃性、小体積、即応性、そして、安定的な波長を有する発光のような良好な光電気特性といった特徴を有する。このため、LEDは、家電機器、機器の表示灯及び光電気製品などにおいて広く使用されてきた。
最近では、従来型白熱電球で使用されるワイヤフィラメントに代わるLEDフィラメントが開発されている。しかしながら、LEDフィラメントには、依然として費用及び効率性における問題がある。
本開示は発光素子を提供する。
発光素子は外部回路に電気的に接続するように構成され、第1発光構造物、第2発光構造物、第1導電性構造物及び第2導電性構造物を含む。第1導電性構造物は、第1発光構造物に接続される上面及び側面を有する第1接続パッドと、側面から延在し、かつ、外部回路に接続される第1接続部とを有する。第2導電性構造物は、第1発光構造物を第2発光構造物と電気的に接続する。
添付の図面が本願の容易な理解を提供するように含まれ、かつ、本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を構成する。図面は本願の実施形態を図示し、かつ、説明と共に本願の原理を例示するのに役立つ。
本開示の第1の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第1の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第1の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第1の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第1の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第1の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 図1Bの底面図である。 図1Dの底面図である。 図1Fの底面図である。 本開示の第2の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第2の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第2の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第2の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第2の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第2の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第3の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第3の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第3の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第3の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第3の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第3の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第4の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第4の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第4の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第4の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第4の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第4の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第4の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 図5Gの斜視図である。 図5Hの線A−A’における断面図である。 本開示の第5の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第5の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第5の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第5の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第5の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第5の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 発光構造物の詳細な構造を示す断面図である。 発光構造物の詳細な構造を示す断面図である。 発光構造物の詳細な構造を示す断面図である。 発光構造物の詳細な構造を示す断面図である。 発光構造物の詳細な構造を示す断面図である。 発光構造物の詳細な構造を示す断面図である。 発光構造物の詳細な構造を示す断面図である。 発光構造物の詳細な構造を示す断面図である。 発光構造物の詳細な構造を示す断面図である。 本開示の第6の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第6の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第6の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第6の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第6の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第6の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第6の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第6の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第6の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 本開示の第6の実施形態に従った発光素子の作製における断面図である。 断面図であり、波長変換層は透明構造物内に配置される。 本開示の一実施形態に従ったランプ内に配置される発光素子の斜視図である。 本開示の一実施形態に従ったランプ内に配置される発光素子の斜視図である。 本開示の一実施形態に従ったランプ内に配置される発光素子の斜視図である。 本開示の一実施形態に従ったランプ内に配置される発光素子の斜視図である。 異なる形状を有する導電性構造物の上面図である。 異なる形状を有する導電性構造物の上面図である。 異なる形状を有する導電性構造物の上面図である。 異なる形状を有する導電性構造物の上面図である。 異なる形状を有する導電性構造物の上面図である。 異なる形状を有する導電性構造物の上面図である。 本開示の一実施形態に従った網状に配置される導電性構造物の一部を示す上面図である。 伸長状態における図12Aの導電性構造物を示す上面図である。 図12Bの等価回路を示す図である。 図12Aの配線を切断した後に形成される複数の発光素子の上面図である。 図12Dの等価回路を示す図である。
本開示をより良く、簡潔に説明するために、明細書に伴って異なる段落又は図面で使用される、あるいは、現れる同一の名称及び同一の参照番号は、本開示の何処かで一旦定義されているが、同一又は同等の意味を有するべきである。
下記は、図面に従った本開示の実施形態の説明である。
図1から図1Fは、本開示の第1の実施形態に従った発光素子100を作製する断面図である。図1Aに図示するように、複数の発光構造物11は、第1キャリア10上に実装される。発光構造物11の各々は、第1ボンディングパッド111(p_pad)及び第2ボンディングパッド(n_pad)を有する。第1キャリア10は、発光素子100を作製中に、発光構造物11に一時的に接続するための、仮基板(例えば、ブルーテープ、熱剥離シート又はテープ、UV剥離テープ又はポリエチレンテレフタラート(PET))であるか、あるいは、発光素子100を作製中に、発光構造物11に常に接続される永久基板である。本実施形態において、第1キャリア10は伸縮可能である。
第2キャリア20が設けられ、複数の導電性構造物21が第2キャリア20上に形成される。第2キャリア20は、ガラス、サファイア、カーボングラフェン、ITO、カーボンナノチューブ、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)系材料、酸化錫、酸化亜鉛、あるいは、他の選択された透明材料を含む。
また、図1Aに図示するように、導電性構造物21の各々は、第1接続パッド211A、第2接続パッド211B及び接続部212を有する。接続部212は、第1接続パッド211Aと第2接続パッド211Bとの間に配置され、かつ、第1接続パッド211Aを第2接続パッド211Bに電気的に接続する。導電性構造物21は、互いに間隔を空ける。つまり、一方の導電性構造物21の第1接続パッド211Aは、他方の導電性構造物21の第2接続パッド211Bに隣接し、かつ、第2接続パッド211Bから間隔を空ける。
図1Bに図示するように、導電性構造物21は発光構造物11に接着される。特に、発光構造物11の第1ボンディングパッド111は、一方の導電性構造物21の第2接続パッド211Bに物理的に接着される。発光構造物11の第2ボンディングパッド112は、隣接する導電性構造物21の第1接続パッド211Aに物理的に接着される。これにより、それに実装された複数の発光構造物11は、互いに電気的に接続される。本実施形態において、発光構造物11は電気的に互いに直列接続される。更に、発光構造物11は、2つの導電性構造物21上に実装されるか、あるいは、導電性構造物21は2つの発光構造物11を接続するブリッジとして機能する。第1接続パッド211A、第2接続パッド211Bは、第1ボンディングパッド111、第2ボンディングパッド112に、共晶接合により接続されるか(例えば、1つの共晶合金が形成される)、あるいは、半田接合により接続され得る(例えば、金属間化合物が形成される)。
図1Cは、第2キャリア20がドライエッチング、ウェットエッチング、レーザリフトオフ、加熱又はUV光によって除去されることを示す。一実施形態において、第2キャリア20はガラスで作製されるとき、HF又はNaOHの溶液が、ガラスを除去するために使用され得る。任意に、シード層(図示しない)が導電性構造物21と第2キャリア20との間に形成され得る。従って、シード層が上述のエッチング方法で除去されるとき、第2キャリア20は導電性構造物21から分離され得る。導電性構造物21が発光構造物11に接着されるので、第2キャリア20が除去されるとき、導電性構造物21は、発光構造物11に面する一方の側部と、周囲環境(例えば、空気)に晒される他方の側部とを有する。特に、導電性構造物21の第1接続パッド211A、第2接続パッド211Bは、第2ボンディングパッド112、第1ボンディングパッド111に接続される一方の側部と、周囲環境(例えば、空気又は不活性ガス)に晒される他方の側部とを有し、導電性構造物21の接続部212は周囲環境(例えば、空気又は不活性ガス)に晒される2つの側部を有する。
接続部212は、伸縮可能な弾性材料で作製される。接続部212はバネのような形状を有するか、あるいは、十分に制御された条件下で伸張又は変形する特性を有する。特に、接続部212は、伸張又は圧縮後、その変形した形状を維持する。導電性構造物21は、1つ以上の金属材料から形成される単一層又は多層構造物でよい。金属材料は、Cu、Au、Pt、Ti、Ni又はこれらの合金から選択され得る。2つの発光構造物を接続するためのワイヤボンディングとは異なり、導電性構造物21は、物理的気相成長(スパッタリング又は蒸着)、化学気相成長、あるいは、2つの発光構造物11を接続するための電気めっきによって形成される。従って、第1接続パッド211A、第2接続パッド211B及び接続部212は高さレベル(X−Y平面)において実質的に位置決めされ、非円形の断面(Y−Z平面)を有する。加えて、接続部212は、X方向において第1接続パッド211Aと第2接続パッド211Bとの間に延在し、Z方向において第1接続パッド211A及び第2接続パッド211Bと重ならない。つまり、第1接続パッド211A及び第2接続パッド211Bの各々は、上面2111及び側面2112を有し、接続部212は第1接続パッド211Aの側面2112から第2接続パッド211Bの側面2112に延在する。更に、第1接続パッド211A及び第2接続パッド211Bは、接続部212の高さと同じ高さを実質的に有する。第1接続パッド211A、第2接続パッド211B及び接続部212の高さ(H)は、約15μmから約30μmである。図1Aから図1Cにおいて、接続部212は伸長せず、導電性構造物21は第1状態で示される。
他の実施形態において、導電性構造物21は、放射線によって放熱を増加させるために、0.7より大きな放射率を有する熱放射材料でよい。代替的に、他の熱放射材料は導電性構造物21の表面上に塗布され得る。熱放射材料は、SiC、グラフェン、ZnOなどの金属酸化物、あるいは、BNなどのIII族窒化化合物などの炭素含有化合物を含む。
図1Dに図示するように、第1キャリア100は伸長されて発光構造物11の間の距離又はピッチを増大させる。接続部212が発光構造物11に接着されないので、それ故、伸縮可能でもある接続部212は、第1キャリア10と共に伸長される。本実施形態において、接続部212は伸長され、導電性構造物21は伸長状態の第2状態において示される。図1Aから図1Cに図示した第1状態と比較して、2つの隣接する発光構造物11の間の距離又はピッチは拡大され、接続部212は変形される。
伸長後(図1Dに図示)の2つの隣接する発光構造物11の間の距離又はピッチの比(R)は、伸長前(図1Aから図1Cに図示)対して、1から10の間である。他の実施形態において、1<R≦4であり、好ましくは、1.5≦R≦2である。
図1Eに図示するように、機械的強度を高めるために、第3キャリア30が設けられて周囲環境に晒される導電性構造物21の側部に取り付けられる。発光構造物11が導電性構造物21によって互いに電気的に接続されるので、第3キャリア30はその上に形成されたいかなるトレース(traces)も含む必要はない。導電性構造物21は第3キャリア30の最上面302上に形成される。更に、製造プロセスに起因して、第1接続パッド211A及び第2接続パッド211Bは、第3キャリア30に直接的に取り付けられるが、接続部211は第3キャリア30に直接的に取り付けられなくてよい。接続部211が発光構造物11に接着されない一方の側部と、第3キャリア30に取り付けられない他方の側部とを有するので、接続部211はどの物体にも接続しない2つの側部を有し、それ故、空気中に浮遊する。第3キャリア30は、発光構造物11からの放熱を促進するため、金属(例えば、Al、Cu、Fe)、金属酸化物又はセラミック材料(例えば、AlN、Al)から作製される。本実施形態において、第3キャリア30は発光構造物11を完全に覆うか、あるいは、全ての発光構造物11を覆う。
図1Fに示すように、続いて、第1キャリア10、第3キャリア30及び接続部212を切断することによって、図1Eの構造物はいくつかの発光素子100に分離される(1つの発光素子を図示)。続いて、発光素子100の2つの対向する端部における接続部212Eは、第1キャリア10の縁部101又は/及び第3キャリア30の縁部301を超えて延在するように描かれる。更に、接続部212Eは端子として使用されて他の素子(例えば、回路、電源又はPCB基板)に直接的、かつ、電気的に接続することができる。
図2Aから図2Cは、それぞれ、第2キャリア側から見た図1B、図1D及び図1Fの底面図であり、導電性構造物21に接着される発光構造物11の一部を示す。導電性構造物21を明確に図示するために、第1キャリア10及び第2キャリア20は、図示しない。第1接続パッド211A又は第2接続パッド211Bは、対応する第2ボンディングパッド112又は第1ボンディングパッド111の面積よりも大きい面積を有する。他の実施形態において、第1接続パッド211A又は第2接続パッド211Bは、対応する第2ボンディングパッド112又は第1ボンディングパッド111の面積と等しいか、あるいは、小さい面積を有する。更に、接続部212はY方向における第1接続パッド211A及び第2接続パッド211Bの幅よりも小さい幅を有する。接続部212の幅は約1μmから約15μmである。接続部212の材料は、第1接続パッド211A、第2接続パッド211Bの材料と同じか、あるいは、異なる材料でよい。加えて、第1接続パッド211A及び第2接続パッド211Bの形状は、正方形であるが、平面図における所望の要件に応じて、円形、三角形、長方形又は多角形に限定されない。第1接続パッド211Aは、第2接続パッド211Bと同じか、あるいは、異なる形状を有することができる。相対位置、あるいは、第1接続パッド211Aと第2接続パッド211Bとの間の距離は、所望の要件に応じて変化され得る。
図3Aから図3Fは、本開示の第2の実施形態に従った発光素子200の作製における断面図である。図3Aから図3Dのプロセスは、図1Aから図1Dに対応することができ、同様又は同一の符号を有する素子又は要素が、同一又は同様の機能を有する素子又は要素を表す。
その後、図3Eに示すように、複数の離散的な第3キャリア30が周囲環境に晒される発光構造物11の側部に設けられ、かつ、取り付けられる。第3キャリア30の各々は、発光構造物11の一部に取り付けられる。
図3Fに示すように、続いて、2つの隣接する第3キャリア30の間の空間Sに対応する位置において、第1キャリア10及び接続部212を切断することによって、図3Eの構造物は複数の発光素子200に分離される(1つの発光素子を図示)。本実施形態において、発光素子200内の第3キャリア30は、第1キャリア10の長さよりも(X方向において)短い長さを有する。同様に、発光素子200の2つの対向する端部における接続部212Eは、第1キャリア10の縁部101又は/及び第3キャリア30の縁部301を超えて延在するように描かれる。接続部212Eは端子として使用されて他の素子(例えば回路、電源又はPCB基板)に直接的、かつ、電気的に接続することができる。
図4Aから図4Fは、本開示の第3の実施形態に従った発光素子200の作製における断面図である。図4Aから図4Dのプロセスは、図1Aから図1Dに対応することができ、同様又は同一の符号を有する素子又は要素が、同一又は同様の機能を有する素子又は要素を表す。
その後、図4Eに示すように、第1キャリア10は更に除去され、これはドライエッチング、ウェットエッチング、レーザリフトオフ、加熱又はUV光によって行われ得る。図4Fに示すように、接続部212を切断することによって、図4Eの構造物は複数の発光素子300に分離される(1つの発光素子を図示)。任意で、第1キャリア10は分離工程後に除去され得る。同様に、発光素子300の2つの対向する端部における接続部212Eは、端子として使用されて他の素子(例えば回路、電源、PCB基板など)に直接的、かつ、電気的に接続することができる。本実施形態において、発光素子300は、いかなるキャリアも有さない。
図5Aから図5Gは、本開示の第4の実施形態に従った発光素子400の作製における断面図である。図5Aから図5Eのプロセスは、図1Aから図1Eに対応することができ、同様又は同一の符号を有する素子又は要素が、同一又は同様の機能を有する素子又は要素を表す。
その後、図5Fに示すように、放熱を促進するために、透明材料40が第1キャリア10と第3キャリア30との間の空間を充填するように提供されて、発光構造物11と、導電性構造物21の一部とを取り囲む。任意で、1つ以上の種類の波長変換材料(図示しない)又は/及び1つ以上の種類の拡散材料(図示しない)が、透明材料40に加えられ得る。透明材料40は噴霧、成形又は分注によって形成され得る。透明材料40はシリコーン又はエポキシを含む。シリコーンは、メチル系シリコーン、フェニル系シリコーン又はその両方の混合物でよい。波長変換材料は、発光構造物11から発光された光を黄色、黄緑色、緑色又は赤色の光に変換することができる。黄色、黄緑色又は緑色の光を発光する波長変換材料は、酸化アルミニウム(YAG又はTAGなど)、ケイ酸塩、バナジウム酸塩、アルカリ土類金属セレン化物又は金属窒化物を含む。赤色の光を発光する波長変換材料は、ケイ酸塩、バナジウム酸塩、アルカリ土類金属硫化物、酸化金属窒化物(metal nitride oxide)、タングステン酸塩及びモリブデン酸塩の混合物を含む。拡散材料は、TiO、ZnO、ZrO、Alを含む。
図5Gに示すように、続いて、第1キャリア10、第3キャリア30及び接続部212を切断することによって、図5Fの構造物は複数の発光素子400に分離される(1つの発光素子を図示)。同様に、発光素子400の2つの対向する端部における接続部212Eは、第1キャリア10の縁部101又は/及び第3キャリア30の縁部301を超えて延在するように描かれる。それ故、透明材料は接続部212Eの一部を取り囲んだ。接続部212Eは端子として使用されて他の素子(例えば、回路、電源又はPCB基板)に直接的、かつ、電気的に接続することができる。
図5Hは、図5Gの斜視図を示す。図5Iは、図5Hの線A−A’における断面図を示す。発光構造物11及び導電性構造物21は、透明材料40内に埋め込まれる。従って、接続部212の側壁は透明材料40によって取り囲まれる。接続部212は透明材料40内に埋め込まれる。
図6Aから図6Fは、本開示の第5の実施形態に従った発光素子500の作製における断面図である。図6Aから図6Dのプロセスは、図1Aから図1Dに対応することができ、同様又は同一の符号を有する素子又は要素が、同一又は同様の機能を有する素子又は要素を表す。
その後、図6Eに示すように、接着層31が第3キャリア30上に形成される。第3キャリア30は接着層31を介して導電性構造物21に接着される。接着層31はシリコーン又はエポキシを含む。シリコーンは、メチル系シリコーン、フェニル系シリコーン又はその両方の混合物でよい。
図6Fに示すように、続いて、第1キャリア10、第3キャリア30、接着層31及び接続部212を切断することによって、図6Eの構造物はいくつかの発光素子500に分離される(1つの発光素子を図示)。同様に、発光素子500の2つの対向する端部における接続部212は、第1キャリア10の縁部101、第3キャリア30の縁部301又は/及び接着層31の縁部311を超えて延在するように描かれ得る。接続部212Eは端子として使用されて他の素子(例えば、回路、電源又はPCB基板)に直接的、かつ、電気的に接続することができる。
図7Aから図7Iは、前述の実施形態(第1から第5の実施形態)に記載された発光構造物の詳細な構造を示す断面図である。図7Aから図7Iの発光構造物には、それぞれ、新たな参照番号701から709が与えられる。
図7Aに示すように、発光構造物701は、基板7000、第1型半導体層7001、活性層7002、第2型半導体層7003、第2型半導体層7003に接するように形成される第1電極7004、そして、第1型半導体層7001に接するように形成される第2電極7005を含む。例えば、クラッド層又は閉じ込め層である、第1型半導体層7001及び第2型半導体層7003は、電子及びホールをそれぞれ提供し、これによって、電子及びホールは、活性層7002内で再結合されて光を生成する。任意で、保護層7006は、第1型半導体層7001及び第2型半導体層7003を覆うことができ、第1電極7004及び第2電極7005を取り囲むことができる。前述の実施形態に適用するとき、第1電極7004は第1ボンディングパッド111として使用され、第2電極7005は第2ボンディングパッド112として使用される。保護層7006は、SiOx、SiNx、Al又はシリコーンを含む。
図7Bに示すように、発光構造物702は発光構造物701と同様の構造物であるが、活性層7002から基板7000へと光を反射するために、第1型半導体層7001と保護層7006との間、かつ、第2型半導体層7003と保護層7006との間に形成される反射層7007を更に含む。反射層7007は代替層の積層体である多層でよく、各代替層は、Al、SiO、TiO及びNbからなる群のうちの1つで、分布ブラッグ反射器(DBR:Distributed Bragg Reflector)構造物を形成する。
図7Cに示すように、発光構造物703は、共通基板7010、共通基板7010に接する複数の発光積層体を含む。発光積層体の各々は、第1型半導体層7001、活性層7002及び第2型半導体層7003を含む。本実施形態において、第1電極7004’は、一方の発光積層体の第2型半導体層7003に接するように形成され、第2電極7005’は、他方の発光積層体の第1型半導体層7001に接するように形成される。配線構造物7015は、2つの隣接する発光積層体を電気的に直列接続するように設けられる。任意で、発光積層体は、互いに、並列接続に、逆並列接続に、あるいは、ホイートストンブリッジ接続(Wheatstone bridge connection)で接続され得る。絶縁層7016は、発光積層体と配線構造物7015との間に形成されて不要な電気路を回避する。前述の実施形態に適用するとき、第1電極7004’は第1ボンディングパッド111として使用され、第2電極7005’は第2ボンディングパッド112として使用される。
図7Dに示すように、発光構造物704は発光構造物701と同様の構造を有するが、第1電極7004及び保護層7006に接するように形成される第1拡大パッド7024と、第2電極7005及び保護層7006に接するように形成される第2拡大パッド7025とを更に含む。第1拡大パッド7024及び第2拡大パッド7025は、物理的に互いに分離される。第1拡大パッド7024及び第2拡大パッド7025は、後続の配向プロセスを促進させるため、それぞれ、第1電極7004及び第2電極7005の面積よりも大きな面積(又は幅)を有する。前述の実施形態に適用するとき、第1電極7024は第1ボンディングパッド111として使用され、第2電極7025は第2ボンディングパッド112として使用される。
図7Eに示すように、発光構造物704は発光構造物701と同様の構造を有するが、第1型半導体層7001、活性層7002及び第2型半導体層7003を取り囲む第1透明構造物7026を更に有する。第1透明構造物7026のフットプリント面積は、基板7000のフットプリント面積よりも大きい。第1透明構造物7026は、第1電極7004の表面70041及び第2電極7005の表面70051と実質的に同一平面上の表面70261を有する。前述の実施形態に適用するとき、第1電極7004は第1ボンディングパッド111として使用され、第2電極7005は第2ボンディングパッド112として使用される。第1透明構造物7026は透明な構造物でよく、有機材料及び無機材料のうちの1つ以上から主に作製される。有機材料は、シリコーン、エポキシ、ポリイミド(PI)、BCB、パーフルオロシクロブタン(PFCB)、Su8、アクリル樹脂、ポリメタクリル酸メチル(PMMA)、ポリエチレンテレフタラート(PET)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルイミド又はフルオロカーボン重合体でよい。無機材料は、ガラス、Al、SINR又はSOGでよい。
図7Fに示すように、発光構造物706は発光構造物705と同様の構造を有するが、第1電極7004及び第1透明構造物7026に接するように形成される第1拡大パッド7024と、第2電極7005及び第1透明構造物7026に接するように形成される第2拡大パッド7025とを更に含む。第1拡大パッド7024及び第2拡大パッド7025は、互いに物理的に分離される。支持層7008は第1拡大パッド7024と第1透明構造物7026との間、かつ、第2拡大パッド7025と第1透明構造物7026との間に形成される。前述の実施形態に適用するとき、第1電極7024は第1ボンディングパッド111として使用され、第2電極7025は第2ボンディングパッド112として使用される。支持層7008は、SiO、Si又は金属酸化物(二酸化チタンなど)、金属(Al又はCuなど)、シリコーン、エポキシ、ビスマレイミドトリジアン(BT)、ポリイミド樹脂、ポリテトラフルオロエチレン又はセラミック材料(Al、AlN又はAlSiCなど)を含むことができる。
図7Gに示すように、発光構造物707は発光構造物706と同様の構造を有するが、第1透明構造物7026上に形成される第2透明構造物7027を更に含む。第2透明構造物7027は、第1透明構造物7026の側面と実質的に同一平面上の側面を有する。前述の実施形態に適用するとき、第1電極7024は第1ボンディングパッド111として使用され、第2電極7025は第2ボンディングパッド112として使用される。
図7Hに示すように、発光構造物708は複数の間隔を空けた発光積層体を有する。発光積層体の各々は、基板7000と、第1型半導体層7001と、活性層7002と、第2型半導体層7003と、第2型半導体層7003に接するように形成される第1電極7004と、そして、第1型半導体層7001に接するように形成される第2電極7005とを含む。第1透明構造物7026は、全ての複数の発光積層体を覆い、かつ、取り囲むように形成される。第2透明構造物7027は、第1透明構造物7026上に形成される。第2透明構造物7027は、第1透明構造物7026の側面と実質的に同一の平面上の側面を有する。発光構造物である発光ユニット708は、発光積層体を互いに電気的に直列接続するように設けられる配線構造物7015’を更に含む。一実施形態において、発光積層体は、互いに、電気的に並列接続に、逆並列接続に、あるいは、ホイートストンブリッジ接続で接続され得る。更に、支持層7008は、第1拡大パッド7024と第1透明構造物7026との間、かつ、第2拡大パッド7025と第1透明構造物7026との間に形成される。前述の実施形態に適用するとき、第1電極7024は第1ボンディングパッド111として使用され、第2電極7025は第2ボンディングパッド112として使用される。
図7Iに示すように、発光構造物709は発光構造物708と同様の構造を有する。発光構造物709は、基板7000と、基板7000に接するように共通して形成される複数の間隔を空けた発光体とを有する。発光体の各々は、第1型半導体層7001、活性層7002及び第2型半導体層7003を含む。第1拡大パッド7024は一方の発光体にのみ接するように物理的に形成され、第2拡大パッド7025は他方の発光体にのみに接するように物理的に形成される。つまり、発光体は、第1拡大パッド7024及び第2拡大パッド7025と接触しない部分を有する。
図8Aから図8Jは、本開示の第6の実施形態に従った発光素子600の作製における断面図である。図8Aに示すように、複数の間隔を空けた発光構造物704が第1基板23及び第2基板24を含む複合基板上に配置される。第1基板23は、ブルーテープ、加熱剥離テープ/フィルム及びUV剥離テープのうちの1つでよい。第2基板24は、ガラス、サファイア及びAlNのうちの1つでよい。
図8Bに示すように、第1透明構造物7026は発光構造物704を覆い、かつ、取り囲むように設けられる。全ての発光構造物704は、周囲環境(例えば、空気又は不活性ガス)に晒されない。
図8Cに示すように、第1キャリア10は第1透明構造物7026に取り付けられる。
図8Dに示すように、複合基板は、除去されて第1透明構造物7026の表面と第1電極7024、第2電極7025の表面とを露出する。
従って、図8Eに示すように、複数の発光構造物706が第1キャリア10に接するように形成されるように、複数の溝(trench)7027が第1透明構造物7026において発光構造物704のうち2つの隣接するものの間に形成され、かつ、第1透明構造物7026において発光構造物704のうち2つの隣接するものを分離するように形成される。発光構造物706が異なる形状の第1透明構造物7026を有することができるように、溝7027は三角形状、直線形状又は湾曲状の断面を有することができる。
図8Fにおいて、第2キャリア20も設けられる。複数の導電性構造物21が第2キャリア20上に形成される。図8Fのプロセスについては、図4A及び図4Bを参照することができる。同様又は同一の符号を有する素子又は要素が、同一又は同様の機能を有する素子又は要素を表す。同様に、図8Gから図8Jのプロセスは、図4Cから図4Fに対応することができる。
代替的に、図9の追加的な工程が、図8Cの工程前に加えられ得る。つまり、波長変換層26が第1透明構造物7026内に更に配置されて発光構造物704から発光する第1の光を第2の光に変換することができる。波長変換層26は、断面において湾曲状の輪郭(curved profile)を有し、電極を有する表面以外の発光構造物704の5つの側部を実質的に覆う。波長変換層26はマトリックス状に分散した1つ以上の種類の波長変換材料を含むことができる。マトリックスはシリコーン及びエポキシを含む。第1の光は第2の光と混合されて2000Kから65000K(2000K、2200K、2400K、3000K、3500K、4000K又は6500Kなど)の色温度を有する白色光を生成する。発光構造物が初期状態又は熱定常状態において作動される間、色温度が測定される。他の実施形態において、波長変換層26は予め作製される蛍光体シートであり、熱プレス法によって発光構造物704に取り付けられる。
図10Aは、本開示の一実施形態に従ったランプに配置される発光素子300の斜視図である。ランプは、発光素子300と、カバー60と、電気コネクタ61と、2つの支持リード62と、そして、電気コネクタ61に電気的に接続されるボード63とを含む。発光素子300は、複数の発光構造物11及び導電性構造物21を含む。発光素子300は、導電性構造物21を付着又は半田付けすることを通して、2つの支持リード62に電気的に接続され得る。支持リード62がボード63に実装され、かつ、電気的に接続される。従って、電気コネクタ61が電源に接続されるとき、発光素子300は発光することができる。本実施形態において、発光素子300がキャリアを有さないので、発光構造物11の各々は、周囲環境(例えば、カバー60内に充填されるガス又は空気)に直接的に晒される6つの表面を有する。発光素子300から生成される熱は、支持リード62又は周囲環境を介して放出され得る。支持リード62は、Cu、Ag、Al、Au、Pt又はNiなどの金属を含む。
図10Bは、本開示の一実施形態に従ったランプに配置される発光素子300の斜視図である。図10Aと同様に、本実施形態では、2つの発光素子300がカバー60内に配置され、かつ、2列で配置されている。発光素子300は、支持リード62に電気的に接続され、電気コネクタ61内の回路か、あるいは、ボード63上の回路を介して直列又は並列に互いに接続され得る。
図10Cは、本開示の一実施形態に従ったランプ内に配置される発光素子300の斜視図である。発光素子300は支持リード62上に更に巻きつけられ得る。発光素子300と支持リード62との間の短絡を回避するために、電気絶縁構造物(図示しない)が発光素子300と支持リード62との間に設けられる。
一実施形態において、支持リード62は電気絶縁構造物によってスリーブ(sleeve)され得る。発光素子300は電気絶縁構造物上に巻きつけられ、電気絶縁構造物によって覆われない支持リード62の一部に電気的に接続される。
図10Dに示すように、発光素子300は、いかなるリードの補助も有さずに、ボード63又は電気コネクタ61に直接的、かつ、電気的に接続される。発光素子300は屈曲されるか、あるいは、三角形のような形状、長方形、円形又は他の形状に形成され得る。
発光素子の量及び配置は、実際の要件(例えば、強度、圧力、CRI又はCCT)に応じて変化され得る。更に、上述の発光素子100、200、300、400、500、600は、多くの種類のランプ(Aバルブ、Bバルブ、PAR、カプセルランプ、チューブ又は他の照明具(反射板)など)に適用することができる。加えて、発光素子100、200、300、400、500、600は、ディスプレイのバックライトにおいて使用されることもできる。
図11Aから図11Fは、1つの導電性構造物21の上面図を示す。接続部212は湾曲状、渦巻状、直線形状又は他の形状でよい。図11A及び図11Bに示すように、接続部212は渦巻状のような形状を有する。図11Cは、曲げられ、かつ、5つの屈曲部を有する接続部212を示す。図11Dは、曲げられ、かつ、S字状の形状と共に2つの屈曲部を有する接続部212を示す。図11Eは、第1接続パッド211Aと第2接続パッド211Bとの間に配置される2つの接続部212を示す。2つの接続部212は互いに対称である。各接続部212は7つの屈曲部を有する。図11Eと同様に、図11Fは、第1接続パッド211Aと第2接続パッド211Bとの間に配置される2つの接続部212を示す。2つの接続部212は互いに対称である。各接続部212は渦巻状のような形状を有する。
図12Aは、本開示の一実施形態に従った発光構造物11及び導電性構造物21の一部を示す上面図である。第1の方向(X)において、あるいは、1次元において配置される導電性構造物21を示す図2Aと比較して、図12Aの導電性構造物21は、網状に配置される。本実施形態において、複数の導電性構造物21は並列に配置され、複数の配線213が異なる導電性構造物21の第2接続パッド211Bを接続する。特に、接続部212は、異なる導電性構造物21の第1接続パッド211A及び第2接続パッド211Bを第1の方向(X)において、物理的、かつ、電気的に接続する。配線213は、異なる導電性構造物21の第2接続パッド211Bを第2の方向(Y)において、物理的、かつ、電気的に接続する。配線213は導電性構造物21の材料と同じ材料で作製される。更に、導電性構造物21及び配線213は、無伸長状態である第1状態である。
図12Bは、伸長状態である第2状態における導電性構造物21を示す上面図である。同様に、接続部212及び配線213は伸長され、発光構造物11の間隔又はピッチが拡大される。本実施形態において、発光構造物11が直並列接続の状態にあり、かつ、発光網が形成されるように、配線213は分離されない。図12Cは、図12Bの等価回路を示す。発光網はディスプレイのためのバックライトに使用され得る。
一実施形態において、図12Dに示すように、伸長後、配線213は切断されて複数の発光素子を形成する。発光構造物11は互いに電気的に直列接続される。図12Eは図12Dの等価回路を示す。
図1A及び図2Aに示すように(例えば)、導電性構造物21は2次元構造である第2キャリア20上に形成される。第2キャリア20が除去され(図1C参照)、導電性構造物21が伸長される(図1D参照)とき、導電性構造物21は3次元構造を有することができる。
上述の説明は本発明の特定の実施形態に関する。他の代替形及び変形が、本開示に従った素子に対しても、本開示の範囲又は精神から逸脱することなく作製することができるということは、当業者にとって明らかであろう。上述の記載を鑑みると、本開示の変形及び変更形が以下の請求項及びそれらの等価物の範囲内に該当するのであれば、本開示は本開示の変形及び変更形も含むということが意図される。
10 第1キャリア
11 発光構造物
20 第2キャリア
21 導電性構造物
23 第1基板
24 第2基板
26 波長変換層
30 第3キャリア
31 接着層
40 透明材料
60 カバー
61 電気コネクタ
62 支持リード
63 ボード
100 発光素子
101 縁部
111 第1ボンディングパッド
112 第2ボンディングパッド
200 発光素子
211A 第1接続パッド
211B 第2接続パッド
212 接続部
212E 接続部
213 配線
300 発光素子
301 縁部
302 最上面
311 縁部
400 発光素子
500 発光素子
600 発光素子
701 発光構造物
702 発光構造物
703 発光構造物
704 発光構造物
705 発光構造物
706 発光構造物
707 発光構造物
708 発光構造物
709 発光構造物
2111 上面
2112 側面
7000 基板
7001 第1型半導体層
7002 活性層
7003 第2型半導体層
7004 第1電極
7004’ 第1電極
7005 第2電極
7005’ 第2電極
7006 保護層
7007 反射層
7008 支持層
7010 共通基板
7015 配線構造物
7015’ 配線構造物
7016 絶縁層
7024 第1拡大パッド
7025 第2拡大パッド
7026 第1透明構造物
7027 第2透明構造物
7028 溝
70041 表面
70051 表面
70261 表面
H 高さ
S 空間

Claims (14)

  1. 外部回路に電気的に接続するように構成される発光素子であって、当該発光素子は、
    第1発光構造物と、
    第2発光構造物と、
    第1導電性構造物と、
    前記第1発光構造物を前記第2発光構造物と電気的に接続する第2導電性構造物と、
    を含み、
    前記第1導電性構造物は、
    前記第1発光構造物に接続される上面及び側面を有する第1接続パッドと、
    前記側面から延在し、かつ、前記外部回路に接続される第1接続部とを含む、
    発光素子。
  2. 前記第1発光構造物及び前記第2発光構造物に取り付けられるキャリアを更に含む、請求項1に記載の発光素子。
  3. 前記第1接続部は前記キャリアの縁部の外部に延在する、請求項2に記載の発光素子。
  4. 前記第1接続部上で形成される最上面を有するキャリアを更に含む、請求項1に記載の発光素子。
  5. 前記第1発光構造物と、前記第2発光構造物と、前記第1接続部の一部とを取り囲む透明材料を更に含む請求項1に記載の発光素子。
  6. 前記第1接続部の側壁を取り囲む透明材料を更に含む、請求項1に記載の発光素子。
  7. 前記第2接続構造物は、第2接続パッドと、第3接続パッドと、これらの間に配置される第2導電性部分とを含み、かつ、前記第2接続パッドを前記第3接続パッドと電気的に接続する、請求項1に記載の発光素子。
  8. 前記第2接続パッドは前記第1発光構造物に物理的に接着され、
    前記第3接続パッドは前記第2発光構造物に物理的に接着される、請求項7に記載の発光素子。
  9. 前記発光素子はキャリアがない、請求項1に記載の発光素子。
  10. 前記第1接続部は、周囲環境に晒される2つの対向する側部を有する、請求項1に記載の発光素子。
  11. 前記第1接続部は、前記第1接続パッドの幅よりも小さい幅を有する、請求項1に記載の発光素子。
  12. 前記第1接続パッドは、前記第1接続部の高さと等しい高さを有する、請求項1に記載の発光素子。
  13. 前記第1接続部は、Cu、Au、Pt、Ti又はNiを含む、請求項1に記載の発光素子。
  14. 前記第1接続パッド及び前記第1接続部は、高さレベルで実質的に位置決めされる、請求項1に記載の発光素子。
JP2015044863A 2014-03-06 2015-03-06 発光素子 Pending JP2015170858A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201461948917P 2014-03-06 2014-03-06
US61/948,917 2014-03-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015170858A true JP2015170858A (ja) 2015-09-28
JP2015170858A5 JP2015170858A5 (ja) 2018-04-12

Family

ID=53884147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015044863A Pending JP2015170858A (ja) 2014-03-06 2015-03-06 発光素子

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9583469B2 (ja)
JP (1) JP2015170858A (ja)
KR (2) KR20150105255A (ja)
CN (1) CN105280796A (ja)
DE (1) DE102015103289A1 (ja)
TW (2) TWI656300B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016076705A (ja) * 2014-10-07 2016-05-12 晶元光電股▲ふん▼有限公司 Ledデバイスにmems製造を組み込んだ実装方法およびアセンブリ
KR101718652B1 (ko) * 2016-03-11 2017-03-22 한국과학기술원 무전사 플렉서블 수직형 발광다이오드 및 이의 제작 방법
JP7481363B2 (ja) 2019-05-14 2024-05-10 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 表示装置

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10240724B2 (en) 2015-08-17 2019-03-26 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament
US10487987B2 (en) 2015-08-17 2019-11-26 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament
US10473271B2 (en) 2015-08-17 2019-11-12 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament module and LED light bulb
US10677396B2 (en) 2006-07-22 2020-06-09 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with symmetrical filament
US10655792B2 (en) * 2014-09-28 2020-05-19 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US10544905B2 (en) 2014-09-28 2020-01-28 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US9995474B2 (en) 2015-06-10 2018-06-12 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament, LED filament assembly and LED bulb
CN108317407A (zh) * 2011-10-31 2018-07-24 晶元光电股份有限公司 Led光源
TWI656300B (zh) * 2014-03-06 2019-04-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
USD786458S1 (en) * 2014-08-07 2017-05-09 Epistar Corporation Light emitting diode filament
US11543083B2 (en) 2014-09-28 2023-01-03 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US11073248B2 (en) * 2014-09-28 2021-07-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED bulb lamp
US11421827B2 (en) 2015-06-19 2022-08-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US10784428B2 (en) 2014-09-28 2020-09-22 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US11015764B2 (en) 2014-09-28 2021-05-25 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with flexible LED filament having perpendicular connecting wires
US11259372B2 (en) 2015-06-10 2022-02-22 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd High-efficiency LED light bulb with LED filament therein
US11525547B2 (en) 2014-09-28 2022-12-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11085591B2 (en) 2014-09-28 2021-08-10 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb with curved filament
US11686436B2 (en) 2014-09-28 2023-06-27 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and light bulb using LED filament
US10976009B2 (en) 2014-09-28 2021-04-13 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament light bulb
US12007077B2 (en) 2014-09-28 2024-06-11 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US11997768B2 (en) 2014-09-28 2024-05-28 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
US10982816B2 (en) 2014-09-28 2021-04-20 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb having uniform light emmision
US10845008B2 (en) 2014-09-28 2020-11-24 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. LED filament and LED light bulb
US11028970B2 (en) 2014-09-28 2021-06-08 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament light bulb having organosilicon-modified polyimide resin composition filament base layer
WO2016131418A1 (en) * 2015-02-16 2016-08-25 Gean Technology Co. Limited Light bulb with led symbols
CN106439531A (zh) * 2015-08-07 2017-02-22 深圳市裕富照明有限公司 充气led灯泡
US11168844B2 (en) 2015-08-17 2021-11-09 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED light bulb having filament with segmented light conversion layer
US10359152B2 (en) 2015-08-17 2019-07-23 Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co, Ltd LED filament and LED light bulb
GB2543139B (en) 2015-08-17 2018-05-23 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co Ltd LED light bulb and LED filament thereof
TWI744221B (zh) * 2015-12-04 2021-11-01 晶元光電股份有限公司 發光裝置
TWI587543B (zh) * 2015-12-15 2017-06-11 李乃義 發光二極體封裝結構及其製造方法
CN107676637A (zh) * 2016-08-01 2018-02-09 漳州立达信光电子科技有限公司 全向出光led灯
DE102016114571A1 (de) * 2016-08-05 2018-02-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Filament mit einem träger
KR102430500B1 (ko) 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈
TWI635605B (zh) * 2017-11-02 2018-09-11 錼創顯示科技股份有限公司 微型發光二極體顯示面板
KR102459144B1 (ko) 2017-11-20 2022-10-27 서울반도체 주식회사 전구형 광원
CN109973833B (zh) 2017-12-26 2023-03-28 嘉兴山蒲照明电器有限公司 Led灯丝及led球泡灯
US10790419B2 (en) 2017-12-26 2020-09-29 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd LED filament and LED light bulb
KR20190098709A (ko) * 2018-02-14 2019-08-22 에피스타 코포레이션 발광 장치, 그 제조 방법 및 디스플레이 모듈
US10982048B2 (en) 2018-04-17 2021-04-20 Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd Organosilicon-modified polyimide resin composition and use thereof
USD893088S1 (en) * 2018-07-13 2020-08-11 Veeco Instruments Inc. Mid-filament spacer
US11359774B2 (en) * 2018-07-18 2022-06-14 Lumileds Llc Flexible light-emitting diode lighting strip with interposer
US11088308B2 (en) * 2019-02-25 2021-08-10 Tdk Corporation Junction structure

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3075689U (ja) * 2000-08-17 2001-02-27 舶用電球株式会社 Led電球
JP2012023184A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Sharp Corp 発光装置
JP2012044043A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2012059736A (ja) * 2010-09-03 2012-03-22 Panasonic Corp 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP2012231018A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Nippon Mektron Ltd フレキシブル回路体及びその製造方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3835942A1 (de) * 1988-10-21 1990-04-26 Telefunken Electronic Gmbh Flaechenhafter strahler
JP3075689B2 (ja) * 1995-12-14 2000-08-14 積水化学工業株式会社 自動換気装置
DE20018435U1 (de) 2000-10-27 2001-02-22 Shining Blick Enterprises Co., Ltd., Taipeh/T'ai-pei Glühbirne mit darin enthaltenen biegbaren Lampenbirnchen
US6743982B2 (en) * 2000-11-29 2004-06-01 Xerox Corporation Stretchable interconnects using stress gradient films
KR20070063976A (ko) * 2005-12-16 2007-06-20 서울옵토디바이스주식회사 플립칩 구조의 발광 소자 및 이의 제조 방법
US7834424B2 (en) 2006-09-12 2010-11-16 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Extendable connector and network
JP4753904B2 (ja) 2007-03-15 2011-08-24 シャープ株式会社 発光装置
US8484836B2 (en) 2007-09-10 2013-07-16 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Flexible network
KR100928259B1 (ko) 2007-10-15 2009-11-24 엘지전자 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법
US8207473B2 (en) * 2008-06-24 2012-06-26 Imec Method for manufacturing a stretchable electronic device
WO2010018426A2 (en) 2008-08-14 2010-02-18 Yipi Pte Ltd Led lamp
KR100999689B1 (ko) 2008-10-17 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법, 이를 구비한 발광장치
WO2010086033A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Stretchable electronic device
US8629353B2 (en) 2009-03-05 2014-01-14 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Apparatus and method using patterned array with separated islands
DE112010002822T5 (de) * 2009-07-03 2012-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Gehäuse für licht emittierende dioden
TWI581398B (zh) * 2009-10-19 2017-05-01 晶元光電股份有限公司 發光元件
TWI414088B (zh) 2009-12-16 2013-11-01 Epistar Corp 發光元件及其製造方法
US8471387B2 (en) 2010-05-12 2013-06-25 Monolithe Semiconductor Inc. Extendable network structure
JP2011249476A (ja) * 2010-05-25 2011-12-08 Kyocera Corp 半導体発光装置
TWI455378B (zh) 2010-08-04 2014-10-01 Epistar Corp 一具穿隧栓塞之發光元件及其製造方法
US8198109B2 (en) 2010-08-27 2012-06-12 Quarkstar Llc Manufacturing methods for solid state light sheet or strip with LEDs connected in series for general illumination
CN101982883A (zh) * 2010-09-01 2011-03-02 晶科电子(广州)有限公司 一种由倒装发光单元阵列组成的发光器件及其制造方法
CN102446948B (zh) * 2010-10-12 2014-07-30 晶元光电股份有限公司 发光元件
CN102214649B (zh) * 2011-05-25 2013-03-13 映瑞光电科技(上海)有限公司 一种led封装结构及其制备方法
KR20120131751A (ko) * 2011-05-26 2012-12-05 이태세 엘이디칩 어레이 조명
JP6200891B2 (ja) * 2011-09-30 2017-09-20 ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ 蛍光体材料及び関連デバイス
TW201336114A (zh) 2012-02-22 2013-09-01 矽品精密工業股份有限公司 半導體封裝件及其製法
US20140048824A1 (en) 2012-08-15 2014-02-20 Epistar Corporation Light-emitting device
TWI626395B (zh) * 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
TWI656300B (zh) * 2014-03-06 2019-04-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3075689U (ja) * 2000-08-17 2001-02-27 舶用電球株式会社 Led電球
JP2012023184A (ja) * 2010-07-14 2012-02-02 Sharp Corp 発光装置
JP2012044043A (ja) * 2010-08-20 2012-03-01 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
JP2012059736A (ja) * 2010-09-03 2012-03-22 Panasonic Corp 発光装置、バックライトユニット、液晶表示装置及び照明装置
JP2012231018A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Nippon Mektron Ltd フレキシブル回路体及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016076705A (ja) * 2014-10-07 2016-05-12 晶元光電股▲ふん▼有限公司 Ledデバイスにmems製造を組み込んだ実装方法およびアセンブリ
KR101718652B1 (ko) * 2016-03-11 2017-03-22 한국과학기술원 무전사 플렉서블 수직형 발광다이오드 및 이의 제작 방법
WO2017155175A1 (ko) * 2016-03-11 2017-09-14 한국과학기술원 무전사 플렉서블 수직형 발광다이오드 및 이의 제작 방법
JP7481363B2 (ja) 2019-05-14 2024-05-10 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150105255A (ko) 2015-09-16
US10396058B2 (en) 2019-08-27
TW201843412A (zh) 2018-12-16
TWI656300B (zh) 2019-04-11
US20170179086A1 (en) 2017-06-22
CN105280796A (zh) 2016-01-27
TWI638962B (zh) 2018-10-21
KR20200018365A (ko) 2020-02-19
KR102187708B1 (ko) 2020-12-08
TW201534833A (zh) 2015-09-16
DE102015103289A1 (de) 2015-09-10
US9583469B2 (en) 2017-02-28
US20150255440A1 (en) 2015-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102187708B1 (ko) 발광 소자
US10593655B2 (en) Light bulb
US9741763B2 (en) Optoelectronic device
JP6529223B2 (ja) 光電部品
JP2008235827A (ja) 発光装置
TWI601909B (zh) 發光裝置及其製造方法
KR102052040B1 (ko) 광전소자와 그 제조방법
JP7503672B2 (ja) 光電部品
JP4936169B2 (ja) 発光装置
JP2008211019A (ja) 発光素子搭載用基板および発光装置
TWI787987B (zh) 光電元件
TWI842276B (zh) 光電元件
TWI662720B (zh) 光電元件及其製造方法
TW202431665A (zh) 光電元件
JP2013045786A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180301

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180301

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20181128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181218

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190318

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190611

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190911

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20200204