JP2015170851A - Memsデバイスチップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 厚みの薄いMEMSデバイスチップを形成可能なMEMSデバイスチップの製造方法を提供することである。
【解決手段】 MEMSデバイスチップの製造方法であって、ウエーハのデバイス形成予定領域を研削して凹部を形成するとともに該凹部を囲繞する環状補強部を形成する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウエーハにエッチングを含む加工を施して該デバイス形成予定領域に交差する複数の分割予定ラインで区画されるMEMSデバイスを複数形成するMEMSデバイス形成ステップと、該MEMSデバイス形成ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってウエーハを分割して複数のMEMSデバイスチップを製造する分割ステップと、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図6
【解決手段】 MEMSデバイスチップの製造方法であって、ウエーハのデバイス形成予定領域を研削して凹部を形成するとともに該凹部を囲繞する環状補強部を形成する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウエーハにエッチングを含む加工を施して該デバイス形成予定領域に交差する複数の分割予定ラインで区画されるMEMSデバイスを複数形成するMEMSデバイス形成ステップと、該MEMSデバイス形成ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってウエーハを分割して複数のMEMSデバイスチップを製造する分割ステップと、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図6
Description
本発明は、MEMSデバイスチップの製造方法に関する。
加速度センサ、圧力センサ、マイクロフォン等のMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)デバイスの製造プロセスでは、シリコンウエーハ上に複数のMEMSデバイスを形成した後、ウエーハを分割予定ラインに沿って分割して個々のMEMSデバイスチップを製造している。
MEMSデバイスの形成時には、例えば特開平07−240395号公報に開示されているように、シリコンウエーハにフォトリソグラフィー及びエッチングを施すことで圧力センサ用のダイアフラム、加速度センサ用カンチレバー、マイクロフォン用のバックチャンバー等を大量に形成している。
エッチングを施した後はウエーハの強度が低下するため、従来はハンドリング時の破損を防止するためにもデバイスにとっては必要以上の厚みを有した状態で、ウエーハにエッチングを施していた。
シリコンウエーハにフォトリソグラフィー及びエッチングを施してMEMSデバイスを複数形成した後に、研削してウエーハを薄化するとデバイスが破損してしまう恐れがあるため、従来はエッチングを施してMEMSデバイスを形成した後にはウエーハを薄化せずに分割予定ラインに沿って個々のMEMSデバイスチップに分割している。
従って、従来のMEMSデバイスチップの製造方法では、必要以上に厚みが厚いMEMSデバイスチップが製造されていた。しかし、近年の電子機器の小型化及び薄型化に伴い、MEMSデバイスチップについても更なる薄化が要望されている。
ウエーハをサポートプレートに貼着した状態でウエーハを研削して薄化し、この状態でエッチングを施すことも考えられるが、ウエーハのサポートプレート貼着面側にMEMSデバイスを形成する際には、一度ウエーハをサポートプレートから剥離する必要があり、工程が煩雑になる上、ハンドリング時にウエーハが破損する恐れがある。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、厚みの薄いMEMSデバイスチップを形成可能なMEMSデバイスチップの製造方法を提供することである。
本発明によると、MEMSデバイスチップの製造方法であって、ウエーハのデバイス形成予定領域を研削して凹部を形成するとともに該凹部を囲繞する環状補強部を形成する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、ウエーハにエッチングを含む加工を施して該デバイス形成予定領域に交差する複数の分割予定ラインで区画されるMEMSデバイスを複数形成するMEMSデバイス形成ステップと、該MEMSデバイス形成ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってウエーハを分割して複数のMEMSデバイスチップを製造する分割ステップと、を備えたことを特徴とするMEMSデバイスチップの製造方法が提供される。
好ましくは、前記分割ステップは、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの内部に集光しながら分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハ内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに外力を付与して該改質層を分割起点にウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のMEMSデバイスチップに分割する外力付与ステップと、を含む。
本発明のMEMSデバイスチップの製造方法では、予めウエーハのデバイス形成予定領域を研削して薄化し凹部を形成するとともに凹部を囲繞する環状補強部を形成する。次いで、ウエーハにエッチングを含む加工を施してMEMSデバイスを複数形成する。よって、従来に比べてより薄いMEMSデバイスチップを形成することができる。
研削により薄化されたウエーハのデバイス形成予定領域にエッチングを施すため、エッチングで例えば所望厚みを残存させたい場合や、貫通部を形成する場合には、エッチング時間を短縮できる。更に、デバイス形成予定領域を研削して薄化しても、環状補強部が形成されているため、ハンドリング時の破損を防止できる。
本発明のMEMSデバイスチップの製造方法では、サポートプレートを使用しないため経済的である。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図1を参照すると、本発明実施形態に係る研削ステップの斜視図が示されている。図2は研削ステップを説明する平面図である。
研削ステップの加工対象となるウエーハ11はシリコンインゴットからワイヤーソー等により切り出され両面が研磨加工により鏡面に形成されたウエーハであり、例えば700μmの厚さを有している。
シリコンウエーハ(以下、単にウエーハと略称することがある)11には未だデバイスが形成されていないが、説明の便宜上、後でデバイスを形成するデバイス形成面を表面11aとし、反対面を裏面11bとして説明する。
図1において、研削装置の研削ユニット10は、スピンドルハウジング12内に回転可能に収容された図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル14と、スピンドル14の先端に固定されたホイールマウント16と、ホイールマウント16に複数のねじ18により着脱可能に装着された研削ホイール20とを含んでいる。研削ホイール20は、環状のホイール基台22と、ホイール基台22の下端部外周に貼着された複数の研削砥石24とから構成される。
研削ステップでは、ウエーハ11の表面11a側を研削装置のチャックテーブル26で吸引保持し、ウエーハ11の裏面11bを露出させる。そして、研削ホイール20でウエーハ11のデバイス形成予定領域を研削して円形凹部13を形成するとともに、円形凹部13を囲繞する環状補強部15を形成する。
研削ステップでは、図1に示すように、チャックテーブル26を矢印aで示す方向に例えば300rpmで回転しつつ、研削ホイール20を矢印bで示す方向に例えば6000rpmで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削ホイール20の研削砥石24をウエーハ11の裏面11bに接触させる。そして、研削ホイール20を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りする。
その結果、ウエーハ11の裏面11bには、デバイス形成予定領域が研削されて円形状の凹部13が形成されるとともに、外周領域が残存されて環状補強部15が形成される。
この研削方法を実施するためのウエーハ11と研削ホイール20との関係について図2を参照して説明する。チャックテーブル26の回転中心P1と環状に配設された研削砥石24の回転中心P2は偏心しており、研削砥石24がウエーハ11の回転中心P1を通過し且つ研削ホイール20に配設された研削砥石24の外周縁がデバイス形成予定領域の外周28を通過する外径に設定され、環状に配設された研削砥石24がチャックテーブル26の回転中心P1を通過するように設定されている。
図3は研削ステップ実施後のウエーハ11の断面図を示している。この研削ステップを実施することにより、ウエーハ11のデバイス形成予定領域が例えば100μmの厚みに研削される。環状補強部15はウエーハ11の元厚が残存されているため、700μmの厚みを有している。
研削ステップを実施した後、ウエーハ11にフォトリソグラフィープロセス及びエッチングを含む加工を施し、図4及び図5に示すように、ウエーハ11に互いに直交する複数の分割予定ライン17で区画される複数のMEMSデバイス19を形成するMEMSデバイス形成ステップを実施する。
図4に示されるように、複数のMEMSデバイス19は円形凹部13の反対面であるウエーハ11の表面11aに形成される。エッチングステップは、ウェットエッチング又はドライエッチングの何れでも採用可能である。
MEMSデバイス形成ステップを実施した後、図5に示すように、ウエーハ11の裏面11bを真空マウンタで外周部が環状フレームFに貼着されたエキスパンドテープTに貼着して、ウエーハユニット21を形成する。MEMSデバイス19の強度によっては、代替実施形態として、ウエーハ11の表面11aを発泡剥離テープに貼着するようにしても良い。
ウエーハユニット21を形成した後、図6に示すように、レーザー加工装置の突出した吸引保持部31を有するチャックテーブル30でエキスパンドテープTを介してウエーハ11を吸引保持し、レーザービーム照射ユニット34の集光器32からレーザービームを照射して、ウエーハ11の内部に分割起点としての改質層23を形成する改質層形成ステップを実施する。
図7に示すように、レーザービーム照射ユニット34は、レーザービーム発生ユニット36と集光器32とから構成される。レーザービーム発生ユニット36は、YAGレーザー又はYVO4レーザーを発振するレーザー発振器38と、繰り返し周波数設定手段40と、パルス幅調整手段42と、パワー調整手段44とを含んでいる。
レーザービーム発生ユニット36のパワー調整手段44で所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器32のミラー46で反射され、更に集光用対物レンズ48によって集光されてチャックテーブル30に保持されているシリコンウエーハ11に照射される。
改質層形成ステップでは、集光器32でウエーハ11に対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハ11の内部に集光して照射し、チャックテーブル30を矢印X1方向に加工送りすることにより、第1の方向に伸長する分割予定ライン17に沿ってウエーハ11の内部に改質層23を形成する。
分割予定ライン17のピッチずつチャックテーブル30を加工送り方向X1と直交する方向に割り出し送りしながら、第1の方向に伸長する全ての分割予定ライン17に沿ってウエーハ11内部に改質層23を形成する。
次いで、チャックテーブル30を90°回転してから、第1の方向と直交する第2の方向に伸長する分割予定ライン17に沿ってウエーハ11内部に同様な改質層23を形成する。
この改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4パルスレーザー
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
改質層形成ステップ実施後、図8(A)及び図8(B)に示すような分割装置50によりウエーハ11を分割して、複数のMEMSデバイスチップを製造する分割ステップを実施する。
図8(A)において、分割装置50は環状フレームFを保持するフレーム保持ユニット52と、フレーム保持ユニット52に保持された環状フレームFに貼着されたエキスパンドテープTを拡張する拡張ドラム54を具備している。
フレーム保持ユニット50は、環状のフレーム保持部材56と、フレーム保持部材56の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ58から構成される。フレーム保持部材56の上面は環状フレームFを載置する載置面56aを形成しており、この載置面56a上に環状フレームFが載置される。
フレーム保持ユニット52は、エアシリンダ62から構成された駆動手段60により、環状のフレーム保持部材56をその載置面56aが拡張ドラム54の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム54の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。エアシリンダ62のピストンロッド64がフレーム保持部材56の下面に連結されている。
分割ステップでは、図8(A)に示すように、ウエーハ11をエキスパンドテープTを介して支持した環状フレームFを、フレーム保持部材56の載置面56a上に載置し、クランプ58によってフレーム保持部材56を固定する。このとき、フレーム保持部材56はその載置面56aが拡張ドラム54の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
次いで、エアシリンダ62を駆動してフレーム保持部材56を図8(B)に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材56の載置面56a上に固定されている環状フレームFも下降するため、環状フレームFに装着されたエキスパンドテープTは拡張ドラム54の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
その結果、エキスパンドテープTに貼着されているウエーハ11には放射状に引っ張り力が作用する。このようにウエーハ11に放射状に引っ張り力が作用すると、ウエーハ11の内部に形成された改質層23は強度が低下されているので、ウエーハ11は改質層23が分割起点となって個々のMEMSデバイスチップ25に分割される。図9はMEMSデバイスチップ25の斜視図を示している。
ウエーハ11の表面11aを発泡剥離テープに貼着した第2実施形態においては、レーザービームのアブレーション加工によりウエーハ11を個々のMEMSデバイスチップ25に分割するか、或いはダイシング装置のブレードダイシングによりウエーハ11を個々のMEMSデバイスチップ25に分割する。
10 研削ユニット
11 シリコンウエーハ
13 円形凹部
15 環状補強部
17 分割予定ライン
19 MEMSデバイス
20 研削ホイール
21 ウエーハユニット
23 改質層
24 研削砥石
25 MEMSデバイスチップ
32 集光器
34 レーザービーム照射ユニット
36 レーザービーム発生ユニット
50 分割装置
52 フレーム保持ユニット
54 拡張ドラム
11 シリコンウエーハ
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34 レーザービーム照射ユニット
36 レーザービーム発生ユニット
50 分割装置
52 フレーム保持ユニット
54 拡張ドラム
Claims (2)
- MEMSデバイスチップの製造方法であって、
ウエーハのデバイス形成予定領域を研削して凹部を形成するとともに該凹部を囲繞する環状補強部を形成する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、ウエーハにエッチングを含む加工を施して該デバイス形成予定領域に交差する複数の分割予定ラインで区画されるMEMSデバイスを複数形成するMEMSデバイス形成ステップと、
該MEMSデバイス形成ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってウエーハを分割して複数のMEMSデバイスチップを製造する分割ステップと、
を備えたことを特徴とするMEMSデバイスチップの製造方法。 - 前記分割ステップは、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの内部に集光しながら分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハ内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後、ウエーハに外力を付与して該改質層を分割起点にウエーハを該分割予定ラインに沿って個々のMEMSデバイスチップに分割する外力付与ステップと、を含む請求項1記載のMEMSデバイスチップの製造方法。
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