JP2015170677A - ショットキーバリアダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板とn型GaN層とInGaN層とを有するショットキーバリアダイオードの製造方法は、TMInとTMGaとを用いてn型GaN層上にインジウム窒化ガリウム(InGaN)をエピタキシャル成長させることによりInGaN層を形成する工程を備え、前述の工程において、成長温度を825℃以上かつ1000℃以下とし、前述のモル比を、1.0×10-5以上かつ1.0×10-4以下とする。
【選択図】図2
Description
A1.ショットキーバリアダイオードの構成:
図1は、本発明の一実施形態としての製造方法により製造されたショットキーバリアダイオードの構成を模式的に示す断面図である。なお、図1には、相互に直交するX軸,Y軸およびZ軸が表わされている。
図2は、本実施形態におけるショットキーバリアダイオード10の製造方法を示す工程図である。図2に示すように、製造者は、まず、エピタキシャル成長により、基板101上に、n型GaN層102を形成する(工程P105)。本実施形態では、工程P105におけるエピタキシャル成長は、有機金属気相成長法(MOCVD)を実現する装置を用いて行われる。また、本実施形態では、工程P105における成長圧力は、200Torr以上かつ760Torr以下である。なお、エピタキシャル成長における不純物の混入を抑制するためには、成長圧力をより高い圧力とすることが好ましい。また、本実施形態では、工程P105では、III族原料であるトリメチルガリウム(TMGa)に対するV族原料であるアンモニア(NH3)のモル比(NH3/TMGa)を、2500以上かつ10000以下とする。これにより、n型GaN層102における炭素(C)の濃度を1.0×1016cm-3以下となるように制御する。炭素(C)の濃度を低く抑えることにより、炭素(C)によるドナーの働きの抑制(キャリアの減少)を抑えることができる。
<条件1>:成長温度を、825℃以上かつ1000℃以下とする。
<条件2>:ガリウム(Ga)の原料であるトリメチルガリウム(TMGa)に対するインジウム(In)の原料であるトリメチルインジウム(TMIn)のモル比(TMIn/TMGa)を、1.0×10-5以上かつ1.0×10-4以下とする。
<条件3>:成長圧力を、200Torr以上かつ760Torr以下とする。
実施例では、上述のショットキーバリアダイオード10の製造方法により1つのサンプルS1を製造した。また、比較例としての2つのサンプルR1,R2を製造した。サンプルS1を製造する際に、上記工程P105における成長圧力を700Torrとした。また、工程P105におけるトリメチルガリウム(TMGa)に対するアンモニア(NH3)のモル比(NH3/TMGa)を2500とした。また、工程P110の<条件1>の成長温度を825℃とした。また、工程P110の<条件2>のモル比(TMIn/TMGa)を、1.0×10-5とした。また、工程P110の<条件3>の成長圧力を700Torrとした。なお、工程P110における成長時間は、11分とした。
C1.変形例1:
上記実施形態において、工程P105におけるn型GaN層102のエピタキシャル成長の条件は、上述した条件に限定されるものではない。例えば、工程P105におけるn型GaN層102の成長圧力を、200Torr以上かつ760Torr以下の範囲から外れた圧力としてもよい。また、工程P105におけるトリメチルガリウム(TMGa)に対するアンモニア(NH3)のモル比(NH3/TMGa)を、2500以上かつ10000以下の範囲から外れた値としてもよい。
上記実施形態において、工程P110における<条件3>を省略してもよい。すなわち、工程P110におけるInGaN層103の成長圧力を、200Torr以上かつ760Torr以下の範囲から外れた値としてもよい。
100…オーミック電極
101…基板
102…n型GaN層
103…InGaN層
104…絶縁層
105…ショットキー電極
114…開口部
Claims (2)
- 主として窒化ガリウム(GaN)により構成されている基板と、主としてn型窒化ガリウム(GaN)により構成され、前記基板上に形成されているn型GaN層と、主としてインジウム窒化ガリウム(InGaN)により構成され、前記n型GaN層において前記基板と接する面とは反対側の面上に形成されているInGaN層と、を有するショットキーバリアダイオードの製造方法であって、
トリメチルインジウム(TMIn)とトリメチルガリウム(TMGa)とを用いて、前記n型GaN層上にインジウム窒化ガリウム(InGaN)をエピタキシャル成長させることにより、前記InGaN層を形成する工程を備え、
前記工程において、
エピタキシャル成長における成長温度を、825℃以上かつ1000℃以下とし、
前記トリメチルガリウム(TMGa)に対する前記トリメチルインジウム(TMIn)のモル比を、1.0×10-5以上かつ1.0×10-4以下とする、ショットキーバリアダイオードの製造方法。 - ショットキーバリアダイオードであって、
主として窒化ガリウム(GaN)により構成されている基板と、
主としてn型窒化ガリウム(GaN)により構成され、前記基板上に形成されているn型GaN層と、
主としてインジウム窒化ガリウム(InGaN)により構成され、前記n型GaN層において前記基板と接する面とは反対側の面上に形成されているInGaN層であって、(0002)面のX線ロッキングカーブ(XRC)の半値幅が、1arcsec以上かつ50arcsec以下であるInGaN層と、
を備える、ショットキーバリアダイオード。
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